CN112203398B - 一种pcb板液冷散热工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种PCB板液冷散热工艺，包括以下步骤：(a)、将金属盖帽和金属结构焊接形成微流道结构；(b)、提供衬底，在衬底背面制作TSV，RDL和焊盘，将衬底表面减薄使TSV露出，抛光使金属露出；(c)、在衬底表面开空腔，将芯片嵌入，在芯片表面制作RDL和焊盘，将芯片背部的衬底上刻蚀凹槽，使芯片背部露出，得到转接板；(d)、在衬底背部焊盘上制作第一焊锡球，在PCB板上焊接微流道结构，将转接板贴在PCB板上，得到最终结构。本发明的PCB板液冷散热工艺，通过设置一种可以实现接地功能的微流道，焊接在芯片的底部，使该微流道通道既可以实现芯片的散热功能，又可以通过微流道的导电功能，实现芯片的接地功能。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种PCB板液冷散热工艺。
背景技术
微波毫米波射频集成电路技术是现代国防武器装备和互联网产业的基础，随着智能通信、智能家居、智能物流、智能交通等“互联网+”经济的快速兴起，承担数据接入和传输功能的微波毫米波射频集成电路也存在巨大现实需求及潜在市场。
但是对于高频率的微***，天线阵列的面积越来越小，且天线之间的距离要保持在某个特定范围，才能使整个模组具备优良的通信能力；但是对于射频芯片这种模拟器件芯片来讲，其面积不能像数字芯片一样成倍率的缩小，这样就会出现特高频率的射频微***将没有足够的面积同时放置PA/LNA，需要把PA/LNA堆叠或者竖立放置。
这样散热结构就要采用更先进的液冷或者相变制冷工艺，一般都是用金属加工的方式做射频模组的底座，底座里面设置微流通道，采用焊接的工艺使模组固定在金属底座上完成芯片的放置；但是对于用半导体材质制作的可用于芯片堆叠工艺的微流道来说，不能用金属焊接的方式实现液态微流道互联接口的结合，只能用回流焊或者表面贴装的方式，这种传统的只有平面焊接互联的工艺不能有效应对液压较高的微流道工作环境。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中存在的不足，提供一种PCB板液冷散热工艺，既可以实现芯片的散热功能，又可以通过微流道的导电功能，实现芯片的接地功能。本发明采用的技术方案是：
一种PCB板液冷散热工艺，其中，包括以下步骤：
(a)、提供金属盖帽，在金属盖帽表面刻蚀多个进液孔，在金属盖帽表面和进液孔内壁制作钝化层，腐蚀金属盖帽外边缘；提供表面带有凹槽的金属结构，在凹槽内沉积钝化层，将金属盖帽和带有凹槽的金属结构焊接形成微流道结构；
(b)、提供衬底，在衬底背面制作TSV，RDL和焊盘，在衬底背面临时键合，将衬底表面减薄使TSV露出，覆盖钝化层，然后抛光使金属露出；
(c)、在衬底表面开空腔，将芯片嵌入空腔中，并将芯片和空腔之间的缝隙填充，然后在芯片表面制作RDL和焊盘，解衬底背面的临时键合，在衬底表面做临时键合，将芯片背部的衬底上刻蚀凹槽，使芯片背部露出，得到转接板；
(d)、在衬底背部两侧的焊盘上制作第一焊锡球，提供PCB板，PCB板上设置进液口，在PCB板上焊接微流道结构，并将转接板贴在PCB板上，使微流道结构和芯片背部互联，第一焊锡球和PCB互联，同时微流道结构的进液孔和PCB板上的进液口互联，得到最终结构。
优选的是，所述的PCB板液冷散热工艺，其中，所述步骤（b）具体为：
(b1)、通过光刻，刻蚀工艺在衬底背面制作TSV孔，在衬底背面沉积绝缘层，在绝缘层上方制作至少一层种子层，电镀铜，使铜金属充满TSV形成TSV导电柱；
(b2)、将衬底背面铜去除，使衬底背面只剩下填铜；
(b3)、在衬底背面制作RDL和焊盘；
(b4)、将衬底背面做临时键合，以载片做支撑减薄衬底表面，使TSV在衬底表面露头，对其表面进行钝化层覆盖，然后抛光使TSV导电柱露出。
优选的是，所述的PCB板液冷散热工艺，其中，所述步骤(b)衬底表面的减薄厚度为100nm～700um；所述步骤(c)空腔高度为100um～600um。
优选的是，所述的PCB板液冷散热工艺，其中，所述步骤(b1)TSV孔的直径为1um～1000um，深度为10um～1000um；绝缘层为氧化硅或氮化硅，绝缘层厚度范围为0.01～100um；所述种子层厚度为0.001～100um，所述种子层的材质为钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍的一种。
一种PCB板液冷散热工艺，其中，包括以下步骤：
(a)、提供金属盖帽，在金属盖帽表面刻蚀多个进液孔，在金属盖帽表面和进液孔内壁制作钝化层，腐蚀金属盖帽外边缘；提供表面带有凹槽的金属结构，在凹槽内沉积钝化层，将金属盖帽和带有凹槽的金属结构焊接形成微流道结构；
(b)、提供衬底，在衬底表面制作TSV和焊盘，在衬底表面开空腔，将芯片嵌入空腔中，并将芯片和空腔之间的缝隙填充，然后在衬底表面制作RDL，在衬底表面做临时键合，将衬底背面减薄使TSV和芯片背部露出，在衬底背面沉积钝化层，抛光使TSV背面金属露出，并在芯片背面制作RDL和焊盘；
(c)、在衬底背部两侧的焊盘上制作第一焊锡球，提供PCB板，PCB板上设置进液口，在PCB板上焊接微流道结构，并将转接板贴在PCB板上，使微流道结构和芯片背部互联，第一焊锡球和PCB互联，同时微流道结构的进液孔和PCB板上的进液口互联，得到最终结构。
优选的是，所述的PCB板液冷散热工艺，其中，所述步骤（b）具体为：
（b1）在衬底表面制作TSV孔，在衬底表面沉积绝缘层，在绝缘层上方制作种子层，电镀铜，使铜金属充满TSV形成TSV导电柱；
（b2）将衬底表面铜去除，使衬底表面只剩下填铜；
（b3）在衬底表面刻蚀空腔，将芯片嵌入，并将芯片和空腔之间的缝隙填满，最后在芯片表面制作RDL和焊盘；
（b4）在衬底正面做临时键合，以载片做支撑减薄衬底背面，使TSV背面露头，并使芯片背面露出，然后对其衬底背面进行钝化层覆盖，然后抛光使TSV导电柱露出，并在衬底背面制作RDL和焊盘。
优选的是，所述的PCB板液冷散热工艺，其中，所述步骤(b)衬底背面的减薄厚度为100nm～700um；所述步骤(b)空腔高度为100um～600um。
优选的是，所述的PCB板液冷散热工艺，其中，所述步骤（c）还包括在芯片背部的焊盘上制作第二焊锡球，并使微流道结构和芯片背部第二焊锡球互联。
优选的是，所述的PCB板液冷散热工艺，其中，所述步骤(b1)TSV孔的直径为1um～1000um，深度为10um～1000um；绝缘层为氧化硅或氮化硅，绝缘层厚度范围为0.01～100um；所述种子层厚度为0.001～100um，所述种子层的材质为钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍的一种。
本发明的优点在于：本发明的PCB板液冷散热工艺，通过设置一种可以实现接地功能的微流道，焊接在芯片的底部，使该微流道通道既可以实现芯片的散热功能，又可以通过微流道的导电功能，实现芯片的接地功能。
附图说明
图1为本发明的金属盖帽表面刻蚀多个进液孔的示意图。
图2为本发明的表面带有凹槽的金属结构的示意图。
图3为微流道的结构的示意图。
图4为本发明的实施例1在衬底背面制作TSV，RDL和焊盘的示意图。
图5为本发明的实施例1衬底表面开空腔的示意图。
图6为本发明的实施例1在空腔内将芯片嵌入示意图。
图7为本发明的实施例1转接板的示意图。
图8为本发明实施例1最终结构示意图。
图9为本发明的实施例2和实施例3衬底表面制作TSV孔示意图。
图10为本发明的实施例2和实施例3衬底表面刻蚀空腔的示意图。
图11为本发明的实施例2和实施例3空腔内嵌入芯片，在芯片表面制作RDL和焊盘示意图。
图12为本发明的实施例2在芯片背部两侧的焊盘上制作第一焊锡球的示意图。
图13为本发明的实施例2的最终结构的示意图。
图14为本发明的实施例3的芯片背部的焊盘上制作第二焊锡球，衬底背部两侧的焊盘上制作第一焊锡球的示意图。
图15为本发明的实施例3的最终结构的示意图。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。
实施例一；
本实施例提供的PCB板液冷散热工艺，包括以下步骤：
如图1所示，
(a)、提供金属盖帽，在金属盖帽表面刻蚀多个进液孔，在金属盖帽表面和进液孔内壁制作钝化层，腐蚀金属盖帽外边缘；提供表面带有凹槽的金属结构，在凹槽内沉积钝化层，将金属盖帽和带有凹槽的金属结构焊接形成微流道结构；
如图1所示，在金属盖帽表面103表面通过湿法腐蚀工艺制作进液孔，然后整个盖帽和进液孔内壁制作钝化层，然后通过干法刻蚀工艺把钝化层部分区域去掉；
如图2所示，制作表面带有凹槽105的金属结构104，在凹槽内沉积钝化层；
如图3所示，把金属盖帽和带有凹槽的金属用焊接成具有微流道的结构；
(b)、提供衬底，在衬底背面制作TSV，RDL和焊盘，在衬底背面临时键合，将衬底表面减薄使TSV露出，衬底表面的减薄厚度为100nm～700um，覆盖钝化层，然后抛光使金属露出；
其中步骤（b）具体为：
(b1)、如图4所示，通过光刻，刻蚀工艺在衬底背面制作TSV孔，TSV孔的直径为1um～1000um，深度为10um～1000um，在衬底背面沉积绝缘层，绝缘层为氧化硅或氮化硅，绝缘层厚度范围为0.01～100um，在绝缘层上方制作至少一层种子层，种子层厚度为0.001～100um，所述种子层的材质为钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍的一种，电镀铜，使铜金属充满TSV形成TSV导电柱，200到500度温度下密化使铜更致密；
(b2)、将衬底背面铜去除，使衬底背面只剩下填铜；衬底表面绝缘层可以用干法刻蚀或者湿法腐蚀工艺去除；硅片表面绝缘层也可以保留；
(b3)、通过光刻和电镀工艺在衬底背面制作RDL和焊盘，厚度范围在1nm到100um，其可以是一层也可以是多层，金属材质可以是钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍等；
(b4)、将衬底背面做临时键合，以载片做支撑减薄衬底表面，减薄厚度在100nm到700um，使TSV在衬底表面露头，对其表面进行钝化层覆盖，然后抛光使TSV导电柱露出。
(c)、在衬底表面开空腔，将芯片嵌入空腔中，空腔高度为100um～600um，并将芯片和空腔之间的缝隙填充，然后在芯片表面制作RDL和焊盘，解衬底背面的临时键合，在衬底表面做临时键合，将芯片背部的衬底上刻蚀凹槽，使芯片背部露出，得到转接板；
如图5所示，通过干法刻蚀工艺在衬底表面开空腔108，空腔高度在100um~600um；
如图6所示，在空腔内填充胶体，将芯片109嵌入，用其他胶体把芯片跟深腔之间的缝隙填满；
然后在芯片表面制作RDL和焊盘，解键合；
如图7所示，在衬底表面做临时键合，将芯片背部的衬底刻蚀凹槽110，使芯片背部露出，得到转接板；
(d)、在衬底背部两侧的焊盘上制作第一焊锡球，提供PCB板，PCB板上设置进液口，在PCB板上焊接微流道结构，并将转接板贴在PCB板上，使微流道结构和芯片背部互联，第一焊锡球和PCB互联，同时微流道结构的进液孔和PCB板上的进液口互联，得到最终结构。
如图7所示，在芯片背部一面的焊盘上制作第一焊锡球111；
如图8所示，在PCB板上焊接微流道结构，然后把转接板模组贴在PCB板上，使微流道模组跟芯片背部互联，第一焊锡球和PCB互联，同时微流道结构的进液口跟PCB板上的进液口互联，得到最终结构。
实施例2：
本实施例提供的PCB板液冷散热工艺，包括以下步骤：
(a)、提供金属盖帽，在金属盖帽表面刻蚀多个进液孔，在金属盖帽表面和进液孔内壁制作钝化层，腐蚀金属盖帽外边缘；提供表面带有凹槽的金属结构，在凹槽内沉积钝化层，将金属盖帽和带有凹槽的金属结构焊接形成微流道结构；
如图1所示，在金属盖帽表面103表面通过湿法腐蚀工艺制作进液孔，然后整个盖帽和进液孔内壁制作钝化层，然后通过干法刻蚀工艺把钝化层部分区域去掉；
如图2所示，在制作表面带有凹槽105的金属104，在凹槽内沉积钝化层；
如图3所示，把金属盖帽和带有凹槽的金属用焊接成具有微流道的结构；
(b)、提供衬底，在衬底表面制作TSV和焊盘，在衬底表面开空腔，空腔高度为100um～600um，将芯片嵌入空腔中，并将芯片和空腔之间的缝隙填充，然后在衬底表面制作RDL，在衬底表面做临时键合，将衬底背面减薄使TSV和芯片背部露出，衬底背面的减薄厚度为100nm～700um，在衬底背面沉积钝化层，抛光使TSV背面金属露出，并在芯片背面制作RDL和焊盘；
所述步骤（b）具体为：
（b1）如图9所示，通过光刻，刻蚀工艺在衬底表面制作TSV孔，TSV孔的直径为1um～1000um，深度为10um～1000um，在衬底表面沉积绝缘层，绝缘层为氧化硅或氮化硅，绝缘层厚度范围为0.01～100um，在绝缘层上方制作种子层，所述种子层厚度为0.001～100um，所述种子层的材质为钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍的一种，电镀铜，使铜金属充满TSV形成TSV导电柱，200到500度温度下密化使铜更致密；
（b2）将衬底表面铜去除，使衬底表面只剩下填铜，衬底表面绝缘层可以用干法刻蚀或者湿法腐蚀工艺去除；衬底表面绝缘层也可以保留；
（b3）如图10所示，在衬底表面刻蚀空腔，空腔高度在100um~600um，如图11所示，在空腔内填充胶体，将芯片嵌入，并将芯片和空腔之间的缝隙填满，最后在芯片表面制作RDL和焊盘；
（b4）如图12所示，在衬底正面做临时键合，以载片做支撑减薄衬底背面，使TSV背面露头，并使芯片背面露出，然后对其衬底背面进行钝化层覆盖，然后抛光使TSV导电柱露出，并通过光刻和电镀工艺衬底背面制作RDL和焊盘，厚度范围在1nm到100um，其可以是一层也可以是多层，金属材质可以是钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍等；
(c)、在衬底背部两侧的焊盘上制作第一焊锡球，提供PCB板，PCB板上设置进液口，在PCB板上焊接微流道结构，并将转接板贴在PCB板上，使微流道结构和芯片背部互联，第一焊锡球和PCB互联，同时微流道结构的进液孔和PCB板上的进液口互联，得到最终结构。
如图12所示，在芯片背部两侧的焊盘上制作第一焊锡球；
如图13所示，在PCB板上焊接微流道结构，然后把转接板模组贴在PCB板上，使微流道模组跟芯片背部互联，焊球跟PCB互联，同时微流道结构的进液口跟PCB板上的进液口互联，得到最终结构。
实施例3：
本实施例提供的PCB板液冷散热工艺，包括以下步骤：
(a)、提供金属盖帽，在金属盖帽表面刻蚀多个进液孔，在金属盖帽表面和进液孔内壁制作钝化层，腐蚀金属盖帽外边缘；提供表面带有凹槽的金属结构，在凹槽内沉积钝化层，将金属盖帽和带有凹槽的金属结构焊接形成微流道结构；
如图1所示，在金属盖帽表面103表面通过湿法腐蚀工艺制作进液孔，然后整个盖帽和进液孔内壁制作钝化层，然后通过干法刻蚀工艺把钝化层部分区域去掉；
如图2所示，在制作表面带有凹槽105的金属104，在凹槽内沉积钝化层；
如图3所示，把金属盖帽和带有凹槽的金属用焊接成具有微流道的结构；
(b)、提供衬底，在衬底表面制作TSV和焊盘，在衬底表面开空腔，空腔高度为100um～600um，将芯片嵌入空腔中，并将芯片和空腔之间的缝隙填充，然后在衬底表面制作RDL，在衬底表面做临时键合，将衬底背面减薄使TSV和芯片背部露出，衬底背面的减薄厚度为100nm～700um，在衬底背面沉积钝化层，抛光使TSV背面金属露出，并在芯片背面制作RDL和焊盘；
所述步骤（b）具体为：
（b1）如图9所示，通过光刻，刻蚀工艺在衬底表面制作TSV孔，TSV孔的直径为1um～1000um，深度为10um～1000um，在衬底表面沉积绝缘层，绝缘层为氧化硅或氮化硅，绝缘层厚度范围为0.01～100um，在绝缘层上方制作种子层，所述种子层厚度为0.001～100um，所述种子层的材质为钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍的一种，电镀铜，使铜金属充满TSV形成TSV导电柱，200到500度温度下密化使铜更致密；
（b2）将衬底表面铜去除，使衬底表面只剩下填铜，衬底表面绝缘层可以用干法刻蚀或者湿法腐蚀工艺去除；衬底表面绝缘层也可以保留；
（b3）如图10所示，在衬底表面刻蚀空腔，空腔高度在100um~600um，如图11所示，在空腔内填充胶体，将芯片嵌入，并将芯片和空腔之间的缝隙填满，最后在芯片表面制作RDL和焊盘；
（b4）如图12所示，在衬底正面做临时键合，以载片做支撑减薄衬底背面，使TSV背面露头，并使芯片背面露出，然后对其衬底背面进行钝化层覆盖，然后抛光使TSV导电柱露出，并通过光刻和电镀工艺衬底背面制作RDL和焊盘，厚度范围在1nm到100um，其可以是一层也可以是多层，金属材质可以是钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍等；
(c)、在衬底背部两侧的焊盘上制作第一焊锡球，在芯片背部的焊盘上制作第二焊锡球，提供PCB板，PCB板上设置进液口，在PCB板上焊接微流道结构，并将转接板贴在PCB板上，使微流道结构和芯片背部的第二焊锡球互联，第一焊锡球和PCB互联，同时微流道结构的进液孔和PCB板上的进液口互联，得到最终结构。
如图14所示，在芯片背部的焊盘上制作第二焊锡球，在衬底背部两侧的焊盘上制作第一焊锡球，回流；
如图15所示，在PCB板上焊接微流道结构，然后把转接板贴在PCB板上，使微流道结构和芯片背部第二焊锡球互联，第一焊锡球和PCB互联，同时微流道结构的进液口跟PCB板上的进液口互联，得到最终结构。
本发明的PCB板液冷散热工艺，通过设置一种可以实现接地功能的微流道，焊接在芯片的底部，使该微流道通道既可以实现芯片的散热功能，又可以通过微流道的导电功能，实现芯片的接地功能。
最后所应说明的是，以上具体实施方式仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照实例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (9)
1.一种PCB板液冷散热工艺，其特征在于，包括以下步骤：
(a)、提供金属盖帽，在金属盖帽表面刻蚀多个进液孔，在金属盖帽表面和进液孔内壁制作钝化层，腐蚀金属盖帽外边缘；提供表面带有凹槽的金属结构，在凹槽内沉积钝化层，将金属盖帽和带有凹槽的金属结构焊接形成微流道结构；
(b)、提供衬底，在衬底背面制作TSV，RDL和焊盘，在衬底背面临时键合，将衬底表面减薄使TSV露出，覆盖钝化层，然后抛光使金属露出；
(c)、在衬底表面开空腔，将芯片嵌入空腔中，并将芯片和空腔之间的缝隙填充，然后在芯片表面制作RDL和焊盘，解衬底背面的临时键合，在衬底表面做临时键合，将芯片背部的衬底上刻蚀凹槽，使芯片背部露出，得到转接板；
(d)、在衬底背部两侧的焊盘上制作第一焊锡球，提供PCB板，PCB板上设置进液口，在PCB板上焊接微流道结构，并将转接板贴在PCB板上，使微流道结构和芯片背部互联，第一焊锡球和PCB互联，同时微流道结构的进液孔和PCB板上的进液口互联，得到最终结构。
2.如权利要求1所述的PCB板液冷散热工艺，其特征在于，所述步骤（b）具体为：
(b1)、通过光刻，刻蚀工艺在衬底背面制作TSV孔，在衬底背面沉积绝缘层，在绝缘层上方制作至少一层种子层，电镀铜，使铜金属充满TSV形成TSV导电柱；
(b2)、将衬底背面铜去除，使衬底背面只剩下填铜；
(b3)、在衬底背面制作RDL和焊盘；
(b4)、将衬底背面做临时键合，以载片做支撑减薄衬底表面，使TSV在衬底表面露头，对其表面进行钝化层覆盖，然后抛光使TSV导电柱露出。
3.如权利要求1所述的PCB板液冷散热工艺，其特征在于，所述步骤(b)衬底表面的减薄厚度为100nm～700um；所述步骤(c)空腔高度为100um～600um。
4.如权利要求2所述的PCB板液冷散热工艺，其特征在于，所述步骤(b1)TSV孔的直径为1um～1000um，深度为10um～1000um；绝缘层为氧化硅或氮化硅，绝缘层厚度范围为0.01～100um；所述种子层厚度为0.001～100um，所述种子层的材质为钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍的一种。
5.一种PCB板液冷散热工艺，其特征在于，包括以下步骤：
(a)、提供金属盖帽，在金属盖帽表面刻蚀多个进液孔，在金属盖帽表面和进液孔内壁制作钝化层，腐蚀金属盖帽外边缘；提供表面带有凹槽的金属结构，在凹槽内沉积钝化层，将金属盖帽和带有凹槽的金属结构焊接形成微流道结构；
(b)、提供衬底，在衬底表面制作TSV和焊盘，在衬底表面开空腔，将芯片嵌入空腔中，并将芯片和空腔之间的缝隙填充，然后在衬底表面制作RDL，在衬底表面做临时键合，将衬底背面减薄使TSV和芯片背部露出，在衬底背面沉积钝化层，抛光使TSV背面金属露出，并在芯片背面制作RDL和焊盘；
(c)、在衬底背部两侧的焊盘上制作第一焊锡球，提供PCB板，PCB板上设置进液口，在PCB板上焊接微流道结构，并将转接板贴在PCB板上，使微流道结构和芯片背部互联，第一焊锡球和PCB互联，同时微流道结构的进液孔和PCB板上的进液口互联，得到最终结构。
6.如权利要求5所述的PCB板液冷散热工艺，其特征在于，所述步骤（b）具体为：
（b1）在衬底表面制作TSV孔，在衬底表面沉积绝缘层，在绝缘层上方制作种子层，电镀铜，使铜金属充满TSV形成TSV导电柱；
（b2）将衬底表面铜去除，使衬底表面只剩下填铜；
（b3）在衬底表面刻蚀空腔，将芯片嵌入，并将芯片和空腔之间的缝隙填满，最后在芯片表面制作RDL和焊盘；
（b4）在衬底正面做临时键合，以载片做支撑减薄衬底背面，使TSV背面露头，并使芯片背面露出，然后对其衬底背面进行钝化层覆盖，然后抛光使TSV导电柱露出，并在衬底背面制作RDL和焊盘。
7.如权利要求5所述的PCB板液冷散热工艺，其特征在于，所述步骤(b)衬底背面的减薄厚度为100nm～700um；所述步骤(b)空腔高度为100um～600um。
8.如权利要求5所述的PCB板液冷散热工艺，其特征在于，所述步骤（c）还包括在芯片背部的焊盘上制作第二焊锡球，并使微流道结构和芯片背部第二焊锡球互联。
9.如权利要求6所述的PCB板液冷散热工艺，其特征在于，所述步骤(b1)TSV孔的直径为1um～1000um，深度为10um～1000um；绝缘层为氧化硅或氮化硅，绝缘层厚度范围为0.01～100um；所述种子层厚度为0.001～100um，所述种子层的材质为钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍的一种。
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