CN116719191A - 阵列基板和显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供一种阵列基板和显示面板。阵列基板包括第一金属层、第二金属层、第一透明导电层和第二透明导电层；栅极线位于第一金属层，数据线位于第二金属层，像素电极和公共电极一者位于第一透明导电层、另一者位于第二透明导电层；阵列基板还包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；第一绝缘层位于第一透明导电层和第二透明导电层之间，第二绝缘层位于第一透明导电层和第二金属层之间，第三绝缘层位于第二金属层和第一金属层之间；第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层均为无机层；阵列基板的非显示区包括凹槽，凹槽贯穿第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层。本发明能够改善在高温高湿环境中工作时存在乱显的问题，提升性能可靠性。

Description

阵列基板和显示面板

本申请为申请日为2022年1月25日、申请号为202210089064.8、发明创造名称为“阵列基板和显示面板”的分案申请。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。

背景技术

现有的显示装置技术中，显示面板主要分为液晶显示面板和有机自发光显示面板两种主流的技术。其中，液晶显示面板通过在像素电极和公共电极上分别施加电压，形成能够控制液晶分子偏转的电场，进而控制光线的透过实现显示面板的显示功能。目前液晶显示产品在高温高湿环境中工作时存在乱显的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板和显示面板，解决现有技术中在高温高湿环境中工作时存在乱显的问题，提升性能可靠性。

第一方面，本发明实施例提供一种阵列基板，阵列基板包括衬底以及位于衬底同一侧且依次远离衬底的第一金属层、第二金属层、第一透明导电层和第二透明导电层；

阵列基板包括栅极线、数据线、像素电极和公共电极，栅极线位于第一金属层，数据线位于第二金属层，像素电极和公共电极一者位于第一透明导电层、另一者位于第二透明导电层；

阵列基板还包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；第一绝缘层位于第一透明导电层和第二透明导电层之间，第二绝缘层位于第一透明导电层和第二金属层之间，第三绝缘层位于第二金属层和第一金属层之间；第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层均为无机层；

阵列基板包括显示区和非显示区，非显示区包括凹槽；在垂直于衬底所在平面方向上，凹槽贯穿第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层。

第二方面，本发明实施例提供一种显示面板，包括本发明任意实施例提供的阵列基板。

本发明实施例提供的阵列基板和显示面板，具有如下有益效果：在非显示区设置有凹槽，凹槽贯穿第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层。第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层均为无机层，则对第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层进行刻蚀打孔形成凹槽时，刻蚀工艺耗时相对较短，能够节省工艺成本。并且设置凹槽贯穿三个无机绝缘层，能够保证凹槽具有足够大的深度。在阵列基板上涂布配向层时，配向层具有一定的流动性会向低凹处流动，当凹槽具有足够大的深度时，配向层会在凹槽的侧壁爬坡位置处断开，从而在非显示区内利用凹槽将配向层隔断。以防止水汽通过配向层进入到阵列基板内部对金属结构造成腐蚀，改善在高温高湿环境中工作时存在乱显的问题，提升性能可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种阵列基板电路示意图；

图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的膜层结构示意图；

图3为在图2实施例提供的阵列基板上涂布配向层后的示意图；

图4为本发明实施例提供的另一种阵列基板示意图；

图5为本发明实施例提供的另一种阵列基板示意图；

图6为图5中凹槽位置处局部放大示意图；

图7为本发明实施例提供的另一种阵列基板示意图；

图8为图7中切线A-A′位置处一种截面示意图；

图9为图6中切线A-A′位置处一种截面示意图；

图10为本发明实施例提供的另一种阵列基板示意图；

图11为本发明实施例提供的另一种阵列基板示意图；

图12为本发明实施例提供的另一种阵列基板示意图；

图13为本发明实施例提供的另一种阵列基板示意图；

图14为本发明实施例提供的另一种阵列基板示意图；

图15为本发明实施例提供的另一种阵列基板示意图；

图16为本发明实施例提供的另一种阵列基板示意图；

图17为本发明实施例提供的另一种阵列基板示意图；

图18为本发明实施例提供的另一种阵列基板示意图；

图19为本发明实施例提供的显示面板示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。

在现有技术中，显示面板包括阵列基板、彩膜基板、以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。阵列基板中制作有用于驱动显示面板进行显示的电路结构。在阵列基板的靠近液晶层的一侧需要涂布配向层。在高温高湿环境中工作时水汽会通过配向层进入阵列基板内部，阵列基板内部包括驱动电路和像素电路，驱动电路和像素电路中均包括金属结构，而进入阵列基板内部会对金属结构造成腐蚀，进而影响电路性能导致乱显。

本发明实施例提供一种阵列基板，在非显示区内制作凹槽，并设置凹槽贯穿阵列基板中的多个绝缘层，以使得凹槽具有足够大的深度，保证在涂布配向层时，利用凹槽将配向层进行隔断，以防止水汽通过配向层进入到阵列基板内部对金属结构造成腐蚀。

图1为本发明实施例提供的一种阵列基板电路示意图，图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的膜层结构示意图。

如图1所示，阵列基板包括栅极线10、数据线20、像素电极30阵列基板还包括多个晶体管T。栅极线10和数据线20相互交叉限定出多个像素区域。晶体管T作为像素开关，晶体管T包括栅极、源极和漏极，晶体管T的栅极耦接到栅极线10，晶体管T的源极耦接数据线20，晶体管T的漏极耦接像素电极30。阵列基板还包括公共电极，图1中并未示出公共电极。

如图2所示，阵列基板包括衬底010以及位于衬底010同一侧且依次远离衬底的第一金属层011、第二金属层012、第一透明导电层013和第二透明导电层014。其中，栅极线10位于第一金属层011，数据线20位于第二金属层012，公共电极40位于第一透明导电层013，像素电极30位于第二透明导电层014。图2中示意像素电极30位于公共电极40的远离衬底010的一侧，在另一些实施例中，像素电极30位于公共电极40的靠近衬底010的一侧，则像素电极30位于第一透明导电层013，公共电极40位于第二透明导电层014，在此不再附图示意。

在一些实施例中，第一透明导电层013和第二透明导电层014的制作材料相同。第一透明导电层013和第二透明导电层014均包括金属氧化物，比如氧化铟锡。

如图2所示的，阵列基板还包括第一绝缘层021、第二绝缘层022、第三绝缘层023和第四绝缘层024；第一绝缘层021位于第一透明导电层013和第二透明导电层之间，第二绝缘层022位于第一透明导电层013和第二金属层012之间，第三绝缘层023位于第二金属层012和第一金属层011之间；第四绝缘层024位于第一金属层011的靠近衬底010的一侧；第一绝缘层021、第二绝缘层022、第三绝缘层023、第四绝缘层024均为无机层。

阵列基板还包括半导体层015，晶体管T的有源层位于半导体层015，晶体管T的栅极位于第一金属层011、晶体管T的源极和漏极位于第二金属层012。图2中示意半导体层015位于第一金属层011的靠近衬底010的一侧，阵列基板中晶体管T为顶栅结构。在另一些实施例中，晶体管T为底栅结构，第一金属层011位于半导体层015的靠近衬底010的一侧，在此不再附图示意。

阵列基板包括显示区AA和非显示区BA，非显示区BA包括凹槽50；在垂直于衬底010所在平面方向e上，凹槽50贯穿第一绝缘层021、第二绝缘层022和第三绝缘层023。

在显示面板制作时，需要在阵列基板上涂布配向层。图3为在图2实施例提供的阵列基板上涂布配向层后的示意图。如图3所示的，由于凹槽50具有一定深度，在涂布配向层60时，使得配向层60在凹槽50位置处断开。

在一些现有技术中，位于晶体管T的远离衬底010的一侧的至少一个绝缘层会采用有机材料制作。比如位于公共电极和晶体管T之间的绝缘层采用有机材料制作，原因在于有机绝缘层的厚度较厚能够为公共电极或者像素电极的制作提供一个相对平坦的基底，而无机绝缘层的厚度相比与有机绝缘层的厚度会更薄。但是由于有机绝缘层的厚度较厚，在对有机绝缘层进行刻蚀时的工艺用时也会更长，工艺成本较高。

本发明实施例提供的阵列基板在非显示区BA设置有凹槽50，凹槽50贯穿第一绝缘层021、第二绝缘层022和第三绝缘层023。第一绝缘层021、第二绝缘层022和第三绝缘层023均为无机层，则对第一绝缘层021、第二绝缘层022和第三绝缘层023进行刻蚀打孔形成凹槽50时，刻蚀工艺耗时相对较短，能够节省工艺成本。其中，第一绝缘层021、第二绝缘层022、以及第三绝缘层023的刻蚀工艺可以是分别单独进行的；也可以是第三绝缘层023单独刻蚀，而第一绝缘层021和第二绝缘层022同时刻蚀。设置凹槽50贯穿三个无机绝缘层，能够保证凹槽50具有足够大的深度。其中，凹槽50的深度可以理解为在垂直于衬底010所在平面的方向e上凹槽50的高度。在阵列基板上涂布配向层60时，配向层60具有一定的流动性会向低凹处流动，当凹槽50具有足够大的深度时，配向层60会在凹槽50的侧壁爬坡位置处断开，从而在非显示区BA内利用凹槽50将配向层60隔断。以防止水汽通过配向层60进入到阵列基板内部对电路结构中的金属结构造成腐蚀，改善在高温高湿环境中工作时存在乱显的问题，提升性能可靠性。

在一些实施例中，本发明实施例提供的阵列基板可以采用如下工艺制作。首先在衬底010之上制作半导体层015。然后在半导体层015之上制作第四绝缘层024。在第四绝缘层024的工艺之后制作第一金属层011，晶体管T的栅极、阵列基板中的栅极线10位于第一金属层011。在第一金属层011的工艺之后制作第三绝缘层023。在第三绝缘层023工艺之后进行第一次打孔工艺，经过第一次打孔工艺在显示区AA内形成贯穿第三绝缘层023和第四绝缘层024的第一过孔K1，第一过孔K1暴露半导体层015，同时在非显示区BA形成贯穿第三绝缘层023的第二子槽52。然后制作第二金属层012，晶体管T的源极和漏极分别通过第一过孔K1连接到半导体层015。在第二金属层012的工艺之后制作第二绝缘层022。然后在第二绝缘层022的远离衬底011的一侧制作第一透明导电层013，公共电极40位于第一透明导电层013。第一透明导电层013工艺之后制作第一绝缘层021。然后进行第二次打孔工艺，经过第二次打孔工艺之后，在显示区AA内形成贯穿第一绝缘层021和第二绝缘层022的第二过孔K2，第二过孔K2包括位于第二金属层012中的漏极，同时在非显示区BA形成贯穿第一绝缘层021和第二绝缘层022的第一子槽51，在垂直于衬底010所在平面方向e上，第一子槽51和第二子槽52相交叠形成凹槽50。然后制作第二透明导电层014，像素电极30位于第二透明导电层014，像素电极30通过第二过孔K2连接到晶体管T的漏极。

图2实施例中，公共电极40位于第一透明导电层013，像素电极30位于第二透明导电层014。则在形成凹槽50时第一绝缘层021和第二绝缘层022的刻蚀可以在同一个刻蚀工艺中进行。

在一些实施例中，像素电极30位于第一透明导电层013，公共电极40位于第二透明导电层014，则在形成凹槽50时第一绝缘层021的刻蚀和第二绝缘层022的刻蚀需要分别在两个刻蚀工艺中进行。

在一些实施例中，图4为本发明实施例提供的另一种阵列基板示意图，如图4所示，在垂直于衬底010所在平面方向e上，凹槽50贯穿至少部分第四绝缘层024。也即该实施方式中凹槽50贯穿四个绝缘层，则凹槽50的深度更深，在阵列基板上制作配向层60时更有利于将配向层60进行隔断。

在一些实施例中，图5为本发明实施例提供的另一种阵列基板示意图，图6为图5中凹槽位置处局部放大示意图。如图5所示，第一子槽51的侧壁包括靠近衬底010一侧的第一端D1，第二子槽52的侧壁包括远离衬底010一侧的第二端D2；第一端D1位于第二端D2的远离衬底010的一侧。如图6所示的，在第一方向x上，第一端D1和第二端D2之间的间距为d1，d1≤1μm，第一方向x与衬底010所在平面平行。本发明实施例中设置第一端D1和第二端D2之间的间距较小，在一些实施例中第一端D1和第二端D2之间的间距可以为0。在一些实施例中，第一子槽51和第二子槽52在不同的打孔工艺中制作，通过对第一端D1和第二端D2之间的间距的限定，能够避免在凹槽50的侧壁上形成较大的台阶，防止台阶过缓影响凹槽50对配向层60进行隔断的能力。

如图6所示的，第一子槽51的侧壁与衬底010所在平面形成的朝向凹槽50的夹角为θ1，第二子槽52的侧壁与衬底010所在平面形成的朝向凹槽50的夹角为θ2，其中，120°≤θ1≤150°，120°≤θ2≤150°。该实施方式分别对θ1和θ2的角度范围进行限定，在绝缘层厚度一定的情况下，能够保证第一子槽51的侧壁和第二子槽52的侧壁均具有较大的坡度，有利于配向层在凹槽50的侧壁爬坡位置处断开，从而防止水汽通过配向层进入到阵列基板内部对金属结构造成腐蚀，改善在高温高湿环境中工作时存在乱显的问题，提升性能可靠性。

在一些实施方式中，阵列基板还包括阻挡层，阻挡层用于对水汽进行阻挡，减缓水汽进入膜层的速度，能够进一步提升产品性能可靠性。

在一些实施例中，图7为本发明实施例提供的另一种阵列基板示意图，如图7所示，阵列基板包括位于非显示区BA的驱动电路70，驱动电路70位于凹槽50的靠近显示区AA的一侧。驱动电路70包括多个级联的移位寄存器(图7中未示出)，阵列基板中的栅线与移位寄存器耦接。阻挡层80包括第一阻挡层81，第一阻挡层81位于驱动电路70的远离衬底010的一侧；第一阻挡层81在衬底010的正投影覆盖至少部分驱动电路70在衬底010的正投影。第一阻挡层81能够在驱动电路70的远离衬底010的一侧对驱动电路70进行防护，第一阻挡层81能够阻隔水汽进入驱动电路70，以防止水汽对金属结构造成腐蚀。

在一些实施例中，第一阻挡层81耦接到恒定电压信号，可选的，第一阻挡层81与公共电极耦接。如此设置第一阻挡层81还能够起到一定的静电屏蔽作用，防止静电对驱动电路70的工作造成干扰。

在一些实施例中，图8为图7中切线A-A′位置处一种截面示意图。如图第一阻挡层81包括第一子阻挡层81a，第一子阻挡层81a位于第一绝缘层021的远离衬底010的一侧。第一子阻挡层81a在驱动电路70的远离衬底010的一侧对驱动电路70进行防护，第一子阻挡层81a能够阻隔水汽进入驱动电路70，以防止水汽对金属结构造成腐蚀。图8中对驱动电路70仅做简化示意，仅示意出了驱动电路70中的一个晶体管T。

可选的，第一子阻挡层81a采用金属氧化物制作，第一子阻挡层81a包括氧化铟锡。氧化铟锡铟锡材料稳定性好，耐腐蚀、耐水，能够减缓水汽进入膜层的速度。可选的，第一子阻挡层81a位于第二透明导电层014，第一子阻挡层81a能够与第二透明导电层014中的结构在同一工艺制程中制作，第一子阻挡层81a的设置不增加新的工艺制程。

在一些实施例中，图9为图6中切线A-A′位置处一种截面示意图。第一阻挡层81包括第二子阻挡层81b，第二子阻挡层81b位于第一绝缘层021和第二绝缘层022之间。第二子阻挡层81b在驱动电路70的远离衬底010的一侧对驱动电路70进行防护，第二子阻挡层81b能够阻隔水汽进入驱动电路70，以防止水汽对金属结构造成腐蚀。

可选的，第二子阻挡层81b采用金属氧化物制作，第二子阻挡层81b包括氧化铟锡。可选的，第二子阻挡层81b位于第一透明导电层013，第二子阻挡层81b能够与第一透明导电层013中的结构在同一工艺制程中制作，第二子阻挡层81b的设置不增加新的工艺制程。

在另一些实施例中，阵列基板包括第一子阻挡层81a和第二子阻挡层81b，在此不再附图示意。

在一些实施例中，图10为本发明实施例提供的另一种阵列基板示意图，如图10所示，阻挡层80包括第二阻挡层82，第二阻挡层82覆盖凹槽50的至少部分侧壁。第二阻挡层82能够在凹槽50的侧壁位置处对水汽进行阻隔，防止水汽经由图10中箭头示意的方向进入到膜层内部，有利于防止水汽进入到膜层内部后对金属结构造成腐蚀。

在一些实施例中，第二阻挡层82采用金属氧化物制作，第二阻挡层82包括氧化铟锡。氧化铟锡铟锡材料稳定性好，耐腐蚀、耐水，能够减缓水汽进入膜层的速度。

如图10所示的，由显示区AA指向非显示区BA的方向y上，凹槽50包括相对的第一侧壁B1和第二侧壁B2，第一侧壁B1距显示区AA的距离小于第二侧壁B2距显示区AA的距离。换句话说，对于一个凹槽50来说，第一侧壁B1位于第二侧壁B2的靠近显示区AA的一侧。其中，第二阻挡层82覆盖至少部分第一侧壁B1。图10中示意第二阻挡层82覆盖第一侧壁B1和第二侧壁B2。

发明人考虑到：对于凹槽50来说，第一侧壁B1距显示区AA的距离更近，当水汽进入第一侧壁B1后会沿图10中箭头示意的方向向显示区AA所在方向移动，而水汽进入第二侧壁B2后会向远离显示区AA的方向移动，所以相对来说对在第一侧壁B1位置处对水汽进行阻隔的需求更加迫切。本发明实施例中设置第二阻挡层82覆盖至少部分第一侧壁B1，能够在一定程度上阻断水汽进入膜层内部的通路，防止水汽经由凹槽50的侧壁进入到膜层内部并向显示区AA移动，防止非显示区BA内的驱动电路或者显示区AA内的像素电路被腐蚀造成乱显。

在一些实施例中，图11为本发明实施例提供的另一种阵列基板示意图，如图11所示，阵列基板还包括位于非显示区BA的隔断柱90，隔断柱90位于第一绝缘层021的远离衬底010的一侧，隔断柱90与凹槽50相邻。隔断柱90和与其相邻的凹槽50进行配合，则隔断柱90的侧壁和凹槽50的侧壁能够形成连续的较高深度的斜坡。可以理解，此处深度是指斜坡的高度，也即在垂直于衬底010所在平面的方向上隔断柱90的远离衬底010一侧的表面距凹槽50槽底的距离，如图11中示意的深度h。隔离柱90的设置，使得在涂布配向层时，配向层在隔断柱90的侧壁和凹槽50的侧壁形成的连续斜坡位置处爬坡的高度更大，配向层更容易断开。从而有效防止水汽通过配向层进入到阵列基板内部对金属结构造成腐蚀，改善在高温高湿环境中工作时存在乱显的问题，提升性能可靠性。

在一些实施例中，图12为本发明实施例提供的另一种阵列基板示意图，如图12所示，阵列基板包括至少两个凹槽50，凹槽50包括内侧凹槽50-0；由显示区AA指向非显示区BA的方向上，内侧凹槽50-0在至少两个凹槽50中距显示区AA的距离最近；也就是说，内侧凹槽50-0为多个凹槽50中距离显示区AA最近的凹槽。其中，隔断柱90位于内侧凹槽50-0的远离显示区AA的一侧。隔断柱90的侧壁和凹槽50的侧壁能够形成连续的较高深度的斜坡，利用隔断柱90的侧壁与凹槽50的侧壁相配合能够提升对配向层进行隔断的能力。同时将隔断柱90设置在内侧凹槽50-0的远离显示区AA的一侧，能够在距离阵列基板内电路结构较远的位置处就对配向层进行隔断，使得配向层隔断位置处距电路结构的距离较远，降低水汽长时间侵入时对电路结构的影响。而且，内侧凹槽50-0的靠近显示区AA一侧的侧壁还能够进一步将配向层进行隔断，在由非显示区BA指向显示区AA的方向上能够形成对配向层的多层隔断。

在一些实施例中，图13为本发明实施例提供的另一种阵列基板示意图，如图13所示，阵列基板包括位于显示区AA的多个支撑柱91，隔断柱90与支撑柱91位于同一层。在组装成显示面板时，支撑柱91能够在彩膜基板和阵列基板之间起到支撑作用，保证显示面板的显示区内各个位置处液晶层厚度均一，确保显示效果。设置隔断柱90与支撑柱91位于同一层，则隔断柱90能够与支撑柱91在同一工艺制程中制作，简化了工艺制程。

在一些实施例中，图14为本发明实施例提供的另一种阵列基板示意图，如图14所示，阻挡层80包括第三阻挡层83，第三阻挡层83覆盖隔断柱90的至少部分侧壁，第三阻挡层83能够在隔断柱90的侧壁位置处对水汽进行阻隔，防止水汽经由隔断柱90进入到膜层内部，有利于防止水汽进入到膜层内部后对金属结构造成腐蚀。

在一些实施例中，第三阻挡层83采用金属氧化物制作，第三阻挡层83包括氧化铟锡。氧化铟锡铟锡材料稳定性好，耐腐蚀、耐水，能够减缓水汽进入膜层的速度。

如图14所示的，隔断柱包括第三侧壁B3和第四侧壁B4；由显示区AA指向非显示区BA的方向上，第三侧壁B3距显示区AA的距离小于第四侧壁B4距显示区AA的距离。换句话说，第三侧壁B3为隔断柱90的靠近显示区AA一侧的侧壁，第四侧壁B4为隔断柱90的远离显示区AA一侧的侧壁。其中，第三阻挡层83覆盖至少部分第四侧壁B4。图14中示意第三阻挡层83覆盖第四侧壁B4和第三侧壁B3。

发明人考虑到：对于一个隔断柱90来说，当水汽进入第三侧壁B3后会在隔断柱90内向远离显示区AA的方向移动并可能移动到第四侧壁B4位置处，而水汽进入第四侧壁B4后会在隔断柱90内向靠近显示区AA的方向移动并移动到第三侧壁B3，所以在第四侧壁B4位置处对水汽进行阻隔的需求更加迫切。本发明实施例中设置第三阻挡层83覆盖至少部分第四侧壁B4，能够在一定程度上阻断水汽进入隔断柱90并经由隔断柱90向显示区AA移动。

本发明实施例中阻挡层80包括第一阻挡层81、和/或第二阻挡层82、和/或第三阻挡层83。本发明实施例中阻挡层80的制作材料具有疏水作用，利用其疏水作用来减弱阻挡层80对水汽的传递作用。在一些实施例中，阻挡层80的材料包括氧化铟锡。阻挡层80的制作材料也可以是出氧化铟锡之外的其他具有阻水功能的材料。

在一些实施例中，图15为本发明实施例提供的另一种阵列基板示意图，如图15所示，阵列基板包括位于非显示区BA的垫层结构85；垫层结构85位于第一绝缘层021的靠近衬底010的一侧。在第一方向x上，垫层结构85的边缘距相邻的凹槽50的侧壁的距离为d2，0.5μm≤d2≤1μm，第一方向x与衬底010所在平面平行。图15示意的阵列基板的截面图，则在第一方向x上垫层结构85包括靠近显示区AA的边缘和远离显示区AA的边缘，共两个边缘；凹槽50包括靠近显示区AA的侧壁和远离显示AA的侧壁，共两个侧壁。凹槽50的两个侧壁距垫层结构85的距离不同。当在第一方向x上，垫层结构85位于凹槽50的远离显示区AA的一侧时，也即垫层结构85相比于凹槽50距显示区AA的距离更远时，d2是指垫层结构85的靠近显示区AA一侧的边缘距凹槽50的远离显示区AA一侧的侧壁的距离。当在第一方向x上，垫层结构85位于凹槽50的靠近显示区AA的一侧时，也即垫层结构85相比于凹槽50距显示区AA的距离更近时，d2是指垫层结构85的远离显示区AA一侧的边缘距凹槽50的靠近显示区AA一侧的侧壁的距离。

本发明实施例中对垫层结构85的边缘距相邻的凹槽50的侧壁的距离d2进行限定，保证垫层结构85距凹槽50的距离不会过大，从而能够利用垫层结构85来增大凹槽50的侧壁形成的斜坡的高度，同时保证凹槽50的侧壁内不会形成相对平缓的台阶，由此能够确保凹槽50对配向层进行隔断的能力，

如图15所示，垫层结构85包括第一金属垫块85a和第二金属垫块85b，第一金属垫块85a位于第一金属层011，第二金属垫块85b位于第二金属层012。

在一些实施例中，阵列基板仅包括第一金属垫块85a。在另一些实施例中，阵列基板仅包括第二金属垫块85b，在此不再附图示意。

在一些实施例中，图16为本发明实施例提供的另一种阵列基板示意图，如图16所示，阵列基板还包括位于非显示区BA的接地线88；凹槽50包括至少一个第一凹槽50-1，第一凹槽50-1位于接地线88的靠近显示区AA的一侧。并且第一凹槽50-1位于驱动电路70和接地线88之间。第一凹槽50-1能够在接地线88的靠近显示区AA的一侧对配向层进行隔断，以阻断水汽经由配向层进行到显示区内部。

如图16所示的，第一凹槽50-1沿环绕显示区AA的方向设置，第一凹槽50-1为非闭合通槽。如此设置能够在多个方向上对配向层进行隔断。图16中示意在接地线88的靠近显示区AA的一侧仅设置一个第一凹槽50-1。在一些实施方式中，在接地线88的靠近显示区AA的一侧排列设置有两个或两个以上数量的第一凹槽50-1，以在多个位置处对配向层进行隔断，提升对配向层进行隔断的隔断效果。

在一些实施例中，图17为本发明实施例提供的另一种阵列基板示意图，如图17所示，阵列基板还包括位于非显示区BA的接地线88；凹槽50包括至少一个第二凹槽50-2，第二凹槽50-2位于接地线88的远离显示区AA的一侧。第二凹槽50-2能够在接地线88的远离显示区AA的一侧对配向层进行隔断，以阻断水汽经由配向层向显示区的方向移动。

如图17所示的，在沿显示区AA的边缘延伸的方向上，多个第二凹槽50-2排列成凹槽列50L；由显示区AA指向非显示区BA的方向上，排布有至少两个凹槽列50L，其中，图17中示意排列有两个凹槽列50L。在凹槽列50L中相邻的两个第二凹槽50-2之间的区域为保留区Q，其中，保留区Q所在位置处的绝缘层没有被去除掉。对于相邻的两个凹槽列50L：在由显示区AA指向非显示区BA的方向上，其中一个凹槽列50L中的保留区Q与另一个凹槽列50L中的第二凹槽50-2相对应(如图17中箭头示意的位置)。如此设置能够使得在多个第二凹槽50-2位置处分别对配向层进行隔断，以对水汽经由配向层向显示区AA内的传输造成障碍，阻止水汽经由配向层进入到膜层内部后对金属结构造成腐蚀。

在一些实施例中，图18为本发明实施例提供的另一种阵列基板示意图，如图18所示，阵列基板包括远离显示区AA的侧边边缘BY；第二凹槽50-2的槽底延伸到侧边边缘BY。侧边边缘BY即阵列基板的外边缘，也即阵列基板的切割边缘。该实施方式中，将靠近侧边边缘BY的至少部分绝缘层挖掉形成第二凹槽50-2，能够增加第二凹槽50-2的储液能力，也就是说，在涂布配向层时，具有一定流动性的配向层更容易向第二凹槽50-2所在的低凹位置处流动，并存储在第二凹槽50-2内，从而使得配向层在第二凹槽50-2的侧壁位置处断开，以阻隔水汽经由配向层进入到膜层内部对金属结构造成腐蚀。

如图18所示的，在靠近第二凹槽50-2的位置处设置有垫层结构85，垫层结构85的设置能够增大第二凹槽50-2的侧壁形成的斜坡的高度，提升第二凹槽50-2对配向层进行隔断的能力。

在一些实施例中，阵列基板还包括第二阻挡层82，第二阻挡层82覆盖第二凹槽50-2的至少部分侧壁，以阻挡水汽经由第二凹槽50-2的侧壁进行膜层内部。在此不再附图示意。

本发明实施例还提供一种显示面板，图19为本发明实施例提供的显示面板示意图，如图19所示，显示面板包括本发明任意实施例提供的阵列基板100。显示面板还包括彩膜基板200和液晶层300，其中，液晶层300位于阵列基板100和彩膜基板200之间。对于阵列基板100的结构在上述实施例中已经说明，在此不再赘述。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，

所述阵列基板包括衬底以及位于所述衬底同一侧且依次远离所述衬底的第一金属层、第二金属层、第一透明导电层和第二透明导电层；

所述阵列基板包括栅极线、数据线、像素电极和公共电极，所述栅极线位于所述第一金属层，所述数据线位于所述第二金属层，所述像素电极和所述公共电极一者位于所述第一透明导电层、另一者位于所述第二透明导电层；

所述阵列基板还包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；所述第一绝缘层位于所述第一透明导电层和所述第二透明导电层之间，所述第二绝缘层位于所述第一透明导电层和所述第二金属层之间，所述第三绝缘层位于所述第二金属层和所述第一金属层之间；所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第三绝缘层均为无机层；

所述阵列基板包括显示区和非显示区，所述非显示区包括凹槽；

在垂直于所述衬底所在平面方向上，所述凹槽贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层；

所述阵列基板涂布有配向层，所述配向层位于所述第二透明导电层远离所述衬底一侧；

在所述非显示区，所述配向层涂布在所述第一绝缘层远离所述第二绝缘层一侧；

所述凹槽包括第一子槽和第二子槽；

在垂直于所述衬底所在平面方向上，所述第一子槽和所述第二子槽相交叠，所述第一子槽贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，所述第二子槽贯穿所述第三绝缘层；

所述第一子槽的侧壁包括靠近所述衬底一侧的第一端，所述第二子槽的侧壁包括远离所述衬底一侧的第二端；所述第一端位于所述第二端的远离所述衬底的一侧；在第一方向上，所述第一端和所述第二端之间的间距为d1，DD212932I

d1≤1μm，所述第一方向与所述衬底所在平面平行。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述凹槽，用于在所述非显示区涂布所述配向层时，使得所述配向层在所述凹槽位置处断开。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一子槽的侧壁与所述衬底所在平面形成的朝向所述凹槽的夹角为θ1，所述第二子槽的侧壁与所述衬底所在平面形成的朝向所述凹槽的夹角为θ2，其中，θ1≤150°，θ2≤150°。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述阵列基板还包括第四绝缘层，所述第四绝缘层位于所述第一金属层的靠近所述衬底的一侧；

在垂直于所述衬底所在平面方向上，所述凹槽贯穿至少部分所述第四绝缘层。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述阵列基板还包括位于所述非显示区的隔断柱，所述隔断柱位于所述第一绝缘层的远离所述衬底的一侧，所述隔断柱与所述凹槽相邻。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述阵列基板包括位于所述非显示区的垫层结构；所述垫层结构位于所述第一绝缘层的靠近所述衬底的一侧；

在第一方向上，所述垫层结构的边缘距相邻的所述凹槽的侧壁的距离为d2，0.5μm≤d2≤1μm，所述第一方向与所述衬底所在平面平行。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，

所述垫层结构包括第一金属垫块，所述第一金属垫块位于所述第一金属层；和/或，所述垫层结构包括第二金属垫块，所述第二金属垫块位于所述第二金属层。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，DD212932I

所述阵列基板还包括位于所述非显示区的接地线；

所述凹槽包括至少一个第二凹槽，所述第二凹槽位于所述接地线的远离所述显示区的一侧。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，

在沿所述显示区的边缘延伸的方向上，多个所述第二凹槽排列成凹槽列；

由所述显示区指向所述非显示区的方向上，排布有至少两个所述凹槽列；

在所述凹槽列中相邻的两个所述第二凹槽之间的区域为保留区；

对于相邻的两个所述凹槽列：在由所述显示区指向所述非显示区的方向上，其中一个所述凹槽列中的所述保留区与另一个所述凹槽列中的所述第二凹槽相对应。

10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的阵列基板。