CN112117299A - 显示装置 - Google Patents

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CN112117299A
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宣锺白
李宰学
申俊澈
崔智银
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Abstract

本发明公开一种显示装置，包括：基板，包括开口；多个显示要素，布置在围绕开口的显示区域，分别包括像素电极、对向电极以及像素电极和对向电极之间的中间层；以及金属层叠结构，位于开口和显示区域之间，配备有多个子金属层，其中，金属层叠结构包括：第一子金属层，包括第一孔；以及第二子金属层，位于第一子金属层的下方，包括与第一孔重叠并且直径大于第一孔的直径的第二孔。

Description

显示装置
技术领域
本发明的实施例涉及显示装置。
背景技术
近来，显示装置的用途正在变得多样。并且，趋势是显示装置的厚度变薄，重量变轻，从而使用范围逐渐变广。
随着扩大显示装置中显示区域占据的面积，正在增加嫁接或者关联到显示装置的多种功能。作为用于扩大面积并增加多种功能的方案，正在研究可以在显示区域布置多种构成要素的显示装置。
发明内容
对于具有开口的显示装置而言，水分等异物可能从开口的侧面渗透，在此情形下，可能损伤围绕开口的显示要素。本发明用于解决包括如上所述的问题的各种问题，提供一种可以防止湿气通过开口渗透的结构的显示面板以及配备该显示面板的显示装置。然而，这些课题仅为示例性的，本发明的范围并不限于此。
根据本发明的一侧面，公开一种显示装置，包括：基板，包括开口；多个显示要素，布置在围绕所述开口的显示区域，各个包括像素电极、对向电极以及所述像素电极和所述对向电极之间的中间层；以及金属层叠结构，位于所述开口和所述显示区域之间，配备有多个子金属层，其中，所述金属层叠结构包括：第一子金属层，包括第一孔；以及第二子金属层，位于所述第一子金属层的下方，包括与所述第一孔重叠且直径大于所述第一孔的直径的第二孔。
定义所述第一孔的所述第一子金属层的边缘相比定义所述第二孔的所述第二子金属层的边缘向所述第一孔的中心更加突出而形成尖端部，包括于所述中间层的至少一个有机物层可以通过所述尖端部而被分离。
还包括无机绝缘层，布置在所述金属层叠结构的下方，其中，通过所述尖端部而被断开的所述至少一个有机物层的一部分可以位于所述无机绝缘层上。
所述对向电极可以通过所述尖端部而被分离。
所述至少一个有机物层可以包括选自空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层中的一个以上。
所述第一子金属层和所述第二子金属层可以包括彼此不同的金属。
还可以包括有机绝缘层，位于所述第一子金属层上方，并且包括与所述第一孔重叠的孔。
所述有机绝缘层的所述孔的直径可以实质上等于或者大于所述第一孔的直径。
所述金属层叠结构还可以包括第三子金属层，布置在所述第二子金属层下方，并且包括与所述第一孔和所述第二孔重叠的第三孔。
所述第三孔的直径可以实质上等于或者小于所述第二孔的直径。
本发明的另一实施例公开一种显示装置，包括：基板，包括开口、围绕所述开口的显示区域以及所述开口和所述显示区域之间的非显示区域；多个显示要素，布置在所述显示区域，分别包括像素电极、对向电极以及所述像素电极和所述对向电极之间的中间层；薄膜封装层，覆盖多个所述显示要素，包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层；金属层叠结构，位于所述非显示区域，并且配备多个子金属层，其中，所述金属层叠结构包括：第一子金属层，包括第一孔；以及第二子金属层，位于所述第一子金属层的下方，并且包括与所述第一孔重叠的第二孔，定义所述第一孔的所述第一子金属层的边缘包括相比定义所述第二孔的所述第二子金属层的边缘向所述第一孔的中心突出的尖端部，配备于所述中间层的至少一个有机物层或者所述对向电极中的至少一个通过所述尖端部而被分离。
所述至少一个有机物层可以包括选自空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层中的一个以上。
所述第一子金属层和所述第二子金属层可以包括彼此不同的金属。
所述第一子金属层可以包括钛，所述第二子金属层可以包括铝。
还可以包括绝缘层，位于所述第一子金属层上方，并且包括与所述第一孔重叠的孔。
所述绝缘层可以包括有机绝缘层或者无机绝缘层。
所述绝缘层的所述孔的直径可以实质上等于或者大于所述第一孔的直径。
所述金属层叠结构还可以包括：第三子金属层，位于所述第二子金属层下方，并且包括与所述第一孔及所述第二孔重叠的第三孔。
所述第三孔的直径可以实质上等于或者小于所述第二孔的直径。
所述至少一个无机封装层可以连续地覆盖所述第一孔和所述第二孔的内侧面。
根据如上所述地构成的本发明的一实施例，可以防止水分等异物从形成在显示装置的开口的侧面渗透而损伤围绕开口的显示要素。
然而，本发明的范围并不限于这些效果。
附图说明
图1是概略地示出根据本发明的一实施例的显示装置的立体图。
图2是概略地示出根据本发明的一实施例的显示装置的剖面图，相当于沿图1的II-II'线截取的剖面。
图3是概略地示出根据本发明的一实施例的显示面板的平面图。
图4是包括于图3的显示面板的一像素的等效电路图。
图5是示出根据本发明的一实施例的显示面板的一部分的平面图。
图6a是沿图5的A-A'线截取的剖面图。
图6b是将图6a的B部分放大的剖面图。
图6c是根据图6b的变形实施例的剖面图。
图7是至图9是示出配备在根据本发明的一实施例的显示面板的凹槽的示例的剖面图。
图10a至图10g是依次示出根据本发明的一实施例的显示装置的制造工序的剖面图。
图11a至图11g是依次示出根据本发明的另一实施例的显示装置的制造工序的剖面图。
具体实施方式
本发明可以进行多种变换，并且可以具有多种实施例，将特定实施例在附图中进行示出，并在具体说明中详细地说明。然而，其并不旨在将本发明限定为特定的实施形态，应当理解为包含包括于本发明的思想和技术范围的所有变换、等同物乃至替代物。在说明本发明时判断为针对相关的公知技术的具体说明可能混淆本发明的要旨的情形下，省略其详细说明。
本说明书中使用的第一、第二等术语虽然可以用于说明多种构成要素，但构成要素不应被所述术语限定。所述术语仅用作将一个构成要素与另一构成要素区分的目的。
本说明书中，当提及层、膜、区域、板等部分在另一部分“上”或者“之上”时，这不仅包括在另一部分“紧邻的上方”的情形，还包括在两者中间具有其他部分的情形。
本说明书中使用的x轴、y轴以及z轴不限于直角坐标系上的三个轴，可以被解释为包括其的宽泛的含义。例如，x轴、y轴以及z轴虽然也可以垂直相交，但也可以指代彼此不垂直相交的彼此不同的方向。
本说明书中，“A和/或B”表示是A、或者是B、或者是A和B的情形。本说明书中，“A、B及C中的至少某一个”表示是A、或是B、或是A和B、或是A和C、或是B和C、或者是A和B和C的情形。
以下，参照附图详细说明根据本发明的实施例，在参照附图说明时，对实质相同或者相应的构成要素赋予相同附图标记，并且省略对其的重复说明。附图中为了明确表示多个层和区域，放大示出了厚度。并且，在附图中，为了便于说明而夸大示出了部分层和区域的厚度。
图1是概略地示出根据本发明的一实施例的显示装置的立体图。
参照图1，显示装置1包括发光的显示区域DA和不发光的非显示区域NDA。非显示区域NDA布置为与显示区域DA相邻。显示装置1可以利用从布置在显示区域DA的多个像素发出的光提供预定的图像。
显示装置1包括至少一部分被显示区域DA围绕的开口区域OA。作为一实施例，图1示出了开口区域OA被显示区域DA整体地围绕的情形。
非显示区域NDA可以包括围绕开口区域OA的第一非显示区域NDA1以及围绕显示区域DA的外廓的第二非显示区域NDA2。第一非显示区域NDA1可以整体地围绕开口区域OA，显示区域DA可以整体地围绕第一非显示区域NDA1，第二非显示区域NDA2可以整体地围绕显示区域DA。
以下，虽然将有机发光显示装置作为根据本发明的一实施例的显示装置1的示例而进行说明，但本发明的显示装置并不限于此。作为另一实施例，可以使用诸如无机发光显示装置(Inorganic Light Emitting Display)、量子点发光显示装置(Quantum dot LightEmitting Display)等多种方式的显示装置。
图2是概略地示出根据本发明的一实施例的显示装置的剖面图，可以对应于沿图1的II-II'线截取的剖面。
参照图2，显示装置1可以包括：显示面板10；输入感测部件20，布置在显示面板10上；以及光学功能部件30，它们可以被窗口部40覆盖。显示装置1可以是诸如移动电话(mobile phone)、笔记本电脑、智能手表等多种电子设备。
显示面板10可以显示图像。显示面板10包括布置在显示区域DA的像素。像素可以包括显示要素以及与其连接的像素电路。显示要素可以包括有机发光二极管、无机发光二极管或者量子点发光二极管等。
输入感测部件20获得根据外部的输入，例如，根据触摸事件的坐标信息。输入感测部件20可以包括感测电极(sensing electrode或者touch electrode)以及与感测电极连接的迹线(trace line)。输入感测部件20可以布置在显示面板10上。
输入感测部件20可以直接形成在显示面板10上，或者在单独形成后通过光学透明粘结剂(OCA)等粘结层而结合。例如，输入感测部件20可以在形成显示面板10的工序后连续地形成，在此情形下，粘结层可以不夹设在输入感测部件20和显示面板10之间。虽然图2示出了输入感测部件20夹设在显示面板10和光学功能部件30之间的情形，但作为另一实施例，输入感测部件20可以布置在光学功能部件30上。
光学功能部件30可以包括防反射层。防反射层可以减少从外部通过窗口部40朝向显示面板10入射的光(外部光)的反射率。防反射层可以包括相位延迟器(retarder)和偏振器(polarizer)。相位延迟器可以是膜型或者液晶涂层型，并且可以包括λ/2相位延迟器和/或λ/4相位延迟器。偏振器也可以是膜型或者液晶涂层型。膜形的偏振器可以包括拉伸型合成树脂膜，液晶涂层型的偏振器可以包括以预定阵列排列的液晶。相位延迟器和偏振器还可以包括保护膜。
作为另一实施例，防反射层可以包括黑矩阵和滤色器。滤色器可以考虑从显示面板10的各个像素发出的光的颜色而进行排列。作为又一实施例，防反射层可以包括相消干涉结构物。相消干涉结构物可以包括布置在彼此不同的层上的第一反射层和第二反射层。分别被第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以被相消干涉，据此可以减少外部光反射率。
光学功能部件30可以包括透镜层。透镜层可以提高从显示面板10发出的光的出光效率，或者减少色偏差。透镜层可以包括具有凹形透镜形状或者凸形透镜形状的层和/或折射率彼此不同的多个层。光学功能部件30可以包括前述的防反射层和透镜层两者或者包括两者中的任意一个。
显示面板10、输入感测部件20以及光学功能部件30可以包括开口。关于此，图2示出了显示面板10、输入感测部件20以及光学功能部件30分别包括第一开口至第三开口10H、20H、30H，并且第一开口至第三开口10H、20H、30H彼此重叠的情形。第一开口至第三开口10H、20H、30H布置为与开口区域OA对应。作为另一实施例，显示面板10、输入感测部件20或者光学功能部件30中的至少一个可以不包括开口。例如，选自显示面板10、输入感测部件20以及光学功能部件30中的任意一个或者两个构成要素可以不包括开口。
器件50可以与开口区域OA对应。如在图2中用实线所示，器件50可以位于第一开口至第三开口10H、20H、30H内，或者如虚线所示地位于显示面板10的下方。
器件50可以包括电子要素。例如，器件50可以是利用光或者声响的电子要素。例如，电子要素可以包括如红外线传感器一样接收光而利用的传感器、接收光而拍摄图像的相机、输出并感测光或者声响而测量距离或者识别指纹等的传感器、输出光的小型灯或者输出声音的扬声器等。在利用光的电子要素中，可以利用可见光、红外线光、紫外线光等多种波段的光。在部分实施例，开口区域OA可以是使从器件50向外部输出或者从外部向电子要素行进的光和/或声响能够透过的透过区域(transmission area)。
作为另一实施例，在显示装置1被用作智能手表或者车辆用仪表盘的情形下，器件50可以是包括表针或者指示预定信息(例如，车辆速度)的针等的部件。在显示装置1包括表针或者车辆用仪表盘的情形下，器件50可以贯通窗口部40而向外部暴露，窗口部40可以包括与开口区域OA对应的开口。
如前所述，器件50可以包括与显示面板10的功能相关的(多个)构成要素或者包括诸如增加显示面板10的美感的饰品之类的构成要素等。
图3是概略地示出根据本发明的一实施例的显示面板的平面图，图4是包括于图3的显示面板的一像素的等效电路图。
参照图3，显示面板10包括显示区域DA和第一非显示区域NDA1以及第二非显示区域NDA2。图3所示的显示面板10的形状可以是基板100的形状。例如，基板100可以具有多个区域，如图3所示，可以包括开口区域OA、显示区域DA、第一非显示区域NDA1以及第二非显示区域NDA2。
显示面板10包括布置在显示区域DA的多个像素P。如图4所示，各像素P包括像素电路PC以及作为连接到像素电路PC的显示要素的机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2以及存储电容器Cst。各像素P可以通过有机发光二极管OLED发出例如红色、绿色、蓝色或者白色的光。
第二薄膜晶体管T2作为开关薄膜晶体管，连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以根据从扫描线SL输入的开关电压而将从数据线DL输入的数据电压传递到第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以储存相当于从第二薄膜晶体管T2接收到的电压和供应到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD的差异的电压。
第一薄膜晶体管T1作为驱动薄膜晶体管，连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以对应于储存在存储电容器Cst的电压值而控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以通过驱动电流而发出具有预定辉度的光。有机发光二极管OLED的对向电极(例如，阴极)可以接收第二电源电压ELVSS。
虽然图4说明了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的情形，但本发明并不限于此。薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而多样地变更，这是显而易见的。
再次参照图3，第一非显示区域NDA1可以围绕开口区域OA。第一非显示区域NDA1为没有布置诸如发光的有机发光二极管等显示要素的区域，在第一非显示区域NDA1可以使向配备在开口区域OA周围的像素P提供信号的信号线经过或者布置有后述的(多个)凹槽。在第二非显示区域NDA2可以布置有向各像素P提供扫描信号的扫描驱动器1100、向各像素P提供数据信号的数据驱动器1200以及用于提供第一电源电压和第二电源电压的主电源布线(未示出)等。虽然图4示出了数据驱动器1200紧邻基板100的一侧边而布置的情形，但根据其他实施例，数据驱动器1200可以布置在与布置于显示面板10的一侧的垫电连接的柔性印刷电路板(FPCB：flexible Printedcircuit board)上。
图5是示出根据本发明的一实施例的显示面板的一部分的平面图，示出了位于与开口区域相邻的第一非显示区域的凹槽。
参照图5，在开口区域OA和显示区域DA之间布置有一个或者一个以上的凹槽。关于此，图5示出了在开口区域OA和显示区域DA之间布置有三个凹槽G的情形，但本发明并不限于此。作为另一实施例，在第一非显示区域NDA1可以布置有1个、2个或者4个以上的凹槽。
凹槽G可以是在第一非显示区域NDA1整体地围绕开口区域OA的环形状。各个凹槽G的直径可以形成为大于开口区域OA的直径。在平面上，围绕开口区域OA的多个凹槽G之间可以相隔预定间距。
此外，虽然未在图5示出，但在形成有凹槽G的区域和显示区域DA之间可以形成有迂回开口区域OA的边沿的数据线和/或扫描线的迂回部分。即，凹槽G可以比所述数据线和/或扫描线的迂回部分更加邻近于开口区域OA而布置。
图6a是沿图5的A-A'线截取的剖面图。
参照图6a，显示面板10包括开口区域OA、显示区域DA以及它们之间的第一非显示区域NDA1。显示面板10可以包括相当于开口区域OA的第一开口10H。
在图6a的显示区域DA示出了参照图4而说明的各像素P的像素电路PC中配备有驱动薄膜晶体管T1和存储电容器Cst的情形。为了便于说明，根据层叠顺序说明布置在图6a的显示区域DA的构成。
基板100可以是多层。例如，基板100可以包括依次层叠的第一基底层101、第一阻挡层102、第二基底层103以及第二阻挡层104。
第一基底层101及第二基底层103可以分别包括高分子树脂。例如，第一基底层101及第二基底层103可以包括诸如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素、乙酸丙酸纤维素等高分子树脂。高分子树脂可以透明。
第一阻挡层102和第二阻挡层104各自作为防止外部异物渗透的阻挡层，可以是包括诸如氮化硅和/或氧化硅等的无机物的单层或者多层。
在基板100上可以形成有用于防止杂质渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层A1的缓冲层111。缓冲层111可以包括诸如氮化硅或者氧化硅等无机绝缘物，并且可以是包括前述的无机绝缘物的单层或者多层。
在缓冲层111上可以布置有半导体层A1。半导体层A1可以包括非晶硅或者包括多晶硅。作为另一实施例，半导体层A1可以包括选自包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、铯(Cs)、铈(Ce)以及锌(Zn)的组中的至少一个物质的氧化物。在部分实施例，半导体层A1作为Zn氧化物类物质，可以由Zn氧化物、In-Zn氧化物、Ga-In-Zn氧化物等形成。在又一实施例，半导体层A1可以是在ZnO中含有诸如铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)等金属的IGZO(In-Ga-Zn-O)、ITZO(In-Sn-Zn-O)或者IGTZO(In-Ga-Sn-Zn-O)半导体。半导体层A1可以包括沟道区域、布置在所述沟道区域的两侧的源极区域和漏极区域。
在半导体层A1上以中间隔着栅极绝缘层112而与所述半导体层A1部分重叠的方式布置有栅电极G1。栅电极G1包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可以构成为单层或者多层。作为一例，栅电极G1可以是Mo的单层。在与栅电极G1相同的层可以布置有存储电容器Cst的第一电极CE1。第一电极CE1可以由与栅电极G1相同的物质形成。例如，栅电极G1可以具有第一电极CE1的功能。
存储电容器Cst包括在中间隔着第一层间绝缘层113而重叠的下部电极CE1和上部电极CE2。存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT重叠。关于此，图4示出了薄膜晶体管TFT的栅电极GE为存储电容器Cst的下部电极CE1的情形。作为另一实施例，存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT重叠。存储电容器Cst可以被第二层间绝缘层115覆盖。
层间绝缘层113、115可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪等无机绝缘物。层间绝缘层113、115可以是包括前述物质的单层或者多层。
层间绝缘层113、115上可以布置有源电极S1和漏电极D1。
源电极S1和漏电极D1可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)中的至少一个的导电物质，并且可以形成为包括所述材料的多层或者单层。作为一例，源电极S1和漏电极D1可以构成为Ti/Al/Ti的多层结构。源电极S1和漏电极D1可以通过形成在层间绝缘层113、115的接触孔而连接到半导体层A1的源极区域或者漏极区域。
存储电容器Cst的第二电极CE2可以在中间隔着层间绝缘层113而与第一电极CE1重叠，并且形成电容。在此情形下，层间绝缘层113可以起到存储电容器Cst的介电体层的功能。
在源电极S1和漏电极D1上可以布置有第一平坦化层117和第二平坦化层119，在平坦化层117、119上可以布置有有机发光二极管OLED。
在第一平坦化层117和第二平坦化层119之间可以布置有连接电极CM。具体地，在第一平坦化层117上可以布置有连接电极CM，在连接电极CM上可以以覆盖连接电极CM的方式布置有第二平坦化层119。
连接电极CM可以通过形成在第一平坦化层117的第一接触孔CNT1而连接到源电极S1或者漏电极D1中的一个，并且可以通过形成在第二平坦化层119的第二接触孔CNT2而连接到后述的像素电极221。
第一平坦化层117和第二平坦化层119可以由利用有机物质构成的膜形成为单层或者多层，并且提供平坦的上表面。第一平坦化层117和第二平坦化层119可以包括诸如苯并环丁烯(BCB：Benzocyclobutene)、聚酰亚胺(polyimide)、六甲基二硅氧烷(HMDSO：Hexamethyldisiloxane)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA：Polymethylmethacrylate)或者聚苯乙烯(PS：Polystylene)等一般的通用高分子、具有酚类基团的高分子衍生物、丙烯酸类高分子、酰亚胺类高分子、芳醚类高分子、酰胺类高分子、氟类高分子、对二甲苯类高分子、乙烯醇类高分子以及它们的混合物等。此时，第一平坦化层117和第二平坦化层119可以由彼此相同的物质形成，也可以由彼此不同的物质形成。
在基板100的显示区域DA，在第二平坦化层119上布置有有机发光二极管OLED。有机发光二极管OLED包括像素电极221、包括有机发光层的中间层222以及对向电极223。
如前所述，像素电极221可以通过形成在第二平坦化层119的第二接触孔CNT2连接到连接电极CM，据此，像素电极221可以以连接电极CM为媒介而电连接到源电极S1或者漏电极D1中的一个。
像素电极221可以是(半)透光性电极或者反射电极。在部分实施例，像素电极221可以配备由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr以及它们的化合物中的至少一个形成的反射层和形成在反射层上的透明电极层或者半透明电极层。透明电极层或者半透明电极层可以配备有选自包括氧化铟锡(ITO：indium tin oxide)、氧化铟锌(IZO：indium zinc oxide)、氧化锌(ZnO：zinc oxide)、氧化铟(In2O3：indium oxide)、氧化铟镓(IGO：indium galliumoxide)以及氧化铝锌(AZO：aluminum zinc oxide)的组中的至少一个。在部分实施例，像素电极221可以配备为ITO/Ag/ITO。
在第二平坦化层119上可以布置有像素定义膜121，像素定义膜121可以通过具有在显示区域DA对应于各子像素的开口，即，至少使像素电极221的中央部暴露的开口OP而起到定义像素的发光区域的作用。并且，像素定义膜121可以通过增加像素电极221的边沿和像素电极221上部的对向电极223之间的距离而起到防止在像素电极221的边沿产生电弧等的作用。
像素定义膜121可以利用选自由聚酰亚胺、聚酰胺(Polyamide)、丙烯酸树脂、苯并环丁烯以及酚醛树脂组成的组中的一个以上的有机绝缘物质，通过旋涂等方法形成。
有机发光二极管OLED的中间层222可以包括发光层222a。发光层222a可以包括包含发出红色、绿色、蓝色或白色的光的荧光或者磷光物质的有机物。发光层222a可以是低分子有机物或者高分子有机物。
在发光层222a的下方和/或上方可以布置有功能层222b。功能层222b可以是单层或者多层。
如图6a所示，在功能层222b布置在发光层222a下方的情形下，功能层222b可以包括空穴传输层(HTL：hole transport layer)和/或空穴注入层(HIL：hole injectionlayer)。例如，在功能层222b由高分子物质形成的情形下，功能层222b作为单层结构的空穴传输层(HTL：Hole Transport Layer)，可以由聚乙烯二羟基噻吩(PEDOT：聚(3,4)-乙烯-二羟基噻吩)或者聚苯胺(PANI：polyaniline)形成。在功能层222b由低分子物质形成的情形下，功能层222b可以包括空穴注入层(HIL：Hole Injection Layer)和空穴传输层(HTL)。
此外，虽然未在图6a示出，但在发光层222a上也可以附加布置有功能层。这种附加功能层并不是一直配备，例如，在用高分子物质形成前述的功能层222b和发光层222a的情形下，优选形成附加功能层。所述附加功能层可以是单层或者多层，并且可以包括电子传输层(ETL：Electron Transport Layer)和/或电子注入层(EIL：Electron InjectionLayer)。
中间层222中，发光层222a可以在显示区域DA布置于每个像素P。功能层222b可以与通过像素定义膜121的开口暴露的像素电极221的上表面接触。中间层222中，功能层222b和前述的附加功能层不仅可以形成在图6a所示的显示区域DA，也可以形成在第一非显示区域NDA1上。
对向电极223可以是透光性电极或者反射电极。在部分实施例，对向电极223可以是透明电极或者半透明电极，可以由包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg以及它们的化合物的功函数小的金属薄膜形成。并且，在金属薄膜上还可以布置有ITO、IZO、ZnO或者In2O3等的透明导电氧化物(TCO：transparent conductive oxide)膜。对向电极223横跨显示区域DA和周围区域而布置，并且可以布置在中间层222和像素定义膜121的上部。
对向电极223在多个有机发光二极管OLED形成为一体，从而可以对应于多个像素电极221。并且，对向电极223不仅可以形成在显示区域DA，也可以形成在第一非显示区域NDA1上。中间层222和对向电极223可以通过热蒸镀法形成。
在对向电极223上还可以布置有覆盖层(未示出)。所述覆盖层可以包括LiF、无机物或/和有机物，并且与对向电极223同样地，不仅可以形成在显示区域DA，也可以形成在第一非显示区域NDA1上。
在像素定义膜121上还可以包括用于防止掩模的按压的分隔件(未示出)。所述分隔件可以与像素定义膜121形成为一体。例如，所述分隔件和像素定义膜121可以利用半色调(half tone)掩模工序在同一工序中同时形成。
由于有机发光二极管OLED容易被来自外部的水分或者氧气等而损伤，因此可以用封装基板或者薄膜封装层覆盖而进行保护。作为一实施例，有机发光二极管OLED上可以以大致覆盖基板100的整个面的方式布置有薄膜封装层300，薄膜封装层300可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。图6a示出了薄膜封装层300包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及夹设在两者之间的有机封装层320的情形。在另一实施例，有机封装层的数量和无机封装层的数量以及层叠顺序可以被改变。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等的一个以上的无机绝缘物，并且可以通过化学气相沉积法(CVD)等而形成。
有机封装层320可以包括聚合物(polymer)类的材料。聚合物类的材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺以及聚乙烯等。有机封装层320可以在涂覆前述的材料的单体后将其硬化而形成。
参照图6a的第一非显示区域NDA1，第一非显示区域NDA1可以包括相对地邻近于显示区域DA的第一子-非显示区域SNDA1和相对地邻近于开口区域OA或者第一开口10H的第二子-非显示区域SNDA2。
第一子-非显示区域SNDA1可以是信号线，例如，数据线DL经过的区域。此时，数据线DL可以相当于是迂回开口区域(图5的OA)的数据线，在此情形下，第一子-非显示区域SNDA1可以是数据线DL经过的布线区域。
如图6a所示，数据线DL可以在中间隔着绝缘层而交替地布置。或者，与图6a所示不同地，数据线DL可以布置在同一绝缘层上。如图6a所示，在相邻的数据线DL在中间隔着绝缘层(例如，第二层间绝缘层115)而分别布置在上方和下方的情形下，可以减小相邻的数据线DL之间的间隙(间距)，并且可以减小第一非显示区域NDA1的宽度。虽然图6a示出了在第一子-非显示区域SNDA1布置有数据线DL的情形，但此外也可以布置有扫描线。在此情形下，扫描线可以与数据线DL交叉并迂回开口区域(图5的OA)。
第二子-非显示区域SNDA2作为布置凹槽G的一种凹槽区域，图6a示出了位于第二子-非显示区域SNDA2的三个凹槽G。
凹槽G可以通过去除包括于布置在基板100上的金属层叠结构ST的部分子金属层而形成。金属层叠结构ST可以布置在无机绝缘层IL上。如前所述，无机绝缘层IL可以包括栅极绝缘层112、第一层间绝缘层113、第二层间绝缘层115等夹设在薄膜晶体管TFT以及存储电容器Cst的绝缘层。无机绝缘层IL还可以包括缓冲层111、第二阻挡层104等。但是，并不一定限于此，在无机绝缘层IL，也可以省略第二阻挡层104、缓冲层111、栅极绝缘层112、第一层间绝缘层113、第二层间绝缘层115中的部分层。
金属层叠结构ST可以包括第一金属层L1和第二金属层L2，并且第一金属层L1和第二金属层L2各自可以包括多个子金属层。第一金属层L1可以是包括与显示区域DA的连接电极CM相同的物质的层，第二金属层L2可以是包括与显示区域DA的源电极S1或者漏电极D1中的至少一个相同的物质的层。但是，第二金属层L2并不一定包括，也可以在无机绝缘层IL的紧邻的上方布置第一金属层L1。
如图6b所示，定义在金属层叠结构ST的凹槽G可以通过使金属层叠结构ST的各个子金属层的孔重叠而形成，在金属层叠结构ST中，形成在最上层的子金属层的第一孔H1的宽度可以形成为小于形成在其下方的(多个)子金属层的第二孔H2的宽度。即，相比定义第二孔H2的子金属层的边缘，定义第一孔H1的金属层叠结构ST的最上层的子金属层的边缘可以向第一孔H1的中心更加突出而形成尖端部T。
凹槽G可以在形成显示区域DA的中间层222的工序之前形成。由于包括于显示装置的包括有机物的层会成为水分可以移动的湿气渗透路径，因此可以通过使不仅形成在显示区域DA还形成在第一非显示区域NDA1的有机物层，例如，功能层222b以凹槽G为中心而分离或者断开，从而防止前述的湿气渗透路径的形成。通过热蒸镀法形成的对向电极223也可以与有机物层，例如，功能层222b相似地以凹槽G为中心分离或者断开。如图6b所示，在凹槽G的底面BS上会残留功能层222b和对向电极223的一部分。作为另一实施例，参照图6c，中间层222可以包括位于发光层222a上的附加功能层222c，在此情形下，可以通过凹槽G而断开功能层222b、附加功能层222c以及对向电极223。在此情形下，在凹槽G的底面BS上可以残留有被分离的功能层222b、附加功能层222c以及对向电极223的一部分。凹槽G的底面BS可以与布置在金属层叠结构ST的下方的绝缘层的上表面位于同一面上。
在金属层叠结构ST上可以布置有至少一个绝缘层。例如，如图6a至图6c所示，金属层叠结构ST上可以包括至少一个有机绝缘层，例如，第二平坦化层119以及像素定义膜121。作为另一实施例，在金属层叠结构ST上可以布置有无机绝缘层或者布置有无机绝缘层和有机绝缘层。如图6a所示，布置在金属层叠结构ST上的有机绝缘层，例如，第二平坦化层119和/或像素定义膜121可以从定义第一开口10H的基板100的边缘沿侧方向(图6a中的水平方向或者与基板的上表面平行的方向)相隔预定距离。
前述的金属层叠结构ST上的至少一个绝缘层包括与凹槽G重叠的孔，孔的直径可以实质上等于或者大于作为构成凹槽G的金属层叠结构ST的最上层的子金属层的第一孔的直径。例如，如图6b所示，第二平坦化层119和像素定义膜121各自以覆盖凹槽G的一部分的方式延伸到第二子非显示区域SNDA2，并且可以分别包括与凹槽G重叠的孔121H、119H。如图6b所示，在第二平坦化层119和像素定义膜121包括倾斜的侧面的情形下，孔121H、119H的直径可以改变，此时，孔121H、119H的直径可以是在与相应的层的底面相邻的部分测定的值。
至少一个隔壁可以与凹槽G相邻地布置。例如，隔壁可以形成在相邻的凹槽G之间。关于此，在图6a，可以按与显示区域DA相邻的顺序在第二子-非显示区域SNDA2形成有第一隔壁510和第二隔壁520。
第一隔壁510和第二隔壁520可以起到在形成有机封装层320的工序中控制有机物的流动的坝功能。在部分实施例，可以省略第一隔壁510和第二隔壁520中的一个。虽然图6a中未示出，但第一隔壁510除了第二平坦化层119和像素定义膜121以外，还可以配备像素定义膜121上的分隔件。多个凹槽G中，与显示区域DA相邻的凹槽G可能至少部分地填充有机封装层320的一部分。第一无机封装层310可以整体且连续地覆盖凹槽G的内部表面。第二无机封装层330的一部分可以在第二子-非显示区域SNDA2与第一无机封装层310直接接触。在多个凹槽G中的至少一个凹槽G上，第二无机封装层330可以与第一无机封装层310直接接触。第一无机封装层310和第二无机封装层330在第一隔壁510和第二隔壁520的上表面上也可以彼此接触。
图7是示出配备于根据本发明的一实施例的显示面板的凹槽的示例的剖面图。
参照图7，无机绝缘层IL上可以布置有第二金属层L2，在第二金属层L2上可以布置有第一金属层L1。如上所述，第二金属层L2可以包括与薄膜晶体管(图6a的TFT)的源电极(图6a的S1)以及漏电极(图6a的D1)中的至少一个相同的物质，并且第一金属层L1可以包括与连接电极(图6a的CM)相同的物质。
第一金属层L1及第二金属层L2中的至少某一个可以包括多个子金属层。作为一实施例，第一金属层L1可以配备有包括彼此不同的物质的第一子层M1和第二子层M2。此时，第一子层M1包括钛(Ti)，第二子层M2可以包括铝(Al)，例如，第一子层M1和第二子层M2可以依次交替层叠而形成Ti/Al/Ti的层叠结构，例如，可以形成为在中间隔着第二子层M2而在上部和下部布置有第一子层M1的三明治结构。
作为一实施例，第二金属层L2可以由与第一金属层L1相同的物质形成。在此情形下，与第一金属层L1相同地，第二金属层L2可以形成为第一子层M1和第二子层M2依次交替层叠而形成Ti/Al/Ti的层叠结构，例如，在中间隔着第二子层M2而在上部和下部布置有第一子层M1的三明治结构。
由第一金属层L1和第二金属层L2构成的金属层叠结构ST包括多个子金属层，并且在金属叠层结构ST可以定义有沿厚度方向凹陷的凹槽G。凹槽G可以由形成于布置在多个子金属层中的最上层的子金属层和布置在其下方的至少一个子金属层的孔形成。
例如，作为金属层叠结构ST的最上层的子金属层，例如，布置在第一金属层L1的上部的第一子层M1包括第一孔H1，布置在其下方的第一金属层L1的第二子层M2可以包括大于第一孔H1的第二孔H2。定义第一孔H1的第一金属层L1的上部第一子层M1的边缘可以包括相比定义第二孔H2的第一金属层L1的第二子层M2的边缘向第一孔H1的中心更加突出的尖端部T。
布置在第一金属层L1的第二子层M2的下方的下部子金属层也包括孔，并且定义孔的下部子金属层中的每一个的边缘可以与第一金属层L1的第二子层M2的边缘一起定义凹槽G的侧面。
例如，第一金属层L1的下部第一子层M1、第二金属层L2的上部第一子层M1、第二金属层L2的第二子层M2各自的孔的直径可以大于第一孔H1的直径。如果可以充分确保从尖端部T到凹槽G的底面BS为止的深度，则作为金属层叠结构ST的最下层的子金属层的孔的直径，例如，位于第二金属层L2的下部的第二子层M2的孔的直径可以大于、小于或者等于第一孔H1的直径。
第一金属层L1的上部第一子层M1的边缘可以通过相比第一金属层L1的第二子层M2的边缘更加突出的结构，例如，凹割结构或者凸缘结构而使包括于中间层222的至少一个有机物层以及对向电极223被分离或者断开。关于此，图7示出包括于中间层222的至少一个有机物层包括功能层222b，并且功能层222b和对向电极223被分离的情形。被分离的功能层222b和对向电极223的一部分可以位于凹槽G的底面BS上。作为另一实施例，包括于中间层222的至少一个有机物层可以包括功能层222b和参照图6c而说明的附加功能层222c。与功能层222b和对向电极223不同地，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以整体且连续地覆盖对向电极223的上表面以及凹槽G的内部表面。关于此，图7示出了第一无机封装层310整体且连续地覆盖凹槽G的内部表面的情形。
此外，虽然图7示出了去除第一金属层L1和第二金属层L2的一部分而形成凹槽G的情形，但在凹槽G的形成过程中也可以去除无机绝缘层IL的一部分。在此情形下，凹槽G的底面BS可以相比第一金属层L1的上表面TS而位于下部，并且凹槽G的底面BS可以位于无机绝缘层IL的上表面和底面之间。
图7示出了在金属层叠结构ST上没有布置额外的绝缘层的情形。然而，本发明并不限于此。作为另一实施例，如图8和图9所示，在金属层叠结构ST上可以布置有绝缘层，例如，无机绝缘层和/或有机绝缘层。
图8和图9分别为示出配备在根据本发明的一实施例的显示面板的凹槽的示例的剖面图。
在图8和图9所示的实施例的情形下，除了在第一金属层L1和功能层222b之间布置有包括第二平坦化层119和/或像素定义膜121的有机绝缘层以外，与图7所示的实施例相同或者相似。因此，以下以图8和图9所示的实施例与图7所示的实施例之间的不同点为中心进行说明。
参照图8和图9，在金属层叠结构ST上还可以布置有绝缘层。例如，如图8所示地，第二平坦化层119可以布置在金属层叠结构ST上，并且如图9所示地布置有第二平坦化层119和像素定义膜121。
如前所述，功能层222b和对向电极223可以通过凹槽G而被分离或者断开，此时，在定义凹槽G的金属层叠结构ST上还布置有绝缘层的情形下，可以通过相应绝缘层的高度差异等而更容易地实现分离和断开。并且，第二平坦化层119和/或像素定义膜121可以保护金属层叠结构ST，并且可以防止尖端部T的破损。
第二平坦化层119和/或像素定义膜121包括孔119H、121H，并且孔119H、121H的直径可以实质上等于或者大于第一孔H1的直径。
此外，虽然未在图8和图9示出，但位于第二平坦化层119和/或像素定义膜121上的断开的功能层222b和对向电极223的一部分可以覆盖定义孔119H、121H的第二平坦化层119和/或像素定义膜121的侧面的至少一部分。这与在图6a中功能层222b和对向电极223覆盖形成在像素定义膜121的孔121H以及形成在第二平坦化层119的孔119H的各个侧面的情形相同。
虽然图8和图9示出了包括于中间层222的至少一个有机物层包括功能层222b的情形，但本发明并不限于此，作为另一实施例，如在先参照图6c所说明，包括于中间层222的至少一个有机物层可以包括功能层222b和附加功能层222c。
图10a至图10g是依次示出根据本发明的一实施例的显示装置的制造工序的剖面图，图10a至图10g可以与图6a的B部分对应。
首先，如图10a所示，在无机绝缘层IL上形成包括第二金属层L2和第一金属层L1的金属层叠结构ST。第二金属层L2和第一金属层L1可以位于图6a的第一非显示区域NDA1，如图6a所示，无机绝缘层IL可以横跨显示区域DA和第一非显示区域NDA1而布置。
金属层叠结构ST可以包括多个子金属层。作为一实施例，由于第一金属层L1和/或第二金属层L2包括第一子层M1和第二子层M2，因此包括第一金属层L1和第二金属层L2的金属层叠结构ST可以包括多个第一子层M1和多个第二子层M2的子金属层。
然后，在第一金属层L1上依次层叠第二平坦化层119和像素定义膜121。此时，可以省略第二平坦化层119和像素定义膜121中的至少一个。并且，也可以省略第二金属层L2并在无机绝缘层IL上直接层叠第一金属层L1。
该步骤可以是形成位于图6a的显示区域DA的薄膜晶体管TFT、存储电容器Cst、连接电极CM以及像素电极221以后的工序。第二金属层L2在形成薄膜晶体管(图6a的TFT)的源电极(图6a的S1)和漏电极(图6a的D1)的步骤中一起形成，第一金属层L1在形成连接电极(图6a的CM)的步骤中一起形成。如上所述，第二平坦化层119在形成连接电极(图6a的CM)之后形成，像素定义膜121在形成像素电极(图6a的221)之后形成，第二平坦化层119和像素定义膜121不仅可以形成在图6a的显示区域DA也可以形成在第一非显示区域NDA1。
在第二平坦化层119和像素定义膜121中的每一个，可以与用于形成后述的凹槽(图10e的G)的位置对应而预先形成孔119H、121H。
接下来，如图10b所示，在像素定义膜121上形成光致抗蚀剂层PR。在光致抗蚀剂层PR可以配备有与形成后述的凹槽(图10e的G)的位置对应的开口OPm。光致抗蚀剂层PR的开口OPm与预先形成的第二平坦化层119的孔119H和像素定义膜121的孔121H对应，为此可能伴随有将光致抗蚀剂层PR和下部的有机绝缘层119、121彼此对准的作业。
接下来，如图10c所示，将光致抗蚀剂层PR作为掩模而在第一金属层L1和第二金属层L2形成与光致抗蚀剂层PR的开口OPm重叠的第一孔H1。这种光致抗蚀剂层PR可以残留到完成后述的凹槽(图10e的G)的形成为止，并且维持作为图案化掩模的功能。
在形成布置在金属层叠结构ST的最上层的子金属层的第一孔H1的工序，布置在其下方的子金属层也可以被去除。例如，包括于第一金属层L1和第二金属层L2的第一子层M1和第二子层M2的一部分可以被一同去除。第一金属层L1和第二金属层L2可以利用干法蚀刻(dry etching)而一次性去除。
虽然图10c示出了仅去除第一金属层L1和第二金属层L2的情形，但第二金属层L2下部的无机绝缘层IL也可以被一起去除。
接下来，如图10d所示，在第一金属层L1的第二子层M2和第二金属层L2的第二子层M2形成与第一孔H1对应的第二孔H2。在此步骤，为了实现凹割结构或者凸缘结构，将在第二子层M2形成尺寸和/或直径大于第一孔H1的第二孔H2。
在本实施例，第二孔H2可以利用湿法蚀刻(wet etching)而一次性去除。作为一实施例，在湿法蚀刻工序，包括钛(Ti)的第一子层M1被相对较少地蚀刻或者不被蚀刻，包括铝(Al)的第二子层M2可以被相对较多地蚀刻。由于第二孔H2的直径大于第一孔H1的直径，因此定义第一孔H1的第一子层M1的边缘会配备有相比定义第二孔H2的第二子层M2向第一孔H1的中心突出的尖端部T，并且可以形成凸缘结构或者凹割结构。
作为一实施例，在第二金属层L2包括与第一金属层L1相同的层叠结构的情形下，在第二孔H2的形成工序中可以将第二金属层L2的第二子层M2也一并蚀刻。在此情形下，在第二金属层L2也可以局部地形成有尖端部(以下，称作第二尖端部T2)。
接下来，如图10e所示，可以去除第二尖端部T2，并且金属层叠结构TS中布置在作为最上层的子金属层的尖端部T的下方的子金属层的侧面可以构成比较缓和的面。形成在布置于尖端部T的下方的部分子金属层的孔，例如，第一子层M1的第三孔H3的直径可以大于第一孔H1的直径，并且可以与第二孔H2实质相同或者相似。
然后，如图10f所示，去除光致抗蚀剂层PR。然后，可以在形成中间层的工序中层叠包括于中间层的至少一个有机物层和对向电极223，此时，包括于中间层的至少一个有机物层和对向电极223可以通过尖端部T下方的凹割结构或者凸缘结构而被分离或者断开。关于此，图10f示出了包括于中间层的功能层222b和对向电极223被断开的情形。
接下来，如图10g所示，在断开的功能层222b和对向电极223上形成第一无机封装层310。
在此步骤，第一无机封装层310可以不被断开而整体且连续地覆盖对向电极223的上表面以及凹槽G的内部表面。
以下参照图11a至图11g而说明与图10a至图10g所示不同的制造工序的实施例。
图11a至图11g是示出具有根据在先说明的图6a的B部分的另一实施例的凹槽的结构的凹槽的制造工序的剖面图。例如，图11a至图11g是依次示出根据本发明的另一实施例的显示装置的制造工序中用于形成凹槽的工序的剖面图。
首先如图11a所示，在无机绝缘层IL上以包括第二金属层L2和第一金属层L1的金属层叠结构ST、第二平坦化层119以及像素定义膜121的顺序层叠后，在像素定义膜121上形成光致抗蚀剂层PR。由于针对到此为止的过程的具体说明与参照图10a和图10b说明的内容相同，因此以下省略。
在形成光致抗蚀剂层PR后，在第一金属层L1形成与光致抗蚀剂层PR的开口OPm对应的第一孔H1。此时，光致抗蚀剂层PR存在到在金属层叠结构ST的各个子金属层形成孔的工序之前为止，并且与前述相同地维持作为图案化掩模的功能。
参照图11a，可以在作为金属层叠结构ST的最上层的第一金属层L1的上部第一子层M1首先形成第一孔H1。作为一实施例，第一子层M1可以包括钛(Ti)，第一孔H1可以利用干法蚀刻而被去除。
接下来，如图11b所示，在第一金属层L1的第二子层M2形成第二孔H2。第二孔H2与第一孔H1重叠，并且可以具有相对较大的直径，从而形成凹割结构或者凸缘结构。
在本实施例，与一次性去除第一金属层L1的第二子层M2和第二金属层L2的第二子层M2的在先实施例(参照图10d)不同地，仅去除第一金属层L1的第二子层M2而形成第二孔H2。作为一实施例，可以利用湿法蚀刻去除包括铝(Al)的第二子层M2。
接下来，如图11c所示，在作为第一金属层L1的最下层的第一子层M1和作为第二金属层L2的最上层的第一子层M1形成第三孔H3。第三孔H3与第二孔H2重叠。此时，所述第一金属层L1的第一子层M1和所述第二金属层L2的第一子层M1可以是彼此接触的层。
作为一实施例，第三孔H3可以通过将包括钛(Ti)的第一子层M1干法蚀刻而形成，此时，第三孔H3可以形成为与第二孔H2大致对应的尺寸。第三孔H3的直径可以与第二孔H2的直径实质相同或者相似。
接下来，如图11d所示，在第二金属层L2的第二子层M2形成与先步骤(参照图11c)中形成的第三孔H3重叠的第四孔H4。
由于在此步骤会去除包括铝(Al)的第二子层M2，因此与图11b所示地步骤相同地，可以利用湿法蚀刻。由于像这样利用了湿法蚀刻，第四孔H4的尺寸可能大于利用干法蚀刻而形成的第三孔H3。并且，在这种湿法蚀刻过程中，在先进行过湿法蚀刻的第一金属层L1的第二子层M2可能被附加地蚀刻。因此，在图11b的工序中已经形成的第二孔H2的尺寸和/或直径可能变得更大。
定义第三孔H3的作为第一金属层L1的最下层的第一子层M1和作为第二金属层L2的最上层的第一子层M1的边缘将配备有相比第一金属层L1的第二子层M2的边缘向第三孔H3的中心突出的第二尖端部T2。
接下来，如图11e所示，可以去除在先步骤中形成的第二尖端部(图11d的T2)的一部分。第三孔(H3)的尺寸和/或直径也可以相比图11d相对变大。
第三孔H3的直径可以小于第二孔H2的直径，并且在子金属层之间可以形成有阶梯差SP。阶梯差SP可以形成在与第一金属层L1和第二金属层L2的边界面相邻的位置。
具体地，随着作为第一金属层L1的最下层的第一子层M1和第二金属层L2相比作为第一金属层L1的中间层的第二子层M2向凹槽G中心侧突出，可以在凹槽G的内侧面形成阶梯差SP。
虽然图11e示出了以作为第一金属层L1的最下层的第一子层M1的上表面为边界而形成阶梯差SP的情形，但阶梯差SP的边界面完全可以根据一次性的蚀刻工序中被去除的层数、突出的尖端部(图11d的T)的去除量等而进行改变。
此后，如图11f所示，可以去除光致抗蚀剂层PR。在凹槽G上可以形成中间层和对向电极223，包括于中间层的至少一个有机物层和对向电极223可以通过尖端部T的凹割结构或者凸缘结构而被分离或者断开。关于此，图11f示出了包括于中间层的功能层222b和对向电极223被分离或者断开的情形。
接下来，如图11g所示，在断开的功能层222b和对向电极223上形成第一无机封装层310。
第一无机封装层310不被断开，而是整体且连续地覆盖对向电极223的上表面以及凹槽G的内部表面。因此，如上所述，可以有效地防止水分、异物等渗透到显示区域(图6a的DA)的有机发光二极管(图6a的OLED)。
如上所述，本发明虽然参考附图中示出的一实施例而进行了说明，但其仅为示例性的，只要是在本领域具有普通知识的技术人员，便可以理解能够据此进行多种变形以及实施例的变形。因此，本发明真正的技术保护范围应当根据所记载的权利要求书的技术思想而被确定。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
基板，包括开口；
多个显示要素，布置在围绕所述开口的显示区域，分别包括像素电极、对向电极以及所述像素电极和所述对向电极之间的中间层；以及
金属层叠结构，位于所述开口和所述显示区域之间，配备有多个子金属层，
其中，所述金属层叠结构包括：
第一子金属层，包括第一孔；以及
第二子金属层，位于所述第一子金属层的下方，包括与所述第一孔重叠且直径大于所述第一孔的直径的第二孔。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，
定义所述第一孔的所述第一子金属层的边缘相比定义所述第二孔的所述第二子金属层的边缘向所述第一孔的中心更加突出而形成尖端部，包括于所述中间层的至少一个有机物层通过所述尖端部而被分离。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中，还包括：
无机绝缘层，布置在所述金属层叠结构的下方，
其中，通过所述尖端部而被断开的所述至少一个有机物层的一部分位于所述无机绝缘层上。
4.如权利要求2所述的显示装置，其中，
所述对向电极通过所述尖端部而被分离。
5.如权利要求2所述的显示装置，其中，
所述至少一个有机物层包括选自空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层中的一个以上。
6.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一子金属层和所述第二子金属层包括彼此不同的金属。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中，还包括：
有机绝缘层，位于所述第一子金属层上方，并且包括与所述第一孔重叠的孔。
8.如权利要求7所述的显示装置，其中，
所述有机绝缘层的所述孔的直径实质上等于或者大于所述第一孔的直径。
9.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述金属层叠结构还包括：
第三子金属层，布置在所述第二子金属层下方，并且包括与所述第一孔及所述第二孔重叠的第三孔。
10.如权利要求9所述的显示装置，其中，
所述第三孔的直径实质上等于或者小于所述第二孔的直径。
11.一种显示装置，包括：
基板，包括开口、围绕所述开口的显示区域以及所述开口和所述显示区域之间的非显示区域；
多个显示要素，布置在所述显示区域，分别包括像素电极、对向电极以及所述像素电极和所述对向电极之间的中间层；
薄膜封装层，覆盖多个所述显示要素，包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层；
金属层叠结构，位于所述非显示区域，并且配备多个子金属层，
其中，所述金属层叠结构包括：
第一子金属层，包括第一孔；以及
第二子金属层，位于所述第一子金属层的下方，并且包括与所述第一孔重叠的第二孔，
定义所述第一孔的所述第一子金属层的边缘包括相比定义所述第二孔的所述第二子金属层的边缘向所述第一孔的中心突出的尖端部，
配备于所述中间层的至少一个有机物层或者所述对向电极中的至少一个通过所述尖端部而被分离。
12.如权利要求11所述的显示装置，其中，
所述至少一个有机物层包括选自空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层中的一个以上。
13.如权利要求11所述的显示装置，其中，
所述第一子金属层和所述第二子金属层包括彼此不同的金属。
14.如权利要求13所述的显示装置，其中，
所述第一子金属层包括钛，所述第二子金属层包括铝。
15.如权利要求11所述的显示装置，其中，还包括：
绝缘层，位于所述第一子金属层上方，并且包括与所述第一孔重叠的孔。
16.如权利要求15所述的显示装置，其中，
所述绝缘层包括有机绝缘层或者无机绝缘层。
17.如权利要求15所述的显示装置，其中，
所述绝缘层的所述孔的直径实质上等于或者大于所述第一孔的直径。
18.如权利要求11所述的显示装置，其中，
所述金属层叠结构还包括：
第三子金属层，位于所述第二子金属层下方，并且包括与所述第一孔及所述第二孔重叠的第三孔。
19.如权利要求18所述的显示装置，其中，
所述第三孔的直径实质上等于或者小于所述第二孔的直径。
20.如权利要求11所述的显示装置，其中，
所述至少一个无机封装层连续地覆盖所述第一孔和所述第二孔的内侧面。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102448325B1 (ko) * 2017-11-16 2022-09-30 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 이를 포함하는 전자장치
JP7116538B2 (ja) * 2017-11-20 2022-08-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
KR20200145902A (ko) * 2019-06-19 2020-12-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
JP7386653B2 (ja) * 2019-09-06 2023-11-27 キヤノン株式会社 発光装置及びその製造方法、プリンタ、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置並びに移動体
CN110752243B (zh) * 2019-10-31 2023-01-10 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置
KR20210107218A (ko) * 2020-02-21 2021-09-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 가요성 표시 장치
US11980046B2 (en) * 2020-05-27 2024-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for forming an isolation structure having multiple thicknesses to mitigate damage to a display device
KR20210149964A (ko) * 2020-06-02 2021-12-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
KR20220120793A (ko) * 2021-02-23 2022-08-31 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR20230003712A (ko) * 2021-06-29 2023-01-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기
KR20230032605A (ko) 2021-08-31 2023-03-07 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치
CN113658994B (zh) * 2021-09-10 2023-01-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN116719191A (zh) * 2022-01-25 2023-09-08 厦门天马微电子有限公司 阵列基板和显示面板

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101801350B1 (ko) * 2011-08-01 2017-12-21 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US8947627B2 (en) 2011-10-14 2015-02-03 Apple Inc. Electronic devices having displays with openings
US10324345B2 (en) * 2014-03-14 2019-06-18 Innolux Corporation Display device and display substrate
TWI537656B (zh) * 2014-03-14 2016-06-11 群創光電股份有限公司 顯示裝置
KR102414110B1 (ko) * 2015-09-07 2022-06-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US10205122B2 (en) 2015-11-20 2019-02-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display and method of manufacturing the same
KR102457252B1 (ko) 2015-11-20 2022-10-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2017182052A (ja) 2016-03-24 2017-10-05 Hoya株式会社 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び表示装置の製造方法
KR102103962B1 (ko) 2016-09-02 2020-06-01 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 제조 방법
KR20180062284A (ko) 2016-11-30 2018-06-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2018113104A (ja) * 2017-01-06 2018-07-19 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
CN107068715B (zh) * 2017-03-28 2019-12-20 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板、有机发光显示装置以及有机发光显示面板的制备方法
KR102458680B1 (ko) * 2017-04-28 2022-10-26 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102606282B1 (ko) * 2017-06-19 2023-11-27 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP6843710B2 (ja) * 2017-07-12 2021-03-17 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、および表示装置の製造方法
KR102083646B1 (ko) * 2017-08-11 2020-03-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102394984B1 (ko) * 2017-09-04 2022-05-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102083315B1 (ko) * 2017-09-11 2020-03-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10756156B2 (en) * 2017-10-30 2020-08-25 Samsung Display Co., Ltd. Display device having enhanced UV light blocking and method for fabricating the same
KR102448325B1 (ko) * 2017-11-16 2022-09-30 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 이를 포함하는 전자장치
JP2019095507A (ja) * 2017-11-20 2019-06-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102014179B1 (ko) * 2017-12-08 2019-08-26 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그의 제조방법
KR102520016B1 (ko) * 2018-02-02 2023-04-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치
KR20190108212A (ko) * 2018-03-13 2019-09-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치의 제조 방법
KR102583898B1 (ko) * 2018-04-30 2023-10-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
KR102610254B1 (ko) * 2018-05-18 2023-12-07 삼성디스플레이 주식회사 전자 패널 및 이의 제조 방법
KR20200003328A (ko) * 2018-06-29 2020-01-09 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102624153B1 (ko) * 2018-06-29 2024-01-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102609418B1 (ko) * 2018-06-29 2023-12-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 이를 포함하는 전자 장치, 및 표시 패널의 제조 방법
KR102548987B1 (ko) * 2018-08-09 2023-06-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102618040B1 (ko) * 2018-08-09 2023-12-27 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치의 제조방법 및 이를 통해 제조된 디스플레이 장치
KR102598230B1 (ko) * 2018-08-13 2023-11-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102661469B1 (ko) * 2018-09-11 2024-04-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR102663899B1 (ko) * 2018-09-28 2024-05-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR102626939B1 (ko) * 2018-10-05 2024-01-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200041420A (ko) * 2018-10-11 2020-04-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR20200060594A (ko) * 2018-11-21 2020-06-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR20200066503A (ko) * 2018-11-30 2020-06-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
CN110164916B (zh) 2018-12-05 2021-02-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示设备及制造显示面板的方法
WO2020150925A1 (zh) * 2019-01-23 2020-07-30 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置

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