CN112309718B

CN112309718B - 多层电子组件

Info

Publication number: CN112309718B
Application number: CN202010717584.XA
Authority: CN
Inventors: 赵珉贞; 金昞建; 姜秀智; 吴由弘
Original assignee: Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date: 2019-08-02
Filing date: 2020-07-23
Publication date: 2023-10-10
Anticipated expiration: 2040-07-23
Also published as: US11715602B2; US20210035741A1; CN112309718A

Abstract

本公开提供一种多层电子组件，所述多层电子组件包括：主体，包括介电层以及在所述主体中在堆叠方向上交替堆叠的内电极；以及外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极。所述内电极包含94.0wt％至99.6wt％的Ni和0.4wt％至6.0wt％的Cu。

Description

多层电子组件

本申请要求于2019年8月2日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0094258号韩国专利申请及于2019年10月16日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0128544号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种多层电子组件。

背景技术

多层陶瓷电容器(MLCC)(多层电子组件)是安装在各种电子产品(包括诸如液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)等的成像装置、计算机、智能电话、移动电话等)的印刷电路板上的片型电容器，并且可被配置为对装置充电或从装置放电。

由于多层陶瓷电容器的尺寸相对较小，多层陶瓷电容器可用作各种电子装置的组件，可确保高容量并且可容易地安装。随着诸如计算机、移动装置等的电子装置已经被设计为具有减小的尺寸并且以高功率操作，对多层陶瓷电容器的小型化和高容量的需求已经增加。

为了减小多层电子组件的尺寸并实现高电容，可能需要减小内电极和介电层中的每个的厚度的技术。

当Ni电极用作多层电子组件的内电极时，随着层数根据高电容而增加，Ni电极在MLCC片中所占据的体积会显著增加。为了在有限厚度内层叠更多数量的介电层，需要减小Ni电极的厚度。然而，Ni电极的厚度减小得越多，Ni颗粒之间的连续性可能劣化得越严重，使得有效电极面积可能减小。因此，已经不断尝试在不出现上述问题的情况下减小Ni电极的厚度。

发明内容

本公开的一方面在于改善内电极的电极连续性。

本公开的另一方面在于改善内电极的强度。

本公开的另一方面在于改善内电极的平滑性。

本公开的另一方面在于改善内电极的抗氧化性。

本公开的另一方面在于提供一种具有改善的可靠性、减小的尺寸和高电容的多层电子组件。

根据本公开的一方面，一种多层电子组件包括：主体，包括介电层以及在所述主体中在堆叠方向上交替堆叠的内电极；以及外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极。所述内电极包含94.0wt％至99.6wt％的Ni和0.4wt％至6.0wt％的Cu。

附图说明

通过以下结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征及优点将被更清楚地理解，在附图中：

图1是示出根据本公开的示例性实施例的多层电子组件的透视图；

图2是沿图1中的线I-I'截取的截面图；

图3是沿图1中的线II-II'截取的截面图；

图4是示出根据本公开的示例性实施例的堆叠有介电层和内电极的主体的分解透视图；

图5是示出图2中所示的P1区域的图；

图6是示出图5中所示的P2区域的图；以及

图7是示出关于测试编号1、5和6在每个温度下的绝缘电阻(IR)性质的曲线图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图如下描述本公开的实施例。

然而，本公开可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于在此阐述的具体实施例。更确切地说，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将要把本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。因此，为了描述清楚，可夸大附图中的元件的形状和尺寸，并且附图中由相同附图标记指示的元件是相同的元件。

在附图中，可以省略某些元件以允许清楚地描述本公开，并且可夸大厚度以清楚地示出层和区域。将使用相同的附图标记来描述在相同概念的范围内具有相同功能的相同元件。此外，在整个说明书中，应理解的是，除非另外说明，否则当一部分“包括”元件时，其可进一步包括另一元件，而不排除另一元件。

在附图中，X方向为第二方向、L方向或长度方向，Y方向为第三方向、W方向或宽度方向，Z方向为第一方向、堆叠方向、T方向或厚度方向。

多层电子组件

图1是示出根据示例性实施例的多层电子组件的透视图。

图2是沿图1中的线I-I'截取的截面图。

图3是沿图1中的线II-II'截取的截面图。

图4是示出根据示例性实施例的堆叠有介电层和内电极的主体的分解透视图。

在下面的描述中，将根据示例性实施例描述多层电子组件。

多层电子组件100可包括主体110以及外电极131和132，主体110包括介电层111以及交替地设置的内电极121和122且介电层111介于内电极121和122之间，外电极131和132设置在主体110上并连接到内电极121和122。内电极121和122可包含94.0wt％至99.6wt％的Ni和0.4wt％至6.0wt％的Cu。

在主体110中，介电层111以及内电极121和122可在堆叠方向上交替地堆叠。

主体110可不限于任何特定形状。如示出的，主体110可具有六面体形状或类似于六面体的形状。由于包括在主体110中的陶瓷粉末在烧结工艺期间的收缩，主体110可不具有精确的具有直线的六面体形状，而是可具有大体六面体形状。

主体110可具有在厚度方向(Z方向)上彼此相对的第一表面1和第二表面2、连接到第一表面1和第二表面2并且在宽度方向(Y方向)上彼此相对的第三表面3和第四表面4以及连接到第一表面1和第二表面2以及第三表面3和第四表面4并且在长度方向(X方向)上彼此相对的第五表面5和第六表面6。厚度方向可以是介电层111与内电极121和122可交替堆叠的堆叠方向。

形成主体110的多个介电层111可处于烧结状态，并且可被一体化为使得在不使用扫描电子显微镜(SEM)的情况下可能难以识别相邻介电层111之间的边界。

根据示例性实施例，介电层111的材料可不限于任何特定材料，只要能够用其获得足够的电容即可。例如，可使用钛酸钡材料、含铅(Pb)的钙钛矿材料化合物、钛酸锶材料等作为介电层111的材料。钛酸钡材料可包括BaTiO₃基陶瓷粉末，并且陶瓷粉末的示例可包括BaTiO₃、钙(Ca)、锆(Zr)等部分地固溶在BaTiO₃等中的(Ba_1-xCa_x)TiO₃、Ba(Ti_1-yCa_y)O₃、(Ba_1- _xCa_x)(Ti_1-yZr_y)O₃、Ba(Ti_1-yZr_y)O₃等。

还可根据预期目的添加除了诸如钛酸钡(BaTiO₃)粉末等的粉末之外的各种陶瓷添加剂、有机溶剂、增塑剂、偶联剂、分散剂等作为介电层111的材料。

介电层111的厚度td可不限于任何特定尺寸。

当介电层的厚度小于0.6μm时，特别是当介电层的厚度小于0.41μm时，耐湿性可能降低。

根据示例性实施例，即使当介电层和内电极中的每个的厚度显著减小时，也可有效地防止电极的断开和凝聚，从而可提高耐湿性。因此，即使当介电层的厚度小于0.41μm时，也可确保足够的耐湿性。

当介电层111的厚度为0.41μm或更小时，耐湿性的改善效果可显著提高。

介电层111的厚度td可指设置在第一内电极121和第二内电极122之间的介电层111的平均厚度。

介电层111的平均厚度可通过使用扫描电子显微镜(SEM)扫描主体110的在长度-厚度方向(L-T)上截取的截面表面而获得的图像来测量。

例如，在从通过扫描主体110的在宽度方向上的中央部截取的在长度-厚度方向(L-T)上的截面表面而获得的图像中提取的随机的介电层中，可在长度方向上测量具有相等间隙的30个点的厚度的平均值。

可通过电容形成部A测量具有相等间隙的30个点的厚度，电容形成部A指的是第一内电极121和第二内电极122彼此重叠的区域。

主体110可包括设置在主体110中并且形成电容的电容形成部以及设置在电容形成部A的上面和下面的覆盖部112和113，电容形成部包括设置为彼此相对的第一内电极121和第二内电极122且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间。

电容形成部可有助于形成电容器的电容，并且可通过交替地设置多个第一内电极121和多个第二内电极122且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间而形成。

上覆盖部112和下覆盖部113可通过分别在电容形成部A的上表面和下表面上设置单个介电层或层叠两个或更多个介电层来形成，并且可防止由物理或化学应力引起的对内电极的损坏。

上覆盖部112和下覆盖部113可不包括内电极，并且可包括与介电层111的材料相同的材料。

换句话说，上覆盖部112和下覆盖部113可包括陶瓷材料。例如，上覆盖部112和下覆盖部113可包括BaTiO₃基陶瓷材料。

覆盖部112和113中的每个的厚度可不限于任何特定尺寸。为了减小多层电子组件的尺寸并实现电容，覆盖部112和113中的每个的厚度可以是20μm或更小。

此外，边缘部114和115可设置在电容形成部A的侧表面上。

边缘部114和115可包括设置在主体110的第六表面6上的边缘部114和设置在第五表面5上的边缘部115。边缘部114和115可设置在主体110的在宽度方向上的两个侧表面上。

如图3所示，边缘部114和115可指在主体110的在宽度-厚度(W-T)方向截取的截面表面上的第一内电极121和第二内电极122的两端与主体110的边界表面之间的区域。

边缘部114和115可防止由物理或化学应力引起的对内电极的损坏。

通过将导电膏涂覆到陶瓷生片的除了形成边缘部的区域之外的区域来形成内电极，从而可形成边缘部114和115。

此外，为了防止由内电极121和122形成台阶部，可在层叠内电极之后执行切割工艺以将内电极暴露于主体的第五表面5和第六表面6，并且可在电容形成部A的两个侧表面上堆叠单个介电层或者两个或更多个介电层，从而形成边缘部114和115。

内电极121和122可与介电层111交替地堆叠。

内电极121和122可包括第一内电极121和第二内电极122。第一内电极121和第二内电极122可交替地堆叠并且彼此相对，且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间，并且第一内电极121和第二内电极122可分别暴露于主体110的第三表面3和第四表面4。

参照图2，第一内电极121可与第四表面4间隔开，并且可暴露于第三表面3。第二内电极122可与第三表面3间隔开，并且可通过第四表面4暴露。

第一内电极121和第二内电极122可通过设置在其间的介电层111彼此电隔离。

参照图4，主体110可通过将其上印刷有第一内电极121的陶瓷生片和其上印刷有第二内电极122的陶瓷生片交替地层叠并执行烧结工艺来形成。

内电极121和122可包含94.0wt％至99.6wt％的Ni和0.4wt％至6.0wt％的Cu。因此，可改善内电极的Ni颗粒之间的连续性，可改善内电极的强度，并且可改善多层电子组件的高温负载可靠性、耐湿性等。

Cu的氧化程度可低于Ni的氧化程度。当根据示例性实施例添加一定含量的Cu时，可改善内电极的抗氧化性，并且还可减少在制造工艺中的氧化，从而可改善Ni颗粒之间的连续性，并且可改善耐湿性。

特别地，当包含0.4wt％或更高的Cu时，可显著改善在厚度方向(Z方向)上的收缩率，因此，可改善Ni颗粒之间的连续性，可提高电容器电容，并且可改善负载可靠性和耐湿性。也可改善电极厚度偏差和电极连续性(即，内电极连续性)。

当Cu的含量超过6.0wt％时，由添加Cu引起的改善T(厚度方向)收缩、MTTF和耐湿性等可能不足。

根据示例性实施例，内电极121和122的内电极连续性可以是90％或更高。

内电极连续性可被定义为其中实际形成内电极的部分的长度与内电极的总长度的比。

例如，如图5所示，当在第一内电极121的一点处测量的总电极长度被定义为b，并且实际形成电极的部分(或称为一个或更多个电极部)的长度分别被定义为e1、e2、e3和e4时，内电极连续性可由e/b表示，e/b是通过将实际形成电极的部分的长度的和e(e＝e1+e2+e3+e4)除以总电极长度b而获得的值。

当内电极连续性低于90％时，可能难以确保足够的电容。

在示例性实施例中的其中将一定含量的Cu添加到Ni中的内电极中，可改善主体在厚度方向上的收缩率(T收缩)，从而可确保90％或更高的内电极连续性。

内电极连续性的上限可不必限制于任何特定示例，但是考虑到制造工艺等，上限可以是97％。

内电极121和122的电极厚度偏差可以是15％或更低。

在示例性实施例中的其中将一定含量的Cu添加到Ni中的内电极中，可改善主体在厚度方向上的收缩率(T收缩)，从而可防止电极的凝聚。此外，可将电极厚度偏差确保在15％或更低，从而可改善每个内电极的平滑性。

包含在内电极中的Cu可均匀地分布在内电极中。

由于包含在内电极中的Cu均匀地分布在内电极中，因此可提高内电极的抗氧化性，并且可均匀地改善在厚度方向(Z方向)上的收缩率，从而可减小电极厚度偏差。

当包含在内电极中的Cu不均匀分布时，在内电极的一个部分中的抗氧化性可能没有改善，使得Ni颗粒之间的连续性的改善可能不足，并且可能增加电极厚度偏差。

此外，当Cu在内电极中不均匀地分布时，可能不均匀地去除电极-电介质界面表面之间的氧化物膜。由于具有优异抗氧化性的Cu均匀地分布在内电极中，因此可均匀地去除电极-电介质界面表面之间的氧化膜。

均匀分布Cu的方法可不限于任何特定方法，并且考虑到导电粉末颗粒的颗粒尺寸并通过控制烧结条件和使用Ni-Cu合金粉末等，Cu可均匀分布在内电极中。

关于包含在内电极中的Cu均匀地分布在内电极中的构造，参照图6，在内电极121中，内电极的在层叠方向上的1/2点(参照图6中的1/2te)处的Cu的含量与内电极的在层叠方向上的1/8点处(参照图6中的1/8te)的Cu的含量之间的偏差可以为0.1wt％或更低。

在示例性实施例中，包含在内电极121和122中的Ni和Cu可以以Ni-Cu合金的形式被包含。

包含在内电极121和122中的Ni和Cu可被构造为通过控制烧结条件、使用Ni-Cu合金粉末等以合金形式被包含。

由于Ni和Cu以Ni-Cu合金的形式被包含，因此可改善添加Cu的效果，并且包含在内电极中的Cu可均匀地分布在内电极中。

内电极121和122可利用Ni-Cu合金形成。

由于介电层和内电极的收缩起始温度的差异，可能出现内电极的断开(discontinuation)。通过延迟内电极的收缩来防止内电极的断开，可将用于延迟内电极的收缩的陶瓷添加剂(在下文中，称为普通陶瓷材料)添加到用于内电极的膏中。例如，可将一定含量的BaTiO₃添加到用于内电极的膏中。

然而，当将普通陶瓷材料添加到用于内电极的膏中时，内电极的连续性可改善，但即使在烧结工艺之后，普通陶瓷材料也可能被束缚在内电极中，使得Ni填充率可能降低。

在示例性实施例中，通过控制添加到用于内电极的膏的Cu的含量，可提高Ni填充率，使得在不将普通陶瓷材料添加到用于内电极的膏中的情况下，可确保电极连续性。

因此，在示例性实施例中，内电极121和122可使用不包括普通陶瓷材料的用于内电极的膏来形成，因此，内电极121和122可不包括普通陶瓷材料。

由于普通陶瓷材料不包括在用于内电极的膏中，并且包括在用于内电极的膏中的诸如粘合剂、有机溶剂等的其它元素可在粘合剂烧尽工艺、烧结工艺和其它工艺期间燃烧并消失，因此内电极121和122可利用Ni-Cu合金形成。

内电极121和122中的每个的厚度te可不限于任何特定尺寸。

当内电极121和122中的每个的厚度小于0.6μm时，特别是当内电极121和122中的每个的厚度为0.41μm或更小时，耐湿性会劣化。

如上所述，在示例性实施例中，即使当介电层和内电极中的每个的厚度极薄时，也可有效地防止电极的断开和凝聚的增加，从而可提高耐湿性。因此，即使当内电极121和122中的每个的厚度为0.41μm或更低时，也可确保足够的耐湿性。

因此，当内电极121和122中的每个的厚度为0.41μm或更小时，耐湿性可提高，使得电容器组件可具有减小的尺寸和高电容。

内电极121和122中的每个的厚度te可指内电极121和122的平均厚度。

内电极121和122的平均厚度可通过使用扫描电子显微镜(SEM)扫描主体110的在长度-厚度方向(L-T)上的截面表面而获得的图像来测量。

例如，在从通过扫描主体110的在宽度方向上的中央部截取的在长度-厚度方向(L-T)上的截面表面而获得的图像中提取的随机的第一内电极121和第二内电极122中，可在长度方向上测量具有相等间隙的30个点的厚度的平均值。

外电极131和132可设置在主体110上，并且可连接到内电极121和122。

如图2所示，外电极131和132可包括设置在主体110的第三表面3并且连接到第一内电极121的第一外电极131以及设置在主体110的第四表面4上并且连接到第二内电极122的第二外电极132。

在示例性实施例中，多层电子组件100具有两个外电极131和132，但其示例性实施例不限于此。外电极131和132的数量以及外电极131和132中的每个的形状可根据内电极121和122的形式或者出于其它目的而改变。

可使用具有导电性的材料(诸如金属)作为外电极131和132的材料，并且可考虑电性能、结构稳定性等来确定材料。此外，外电极131和132可具有多层结构。

例如，外电极131可包括设置在主体110上的电极层131a和设置在电极层131a上的镀层131b，外电极132可包括设置在主体110上的电极层132a和设置在电极层132a上的镀层132b。

作为电极层131a和132a的示例，电极层131a和132a可被构造为包括导电金属和玻璃的烧结电极，或者可被构造为包括导电金属和树脂的树脂基电极。

电极层131a和132a可通过在主体上依次形成烧结电极和树脂基电极来形成。电极层131a和132a可通过在主体上转印包括导电金属的片的方法形成，或者通过在烧结电极上转印包括导电金属的片的方法形成。

可使用具有优异导电性的材料作为包括在电极层131a和132a中的导电金属，并且导电金属不限于任何特定材料。例如，导电金属可以是镍(Ni)、铜(Cu)及它们的合金中的一种。

电极层131a和132a可改善安装性质。电极层131a和132a的类型可不限于任何特定示例。电极层131a和132a可被构造为包含Ni、Sn、Pd或它们的合金中的一种或更多种的镀层，并且可包括多个层。

作为镀层131b和132b的示例，镀层131b和132b可被构造为Ni镀层或Sn镀层。镀层131b和132b可通过在电极层131a和132a上依次形成Ni镀层和Sn镀层来形成，或者通过在电极层131a和132a上依次形成Sn镀层、Ni镀层和Sn镀层来形成。此外，镀层131b和132b可包括多个Ni镀层和/或多个Sn镀层。

多层电子组件100的尺寸可不限于任何特定尺寸。

为了减小多层电子组件100的尺寸并且为了实现高电容，可能需要通过减小介电层和内电极中的每个的厚度来增加层的数量。因此，具有0402(长度×宽度，0.4mm×0.2mm)或更小的尺寸的多层电子组件100可具有改善的可靠性和绝缘电阻。例如，多层电子组件100在长度方向上的长度可以为0.4mm或更小，多层电子组件100在垂直于长度方向和堆叠方向的宽度方向上的宽度可以为0.2mm或更小。

因此，当主体110的第三表面3和第四表面4之间的距离被定义为L，并且主体110的第五表面5和第六表面6之间的距离被定义为W时，L可以是0.4mm或更小，并且W可以是0.2mm或更小。因此，多层电子组件100可被构造为具有0402(长度×宽度，0.4mm×0.2mm)或更小的尺寸。

在下面的描述中，将根据示例性实施例描述制造多层电子组件100的方法。

可制备多个陶瓷生片。

陶瓷生片可用于形成主体110的介电层111。为了制造陶瓷生片，可通过混合陶瓷粉末、聚合物和溶剂来制备浆料，并且可通过诸如刮刀法等工艺将浆料加工为具有一定厚度(0.41μm或更小的厚度)的片状。

用于内电极的导电膏可以以一定厚度(例如0.41μm或更小的厚度)印刷在每个陶瓷生片的一个表面上，从而形成内电极。

用于内电极的导电膏可包含94.0wt％至99.6wt％的Ni和0.4wt％至6.0wt％的Cu。例如，用于内电极的导电膏可通过混合Ni粉末和Cu粉末形成，或者用于内电极的导电膏可包含Ni-Cu合金粉末。用于内电极的导电膏可包含Ni-Cu合金粉末，并且可不包含普通陶瓷材料。由于使用Ni-Cu合金粉末，因此Cu可均匀地分布在内电极中，并且由于不包含普通陶瓷材料，因此可提高Ni填充率。

可使用丝网印刷法、凹版印刷法等作为印刷用于内电极的导电膏的方法。

参照图4，其上印刷有第一内电极121的陶瓷生片和其上印刷有第二内电极122的陶瓷生片可交替地堆叠，并且可在层叠方向上施加压力，使得多个堆叠的陶瓷生片和形成在陶瓷生片上的内电极可被加压，从而制造层压体。

至少一个陶瓷生片可堆叠在层压体上方和层压体下方，从而形成覆盖部112和113。

覆盖部112和113可被构造为具有与设置在层压体中的介电层111的成分相同的成分，并且由于覆盖部112和113不包括内电极，因此覆盖部112和113可不同于介电层111。

在对应于单个电容器的区域处可切割层压件并可加工层压件以形成片，并且可在高温下执行烧结工艺，从而制造主体110。

外电极131和132可形成为覆盖第一内电极121和第二内电极122的暴露于主体110的两个侧表面的暴露的部分，并且电连接到第一内电极121和第二内电极122。

如果需要，第一外电极131和第二外电极132的表面可镀覆有镍或锡。

(示例性实施例)

制备包括使用用于内电极的导电膏形成的内电极的样品片，在导电膏中，一定含量的Cu被添加到Ni中。表1列出了参照未添加Cu的测试编号1的电容、高温负载可靠性、电极连续性、T收缩和耐湿性的变化。测试编号2是包括使用用于内电极的导电膏形成的内电极的样品片，所述导电膏通过将BaTiO₃粉末(普通陶瓷材料)添加到Ni粉末中而形成。

通过在125℃和8V的条件下对每个测试编号的400个样品执行高温负载测试来测试高温负载可靠性，并且测量初始缺陷和平均失效时间(MTTF)。

关于初始缺陷，将初始12小时的绝缘电阻为小于或等于10kΩ的样品的数量确定为初始缺陷，将测试编号1的初始缺陷的数量确定为1.0，并列出相对值。对于MTTF，将绝缘电阻小于或等于10kΩ的时间确定为失效时间，将测试编号1的MTTF确定为1.0，并列出相对值。

关于耐湿性，当在85℃的温度和85％的相对湿度下对每个测试编号的400个样品持续12小时施加8V的电压时，其中绝缘电阻值与初始值相比降低到1/10或更低的样品被确定为400个样品中的缺陷，并且将测试编号1中的缺陷数量被确定为1.0，并且列出相对值。

关于电极连续性，通过使用扫描电子显微镜(SEM)扫描在宽度(W)方向上截取的主体的中央部的在长度-厚度方向上截取的截面表面(L-T截面表面)来获得图像，相对于整个内电极测量其中基于总长度的实际形成内电极的部分的长度，计算每个内电极的电极连续性，并且列出电极连续性的平均值。

T收缩是内电极在主体的厚度方向(Z方向)上的收缩率。关于T收缩，计算通过印刷用于内电极的膏并执行层叠处理而形成的片的厚度与完成样品片之后的厚度之间的比，并且列出与测试编号1的收缩率相比增加的百分比。

关于电极厚度偏差，可使用扫描电子显微镜(SEM)扫描主体的设置在宽度方向(W)上的中央部在长度-厚度方向上截取的截面表面(L-T截面表面)，并且可对设置在厚度方向上的中央部中的三十个内电极中的每个内电极获得电极厚度偏差。这里，电极厚度偏差是通过将标准差除以平均值而获得的变异系数(CV)。在以下表1中列出了三十个内电极的电极厚度偏差的平均值。

关于Cu的含量，已经使用扫描透射电子显微镜(STEM)扫描主体的设置在宽度方向(W)上的中央部在长度-厚度方向截取的截面表面(L-T截面表面)，并且已经使用能量色散X射线微量分析(EDX)对包含在内电极中的Cu的含量进行了定量分析。

更具体地，已经测量了在图像中的厚度方向上设置在中央部中的三个内电极的Cu含量，并且将每个内电极的在长度方向上取的五个随机点处沿厚度方向取的1/2点的Cu含量的平均值确定为内电极的Cu含量。此外，测量了在五个点处沿厚度方向的1/6点的Cu含量，并且将1/2点的Cu含量与1/6点的Cu含量之间的差的平均值确定为Cu含量的偏差，并且在下表1中列出了偏差。

[表1]

在表1中，*表示对比示例。

已经表明，对于其中Cu含量大于等于0.4wt％且小于等于6.0wt％的测试编号5至10，与其中未添加Cu的测试编号1相比，初始缺陷减少，并且电容、MTTF、电极连续性、T收缩和耐湿性改善。

此外，将测试编号1至4与测试编号5至10进行比较，已经表明，当Cu含量为0.4wt％或更高时，显著改善了T收缩、MTTF和耐湿性。

当添加0.8wt％或更高的Cu时，T收缩和MTTF的改善逐渐减弱。当Cu含量超过6.0wt％时，通过添加Cu获得的T收缩、MTTF和耐湿性的改善不明显。

因此，包含在内电极中的Cu的优选含量为大于等于0.4wt％且小于等于6.0wt％。

图7是示出测试编号1、5和6在每个温度下的绝缘电阻(IR)性质的曲线图。

参照图7，已经表明，在35℃至125℃的区段内，其中应用了包含0.4wt％的Cu的内电极的测试编号5的绝缘电阻(IR)和应用了包含0.8wt％的Cu的内电极的测试编号6的绝缘电阻(IR)比包含0wt％的Cu的测试编号1的绝缘电阻(IR)得到了进一步改善。

根据前述示例实施例，可提供具有改善的可靠性的多层电子组件。

虽然上面已经示出和描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员将显而易见的是，在不脱离本发明的由所附权利要求限定的范围的情况下，可做出修改和变型。

Claims

1.一种多层电子组件，包括：

主体，包括在所述主体中在堆叠方向上交替堆叠的内电极以及介电层；以及

外电极，设置在所述主体上并且连接到所述内电极，

其中，所述内电极包含94.0wt％至99.6wt％的Ni和0.4wt％至6.0wt％的Cu，

所述内电极在所述堆叠方向上的1/2点处的Cu的量与所述内电极在所述堆叠方向上的1/8点处的Cu的量之间的偏差为0.1wt％或更低，并且所述内电极的电极厚度偏差为15％或更低。

2.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述外电极在所述主体的垂直于所述堆叠方向的长度方向上连接到所述内电极。

3.根据权利要求2所述的多层电子组件，其中，所述内电极包括在所述主体的与所述长度方向和所述堆叠方向平行的截面图中彼此间隔开的一个或更多个电极部。

4.根据权利要求3所述的多层电子组件，其中，当所述一个或更多个电极部在所述长度方向上的总长度与所述内电极在所述长度方向上的总长度的比被定义为内电极连续性时，所述多层电子组件的内电极连续性为90％或更高。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的多层电子组件，其中，Ni和Cu以Ni-Cu合金的形式被包含在所述内电极中。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的多层电子组件，其中，所述内电极利用Ni-Cu合金制成。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的多层电子组件，其中，所述内电极在所述堆叠方向上的厚度为0.41μm或更小。

8.根据权利要求2所述的多层电子组件，其中，所述多层电子组件在所述长度方向上的长度为0.4mm或更小，所述多层电子组件在垂直于所述长度方向和所述堆叠方向的宽度方向上的宽度为0.2mm或更小。

9.根据权利要求1-4中任一项所述的多层电子组件，其中，所述内电极利用包含Ni-Cu合金粉末且不包含陶瓷的导电膏制成。

10.根据权利要求1-4中任一项所述的多层电子组件，其中，所述内电极包括交替堆叠的第一内电极和第二内电极且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间。