CN109411427A - 一种微流道散热器及其制造方法 - Google Patents

一种微流道散热器及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种微流道散热器，其内设有微流道、分流网络，表面设有进出液口，所述微流道散热器的外表面设有金属层。本发明的微流道散热器，通过在微流道散热器表面设置金属层，不仅很好地满足了高频率***的接地要求，还避免了在微流道散热器上设置深TSV孔，降低微流道散热器的加工难度、制造成本，保证了电路的集成密度和结构的可靠性；由于金属层的存在，本发明微通道散热器上下表面平整、无空洞，可以在微流道散热器表面集成多颗高热流密度的芯片，在保证产品散热性能的前提下可以灵活设计电路。

Description

一种微流道散热器及其制造方法
技术领域
本发明涉及微电子散热技术领域，尤其是一种微流道散热器及其制造方法。
背景技术
功率芯片是射频微***的核心部件，先进半导体材料的发展使得功率芯片性能持续提升。目前，第三代半导体技术具有宽禁带的特点，可以承受更高的工作结温，其功率密度可达30W/mm(远高于GaAs的0.5W/mm)，能够使电子***的输出功率增大5倍，而体积却减少一半。但是，在微波频段，第三代半导体器件自热效应相当严重，一些多栅器件在微波频段的输出热流密度甚至达到千瓦每平方厘米量级。因此，散热问题已经成为严重制约微***性能发挥的瓶颈问题。
硅基微通道通过微尺度的连续流体对芯片进行直接冷却，最大限度地降低了远程散热模式中各热沉间热阻对散热效率的影响，从而大幅度提升芯片的冷却效率，已经成为与芯片集成、实现器件在最近端散热的最佳途径之一，获得广泛关注，相关专利包括中国专利CN1558448A、中国专利CN103839905A等。
但是，现有的硅基微通道散热器是以单片形式存在，在***中进行二次集成时，高频功率芯片接地距离远，寄生效应严重，现有硅基微通道散热器不能满足高频***的接地要求。专利CN103199086B中，微流道散热器上集成了穿硅通孔(TSV)，也可用于接地。但是，高散热需求使得微流道散热结构深宽比大，整体厚度大(≥400μm)，结构复杂。这带来三个问题：1)深TSV孔加工难度大，工艺成本高；2)深TSV孔(深≥500μm)一般为空心孔，其上不宜集成其他器件，降低了电路集成密度；3)为保持整体结构的可靠性，TSV集成数量有限，不能满足高频功率芯片良好接地的要求。
发明内容
为解决上述现有微通道散热器无法满足高频***接地要求或者深TSV孔加工难度大、工艺成本高、降低电路密集度、数量有限的缺陷，本发明提供了一种微流道散热器及其制造方法。
本发明的技术方案如下：
一种微流道散热器，其内设有微流道、分流网络，表面设有进液口和出液口，所述微流道散热器的外表面设有金属层。
上述技术方案中，通过在微流道散热器表面设置金属层，不仅很好地满足高了频率***的接地要求，还避免了在微流道散热器上设置深TSV孔，降低微流道散热器的加工难度、制造成本，保证了电路的集成密度和结构的可靠性。
所述微流道和分流网络可以为任意形状，实际形状应根据散热需求而定。示例性地，所述微流道和分流网络形状可以为：蛇形、螺旋形、工字形、树形、直槽形、折线形等。
优选地，所述微流道散热器的厚度至少为400μm。
优选地，所述金属层连续分布于所述微流道散热器表面。
优选地，所述金属层材料为Au或者Ni/Au。
所述金属层材料为Au时，金属层为单层结构，即所述金属层为Au层；所述金属层材料为Ni/Au时，金属层为双层结构，下层为Ni层，上层为Au层，Ni层厚度为2～4mm，Au层厚度为0.05～0.3mm。
优选地，所述微流道宽度为10～100μm，深度为150～500μm。
更有选地，所述微流道宽度为30μm，深度为250μm。
所述微流道具有高深宽比的散热翅片以及分流网络，能够满足热流密度大于500W/cm2的散热需求。
优选地，所述微流道散热器的上下表面还分别设有种子层，所述种子层的材料为Ti/W/Au。
所述种子层为三层结构，下层为Ti层，厚度为5～10nm，中层为W层，厚度为5～10nm，上层为Au层，厚度为20～30nm。设置种子层，可以提高金属层与硅基片之间的附着力，使金属层更好地附着于微流道散热器表面。
优选地，上述微流道散热器的进液口和出液口为圆形。
本发明还提供了上述的微流道散热器的制作方法：在每个微流道散热器的四周设置通槽，利用激光分片工艺于通槽处切割，分离得单个微通道散热器。
上述技术方案中，所述通槽设于微流道散热器的侧面，每个微流道散热器的四周至少有四个通槽，每个侧面至少一个通槽。通过引入通槽，可以在激光分片切割前保证每个微流道散热器的侧面均被设置上金属层，可使金属层的电镀一步到位。
优选地，所述通槽横截面宽度为40～200μm，所述通槽横截面长度至少为微流道散热器横截面边长的1/2。
更优选地，所述通槽横截面宽度为70～150μm，所述通槽横截面长度为微流道散热器横截面边长的2/3。
通槽的宽度应满足在激光切割过程中不损伤到微流道散热器的金属化侧面，一般通槽的横截面宽度应比切割道宽度大40～200μm，优选地，通槽的横截面宽度比切割道宽度大100μm。
优选地，上述微流道散热器的制作方法，包括如下步骤：
1)取硅片A和硅片B，并于任一硅片表面设置微流道和分流网络；
2)永久键合硅片A和硅片B，得内埋微流道的硅片C；
3)于硅片C上各微流道散热器四周设置通槽；
4)于硅片C上下表面设置种子层；
5)于硅片C表面设置金属层；
6)于硅片C上各微流道散热器下表面设置进液口和出液口；
7)利用激光分片工艺于通槽处切割，即得单个微通道散热器。
步骤1)使用干法刻蚀工艺在硅片表面刻蚀微流道和分流网络；步骤2)还包括使用减薄抛光工艺将硅片C厚度控制在合适范围，硅片C的厚度即是本发明微流道散热器的厚度；步骤3)使用刻蚀工艺在硅片C上各微流道散热器四周刻蚀通槽；步骤4)使用溅射工艺在硅片C上下表面沉积种子层；步骤5)使用电镀工艺在硅片C表面电镀金属层；步骤6)使用刻蚀工艺在硅片C上各微流道散热器下表面刻蚀进液口和出液口。
优选地，步骤2)中永久键合硅片A和硅片C的方法为：分别于硅片A和硅片B的键合面设置一层二氧化硅，并控制二氧化硅层的表面粗糙度在1nm以下，然后利用晶元键合工艺键合硅片A和硅片B。
使用化学机械抛光技术将二氧化硅层的表面粗糙度控制在1nm以下；所述晶圆键合工艺是指二氧化硅熔融键合工艺。
本发明具有如下有益效果：
本发明的微流道散热器，通过在微流道散热器表面设置金属层，不仅很好地满足了高频率***的接地要求，还避免了在微流道散热器上设置深TSV孔，降低微流道散热器的加工难度、制造成本，保证了电路的集成密度和结构的可靠性；由于金属层的存在，本发明微通道散热器上下表面平整、无空洞，可以在微流道散热器表面集成多颗高热流密度的芯片，在保证产品散热性能的前提下可以灵活设计电路。
附图说明
本发明将通过例子并参照附图的方式说明，其中：
图1为本发明实施例中微流道散热器的外观示意图。
图2为本发明实施例中微流道散热器的剖面图。
图3为本发明实施例中硅片A、B表面设置二氧化硅层后的示意图。
图4为本发明实施例中在硅片A表面刻蚀微流道示意图。
图5为本发明实施例中键合硅片A、B得到硅片C的示意图。
图6为本发明实施例中减薄并抛光硅片C示意图。
图7为本发明实施例中硅片C侧面刻蚀通槽示意图。
图8为本发明实施例中硅片C表面设置金属层示意图。
图9为本发明实施例中硅片C表面刻蚀进液口和出液口示意图。
图10为本发明实施例中激光分片获得微流道散热器示意图。
附图标记说明：
1、金属层；2、微流道；3、进液口和出液口；4、硅片A；5、硅片B；6、通槽；7、二氧化硅层；8、切割道。
具体实施方式
本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。
本说明书中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。
现有技术的缺陷：现有微通道散热器无法满足高频***接地要求或者深TSV孔加工难度大、工艺成本高、降低电路密集度、数量有限。
本发明要解决的技术问题：提供一种侧面设有通槽、表面设有金属层的微流道散热器。
基础实施方式：
如图1-10所示，一种微流道散热器，其内设有微流道(2)、分流网络，表面设有进液口和出液口(3)，所述微流道散热器的外表面设有金属层(1)。
上述技术方案中，通过在微流道散热器表面设置金属层(1)，不仅很好地满足高了频率***的接地要求，还避免了在微流道散热器上设置深TSV孔，降低微流道散热器的加工难度、制造成本，保证了电路的集成密度和结构的可靠性。
所述微流道和分流网络可以为任意形状，实际形状应根据散热需求而定。示例性地，所述微流道和分流网络形状可以为：蛇形、螺旋形、工字形、树形、直槽形、折线形等。
优选地，所述微流道散热器的厚度至少为400μm。示例性地，所述微流道散热器的厚度可以为400μm、450μm、500μm、600μm等。
优选地，所述金属层(1)连续分布于所述微流道散热器表面。
优选地，所述金属层(1)材料为Au或者Ni/Au。
所述金属层(1)材料为Au时，金属层(1)为单层结构，即所述金属层(1)为Au层；所述金属层(1)材料为Ni/Au时，金属层(1)为双层结构，下层为Ni层，上层为Au层，Ni层厚度为2～4mm，Au层厚度为0.05～0.3mm。
优选地，所述微流道(2)宽度为10～100μm，深度为150～500μm。示例性地，所述微流道(2)宽度可为10μm、30μm、50μm、80μm、100μm；所述微流道(2)深度可以为150μm、200μm、250μm、350μm、500μm。
更有选地，所述微流道(2)宽度为30μm，深度为250μm。
所述微流道(2)具有高深宽比的散热翅片以及分流网络，能够满足热流密度大于500W/cm2的散热需求。
优选地，所述微流道散热器的上下表面还分别设有种子层，所述种子层的材料为Ti/W/Au。
所述种子层为三层结构，下层为Ti层，厚度为5～10nm，中层为W层，厚度为5～10nm，上层为Au层，厚度为20～30nm。设置种子层，可以提高金属层与硅基片之间的附着力，使金属层更好地附着于微流道散热器表面。
优选地，上述微流道散热器的进液口和出液口(3)为圆形。
本发明还提供了上述的微流道散热器的制作方法：在每个微流道散热器的四周设置通槽(6)，利用激光分片工艺于通槽(6)处切割，分离得单个微通道散热器。
上述技术方案中，所述通槽(6)设于微流道散热器的侧面，每个微流道散热器的四周至少有四个通槽(6)，每个侧面至少一个通槽(6)。通过引入通槽(6)，可以在激光分片切割前保证每个微流道散热器的侧面均被设置上金属层(1)，可使金属层(1)的电镀一步到位。
优选地，所述通槽(6)横截面宽度为40～200μm，所述通槽(6)横截面长度至少为微流道散热器横截面边长的1/2。示例性地，所述通槽(6)的深度可以为40μm、70μm、100μm、150μm、200μm。
更优选地，所述通槽(6)横截面宽度为70～150μm，所述通槽(6)横截面长度为微流道散热器横截面边长的2/3。
通槽(6)的宽度应满足在激光切割过程中不损伤到微流道散热器的金属化侧面，一般通槽(6)的横截面宽度应比切割道宽度大40～200μm，优选地，通槽(6)的横截面宽度比切割道宽度大100μm。
优选地，上述微流道散热器的制作方法，包括如下步骤：
1)取硅片A和硅片B，并于任一硅片表面设置微流道和分流网络；
2)永久键合硅片A和硅片B，得内埋微流道的硅片C；
3)于硅片C上各微流道散热器四周设置通槽；
4)于硅片C上下表面设置种子层；
5)于硅片C表面设置金属层；
6)于硅片C上各微流道散热器下表面设置进液口和出液口；
7)利用激光分片工艺于通槽处切割，即得单个微通道散热器。
步骤1)使用干法刻蚀工艺在硅片表面刻蚀微流道和分流网络；步骤2)还包括使用减薄抛光工艺将硅片C厚度控制在合适范围，硅片C的厚度即是本发明微流道散热器的厚度；步骤3)使用刻蚀工艺在硅片C上各微流道散热器四周刻蚀通槽；步骤4)使用溅射工艺在硅片C上下表面沉积种子层；步骤5)使用电镀工艺在硅片C表面电镀金属层；步骤6)使用刻蚀工艺在硅片C上各微流道散热器下表面刻蚀进液口和出液口。
优选地，步骤2)中永久键合硅片A和硅片C的方法为：分别于硅片A和硅片B的键合面设置一层二氧化硅，并控制二氧化硅层(7)的表面粗糙度在1nm以下，然后利用晶元键合工艺键合硅片A和硅片B。
使用化学机械抛光技术将二氧化硅层(7)的表面粗糙度控制在1nm以下；所述晶圆键合工艺是指二氧化硅熔融键合工艺。
实施例：
如图1-10所示，一种微流道散热器，其厚度为400μm：
内部设有微流道(2)、分流网络，所述微流道、分流网络为蛇形，所述微流道(2)宽度为30μm，深度为250μm；下表面设有进液口和出液口(3)，所述进液口和出液口(3)为圆形；外表面设有金属层(1)，所述金属层(1)连续分布于微流道散热器的六个表面，材质为Au。
制造方法如下：
1)提供两片表面光滑的硅片；
2)如图3所示，在硅片A表面和硅片B的背面分别生长一层SiO2，并使用化学机械抛光技术将其表面粗糙度控制在1nm以下；
3)如图4所示，使用干法刻蚀工艺在硅片A表面刻蚀微流道结构，流道的宽度为30μm，深度为250μm；
4)如图5所示，使用SiO2熔融键合工艺将刻蚀有微流道结构的硅片A和B键合在一起得到内埋微流道的硅片C；
5)如图6所示，将硅片C的厚度进行减薄，减薄后的厚度等于硅片A的厚度，并对上下表面进行抛光；
6)如图7所示，使用干法、湿法相结合的刻蚀工艺在硅片C上各微流道散热器的四周，沿切割道位置刻蚀通槽，通槽宽度比切割道宽度大100μm，长度为微流道散热器边长的2/3；
7)如图8所示，使用溅射工艺在硅片表面溅射种子层，材料为Ti/W/Au，之后进行电镀，电镀材料为Au；
8)如图9所示，使用干法刻蚀工艺在硅片C下表面刻蚀开口微流道。
本发明的微流道散热器，使用过程中将高频功率芯片焊接在微流道散热器的上表面，再将微流道散热器焊接在微波盒体内，使得功放芯片具有连续的微波地。使用乙二醇水溶液作为液冷工质，当芯片热流密度为500W/cm2时，芯片能够在环境温度-10℃～60℃保证工作正常，输出功率保持稳定，普通微流道散热器难以在保证散热效果的同时具有良好的接地特性。
本发明的优点众多。不同的方面、实施例或实施方式可以产生以下优点中的一个或多个优点。本发明的一个优点是：本发明的微流道散热器，通过在微流道散热器表面设置金属层，很好地满足了高频率***的接地要求。本发明的另一个优点是：本发明的微流道散热器，避免了在微流道散热器上设置深TSV孔，降低微流道散热器的加工难度、制造成本，保证了电路的集成密度和结构的可靠性。本发明的又一个优点是：微流道具有高深宽比的散热翅片以及分流网络，能够满足热流密度大于500W/cm2的散热需求。
本发明并不局限于前述的具体实施方式。本发明扩展到任何在本说明书中披露的新特征或任何新的组合，以及披露的任一新的方法或过程的步骤或任何新的组合。

Claims (10)

1.一种微流道散热器，其特征在于，内设有微流道、分流网络，表面设有进液口和出液口，所述微流道散热器的外表面设有金属层。
2.根据权利要求1所述的微流道散热器，其特征在于，所述微流道散热器的厚度至少为400μm。
3.根据权利要求1所述的微流道散热器，其特征在于，所述金属层连续分布于所述微流道散热器表面。
4.根据权利要求1所述的微流道散热器，其特征在于，所述金属层材料为Au或者Ni/Au。
5.根据权利要求1所述的微流道散热器，其特征在于，所述微流道宽度为10～100μm，深度为150～500μm。
6.根据权利要求1所述的微流道散热器，其特征在于，所述微流道散热器的上下表面还分别设有种子层，所述种子层的材料为Ti/W/Au。
7.一种权利要求1～6任一项所述的微流道散热器的制作方法，其特征在于，在每个微流道散热器的四周设置通槽，利用激光分片工艺于通槽处切割，分离得单个微通道散热器。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述通槽横截面宽度为40～200μm，所述通槽横截面长度至少为微流道散热器横截面边长的1/2。
9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)取硅片A和硅片B，并于任一硅片表面设置微流道和分流网络；
2)永久键合硅片A和硅片B，得内埋微流道的硅片C；
3)于硅片C上各微流道散热器四周设置通槽；
4)于硅片C上下表面设置种子层；
5)于硅片C表面设置金属层；
6)于硅片C上各微流道散热器下表面设置进液口和出液口；
7)利用激光分片工艺于通槽处切割，即得单个微通道散热器。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，步骤2)中永久键合硅片A和硅片C的方法为：分别于硅片A和硅片B的键合面设置一层二氧化硅，并控制二氧化硅层的表面粗糙度在1nm以下，然后利用晶元键合工艺键合硅片A和硅片B。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110255490A (zh) * 2019-06-26 2019-09-20 中国电子科技集团公司第三十八研究所 集成微流道散热结构、制备方法及晶圆级封装结构
TWI695467B (zh) * 2019-07-10 2020-06-01 國立交通大學 積體電路散熱結構
CN111584448A (zh) * 2020-05-19 2020-08-25 上海先方半导体有限公司 一种芯片埋入式微流道模组封装结构及制作方法
CN111653491A (zh) * 2019-09-24 2020-09-11 浙江集迈科微电子有限公司 一种针对射频芯片热集中点的三维堆叠散热模组制作方法
CN111916415A (zh) * 2020-06-17 2020-11-10 山东大学 一种基于激光加工的SiC热沉及其制备方法
CN112086415A (zh) * 2020-08-11 2020-12-15 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种新型多尺度热管理结构及微组装方法
CN112203398A (zh) * 2020-09-30 2021-01-08 浙江集迈科微电子有限公司 一种pcb板液冷散热工艺
CN112349660A (zh) * 2020-10-23 2021-02-09 中国电子科技集团公司第二十九研究所 嵌入加热结构的硅基微通道散热器及应用方法与制备方法
CN112768432A (zh) * 2020-12-31 2021-05-07 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种集成大功率射频芯片的微流体转接板及其制备方法
CN113784501A (zh) * 2021-08-17 2021-12-10 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种内嵌微流道的印制电路板集成结构及制作方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4400869A (en) * 1981-02-12 1983-08-30 Becton Dickinson And Company Process for producing high temperature pressure transducers and semiconductors
US6242778B1 (en) * 1998-09-22 2001-06-05 International Business Machines Corporation Cooling method for silicon on insulator devices
JP2003037223A (ja) * 2001-07-26 2003-02-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
CN1988763A (zh) * 2005-12-09 2007-06-27 通用电气公司 制造电子设备冷却***的方法
CN201788963U (zh) * 2010-08-19 2011-04-06 邸弋 铜制水冷散热器
US20170092814A1 (en) * 2013-11-29 2017-03-30 Epistar Corporation Light-emitting device
CN107240578A (zh) * 2017-07-21 2017-10-10 西安电子科技大学 三维集成电路的碳化硅微流道散热结构及其制作方法
CN107591380A (zh) * 2017-08-03 2018-01-16 电子科技大学 一种集成温度传感器的微流道散热器

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4400869A (en) * 1981-02-12 1983-08-30 Becton Dickinson And Company Process for producing high temperature pressure transducers and semiconductors
US6242778B1 (en) * 1998-09-22 2001-06-05 International Business Machines Corporation Cooling method for silicon on insulator devices
JP2003037223A (ja) * 2001-07-26 2003-02-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
CN1988763A (zh) * 2005-12-09 2007-06-27 通用电气公司 制造电子设备冷却***的方法
CN201788963U (zh) * 2010-08-19 2011-04-06 邸弋 铜制水冷散热器
US20170092814A1 (en) * 2013-11-29 2017-03-30 Epistar Corporation Light-emitting device
CN107240578A (zh) * 2017-07-21 2017-10-10 西安电子科技大学 三维集成电路的碳化硅微流道散热结构及其制作方法
CN107591380A (zh) * 2017-08-03 2018-01-16 电子科技大学 一种集成温度传感器的微流道散热器

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110255490A (zh) * 2019-06-26 2019-09-20 中国电子科技集团公司第三十八研究所 集成微流道散热结构、制备方法及晶圆级封装结构
TWI695467B (zh) * 2019-07-10 2020-06-01 國立交通大學 積體電路散熱結構
US11094609B2 (en) 2019-07-10 2021-08-17 National Chiao Tung University Thermal dissipation structure for integrated circuits comprising thermal dissipation trench
CN111653491A (zh) * 2019-09-24 2020-09-11 浙江集迈科微电子有限公司 一种针对射频芯片热集中点的三维堆叠散热模组制作方法
CN111653491B (zh) * 2019-09-24 2021-12-17 浙江集迈科微电子有限公司 一种针对射频芯片热集中点的三维堆叠散热模组制作方法
CN111584448A (zh) * 2020-05-19 2020-08-25 上海先方半导体有限公司 一种芯片埋入式微流道模组封装结构及制作方法
CN111916415A (zh) * 2020-06-17 2020-11-10 山东大学 一种基于激光加工的SiC热沉及其制备方法
CN112086415A (zh) * 2020-08-11 2020-12-15 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种新型多尺度热管理结构及微组装方法
CN112086415B (zh) * 2020-08-11 2022-08-02 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种新型多尺度热管理结构及微组装方法
CN112203398B (zh) * 2020-09-30 2022-04-12 浙江集迈科微电子有限公司 一种pcb板液冷散热工艺
CN112203398A (zh) * 2020-09-30 2021-01-08 浙江集迈科微电子有限公司 一种pcb板液冷散热工艺
CN112349660A (zh) * 2020-10-23 2021-02-09 中国电子科技集团公司第二十九研究所 嵌入加热结构的硅基微通道散热器及应用方法与制备方法
CN112768432A (zh) * 2020-12-31 2021-05-07 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种集成大功率射频芯片的微流体转接板及其制备方法
CN112768432B (zh) * 2020-12-31 2022-04-01 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种集成大功率射频芯片的微流体转接板及其制备方法
CN113784501A (zh) * 2021-08-17 2021-12-10 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种内嵌微流道的印制电路板集成结构及制作方法
CN113784501B (zh) * 2021-08-17 2022-12-13 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种内嵌微流道的印制电路板集成结构及制作方法

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