CN112017593A - 一种显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
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Abstract

本发明提供一种显示基板及其制作方法、显示装置,涉及显示技术领域,为解决解决由于不同颜色的子像素中阳极电压达到稳定的时间不一致,导致显示器出现屏幕闪烁的不良现象的问题。所述显示基板中,每个子像素均包括:电源信号线,子像素驱动电路和屏蔽图形;子像素驱动电路包括驱动晶体管和双栅结构的补偿晶体管;屏蔽图形与沿第二方向相邻的子像素中的电源信号线电连接,屏蔽图形在基底上的正投影与补偿晶体管中的导体图形在基底上的正投影之间具有交叠面积;显示基板包括多个第一子像素和多个第二子像素,第一子像素中的交叠面积大于第二子像素中的交叠面积。本发明提供的显示基板用于显示。

Description

一种显示基板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(英文:Active Matrix Organic Light-EmittingDiode,简称:AMOLED,)显示器,与传统的液晶显示器相比,具有自发光、广色域、高对比度、轻薄等优点,近年来被广泛应用在各个领域。
AMOLED显示器包括子像素驱动电路,子像素驱动电路中驱动晶体管的栅极电压容易受到其它晶体管的干扰,在发光阶段处于不稳定的状态。而驱动晶体管的栅极电压不稳定会导致发光元件的阳极电压变化,使得发光元件的阳极电压会经历从变化到稳定的过程,而不同颜色的子像素中阳极电压达到稳定的时间不一致,造成这段时间内该子像素所显示亮度及色度产生偏差,进而导致了显示器出现屏幕闪烁的不良现象。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示基板及其制作方法、显示装置,用于解决由于不同颜色的子像素中阳极电压达到稳定的时间不一致,造成这段时间内该子像素所显示亮度及色度产生偏差,进而导致显示器出现屏幕闪烁的不良现象的问题。
为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
本发明的第一方面提供一种显示基板,包括:基底和设置在所述基底上的多个子像素,所述多个子像素呈阵列分布;每个子像素均包括:
电源信号线,所述电源信号线的至少部分沿第一方向延伸;
子像素驱动电路,每个所述子像素驱动电路均包括驱动晶体管和双栅结构的补偿晶体管,所述驱动晶体管的第一极与所述电源信号线电连接,所述补偿晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接,所述补偿晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极电连接,所述补偿晶体管的有源层包括第一半导体图形、第二半导体图形,以及位于所述第一半导体图形和所述第二半导体图形之间的导体图形;
屏蔽图形,所述屏蔽图形与沿第二方向相邻的子像素中的电源信号线电连接,所述屏蔽图形在所述基底上的正投影与所述导体图形在所述基底上的正投影之间具有交叠面积;所述第二方向与所述第一方向相交;
所述多个子像素包括多个第一子像素和多个第二子像素,所述第一子像素中的所述交叠面积大于所述第二子像素中的所述交叠面积。
可选的,所述多个子像素还包括多个第三子像素,所述第三子像素中的所述交叠面积小于所述第二子像素中的所述交叠面积。
可选的,在每个所述子像素中,所述导体图形均包括拐角部分,第一导体部分和第二导体部分;所述第一导体部分与所述拐角部分的第一端电连接,所述第二导体部分与所述拐角部分的第二端电连接,所述第一导体部分沿所述第一方向延伸,所述第二导体部分沿第二方向延伸;
在所述第一子像素中,所述屏蔽图形在所述基底上的正投影与所述拐角部分在所述基底上的正投影之间具有第一交叠面积;所述屏蔽图形在所述基底上的正投影与所述第一导体部分在所述基底上的正投影之间具有第二交叠面积;
在所述第二子像素中,所述屏蔽图形在所述基底上的正投影与所述拐角部分在所述基底上的正投影之间具有所述第一交叠面积;所述屏蔽图形在所述基底上的正投影与所述第一导体部分在所述基底上的正投影之间具有第三交叠面积;所述第三交叠面积小于所述第二交叠面积。
可选的,在所述第三子像素中,所述屏蔽图形在所述基底上的正投影与所述拐角部分在所述基底上的正投影之间具有所述第一交叠面积;所述屏蔽图形在所述基底上的正投影与所述第一导体部分在所述基底上的正投影不交叠。
可选的,在各所述子像素中,所述屏蔽图形均包括第一子图形、第二子图形和第三子图形,所述第一子图形的至少部分沿所述第一方向延伸,所述第二子图形沿第二方向延伸,所述第二子图形位于所述第一子图形与所述第三子图形之间,所述第二子图形分别与所述第一子图形和所述第三子图形电连接;所述第一子图形在所述基底上的正投影与沿第二方向相邻的子像素中的电源信号线在所述基底上的正投影交叠,所述第一子图形与该电源信号线在该交叠处电连接;所述第三子图形在所述基底上的正投影与所述导体图形在所述基底上的正投影之间具有交叠面积;
所述第一子像素中所述第三子图形在第一方向的长度,大于所述第二子像素中所述第三子图形在第一方向的长度。
可选的,所述第一子像素中所述第一导体部分在第一方向的长度,大于所述第二子像素中所述第一导体部分在第一方向的长度。
可选的,所述第二子像素中所述第三子图形在第一方向的长度,大于所述第三子像素中所述第三子图形在第一方向的长度。
可选的,所述第二子像素中所述第一导体部分在第一方向的长度,大于所述第三子像素中所述第一导体部分在第一方向的长度。
可选的,所述第一子像素中的所述交叠面积是所述第三子像素中的所述交叠面积的三倍。
可选的,所述第二子像素中的所述交叠面积是所述第三子像素中的所述交叠面积的二倍。
可选的,所述第一子像素包括绿色子像素,所述第二子像素包括红色子像素,所述第三子像素包括蓝色子像素。
可选的,所述子像素还包括:发光元件、数据线、初始化信号线、复位信号线、栅线和发光控制信号线;所述数据线的至少部分沿所述第一方向延伸;所述初始化信号线图形的至少部分,所述复位信号线图形的至少部分,所述栅线图形的至少部分和所述发光控制信号线图形的至少部分均沿所述第二方向延伸;
所述子像素驱动电路还包括:第一晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和存储电容;
所述第一晶体管的栅极与所述复位信号线电连接;所述第一晶体管的第一极与所述初始化信号线电连接,所述第一晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极电连接;
所述补偿晶体管的栅极与所述栅线电连接;
所述第四晶体管的栅极与所述栅线电连接;所述第四晶体管的第一极与所述数据线电连接,所述第四晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极电连接接;
所述驱动晶体管的第一极通过所述第五晶体管与所述电源信号线电连接,所述第五晶体管的栅极与所述发光控制信号线电连接,所述第五晶体管的第一极与所述电源信号线电连接,所述第五晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极电连接;
所述第六晶体管的栅极与所述发光控制信号线电连接,所述第六晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接,所述第六晶体管的第二极与所述发光元件电连接;
所述第七晶体管的栅极与沿所述第一方向相邻的下一个子像素中的复位信号线电连接,所述第七晶体管的第一极与沿所述第一方向相邻的下一个子像素中的所述初始化信号线电连接,所述第七晶体管的第二极与所述发光元件电连接;
所述存储电容的第一极板复用为所述驱动晶体管的栅极,所述存储电容的第二极板与所述电源信号线电连接。
基于上述显示基板的技术方案,本发明的第二方面提供一种显示装置,包括上述显示基板。
基于上述显示基板的技术方案,本发明的第三方面提供一种显示基板的制作方法,用于制作上述显示基板,所述制作方法包括:在基底上制作的多个子像素,所述多个子像素呈阵列分布;制作每个子像素的步骤具体均包括:
制作电源信号线,所述电源信号线的至少部分沿第一方向延伸;
制作子像素驱动电路,每个所述子像素驱动电路均包括驱动晶体管和双栅结构的补偿晶体管,所述驱动晶体管的第一极与所述电源信号线电连接,所述补偿晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接,所述补偿晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极电连接,所述补偿晶体管的有源层包括第一半导体图形、第二半导体图形,以及位于所述第一半导体图形和所述第二半导体图形之间的导体图形;
制作屏蔽图形,所述屏蔽图形与沿第二方向相邻的子像素中的电源信号线电连接,所述屏蔽图形在所述基底上的正投影与所述导体图形在所述基底上的正投影之间具有交叠面积;所述第二方向与所述第一方向相交;
所述多个子像素包括多个第一子像素和多个第二子像素,所述第一子像素中的所述交叠面积大于所述第二子像素中的所述交叠面积。
本发明提供的技术方案中,通过设置所述第一子像素中的所述交叠面积大于所述第二子像素中的所述交叠面积,使所述第一子像素中的遮挡电容Cap的电容值与所述第二子像素中的遮挡电容Cap的电容值不同;而通过在所述第一子像素和所述第二子像素中设置合适的遮挡电容Cap电容值,能够使得在所述第一子像素和所述第二子像素中,补偿晶体管在发光阶段的漏电情况均一,这样在所述第一子像素和所述第二子像素中,N4节点的电压能够在同一时刻达到稳定,使得所述第一子像素和第二子像素仅在N4节点电压未稳定时和稳定时有亮度上的差异,而在色度上不会产生差异,从而有效改善了显示基板在应用于显示装置时出现的屏幕闪烁的不良现象,实现了显示装置显示画质的提升,极大的提高了显示装置在应用时的用户体验感。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本发明的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1为本发明实施例提供的子像素驱动电路的电路结构图;
图2为图1对应的工作流程图;
图3为本发明实施例提供的三个子像素的布局示意图;
图4为遮挡电容取不同电容值时红色子像素中T2M节点在一帧内的变化情况示意图;
图5为遮挡电容取不同电容值时绿色子像素中T2M节点在一帧内的变化情况示意图;
图6为遮挡电容取不同电容值时蓝色子像素中T2M节点在一帧内的变化情况示意图;
图7为遮挡电容取不同电容值时红色子像素中N1节点在一帧内的变化情况示意图;
图8为遮挡电容取不同电容值时绿色子像素中N1节点在一帧内的变化情况示意图;
图9为遮挡电容取不同电容值时蓝色子像素中N1节点在一帧内的变化情况示意图;
图10为遮挡电容取不同电容值时红色子像素中N4节点在一帧内的变化情况示意图;
图11为遮挡电容取不同电容值时绿色子像素中N4节点在一帧内的变化情况示意图;
图12为遮挡电容取不同电容值时蓝色子像素中N4节点在一帧内的变化情况示意图;
图13为本发明实施例提供的红绿蓝三种颜色子像素中N4节点在一帧内变化情况的第一示意图;
图14为本发明实施例提供的红绿蓝三种颜色子像素中N4节点在一帧内变化情况的第二示意图;
图15a为本发明实施例提供的第一子像素中第三子图形与导体图形交叠示意图;
图15b为本发明实施例提供的第一子像素中屏蔽图形的结构示意图;
图15c为本发明实施例提供的第一子像素中导体图形的结构示意图;
图16a为本发明实施例提供的第二子像素中第三子图形与导体图形交叠示意图;
图16b为本发明实施例提供的第二子像素中屏蔽图形的结构示意图;
图16c为本发明实施例提供的第二子像素中导体图形的结构示意图;
图17a为本发明实施例提供的第三子像素中第三子图形与导体图形交叠示意图;
图17b为本发明实施例提供的第三子像素中屏蔽图形的结构示意图;
图17c为本发明实施例提供的第三子像素中导体图形的结构示意图。
具体实施方式
为了进一步说明本发明实施例提供的一种显示基板及其制作方法、显示装置,下面结合说明书附图进行详细描述。
如图1和图3所示,本发明实施例提供的显示基板中,包括多个子像素,每个子像素均包括子像素驱动电路,所述多个子像素包括的多个子像素驱动电路呈阵列分布在显示基板的基底上。每个子像素驱动电路均包括第一晶体管T1至第七晶体管T7,以及存储电容Cst。第二晶体管T2作为子像素驱动电路中的补偿晶体管,第三晶体管T3作为子像素驱动电路中的驱动晶体管。所述补偿晶体管为双栅结构,所述补偿晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第一极电连接,所述补偿晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极电连接。所述驱动晶体管的第二极与子像素中发光元件的阳极电连接。
所述子像素驱动电路在工作时,由于双栅结构的补偿晶体管漏电,使N1节点在发光阶段的电压不稳定,使驱动晶体管的栅极电压一直处于变化的状态,从而导致N4节点的电压处于变化的状态。
如图1、图3、图17a~图17c所示,所述补偿晶体管为双栅结构,补偿晶体管的有源层一般包括第一半导体图形、第二半导体图形,以及位于所述第一半导体图形和所述第二半导体图形之间的导体图形20,所述导体图形20分别连接所述第一半导体图形和所述第二半导体图形。每个所述子像素还包括屏蔽图形10,所述屏蔽图形10与子像素中的电源信号线VDD电连接,使所述屏蔽图形10具有稳定的电位。通过设置所述屏蔽图形10在所述基底上的正投影与所述导体图形20在所述基底上的正投影交叠,使得所述屏蔽图形10能够屏蔽外界对所述导体图形20的干扰,改善所述补偿晶体管的漏电情况。
以所述多个子像素包括:红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素为例,经研究发现:
所述屏蔽图形10与所述导体图形20之间形成遮挡电容Cap。如图4所示,图4示意了红色子像素在遮挡电容Cap取不同电容值时,T2M节点的电压(即所述导体图形20上的电压)在一帧内的变化情况。如图5所示,图5示意了绿色子像素在遮挡电容Cap取不同电容值时,T2M节点的电压在一帧内的变化情况。如图6所示,图6示意了蓝色子像素在遮挡电容Cap取不同电容值时,T2M节点的电压在一帧内的变化情况。从图4、图5和图6能够看出,遮挡电容Cap的取值越大,T2M节点的电压在一帧内的变化幅度越小。所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中,T2M节点的电压变化呈现相同的趋势。
如图7所示,图7示意了红色子像素在遮挡电容Cap取不同电容值时,N1节点的电压在一帧内的变化情况。如图8所示,图8示意了绿色子像素在遮挡电容Cap取不同电容值时,N1节点的电压在一帧内的变化情况。如图9所示,图9示意了蓝色子像素在遮挡电容Cap取不同电容值时,N1节点的电压在一帧内的变化情况。从图7、图8和图9能够看出,遮挡电容Cap的取值越大,N1节点的电压在一帧内从变化到稳定的时间越短。所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中,N1节点的电压变化呈现相同的趋势。在遮挡电容Cap取相同的电容值时,蓝色子像素中N1节点的电压在一帧内从变化到稳定的时间最短,绿色子像素中N1节点的电压在一帧内从变化到稳定的时间最长,红色子像素中N1节点的电压在一帧内从变化到稳定的时间位于绿色子像素和蓝色子像素之间。
如图10所示,图10示意了红色子像素在遮挡电容Cap取不同电容值时,N4节点的电压在一帧内的变化情况。如图11所示,图11示意了绿色子像素在遮挡电容Cap取不同电容值时,N4节点的电压在一帧内的变化情况。如图12所示,图12示意了蓝色子像素在遮挡电容Cap取不同电容值时,N4节点的电压在一帧内的变化情况。从图10、图11和图12中能够看出,遮挡电容Cap的取值越大,N4节点的电压在一帧内从变化到稳定的时间越短。所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中,N4节点的电压变化呈现相同的趋势。在遮挡电容Cap取相同的电容值时,蓝色子像素中N4节点的电压在一帧内从变化到稳定的时间最短,绿色子像素中N4节点的电压在一帧内从变化到稳定的时间最长,红色子像素中N4节点的电压在一帧内从变化到稳定的时间位于绿色子像素和蓝色子像素之间。由于N4节点直接影响发光元件的显示,所以N4节点的电压变化尤为重要。
基于上述发现可知,遮挡电容Cap的电容取值会对T2M节点的电压、N1节点的电压、以及N4节点的电压产生影响。而且,当设置不同颜色的子像素中遮挡电容Cap取相同的电容值时,不同颜色的子像素中N4节点达到稳定显示的时间不一致。具体如图13所示,当设置红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B中遮挡电容Cap取相同的电容值时,红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B中N4节点达到稳定的时间不一致,这就导致各子像素在一帧内有近50%的时间所显示的色度与亮度不达标,造成这段时间内各子像素所显示的亮度及色度产生偏差,进而导致了显示器出现屏幕闪烁的不良现象。
基于上述问题,本发明提供如下技术方案:
请参阅图1和图3,本发明实施例提供了一种显示基板,包括:基底和设置在所述基底上的多个子像素,所述多个子像素呈阵列分布;每个子像素均包括:
电源信号线VDD,所述电源信号线VDD的至少部分沿第一方向延伸;
子像素驱动电路,每个所述子像素驱动电路均包括驱动晶体管和双栅结构的补偿晶体管,所述驱动晶体管的第一极与所述电源信号线VDD电连接,所述补偿晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接,所述补偿晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极电连接,所述补偿晶体管的有源层包括第一半导体图形、第二半导体图形,以及位于所述第一半导体图形和所述第二半导体图形之间的导体图形20;
屏蔽图形10,所述屏蔽图形10与沿第二方向相邻的子像素中的电源信号线VDD电连接,所述屏蔽图形10在所述基底上的正投影与所述导体图形20在所述基底上的正投影之间具有交叠面积;所述第二方向与所述第一方向相交;
所述多个子像素包括多个第一子像素和多个第二子像素,所述第一子像素中的所述交叠面积大于所述第二子像素中的所述交叠面积。
具体地,每个所述子像素均包括电源信号线VDD,所述电源信号线VDD的至少部分沿第一方向延伸,沿所述第一方向位于同一列的子像素中,各子像素包括的电源信号线VDD依次电连接;示例性的,所述各子像素包括的电源信号线VDD形成为一体结构。
每个所述子像素均包括子像素驱动电路和发光元件,所述子像素驱动电路整***于所述基底与所述发光元件之间。示例性的,所述子像素驱动电路包括驱动晶体管,所述发光元件包括相对设置的阳极和阴极,以及位于所述阳极与所述阴极之间的有机发光材料层,所述驱动晶体管的第二极与所述阳极电连接,用于为所述阳极提供驱动信号,进而驱动有机发光材料层发光。
所述子像素驱动电路还包括补偿晶体管,所述补偿晶体管接在所述驱动晶体管的第二极与栅极之间,能够在补偿时段将驱动晶体管的阈值电压写入到所述驱动晶体管的栅极,实现对驱动晶体管的阈值电压补偿。
所述补偿晶体管采用双栅结构,所述补偿晶体管的有源层包括第一半导体图形、第二半导体图形和导体图形20。所述第一半导体图形和所述第二半导体图形均被所述补偿晶体管的栅极覆盖。所述导体图形20位于所述第一半导体图形和所述第二半导体图形之间,所述导体图形20分别与所述第一半导体图形和所述第二半导体图形连接。
每个所述子像素还包括屏蔽图形10,示例性的,所述屏蔽图形10在所述基底上的正投影,与沿第二方向相邻的子像素中的电源信号线VDD在所述基底上的正投影交叠,在该交叠处,所述屏蔽图形10与相邻的子像素中的电源信号线VDD电连接,使所述屏蔽图形10具有与所述电源信号线VDD相同的固定电位。示例性的,所述第一方向包括竖直方向,所述第二方向包括水平方向。
所述屏蔽图形10在所述基底上的正投影与所述导体图形20在所述基底上的正投影交叠,所述屏蔽图形10与所述导体图形20之间形成遮挡电容Cap,遮挡电容Cap的容值,与所述屏蔽图形10在所述基底上的正投影和所述导体图形20在所述基底上的正投影之间的交叠面积相关。
所述显示基板包括延远离所述基底的方向依次层叠设置的有源材料层,第一栅极绝缘层,第一栅金属层,第二栅极绝缘层,第二栅金属层,层间绝缘层和第一源漏金属层。所述有源材料层能够形成所述补偿晶体管中的有源层,所述第二栅金属层能够形成所述屏蔽图形10,所述第一源漏金属层能够形成所述电源信号线VDD。
所述多个子像素包括多个第一子像素和多个第二子像素,所述第一子像素的发光颜色与所述第二子像素的发光颜色不同。示例性的,所述第一子像素包括绿色子像素,所述第二子像素包括红色子像素。
根据上述显示基板的具体结构可知,本发明实施例提供的显示基板中,通过设置所述第一子像素中的所述交叠面积大于所述第二子像素中的所述交叠面积,使所述第一子像素中的遮挡电容Cap的电容值与所述第二子像素中的遮挡电容Cap的电容值不同;而通过在所述第一子像素和所述第二子像素中设置合适的遮挡电容Cap电容值,能够使得在所述第一子像素和所述第二子像素中,补偿晶体管在发光阶段的漏电情况均一,这样在所述第一子像素和所述第二子像素中,N4节点的电压能够在同一时刻达到稳定,使得所述第一子像素和第二子像素仅在N4节点电压未稳定时和稳定时有亮度上的差异,而在色度上不会产生差异,从而有效改善了显示基板在应用于显示装置时出现的屏幕闪烁的不良现象,实现了显示装置显示画质的提升,极大的提高了显示装置在应用时的用户体验感。
在一些实施例中,设置所述多个子像素还包括多个第三子像素,所述第三子像素中的所述交叠面积小于所述第二子像素中的所述交叠面积。
示例性的,所述第三子像素包括蓝色子像素。
上述设置方式使所述第三子像素中的遮挡电容Cap的电容值与所述第二子像素中的遮挡电容Cap的电容值不同;而通过在所述第三子像素和所述第二子像素中设置合适的遮挡电容Cap电容值,能够使得在所述第三子像素和所述第二子像素中,补偿晶体管在发光阶段的漏电情况均一,这样在所述第三子像素和所述第二子像素中,N4节点的电压能够在同一时刻达到稳定,使得所述第三子像素和第二子像素仅在N4节点电压未稳定时和稳定时有亮度上的差异,而在色度上不会产生差异,从而有效改善了显示基板在应用于显示装置时出现的屏幕闪烁的不良现象。最终实现了显示装置显示画质的提升,极大的提高了显示装置在应用时的用户体验感。
另外,当设置所述第一子像素中的所述交叠面积大于所述第二子像素中的所述交叠面积,所述第三子像素中的所述交叠面积小于所述第二子像素中的所述交叠面积时,通过在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中设置合适的遮挡电容Cap电容值,还能够有效缩短N4节点的电压达到稳定所需要的时间,从而更好的提升了显示基板应用与显示装置中时,显示装置的显示质量。
如图15a~图15c,图16a~图16c所示,在一些实施例中,在每个所述子像素中,所述导体图形20均包括拐角部分201,第一导体部分202和第二导体部分203;所述第一导体部分202与所述拐角部分201的第一端电连接,所述第二导体部分203与所述拐角部分201的第二端电连接,所述第一导体部分202沿所述第一方向延伸,所述第二导体部分203沿第二方向延伸;
如图15a~图15c所示,在所述第一子像素中,所述屏蔽图形10在所述基底上的正投影与所述拐角部分201在所述基底上的正投影之间具有第一交叠面积;所述屏蔽图形10在所述基底上的正投影与所述第一导体部分202在所述基底上的正投影之间具有第二交叠面积;
如图16a~图16c所示,在所述第二子像素中,所述屏蔽图形10在所述基底上的正投影与所述拐角部分201在所述基底上的正投影之间具有所述第一交叠面积;所述屏蔽图形10在所述基底上的正投影与所述第一导体部分202在所述基底上的正投影之间具有第三交叠面积;所述第三交叠面积小于所述第二交叠面积。
具体地,在每个所述子像素中,所述导体图形20均包括所述拐角部分201,所述第一导体部分202和所述第二导体部分203,所述导体图形20形成为类似“┌”结构。
在所述第一子像素和所述第二子像素中,所述屏蔽图形10在所述基底上的正投影与所述拐角部分201在所述基底上的正投影形成相同的第一交叠面积。在所述第一子像素中,所述屏蔽图形10在所述基底上的正投影与所述第一导体部分202在所述基底上的正投影之间形成第二交叠面积;在所述第二子像素中,所述屏蔽图形10在所述基底上的正投影与所述第一导体部分202在所述基底上的正投影之间形成第三交叠面积。通过设置所述第三交叠面积小于所述第二交叠面积,使得在所述第二子像素中形成的遮挡电容Cap的电容值小于在所述第一子像素中形成的遮挡电容Cap的电容值。
上述实施例提供的显示基板中,通过设置合适的第二交叠面积和第三交叠面积,能够使所述第一子像素和所述第二子像素中的遮挡电容Cap具有合适电容值,从而使得在所述第一子像素和所述第二子像素中,补偿晶体管在发光阶段的漏电情况均一,N4节点的电压能够在同一时刻达到稳定。
如图17a~图17c所示,在一些实施例中,在所述第三子像素中,所述屏蔽图形10在所述基底上的正投影与所述拐角部分201在所述基底上的正投影之间具有所述第一交叠面积;所述屏蔽图形10在所述基底上的正投影与所述第一导体部分202在所述基底上的正投影不交叠。
具体地,在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中,所述屏蔽图形10在所述基底上的正投影与所述拐角部分201在所述基底上的正投影形成相同的第一交叠面积。
通过设置所述屏蔽图形10在所述基底上的正投影与所述第一导体部分202在所述基底上的正投影不交叠,使得所述第三子像素中遮挡电容Cap的电容值仅与所述第一交叠面积相关,通过设置合适的第一交叠面积、第二交叠面积和第三交叠面积,能够使所述第一子像素、所述第二子像和所述第三子像素中的遮挡电容Cap具有合适电容值,从而使得在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中,补偿晶体管在发光阶段的漏电情况均一,N4节点的电压能够在同一时刻达到稳定。
如图15b、图16b和图17b所示,在一些实施例中,在各所述子像素中,所述屏蔽图形10均包括第一子图形101、第二子图形102和第三子图形103,所述第一子图形101的至少部分沿所述第一方向延伸,所述第二子图形102沿第二方向延伸,所述第二子图形102位于所述第一子图形101与所述第三子图形103之间,所述第二子图形102分别与所述第一子图形101和所述第三子图形103电连接;如图3所示,所述第一子图形101在所述基底上的正投影与沿第二方向相邻的子像素中的电源信号线VDD在所述基底上的正投影交叠,所述第一子图形101与该电源信号线VDD在该交叠处电连接;如图15a、图16a和图17a所示,所述第三子图形103在所述基底上的正投影与所述导体图形20在所述基底上的正投影之间具有交叠面积;
如图15b和图16b所示,所述第一子像素中所述第三子图形103在第一方向的长度,大于所述第二子像素中所述第三子图形103在第一方向的长度。
具体地,所述屏蔽图形10均包括所述第一子图形101、所述第二子图形102和所述第三子图形103,所述第一子图形101在所述基底上的正投影与沿第二方向相邻的子像素中的电源信号线VDD在所述基底上的正投影交叠,所述第一子图形101与该电源信号线VDD在该交叠处通过过孔电连接。
在各子像素中,所述第一子图形101和所述第二子图形102在所述基底上的正投影,与所述导体图形20均不交叠。
在所述第一子像素和所述第二子像素中,所述第三子图形103在所述基底上的正投影,能够与所述拐角部分201在所述基底上的正投影和所述第一导体部分202在所述基底上的正投影分别交叠。在所述第三子像素中,所述第三子图形103在所述基底上的正投影与所述拐角部分201在所述基底上的正投影交叠。
通过设置所述第一子像素中所述第三子图形103在第一方向的长度,大于所述第二子像素中所述第三子图形103在第一方向的长度,能够使得在所述第一子像素中形成的所述第二交叠面积,大于在所述第二子像素中形成的所述第三交叠面积。
通过设置第一子像素和第二子像素中第三子图形103在第一方向的长度,能够实现合适的第二交叠面积和第三交叠面积,使所述第一子像素和所述第二子像素中的遮挡电容Cap具有合适电容值,从而使得在所述第一子像素和所述第二子像素中,补偿晶体管在发光阶段的漏电情况均一,N4节点的电压能够在同一时刻达到稳定。
如图15c和图16c所示,进一步地,设置所述第一子像素中所述第一导体部分202在第一方向的长度,大于所述第二子像素中所述第一导体部分202在第一方向的长度。
上述设置方式使得在所述第一子像素中形成的所述第二交叠面积,大于在所述第二子像素中形成的所述第三交叠面积。
如图16b和图17b所示,在一些实施例中,所述第二子像素中所述第三子图形103在第一方向的长度,大于所述第三子像素中所述第三子图形103在第一方向的长度。
通过设置第一子像素、第二子像素和所述第三子像素中第三子图形103在第一方向的长度,能够实现合适的第一交叠面积、第二交叠面积和第三交叠面积,使所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的遮挡电容Cap具有合适电容值,从而使得在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中,补偿晶体管在发光阶段的漏电情况均一,N4节点的电压能够在同一时刻达到稳定。
如图16c和图17c所示,进一步地,所述第二子像素中所述第一导体部分202在第一方向的长度,大于所述第三子像素中所述第一导体部分202在第一方向的长度。
在一些实施例中,设置所述第一子像素中的所述交叠面积是所述第三子像素中的所述交叠面积的三倍。
在一些实施例中,设置所述第二子像素中的所述交叠面积是所述第三子像素中的所述交叠面积的二倍。
示例性的,所述第一子像素中遮挡电容Cap的电容值为12fF,所述第二子像素中遮挡电容Cap的电容值为8fF,所述第三子像素中遮挡电容Cap的电容值为4fF。
如图14所示,通过在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中设置合适的遮挡电容Cap电容值,能够使得在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中,补偿晶体管在发光阶段的漏电情况均一,这样在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中,N4节点的电压能够在同一时刻达到稳定,从而有效改善了显示基板在应用于显示装置时出现的屏幕闪烁的不良现象。最终实现了显示装置显示画质的提升,极大的提高了显示装置在应用时的用户体验感。
另外,通过在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中设置合适的遮挡电容Cap电容值,还能够有效缩短N4节点的电压达到稳定所需要的时间,从而更好的提升了显示基板应用与显示装置中时,显示装置的显示质量。
在一些实施例中,所述第一子像素包括绿色子像素,所述第二子像素包括红色子像素,所述第三子像素包括蓝色子像素。
如图1~图3所示,在一些实施例中,所述子像素还包括:发光元件EL、数据线DA、初始化信号线Vinit、复位信号线RES1、栅线G1和发光控制信号线EM;所述数据线DA的至少部分沿所述第一方向延伸;所述初始化信号线Vinit图形的至少部分,所述复位信号线RES1图形的至少部分,所述栅线G1图形的至少部分和所述发光控制信号线EM图形的至少部分均沿所述第二方向延伸;
所述子像素驱动电路还包括:第一晶体管T1、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7和存储电容Cst;
所述第一晶体管T1的栅极与所述复位信号线RES1电连接;所述第一晶体管T1的第一极与所述初始化信号线Vinit电连接,所述第一晶体管T1的第二极与所述驱动晶体管(即第三晶体管T3)的栅极电连接;
所述补偿晶体管(即第二晶体管T2)的栅极与所述栅线G1电连接;
所述第四晶体管T4的栅极与所述栅线G1电连接;所述第四晶体管T4的第一极与所述数据线DA电连接,所述第四晶体管T4的第二极与所述驱动晶体管的第一极电连接接;
所述驱动晶体管的第一极通过所述第五晶体管T5与所述电源信号线VDD电连接,所述第五晶体管T5的栅极与所述发光控制信号线EM电连接,所述第五晶体管T5的第一极与所述电源信号线VDD电连接,所述第五晶体管T5的第二极与所述驱动晶体管的第一极电连接;
所述第六晶体管T6的栅极与所述发光控制信号线EM电连接,所述第六晶体管T6的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接,所述第六晶体管T6的第二极与所述发光元件电连接;
所述第七晶体管T7的栅极与沿所述第一方向相邻的下一个子像素中的复位信号线RES2电连接,所述第七晶体管T7的第一极与沿所述第一方向相邻的下一个子像素中的所述初始化信号线Vinit电连接,所述第七晶体管T7的第二极与所述发光元件电连接;
所述存储电容Cst的第一极板复用为所述驱动晶体管的栅极,所述存储电容Cst的第二极板与所述电源信号线VDD电连接。
示例性的,所述子像素驱动电路中包括的各晶体管均采用P型晶体管,每个晶体管的第一极包括源极,每个晶体管的第二极包括漏极。需要说明,所述电源信号线VDD上传输的电源信号为高电位直流信号。负电源信号线VDDVSS上传输的信号为低电位直流信号。初始化信号线Vinit上传输的初始化信号为低电位直流信号。
如图2所示,上述结构的子像素驱动电路在工作时,每个工作周期均包括复位时段P1、写入补偿时段P2和发光时段P3。
在所述第一复位时段P1,所述复位信号线RES1输入的复位信号处于有效电平,第一晶体管T1导通,将由所述初始化信号线Vinit传输的初始化信号输入至第三晶体管T3的,使得前一帧保持在第三晶体管T3上的栅源电压Vgs被清零,实现对第三晶体管T3的栅极复位。
在写入补偿时段P2,所述复位信号线RES1输入的复位信号处于非有效电平,第一晶体管T1截止,栅线G1输入的栅极扫描信号处于有效电平,控制第二晶体管T2和第四晶体管T4导通,数据线DA写入数据信号,并经所述第四晶体管T4传输至第三晶体管T3的源极,同时,第二晶体管T2和第四晶体管T4导通,使得第三晶体管T3形成为二极管结构,因此通过第二晶体管T2、第三晶体管T3和第四晶体管T4配合工作,实现对第三晶体管T3的阈值电压补偿,当补偿的时间足够长时,可控制第三晶体管T3的栅极电位最终达到Vdata+Vth,其中,Vdata代表数据信号电压值,Vth代表第三晶体管T3的阈值电压。
在写入补偿时段P2,沿所述第一方向相邻的下一个子像素中的复位信号线RES2输入的复位信号处于有效电平,控制第七晶体管T7导通,由所述初始化信号线Vinit传输的初始化信号输入至发光元件EL的阳极,控制发光元件EL不发光。
在发光时段P3,发光控制信号线EM写入的发光控制信号处于有效电平,控制第五晶体管T5和第六晶体管T6导通,使得由电源信号线VDD传输的电源信号输入至第三晶体管T3的源极,同时由于第三晶体管T3的栅极保持在Vdata+Vth,使得第三晶体管T3导通,第三晶体管T3对应的栅源电压为Vdata+Vth-VDD,其中VDD为电源信号对应的电压值,基于该栅源电压产生的漏电流流向对应的发光元件EL的阳极,驱动对应的发光元件EL发光。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括上述实施例提供的显示基板。
需要说明的是,所述显示装置可以为:电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。
上述实施例提供的显示基板中,通过设置所述第一子像素中的所述交叠面积大于所述第二子像素中的所述交叠面积,使所述第一子像素中的遮挡电容Cap的电容值与所述第二子像素中的遮挡电容Cap的电容值不同;而通过在所述第一子像素和所述第二子像素中设置合适的遮挡电容Cap电容值,能够使得在所述第一子像素和所述第二子像素中,补偿晶体管在发光阶段的漏电情况均一,这样在所述第一子像素和所述第二子像素中,N4节点的电压能够在同一时刻达到稳定,使得所述第一子像素和第二子像素仅在N4节点电压未稳定时和稳定时有亮度上的差异,而在色度上不会产生差异,从而有效改善了显示基板在应用于显示装置时出现的屏幕闪烁的不良现象,实现了显示装置显示画质的提升,极大的提高了显示装置在应用时的用户体验感。
因此,本发明实施例提供的显示装置在包括上述显示基板时同样具有上述有益效果,此处不再赘述。
本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法,用于制作上述实施例提供的显示基板,所述制作方法包括:在基底上制作的多个子像素,所述多个子像素呈阵列分布;制作每个子像素的步骤具体均包括:
制作电源信号线VDD,所述电源信号线VDD的至少部分沿第一方向延伸;
制作子像素驱动电路,每个所述子像素驱动电路均包括驱动晶体管和双栅结构的补偿晶体管,所述驱动晶体管的第一极与所述电源信号线VDD电连接,所述补偿晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接,所述补偿晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极电连接,所述补偿晶体管的有源层包括第一半导体图形、第二半导体图形,以及位于所述第一半导体图形和所述第二半导体图形之间的导体图形20;
制作屏蔽图形10,所述屏蔽图形10与沿第二方向相邻的子像素中的电源信号线VDD电连接,所述屏蔽图形10在所述基底上的正投影与所述导体图形20在所述基底上的正投影之间具有交叠面积;所述第二方向与所述第一方向相交;
所述多个子像素包括多个第一子像素和多个第二子像素,所述第一子像素中的所述交叠面积大于所述第二子像素中的所述交叠面积。
采用本发明实施例提供的制作方法制作的显示基板中,通过设置所述第一子像素中的所述交叠面积大于所述第二子像素中的所述交叠面积,使所述第一子像素中的遮挡电容Cap的电容值与所述第二子像素中的遮挡电容Cap的电容值不同;而通过在所述第一子像素和所述第二子像素中设置合适的遮挡电容Cap电容值,能够使得在所述第一子像素和所述第二子像素中,补偿晶体管在发光阶段的漏电情况均一,这样在所述第一子像素和所述第二子像素中,N4节点的电压能够在同一时刻达到稳定,使得所述第一子像素和第二子像素仅在N4节点电压未稳定时和稳定时有亮度上的差异,而在色度上不会产生差异,从而有效改善了显示基板在应用于显示装置时出现的屏幕闪烁的不良现象,实现了显示装置显示画质的提升,极大的提高了显示装置在应用时的用户体验感。
需要说明,本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其,对于方法实施例而言,由于其基本相似于产品实施例,所以描述得比较简单,相关之处参见产品实施例的部分说明即可。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”、“耦接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解,当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时,该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”,或者可以存在中间元件。
在上述实施方式的描述中,具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (14)

1.一种显示基板,其特征在于,包括:基底和设置在所述基底上的多个子像素,所述多个子像素呈阵列分布;每个子像素均包括:
电源信号线,所述电源信号线的至少部分沿第一方向延伸;
子像素驱动电路,每个所述子像素驱动电路均包括驱动晶体管和双栅结构的补偿晶体管,所述驱动晶体管的第一极与所述电源信号线电连接,所述补偿晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接,所述补偿晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极电连接,所述补偿晶体管的有源层包括第一半导体图形、第二半导体图形,以及位于所述第一半导体图形和所述第二半导体图形之间的导体图形;
屏蔽图形,所述屏蔽图形与沿第二方向相邻的子像素中的电源信号线电连接,所述屏蔽图形在所述基底上的正投影与所述导体图形在所述基底上的正投影之间具有交叠面积;所述第二方向与所述第一方向相交;
所述多个子像素包括多个第一子像素和多个第二子像素,所述第一子像素中的所述交叠面积大于所述第二子像素中的所述交叠面积。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述多个子像素还包括多个第三子像素,所述第三子像素中的所述交叠面积小于所述第二子像素中的所述交叠面积。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,在每个所述子像素中,所述导体图形均包括拐角部分,第一导体部分和第二导体部分;所述第一导体部分与所述拐角部分的第一端电连接,所述第二导体部分与所述拐角部分的第二端电连接,所述第一导体部分沿所述第一方向延伸,所述第二导体部分沿第二方向延伸;
在所述第一子像素中,所述屏蔽图形在所述基底上的正投影与所述拐角部分在所述基底上的正投影之间具有第一交叠面积;所述屏蔽图形在所述基底上的正投影与所述第一导体部分在所述基底上的正投影之间具有第二交叠面积;
在所述第二子像素中,所述屏蔽图形在所述基底上的正投影与所述拐角部分在所述基底上的正投影之间具有所述第一交叠面积;所述屏蔽图形在所述基底上的正投影与所述第一导体部分在所述基底上的正投影之间具有第三交叠面积;所述第三交叠面积小于所述第二交叠面积。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,
在所述第三子像素中,所述屏蔽图形在所述基底上的正投影与所述拐角部分在所述基底上的正投影之间具有所述第一交叠面积;所述屏蔽图形在所述基底上的正投影与所述第一导体部分在所述基底上的正投影不交叠。
5.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,
在各所述子像素中,所述屏蔽图形均包括第一子图形、第二子图形和第三子图形,所述第一子图形的至少部分沿所述第一方向延伸,所述第二子图形沿第二方向延伸,所述第二子图形位于所述第一子图形与所述第三子图形之间,所述第二子图形分别与所述第一子图形和所述第三子图形电连接;所述第一子图形在所述基底上的正投影与沿第二方向相邻的子像素中的电源信号线在所述基底上的正投影交叠,所述第一子图形与该电源信号线在该交叠处电连接;所述第三子图形在所述基底上的正投影与所述导体图形在所述基底上的正投影之间具有交叠面积;
所述第一子像素中所述第三子图形在第一方向的长度,大于所述第二子像素中所述第三子图形在第一方向的长度。
6.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,
所述第一子像素中所述第一导体部分在第一方向的长度,大于所述第二子像素中所述第一导体部分在第一方向的长度。
7.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,
所述第二子像素中所述第三子图形在第一方向的长度,大于所述第三子像素中所述第三子图形在第一方向的长度。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述第二子像素中所述第一导体部分在第一方向的长度,大于所述第三子像素中所述第一导体部分在第一方向的长度。
9.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第一子像素中的所述交叠面积是所述第三子像素中的所述交叠面积的三倍。
10.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第二子像素中的所述交叠面积是所述第三子像素中的所述交叠面积的二倍。
11.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第一子像素包括绿色子像素,所述第二子像素包括红色子像素,所述第三子像素包括蓝色子像素。
12.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述子像素还包括:发光元件、数据线、初始化信号线、复位信号线、栅线和发光控制信号线;所述数据线的至少部分沿所述第一方向延伸;所述初始化信号线图形的至少部分,所述复位信号线图形的至少部分,所述栅线图形的至少部分和所述发光控制信号线图形的至少部分均沿所述第二方向延伸;
所述子像素驱动电路还包括:第一晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和存储电容;
所述第一晶体管的栅极与所述复位信号线电连接;所述第一晶体管的第一极与所述初始化信号线电连接,所述第一晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极电连接;
所述补偿晶体管的栅极与所述栅线电连接;
所述第四晶体管的栅极与所述栅线电连接;所述第四晶体管的第一极与所述数据线电连接,所述第四晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极电连接接;
所述驱动晶体管的第一极通过所述第五晶体管与所述电源信号线电连接,所述第五晶体管的栅极与所述发光控制信号线电连接,所述第五晶体管的第一极与所述电源信号线电连接,所述第五晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极电连接;
所述第六晶体管的栅极与所述发光控制信号线电连接,所述第六晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接,所述第六晶体管的第二极与所述发光元件电连接;
所述第七晶体管的栅极与沿所述第一方向相邻的下一个子像素中的复位信号线电连接,所述第七晶体管的第一极与沿所述第一方向相邻的下一个子像素中的所述初始化信号线电连接,所述第七晶体管的第二极与所述发光元件电连接;
所述存储电容的第一极板复用为所述驱动晶体管的栅极,所述存储电容的第二极板与所述电源信号线电连接。
13.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~12中任一项所述显示基板。
14.一种显示基板的制作方法,其特征在于,用于制作如权利要求1~12中任一项所述的显示基板,所述制作方法包括:在基底上制作的多个子像素,所述多个子像素呈阵列分布;制作每个子像素的步骤具体均包括:
制作电源信号线,所述电源信号线的至少部分沿第一方向延伸;
制作子像素驱动电路,每个所述子像素驱动电路均包括驱动晶体管和双栅结构的补偿晶体管,所述驱动晶体管的第一极与所述电源信号线电连接,所述补偿晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极电连接,所述补偿晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极电连接,所述补偿晶体管的有源层包括第一半导体图形、第二半导体图形,以及位于所述第一半导体图形和所述第二半导体图形之间的导体图形;
制作屏蔽图形,所述屏蔽图形与沿第二方向相邻的子像素中的电源信号线电连接,所述屏蔽图形在所述基底上的正投影与所述导体图形在所述基底上的正投影之间具有交叠面积;所述第二方向与所述第一方向相交;
所述多个子像素包括多个第一子像素和多个第二子像素,所述第一子像素中的所述交叠面积大于所述第二子像素中的所述交叠面积。
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