CN112062561B - 一种pnnzt基多相共存弛豫铁电外延薄膜的制备方法 - Google Patents
一种pnnzt基多相共存弛豫铁电外延薄膜的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112062561B CN112062561B CN202010979491.4A CN202010979491A CN112062561B CN 112062561 B CN112062561 B CN 112062561B CN 202010979491 A CN202010979491 A CN 202010979491A CN 112062561 B CN112062561 B CN 112062561B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pnnzt
- preparing
- sintering
- mno
- coexisting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 51
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 29
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 41
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 19
- 229910002182 La0.7Sr0.3MnO3 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 10
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 238000009694 cold isostatic pressing Methods 0.000 claims description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000003889 chemical engineering Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 46
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 12
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 11
- 229910002075 lanthanum strontium manganite Inorganic materials 0.000 description 9
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 8
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 8
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 8
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 7
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/49—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates
- C04B35/491—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates based on lead zirconates and lead titanates, e.g. PZT
- C04B35/493—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates based on lead zirconates and lead titanates, e.g. PZT containing also other lead compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/62218—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products obtaining ceramic films, e.g. by using temporary supports
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3227—Lanthanum oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3244—Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3248—Zirconates or hafnates, e.g. zircon
- C04B2235/3249—Zirconates or hafnates, e.g. zircon containing also titanium oxide or titanates, e.g. lead zirconate titanate (PZT)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3251—Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/327—Iron group oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3279—Nickel oxides, nickalates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3296—Lead oxides, plumbates or oxide forming salts thereof, e.g. silver plumbate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
本发明涉及一种PNNZT基多相共存弛豫铁电外延薄膜的制备方法，属于化学工程技术领域。一种PNNZT基多相共存弛豫铁电外延薄膜的制备方法，包括以下步骤：将同为钙钛矿结构的SrTiO3(100/111)单晶基片作为衬底，采用固相合成法和激光脉冲沉积法制备钙钛矿结构的La0.7Sr0.3MnO3(100/111)外延薄膜；采用溶胶凝胶法和固相烧结法制备PNNZT靶材，将PNNZT前驱体溶液于室温下搅拌1.5‑2h，并放置24‑30h，自然风干，制得凝胶；所得凝胶干燥、煅烧、研磨、压制制得粒料，所得粒料经过烧结，自然冷却即得所需的PNNZT靶材；制得的PNNZT靶材利用激光脉冲沉积法在底电极上外延制备出多相共存的弛豫铁电外延薄膜。本发明的有益效果是获得具有纯度高、致密性好、平均晶粒尺寸小、电场击穿强度大、电卡效应大等优点的薄膜。
Description
技术领域
本发明涉及一种PNNZT基多相共存弛豫铁电外延薄膜的制备方法，属于化学工程技术领域。
背景技术
随着电子、信息和控制技术朝着微型化、高集成化方向的发展，以及高科技领域对于快速制冷的需求，高效率的固态制冷技术的发展已经被提上日程。作为压电材料的一类分支，铁电体材料因其具有在外加电场下的电卡特性使得其成为优秀候选材料。
发明内容
本发明的目的在于提供一种PNNZT基多相共存弛豫铁电外延薄膜的制备方法。PNNZT(Pb(Ni1/3Nb2/3)xZryTi1-x-yO3,x,y＝0～1)是一种多相共存弛豫铁电材料，本发明通过激光脉冲沉积法在SrTiO3和La0.7Sr0.3MnO3基底上面制备出的PNNZT多相共存弛豫铁电外延薄膜。
本发明的目的通过如下技术方案实现：
一种PNNZT基多相共存弛豫铁电外延薄膜的制备方法，包括以下步骤：
1)以SrTiO3(100/111)单晶基片作为衬底，以La0.7Sr0.3MnO3为靶材，采用激光脉冲沉积法制备钙钛矿结构氧化物La0.7Sr0.3MnO3(100/111)取向的薄膜底电极；
2)采用溶胶凝胶法和固相烧结法制备PNNZT靶材，将PNNZT前驱体溶液于室温下搅拌1.5-2h，并放置24-30h，自然风干，制得凝胶；
3)将步骤2)所得凝胶干燥、煅烧、研磨、压制制得粒料，所得粒料经过烧结，自然冷却即得所需的PNNZT靶材；
4)将步骤3)制得的PNNZT靶材利用激光脉冲沉积法在La0.7Sr0.3MnO3(100/111)取向的薄膜底电极上外延制备出多相共存的弛豫铁电外延薄膜。
优选的是，步骤1)所述La0.7Sr0.3MnO3靶材可通过固相烧结方法制得，所述方法包括如下步骤：将原料La2O3、SrCO3、MnO2球磨所得的混合物烘干、预烧、冷压制备块体、烧结制得所需的靶材La0.7Sr0.3MnO3。
优选的是，步骤1)所述预烧温度为1200℃～1300℃，预烧时间为10～12小时；所述烧结温度为1350～1400℃，烧结时间为24～48小时。
优选的是，步骤1)所述激光脉冲沉积法采用的沉积温度为700℃～750℃，脉冲激光能量为5Hz，单脉冲能量为350mJ，氧气氛下沉积20～30分钟，沉积完成后原位退火35～45分钟。
优选的是，所述PNNZT通式为Pb(Ni1/3Nb2/3)xZryTi1-x-yO3,其中x,y＝0～1。
优选的是，步骤2)所述PNNZT前驱体溶液浓度为0.2～0.3mol/L。
优选的是，步骤3)所述凝胶干燥温度为350-400℃，干燥时间为20-30min。
优选的是，步骤3)所述煅烧包括第一次煅烧和第二次煅烧，所述第一次煅烧温度为550-600℃，煅烧时间为20-30min，第二次煅烧温度为850-900℃，煅烧时间为1.5-2h。
优选的是，步骤3)所述研磨时间为1-2h；步骤3)所述压制工艺为300Mpa冷等静压压制，压制所得粒料直径为20mm，厚度为3mm。
优选的是，步骤3)所述烧结温度为1150-1200℃，烧结时间为4-6h，烧结环境为空气氛围。
本发明的有益效果是：获得具有纯度高、致密性好、平均晶粒尺寸小、电场击穿强度大、电卡效应大等优点的薄膜；本发明可以通过基底取向控制薄膜的结构和电卡性能，是一种方便快捷的制备技术。
附图说明
图1和图2为本发明实施例1和2得到的PNNZT薄膜的XRD图和电卡性能对比图谱。
具体实施方式
下面结合具体实施例，对本发明作进一步详细的阐述，但本发明的实施方式并不局限于实施例表示的范围。这些实施例仅用于说明本发明，而非用于限制本发明的范围。此外，在阅读本发明的内容后，本领域的技术人员可以对本发明作各种修改，这些等价变化同样落于本发明所附权利要求书所限定的范围。
实施例1
1)将同为钙钛矿结构的SrTiO3(100)单晶基片作为衬底，采用激光脉冲沉积法制备钙钛矿结构氧化物La0.7Sr0.3MnO3(100)取向的薄膜底电极；
首先按照摩尔比0.7:0.3:1分别称取分析纯的La2O3、SrCO3、MnO2作为原料，利用固相烧结的方法制备La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)。具体的步骤如下：
(1)在烧结之前，首先按照固定的摩尔比来配比这三种粉末，将粉末放在烘箱中烘干，烘干后将其倒入球磨罐中混合，然后在球磨罐中倒入适量的去离子水，球磨4小时。
(2)将步骤(1)中球磨完成后的液体倒入表面皿，放入烘箱，烘箱温度为100℃，烘干后将粉末倒入玛瑙研钵中，研磨30分钟以上，接着将研磨充分的粉末装入坩埚中，放置于高温炉内，进行预烧，预烧温度为1200℃，时间为10小时；
(3)将步骤(2)中预烧完成后的粉末冷却，之后再倒入球磨罐中，球磨4小时，然后将粉末烘干，在粉末中加入粘合剂PVA研磨30分钟，将研磨充分的粉末放置于20MPa压力下冷压成圆形块体；
(4)将步骤(3)中的块体放入高温炉中，以1350℃烧结24个小时，得到所需的靶材La0.7Sr0.3MnO3。
2)将上述制得的靶材La0.7Sr0.3MnO3利用激光脉冲沉积法制备出延薄膜，所述薄膜的厚度为100nm。具体的步骤如下：
(1)我们选择了与LSMO同为钙钛矿结构的SrTiO3(100)单晶基片作为衬底。在沉积之前，将基片分别放入去离子水，乙醇以及丙酮中用超声波清洗10分钟，重复3次；
(2)薄膜的沉积工作。沉积过程中，采用的沉积温度为700℃，脉冲激光能量为5Hz，单脉冲能量为350mJ，在40Pa的氧气氛下沉积20分钟，沉积完成后原位退火35分钟。之后就得到了优质的LSMO(100)取向外延薄膜；
3)采用溶胶凝胶法和固相烧结法制备PNNZT靶材；
首先采用溶胶凝胶法制备Pb(Ni1/3Nb2/3)0.5Zr0.15Ti0.35O3前驱体溶液，溶液浓度为0.2mol/L，两种方法的步骤如下：
(1)按照摩尔比1:(1/3×0.5):(2/3×0.5):0.15:0.35分别称取Pb(CH3COO)2、Ni(CH3COO)2、C10H25NbO5、Zr(OC3H7)4和Ti(OC4H9)4制备Pb(Ni1/3Nb2/3)0.5Zr0.15Ti0.35O3前驱体溶液；
将原料Pb(CH3COO)2、Ni(CH3COO)2和C10H25NbO5于120℃溶解在冰醋酸和去离子水的混合液体中，然后将Zr(OC3H7)4和Ti(OC4H9)4于室温溶解在冰醋酸和CH3COCH2COCH3的混合液体中，最后将前面两种混合液再次混合并搅拌0.5h，得到浓度为0.2mol/L的Pb(Ni1/ 3Nb2/3)0.5Zr0.15Ti0.35O3前驱体溶液；
(2)将步骤(1)制得的前驱体溶液在室温下继续搅拌1.5h，并放置24h，风干该溶液，得到天然干燥的凝胶；
(3)将步骤(2)得到的凝胶首先在350℃干燥20min，然后在550℃下第一次煅烧20min，最后在850℃于空气氛围中第二次煅烧1.5h，在玛瑙研钵中研磨1h，将该粉末在300Mpa冷等静压下压制成直径为20mm，厚度为3mm的粒料，然后在1150℃的空气氛围中烧结4h，之后自然冷却到室温，得到所需的靶材Pb(Ni1/3Nb2/3)0.5Zr0.15Ti0.35O3；
4)将上述制得的靶材Pb(Ni1/3Nb2/3)0.5Zr0.15Ti0.35O3利用激光脉冲沉积法在La0.7Sr0.3MnO3(100)取向的薄膜底电极上制备出多相共存的弛豫铁电外延薄膜，所述激光脉冲沉积法除了靶材、衬底与步骤2)不同，其它步骤及参数与步骤2)一致，所述薄膜的厚度为300nm～400nm。本发明提供了一种铁电性能优异的弛豫外延薄膜制备方法。
实施例2
1)将同为钙钛矿结构的SrTiO3(111)单晶基片作为衬底，采用激光脉冲沉积法制备钙钛矿结构氧化物La0.7Sr0.3MnO3(111)取向的薄膜底电极；
首先按照摩尔比0.7:0.3:1分别称取分析纯的La2O3、SrCO3、MnO2作为原料，利用固相烧结的方法制备La0.7Sr0.3MnO3。具体的步骤如下：
(1)在烧结之前，首先按照固定的摩尔比来配比这三种粉末，将粉末放在烘箱中烘干，烘干后将其倒入球磨罐中混合，然后在球磨罐中倒入适量的去离子水，球磨5小时。
(2)将步骤(1)中球磨完成后的液体倒入表面皿，放入烘箱，烘箱温度为110℃，烘干后将粉末倒入玛瑙研钵中，研磨30分钟以上，接着将研磨充分的粉末装入坩埚中，放置于高温炉内，进行预烧，预烧温度为1250℃，时间为11小时；
(3)将步骤(2)中预烧完成后的粉末冷却，之后再倒入球磨罐中，球磨5小时，然后将粉末烘干，在粉末中加入粘合剂PVA研磨40分钟，将研磨充分的粉末放置于20MPa压力下冷压成圆形块体；
(4)将步骤(3)中的块体放入高温炉中，以1360℃烧结30个小时，得到所需的靶材La0.7Sr0.3MnO3。
2)将上述制得的靶材La0.7Sr0.3MnO3利用激光脉冲沉积法制备出延薄膜，所述薄膜的厚度为150nm。具体的步骤如下：
(1)我们选择了与LSMO同为钙钛矿结构的SrTiO3(111)单晶基片作为衬底。在沉积之前，将基片分别放入去离子水，乙醇以及丙酮中用超声波清洗15分钟，重复4次；
(2)薄膜的沉积工作。沉积过程中，采用的沉积温度为720℃，脉冲激光能量为5Hz，单脉冲能量为350mJ，在40Pa的氧气氛下沉积25分钟，沉积完成后原位退火40分钟。之后就得到了优质的LSMO(111)取向外延薄膜。
3)采用溶胶凝胶法和固相烧结法制备Pb(Ni1/3Nb2/3)0.5Zr0.15Ti0.35O3靶材；
首先采用溶胶凝胶法制备Pb(Ni1/3Nb2/3)0.5Zr0.15Ti0.35O3前驱体溶液，溶液浓度为0.2mol/L，两种方法的步骤如下：
(1)按照摩尔比1:(1/3×0.5):(2/3×0.5):0.15:0.35分别称取Pb(CH3COO)2、Ni(CH3COO)2、C10H25NbO5、Zr(OC3H7)4和Ti(OC4H9)4制备Pb(Ni1/3Nb2/3)0.5Zr0.15Ti0.35O3前驱体溶液；
将原料Pb(CH3COO)2、Ni(CH3COO)2和C10H25NbO5于120℃溶解在冰醋酸和去离子水的混合液体中，然后将Zr(OC3H7)4和Ti(OC4H9)4于室温溶解在冰醋酸和CH3COCH2COCH3的混合液体中，最后将前面两种混合液再次混合并搅拌0.6h，得到浓度为0.2mol/L的Pb(Ni1/ 3Nb2/3)0.5Zr0.15Ti0.35O3前驱体溶液；
(2)将步骤(1)制得的前驱体溶液在室温下继续搅拌1.6h，并放置26h，风干该溶液，得到天然干燥的凝胶；
(3)将步骤(2)得到的凝胶首先在380℃干燥25min，然后在580℃下第一次煅烧25min，最后在860℃于空气氛围中第二次煅烧1.6h，在玛瑙研钵中研磨1.5h，将该粉末在300Mpa冷等静压下压制成直径为20mm，厚度为3mm的粒料，然后在1160℃的空气氛围中烧结5h，之后自然冷却到室温，得到所需的靶材Pb(Ni1/3Nb2/3)0.5Zr0.15Ti0.35O3；
4)将上述制得的靶材Pb(Ni1/3Nb2/3)0.5Zr0.15Ti0.35O3利用激光脉冲沉积法在La0.7Sr0.3MnO3(111)取向的薄膜底电极上制备出多相共存的弛豫铁电外延薄膜，所述激光脉冲沉积法除了靶材、衬底与步骤2)不同，其它步骤及参数与步骤2)一致，所述薄膜的厚度为300nm～400nm。本发明提供了一种铁电性能优异的弛豫外延薄膜制备方法。
实施例3
1)将同为钙钛矿结构的SrTiO3(100)单晶基片作为衬底，采用激光脉冲沉积法制备钙钛矿结构氧化物La0.7Sr0.3MnO3(100)取向的薄膜底电极；
首先按照摩尔比0.7:0.3:1分别称取分析纯的La2O3、SrCO3、MnO2作为为原料，利用固相烧结的方法制备La0.7Sr0.3MnO3。具体的步骤如下：
(1)在烧结之前，首先按照固定的摩尔比来配比这三种粉末，将粉末放在烘箱中烘干，烘干后将其倒入球磨罐中混合，然后在球磨罐中倒入适量的去离子水，球磨6小时。
(2)将步骤(1)中球磨完成后的液体倒入表面皿，放入烘箱，烘箱温度为120℃，烘干后将粉末倒入玛瑙研钵中，研磨30分钟以上，接着将研磨充分的粉末装入坩埚中，放置于高温炉内，进行预烧，预烧温度为1300℃，时间为12小时；
(3)将步骤(2)中预烧完成后的粉末冷却，之后再倒入球磨罐中，球磨6小时，然后将粉末烘干，在粉末中加入粘合剂PVA研磨60分钟，将研磨充分的粉末放置于20MPa压力下冷压成圆形块体；
(4)将步骤(3)中的块体放入高温炉中，以1400℃烧结48个小时，得到所需的靶材La0.7Sr0.3MnO3。
2)将上述制得的靶材La0.7Sr0.3MnO3利用激光脉冲沉积法制备出(100)取向的延薄膜，所述薄膜的厚度为200nm。具体的步骤如下：
(1)我们选择了与LSMO同为钙钛矿结构的SrTiO3(100)单晶基片作为衬底。在沉积之前，将基片分别放入去离子水，乙醇以及丙酮中用超声波清洗20分钟，重复5次；
(2)薄膜的沉积工作。沉积过程中，采用的沉积温度为750℃，脉冲激光能量为5Hz，单脉冲能量为350mJ，在40Pa的氧气氛下沉积30分钟，沉积完成后原位退火45分钟。之后就得到了优质的LSMO(100)取向外延薄膜。
3)采用溶胶凝胶法和固相烧结法制备Pb(Ni1/3Nb2/3)0.5Zr0.15Ti0.35O3靶材；
首先采用溶胶凝胶法制备Pb(Ni1/3Nb2/3)0.5Zr0.15Ti0.35O3前驱体溶液，溶液浓度为0.3mol/L，两种方法的步骤如下：
(1)按照摩尔比1:(1/3×0.5):(2/3×0.5):0.15:0.35分别称取Pb(CH3COO)2、Ni(CH3COO)2、C10H25NbO5、Zr(OC3H7)4和Ti(OC4H9)4制备Pb(Ni1/3Nb2/3)0.5Zr0.15Ti0.35O3前驱体溶液；将原料Pb(CH3COO)2、Ni(CH3COO)2和C10H25NbO5于120℃溶解在冰醋酸和去离子水的混合液体中，然后将Zr(OC3H7)4和Ti(OC4H9)4于室温溶解在冰醋酸和CH3COCH2COCH3的混合液体中，最后将前面两种混合液再次混合并搅拌1h，得到浓度为0.3mol/L的Pb(Ni1/3Nb2/3)0.5Zr0.15Ti0.35O3前驱体溶液；
(2)将步骤(1)制得的前驱体溶液在室温下继续搅拌2h，并放置30h，风干该溶液，得到天然干燥的凝胶；
(3)将步骤(2)得到的凝胶首先在400℃干燥30min，然后在600℃下第一次煅烧30min，最后在900℃于空气氛围中第二次煅烧2h，在玛瑙研钵中研磨2h，将该粉末在300Mpa冷等静压下压制成直径为20mm，厚度为3mm的粒料，然后在1200℃的空气氛围中烧结6h，之后自然冷却到室温，得到所需的靶材Pb(Ni1/3Nb2/3)0.5Zr0.15Ti0.35O3；
4)将上述制得的靶材Pb(Ni1/3Nb2/3)0.5Zr0.15Ti0.35O3利用激光脉冲沉积法在La0.7Sr0.3MnO3(100)取向的薄膜底电极上制备出多相共存的弛豫铁电外延薄膜，所述激光脉冲沉积法除了靶材、衬底与步骤2)不同，其它步骤及参数与步骤2)一致，所述薄膜的厚度为300nm～400nm。本发明提供了一种铁电性能优异的弛豫外延薄膜制备方法。
实施例4
1)将同为钙钛矿结构的SrTiO3(100)单晶基片作为衬底，采用激光脉冲沉积法制备钙钛矿结构氧化物La0.7Sr0.3MnO3(100)取向的薄膜底电极；
首先按照摩尔比0.7:0.3:1分别称取分析纯的La2O3、SrCO3、MnO2作为为原料，利用固相烧结的方法制备La0.7Sr0.3MnO3。具体的步骤如下：
(1)在烧结之前，首先按照固定的摩尔比来配比这三种粉末，将粉末放在烘箱中烘干，烘干后将其倒入球磨罐中混合，然后在球磨罐中倒入适量的去离子水，球磨6小时。
(2)将步骤(1)中球磨完成后的液体倒入表面皿，放入烘箱，烘箱温度为120℃，烘干后将粉末倒入玛瑙研钵中，研磨30分钟以上，接着将研磨充分的粉末装入坩埚中，放置于高温炉内，进行预烧，预烧温度为1300℃，时间为12小时；
(3)将步骤(2)中预烧完成后的粉末冷却，之后再倒入球磨罐中，球磨6小时，然后将粉末烘干，在粉末中加入粘合剂PVA研磨60分钟，将研磨充分的粉末放置于20MPa压力下冷压成圆形块体；
(4)将步骤(3)中的块体放入高温炉中，以1400℃烧结48个小时，得到所需的靶材La0.7Sr0.3MnO3。
2)将上述制得的靶材La0.7Sr0.3MnO3利用激光脉冲沉积法制备出La0.7Sr0.3MnO3(100)取向的延薄膜，所述薄膜的厚度为200nm。具体的步骤如下：
(1)我们选择了与LSMO同为钙钛矿结构的SrTiO3(100)单晶基片作为衬底。在沉积之前，将基片分别放入去离子水，乙醇以及丙酮中用超声波清洗20分钟，重复5次；
(2)薄膜的沉积工作。沉积过程中，采用的沉积温度为750℃，脉冲激光能量为5Hz，单脉冲能量为350mJ，在40Pa的氧气氛下沉积30分钟，沉积完成后原位退火45分钟。之后就得到了优质的LSMO(100)取向外延薄膜。
3)采用溶胶凝胶法和固相烧结法制备Pb(Ni1/3Nb2/3)0.5Zr0.15Ti0.35O3靶材；
首先采用溶胶凝胶法制备Pb(Ni1/3Nb2/3)0.5Zr0.15Ti0.35O3前驱体溶液，溶液浓度为0.25mol/L，两种方法的步骤如下：
(1)按照摩尔比1:(1/3×0.5):(2/3×0.5):0.15:0.35分别称取Pb(CH3COO)2、Ni(CH3COO)2、C10H25NbO5、Zr(OC3H7)4和Ti(OC4H9)4制备Pb(Ni1/3Nb2/3)0.5Zr0.15Ti0.35O3前驱体溶液；
将原料Pb(CH3COO)2、Ni(CH3COO)2和C10H25NbO5于120℃溶解在冰醋酸和去离子水的混合液体中，然后将Zr(OC3H7)4和Ti(OC4H9)4于室温溶解在冰醋酸和CH3COCH2COCH3的混合液体中，最后将前面两种混合液再次混合并搅拌0.6h，得到浓度为0.25mol/L的Pb(Ni1/ 3Nb2/3)0.5Zr0.15Ti0.35O3前驱体溶液；
(2)将步骤(1)制得的前驱体溶液在室温下继续搅拌1.6h，并放置26h，风干该溶液，得到天然干燥的凝胶；
(3)将步骤(2)得到的凝胶首先在380℃干燥25min，然后在580℃下第一次煅烧25min，最后在860℃于空气氛围中第二次煅烧1.6h，在玛瑙研钵中研磨1.5h，将该粉末在300Mpa冷等静压下压制成直径为20mm，厚度为3mm的粒料，然后在1160℃的空气氛围中烧结5h，之后自然冷却到室温，得到所需的靶材Pb(Ni1/3Nb2/3)0.5Zr0.15Ti0.35O3；
4)将上述制得的靶材Pb(Ni1/3Nb2/3)0.5Zr0.15Ti0.35O3利用激光脉冲沉积法在La0.7Sr0.3MnO3(100)取向的薄膜底电极上制备出多相共存的弛豫铁电外延薄膜，所述激光脉冲沉积法除了靶材、衬底与步骤2)不同，其它步骤及参数与步骤2)一致，所述薄膜的厚度为300nm～400nm。本发明提供了一种铁电性能优异的弛豫外延薄膜制备方法。
Claims (10)
1.一种PNNZT基多相共存弛豫铁电外延薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
1)以SrTiO3(111)单晶基片作为衬底，以La0.7Sr0.3MnO3为靶材，采用激光脉冲沉积法制备钙钛矿结构氧化物La0.7Sr0.3MnO3(111)取向的薄膜底电极；
2)采用溶胶凝胶法和固相烧结法制备PNNZT靶材，将PNNZT前驱体溶液于室温下搅拌1.5-2h，并放置24-30h，自然风干，制得凝胶；
3)将步骤2)所得凝胶干燥、煅烧、研磨、压制制得粒料，所得粒料经过烧结，自然冷却即得所需的PNNZT靶材；
4)将步骤3)制得的PNNZT靶材利用激光脉冲沉积法在La0.7Sr0.3MnO3(111)取向的薄膜底电极上外延制备出多相共存的弛豫铁电外延薄膜。
2.根据权利要求1所述的PNNZT基多相共存弛豫铁电外延薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)所述La0.7Sr0.3MnO3靶材可通过固相烧结方法制得，所述方法包括如下步骤：将原料La2O3、SrCO3、MnO2球磨所得的混合物烘干、预烧、冷压制备块体、烧结制得所需的靶材La0.7Sr0.3MnO3。
3.根据权利要求2所述的PNNZT基多相共存弛豫铁电外延薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)所述预烧温度为1200℃～1300℃，预烧时间为10～12小时；所述烧结温度为1350～1400℃，烧结时间为24～48小时。
4.根据权利要求1所述的PNNZT基多相共存弛豫铁电外延薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1)所述激光脉冲沉积法采用的沉积温度为700℃～750℃，脉冲激光能量为5Hz，单脉冲能量为350mJ，氧气氛下沉积20～30分钟，沉积完成后原位退火35～45分钟。
5.根据权利要求1所述的PNNZT基多相共存弛豫铁电外延薄膜的制备方法，其特征在于，所述PNNZT通式为Pb(Ni1/3Nb2/3)xZryTi1-x-yO3,其中0＜x＜1，0＜y＜1。
6.根据权利要求5所述的PNNZT基多相共存弛豫铁电外延薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2)所述PNNZT前驱体溶液浓度为0.2～0.3mol/L。
7.根据权利要求1-6任一所述的PNNZT基多相共存弛豫铁电外延薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3)所述凝胶干燥温度为350-400℃，干燥时间为20-30min。
8.根据权利要求1-6任一所述的PNNZT基多相共存弛豫铁电外延薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3)所述煅烧包括第一次煅烧和第二次煅烧，所述第一次煅烧温度为550-600℃，煅烧时间为20-30min，第二次煅烧温度为850-900℃，煅烧时间为1.5-2h。
9.根据权利要求1-6任一所述的PNNZT基多相共存弛豫铁电外延薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3)所述研磨时间为1-2h；步骤3)所述压制工艺为300MPa冷等静压压制，压制所得粒料直径为20mm，厚度为3mm。
10.根据权利要求1-6任一所述的PNNZT基多相共存弛豫铁电外延薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3)所述烧结温度为1150-1200℃，烧结时间为4-6h，烧结环境为空气氛围。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010979491.4A CN112062561B (zh) | 2020-09-17 | 2020-09-17 | 一种pnnzt基多相共存弛豫铁电外延薄膜的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010979491.4A CN112062561B (zh) | 2020-09-17 | 2020-09-17 | 一种pnnzt基多相共存弛豫铁电外延薄膜的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112062561A CN112062561A (zh) | 2020-12-11 |
| CN112062561B true CN112062561B (zh) | 2022-08-05 |
Family
ID=73682363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010979491.4A Active CN112062561B (zh) | 2020-09-17 | 2020-09-17 | 一种pnnzt基多相共存弛豫铁电外延薄膜的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112062561B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06116095A (ja) * | 1991-02-13 | 1994-04-26 | Mitsubishi Materials Corp | 強誘電体薄膜の結晶配向性制御方法 |
| JP2005035864A (ja) * | 2002-10-15 | 2005-02-10 | Kenichiro Miyahara | 発光素子搭載用基板 |
| EP1986245A2 (en) * | 2007-04-26 | 2008-10-29 | FUJIFILM Corporation | Piezoelectric body, piezoelectrc device, and liquid discharge apparatus |
| EP2645440A2 (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-02 | Mitsubishi Materials Corporation | PZT-Based ferroelectric thin film and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3528919A (en) * | 1965-04-01 | 1970-09-15 | Canadian Patents Dev | Electronic ceramic compositions |
| SG124303A1 (en) * | 2005-01-18 | 2006-08-30 | Agency Science Tech & Res | Thin films of ferroelectric materials and a methodfor preparing same |
| CN101439877B (zh) * | 2008-12-16 | 2010-08-18 | 河北师范大学 | 一种La2/3Sr1/3MnO3和La1.4Sr1.6Mn2O7复合材料的制备方法 |
| JP5526552B2 (ja) * | 2009-01-30 | 2014-06-18 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属酸化物焼結体、サーミスタ素子及びサーミスタ温度センサ並びにサーミスタ用金属酸化物焼結体の製造方法 |
| JP5521957B2 (ja) * | 2010-05-24 | 2014-06-18 | 三菱マテリアル株式会社 | 強誘電体薄膜及び該強誘電体薄膜を用いた薄膜キャパシタ |
| CN102179967B (zh) * | 2010-12-30 | 2013-10-16 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种镧锶锰氧-钛酸锶铅复合薄膜及其制备方法 |
| CN102219514B (zh) * | 2011-04-18 | 2013-05-29 | 南京航空航天大学 | 一种弛豫型铁掺杂压电陶瓷材料及制备方法 |
| CN103073291A (zh) * | 2012-12-28 | 2013-05-01 | 清华大学 | 一种电极缓冲层材料及其制备和应用方法 |
| JP2015065430A (ja) * | 2013-08-27 | 2015-04-09 | 三菱マテリアル株式会社 | ＰＮｂＺＴ薄膜の製造方法 |
| CN105272235A (zh) * | 2015-10-13 | 2016-01-27 | 贵州振华红云电子有限公司 | 一种基于铌镍锆钛酸铅三价掺杂的压电陶瓷及其制备方法 |
| CN111128682A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-05-08 | 广西大学 | 一种通过衬底调控电卡性能薄膜的制备方法 |
| CN111423231A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-07-17 | 上海师范大学 | 一种三元系弛豫铁电薄膜材料及其制备方法和应用 |
-
2020
- 2020-09-17 CN CN202010979491.4A patent/CN112062561B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06116095A (ja) * | 1991-02-13 | 1994-04-26 | Mitsubishi Materials Corp | 強誘電体薄膜の結晶配向性制御方法 |
| JP2005035864A (ja) * | 2002-10-15 | 2005-02-10 | Kenichiro Miyahara | 発光素子搭載用基板 |
| EP1986245A2 (en) * | 2007-04-26 | 2008-10-29 | FUJIFILM Corporation | Piezoelectric body, piezoelectrc device, and liquid discharge apparatus |
| EP2645440A2 (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-02 | Mitsubishi Materials Corporation | PZT-Based ferroelectric thin film and method of manufacturing the same |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| orientation control of international magnetism at La0.67Sr0.33MnO3/SrTiO3 Interfaces;Guo E.J.等;《ACS Appl.Mater.Interfaces》;20170516;第9卷(第22期);19307-19312 * |
| structure and properties of epitaxial perovskite Pb(Zr0.52Ti0.48)O3/La0.7Sr0.3MnO3 heterostructures;Zou Cheng等;《journal of applied physics》;20120401;第111卷(第7期);07D718 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112062561A (zh) | 2020-12-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6620752B2 (en) | Method for fabrication of lead-based perovskite materials | |
| CN103601487B (zh) | 一种(SrCa)TiO3-LaAlO3基微波介质陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN109161847B (zh) | 镓掺杂铁酸铋超四方相外延薄膜及其制备方法和应用 | |
| US20090121374A1 (en) | Method of manufacturing crystal oriented ceramics | |
| Kan et al. | Low-temperature sintering of Bi4Ti3O12 derived from a co-precipitation method | |
| CN109776089A (zh) | 一种钛酸铜钙基陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN101475376A (zh) | 一种微波水热合成铌酸钾钠无铅压电陶瓷粉体的方法 | |
| Yamatoh et al. | Polymerizable complex synthesis of lead-free ferroelectric Na0. 5Bi0. 5TiO3 suppressing evaporation of sodium and bismuth | |
| CN112062561B (zh) | 一种pnnzt基多相共存弛豫铁电外延薄膜的制备方法 | |
| CN113248251A (zh) | 一种陶瓷脉冲电容器、介质材料及其制备方法 | |
| CN112110722A (zh) | 一种微纳米电介质陶瓷材料的制备方法 | |
| CN108603276A (zh) | 多晶介电体薄膜及电容元件 | |
| CN115849905A (zh) | 一种高温压电陶瓷材料、制备方法及应用 | |
| CN107814567B (zh) | 一种具有较低矫顽场的非本征铁电陶瓷器件及其制备方法 | |
| CN108793993B (zh) | 一种单相陶瓷靶材及其制备方法和用途 | |
| CN110981477A (zh) | 一种氧化钕掺杂铌酸银陶瓷的制备方法 | |
| Calzada | Sol–gel electroceramic thin films | |
| CN112979306B (zh) | 一种制备铁电储能陶瓷的方法 | |
| CN107253859B (zh) | 高发光热稳定性的Eu-Bi共掺杂钨青铜结构发光铁电陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN112661508B (zh) | 一种低烧高储能锆钛酸锶钡基陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN115196960A (zh) | 一种兼具高储能密度，高功率密度和高效率的钛酸铋钠基弛豫铁电陶瓷材料及其制备方法 | |
| WO1988010233A1 (en) | Process for producing oxide powder and oxide superconductor | |
| Taillades et al. | Development of proton conducting thin films from nanoparticulate precursors | |
| CN1329340C (zh) | 无铅压电陶瓷K0.5Bi0.5TiO3纳米线及其烧结体的制备方法 | |
| CN114835490B (zh) | 导电陶瓷材料及其制备方法和导电陶瓷体及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20231122 Address after: Room B1103 and 1104, Huihu Building, No.10 Yueliangwan Road, Suzhou Area, China (Jiangsu) Pilot Free Trade Zone, Suzhou City, Jiangsu Province, 215124 (Cluster Registration) Patentee after: Suzhou Kabaka Electronic Technology Co.,Ltd. Address before: 530004, 100 East University Road, the Guangxi Zhuang Autonomous Region, Nanning Patentee before: GUANGXI University |
|
| TR01 | Transfer of patent right |