CN112230803B - 触控基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供一种触控基板及其制备方法、显示装置，该触控基板包括基底、设置在所述基底上的触控引线层、设置在所述触控引线层上的封装层以及设置在所述封装层上的触控电极层，所述封装层中开设有与所述触控引线层连通的第一开孔，所述触控电极层通过所述第一开孔与所述触控引线层连接，能够增大触控电极层与触控引线层之间的距离，减少触控电极层与触控引线层之间产生的寄生电容。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种触控基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管显示装置(OrganicLightEmittingDiode，OLED)是未来显示产品的发展趋势，具有视角宽、响应速度快、亮度高、对比度高、色彩鲜艳、重量轻、厚度薄、功耗低等一系列优点。目前，有机发光二极管显示装置已经开始应用于手机屏幕。
随着OLED显示技术的出现和不断发展，柔性显示成为未来显示发展的趋势，可弯折，可卷曲的柔性屏被大量应用在手机、平板上，这就要求触控层也需要弯折性能，所以现在的AMOLED柔性屏幕由外挂式互容的结构变成了oncell互容结构。由于oncell互容结构中，触控电极层与发光单元中的阴极距离非常近，从而增加了很大的寄生电容，需要处理电路有较高的能力才能检测出手指的触控位置。而oncell自容结构由于引出的触控引线层很多，所以需要将触控引线层单独做一层膜层。目前，由于触控引线层与触控电极层之间距离较近，增加了寄生电容，影响了触控精度。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种触控基板及其制备方法、显示装置，能够增大触控电极层与触控引线层之间的距离，减少触控电极层与触控引线层之间产生的寄生电容。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种触控基板，包括基底、设置在所述基底上的触控引线层、设置在所述触控引线层上的封装层以及设置在所述封装层上的触控电极层，所述封装层中开设有与所述触控引线层连通的第一开孔，所述触控电极层通过所述第一开孔与所述触控引线层连接。
在示例性实施方式中，还包括设置在所述基底上的发光单元，所述封装层覆盖所述发光单元，所述发光单元包括第一像素电极，所述第一像素电极与所述触控引线层形成于同一膜层。
在示例性实施方式中，所述发光单元还包括设置在所述第一像素电极和所述触控引线层上的像素定义层，所述封装层设置在所述像素定义层上，所述素定义层中开设有与所述触控引线层连通的第二开孔，所述触控引线层通过所述第一开孔和所述第二开孔与所述触控引线层连接。
在示例性实施方式中，所述素定义层中开设有与所述第一像素电极连通的第三开孔，所述发光单元还包括设置在所述第三开孔中的发光层以及设置在所述发光层上的第二像素电极。
在示例性实施方式中，还包括设置于所述像素定义层与所述封装层之间的保护层，所述保护层中开设有与所述第二开孔连通的第四开孔，所述保护层靠近所述第二开孔一侧的边缘与所述封装层连接。
在示例性实施方式中，所述封装层包括设置于所述保护层之上的第一无机封装层、形成于所述第一无机封装层之上的有机封装层以及形成于所述有机封装层之上的第二无机封装层，所述第二无机封装层靠近所述第二开孔一侧的边缘与所述保护层靠近所述第二开孔一侧的边缘连接。
在示例性实施方式中，还包括设置于所述基底上的源漏极层和显示引线，以及设置于所述源漏极层和所述显示引线上的平坦层，所述平坦层中开设有与所述源漏极层连通的第四开孔，所述第一像素电极设置于所述平坦层上，并通过所述第四开孔与所述源漏极层连接，所述源漏极层与所述显示引线形成于同一膜层。
在示例性实施方式中，还包括设置在所述基底上的处理电路，所述触控引线层与所述处理电路连接。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括前面任一所述的触控基板。
本发明实施例还提供了一种触控基板的制备方法，包括：
在基底上形成触控引线层；
在所述触控引线层上形成封装层，将所述封装层中形成与所述触控引线层连通的第一开孔；
在所述封装层上形成触控引线层，将所述触控引线层通过所述第一开孔与所述触控引线层连接。
本发明提供了一种触控基板及其制备方法、显示装置，通过封装层将触控电极层与触控引线层分隔开，使触控电极层通过封装层上的第一开孔与触控引线层连接，从而增大触控电极层与触控引线层之间的距离，减少触控电极层与触控引线层之间的寄生电容，提高产品良率，并能提高电容式主动笔性能，降低主动笔信号在传输过程中的信号衰减，增强信号接收强度。同时，通过在封装层开孔，增加实际可用性。
当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
图1为本发明实施例触控基板的结构示意图；
图2为本发明实施例触控基板的剖视图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
目前自容式的oncell触控结构是在封装层上面设置2层金属层，该2层金属层分别制作形成触控电极层和触控引线层，由于自容式触控结构需要每个触控单元都引出触控引线层，所以触控引线层非常多。例如，以8寸左右屏幕为例，触控单元为4.2mm，该触控单元至少需要1000多条触控引线层。触控引线层与触控电极层分层两层膜层设置，能够方便引线。但该种结构由于触控引线层与触控电极层距离很近，使触控引线层与触控电极层之间产生寄生电容。
本发明实施例提供一种触控基板，包括基底、设置在所述基底上的触控引线层、设置在所述触控引线层上的封装层以及设置在所述封装层上的触控电极层，所述封装层中开设有与所述触控引线层连通的第一开孔，所述触控引线层通过所述第一开孔与所述触控引线层连接。
图1为本发明实施例触控基板的结构示意图；图2为本发明实施例触控基板的剖视图。如图1和图2所示，本发明实施例触控基板包括基底10、设置在基底10上的触控引线层20、设置在触控引线层20上的封装层30以及设置在封装层30上的触控电极层40。封装层30中开设有与触控引线层20连通的第一开孔，触控电极层40通过第一开孔与触控引线层20连接。其中，触控电极层40可以为自电容式触控电极层。基底10可以为单层和多层结构，多层结构可以由有机膜层和无机膜层复合构成。触控引线层20与触控电极层40连接，能够传输触控信号。
本发明实施例触控基板通过封装层30将触控电极层40与触控引线层20分隔开，使触控电极层40通过封装层30上的第一开孔与触控引线层20连接，从而增大触控电极层40与触控引线层20之间的距离，减少触控电极层40与触控引线层20之间的寄生电容，提高产品良率，并能提高电容式主动笔性能，降低主动笔信号在传输过程中的信号衰减，增强信号接收强度。同时，通过在封装层开孔，增加实际可用性。
如图2所示，本发明实施例触控基板还包括设置在基底10上的发光单元50，发光单元50包括设置在基底10上的驱动结构层以及设置在驱动结构层上的发光结构层，封装层30覆盖发光结构层，以用于隔绝水氧入侵，保护发光结构层中的发光材料。驱动结构层主要包括多个薄膜晶体管(ThinFilm Transistor，TFT)，用于控制发光结构层发光。发光结构层包括设置于驱动结构层上的第一像素电极60、设置在第一像素电极60上的像素定义层70、设置在像素定义层70上的发光层80以及设置在发光层80上的第二像素电极90。像素定义层70中开设有与第一像素电极60连通的第三开孔，发光层80设置于第三开孔中，与第一像素电极60连接。封装层30设置在像素定义层70上，并将发光层80和第二像素电极90覆盖，从而保护发光层80。
在示例性实施方式中，第一像素电极60与触控引线层20形成于同一膜层，即第一像素电极60和触控引线层20通过同一制备过程制备而成，从而简化工艺，节约生产成本。
在示例性实施方式中，薄膜晶体管包括设置在基底10上的源漏极层90和显示引线100，以及设置于源漏极层90和显示引线100上的平坦层110，平坦层110上设置有第一像素电极60和触控引线层20。平坦层110中开设有与源漏极层90连通的第四开孔，第一像素电极60通过第四开孔与源漏极层90连接。源漏极层90与显示引线100形成于同一膜层，即源漏极层90和显示引线100通过同一制备过程制备而成，从而简化工艺，节约生产成本。
在示例性实施方式中，像素定义层70位于第一像素电极60和触控引线层20与封装层30之间。像素定义层70中开设有与触控引线层20连通的第二开孔，第二开孔与封装层30中的第一开孔连通，触控电极层40通过第一开孔和第二开孔与触控引线层20连接，从而通过像素定义层70和封装层30将触控电极层40与触控引线层20分隔开，进一步的增加了触控电极层40与触控引线层20之间的距离，减少触控电极层40与触控引线层20之间的寄生电容。
在示例性实施方式中，本发明实施例触控基板还包括设置于像素定义层70与封装层30之间的保护层120，保护层120中开设有与像素定义层70中第二开孔连通的第四开孔。其中，第一开孔、第四开孔和第二开孔互相连通，并将触控引线层20暴露。保护层120靠近第二开孔一侧的边缘与封装层30连接，保护层120与封装层30组合形成保护层，防止水氧入侵发光材料。
在示例性实施方式中，封装层30包括设置于保护层120之上的第一无机封装层301、形成于第一无机封装层301之上的有机封装层302以及形成于有机封装层302之上的第二无机封装层303，第一无机封装层301和第二无机封装层303靠近第二开孔一侧的边缘包覆第一开孔、第四开孔和第二开孔的侧壁，并与保护层120靠近第二开孔一侧的边缘连接，从而形成保护层，保护发光材料。其中，保护层120可以为无机材料。第一无机封装层301、第二无机封装层303和保护层120可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等。
在示例性实施方式中，本发明实施例触控基板还包括设置在基底上的处理电路，触控引线层与处理电路连接，触控引线层将触控电极层形成触控信号传递给处理电路。
本发明实施例触控基板将触控结构分为2层制作，一层主要制作触控电极层，位于封装层之上。另外一层主要进行触控走线层，位于基底之上。本发明实施例触控基板的触控方式可以为自容方式或互容方式，只要是符合触控电极层与触控走线分为两个膜层设置即可。
下面通过本实施例触控基板的制备过程进一步说明本实施例的技术方案。如图2所示，触控基板的制备过程包括：
1)制备基底10。在示例性实施方式中，基底10可以包括在玻璃载板上叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、半导体层、第二柔性材料层和第二无机材料层。第一、第二柔性材料层的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一、第二无机材料层的材料可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，用于提高基底的抗水氧能力，第一、第二无机材料层也称之为阻挡(Barrier)层，半导体层的材料可以采用非晶硅(a-si)。在一示例性实施方式中，基底10可以为PI1/Barrier1/a-si/PI2/Barrier2的叠层结构。
2)在形成前述图案的基底10上，在基底10上沉积第一金属薄膜，通过图案化工艺对第一金属薄膜进行图案化，使第一金属薄膜在基底10上分别形成源漏极层90和显示引线100。
3)在形成前述图案的基底10上，在源漏极层90和显示引线100上涂覆一层有机材料的平坦薄膜，通过图案化工艺，形成覆盖整个基底10的平坦层(PLN)110。平坦层(PLN)110中开设有第四开孔，第四开孔内的平坦层110被刻蚀掉，暴露出源漏极层90。
4)在形成前述图案的基底10上，在平坦层110上沉积第二金属薄膜，通过图案化工艺对第二金属薄膜进行图案化，使第二金属薄膜在平坦层110上分别形成第一像素电极60和触控引线层20。
5)在形成前述图案的基底10上，在第一像素电极60和触控引线层20上涂覆一层像素定义薄膜以及一层无机薄膜，通过图案化工艺对像素定义薄膜和无机薄膜进行图案化，形成像素定义层(PDL)70以及位于像素定义层(PDL)70上的保护层120。通过刻蚀工艺，将保护层120和像素定义层70进行刻蚀，使保护层120在基底10上的正投影与第一像素电极60和触控引线层20在基底10上的正投影均不重叠，并在保护层120上形成第四开孔；使像素定义层70上形成第二开孔和第三开孔，第三开孔暴露出第一像素电极60的表面，第二开孔内的像素定义层70被刻蚀掉，第四开孔中的保护层120被刻蚀掉，第二开孔与第四开孔连通，暴露出触控引线层20的表面。
6)在形成前述图案的基底10上，在第三开孔中暴露的第一像素电极60上沉积发光材料，形成发光层80；随后，在发光层80上沉积一层第三金属薄膜，通过图案化工艺对第三金属薄膜进行图案化，形成第二像素电极130。
7)在形成前述图案的基底10上，在保护层120上涂覆沉积一层覆盖第二像素电极130的封装薄膜，通过图案化工艺对封装薄膜进行图案化，形成封装层30，封装层30中开设有第一开孔，第一开孔中的封装层30被刻蚀掉，使第一开孔、第四开孔和第二开孔连通，暴露出触控引线层20的表面。封装层30的边缘包覆第一开孔、第四开孔和第二开孔的侧壁，与暴露出的触控引线层20表面的边缘连接。其中，在示例性实施方式中，封装层30可以包括形成于保护层120之上的第一无机封装层301、形成于第一无机封装层301之上的有机封装层302以及形成于有机封装层302之上的第二无机封装层303。第一无机封装层301和第二无机封装层303靠近第二开孔一侧的边缘包覆第一开孔、第四开孔和第二开孔的侧壁，分别与保护层120靠近第二开孔一侧的边缘和暴露出的触控引线层20表面的边缘连接，从而形成保护层，隔绝水氧，保证发光材料的使用寿命。
8)在形成前述图案的基底10上，在封装层30上沉积第四金属薄膜，通过图案化工艺对第四金属薄膜进行图案化，使第四金属薄膜在封装层30上形成触控电极层，触控电极层通过第一开孔、第四开孔和第二开孔与触控引线层20连接。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括前述实施例的触控基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明实施例还提供了一种触控基板的制备方法，包括：
在基底上形成触控引线层；
在所述触控引线层上形成封装层，将所述封装层中形成与所述触控引线层连通的第一开孔；
在所述封装层上形成触控引线层，将所述触控引线层通过所述第一开孔与所述触控引线层连接。
在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (7)
1.一种触控基板，其特征在于，包括基底、设置在所述基底上的触控引线层、设置在所述触控引线层上的封装层以及设置在所述封装层上的触控电极层，所述封装层中开设有与所述触控引线层连通的第一开孔，所述触控电极层通过所述第一开孔与所述触控引线层连接；还包括设置在所述基底上的发光单元，所述封装层覆盖所述发光单元，所述发光单元包括第一像素电极，所述第一像素电极与所述触控引线层形成于同一膜层；所述发光单元还包括设置在所述第一像素电极和所述触控引线层上的像素定义层，所述封装层设置在所述像素定义层上，所述像素定义层中开设有与所述触控引线层连通的第二开孔；还包括设置于所述像素定义层与所述封装层之间的保护层，所述保护层中开设有与所述第二开孔连通的第四开孔，所述保护层靠近所述第二开孔一侧的边缘与所述封装层连接，所述触控电极层通过所述第一开孔、所述第四开孔和所述第二开孔与所述触控引线层连接。
2.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于，所述像素定义层中开设有与所述第一像素电极连通的第三开孔，所述发光单元还包括设置在所述第三开孔中的发光层以及设置在所述发光层上的第二像素电极。
3.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于，所述封装层包括设置于所述保护层之上的第一无机封装层、形成于所述第一无机封装层之上的有机封装层以及形成于所述有机封装层之上的第二无机封装层，所述第二无机封装层靠近所述第二开孔一侧的边缘与所述保护层靠近所述第二开孔一侧的边缘连接。
4.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于，还包括设置于所述基底上的源漏极层和显示引线，以及设置于所述源漏极层和所述显示引线上的平坦层，所述平坦层中开设有与所述源漏极层连通的第四开孔，所述第一像素电极设置于所述平坦层上，并通过所述第四开孔与所述源漏极层连接，所述源漏极层与所述显示引线形成于同一膜层。
5.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于，还包括设置在所述基底上的处理电路，所述触控引线层与所述处理电路连接。
6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5任一所述的触控基板。
7.一种触控基板的制备方法，其特征在于，包括：
在基底上形成触控引线层和第一像素电极，所述第一像素电极与所述触控引线层形成于同一膜层；
在所述触控引线层和所述第一像素电极上形成像素定义层，所述像素定义层中开设有与所述触控引线层连通的第二开孔；
在所述像素定义层上形成保护层，所述保护层中开设有与所述第二开孔连通的第四开孔；
在所述保护层上形成封装层，将所述封装层中形成与所述第四开孔连通的第一开孔，所述保护层靠近所述第二开孔一侧的边缘与所述封装层连接；
在所述封装层上形成触控电极层，将所述触控电极层通过所述第一开孔、所述第四开孔和所述第二开孔与所述触控引线层连接。
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