CN112102852A - 磁记录介质的制造方法 - Google Patents

Abstract

提供一种磁记录介质的制造方法，其不使润滑层厚膜化，润滑层的粘合率较大，并且形成有润滑层的一侧的表面的动摩擦系数及表面能较小。该磁记录介质的制造方法具有在磁记录介质的半成品(7)的保护层(160)上形成润滑层的润滑层形成工序，磁记录介质的半成品(7)在衬底(100)上依次形成有磁记录层(150)及保护层(160)。润滑层形成工序包括：在磁记录介质的半成品(7)的保护层(160)上涂布第一有机氟化合物的工序；以及向磁记录介质的半成品(7)的保护层(160)上供应包含第二有机氟化合物的气体，并通过汤森放电和紫外线照射使第二有机氟化合物分解的工序。保护层(160)包含碳。第一有机氟化合物在末端具有官能团。

Description

磁记录介质的制造方法

技术领域

本发明涉及一种磁记录介质的制造方法。

背景技术

近些年，磁存储装置被搭载于个人计算机、录像机、数据服务器等各种产品中，其重要性正在提高。磁存储装置具有通过磁记录来保存电子数据的磁记录介质。作为磁存储装置，例如可以举出磁盘装置、软盘装置、磁带装置等。作为磁盘装置，例如可以举出硬盘驱动器(HDD)等。

对于一般的磁记录介质，例如可以通过在非磁性衬底上依次形成基底层、中间层、磁记录层、保护层，然后在保护层的表面上涂布润滑层来制造。作为构成润滑层的材料，例如使用全氟聚醚。

作为在保护层的表面上形成润滑层的方法，已知有浸渍法、旋涂法、汽相润滑(vapor-lubrication)法(例如参见专利文献1)等。

另外，已知一种方法，其在附着在保护膜上的包含润滑剂成分的粘合层上形成自由层，该自由层通过使磁记录介质以衬底的中心为旋转中心进行旋转从而向着衬底的外周侧移动自如，并且包含润滑剂成分(例如参见专利文献2)。

此外，已知一种方法，其在于表层部具有含氮等离子体聚合膜的碳膜上，形成包含具有全氟聚醚基团的含氟一元羧酸的润滑剂层(例如参见专利文献3)。

另外，在专利文献4中公开了一种薄膜制造方法，其包括将工件布置在腔室内的工序、在将腔室内保持为预定压力的状态下向腔室内供应处理气体以在工件表面上形成润滑膜的工序、通过向工件表面照射具有3eV以上且10eV以下的能量的紫外线从而从工件表面发射光电子的工序、以及对工件表面施加交流电场的工序。在此，工件为磁盘的半成品，处理气体为包含全氟聚醚结构的有机物，交流电场具有不会产生辉光放电等离子体且会产生汤森放电的电场强度。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1：日本特开2014-191847号公报

专利文献2：日本特开2006-147012号公报

专利文献3：日本特开2000-17281号公报

专利文献4：日本特开2018-150574号公报

发明内容

[本发明要解决的问题]

在此，考虑到磁记录介质与磁头之间偶然发生的接触，期望磁记录介质的形成有润滑层的一侧的表面的动摩擦系数较小。另外，考虑到磁记录介质的耐腐蚀性，期望保护层的表面被润滑层所覆盖的覆盖率较高，即磁记录介质的形成有润滑层的一侧的表面的表面能较小。虽然这种特性能够通过对包括自由层的润滑层进行厚膜化来实现，但是为了降低磁记录层与磁头之间的间隔损耗(spacing loss)，期望使润滑层薄膜化。另外，由于自由层有时会被转印至磁头而污染磁头，因此期望润滑层的粘合率较大。

本发明的一个方面的目的在于提供一种磁记录介质的制造方法，其不使润滑层厚膜化，润滑层的粘合率较大，并且形成有润滑层的一侧的表面的动摩擦系数及表面能较小。

[用于解决问题的手段]

(1)一种磁记录介质的制造方法，具有在磁记录介质的半成品的保护层上形成润滑层的工序，该磁记录介质的半成品在衬底上依次形成有磁记录层及保护层，其中，所述工序包括：在所述磁记录介质的半成品的保护层上涂布第一有机氟化合物的工序；以及向所述磁记录介质的半成品的保护层上供应包含第二有机氟化合物的气体，并通过汤森放电和紫外线照射使该第二有机氟化合物分解的工序，所述保护层包含碳，所述第一有机氟化合物在末端具有官能团。

(2)根据(1)所述的磁记录介质的制造方法，其中，所述第一有机氟化合物具有全氟聚醚结构，在单个末端具有羧基或羟基，并且重均分子量为1500以上。

(3)根据(1)或(2)所述的磁记录介质的制造方法，其中，所述第二有机氟化合物具有全氟聚醚结构，并且重均分子量为700以上，使所述第二有机氟化合物分解，以生成重均分子量为500以下的化合物。

[发明的效果]

根据本发明的一个方面，能够提供一种磁记录介质的制造方法，其不使润滑层厚膜化，润滑层的粘合率较大，并且形成有润滑层的一侧的表面的动摩擦系数及表面能较小。

附图说明

图1是示出在工序B中所使用的薄膜形成装置的一个示例的示意图。

图2是示出图1的磁记录介质的半成品的层叠结构的一个示例的剖视图。

图3是示出磁存储装置的结构的一个示例的立体图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。

[磁记录介质的制造方法]

本实施方式的磁记录介质的制造方法具有在磁记录介质的半成品的保护层上形成润滑层的工序(以下称为润滑层形成工序)，该磁记录介质的半成品在衬底上依次形成有磁记录层及保护层。在此，“半成品”有时也被称为“未完成产品”或“不完全产品”。

需要说明的是，在磁记录介质的半成品中，在衬底的单面或两面上形成磁记录层和保护层。

[润滑层形成工序]

润滑层形成工序包括：在磁记录介质的半成品的保护层上涂布第一有机氟化合物的工序(以下称为工序A)；以及向磁记录介质的半成品的保护层上供应包含第二有机氟化合物的气体，并通过汤森放电(Townsend discharge)和紫外线照射使第二有机氟化合物分解的工序(以下称为工序B)。

其中，保护层包含碳，第一有机氟化合物在末端具有官能团。

工序A主要是形成包含在润滑层中的自由层的工序，工序B主要是形成包含在润滑层中的粘合层的工序。

在工序A中，第一有机氟化合物经由官能团被吸附至保护层的表面的吸附位(adsorption site)，第一有机氟化合物起到自由层的功能，磁记录介质的形成有润滑层的一侧的表面的动摩擦系数变小。

例如，在保护层为掺杂氮的碳膜的情况下，氮化碳为吸附位。

另外，在保护层为碳膜的情况下，形成在保护层的表面上的凹部、凸部为吸附位。

由于第一有机氟化合物被吸附在保护层上，因此抑制了由工序A所形成的自由层被转印至磁头而污染磁头。

工序B是使构成润滑层的第二有机氟化合物的分解生成物化学键结至保护层的表面以形成粘合层的工序。由于工序B中的化学键结比工序A中的吸附牢固得多，因此润滑层的热稳定性得到提高。即，虽然在工序A中被吸附至保护层的吸附位的第一有机氟化合物会在其沸点附近从保护层的表面上脱离，但是在工序B中化学键结至保护层的表面上的第二有机氟化合物的分解生成物不会在第二有机氟化合物的沸点附近从保护层的表面上脱离。此外，在工序B中化学键结至保护层的表面上的第二有机氟化合物的分解生成物也不会从保护层的表面上脱离从而被转印至磁头并污染磁头。

另外，由于工序B中的第二有机氟化合物的分解生成物在由汤森放电和紫外线照射所产生的环境下处于活性状态，并且在保护层的表面的吸附位以外的部分也化学键结，因此保护层的表面被润滑层覆盖的覆盖率得到提高，使得磁记录介质的耐腐蚀性提高。

[工序A]

作为将第一有机氟化合物涂布到保护层的表面上的方法，并无特别限定，可以使用公知的方法，例如可以举出浸渍法、旋涂法、汽相润滑法。

在使用浸渍法将第一有机氟化合物涂布到保护层的表面上的情况下，例如将磁记录介质的半成品浸渍在以有机溶剂来稀释第一有机氟化合物的涂布液中，然后以预定速度拉起。

在使用旋涂法将第一有机氟化合物涂布到保护层的表面上的情况下，例如从喷嘴向磁记录介质的半成品的表面吹送以有机溶剂来稀释第一有机氟化合物的涂布液，然后使磁记录介质的半成品高速旋转以甩掉多余的涂布液。

在使用汽相润滑法将第一有机氟化合物涂布到保护层的表面上的情况下，例如对第一有机氟化合物进行加热以生成蒸汽，然后将蒸汽导入布置有磁记录介质的半成品的腔室内。在此，用于对第一有机氟化合物进行加热的温度通常为大约90℃～150℃，腔室内的压力通常为大约1Pa～50Pa，磁记录介质的半成品的暴露时间通常为大约为2秒～30秒。由此，自由层的厚度变得均匀。

第一有机氟化合物优选具有全氟聚醚结构。由此，磁记录介质的形成有润滑层的一侧的表面的表面能进一步减小。

作为用于对第一有机氟化合物进行稀释的有机溶剂，例如可以举出Vertrel XF(Chemours-Mitsui Fluoroproducts公司制)等氟类溶剂等。

在此，全氟聚醚结构是指烃的大部分氢原子被氟原子取代的结构，并且在该结构中包含醚键(-C-O-C-)作为主链的结构的总称。

在此，全氟聚醚可以是单一聚合物以及共聚物(例如无规共聚物、嵌段共聚物)中的任意一者。

作为全氟聚醚结构，例如可以举出由通式(a)～(h)表示的结构。

-CF₂(OCF₂CF₂)_pOCF₂- (a)

-(CF₂CF₂O)_qCF₂- (b)

-CF₂(OCF₂CF₂)_r(OCF₂)_sOCF₂- (c)

-(CF₂O)_t(CF₂CF₂O)_u(CF₂O)_vCF₂- (d)

-(CF₂CF₂CF₂O)_wCF₂CF₂- (e)

-(CF₂CF(CF₃)O)_xCF₂- (f)

-CF₂CF₂(OCF₂CF₂CF₂)_yOCF₂CF₂- (g)

-CF₂CF₂CF₂O(CF₂CF₂CF₂CF₂O)_zCF₂CF₂CF₂- (h)

(在通式(a)～(h)中，p、q、r、s、t、u、v、w、x、y及z为聚合度。需要说明的是，在存在多种作为构成单位的全氟亚烷氧基(perfluoroalkyleneoxy group)的情况下，构成单位的键结顺序是任意的顺序，并且全氟聚醚结构例如可以是无规共聚物。)

需要说明的是，第一有机氟化合物可以在单个末端或两个末端具有官能团。

在单个末端具有官能团的第一有机氟化合物的不具有官能团的末端例如具有氢原子、碳数为1～4的烷基、碳数为1～4的卤代烷基、氟原子等卤素原子。

第一有机氟化合物优选在单个末端具有羧基或羟基。由此，在第一有机氟化合物中，仅一个末端被吸附至保护层的表面的吸附位，另一个末端为自由的状态。因此，磁记录介质的形成有润滑层的一侧的表面的动摩擦系数进一步减小，易于缓和因磁头的偶然发生接触而引起的冲击。

第一有机氟化合物的重均分子量优选为1500以上。由此，磁记录介质的形成有润滑层的一侧的表面的动摩擦系数进一步减小，同时进一步抑制了第一有机氟化合物被转印至磁头而污染磁头。另外，由于第一有机氟化合物的沸点较高，因此第一有机氟化合物难以从保护层的表面上脱离。

[工序B]

工序B是通过汤森放电和紫外线照射使第二有机氟化合物分解，并使处于活性状态的第二有机氟化合物的分解生成物化学键结至保护层的表面的工序。

图1示出了在工序B中所使用的薄膜形成装置的一个示例。

薄膜形成装置1包括腔室2、对电极3、电源4、光源5，并且利用支架6将磁记录介质7的半成品保持在腔室2内。

在此，在磁记录介质7的半成品7中，例如在于中央具有开口部的圆盘状的衬底的两个表面上依次形成有磁记录层和保护层。

由于腔室2经由排气口8连接至排气装置，因此能够将腔室2内减压至预定的压力。在形成第二有机氟化合物的分解生成物的薄膜时，以在磁记录介质的半成品7与对电极3之间易于产生汤森放电的方式，将腔室2内减压至大约0.001atm～1atm以下。另外，经由供气口9向腔室2内供应包含第二有机氟化合物的处理气体。

磁记录介质的半成品7和对电极3被布置在腔室2内，并且分别连接至电源4的端子。对电极3被布置为与磁记录介质的半成品7的两个表面相对。另外，为了使从光源5所发射的紫外线通过，对电极3为网状。

电源4是被构成为向磁记录介质的半成品7与对电极3之间施加交流偏置电压，从而向磁记录介质的半成品7的表面施加交流电场的交流偏置电源。

需要说明的是，在薄膜形成装置1中，经由具有导电性的支架6，向磁记录介质的半成品7施加交流偏置电压。

交流电场的振幅为在磁记录介质的半成品7与对电极3之间不产生辉光放电等离子体且产生汤森放电的大小。

需要说明的是，也可以通过使用直流电源来代替交流偏置电源作为电源4，并设置用于将直流电压转换为交流电压的逆变器，从而向磁记录介质的半成品7的表面施加交流电场。

电源4优选是高频(脉冲)偏置电源。在此情况下，向磁记录介质的半成品7施加高频(脉冲)偏置电压。

光源5向磁记录介质的半成品7的两个表面照射紫外线。

紫外线的能量大于用于构成磁记录介质的半成品7的保护层的材料所具有的功函数，通常为3eV～10eV，优选为4eV～9eV。

作为光源5，例如可以使用低压汞灯、准分子灯、重氢灯、氙气灯等。

在形成第二有机氟化合物的分解生成物的薄膜时，优选将磁记录介质的半成品7加热至大约100℃。因此，优选在薄膜形成装置1中设置加热机构。

作为加热机构，可以使用公知的加热机构，例如可以在支架6上设置Pt加热器，或在磁记录介质的半成品7附近设置灯加热器。

第二有机氟化合物优选具有全氟聚醚结构。由此，磁记录介质的形成有润滑层的一侧的表面的表面能进一步减小。

作为全氟聚醚结构，例如可以举出由上述通式(a)～(h)表示的结构。

优选第二有机氟化合物的重均分子量为700以上，并且使第二有机氟化合物分解以生成重均分子量为500以下的化合物。由此，由于第二有机氟化合物的分解生成物的分子链较短，并且两个末端易于化学键结至保护层的表面，因此保护层的表面被第二有机氟化合物的分解生成物覆盖的覆盖率较高。另外，由于形成第二有机氟化合物的分解生成物的薄膜，因此磁记录介质的间隔损耗降低。

润滑层中的粘合层的比率，即润滑层的粘合率优选为90％～99％，更优选为95％～99％。当润滑层的粘合率为90％以上时，进一步抑制了磁头的污染，当润滑层的粘合率为99％以下时，磁记录介质的形成有润滑层的一侧的表面的动摩擦系数进一步减小。

在润滑层形成工序中，对于工序A和工序B的实施顺序并无特别限定，优选按照工序A、工序B的顺序进行实施。也可以根据工序A和工序B的实施顺序，对润滑层的粘合率进行调整。

[磁记录介质的半成品]

图2示出了磁记录介质的半成品7的层叠结构的一个示例。磁记录介质的半成品7具有衬底100、形成在衬底100的两个表面上的密着层110、形成在密着层110上的软磁性基底层120、形成在软磁性基底层120上的取向控制层130、形成在取向控制层130上的非磁性基底层140、形成在非磁性基底层140上的磁记录层150、以及形成在磁记录层150上的保护层160。

作为构成衬底100的材料，只要是非磁性材料便无特别限定，例如可以举出铝、铝合金等金属材料。

衬底100例如可以利用镀覆法、溅射法等在其表面上形成NiP层。

当衬底100与软磁性基底层120接触时，由于表面的吸附气体或水分的影响、构成衬底100的材料的扩散等，有可能会发生腐蚀。为了抑制这种腐蚀的发生，在衬底100与软磁性基底层120之间形成密着层110。

作为构成密着层110的材料，例如可以举出Cr、Cr合金、Ti、Ti合金等。

密着层110的厚度优选为2nm

以上。

为了降低采用垂直磁记录方式的情况下的记录再生时的噪声，形成软磁性基底层120。

软磁性基底层120具有形成在密着层110上的第一软磁性层121、形成在第一软磁性层121上的间隔层122、以及形成在间隔层122上的第二软磁性层123。

第一软磁性层121和第二软磁性层123包含以Co或Fe为主要成分的金属或合金。

作为以Co或Fe为主要成分的金属或合金，例如可以举出Fe与Co的原子数比为40：60～70：30的FeCo合金等。

为了提高导磁率和耐腐蚀性，第一软磁性层121和第二软磁性层123优选以1atm％(原子百分比)～8atm％范围进一步包含Ta、Nb、Zr或Cr。

作为构成间隔层122的材料，例如可以举出Ru、Re、Cu等，优选Ru。

为了将经由非磁性基底层140所层叠的磁记录层150的晶粒进行细微化以提高记录再生特性，形成取向控制层130。

取向控制层130优选包含具有hcp结构、fcc结构、非晶体结构的材料。

作为用于构成取向控制层130的材料，例如可以举出Ru基合金、Ni合金、Co基合金、Pt基合金、Cu基合金等。

取向控制层130可以具有多层结构。

例如，取向控制层130可以从衬底100侧层叠有Ni基合金和Ru基合金，也可以层叠有Co基合金和Ru基合金，也可以层叠有Pt基合金和Ru基合金。

为了抑制磁记录层150的初始层叠部中的晶体生长的紊乱并抑制记录再生时的噪声的产生，形成非磁性基底层140。

非磁性基底层140优选包含CoCr合金和氧化物。

CoCr合金中的Cr的含量优选为25at％～50at％。

作为氧化物，例如可以举出Cr、Si、Ta、Al、Ti、Mg、Co等的氧化物，优选TiO₂、Cr₂O₃、SiO₂。

需要说明的是，可以根据需要省略密着层110、软磁性基底层120、取向控制层130、非磁性基底层140。

磁记录层150具有形成在非磁性基底层140上的第一磁性层151、形成在第一磁性层151上的第一非磁性层152、形成在第一非磁性层152上的第二磁性层153、形成在第二磁性层153上的第二非磁性层154、以及形成在第二非磁性层154上的第三磁性层155。

第一磁性层151、第二磁性层153以及第三磁性层155优选具有以Co为主要成分的金属或合金的磁性颗粒被非磁性氧化物包围的粒状结构。

作为非磁性氧化物，例如可以举出Cr、Si、Ta、Al、Ti、Mg、Co等的氧化物，优选TiO₂、Cr₂O₃、SiO₂。

第一磁性层151优选包含由2种以上的氧化物构成的复合氧化物。

作为用于构成复合氧化物的氧化物的组合，例如可以举出Cr₂O₃-SiO₂、Cr₂O₃-TiO₂、Cr₂O₃-SiO₂-TiO₂等。

作为用于构成第一磁性层151、第二磁性层153以及第三磁性层155的材料，例如可以举出90(Co14Cr18Pt)-10(SiO₂){Cr含量为14at％，Pt含量为18at％，由余量Co构成的磁性颗粒的含量为90mol％，SiO₂的含量为10mol％}、92(Co10Cr16Pt)-8(SiO₂)、94(Co8Cr14Pt4Nb)-6(Cr₂O₃)等。

作为上述以外的用于构成第一磁性层151、第二磁性层153以及第三磁性层155的材料的组合，例如可以举出(CoCrPt)-(Ta₂O₅)、(CoCrPt)-(Cr₂O₃)-(TiO₂)、(CoCrPt)-(Cr₂O₃)-(SiO₂)、(CoCrPt)-(Cr₂O₃)-(SiO₂)-(TiO₂)、(CoCrPtMo)-(TiO)、(CoCrPtW)-(TiO₂)、(CoCrPtB)-(Al₂O₃)、(CoCrPtTaNd)-(MgO)、(CoCrPtBCu)-(Y₂O₃)、(CoCrPtRu)-(SiO₂)等。

为了对磁头与磁记录介质接触时的磁记录介质的表面的损伤进行抑制并提高磁记录介质的耐腐蚀性，形成保护层160。

作为保护层160，例如可以举出非晶状的硬碳膜、类金刚石碳(DLC)膜。

保护层160的厚度优选为1nm至10nm。

[磁存储装置]

利用本实施方式的磁记录介质的制造方法所制造的磁记录介质例如可以应用于磁存储装置。

图3示出了磁存储装置的结构的一个示例。

磁存储装置50具有磁记录介质51、对磁记录介质51进行旋转驱动的旋转驱动部52、将数据记录在磁记录介质51上并对记录在磁记录介质51上的数据进行读取的磁头53、用于搭载磁头的托架54、经由托架使磁头53相对于磁记录介质51相对移动的磁头驱动部55、以及将对从外部所输入的信息进行处理而得到的记录信号输出至磁头53并且将对来自磁头53的再生信号进行处理而得到的信息输出至外部的信号处理部56。

在此，在磁记录介质51中，例如在于中央具有开口部的圆盘状的衬底的两个表面上依次形成磁记录层、保护层、润滑层。

另外，虽然在磁存储装置50中安装有3片磁记录介质51，但是对于磁记录介质的片数并无特别限定。

以上对本实施方式的磁记录介质的制造方法进行了说明，但是本发明不限于上述实施方式，可以在本发明的范围内进行各种变形。

[实施例]

(磁记录介质的半成品的制作)

在1Pa的氩气气氛下，利用溅射法，来清洗完成的外径为2.5英寸的玻璃衬底(HOYA公司制)的两个表面上形成厚度为10nm的Cr-40Ti膜(密着层)。

在1Pa的氩气气氛下，以100℃以下的衬底温度，利用溅射法，在密着层上形成厚度为34nm的Fe-46Co-5Zr-3B膜(第一软磁性层)。接着，以与第一软磁性层相同的成膜条件，在第一软磁性层上形成厚度为0.76nm的Ru膜(间隔层)，然后在间隔层上形成厚度为34nm的Fe-46Co-5Zr-3B膜(第二软磁性层)作为软磁性基底层。

在1Pa的氩气气氛下，利用溅射法，在软磁性基底层上形成厚度为5nm的Ni-6W膜(第一取向控制层)，然后形成厚度为10nm的Ru膜(第二取向控制层)。接着，在8Pa的氩气气氛下，利用溅射法，在第二取向控制层上形成厚度为10nm的Ru膜(第三取向控制层)。

在1Pa的氩气气氛下，利用溅射法，形成厚度为6nm的(72Co6Cr16Pt6Ru)-4SiO₂-3Cr₂O₃-2TiO₂膜(第一磁记录层)、厚度为6nm的(65Co12Cr13Pt10Ru)-4SiO₂-3Cr₂O₃-2TiO₂膜(第二磁记录层)、厚度为3nm的Co15Cr16Pt6B膜(第三磁记录层)。

利用离子束法，形成厚度为2.5nm的碳膜(保护层)，得到磁记录介质的半成品。

(实施例1)

用氟类溶剂Vertrel XF(Chemours-Mitsui Fluoroproducts公司制)对由化学式

CF₃CF₂CF₂O(CF₂CF₂CF₂O)_mCF₂CF₂COOH

所表示的重均分子量为2000且在单个末端具有羧基的全氟聚醚(第一有机氟化合物)SH-1(Solvay公司制)进行稀释，得到有机氟化合物的含量为0.3质量％的涂布液。

将磁记录介质的半成品浸渍到装满浸渍涂布装置的涂布液的浸渍槽中，然后以恒定的拉起速度从浸渍槽中拉起磁记录介质的半成品，形成平均厚度为

的自由层(工序A)。

使用薄膜形成装置(参见图1)在磁记录介质的半成品上形成粘合层(工序B)。具体地，将磁记录介质的半成品保持在支架6上，然后使由化学式

CF₃(OCFCF₃CF₂)_n(OCF₂)_mOCF₃

所表示的重均分子量为750且沸点为165℃的全氟聚醚(第二有机氟化合物)D02TS(Solvay公司制)蒸发并供应至腔室2内，并将腔室2内的压力维持在170Pa(0.00168atm)。在此，作为对电极3，使用具有六边形形状的孔的网状电极。另外，利用设置在支架6上的Pt加热器，将磁记录介质的半成品7加热至100℃。接着，使用准分子灯作为光源5，向磁记录介质的半成品7的表面照射波长为172nm的紫外线，并且在磁记录介质的半成品7与对电极3之间施加脉冲振幅(零峰值)为300V且脉冲频率为20kHz的交流电压(高频脉冲偏置电压)，形成粘合层，并形成平均厚度为

的润滑层，从而得到磁记录介质。此时，将粘合层的成膜时间设定为10分钟。

使用TOF-SIMS对磁记录介质的润滑层进行分析后，推测第二有机氟化合物被分解为重均分子量为大约350以下的有机氟化合物。

(实施例2)

除了使用由化学式

CF₃(OCFCF₃CF₂)_n(OCF₂)_mOCF₃

所表示的重均分子量为760且沸点为175℃的全氟聚醚(第二有机氟化合物)D02(Solvay公司制)作为第二有机氟化合物以外，与实施例1同样地形成平均厚度为

的润滑层，并得到磁记录介质。

使用TOF-SIMS对磁记录介质的润滑层进行分析后，推测第二有机氟化合物被分解为重均分子量为大约350以下的有机氟化合物。

(比较例1)

除了不实施工序A以外，与实施例1同样地形成平均厚度为

的润滑层，并得到磁记录介质。

(比较例2)

除了不实施工序B以外，与实施例1同样地形成平均厚度为

的润滑层，并得到磁记录介质。

(比较例3)

除了不实施工序A以外，与实施例2同样地形成平均厚度为

的润滑层，并得到磁记录介质。

接着，对磁记录介质的润滑层的粘合率(bonded ratio)、表面的动摩擦系数以及表面能进行评价。

(润滑层的粘合率)

使用FT-IR(Fourier transform infrared spectroscopy：傅里叶变换红外光谱法)，对将磁记录介质浸渍在Vertrel XF(Chemours-Mitsui Fluoroproducts公司制)5分钟的之前和之后的波数为1270cm^-1附近的吸光度进行测定，并根据公式

(浸渍后的吸光度)/(浸渍前的吸光度)×100

求出润滑层的粘合率。

(磁记录介质的表面的动摩擦系数)

使用涂布有厚度为50nm的硬碳膜的曲率半径为2.55mm的测试针，以转数为6rpm、负载为0.2mN、温度为22℃、湿度为40％RH的条件，对磁记录介质的表面的动摩擦系数进行测定。

(磁记录介质的表面能)

在磁记录介质的表面上分别滴下5μl的水和十六烷并对接触角进行测定，然后根据Girifalco-Good-Fowkes-Young的公式求出表面能。

在此，Girifalco-Good-Fowkes-Young的公式的表示如下。

[数1]

(式中，θ为接触角，γs为固体的表面能，γl为液体的表面能，d为分散成分，p为极性成分。)

需要说明的是，对于磁记录介质，表面能越小，则润滑层的覆盖率越高。

表1示出了磁记录介质的润滑层的粘合率、表面的动摩擦系数以及表面能的评价结果。

[表1]

从表1可以看出，在实施例1、2中，制造了不使润滑层厚膜化、润滑层的粘合率较大、并且形成有润滑层的一侧的表面的动摩擦系数及表面能较小的磁记录介质。

相比之下，在比较例1、3中，由于未实施工序A，因此磁记录介质的润滑层的粘合率较小，并且形成有润滑层的一侧的表面的动摩擦系数较大。

另外，在比较例2中，由于未实施工序B，因此磁记录介质的形成有润滑层的一侧的表面的表面能较大。

符号说明

7 磁记录介质的半成品

100 衬底

150 磁记录层

160 保护层

Claims (3)

1.一种磁记录介质的制造方法，具有在磁记录介质的半成品的保护层上形成润滑层的工序，该磁记录介质的半成品在衬底上依次形成有磁记录层及保护层，其中，

所述工序包括：

在所述磁记录介质的半成品的保护层上涂布第一有机氟化合物的工序；以及

向所述磁记录介质的半成品的保护层上供应包含第二有机氟化合物的气体，并通过汤森放电和紫外线照射使该第二有机氟化合物分解的工序，

所述保护层包含碳，

所述第一有机氟化合物在末端具有官能团。

2.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其中，

所述第一有机氟化合物具有全氟聚醚结构，在单个末端具有羧基或羟基，并且重均分子量为1500以上。

3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质的制造方法，其中，

所述第二有机氟化合物具有全氟聚醚结构，并且重均分子量为700以上，

使所述第二有机氟化合物分解，以生成重均分子量为500以下的化合物。

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