CN112174196B - 一种TiN/C包覆钛酸锂氚增殖剂及其制备方法与制备装置*** - Google Patents

一种TiN/C包覆钛酸锂氚增殖剂及其制备方法与制备装置*** Download PDF

Info

Publication number
CN112174196B
CN112174196B CN202011045490.9A CN202011045490A CN112174196B CN 112174196 B CN112174196 B CN 112174196B CN 202011045490 A CN202011045490 A CN 202011045490A CN 112174196 B CN112174196 B CN 112174196B
Authority
CN
China
Prior art keywords
tio
gas
coated
source gas
particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011045490.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112174196A (zh
Inventor
朱庆山
向茂乔
郑婕
岳芬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhongke Nanjing Green Manufacturing Industry Innovation Research Institute
Institute of Process Engineering of CAS
Original Assignee
Zhongke Nanjing Green Manufacturing Industry Innovation Research Institute
Institute of Process Engineering of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhongke Nanjing Green Manufacturing Industry Innovation Research Institute, Institute of Process Engineering of CAS filed Critical Zhongke Nanjing Green Manufacturing Industry Innovation Research Institute
Priority to CN202011045490.9A priority Critical patent/CN112174196B/zh
Publication of CN112174196A publication Critical patent/CN112174196A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112174196B publication Critical patent/CN112174196B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G23/00—Compounds of titanium
    • C01G23/003—Titanates
    • C01G23/005—Alkali titanates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/076—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with titanium or zirconium or hafnium
    • C01B21/0763—Preparation from titanium, zirconium or hafnium halides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/05—Preparation or purification of carbon not covered by groups C01B32/15, C01B32/20, C01B32/25, C01B32/30
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21B—FUSION REACTORS
    • G21B1/00—Thermonuclear fusion reactors
    • G21B1/11—Details
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
    • Y02E30/10—Nuclear fusion reactors

Abstract

本发明提供一种TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂及其制备方法与制备装置***，所述制备方法包括以下步骤：(1)使Li2TiO3颗粒在保护气氛中处于流化状态；(2)在步骤(1)持续进行的基础上，混合Li2TiO3颗粒与碳源气体，得到C包覆Li2TiO3颗粒；(3)在步骤(1)持续进行的基础上，混合步骤(2)所得C包覆Li2TiO3颗粒、钛源气体与氮源气体；(4)气固分离后得到TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂。所述装置***包括料仓、流化床包覆装置、钛源气化装置、产品收集装置与尾气处理装置。本发明克服了Li2TiO3对包层材料的腐蚀，同时提升了锂基陶瓷氚增殖剂在He‑H2/H2O环境中的稳定性。

Description

一种TiN/C包覆钛酸锂氚增殖剂及其制备方法与制备装置 ***
技术领域
本发明属于核聚变技术领域，涉及核壳结构先进锂基陶瓷氚增殖剂的制备方法，尤其涉及一种TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂及其制备方法与制备装置***。
背景技术
在核聚变领域，Li2TiO3微球作为固态氚增殖包层的候选材料之一，具有Li密度高、氚释放性能好、抗压强度大、防潮性好等优异性能。然而随着研究的逐渐深入，人们发现在实际服役过程中，Li2TiO3微球会腐蚀包层材料，形成易碎的氧化物腐蚀层，从而恶化了包层材料的力学性能。尤其是在He-H2清扫气氛中，这种腐蚀现象更加明显，对核反应堆的长期稳定运行造成较大安全隐患。
腐蚀现象的发生主要是由于Li2TiO3微球中的Li、O元素与钢基包层材料中的Fe、Cr、Ni等元素具有较大的亲和力，在500-900℃的服役环境中生成易碎、多孔的氧化物腐蚀层，同时由于钢基包层材料的元素向接触界面扩散导致基体内部成分偏析，从而进一步恶化了钢基体力学性能。
此外，钢基包层材料中的Fe元素也会通过扩散进入Li2TiO3晶格和晶界，降低了晶粒生长活化能，在长时间的服役环境中，晶粒会异常长大，导致微球的抗压强度下降，进而存在球床坍塌的安全隐患。
为解决这一问题，日本***设计出具有Er2O3涂层的RAFM钢(FusionEng.Des.87(2012)1777–1787)，通过设计Er2O3涂层，在微球与钢基体创造了一个障碍层，阻碍了Li2TiO3与钢基体之间的元素扩散与反应，从而提升包层的安全性。但是随着服役时间增加，由于氧化物和RAFM钢基体之间存在较大的热应力，导致涂层容易脱落。
CN106630985A公开了一种氚增殖用纳米结构正硅酸锂陶瓷小球及其制备方法，首先采用溶剂热法制备出粒径均一的前驱体粉体，然后通过湿法成型获得微观结构均匀的锂陶瓷小球素坯，最后通过两步烧结方式获得纳米结构正硅酸锂陶瓷小球。所述发明制备的正硅酸锂陶瓷纯度高、球形度好，晶粒尺寸达到纳米量级、孔隙小且分布均匀，可有望同时改善氚增殖陶瓷的抗辐照性能、力学性能及释氚性能。然而所述正硅酸锂陶瓷小球在使用过程中与包层材料直接接触，影响氚增殖剂的稳定性。
CN108911735A公开了一种高球形度氚增殖剂纳米结构钛酸锂陶瓷小球及其制备方法，所述制备方法采用高分子分散剂、去离子水组成的预混液与前驱体粉体配制成流动性较好的浆料，所得浆料进一步通过湿法成型和高温烧结获得具有较高球形度的纳米结构钛酸锂陶瓷小球，不仅有利于氚增殖球床的填充及剩余锂的回收，而且能够增加小球堆积密度，获得高锂密度的氚增殖剂，且可进一步减小氚增殖剂的热应力和辐照破裂情况，提高氚增殖剂的使用寿命。然而所述发明同样存在钛酸锂陶瓷小球在使用过程中与包层材料直接接触的问题，容易造成包层材料腐蚀的现象。
CN108550404A公开了一种流态氚增殖陶瓷复合材料，所述流态氚增殖陶瓷复合材料由液固两相混合而成，既可消除现有的液态金属或熔盐氚增殖剂的磁流体动力学阻力效应和对包层结构材料的腐蚀作用，又可消除氚释出效率低、传热性低、易碎以及锂挥发造成载气通路堵塞等问题。然而所述发明成本较高，较难实现规模化批量生产，也无法从根本上避免氚增殖剂与包层材料之间的元素扩散，长期使用依旧存在包层材料腐蚀的问题。
由此可见，如何进一步设计和优化氚增殖剂与包层材料之间的障碍层，阻碍氚增殖剂与包层材料的直接接触，成为目前核聚变反应堆中氚增殖包层模块亟需解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂及其制备方法与制备装置***，所述制备方法克服了Li2TiO3对包层材料的腐蚀，同时提升了锂基陶瓷氚增殖剂在He-H2/H2O环境中的稳定性。
为达到此发明目的，本发明采用以下技术方案：
第一方面，本发明提供了一种TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
(1)使Li2TiO3颗粒在保护气氛中处于流化状态；
(2)在步骤(1)持续进行的基础上，混合Li2TiO3颗粒与碳源气体，得到C包覆Li2TiO3颗粒；
(3)在步骤(1)持续进行的基础上，混合步骤(2)所得C包覆Li2TiO3颗粒、钛源气体与氮源气体；
(4)气固分离后得到TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂。
本发明中，步骤(1)所述流化状态不仅使得Li2TiO3颗粒在反应空间中分布均匀，而且清除了反应空间中的空气，防止空气中的氧气与后续进入的碳源气体发生反应；步骤(2)所述Li2TiO3颗粒在流化状态中捕捉所述碳源气体分解反应释放出的碳原子，从而在Li2TiO3颗粒表面形成均匀的碳膜；步骤(3)所述C包覆Li2TiO3颗粒在流化状态中再沉积一层TiN薄膜，进而获得TiN/C包覆Li2TiO3的复合核壳结构先进氚增殖剂。
优选地，步骤(1)所述Li2TiO3颗粒的形状为球形或类球形。
优选地，所述Li2TiO3颗粒的等效直径为0.1-1.2mm，例如可以是0.1mm、0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm、1.0mm、1.1mm或1.2mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明中，当所述Li2TiO3颗粒的形状为球形时，所述等效直径为Li2TiO3颗粒的实际粒径；当所述Li2TiO3颗粒的形状为类球形时，所述等效直径为Li2TiO3颗粒的平均粒径。
优选地，步骤(1)所述保护气氛中的气体包括氩气、氦气或氖气中的任意一种或至少两种的组合，典型但非限制性的组合包括氩气与氦气的组合，氦气与氖气的组合，氩气与氖气的组合，或氩气、氦气与氖气的组合。
本发明中，所述保护气氛既可使得所述Li2TiO3颗粒保持流化状态，又可隔绝环境中的氧气，便于后续TiN/C膜层的顺利包覆。
优选地，步骤(2)所述混合的方式为将所述碳源气体通入所述Li2TiO3颗粒所处的保护气氛中。
优选地，步骤(2)所述混合的温度为500-900℃，例如可以是500℃、550℃、600℃、650℃、700℃、750℃、800℃、850℃或900℃，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(2)所述混合的时间≥1min，例如可以是1min、5min、10min、15min、20min、25min、30min、35min、40min、45min、50min、55min或60min，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(2)所述碳源气体包括甲烷、乙烷、乙烯、乙炔或丙烯中的任意一种或至少两种的组合，典型但非限制性的组合包括甲烷与乙烷的组合，乙烷与乙烯的组合，乙烯与乙炔的组合，乙炔与丙烯的组合，甲烷、乙烷与乙烯的组合，乙烷、乙烯与乙炔的组合，或乙烯、乙炔与丙烯的组合。
优选地，步骤(2)所述碳源气体的通入气速为50-200mL/min，例如可以是50mL/min、60mL/min、70mL/min、80mL/min、90mL/min、100mL/min、110mL/min、120mL/min、130mL/min、140mL/min、150mL/min、160mL/min、170mL/min、180mL/min、190mL/min或200mL/min，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(3)所述混合的方式为将所述钛源气体与氮源气体分别独立地通入所述C包覆Li2TiO3颗粒所处的保护气氛中。
本发明中，所述钛源气体与氮源气体分别独立地同时从不同进口通入所述C包覆Li2TiO3颗粒所处的保护气氛中，以便于C包覆Li2TiO3颗粒的表面形成TiN膜层。
优选地，步骤(3)所述混合的温度为500-900℃，例如可以是500℃、550℃、600℃、650℃、700℃、750℃、800℃、850℃或900℃，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(3)所述混合的时间≥1min，例如可以是1min、5min、10min、15min、20min、25min、30min、35min、40min、45min、50min、55min或60min，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(3)所述钛源气体为钛盐经高温气化后形成的气体。
优选地，所述钛盐为二氯化钛。
优选地，所述高温气化的载气为步骤(1)所述保护气氛中的气体。
优选地，所述高温气化的温度为400-800℃，例如可以是400℃、450℃、500℃、550℃、600℃、650℃、700℃、750℃或800℃，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(3)所述氮源气体为氮气。
优选地，步骤(3)所述钛源气体的通入气速为50-200mL/min，例如可以是50mL/min、60mL/min、70mL/min、80mL/min、90mL/min、100mL/min、110mL/min、120mL/min、130mL/min、140mL/min、150mL/min、160mL/min、170mL/min、180mL/min、190mL/min或200mL/min，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(3)所述氮源气体的通入气速为50-200mL/min，例如可以是50mL/min、60mL/min、70mL/min、80mL/min、90mL/min、100mL/min、110mL/min、120mL/min、130mL/min、140mL/min、150mL/min、160mL/min、170mL/min、180mL/min、190mL/min或200mL/min，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(4)所述气固分离的方法包括重力沉降、离心沉降或过滤中的任意一种或至少两种的组合，典型但非限制性的组合包括重力沉降与离心沉降的组合，离心沉降与过滤的组合，重力沉降与过滤的组合，或重力沉降、离心沉降与过滤的组合。
作为本发明优选的技术方案，所述制备方法包括以下步骤：
(1)使等效直径为0.1-1.2mm的球形或类球形Li2TiO3颗粒在保护气氛中处于流化状态；所述保护气氛中的气体包括氩气、氦气或氖气中的任意一种或至少两种的组合；
(2)在步骤(1)持续进行的基础上，将碳源气体通入Li2TiO3颗粒所处的保护气氛中，得到C包覆Li2TiO3颗粒；混合的温度为500-900℃，混合的时间≥1min；所述碳源气体包括甲烷、乙烷、乙烯、乙炔或丙烯中的任意一种或至少两种的组合；所述碳源气体的通入气速为50-200mL/min；
(3)在步骤(1)持续进行的基础上，将钛源气体与氮源气体分别独立地通入所述C包覆Li2TiO3颗粒所处的保护气氛中，混合的温度为500-900℃，混合的时间≥1min；所述钛源气体为二氯化钛经400-800℃的高温气化后形成的气体，气速为50-200mL/min；所述氮源气体为氮气，气速为50-200mL/min；
(4)重力沉降、离心沉降或过滤后得到TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂。
第二方面，本发明提供了一种如第一方面所述制备方法制备得到的TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂，所述TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂是外层为TiN，中间层为C，内部为Li2TiO3的微球。
本发明中，所述TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂摒弃了传统在包层材料上沉积氧化物涂层来创造阻碍层的思路，通过在Li2TiO3表面构建耐腐蚀且稳定性好的TiN与C外壳，使氚增殖剂与包层材料间形成惰性防护层以达到防腐的目的，同时疏水的TiN与C膜隔绝了氚增殖剂与清扫气体中H2/H2O的直接接触，达到了提升氚增殖剂稳定性的目的，从而解决了包层涂层脱落和氚增殖剂破碎的关键问题，最终获得了一种先进的锂基陶瓷氚增殖剂。
第三方面，本发明提供了一种用于制备TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂的装置***，所述装置***包括料仓、流化床包覆装置、钛源气化装置、产品收集装置与尾气处理装置；
所述料仓用于为所述流化床包覆装置提供Li2TiO3颗粒；
所述流化床包覆装置先用于在保护气氛中混合Li2TiO3颗粒与碳源气体，反应后得到C包覆Li2TiO3颗粒，再用于在保护气氛中混合C包覆Li2TiO3颗粒、钛源气体与氮源气体，反应后得到TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂；
所述钛源气化装置用于为所述流化床包覆装置提供钛源气体；
所述产品收集装置用于收集所述流化床包覆装置中产生的TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂；
所述尾气处理装置用于去除所述流化床包覆装置中产生的尾气。
相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：
(1)本发明中惰性TiN/C膜阻碍了Li2TiO3氚增殖剂与包层材料的直接接触，从根本上避免了Li、O、Fe、Cr元素之间的扩散与反应，显著提升了包层材料的安全性；
(2)本发明中惰性TiN/C膜阻碍了Li2TiO3氚增殖剂与清扫气体中H2/H2O的直接接触，显著提升了增殖剂在包层中的稳定性；
(3)本发明制备TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂的方法简单，包覆层均匀，厚度可控，成本低，易于规模化批量生产。
附图说明
图1是本发明提供的用于制备TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂的装置***；
图2是实施例1提供的制备方法所得TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂的EDS图；
图3是实施例1提供的制备方法所得TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂的SEM图。
其中：1-料仓；2-流化床包覆装置；3-钛源气化装置；4-产品收集装置；5-尾气处理装置。
具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
本发明提供一种如图1所示的用于制备TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂的装置***，所述装置***包括料仓1、流化床包覆装置2、钛源气化装置3、产品收集装置4与尾气处理装置5。
本发明中，所述料仓1用于为所述流化床包覆装置2提供Li2TiO3颗粒；所述流化床包覆装置2先用于在保护气氛中混合Li2TiO3颗粒与碳源气体，反应后得到C包覆Li2TiO3颗粒，再用于在保护气氛中混合C包覆Li2TiO3颗粒、钛源气体与氮源气体，反应后得到TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂，具体的，所述流化床包覆装置2为流化床；所述钛源气化装置3用于为所述流化床包覆装置2提供钛源气体，具体的，所述钛源气化装置3为锥形流化床；所述产品收集装置4用于收集所述流化床包覆装置2中产生的TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂，具体的，所述产品收集装置4为储罐；所述尾气处理装置5用于处理所述流化床包覆装置2中产生的尾气，具体的，所述尾气处理装置5为常规补偿点燃装置。
实施例1
本实施例提供一种TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂的制备方法，所述制备方法在本发明提供的如图1所示的装置***中进行，所述制备方法包括以下步骤：
(1)使粒径为0.6mm的球形Li2TiO3颗粒在保护气氛氩气中处于流化状态；
(2)在步骤(1)持续进行的基础上，将碳源气体甲烷通入Li2TiO3颗粒所处的保护气氛中，得到C包覆Li2TiO3颗粒；混合的温度为800℃，混合的时间为30min；所述碳源气体的通入气速为125mL/min；
(3)在步骤(1)持续进行的基础上，将钛源气体与氮源气体分别独立地通入所述C包覆Li2TiO3颗粒所处的保护气氛中，混合的温度为700℃，混合的时间为30min；所述钛源气体为二氯化钛经600℃的高温气化后形成的气体，载气为氩气，气速为125mL/min；所述氮源气体为氮气，气速为125mL/min；
(4)重力沉降后得到TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂。
图2为本实施例提供的制备方法所得TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂的EDS图，其中TiN含量达到12.3at.％，C含量达到12at.％。
图3为本实施例提供的制备方法所得TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂的SEM图，由图3可见微球的晶粒表面均匀包覆了一层纳米TiN/C膜。
实施例2
本实施例提供一种TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂的制备方法，所述制备方法在本发明提供的如图1所示的装置***中进行，所述制备方法包括以下步骤：
(1)使平均粒径为0.9mm的类球形Li2TiO3颗粒在保护气氛氦气中处于流化状态；
(2)在步骤(1)持续进行的基础上，将碳源气体乙烷通入Li2TiO3颗粒所处的保护气氛中，得到C包覆Li2TiO3颗粒；混合的温度为700℃，混合的时间为45min；所述碳源气体的通入气速为160mL/min；
(3)在步骤(1)持续进行的基础上，将钛源气体与氮源气体分别独立地通入所述C包覆Li2TiO3颗粒所处的保护气氛中，混合的温度为800℃，混合的时间为45min；所述钛源气体为二氯化钛经700℃的高温气化后形成的气体，载气为氦气，气速为160mL/min；所述氮源气体为氮气，气速为160mL/min；
(4)离心沉降后得到TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂。
本实施例所得TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂的元素构成及微观形貌与实施例1相似，故在此不做赘述。
实施例3
本实施例提供一种TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂的制备方法，所述制备方法在本发明提供的如图1所示的装置***中进行，所述制备方法包括以下步骤：
(1)使粒径为0.3mm的球形Li2TiO3颗粒在保护气氛氖气中处于流化状态；
(2)在步骤(1)持续进行的基础上，将碳源气体乙烯通入Li2TiO3颗粒所处的保护气氛中，得到C包覆Li2TiO3颗粒；混合的温度为600℃，混合的时间为15min；所述碳源气体的通入气速为85mL/min；
(3)在步骤(1)持续进行的基础上，将钛源气体与氮源气体分别独立地通入所述C包覆Li2TiO3颗粒所处的保护气氛中，混合的温度为600℃，混合的时间为15min；所述钛源气体为二氯化钛经500℃的高温气化后形成的气体，载气为氖气，气速为85mL/min；所述氮源气体为氮气，气速为85mL/min；
(4)过滤后得到TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂。
本实施例所得TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂的元素构成及微观形貌与实施例1相似，故在此不做赘述。
实施例4
本实施例提供一种TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂的制备方法，所述制备方法在本发明提供的如图1所示的装置***中进行，所述制备方法包括以下步骤：
(1)使平均粒径为1.2mm的类球形Li2TiO3颗粒在保护气氛氩气中处于流化状态；
(2)在步骤(1)持续进行的基础上，将碳源气体丙烯通入Li2TiO3颗粒所处的保护气氛中，得到C包覆Li2TiO3颗粒；混合的温度为900℃，混合的时间为1min；所述碳源气体的通入气速为200mL/min；
(3)在步骤(1)持续进行的基础上，将钛源气体与氮源气体分别独立地通入所述C包覆Li2TiO3颗粒所处的保护气氛中，混合的温度为900℃，混合的时间为1min；所述钛源气体为二氯化钛经800℃的高温气化后形成的气体，载气为氩气，气速为200mL/min；所述氮源气体为氮气，气速为200mL/min；
(4)重力沉降后得到TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂。
本实施例所得TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂的元素构成及微观形貌与实施例1相似，故在此不做赘述。
实施例5
本实施例提供一种TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂的制备方法，所述制备方法在本发明提供的如图1所示的装置***中进行，所述制备方法包括以下步骤：
(1)使粒径为0.1mm的球形Li2TiO3颗粒在保护气氛氦气中处于流化状态；
(2)在步骤(1)持续进行的基础上，将碳源气体乙炔通入Li2TiO3颗粒所处的保护气氛中，得到C包覆Li2TiO3颗粒；混合的温度为500℃，混合的时间为60min；所述碳源气体的通入气速为50mL/min；
(3)在步骤(1)持续进行的基础上，将钛源气体与氮源气体分别独立地通入所述C包覆Li2TiO3颗粒所处的保护气氛中，混合的温度为500℃，混合的时间为60min；所述钛源气体为二氯化钛经400℃的高温气化后形成的气体，载气为氦气，气速为50mL/min；所述氮源气体为氮气，气速为50mL/min；
(4)离心沉降后得到TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂。
本实施例所得TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂的元素构成及微观形貌与实施例1相似，故在此不做赘述。
对比例1
本对比例提供一种Li2TiO3氚增殖剂的处理方法，所述处理方法在本发明提供的如图1所示的装置***中进行，所述处理方法包括以下步骤：
(1)使粒径为0.6mm的球形Li2TiO3颗粒在保护气氛氩气中处于流化状态；
(2)在步骤(1)持续进行的基础上，将钛源气体与氮源气体分别独立地通入所述Li2TiO3颗粒所处的保护气氛中；混合的温度为700℃，混合的时间为30min；所述钛源气体为二氯化钛经600℃的高温气化后形成的气体，载气为氩气，气速为125mL/min；所述氮源气体为氮气，气速为125mL/min；
(3)重力沉降后得到处理后Li2TiO3氚增殖剂。
本对比例所得处理后Li2TiO3氚增殖剂并未包覆上TiN膜层，由此可见本发明提供的TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂需在包覆C层的基础上再包覆TiN层，无无法转换C层与TiN层的包覆次序。
对比例2
本对比例提供一种Li2TiO3氚增殖剂的处理方法，所述处理方法在本发明提供的如图1所示的装置***中进行，所述处理方法包括以下步骤：
(1)使粒径为0.6mm的球形Li2TiO3颗粒在保护气氛氩气中处于流化状态；
(2)在步骤(1)持续进行的基础上，将氮气通入Li2TiO3颗粒所处的保护气氛中，混合的温度为700℃，混合的时间为30min；所述氮气的通入气速为125mL/min；
(3)重力沉降后得到Li2TiO3氚增殖剂。
将实施例1与对比例2所得Li2TiO3氚增殖剂分别装在低活化钢的容器中，在氩气气氛下升温至650℃，并保温10天，然后分析测试低活化钢的表面，结果发现，装有实施例1所得Li2TiO3氚增殖剂的低活化钢未见明显腐蚀，但是装有对比例1所得Li2TiO3氚增殖剂的低活化钢发现明显腐蚀现象，表明Li2TiO3氚增殖剂在包覆TiN/C层后显著抑制了低活化钢的腐蚀。
由此可见，本发明中惰性TiN/C膜阻碍了Li2TiO3氚增殖剂与包层材料的直接接触，从根本上避免了Li、O、Fe、Cr元素之间的扩散与反应，显著提升了包层材料的安全性；本发明中惰性TiN/C膜阻碍了Li2TiO3氚增殖剂与清扫气体中H2/H2O的直接接触，显著提升了增殖剂在包层中的稳定性；本发明制备TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂的方法简单，包覆层均匀，厚度可控，成本低，易于规模化批量生产。
申请人声明，以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，所属技术领域的技术人员应该明了，任何属于本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (14)

1.一种TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
(1)使等效直径为0.1-1.2mm的Li2TiO3颗粒在保护气氛中处于流化状态；
(2)在步骤(1)持续进行的基础上，将碳源气体以50-200mL/min的气速通入Li2TiO3颗粒所处的保护气氛中进行混合，且混合的温度为500-900℃，得到C包覆Li2TiO3颗粒；
(3)在步骤(1)持续进行的基础上，将钛源气体与氮源气体分别独立地以50-200mL/min的气速通入所述C包覆Li2TiO3颗粒所处的保护气氛中进行混合，且混合的温度为500-900℃；
(4)气固分离后得到TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述Li2TiO3颗粒的形状为球形或类球形。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述保护气氛中的气体包括氩气、氦气或氖气中的任意一种或至少两种的组合。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述混合的时间≥1min。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述碳源气体包括甲烷、乙烷、乙烯、乙炔或丙烯中的任意一种或至少两种的组合。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述混合的时间≥1min。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述钛源气体为钛盐经高温气化后形成的气体。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述钛盐为二氯化钛。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述高温气化的载气为步骤(1)所述保护气氛中的气体。
10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述高温气化的温度为400-800℃。
11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述氮源气体为氮气。
12.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述气固分离的方法包括重力沉降、离心沉降或过滤中的任意一种或至少两种的组合。
13.根据权利要求1-12任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
(1)使等效直径为0.1-1.2mm的球形或类球形Li2TiO3颗粒在保护气氛中处于流化状态；所述保护气氛中的气体包括氩气、氦气或氖气中的任意一种或至少两种的组合；
(2)在步骤(1)持续进行的基础上，将碳源气体通入Li2TiO3颗粒所处的保护气氛中，得到C包覆Li2TiO3颗粒；混合的温度为500-900℃，混合的时间≥1min；所述碳源气体包括甲烷、乙烷、乙烯、乙炔或丙烯中的任意一种或至少两种的组合；所述碳源气体的通入气速为50-200mL/min；
(3)在步骤(1)持续进行的基础上，将钛源气体与氮源气体分别独立地通入所述C包覆Li2TiO3颗粒所处的保护气氛中，混合的温度为500-900℃，混合的时间≥1min；所述钛源气体为二氯化钛经400-800℃的高温气化后形成的气体，气速为50-200mL/min；所述氮源气体为氮气，气速为50-200mL/min；
(4)重力沉降、离心沉降或过滤后得到TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂。
14.一种如权利要求1-13任一项所述制备方法制备得到的TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂，其特征在于，所述TiN/C包覆Li2TiO3氚增殖剂是外层为TiN，中间层为C，内部为Li2TiO3的微球。
CN202011045490.9A 2020-09-28 2020-09-28 一种TiN/C包覆钛酸锂氚增殖剂及其制备方法与制备装置*** Active CN112174196B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011045490.9A CN112174196B (zh) 2020-09-28 2020-09-28 一种TiN/C包覆钛酸锂氚增殖剂及其制备方法与制备装置***

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011045490.9A CN112174196B (zh) 2020-09-28 2020-09-28 一种TiN/C包覆钛酸锂氚增殖剂及其制备方法与制备装置***

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112174196A CN112174196A (zh) 2021-01-05
CN112174196B true CN112174196B (zh) 2023-06-23

Family

ID=73945651

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011045490.9A Active CN112174196B (zh) 2020-09-28 2020-09-28 一种TiN/C包覆钛酸锂氚增殖剂及其制备方法与制备装置***

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112174196B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115305442B (zh) * 2022-08-26 2023-09-19 核工业西南物理研究院 一种表面改性型氚增殖剂及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11228130A (ja) * 1998-02-04 1999-08-24 Nuclear Fuel Ind Ltd リチウムセラミックス粒及びその製造方法
EP1138650A1 (en) * 2000-03-31 2001-10-04 Ngk Insulators, Ltd. Method of manufacturing lithium titanate pebbles
CN105449187A (zh) * 2015-12-20 2016-03-30 华南理工大学 一种高性能共掺杂钛酸锂电极材料的制备方法
CN106252623A (zh) * 2016-08-26 2016-12-21 深圳博磊达新能源科技有限公司 一种碳氮掺杂钛酸锂电极材料、制备方法及应用
CN108807884A (zh) * 2018-05-31 2018-11-13 中国科学院过程工程研究所 一种锂离子电池负极材料碳包覆改性的***及方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11228130A (ja) * 1998-02-04 1999-08-24 Nuclear Fuel Ind Ltd リチウムセラミックス粒及びその製造方法
EP1138650A1 (en) * 2000-03-31 2001-10-04 Ngk Insulators, Ltd. Method of manufacturing lithium titanate pebbles
CN105449187A (zh) * 2015-12-20 2016-03-30 华南理工大学 一种高性能共掺杂钛酸锂电极材料的制备方法
CN106252623A (zh) * 2016-08-26 2016-12-21 深圳博磊达新能源科技有限公司 一种碳氮掺杂钛酸锂电极材料、制备方法及应用
CN108807884A (zh) * 2018-05-31 2018-11-13 中国科学院过程工程研究所 一种锂离子电池负极材料碳包覆改性的***及方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
氚增殖包层结构材料阻氚涂层技术研究现状;赵崴巍等;《中国核科学技术进展报告（第二卷）》;20111031;第2卷;217-228 *
雷永泉 等."16.1.3 氚增殖材料简介".《新能源材料》.2000,(第1版),415-416. *

Also Published As

Publication number Publication date
CN112174196A (zh) 2021-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4917857A (en) Process for producing metallic or ceramic hollow-sphere bodies
CN108335760B (zh) 一种高铀装载量弥散燃料芯块的制备方法
US3264073A (en) Novel metal microspheres and their manufacture
CN101771146B (zh) 锂离子电池负极材料及其制备方法
CN111403712A (zh) 锂硫电池正极材料、其制备方法及锂硫电池
CN110117732B (zh) 一种在空心微珠表面包覆MgO保护层的方法
CN109848427A (zh) 一种提高钯包覆锆基吸氢材料抗毒化循环稳定性的方法
CN111724919B (zh) 一种含可燃毒物包覆层的包覆燃料颗粒、芯块、燃料元件及其制备方法
CN112174196B (zh) 一种TiN/C包覆钛酸锂氚增殖剂及其制备方法与制备装置***
CN104091920A (zh) 一种碳包覆纳米级锂铝合金负极材料及其制备方法
CN110690397A (zh) 一种熔融盐复合电解质隔膜、制备方法及应用
CN111013579A (zh) 负载钯单原子或钯纳米颗粒的限域碳材料及其制备方法
CN113526983A (zh) 一种核反应堆用石墨材料的复合高温抗氧化涂层及其制备方法
CN112185592B (zh) 一种C/TiN包覆正硅酸锂氚增殖剂及其制备方法与制备装置***
CN112174195A (zh) 一种碳包覆钛酸锂氚增殖剂及其制备方法与制备装置***
CN108039467B (zh) 海绵状硅粉及其制备方法及应用其的锂离子电池
CN112174155A (zh) 一种碳包覆正硅酸锂氚增殖剂及其制备方法与制备装置***
CN110976899A (zh) 一种碳基负载型金属亚纳米颗粒的原位锚定共还原制备方法
CN111484017A (zh) 一种基于二氧化硅微球@C制备SiC纳米颗粒的方法
CN112185591B (zh) 一种氮化钛包覆正硅酸锂氚增殖剂及其制备方法与制备装置***
CN112174156B (zh) 一种TiN/C包覆正硅酸锂氚增殖剂及其制备方法与制备装置***
CN107887582B (zh) 一种硅/碳粉末复合材料及其制备方法以及电池负极材料
KR101195448B1 (ko) 사용후 핵연료를 이용한 판상 다공성 소결체의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 판상 다공성 소결체
CN108448077B (zh) 一种以油页岩废渣为原料制备Si/C复合材料的方法
CN114180560A (zh) 一种熔盐体系中煤基石墨烯的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: Floor 1-2, building 5, artificial intelligence Industrial Park, 266 Chuangyan Road, Qilin science and Technology Innovation Park, Nanjing, Jiangsu Province

Applicant after: Zhongke Nanjing Green Manufacturing Industry Innovation Research Institute

Applicant after: Institute of Process Engineering, Chinese Academy of Sciences

Address before: Floor 1-2, building 5, artificial intelligence Industrial Park, 266 Chuangyan Road, Qilin science and Technology Innovation Park, Nanjing, Jiangsu Province

Applicant before: Nanjing Green Manufacturing Industry Innovation Research Institute Institute of process engineering Chinese Academy of Sciences

Applicant before: Institute of Process Engineering, Chinese Academy of Sciences

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant