CN112272450B - 一种高导热型复合pcb基板及其制备方法 - Google Patents

一种高导热型复合pcb基板及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种高导热型复合PCB基板及其制备方法，包括以下步骤：步骤1：将含氟偶联剂和氮化硼分散在良溶剂中得到浸渍液，将浸渍液调节至酸性，然后在浸渍液中浸入玻璃纤维布，将玻璃纤维布从浸渍液中取出并进行碱处理后干燥得到氮化硼/玻璃纤维复合布；步骤2：将氮化硼/玻璃纤维复合布在聚四氟乙烯胶液中进行浸胶后烘干，得到氮化硼/玻璃纤维/聚四氟乙烯半固化片，将多层氮化硼/玻璃纤维/聚四氟乙烯半固化片进行固化处理得到复合PCB基板。本发明适用于高频、高速数据传输的高导热型PCB基板的大规模生产，该方法在高频、高速型PCB基板领域具有重要的实际意义和推广价值。

Description

一种高导热型复合PCB基板及其制备方法
技术领域
本发明属于先进复合材料科学技术领域，具体属于一种高导热型复合PCB基板及其制备方法。
背景技术
随着5G通信的快速发展，集成电路芯片和电子元器件体积不断缩小，而集成度和组装密度不断提高，导致其工作功耗和发热量的急剧增大，因此，PCB基板材料需要高导热系数来散热，以延长电子设备的寿命。同时，随着工作频率的提高，需要使用低介电常数和低介电损耗的电子封装和基材来提高信号传输速度，减少信号强度的损失。因此，用于5G通讯的PCB基板材料，除了对介电性能有严格要求外，还亟需解决导热的问题。
聚四氟乙烯(PTFE)具有出色的介电性能、化学惰性和较高的热稳定性，因此被广泛用于电子封装和基材行业。但是，像大多数聚合物一样，由于分子链的随机取向，PTFE的导热系数非常低(0.2～0.3W/m·K)，无法满足电子设备的有效散热要求。为了提高聚合物的导热系数，掺入高导热填料是一种有效的方法。但常规导热填料的引入常会对其介电性能造成影响。氮化硼(BN)具有高比表面积、良好的导热性和优异的绝缘性能，在电子封装材料中得到了广泛的应用。此外，随着BN填料的引入，聚合物复合材料在较宽的温度和频率范围内也表现出较低的热膨胀系数和优异的介电稳定性。然而，BN作为一种无机填料，其与聚合物基体的界面相容性较差，从而极大地增强了其界面热阻，不利于制备具有优异绝缘性能的高导热PCB基板材料。
此外，PTFE在高温下的机械性能较差，在PCB基板中常通过具有良好绝缘性、耐热性、抗腐蚀性和机械性能的玻璃纤维(GF)作为增强填料来对其机械性能进行增强。但是GF表面含有大量硅羟基，极易吸水。而GF与PTFE本身相容性较差，一方面会导致其复合PCB基板吸水性较高；另一方面不良的界面相容性会在复合材料中引入缺陷并导致较高的界面热阻，从而降低导热系数的提高效率。同时，复合PCB基板的吸水会加剧填料与聚合物基体之间的电性能差异，导致界面极化较强，从而提高其介电常数和介电损耗。
因此，为了构筑具有高导热性的PCB基板，导热填料与树脂基体的相容性是关键。此外，导热填料、增强填料以及聚合物基体三者间的相容性更是决定其PCB基板与电子产品性能的关键。
发明内容
为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供一种高导热型复合PCB基板及其制备方法，本发明公开的制备方法具有简单、高效且性能稳定的特点，不仅能够通过改性剂将BN与GF进行有机复合，而且能够保障其复合体与PTFE之间的相容性，从而制备出介电常数稳定、介电损耗小且导热性能优异的PCB基板。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种高导热型复合PCB基板的制备方法，包括以下步骤：
步骤1：将含氟偶联剂和氮化硼分散在良溶剂中得到浸渍液，将浸渍液调节至酸性，然后在浸渍液中浸入玻璃纤维布，将玻璃纤维布从浸渍液中取出并进行碱处理后干燥得到氮化硼/玻璃纤维复合布；
步骤2：将氮化硼/玻璃纤维复合布在聚四氟乙烯胶液中进行浸胶后烘干，得到氮化硼/玻璃纤维/聚四氟乙烯半固化片，将多层氮化硼/玻璃纤维/聚四氟乙烯半固化片进行固化处理得到复合PCB基板。
进一步的，所述步骤1中含氟偶联剂取0.1～5份，所述氮化硼取5～20份，所述氮化硼的粒径或尺寸为70nm～50μm，所述良溶剂取100～5000份。
进一步的，所述浸渍液调节至酸性的pH值范围为2～5。
进一步的，所述步骤1中玻璃纤维布的浸渍温度为50～100℃，玻璃纤维布的直径为2～12μm且可混合使用。
进一步的，所述步骤1中碱处理的碱液为pH＝10～12；
碱处理后的玻璃纤维布的干燥温度为60～150℃，干燥时间为10min～2h。
进一步的，所述步骤2中氮化硼/玻璃纤维复合布取10～150份，所述氮化硼/玻璃纤维复合布在聚四氟乙烯胶液中浸胶后的烘干温度为100～200℃；
多层氮化硼/玻璃纤维/聚四氟乙烯半固化片进行固化处理的条件包括6～10Mpa压力和500psi真空压力，所述多层氮化硼/玻璃纤维/聚四氟乙烯半固化片进行固化处理的固化工艺为180℃/1h+250℃/1h+350℃/1h+450℃/1h，固化过程中的升温速率为2～10℃/min。
进一步的，所述的含氟偶联剂为十三氟辛基三甲氧基硅烷、十三氟辛基三乙氧基硅烷、十七氟癸基三甲氧基硅烷或十七氟癸基三乙氧基硅烷。
进一步的，所述良溶剂为乙醇、丙酮或N,N-二甲基乙酰胺。
进一步的，所述氮化硼为六方氮化硼、氮化硼纳米片、氮化硼纳米管和空心氮化硼微球中的一种或多种混合物。
本发明还提供采用上述一种高导热型复合PCB基板的制备方法制备的复合PCB基板。
与现有技术相比，本发明至少具有以下有益效果：
本发明提供一种高导热型复合PCB基板的制备方法，采用含氟偶联剂将氮化硼和玻璃纤维有机结合，不仅能够利用含氟偶联剂的作用提升氮化硼在PCB基板材料中的分散性以及玻璃纤维与树脂基体PTFE的界面结合性，良好的界面相容性能够降低填料与聚合物基体之间的电性能差异，从而降低介电损耗，保障其在电子器件中的高效、稳定的工作，而且能够利用含氟疏水特性，降低氮化硼/玻璃纤维/聚四氟乙烯复合PCB基板的吸水率。因此，本发明公开的上述制备方法，操作工艺简单、便于大规模生产且产品性能优异的特点，适用于高频、高速数据传输的高导热型PCB基板的大规模生产，该方法在高频、高速型PCB基板领域具有重要的实际意义和推广价值。
进一步的，含氟偶联剂和氮化硼分散在良溶剂中得到浸渍液后需要将浸渍液的pH值调节至2～5，使得含氟偶联剂得到了充分的水解。
进一步的，玻璃纤维布从浸渍液取出后进行了碱处理，加速了含氟偶联剂在氮化硼和玻璃纤维表面的缩合。
本发明还提供一种根据上述高导热型复合PCB基板的制备方法制备的复合PCB基板，该复合PCB基板中包含高导热的氮化硼填料，能够提高PCB基板的导热系数，并降低其热膨胀系数，从而保障其电子器件的稳定运行；氮化硼填料引入能够使PCB基板材料在较宽的温度和频率范围内也表现出较低的热膨胀系数和介电损耗，而且该复合PCB基板利用含氟偶联剂在BN、GF及PTFE三者间形成的超分子网络，能够显著提升其三者间的界面相容性和结合性，从而有效降低其复合PCB基板的界面热阻以及介电损耗，含氟超分子网络的存在能够有效提升复合PCB基板的疏水性，从而极大地提升其耐湿热稳定性，该复合PCB基板适用于高频、高速数据传输的电子器件中的滤波器、功放与收发单元等结构中。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明作进一步的说明。
本发明提供一种高导热型复合PCB基板的制备方法，其工艺步骤如下：
(1)BN及GF的表面处理
首先，将0.1～5份含氟偶联剂和5～20份BN分散在100～5000份良溶剂中，调节pH至2～5以使偶联剂充分水解，并搅拌至混合均匀。接着，在50～100℃下将GF布完全浸入上述混合液静置一定时间后，缓慢提出。其次，将浸渍后的GF布在pH＝10～12的碱液中快速浸渍处理，以加速含氟偶联剂在BN与GF表面的缩合。最后，将碱处理后的GF布在60～150℃下干燥10min～2h，进一步促使含氟偶联剂的完全聚合，从而制备出改性的BN/GF复合布。
(2)氮化硼/玻璃纤维/聚四氟乙烯复合PCB基板的制备
首先，将10～150份改性的BN/GF复合布通过浸胶机在PTFE胶液中进行浸胶后在100～200℃烘干，再浸胶再烘干。根据含胶量的需求可多次重复以上步骤，即可得到BN/GF/PTFE半固化片。接着，根据PCB基板的厚度需要将多层BN/GF/PTFE半固化片叠加后，再在6～10MPa压力和真空压力500psi下，按照180℃/1h+250℃/1h+350℃/1h+450℃/1h的固化工艺(升温速率2～10℃/min)进行固化处理。最后，根据需求将固化后的BN/GF/PTFE复合板进行裁剪，即得具有高导热性的BN/GF/PTFE复合PCB基板。
进一步的，所述的含氟偶联剂为十三氟辛基三甲氧基硅烷(KH-1331)、十三氟辛基三乙氧基硅烷(KH-1332)、十七氟癸基三甲氧基硅烷(KH-1731)、十七氟癸基三乙氧基硅烷(KH-1732)等。
进一步的，良溶剂为乙醇、丙酮、N,N-二甲基乙酰胺(DMA)等。
进一步的，BN为六方氮化硼(h-BN)、氮化硼纳米片(BNNS)、氮化硼纳米管(BNNT)、空心氮化硼微球(BNMP)中的一种或多种混合物。
进一步的，BN的粒径或尺寸范围为70nm～50μm。
进一步的，GF的直径为2～12μm，可混合使用。
实施例1
(1)BN及GF的表面处理
首先，将0.1份KH-1331、2份300nm的h-BN和3份1μm的h-BN分散在1000份乙醇中，调节pH至3以使KH-1331充分水解，并搅拌至混合均匀。接着，在78℃下将直径为5μm的GF布完全浸入上述混合液静置30min后，缓慢提出。其次，将浸渍后的GF布在pH＝12的碱液中快速浸渍处理，使含KH-1331在BN与GF表面快速缩合。最后，将碱处理后的GF布在100℃下干燥30min，进一步促使KH-1331的完全聚合，从而制备出改性的BN/GF复合布。
(2)氮化硼/玻璃纤维/聚四氟乙烯复合PCB基板的制备
首先，将50份改性的BN/GF复合布通过浸胶机在PTFE胶液中进行浸胶后在150℃烘干，再浸胶再烘干重复4次，即可得到BN/GF/PTFE半固化片。接着，将5层BN/GF/PTFE半固化片叠加后，再在8MPa压力和真空压力500psi下，按照180℃/1h+250℃/1h+350℃/1h+450℃/1h的固化工艺(升温速率5℃/min)进行固化处理。最后，根据需求将固化后的BN/GF/PTFE复合板进行裁剪，即得具有高导热性的BN/GF/PTFE复合PCB基板。
对具有高导热性的BN/GF/PTFE复合PCB基板进行性能检测，结果显示：其介电常数(10GHz下)为3.42，损耗因子(10GHz下)为0.0015，热导率为0.97W/(m·K)，吸水率为0.02％，热膨胀系数X方向12ppm/℃，Y方向12ppm/℃，Z方向30ppm/℃，阻燃等级V-0级。同时，对PCB基板进行覆铜后，相比于未改性的GF/PTFE复合PCB基板，BN/GF/PTFE复合PCB基板的铜箔剥离强度由原先的0.9N/mm提升至1.3N/mm。
实施例2
(1)BN及GF的表面处理
首先，将1.5份KH-1332、5份粒径为3μm的h-BN和2份横向尺寸为70nm的BNNS分散在800份丙酮中，调节pH至2以使KH-1332充分水解，并搅拌至混合均匀。接着，在60℃下将直径为2μm的GF布完全浸入上述混合液静置45min后，缓慢提出。其次，将浸渍后的GF布在pH＝10的碱液中快速浸渍处理，以加速KH-1332在BN与GF表面的缩合。最后，将碱处理后的GF布在80℃下干燥1h，进一步促使KH-1332的完全聚合，从而制备出改性的BN/GF复合布。
(2)氮化硼/玻璃纤维/聚四氟乙烯复合PCB基板的制备
首先，将30份改性的BN/GF复合布通过浸胶机在PTFE胶液中进行浸胶后在100℃烘干，再浸胶再烘干重复5次，即可得到BN/GF/PTFE半固化片。接着，将6层BN/GF/PTFE半固化片叠加后，再在6MPa压力和真空压力500psi下，按照180℃/1h+250℃/1h+350℃/1h+450℃/1h的固化工艺(升温速率3℃/min)进行固化处理。最后，根据需求将固化后的BN/GF/PTFE复合板进行裁剪，即得具有高导热性的BN/GF/PTFE复合PCB基板。
对具有高导热性的BN/GF/PTFE复合PCB基板进行性能检测，结果显示：其介电常数(10GHz下)为3.25，损耗因子(10GHz下)为0.0016，热导率为0.99W/(m·K)，吸水率为0.03％，热膨胀系数X方向11ppm/℃，Y方向11ppm/℃，Z方向28ppm/℃，阻燃等级V-0级。同时，对PCB基板进行覆铜后，相比于未改性的GF/PTFE复合PCB基板，BN/GF/PTFE复合PCB基板的铜箔剥离强度由原先的0.9N/mm提升至1.2N/mm。
实施例3
(1)BN及GF的表面处理
首先，将0.1份KH-1731、3份粒径为10μm的h-BN和3份尺寸为80nm的BNNT分散在100份乙醇中，调节pH至2以使KH-1731充分水解，并搅拌至混合均匀。接着，在50℃下将直径为3μm的GF布完全浸入上述混合液静置30min后，缓慢提出。其次，将浸渍后的GF布在pH＝10的碱液中快速浸渍处理，以加速KH-1731在BN与GF表面的缩合。最后，将碱处理后的GF布在60℃下干燥10min，进一步促使KH-1731的完全聚合，从而制备出改性的BN/GF复合布。
(2)氮化硼/玻璃纤维/聚四氟乙烯复合PCB基板的制备
首先，将10份改性的BN/GF复合布通过浸胶机在PTFE胶液中进行浸胶后在100℃烘干，再浸胶再烘干重复3次，即可得到BN/GF/PTFE半固化片。接着，将4层BN/GF/PTFE半固化片叠加后，再在6MPa压力和真空压力500psi下，按照180℃/1h+250℃/1h+350℃/1h+450℃/1h的固化工艺(升温速率2℃/min)进行固化处理。最后，根据需求将固化后的BN/GF/PTFE复合板进行裁剪，即得具有高导热性的BN/GF/PTFE复合PCB基板。
对具有高导热性的BN/GF/PTFE复合PCB基板进行性能检测，结果显示：其介电常数(10GHz下)为3.25，损耗因子(10GHz下)为0.0019，热导率为0.92W/(m·K)，吸水率为0.02％，热膨胀系数X方向10ppm/℃，Y方向10ppm/℃，Z方向28ppm/℃，阻燃等级V-0级。同时，对PCB基板进行覆铜后，相比于未改性的GF/PTFE复合PCB基板，BN/GF/PTFE复合PCB基板的铜箔剥离强度由原先的0.9N/mm提升至1.21N/mm。
实施例4
(1)BN及GF的表面处理
首先，将5份KH-1732、6份横向尺寸为100nm的BNNS和14份直径500nm的BNMP分散在5000份乙醇中，调节pH至3以使KH-1732充分水解，并搅拌至混合均匀。接着，100℃下将直径为12μm的GF布完全浸入上述混合液静置1h后，缓慢提出。其次，将浸渍后的GF布在pH＝12的碱液中快速浸渍处理，以加速KH-1732在BN与GF表面的缩合。最后，将碱处理后的GF布在150℃下干燥2h，进一步促使KH-1732的完全聚合，从而制备出改性的BN/GF复合布。
(2)氮化硼/玻璃纤维/聚四氟乙烯复合PCB基板的制备
首先，将150份改性的BN/GF复合布通过浸胶机在PTFE胶液中进行浸胶后在200℃烘干，再浸胶再烘干重复8次，即可得到BN/GF/PTFE半固化片。接着，将9层BN/GF/PTFE半固化片叠加后，再在10MPa压力和真空压力500psi下，按照180℃/1h+250℃/1h+350℃/1h+450℃/1h的固化工艺(升温速率10℃/min)进行固化处理。最后，根据需求将固化后的BN/GF/PTFE复合板进行裁剪，即得具有高导热性的BN/GF/PTFE复合PCB基板。
对具有高导热性的BN/GF/PTFE复合PCB基板进行性能检测，结果显示：其介电常数(10GHz下)为3.53，损耗因子(10GHz下)为0.001，热导率为1.38W/(m·K)，吸水率为0.01％，热膨胀系数X方向13ppm/℃，Y方向13ppm/℃，Z方向35ppm/℃，阻燃等级V-0级。同时，对PCB基板进行覆铜后，相比于未改性的GF/PTFE复合PCB基板，BN/GF/PTFE复合PCB基板的铜箔剥离强度由原先的0.9N/mm提升至1.54N/mm。
实施例5
(1)BN及GF的表面处理
首先，将2.6份KH-1331、5份90nm的BNNS和5份750nm的BNNS分散在1200份乙醇中，调节pH至4以使KH-1331充分水解，并搅拌至混合均匀。接着，在82℃下将直径为6μm的GF布完全浸入上述混合液静置50min后，缓慢提出。其次，将浸渍后的GF布在pH＝11的碱液中快速浸渍处理，使含KH-1331在BN与GF表面快速缩合。最后，将碱处理后的GF布在100℃下干燥75min，进一步促使KH-1331的完全聚合，从而制备出改性的BN/GF复合布。
(2)氮化硼/玻璃纤维/聚四氟乙烯复合PCB基板的制备
首先，将80份改性的BN/GF复合布通过浸胶机在PTFE胶液中进行浸胶后在120℃烘干，再浸胶再烘干重复4次，即可得到BN/GF/PTFE半固化片。接着，将5层BN/GF/PTFE半固化片叠加后，再在8MPa压力和真空压力500psi下，按照180℃/1h+250℃/1h+350℃/1h+450℃/1h的固化工艺(升温速率4℃/min)进行固化处理。最后，根据需求将固化后的BN/GF/PTFE复合板进行裁剪，即得具有高导热性的BN/GF/PTFE复合PCB基板。
对具有高导热性的BN/GF/PTFE复合PCB基板进行性能检测，结果显示：其介电常数(10GHz下)为3.69，损耗因子(10GHz下)为0.0021，热导率为0.90W/(m·K)，吸水率为0.04％，热膨胀系数X方向15ppm/℃，Y方向15ppm/℃，Z方向38ppm/℃，阻燃等级V-0级。同时，对PCB基板进行覆铜后，相比于未改性的GF/PTFE复合PCB基板，BN/GF/PTFE复合PCB基板的铜箔剥离强度由原先的0.9N/mm提升至1.43N/mm。
实施例6
(1)BN及GF的表面处理
首先，将3.6份KH-1331、4份150nm的BNNS和3份50μm的BNMP分散在2600份乙醇中，调节pH至3以使KH-1731充分水解，并搅拌至混合均匀。接着，在93℃下将直径为2μm和12μm的GF布完全浸入上述混合液静置60min后，缓慢提出。其次，将浸渍后的GF布在pH＝12的碱液中快速浸渍处理，使含KH-1731在BN与GF表面快速缩合。最后，将碱处理后的GF布在130℃下干燥20min，进一步促使KH-1731的完全聚合，从而制备出改性的BN/GF复合布。
(2)氮化硼/玻璃纤维/聚四氟乙烯复合PCB基板的制备
首先，将75份改性的BN/GF复合布通过浸胶机在PTFE胶液中进行浸胶后(GF直径为2μm和12μm的复合布交替浸胶)在150℃烘干，再浸胶再烘干重复5次，即可得到BN/GF/PTFE半固化片。接着，将6层BN/GF/PTFE半固化片叠加后，再在10MPa压力和真空压力500psi下，按照180℃/1h+250℃/1h+350℃/1h+450℃/1h的固化工艺(升温速率5℃/min)进行固化处理。最后，根据需求将固化后的BN/GF/PTFE复合板进行裁剪，即得具有高导热性的BN/GF/PTFE复合PCB基板。
对具有高导热性的BN/GF/PTFE复合PCB基板进行性能检测，结果显示：其介电常数(10GHz下)为3.8，损耗因子(10GHz下)为0.0023，热导率为1.57W/(m·K)，吸水率为0.05％，热膨胀系数X方向11ppm/℃，Y方向11ppm/℃，Z方向30ppm/℃，阻燃等级V-0级。同时，对PCB基板进行覆铜后，相比于未改性的GF/PTFE复合PCB基板，BN/GF/PTFE复合PCB基板的铜箔剥离强度由原先的0.9N/mm提升至1.6N/mm。
实施例7
(1)BN及GF的表面处理
首先，将3.6份KH-1732、19份300nm的BNMP分散在3000份DMA中，调节pH至3以使KH-1732充分水解，并搅拌至混合均匀。接着，在93℃下将直径为2μm和12μm的GF布完全浸入上述混合液静置60min后，缓慢提出。其次，将浸渍后的GF布在pH＝12的碱液中快速浸渍处理，使含KH-1732在BNMP与GF表面快速缩合。最后，将碱处理后的GF布在130℃下干燥20min，进一步促使KH-1732的完全聚合，从而制备出改性的BN/GF复合布。
(2)氮化硼/玻璃纤维/聚四氟乙烯复合PCB基板的制备
首先，将75份改性的BN/GF复合布通过浸胶机在PTFE胶液中进行浸胶后(GF直径为2μm和12μm的复合布交替浸胶)在150℃烘干，再浸胶再烘干重复5次，即可得到BN/GF/PTFE半固化片。接着，将6层BN/GF/PTFE半固化片叠加后，再在10MPa压力和真空压力500psi下，按照180℃/1h+250℃/1h+350℃/1h+450℃/1h的固化工艺(升温速率5℃/min)进行固化处理。最后，根据需求将固化后的BN/GF/PTFE复合板进行裁剪，即得具有高导热性的BN/GF/PTFE复合PCB基板。
对具有高导热性的BN/GF/PTFE复合PCB基板进行性能检测，结果显示：其介电常数(10GHz下)为3.8，损耗因子(10GHz下)为0.0020，热导率为2.24W/(m·K)，吸水率为0.04％，热膨胀系数X方向16ppm/℃，Y方向14ppm/℃，Z方向44ppm/℃，阻燃等级V-0级。同时，对PCB基板进行覆铜后，相比于未改性的GF/PTFE复合PCB基板，BN/GF/PTFE复合PCB基板的铜箔剥离强度由原先的0.9N/mm提升至1.9N/mm。
最后应说明的是：以上所述实施例，仅为本发明的具体实施方式，用以说明本发明的技术方案，而非对其限制，本发明的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例技术方案的精神和范围，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求所述的保护范围为准。

Claims (7)

1.一种高导热型复合PCB基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：将含氟偶联剂和氮化硼分散在良溶剂中得到浸渍液，将浸渍液调节至酸性，然后在浸渍液中浸入玻璃纤维布，将玻璃纤维布从浸渍液中取出并进行碱处理后干燥得到氮化硼/玻璃纤维复合布；
步骤2：将氮化硼/玻璃纤维复合布在聚四氟乙烯胶液中进行浸胶后烘干，得到氮化硼/玻璃纤维/聚四氟乙烯半固化片，将多层氮化硼/玻璃纤维/聚四氟乙烯半固化片进行固化处理得到复合PCB基板；
所述浸渍液调节至酸性的pH值范围为2～5；
所述步骤1中玻璃纤维布的浸渍温度为50～100℃，玻璃纤维布的直径为2～12μm且可混合使用；
所述步骤1中碱处理的碱液为pH＝10～12；
碱处理后的玻璃纤维布的干燥温度为60～150℃，干燥时间为10min～2h。
2.根据权利要求1所述的一种高导热型复合PCB基板的制备方法，其特征在于，所述步骤1中含氟偶联剂取0.1～5份，所述氮化硼取5～20份，所述氮化硼的粒径或尺寸为70nm～50μm，所述良溶剂取100～5000份。
3.根据权利要求1所述的一种高导热型复合PCB基板的制备方法，其特征在于，所述步骤2中氮化硼/玻璃纤维复合布取10～150份，所述氮化硼/玻璃纤维复合布在聚四氟乙烯胶液中浸胶后的烘干温度为100～200℃；
多层氮化硼/玻璃纤维/聚四氟乙烯半固化片进行固化处理的条件包括6～10Mpa压力和500psi真空压力，所述多层氮化硼/玻璃纤维/聚四氟乙烯半固化片进行固化处理的固化工艺为180℃/1h+250℃/1h+350℃/1h+450℃/1h，固化过程中的升温速率为2～10℃/min。
4.根据权利要求1所述的一种高导热型复合PCB基板的制备方法，其特征在于，所述的含氟偶联剂为十三氟辛基三甲氧基硅烷、十三氟辛基三乙氧基硅烷、十七氟癸基三甲氧基硅烷或十七氟癸基三乙氧基硅烷。
5.根据权利要求1所述的一种高导热型复合PCB基板的制备方法，其特征在于，所述良溶剂为乙醇、丙酮或N,N-二甲基乙酰胺。
6.根据权利要求1所述的一种高导热型复合PCB基板的制备方法，其特征在于，所述氮化硼为六方氮化硼、氮化硼纳米片、氮化硼纳米管和空心氮化硼微球中的一种或多种混合物。
7.采用权利要求1-6任一项所述的一种高导热型复合PCB基板的制备方法制备的复合PCB基板。
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