CN112310011A - 导热装置、芯片和电子设备 - Google Patents
导热装置、芯片和电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112310011A CN112310011A CN202010080533.0A CN202010080533A CN112310011A CN 112310011 A CN112310011 A CN 112310011A CN 202010080533 A CN202010080533 A CN 202010080533A CN 112310011 A CN112310011 A CN 112310011A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heat
- target
- target area
- conducting
- heat conduction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 55
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 21
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 20
- 239000000499 gel Substances 0.000 claims description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 14
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 11
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 24
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3736—Metallic materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本公开的实施例公开了导热装置、芯片和电子设备。该导热装置在使用时覆盖主控芯片的至少一部分表面，其中，主控芯片包括中央处理器CPU模块和无线网WIFI模块；导热装置的目标区域的目标导热元素的含量，小于导热装置的非目标区域的目标导热元素的含量，其中，目标区域与WIFI模块的表面相对应，目标导热元素为干扰WIFI模块的射频性能的导热元素。该实施方式可以兼容散热效果和WIFI模块的射频性能。
Description
技术领域
本公开的实施例涉及芯片散热技术领域，具体涉及导热装置、芯片和电子设备。
背景技术
现阶段，智能硬件越来越普及。在成本因素的影响下，智能硬件需要越来越集成，体积越来越小。因此，一些主控芯片要包含的功能越来越多，目前主控芯片包含WIFI(Wireless-Fidelity，无线网)模块和CPU(Central Processing Unit，中央处理器)模块开始流行。这种芯片可以将两个模块的功能进行集成，同时体积没有增加，因此，对设计非常有利。
然而在使用过程中，主控芯片将产生大量热量，需要对其进行散热，以确保正常运转。现有技术中，通常使用导热硅胶为主控芯片散热。
发明内容
本公开提出了导热装置、芯片和电子设备。
第一方面，本公开的实施例提供了一种导热装置，该导热装置在使用时覆盖主控芯片的至少一部分表面，其中，主控芯片包括中央处理器CPU模块和无线网WIFI模块；导热装置的目标区域的目标导热元素的含量，小于导热装置的非目标区域的目标导热元素的含量，其中，目标区域与WIFI模块的表面相对应，目标导热元素为干扰WIFI模块的射频性能的导热元素。
在一些实施例中，目标区域和非目标区域的目标导热元素的含量，分别与目标区域和非目标区域内，目标导热元素的质量密度和/或分子数密度正相关。
在一些实施例中，目标区域和非目标区域设置有导热硅胶，目标区域的导热硅胶的厚度小于非目标区域的导热硅胶的厚度；或者，目标区域和非目标区域设置有导热硅胶，导热硅胶在目标区域开设通孔；或者，目标区域未设置导热硅胶，非目标区域设置有导热硅胶。
在一些实施例中，目标区域的氮化硼的含量大于非目标区域的氮化硼的含量。
在一些实施例中，非目标区域填充有导热硅胶，目标区域填充有目标导热材料，目标导热材料中的目标导热元素的含量小于导热硅胶中的目标导热元素的含量。
在一些实施例中，WIFI模块嵌于CPU模块；CPU模块的厚度与WIFI模块的厚度相同；目标区域的导热材料的厚度，与非目标区域的导热硅胶的厚度相同。
在一些实施例中，目标导热元素包括以下至少一项：铝、氧化铝。
在一些实施例中，导热装置还包括散热片，散热片与主控芯片之间为目标区域或非目标区域。
第二方面，本公开的实施例提供了一种芯片，该芯片包括主控芯片和导热装置，其中：主控芯片包括中央处理器CPU模块和嵌于CPU模块的无线网WIFI模块；上述导热装置为上述第一方面中任一实施例的导热装置。
第三方面，本公开的实施例提供了一种电子设备，该电子设备包括刚性线路板和芯片，其中，芯片为上述第二方面中任一实施例的芯片，芯片与刚性线路板螺栓连接。
本公开的实施例提供的导热装置在使用时，覆盖主控芯片的至少一部分表面，其中，主控芯片包括中央处理器CPU模块和无线网WIFI模块，并且，导热装置的目标区域的目标导热元素的含量，小于导热装置的非目标区域的目标导热元素的含量，其中，目标区域与WIFI模块的表面相对应，目标导热元素为干扰WIFI模块的射频性能的导热元素，由于目标导热元素越多，导热装置的散热效果越好，对WIFI模块的射频性能干扰越大，因此，本公开的实施例相对于现有技术而言，目标区域包含更少的目标导热元素，从而减少了对WIFI模块的射频性能的干扰，并且，本公开的实施例中非目标区域包含的目标导热元素可以与现有技术相当，因而，可以确保与现有技术基本类似的散热效果，可见，本公开的实施例提供的导热装置可以兼容散热效果和WIFI模块的射频性能。
本公开的实施例提供的芯片包括主控芯片和导热装置，其中：主控芯片包括中央处理器CPU模块和嵌于CPU模块的无线网WIFI模块，该导热装置为上述第一方面中任一实施例的导热装置，由于目标导热元素越多，导热装置的散热效果越好，对WIFI模块的射频性能干扰越大，因此，本公开的实施例相对于现有技术而言，目标区域包含更少的目标导热元素，从而降低了对WIFI模块的射频性能的干扰，并且，本公开的实施例中非目标区域包含的目标导热元素可以与现有技术相当，因而，可以确保与现有技术中类似的散热效果，可见，本公开的实施例提供的芯片可以兼容散热效果和WIFI模块的射频性能，从而确保芯片的正常运行，延长其使用寿命。
本公开的实施例提供的电子设备包括刚性线路板和芯片，其中，芯片为上述第二方面中任一实施例的芯片，芯片与刚性线路板螺栓连接。由于目标导热元素越多，导热装置的散热效果越好，对WIFI模块的射频性能干扰越大，因此，本公开的实施例相对于现有技术而言，目标区域包含更少的目标导热元素，从而降低了对WIFI模块的射频性能的干扰，并且，本公开的实施例中非目标区域包含的目标导热元素可以与现有技术相当，因而，可以确保与现有技术中类似的散热效果，可见，本公开的实施例提供的电子设备可以兼容设置于其中的主控芯片的散热效果和WIFI模块的射频性能，从而确保该电子设备的正常运行。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本公开的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1A是根据本公开的导热装置的第一个实施例在使用时覆盖主控芯片的示意图；
图1B是根据本公开的导热装置的第一个实施例中的主控芯片的示意图；
图1C是根据本公开的导热装置的第一个实施例中的目标空间的位置示意图；
图2是根据本公开的导热装置的第二个实施例的示意图；
图3是根据本公开的导热装置的第三个实施例的示意图；
图4是根据本公开的芯片的一个实施例的示意图；
图5是根据本公开的电子设备的一个实施例的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本公开作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与有关发明相关的部分。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本公开。
图1是根据本公开的导热装置的第一个实施例在使用时覆盖主控芯片的示意图。
如图1所示，导热装置101在使用时，覆盖主控芯片102的至少一部分表面。主控芯片102可以包括CPU模块1021和WIFI模块1022。
作为示例，请参考图1B，图1B是根据本公开的导热装置的第一个实施例中的主控芯片的示意图。在图1B中，主控芯片102可以包括CPU模块1021和WIFI模块1022。
在这里，CPU模块1021和WIFI模块1022的相对位置可以根据实际需求来确定。例如，WIFI模块1022可以内嵌于CPU模块1021中，也可以设置于CPU模块1021之上。
在使用时，导热装置101可以覆盖主控芯片102的全部表面，也可以覆盖主控芯片102的部分表面。例如，导热装置101可以覆盖主控芯片102中的CPU模块1021的表面，而不覆盖主控芯片102中的WIFI模块1022的表面。例如，在使用时，导热装置101可以位于主控芯片102与散热片之间。
在本实施例中，导热装置101的目标区域的目标导热元素的含量，小于导热装置的非目标区域的目标导热元素的含量。其中，目标区域与WIFI模块的表面相对应。目标导热元素为干扰WIFI模块1022的射频性能的导热元素。
作为示例，请参考图1C，图1C是根据本公开的导热装置的第一个实施例中的目标空间的位置示意图。如图1C所示，目标区域1012与WIFI模块的表面相对应。例如，目标区域在导热装置上的位置，可以与WIFI模块在主控芯片上的位置相同。
在这里，目标导热元素可以包括但不限于以下至少一项：银、铜、石墨等等。
在本实施例的一些可选的实现方式中，目标导热元素也可以包括以下至少一项：铝、氧化铝。
现有技术中，为了降低对WIFI模块的射频性能的干扰，通常只能通过减薄导热装置(例如导热硅胶)的厚度等方式，来减少目标导热元素的含量，进而降低对WIFI模块的射频性能的干扰。然而，随着目标导热元素含量的减少，导热装置的散热效果也将降低。并且，由于导热硅胶等导热装置是一种公差比较大的产品，如果厚度太薄，会出现接触不良的隐患，难以实现导热功能。
在解决如上技术问题的过程中，经过大量的实验研究发现，导热装置中，铝、氧化铝等目标导热元素的含量直接决定了导热装置的导热系数，以及对WIFI模块的射频性能的干扰大小。
本公开的上述实施例提供的导热装置在使用时覆盖主控芯片的至少一部分表面，其中，主控芯片包括中央处理器CPU模块和无线网WIFI模块，并且，导热装置的目标区域的目标导热元素的含量，小于导热装置的非目标区域的目标导热元素的含量，其中，目标区域与WIFI模块的表面相对应，目标导热元素为干扰WIFI模块的射频性能的导热元素。由于实践中可以采用含有铝、氧化铝等目标导热元素的导热硅胶，对主控芯片中的CPU模块进行导热和散热。然而，虽然采用上述目标导热元素可以更好地为主控芯片中的CPU模块进行导热和散热，但与此同时，目标导热元素的使用也干扰了WIFI模块的射频性能。本实施例通过导热装置的目标区域的目标导热元素的含量，小于导热装置的非目标区域的目标导热元素的含量，从而相对于现有技术而言，本公开的实施例中的目标区域包含更少的目标导热元素，从而降低了对WIFI模块的射频性能的干扰，并且，本公开的实施例中非目标区域包含的目标导热元素可以与现有技术相当，因而，可以确保与现有技术中类似的散热效果，可见，本公开的实施例提供的导热装置可以兼容散热效果和WIFI模块的射频性能。此外，当目标区域不填充导热材料时，可以节省导热装置制备过程中对导热材料的使用量，由此可以节省成本；当目标区域填充的导热材料中的目标导热元素的含量，小于目标区域填充的导热材料中的目标导热元素的含量时，由于目标导热元素含量少的导热材料(例如导热硅胶)成本较低，由此也可以节省成本。
在一些应用场景下，上述导热装置可以是导热硅胶，WIFI模块通位于主控芯片的一个角落。因此，实践中，可以针对WIFI模块在主控芯片上的上述位置关系，来相应地确定目标空间的位置。例如，可以按照WIFI模块的尺寸，对现有技术中使用的导热硅胶片进行切角，使切角后的导热硅胶在使用时仅覆盖主控芯片中不含WIFI模块的部分。
在上述应用场景中，目标空间可以不填充任何物体，也可以采用含有氮化硼的导热材料；导热装置的非目标空间可以使用含有氧化铝的导热硅胶来填充。例如，非目标空间的导热硅胶的导热效率(即热传导率，定义为单位面积的材料在单位温差下和单位时间内直接传导的热量)在5W/mK(瓦/(米·开))以上。由于WIFI模块的面积不大，因此整体散热效率可以达到5W以上，同时由于WIFI模块部分含有少量金属氧化物，因此WIFI性能又得到了保证。
在这里，采用不同导热效率的导热硅胶、对现有技术中使用的导热硅胶片的不同角落进行切角，来对比主控芯片中的CPU模块的温度，以及WIFI模块的射频性能。此处，采用RX(接收吞吐量)和TX(发送吞吐量)来表征WIFI模块的射频性能，可以获得如下实验数据：
由上表编号1、2的两组数据进行对比，可知，导热硅胶中目标导热元素含量越多，导热效果越好，射频性能(吞吐量)越差。上表编号为3的数据中，通过增加导热硅胶的厚度，来提升到热效率，由上表编号1、3的两组数据进行对比，可知，导热硅胶厚度越大，射频性能(吞吐量)越差。由上表编号1、2、4的三组数据进行对比，可知，导热硅胶中目标导热元素含量增加，并且在主控芯片的WIFI模块的相对位置进行切角，其射频性能(吞吐量)与编号1的数据相当，并且散热效果与编号2的数据相当。
在实际使用中，只要保证目标空间和非目标空间两个空间的导热硅胶一样的厚度，并且预压量大于公差即可满足组装的良率需求，而且导热硅胶可以切割任意形状，这种拼接不会增加工艺难度，所以可以很好的平衡性能和散热，并且不增加成本，因为金属氧化物少的导热硅胶成本较低。例如，目标空间和非目标空间的导热硅胶厚度均设计成1毫米，公差可以做到±0.1毫米，实际散热需求导热硅胶预压量在0.3毫米以上，也即1毫米的导热硅胶压紧后为0.7毫米，因此±0.1毫米的公差不影响两个硅胶的匹配问题。
在本实施例的一些可选的实现方式中，目标区域和非目标区域的目标导热元素的含量，分别与目标区域和非目标区域内，目标导热元素的质量密度和/或分子数密度正相关。
其中，上述非目标区域可以是导热装置中，除上述目标区域之外的其他区域。目标区域内目标导热元素的质量密度可以是：目标区域内目标导热元素的质量与该目标区域的体积的比值。非目标区域内目标导热元素的质量密度可以是：非目标区域内目标导热元素的质量与该非目标区域的体积的比值。目标区域内目标导热元素的分子数密度可以是：目标区域内目标导热元素的分子数与该目标区域的体积的比值。非目标区域内目标导热元素的分子数密度可以是：非目标区域内目标导热元素的分子数与该非目标区域的体积的比值。
可以理解，本可选的实现方式可以基于目标导热元素的质量密度和/或分子数密度，来控制目标区域和非目标区域的目标导热元素的含量，从而可以更准确地确保导热装置的目标区域的目标导热元素的含量，小于导热装置的非目标区域的目标导热元素的含量。
在本实施例的一些可选的实现方式中，目标区域和非目标区域设置有导热硅胶，目标区域的导热硅胶的厚度小于非目标区域的导热硅胶的厚度。
作为示例，请参考图2，图2是根据本公开的导热装置的第二个实施例的示意图。在图2中，目标区域和非目标区域设置有导热硅胶，目标区域的导热硅胶2022的厚度小于非目标区域的导热硅胶2021的厚度。
应当理解，本实施例中的目标区域不仅可以填充有与非目标区域相同的导热材料(例如目标导热元素含量更少的导热硅胶)，还可以填充有其他材料，例如空气、与非目标区域不同的导热材料等等。
可以理解，本可选的实现方式可以通过设置目标区域的导热硅胶的厚度小于非目标区域的导热硅胶的厚度，从而实现导热装置的目标区域的目标导热元素的含量，小于导热装置的非目标区域的目标导热元素的含量，从而无需调整用以填充目标区域和非目标区域的导热硅胶中的目标导热元素的含量，即可实现导热装置的目标区域的目标导热元素的含量，小于导热装置的非目标区域的目标导热元素的含量，由此简化了导热装置的制备复杂度。
在本实施例的一些可选的实现方式中，目标区域未设置导热硅胶，非目标区域设置有导热硅胶。
在这里，当图2中的目标区域的导热硅胶的厚度为0时，其可作为本可选的实现方式的一个示例。
应当理解，本可选的实现方式可以节省导热硅胶的使用量，从而减少了散热成本。
在本实施例的一些可选的实现方式中，目标区域和非目标区域设置有导热硅胶，导热硅胶在目标区域开设通孔。
作为示例，请参考图3，图3是根据本公开的导热装置的第三个实施例的示意图。在图3中，目标区域和非目标区域设置有导热硅胶，导热硅胶在目标区域开设通孔3021。
可以理解，本可选的实现方式可以在导热硅胶的目标区域开设通孔，实现导热装置的目标区域的目标导热元素的含量，小于导热装置的非目标区域的目标导热元素的含量。
在本实施例的一些可选的实现方式中，目标区域的氮化硼的含量大于非目标区域的氮化硼的含量。在这里，氮化硼可以用于为主控芯片导热。
作为示例，导热装置的目标区域可以填充有含有氮化硼而不含(或者较少)目标导热元素(例如铝、氧化铝)的导热硅胶，导热装置的目标区域可以填充有含有目标导热元素(例如铝、氧化铝)而不含(或者较少)氮化硼的导热硅胶。
可以理解，本可选的实现方式可以通过在目标区域填充含量大于非目标区域的氮化硼，来弥补目标区域的散热效果，从而使得目标区域的散热效果接近非目标区域的散热效果，并且，通过填充含有氮化硼的导热材料，提高主控芯片使用过程中的稳定性，一定程度上减少震荡、晃动等情况的发生。
在本实施例的一些可选的实现方式中，非目标区域填充有导热硅胶，目标区域填充有目标导热材料，目标导热材料中的目标导热元素的含量小于导热硅胶中的目标导热元素的含量。其中，上述目标导热材料可以包括但不限于以下至少一项：导热硅胶、导热硅脂等等。
可以理解，本可选的实现方式可以通过制备目标导热元素含量不同的两种导热硅胶，从而将目标导热元素含量较多的导热硅胶填充于非目标区域，将目标导热元素含量较少的导热硅胶填充于目标区域，从而可以兼容散热效果和WIFI模块的射频性能。
在本实施例的一些可选的实现方式中，WIFI模块嵌于CPU模块；CPU模块的厚度与WIFI模块的厚度相同；目标区域的导热材料的厚度，与非目标区域的导热硅胶的厚度相同。
可以理解，在本可选的实现方式中，WIFI模块的四周嵌于CPU模块，由此，通过目标区域的导热材料的厚度与非目标区域的导热硅胶的厚度相同，可以提高主控芯片使用过程中的稳定性，一定程度上减少震荡、晃动等情况的发生。
在本实施例的一些可选的实现方式中，导热装置还包括散热片，散热片与主控芯片之间为目标区域或非目标区域。
可以理解，本可选的实现方式可以配合散热片的使用，为主控芯片进行导热和散热，从而提高了主控芯片的散热效果。
在本实施例的一些可选的实现方式中，目标导热材料的弹性值与导热硅胶的弹性值之差小于或等于预设弹性阈值。
可以理解，本可选的实现方式可以采用弹性值较为接近(弹性值之差小于或等于预设弹性阈值)的目标导热材料和导热硅胶，分别填充目标空间和非目标空间，从而可以提高主控芯片使用过程中的稳定性，一定程度上减少主控芯片震荡、晃动等情况的发生。
请继续参考图4，图4是根据本公开的芯片的一个实施例的示意图。如图4所示，芯片包括主控芯片402和导热装置401，其中：主控芯片包括CPU模块4021和嵌于CPU模块4021的WIFI模块4022；导热装置401为上述第一方面中任一实施例的导热装置。
本公开的上述实施例提供的芯片包括主控芯片和导热装置，其中：主控芯片包括中央处理器CPU模块和嵌于CPU模块的无线网WIFI模块，导热装置为上述第一方面中任一实施例的导热装置，由此，由于目标导热元素越多，导热装置的散热效果越好，对WIFI模块的射频性能干扰越大，因此，本公开的实施例相对于现有技术而言，目标区域包含更少的目标导热元素，从而降低了对WIFI模块的射频性能的干扰，并且，本公开的实施例中非目标区域包含的目标导热元素可以与现有技术相当，因而，可以确保与现有技术中类似的散热效果，可见，本公开的实施例提供的芯片可以兼容散热效果和WIFI模块的射频性能，从而确保芯片的正常运行，延长其使用寿命。
接下来请参考图5，图5是根据本公开的电子设备的一个实施例的示意图。
如图5所示，电子设备501包括刚性线路板(Printed Circuit Board，PCB)和芯片5011，其中，芯片5011为上述第二方面中任一实施例的芯片，芯片与刚性线路板螺栓连接。
在这里，上述电子设备可以是各种具有WIFI模块和CPU模块的电子设备，例如，上述电子设备可以包括但不限于智能设备，如智能音箱、智能投影仪、智能冰箱等等。
本公开的上述实施例提供的电子设备包括刚性线路板和芯片，其中，芯片为上述第二方面中任一实施例的芯片，芯片与刚性线路板螺栓连接。由于目标导热元素越多，导热装置的散热效果越好，对WIFI模块的射频性能干扰越大，因此，本公开的实施例相对于现有技术而言，目标区域包含更少的目标导热元素，从而降低了对WIFI模块的射频性能的干扰，并且，本公开的实施例中非目标区域包含的目标导热元素可以与现有技术相当，因而，可以确保与现有技术中类似的散热效果，可见，本公开的实施例提供的电子设备可以兼容设置于其中的主控芯片的散热效果和WIFI模块的射频性能，从而确保该电子设备的正常运行。
以上描述仅为本公开的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本公开中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离上述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本公开中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
Claims (10)
1.一种导热装置，其中：
所述导热装置在使用时覆盖主控芯片的至少一部分表面，其中，所述主控芯片包括中央处理器CPU模块和无线网WIFI模块；
所述导热装置的目标区域的目标导热元素的含量，小于所述导热装置的非目标区域的所述目标导热元素的含量，其中，所述目标区域与所述WIFI模块的表面相对应，所述目标导热元素为干扰所述WIFI模块的射频性能的导热元素。
2.根据权利要求1所述的导热装置，其中，所述目标区域和所述非目标区域的目标导热元素的含量，分别与所述目标区域和所述非目标区域内，目标导热元素的质量密度和/或分子数密度正相关。
3.根据权利要求1所述的导热装置，其中，所述目标区域和所述非目标区域设置有导热硅胶，所述目标区域的导热硅胶的厚度小于所述非目标区域的导热硅胶的厚度；或者
所述目标区域和所述非目标区域设置有导热硅胶，导热硅胶在所述目标区域开设通孔；或者
所述目标区域未设置导热硅胶，所述非目标区域设置有导热硅胶。
4.根据权利要求1所述的导热装置，其中，所述目标区域的氮化硼的含量大于所述非目标区域的氮化硼的含量。
5.根据权利要求1所述的导热装置，其中，所述非目标区域填充有导热硅胶，所述目标区域填充有目标导热材料，所述目标导热材料中的所述目标导热元素的含量小于所述导热硅胶中的所述目标导热元素的含量。
6.根据权利要求5所述的导热装置，其中，所述WIFI模块嵌于所述CPU模块；所述CPU模块的厚度与所述WIFI模块的厚度相同；所述目标区域的导热材料的厚度，与所述非目标区域的导热硅胶的厚度相同。
7.根据权利要求1-6之一所述的导热装置，其中，所述目标导热元素包括以下至少一项：
铝、氧化铝。
8.根据权利要求1-6之一所述的导热装置，其中，所述导热装置还包括散热片，所述散热片与所述主控芯片之间为所述目标区域或所述非目标区域。
9.一种芯片，所述芯片包括主控芯片和导热装置，其中：
所述主控芯片包括中央处理器CPU模块和嵌于所述CPU模块的无线网WIFI模块；
所述导热装置为如权利要求1-8之一所述的导热装置。
10.一种电子设备，包括刚性线路板和芯片，其中，所述芯片为如权利要求9所述的芯片，所述芯片与所述刚性线路板螺栓连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010080533.0A CN112310011A (zh) | 2020-02-05 | 2020-02-05 | 导热装置、芯片和电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010080533.0A CN112310011A (zh) | 2020-02-05 | 2020-02-05 | 导热装置、芯片和电子设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112310011A true CN112310011A (zh) | 2021-02-02 |
Family
ID=74336729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010080533.0A Pending CN112310011A (zh) | 2020-02-05 | 2020-02-05 | 导热装置、芯片和电子设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112310011A (zh) |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1117083A (ja) * | 1997-06-26 | 1999-01-22 | Sony Corp | Ｅｍｉ対策機能付き放熱装置 |
| US20040118579A1 (en) * | 2002-12-19 | 2004-06-24 | 3M Innovative Properties Company | Flexible heat sink |
| CN101083890A (zh) * | 2006-06-02 | 2007-12-05 | 富准精密工业(深圳)有限公司 | 散热装置 |
| US20100053900A1 (en) * | 2008-08-26 | 2010-03-04 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Heat dissipation structure and vehicular inverter |
| US20130047435A1 (en) * | 2011-08-29 | 2013-02-28 | Aerovironment Inc | Method of manufacturing a heat transfer system for aircraft structures |
| WO2014052018A1 (en) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Dow Global Technologies Llc | Low-density, metal-based components for wireless-communication towers |
| CN105514082A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-04-20 | 南京航空航天大学 | 一种芯片间无线互连结构 |
| US20170105315A1 (en) * | 2015-10-12 | 2017-04-13 | Sercomm Corporation | Heat conductive plastic radiator and communicaiton device |
| CN107910318A (zh) * | 2017-12-05 | 2018-04-13 | 深圳市共进电子股份有限公司 | 一种电磁辐射吸波散热结构 |
| CN108565489A (zh) * | 2018-03-20 | 2018-09-21 | 华霆（合肥）动力技术有限公司 | 导热硅胶垫及电池模组 |
| WO2018208966A1 (en) * | 2017-05-09 | 2018-11-15 | Ball Aerospace & Technologies Corp. | Planar phased array antenna |
| CN109872976A (zh) * | 2019-03-01 | 2019-06-11 | 晶晨半导体（深圳）有限公司 | 一种用于解决散热片的天线效应的方法 |
-
2020
- 2020-02-05 CN CN202010080533.0A patent/CN112310011A/zh active Pending
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1117083A (ja) * | 1997-06-26 | 1999-01-22 | Sony Corp | Ｅｍｉ対策機能付き放熱装置 |
| US20040118579A1 (en) * | 2002-12-19 | 2004-06-24 | 3M Innovative Properties Company | Flexible heat sink |
| CN101083890A (zh) * | 2006-06-02 | 2007-12-05 | 富准精密工业(深圳)有限公司 | 散热装置 |
| US20100053900A1 (en) * | 2008-08-26 | 2010-03-04 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Heat dissipation structure and vehicular inverter |
| US20130047435A1 (en) * | 2011-08-29 | 2013-02-28 | Aerovironment Inc | Method of manufacturing a heat transfer system for aircraft structures |
| WO2014052018A1 (en) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Dow Global Technologies Llc | Low-density, metal-based components for wireless-communication towers |
| US20170105315A1 (en) * | 2015-10-12 | 2017-04-13 | Sercomm Corporation | Heat conductive plastic radiator and communicaiton device |
| CN105514082A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-04-20 | 南京航空航天大学 | 一种芯片间无线互连结构 |
| WO2018208966A1 (en) * | 2017-05-09 | 2018-11-15 | Ball Aerospace & Technologies Corp. | Planar phased array antenna |
| CN107910318A (zh) * | 2017-12-05 | 2018-04-13 | 深圳市共进电子股份有限公司 | 一种电磁辐射吸波散热结构 |
| CN108565489A (zh) * | 2018-03-20 | 2018-09-21 | 华霆（合肥）动力技术有限公司 | 导热硅胶垫及电池模组 |
| CN109872976A (zh) * | 2019-03-01 | 2019-06-11 | 晶晨半导体（深圳）有限公司 | 一种用于解决散热片的天线效应的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8248785B2 (en) | Electronic device with thermal insulation member for heat sink | |
| US7131487B2 (en) | Use of adjusted evaporator section area of heat pipe that is sized to match the surface area of an integrated heat spreader used in CPU packages in mobile computers | |
| US6762939B2 (en) | Thermal solution for a mezzanine card | |
| US8059401B2 (en) | Electronic device with heat dissipation module | |
| KR20010099701A (ko) | 열분산 핀을 포함하는 히트 싱크 및 열 분산 핀을고정시키는 방법 | |
| US20060227515A1 (en) | Cooling apparatus for electronic device | |
| EP4042847A1 (en) | Thermal-control system of a mesh network device and associated mesh network devices | |
| US20210259131A1 (en) | Electronic device | |
| TW201212802A (en) | Heat dissipation apparatus | |
| CN112310011A (zh) | 导热装置、芯片和电子设备 | |
| EP2933833A1 (en) | Electromagnetic shielding device | |
| JP2003060140A (ja) | ヒートシンクおよび放熱装置 | |
| CN105957847B (zh) | 一种芯片散热结构及机顶盒 | |
| CN217116715U (zh) | 芯片散热结构和电子设备 | |
| JP2003198171A (ja) | ヒートシンクおよび放熱器 | |
| EP1785807A1 (en) | Cooling of a small electronic device with a USB connector | |
| CN210183794U (zh) | 电子设备 | |
| CN209572318U (zh) | 均温板及服务器 | |
| CN214477407U (zh) | 具有陶瓷散热片的存储器 | |
| US6501655B1 (en) | High performance fin configuration for air cooled heat sinks | |
| CN216253639U (zh) | 一种散热结构及电子设备 | |
| TWI838259B (zh) | 散熱結構及電子裝置 | |
| CN215181717U (zh) | 主控机箱 | |
| CN210984280U (zh) | 具有陶瓷散热片的固态硬盘 | |
| CN210403707U (zh) | 一种散热装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |