CN112042055B - 背腔式天线单元和阵列天线装置 - Google Patents

Abstract

本公开涉及一种天线单元(1)，其包括下导电平面(2)、上导电平面(3)以及位于导电平面(2，3)之间的上介电层结构(4)。上介电层结构(4)包括多个导电过孔(5)，多个导电过孔(5)将导电平面(2，3)彼此电连接并且避开在上导电平面(3)之中、下方或上方形成的上辐射贴片(6)。导电过孔(5)避开在上介电层结构(4)中形成的至少一个中间辐射贴片(7，8)，最靠近下导电平面(2)的最低中间辐射贴片(7)被连接到馈电装置(9，10)，馈电装置(9，10)包括至少一个馈电探针(9，10)，至少一个馈电探针(9，10)经由对应的孔(13)在下导电平面(2)中延伸并且被电连接到最低中间辐射贴片(7)。

Description

背腔式天线单元和阵列天线装置

技术领域

本公开涉及一种天线单元，其包括下导电平面、上导电平面以及位于导电平面之间的上介电层结构。上介电层结构包括形成空腔的多个导电过孔。

背景技术

在无线通信网络中，无线电设备在许多情况下包括所谓的高级天线***(AAS)，例如5G移动通信***。AAS是通过利用空间域来改进容量和覆盖的关键组件，并且面临的挑战是开发具有成本效益的技术和构建实践以满足此类产品的市场成本需求。

在毫米波区域(例如，大约10GHz及以上)中，具有吸引力的是，使用基于多层PCB(印刷电路板)或LTCC(低温共烧陶瓷)或类似多层技术的高度集成的构建实践。因此，需要适合于以多层技术来实现和生产的天线阵列设计。

被印刷在介电基板上的传统贴片天线遭受基板波的激励，这干扰天线阵列***中的相邻天线单元以及导致边缘效应。背腔式贴片天线抑制了基板波，因为空腔阻碍了波传播到介电基板中，例如，如在“Millimeter Wave Cavity Backed Microstrip AntennaArray for 79GHz Radar Applications(用于79GHz雷达应用的毫米波背腔式微带天线阵列)”(Mohammad Mosalanejad、Steven Brebels、Charlotte Soens、Ilja Ocket、GuyA.E.Vandenbosch，Progress In Electromagnetics Research，第158卷，89-98页，2017年)中所述。

但是，这样的宽带背腔式贴片天线受到它们的恶化的交叉极化率的限制，这不利于宽带双极化天线阵列性能。此外，宽带腔贴片天线还遭受馈电辐射，除其他事项外，这导致辐射方向图的不对称。

在“Millimeter Wave Cavity Backed Aperture Coupled MicrostripPatchAntenna(毫米波背腔式孔耦合微带贴片天线)”(M.Mosalanejad、S.Brebels、I.Ocket、C.Soens、G.A.E.Vandenbosch、A.Bourdoux，2016年第十届欧洲天线与传播大会(EuCAP)，2016年达沃斯，1-5页)中描述了背腔式微带贴片天线的孔馈电。但是，孔馈电的缺点是需要在馈电孔的下方具有空腔，这又需要在孔下方的PCB层中具有空间。因此，需要增加下PCB层的厚度，并且在这些层中，用于向天线或天线阵列馈电的配电装置的可用区域也将更少。

因此，需要一种背腔式贴片天线单元，其中减少馈电辐射(这导致更对称和更好的天线辐射特征)以及其中改进交叉极化辐射性能，并且需要一种包括这样的天线单元的天线阵列。

发明内容

本公开的一个目标是提供一种背腔式贴片天线单元，其中减少馈电辐射(这导致更对称和更好的天线辐射特征)以及其中改进交叉极化辐射性能。本公开的又一个目标是提供一种包括这样的天线单元的天线阵列。

所述目标借助于一种天线单元来实现，所述天线单元包括下导电平面、上导电平面以及位于所述导电平面之间的上介电层结构。所述上介电层结构包括多个导电过孔，所述多个导电过孔将所述导电平面彼此电连接并且避开在所述上导电平面之中、下方或上方形成的上辐射贴片。所述导电过孔避开在所述上介电层结构中形成的至少一个中间辐射贴片。最靠近所述下导电平面的最低中间辐射贴片被连接到馈电装置，所述馈电装置包括至少一个馈电探针，所述至少一个馈电探针经由对应的孔在所述下导电平面中延伸并且被电连接到所述最低中间辐射贴片。

这提供了与以下相关的优势：与现有技术相比，提供了改进的天线辐射特征和交叉极化辐射性能，从而进一步减少馈电辐射。

根据一些方面，所述上介电结构包括针对每个辐射贴片形成的单独的介电层。

这提供了高效的构建结构的优势。

根据一些方面，所述上导电平面包括所述过孔被连接到的导电框架。

这提供了在所述过孔之间具有有效连接的优势。

根据一些方面，每个馈电装置被连接到在下介电层结构中延伸的配电装置，其中，所述下导电平面位于所述上介电层结构与所述下介电层结构之间。

这提供了防止来自配电装置的不需要的辐射的优势。

根据一些方面，所述下介电层结构包括包含所述配电装置的至少一个信号层和用于每个信号层的至少一个介电层。

这提供了实现用于通用配电装置的多层结构的优势。

根据一些方面，所述上介电层结构被形成为单独的上部，其中，所述下介电层结构被形成为单独的下部，其中，所述上介电层结构适于被表面安装到所述下介电层结构。

这提供了实现高效制造的优势。

根据一些方面，所述上介电层结构包括上馈电探针部和第一下导电平面，所述下层结构包括下馈电探针部和第二下导电平面。

这提供了实现高效制造的优势。

根据一些方面，所述最低中间辐射贴片与所述下导电平面之间的第一距离小于所述上辐射贴片与最靠近的中间贴片之间的第二距离。

这提供了减少来自馈电的不需要的辐射的优势。

还借助于一种阵列天线装置来实现所述目标，所述阵列天线装置包括根据以上所述的多个天线单元。所述阵列天线装置还包括包含所述配电装置的馈电组件。

以这种方式，上面针对天线单元讨论的所有优势都适用于阵列天线。

这提供了实现高效制造的优势。

根据一些方面，每个上介电层结构被形成为单独的上部，其中，所述下介电层结构包括公共馈电装置，其中，多个上介电层结构适于被表面安装到所述下介电层结构。

这提供了实现高效制造的优势。

根据一些方面，每个上介电层结构包括上馈电探针部和第一下导电平面，所述下层结构包括下馈电探针部和第二下导电平面。

这提供了实现高效制造的优势。

根据一些方面，每个天线单元适于被表面安装到公共介电层结构。

优选地，所述公共介电层结构包括第一导电平面、第二导电平面以及第三导电平面。所述第一导电平面包括第一接地平面，所述第二导电平面包括馈电网络并且与所述第一导电平面被第一介电层分离，所述第三导电平面包括第二接地平面并且与所述第二导电平面被第二介电层分离。每个天线单元包括下介电层结构，所述下介电层结构包括被连接到所述配电装置的至少一个上馈电子探针部，所述公共介电层结构包括用于每个上馈电子探针部的下馈电子探针部。所述下馈电子探针部被连接到所述第二导电平面中的所述馈电网络。

这提供了实现替代的高效制造的优势。

所述目标还借助于用于制造根据以上所述的阵列天线装置并具有提到的优势的方法来实现。

附图说明

现在将参考附图更详细地描述本公开，这些附图是：

图1示出了背腔式贴片天线单元的第一示例的示意性透视侧视图；

图2示出了背腔式贴片天线单元的第一示例的示意性剖开侧视图；

图3示出了阵列天线装置的示意性顶视图；

图4示出了阵列天线装置的示意性侧视图；

图5示出了背腔式贴片天线单元的第二示例的示意性剖开侧视图；

图6示出了背腔式贴片天线单元的第三示例的示意性剖开侧视图；

图7示出了背腔式贴片天线单元的第四示例的示意性剖开侧视图；

图8示出了根据本公开的方法的流程图；以及

图9示出了根据本公开的方法的流程图。

具体实施方式

参考图1和图2，图1示出了背腔式贴片天线单元的透视侧视图，图2示出了背腔式贴片天线单元的示意性剖开侧视图，现在将描述第一示例。

天线单元1包括下导电平面2、上导电平面3以及位于导电平面2、3之间的上介电层结构4，其中上介电层结构4包括将导电平面2、3彼此电连接的多个导电过孔5(为了清晰起见，仅指示几个)。过孔5避开在上导电平面3中形成的上辐射贴片6和在上介电层结构4中形成的最低中间辐射贴片7，其中，最低中间辐射贴片7比上辐射贴片6更靠近下导电平面2。注意，在图1中未示出所有过孔5，为了清晰起见而具有间隙，但是当然过孔5旨在均匀分布并且完全避开贴片6、7。

以这种方式，在上介电层结构4中形成由过孔5限制的空腔，其中下导电平面2构成空腔底部。空腔高度和形状是调谐参数，这些调谐参数对于不同的带宽要求可以有所不同。

在贴片6、7之间存在第一上介电层16，以及在最低中间辐射贴片7与下导电平面2之间存在第二上介电层17。根据一些方面，上导电平面3包括过孔5被连接到的导电框架15。

根据本公开，最低中间辐射贴片7被连接到包括第一馈电探针9和第二馈电探针10的馈电装置，其中馈电探针9、10经由对应的孔12、13在下导电平面2中延伸并且被电连接到最低中间辐射贴片7。

配电装置19、20(仅示意性地指示)在下介电层结构14中延伸，其中下导电平面2位于上介电层结构4与下介电层结构14之间。配电装置19、20适于经由馈电探针9、10向具有两个正交极化的最低中间辐射贴片7馈电。

下介电层结构14包括包含配电装置19、20的第一信号层21和第一下介电层22。下介电层结构14还包括底部导电平面23和位于底部导电平面23与第一信号层21之间的第二下介电层24。以这种方式，第一信号层21被包括在带状线(stripline)结构中。

在此，配电装置19、20被示出为在一个信号层21中延伸，但是根据一些方面，下介电层结构14包括配电装置在其中延伸的多个信号层。

根据一些方面，在最低中间辐射贴片7与上辐射贴片6之间可以存在一个或多个其他中间辐射贴片。参考图5，示出了根据第二示例的背腔式贴片天线单元1'的示意性剖开侧视图，在替代的上介电层结构4'中，存在位于最低中间辐射贴片7与上辐射贴片6之间的上中间辐射贴片8。在上辐射贴片6与上中间辐射贴片8之间存在第一上介电层16'，以及在中间贴片7、8之间存在第三上介电层18'。

在本上下文中，术语“中间辐射贴片”涉及以下事实：这样的贴片位于上辐射贴片6与下导电平面2之间。

根据一些方面，最低中间辐射贴片7与下导电平面2之间的第一距离d1小于上辐射贴片6与最靠近的中间贴片7、8之间的第二距离d2、d2'。第一距离d1优选地相对小。

如图1中的虚线所示，多个天线单元可以并排放置以形成阵列天线，如将在下面讨论的那样；替代地，导电层2、3、23可以在所示天线单元结构外部继续作为接地平面。

参考图3和图4，图3示出了阵列天线装置的顶视图，图4示出了阵列天线装置的侧视图，阵列天线装置25包括多个天线单元1a、1b、1c、1d、1e、1f、1g、1h、1i和馈电组件27，馈电组件27包括对应的配电装置19、20。馈电组件27包括多个支路30、31(在图3中仅示意性地指示)，其中每个支路30、31适于向两个天线单元1a、1b馈电，以使得每个支路30、31适于向子阵列1a、1b馈电。根据一些方面，馈电组件27被连接到射频RF电路28。

根据一些方面，每个支路30、31适于向将构成子阵列的任何数量的天线单元馈电。如图3中的虚线所示，阵列天线装置25可以具有任何合适的尺寸，包括任何数量的天线单元。

在图3中，对于每个天线单元1a、1b、1c、1d、1e、1f、1g、1h、1i，示出了对应的上辐射贴片6a、6b、6c、6d、6e、6f、6g、6h、6i。

根据一些方面，还参考图6(其示出了根据第三示例的背腔式贴片天线单元61的示意性剖开侧视图)，对于每个天线单元61；1a、1b、1c、1d、1e、1f、1g、1h、1i，每个上介电层结构64被形成为单独的上部，以及下介电层结构65包括公共馈电装置，其中多个上介电层结构64适于被表面安装到下介电层结构65。如图6中的虚线所示，下介电层结构65的延伸与阵列天线装置25的延伸相一致。

为此，每个上介电层结构64包括上馈电探针部9a和第一下导电平面2a，而下层结构65包括下馈电探针部9b和第二下导电平面2b。此外，在进行表面安装之前，在第一下导电平面2a与第二下导电平面2b之间施加焊料涂层、导电胶/环氧树脂等29，在图6中，焊料涂层29示为被施加到第一下导电平面2a。当然，焊料涂层29可以改为被施加到第二下导电平面2b。

鉴于以上所述，参考图3、图6和图8，本公开涉及一种用于制造阵列天线装置25的方法。对于阵列天线装置25中的每个天线单元61；1a、1b、1c、1d、1e、1f、1g、1h、1i，该方法包括：

在第一下导电平面2a与第二下导电平面2b之间施加S1焊料涂层29。

将上介电层结构64放置S2在下层结构65上。

施加S3热量以使得焊料涂层29熔化。

替代地，根据一些方面并且参考图3和图7，其中图7示出了根据第四示例的背腔式贴片天线单元71和公共介电层结构34的示意性剖开侧视图，每个天线单元71；1a、1b、1c、1d、1e、1f、1g、1h、1i适于被表面安装到公共介电层结构34。

公共介电层结构34包括第一导电平面36a、第二导电平面36b以及第三导电平面36c。第一导电平面36a包括第一接地平面，第二导电平面36b构成信号层，第二导电平面36b包括馈电网络37并且与第一导电平面36a被第一介电层38分离，其中，第三导电平面36c包括第二接地平面并且与第二导电平面36b被第二介电层39分离。

每个天线单元71；1b、1c、1d、1e、1f、1g、1h、1i包括下介电层结构75，下介电层结构75包括被连接到配电装置19、20的至少一个上馈电子探针部32a。公共介电层结构34包括用于每个上馈电子探针部32a的下馈电子探针部32b，而下馈电子探针部32b被连接到第二导电平面36b中的馈电网络37。如图7中的虚线所示，公共介电层结构34的延伸与阵列天线装置25的延伸相一致。

此外，在进行表面安装之前，在底部接地平面23与第一导电平面36a之间施加焊料涂层33；在图7中，焊料涂层33示为被施加到底部接地平面23。当然，焊料涂层33可以改为被施加到第一导电平面36a。

在此，馈电网络37被示为在一个信号层中以导电平面36b的形式延伸，但是根据一些方面，公共介电层结构34包括馈电网络在其中延伸的多个导电平面。

鉴于以上所述，参考图3、图7和图9，本公开涉及一种用于制造阵列天线装置25的方法。该方法包括：

在天线单元71；1a、1b、1c、1d、1e、1f、1g、1h、1i的下介电层结构75的底部接地平面23与第一导电平面36a中的第一接地平面之间施加S10焊料涂层33。

将天线单元71；1a、1b、1c、1d、1e、1f、1g、1h、1i放置S20在公共介电层结构34上。

施加S30热量以使得焊料涂层33熔化。

本公开不限于以上所述，而是可以在所附权利要求的范围内变化。例如，根据一些方面，下介电层结构14仅包括第一信号层21和第一下介电层22，第一信号层21被包括在微带结构中。

天线包括通过过孔互连的至少两个接地金属平面，其中，下平面构成空腔底部，而上平面包括孔开口。

根据一些方面，每个介电层可以包括两个或更多个子层，其中介电层中的两个或更多个子层可以由不同的介电材料制成。每个子层可以借助于过孔5被接地。

空腔和/或贴片的形状不限于矩形或圆形，而是其他形状当然是可能的，例如六边形、八边形等。根据一些方面，每个天线单元1中的贴片可以具有不同的相互大小和/或形状。

尽管未示出，但是配电装置19、20可以被过孔围绕以便抑制来自配电装置19、20的不需要的辐射。

根据一些方面，借助上面参考图6描述的表面安装来制造阵列天线可以被应用于个体天线单元。在这种情况下，如图6所示，上介电层结构64被形成为单独的上部，而下介电层结构65被形成为单独的下部。在图6中，使用虚线来指示下介电层结构65延续，就像阵列天线的情况那样，但是对于个体天线单元61，下介电层结构65与上介电层结构64相匹配。

上介电层结构64适于被表面安装到下介电层结构65，并且包括上馈电探针部9a和第一下导电平面2a。下层结构65包括下馈电探针部9b和第二下导电平面2b。

根据一些方面，可以如参考图6和图8所述来制造一个天线单元或一组天线单元。然后可以如上面参考图7和图9所述来组装多个这样的天线单元或天线单元组以形成阵列天线。

在图2、图5、图6和图7(各自示出了背腔式贴片天线单元的示意性剖开侧视图)中，仅示出了一个探针单元9；9a、9b，尽管存在两个探针单元。

根据一些方面，每个天线单元1是单极化的并且仅包括一个探针单元。替代地，每个天线单元1包括四个探针单元，它们对称地向最低中间辐射贴片7馈电。在一个以上的探针单元的情况下，每个天线单元1适合于双极化或圆极化。

根据一些方面，在上导电平面3之中、下方或上方形成上辐射贴片6。

使最低中间辐射贴片7位于相对靠近下导电平面2的位置并且上辐射贴片在上导电平面中形成的孔平面之中或附近有两方面影响。首先，减少来自馈电探针的辐射，这导致更对称和更好的天线辐射特征。其次，显著改进交叉极化辐射性能。

根据一些方面，配电层被连接到其他层，在这些层中可以获得到无线电组件和/或ASIC(专用集成电路)的路由和连接。

正交之类的术语并非旨在被解释为具有数学上精确性，而是被解释为在本上下文中实际可获得的范围内。

总体上，本公开涉及一种天线单元1，其包括下导电平面2、上导电平面3以及位于导电平面2、3之间的上介电层结构4，其中，上介电层结构4包括多个导电过孔5，多个导电过孔5将导电平面2、3彼此电连接并且避开在上导电平面3之中、下方或上方形成的上辐射贴片6，其中，导电过孔5避开在上介电层结构4中形成的至少一个中间辐射贴片7、8，其中，最靠近下导电平面2的最低中间辐射贴片7被连接到馈电装置9、10，馈电装置9、10包括至少一个馈电探针9、10，至少一个馈电探针9、10经由对应的孔13在下导电平面2中延伸并被电连接到最低中间辐射贴片7。

根据一些方面，上介电结构4包括针对每个辐射贴片6、7、8形成的单独的介电层16、17、18。

根据一些方面，上导电平面3包括过孔5被连接到的导电框架15。

根据一些方面，每个馈电装置被连接到在下介电层结构14中延伸的配电装置19、20，其中，下导电平面2位于上介电层结构4与下介电层结构14之间。

根据一些方面，下介电层结构14包括包含配电装置19、20的至少一个信号层21和用于每个信号层21的至少一个介电层22。

根据一些方面，下介电层结构14包括底部导电平面23和位于底部导电平面23与最靠近的信号层21之间的至少一个介电层24。

根据一些方面，上介电层结构64被形成为单独的上部，其中，下介电层结构65被形成为单独的下部，其中，上介电层结构64适于被表面安装到下介电层结构65。

根据一些方面，上介电层结构64包括上馈电探针部9a和第一下导电平面2a，而下层结构65包括下馈电探针部9b和第二下导电平面2b。

根据一些方面，最低中间辐射贴片7与下导电平面2之间的第一距离d1小于上辐射贴片6与最靠近的中间贴片7、8之间的第二距离d2、d2'。

总体上，本公开还涉及一种阵列天线装置25，其包括根据权利要求1至9中任一项所述的多个天线单元1a、1b、1c、1d、1e、1f、1g、1h、1i，其中，阵列天线装置25还包括包含配电装置19、20的馈电组件27。

根据一些方面，馈电组件27包括多个支路30、31，其中，每个支路适于向至少两个天线单元1a、1b馈电，以使得每个支路30、31适于向子阵列1a、1b馈电。

根据一些方面，馈电组件27被连接到射频RF电路28。

根据一些方面，每个上介电层结构64被形成为单独的上部，其中，下介电层结构65包括公共馈电装置，其中，多个上介电层结构64适于被表面安装到下介电层结构65。

根据一些方面，每个上介电层结构64包括上馈电探针部9a和第一下导电平面2a，而下层结构65包括下馈电探针部9b和第二下导电平面2b。

根据一些方面，每个天线单元71；1a、1b、1c、1d、1e、1f、1g、1h、1i适于被表面安装到公共介电层结构34。

根据一些方面，公共介电层结构34包括第一导电平面36a、第二导电平面36b以及第三导电平面36c，其中，第一导电平面36a包括第一接地平面，第二导电平面36b包括馈电网络37并且与第一导电平面36a被第一介电层38分离，其中，第三导电平面36c包括第二接地平面并且与第二导电平面36b被第二介电层39分离，其中，每个天线单元71；1b、1c、1d、1e、1f、1g、1h、1i包括下介电层结构75，下介电层结构75包括被连接到配电装置19、20的至少一个上馈电子探针部32a，其中，公共介电层结构34包括用于每个上馈电子探针部32a的下馈电子探针部32b，其中，下馈电子探针部32b被连接到第二导电平面36b中的馈电网络37。

Claims (15)

1.一种天线单元（1），包括下导电平面（2）、上导电平面（3）以及位于所述导电平面（2，3）之间的上介电层结构（64），其中，所述上介电层结构（64）包括多个导电过孔（5），所述多个导电过孔（5）将所述导电平面（2，3）彼此电连接并且避开在所述上导电平面（3）之中、下方或上方形成的上辐射贴片（6），其中，所述导电过孔（5）避开在所述上介电层结构（64）中形成的至少一个中间辐射贴片（7，8），其中，最靠近所述下导电平面（2）的最低中间辐射贴片（7）被连接到馈电装置，所述馈电装置包括至少一个馈电探针（9，10），所述至少一个馈电探针（9，10）经由对应的孔（13）在所述下导电平面（2）中延伸并且被电连接到所述最低中间辐射贴片（7）；

其中，每个馈电装置被连接到在下介电层结构（65）中延伸的配电装置（19，20），其中，所述下导电平面（2）位于所述上介电层结构（64）与所述下介电层结构（65）之间；

其中，所述上介电层结构（64）被形成为单独的上部，其中，所述下介电层结构（65）被形成为单独的下部，其中，所述上介电层结构（64）适于被表面安装到所述下介电层结构（65）；

所述上介电层结构（64）包括上馈电探针部（9a）和第一下导电平面（2a），所述下介电层结构（65）包括下馈电探针部（9b）和第二下导电平面（2b）。

2.根据权利要求1所述的天线单元（1），其中，所述上介电层结构（64）包括针对每个辐射贴片（6，7，8）形成的单独的介电层（16，17，18）。

3.根据权利要求1或2中任一项所述的天线单元（1），其中，所述上导电平面（3）包括所述导电过孔（5）被连接到的导电框架（15）。

4.根据权利要求3所述的天线单元（1），其中，所述下介电层结构（65）包括包含所述配电装置（19，20）的至少一个信号层（21）和用于每个信号层（21）的至少一个介电层（22）。

5.根据权利要求4所述的天线单元（1），其中，所述下介电层结构（65）包括底部导电平面（23）和位于所述底部导电平面（23）与所述最靠近的信号层（21）之间的至少一个介电层（24）。

6.根据权利要求1或者2所述的天线单元（1），其中，所述最低中间辐射贴片（7）与所述下导电平面（2）之间的第一距离（d1）小于所述上辐射贴片（6）与最靠近的中间辐射贴片（7，8）之间的第二距离（d2，d2'）。

7.一种阵列天线装置（25），包括多个根据权利要求1至6中任一项所述的天线单元（1a，1b，1c，1d，1e，1f，1g，1h，1i），其中，所述阵列天线装置（25）还包括包含所述配电装置（19，20）的馈电组件（27）。

8.根据权利要求7所述的阵列天线装置（25），其中，所述馈电组件（27）包括多个支路（30，31），其中，每个支路适于向至少两个天线单元（1a，1b）馈电，以使得每个支路（30，31）适于向子阵列馈电。

9.根据权利要求7或8中任一项所述的阵列天线装置（25），其中，所述馈电组件（27）被连接到射频RF电路（28）。

10.根据权利要求7或8中任一项所述的阵列天线装置，其中，每个上介电层结构（64）被形成为单独的上部，其中，所述下介电层结构（65）包括公共馈电装置，其中，多个上介电层结构（64）适于被表面安装到所述下介电层结构（65）。

11.根据权利要求10所述的阵列天线装置，其中，每个上介电层结构（64）包括上馈电探针部（9a）和第一下导电平面（2a），所述下介电层结构（65）包括下馈电探针部（9b）和第二下导电平面（2b）。

12.根据权利要求7或8中任一项所述的阵列天线装置，其中，每个天线单元（71；1a，1b，1c，1d，1e，1f，1g，1h，1i）适于被表面安装到公共介电层结构（34）。

13.根据权利要求12所述的阵列天线装置，其中，所述公共介电层结构（34）包括第一导电平面（36a）、第二导电平面（36b）以及第三导电平面（36c），其中，所述第一导电平面（36a）包括第一接地平面，所述第二导电平面（36b）包括馈电网络（37）并且与所述第一导电平面（36a）被第一介电层（38）分离，其中，所述第三导电平面（36c）包括第二接地平面并且与所述第二导电平面（36b）被第二介电层（39）分离，其中，每个天线单元（71；1b，1c，1d，1e，1f，1g，1h，1i）包括下介电层结构（75），所述下介电层结构（75）包括被连接到所述配电装置（19，20）的至少一个上馈电子探针部（32a），其中，所述公共介电层结构（34）包括用于每个上馈电子探针部（32a）的下馈电子探针部（32b），其中，所述下馈电子探针部（32b）被连接到所述第二导电平面（36b）中的所述馈电网络（37）。

14.一种用于制造根据权利要求11所述的阵列天线装置（25）的方法，其中，对于所述阵列天线装置（25）中的每个天线单元（61；1a，1b，1c，1d，1e，1f，1g，1h，1i），所述方法包括：

在所述第一下导电平面（2a）与所述第二下导电平面（2b）之间施加（S1）焊料涂层（29）；

将上介电层结构（64）放置（S2）在所述下介电层结构（65）上；以及

施加（S3）热量以使得所述焊料涂层（29）熔化。

15.一种用于制造根据权利要求13所述的阵列天线装置（25）的方法，其中，所述方法包括：

在所述天线单元（71；1a，1b，1c，1d，1e，1f，1g，1h，1i）的所述下介电层结构（75）的底部接地平面（23）与所述第一导电平面（36a）中的所述第一接地平面之间施加（S10）焊料涂层（33）；

将所述天线单元（71；1a，1b，1c，1d，1e，1f，1g，1h，1i）放置（S20）在所述公共介电层结构（34）上；以及

施加（S30）热量以使得所述焊料涂层（33）熔化。

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