CN113745325B - 显示面板及其制作方法、移动终端 - Google Patents

显示面板及其制作方法、移动终端 Download PDF

Info

Publication number
CN113745325B
CN113745325B CN202110988827.8A CN202110988827A CN113745325B CN 113745325 B CN113745325 B CN 113745325B CN 202110988827 A CN202110988827 A CN 202110988827A CN 113745325 B CN113745325 B CN 113745325B
Authority
CN
China
Prior art keywords
transistor
layer
shielding
substrate
node
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110988827.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113745325A (zh
Inventor
张伟彬
刘红
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202110988827.8A priority Critical patent/CN113745325B/zh
Publication of CN113745325A publication Critical patent/CN113745325A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113745325B publication Critical patent/CN113745325B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/401—Multistep manufacturing processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42356—Disposition, e.g. buried gate electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42372—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本申请提供一种显示面板及其制作方法、移动终端，显示面板包括叠设的基底、屏蔽层以及像素驱动电路层，其中，屏蔽层包括屏蔽导体和屏蔽绝缘层，像素驱动电路层包括：叠设的半导体层、第一绝缘层、第一金属层；像素驱动电路层包括多个由晶体管组成的像素驱动电路；半导体层图案化形成有第一晶体管的有源层，第一金属层图案化形成有第一晶体管的第一栅极；屏蔽导体与第一栅极电连接，且屏蔽导体的正投影覆盖第一栅极的正投影。本申请通过设置屏蔽导体缓解了现有的显示面板中晶体管受PI层中可移动电荷或可极化粒子的影响，造成晶体管信赖性低的技术问题。

Description

显示面板及其制作方法、移动终端
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法、移动终端。
背景技术
有源矩阵有机发光二极体面板(Active Matrix/Organic Light EmittingDiode，AMOLED)屏幕目前在中小尺寸显示器中获得了广泛应用，具有轻便，色域值高的优点。由于AMOLED为薄膜晶体管控制的电流驱动，对薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的信赖性要求较高。由于TFT下方为有机柔性基板通常为聚酰亚胺(Polyimide，PI)材质，受PI层中可移动电荷或可极化粒子的影响，造成TFT信赖性较差，例如滞后测试或栅极恶化测试结果不理想。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法、移动终端，用以缓解现有的显示面板中TFT受PI层中可移动电荷或可极化粒子的影响，造成TFT信赖性较差的技术问题。
本申请提供一种显示面板，包括：
基底；以及
屏蔽层，设置于所述基底上，所述屏蔽层包括屏蔽导体和设置于所述屏蔽导体上的屏蔽绝缘层；
像素驱动电路层，设置于所述屏蔽层上，所述像素驱动电路层包括：层叠设置在所述屏蔽层上的半导体层、第一绝缘层、第一金属层；所述像素驱动电路层包括多个像素驱动电路；
其中，所述像素驱动电路包括至少一第一晶体管；所述半导体层图案化形成有所述第一晶体管的有源层，所述第一金属层图案化形成有所述第一晶体管的第一栅极；所述屏蔽导体与所述第一栅极电连接，在垂直所述基底的方向上，所述屏蔽导体在所述基底上的正投影覆盖所述第一栅极在所述基底上的正投影。
在一实施例中，所述像素驱动电路包括多个所述第一晶体管，所述屏蔽导体包括多个子屏蔽导体，多个所述子屏蔽导体与各所述第一晶体管一一对应，所述子屏蔽导体与对应的所述第一晶体管的所述第一栅极电连接，在垂直所述基底的方向上，所述第一晶体管对应的所述子屏蔽导体在所述基底上的正投影至少覆盖该所述第一晶体管的所述第一栅极在所述基底上的正投影。
在一实施例中，所述子屏蔽导体图案化形成本体和与所述本体连接的第一连接部，所述本体在所述基底上的正投影覆盖其对应的所述晶体管的所述半导体在所述基底上的正投影；所述屏蔽绝缘层和所述第一绝缘层上设有贯穿的第一过孔，所述第一连接部通过一第一过孔与所述第一栅极电连接。
在一实施例中，所述像素驱动电路层还包括设置于所述第一金属层上的介电层、设置于所述介电层上的第二金属层；
所述像素驱动电路还包括至少一第二晶体管，所述半导体层还图案化形成有所述第二晶体管的有源层，所述第一金属层还图案化形成有所述第二晶体管的第二栅极，所述第二金属层图案化形成有所述第一晶体管的源漏极、所述第二晶体管的源漏极、以及所述像素驱动电路的电源高电位信号线；
所述屏蔽导体图案化形成对应所述第一晶体管设置的第一屏蔽导体，对应所述第二晶体管设置的第二屏蔽导体，所述第二屏蔽导体与对应的所述第二晶体管的所述第二栅极电连接，在垂直所述基底的方向上，所述第二屏蔽导体在所述基底上的正投影至少覆盖该所述第二晶体管的所述第二栅极在所述基底上的正投影，且所述电源高电位信号线与所述第二屏蔽导体电连接。
在一实施例中，所述介电层上对应所述第二栅极的位置设置有第二过孔，所述电源高电位信号线穿过所述第二过孔与所述第二栅极电连接。
在一实施例中，所述第二屏蔽导体包括互相连接的第二本体和第二连接部，所述电源高电位信号线包括与所述第二连接部相对应的连接段，所述介电层和所述第一绝缘层上设有一贯穿的第三过孔，所述电源高电位信号线的所述连接段穿过所述第三过孔与所述第二屏蔽导体的所述第二连接部电连接。
在一实施例中，所述像素驱动电路层还包括第二绝缘层和叠设于所述第二绝缘层上的第三金属层，所述第二绝缘层和所述第三金属设置于所述第一金属层和所述介电层之间，所述第三金属层图案化形成有对应所述第一栅极对应的电极板，在垂直所述基底的方向上，所述电极板在所述基底上的正投影与所述第一栅极在所述基底上的正投影重合。
在一实施例中，所述显示面板还包括阵列设置的多个发光器件(O)和驱动所述发光器件(O)发光的所述像素驱动电路，所述像素驱动电路还包括第一电容(Cst)；至少一所述晶体管包括第一初始化晶体管(M4)、开关补偿晶体管(M2)、驱动晶体管(M1)、电压补偿晶体管(M3)、第二初始化晶体管(M7)、第一发光控制晶体管(M5)、第二发光控制晶体管(M6)；
所述驱动晶体管(M1)的栅极连接于第一节点，所述驱动晶体管(M1)的第一端连接于第三节点，所述驱动晶体管(M1)的第二端连接于第二节点；
所述开关补偿晶体管(M2)的栅极连接第二扫描信号(Scan2)，所述开关补偿晶体管(M2)的第一端连接数据信号(Data)，所述开关补偿晶体管(M2)的第二端连接于所述第二节点；
所述电压补偿晶体管(M3)的栅极连接所述第二扫描信号(Scan2)，所述电压补偿晶体管(M3)的第一端连接于所述第三节点，所述电压补偿晶体管(M3)的第二端连接于所述第一节点；
所述第一初始化晶体管(M4)的栅连接第一扫描信号(Scan1)，所述第一初始化晶体管(M4)的第一端连接于第五节点，所述第一初始化晶体管(M4)的第二端连接于所述第一节点，所述第一初始化晶体管(M4)通过所述第五节点与初始化信号相连；
所述第一发光控制晶体管(M5)的栅极连接发光控制信号，所述第一发光控制晶体管(M5)的第一端连接于第六节点，所述第一发光控制晶体管(M5)的第二端连接于所述第二节点，所述第一发光控制晶体管(M5)通过所述第六节点与电源高电位信号线(Vdd)相连；
所述第二发光控制晶体管(M6)的栅极连接所述发光控制信号，所述第二发光控制晶体管(M6)的第一端连接于所述第三节点，所述第二发光控制晶体管(M6)的第二端连接于第四节点，所述第二发光控制晶体管(M6)通过所述第四节点与所述发光器件(O)的阳极相连；
所述第二初始化晶体管(M7)的栅连接所述第二扫描信号(Scan2)，所述第二初始化晶体管(M7)的第一端连接于所述第四节点，所述第二初始化晶体管(M7)的第二端连接于所述第五节点，所述第二初始化晶体管(M7)通过所述第五节点与所述初始化信号相连，所述第二初始化晶体管(M7)通过所述第四节点与所述发光器件(O)的阳极相连；
所述第一电容(Cst)的第一电容电极连接于所述第六节点，所述第一电容(Cst)的第二电容电极连接于所述第一节点，所述第一电容(Cst)通过所述第六节点与电源高电位信号线(Vdd)相连；
其中，所述驱动晶体管(M1)和所述电压补偿晶体管(M3)为所述第一晶体管、所述开关补偿晶体管(M2)为所述第二晶体管。
本发明实施例还提供了一种显示面板的制作方法，包括以下步骤：
提供一基底；
在所述基底上形成屏蔽层，所述屏蔽层包括屏蔽导体和设置于所述屏蔽导体上的屏蔽绝缘层；
在所述屏蔽层上形成像素驱动电路层，所述像素驱动电路层包括层叠设置在所述屏蔽层上的半导体层、第一绝缘层、第一金属层；所述像素驱动电路层包括多个像素驱动电路；
其中，所述像素驱动电路包括至少一第一晶体管；所述半导体层图案化形成有所述第一晶体管的有源层，所述第一金属层图案化形成有所述第一晶体管的第一栅极；所述屏蔽导体与所述第一栅极电连接，在垂直所述基底的方向上，所述屏蔽导体在所述基底上的正投影覆盖所述第一栅极在所述基底上的正投影。
本发明实施例还提供了一种移动终端，包括如任一上述的显示面板及终端主体，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
有益效果：本申请实施例通过在半导体层和基底之间设置屏蔽层，屏蔽层包括屏蔽导体和屏蔽绝缘层，屏蔽导体电连接栅极，在垂直所述基底的方向上，屏蔽导体在基底上的正投影至少覆盖该第一晶体管的第一栅极在基底上的正投影，通过屏蔽导体连接第一栅极，使得该屏蔽导体能够作为对应的第一晶体管的底栅，提高对应的第一晶体管的导通电流，使得对应的第一晶体管的数据写入更充分，能够有效提升显示面板的亮度、色度均一性等相关的信赖性，有效的解决了因受PI层中可移动电荷或可极化粒子的影响，造成的TFT信赖性较差的问题。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1是本发明实施例提供的显示面板包括第一晶体管的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的显示面板的第一种结构的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的显示面板的各膜层的平面叠加结构示意图；
图4是本发明实施例提供的显示面板的像素驱动电路的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的显示面板的第二种结构的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的显示面板的第三种结构的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的显示面板的制作方法的步骤流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
目前，有源矩阵有机发光二极体面板(Active Matrix/Organic Light EmittingDiode，AMOLED)屏幕目前在中小尺寸显示器中获得了广泛应用，具有轻便，色域值高的优点。由于AMOLED为薄膜晶体管控制的电流驱动，对薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的信赖性要求较高。由于TFT下方为有机柔性基板通常为聚酰亚胺(Polyimide，PI)材质，受PI层中可移动电荷或可极化粒子的影响，造成TFT信赖性较差，例如滞后测试或栅极恶化测试结果不理想。
请参阅图1，本申请实施例提供一种显示面板，包括：
基底10；以及
屏蔽层20，设置于所述基底10上，所述屏蔽层20包括屏蔽导体201和设置于所述屏蔽导体201上的屏蔽绝缘层202；
像素驱动电路层30，设置于所述屏蔽层20上，所述像素驱动电路层30包括：层叠设置在所述屏蔽层20上的半导体层、第一绝缘层GI1、第一金属层；所述像素驱动电路层30包括多个像素驱动电路；
其中，所述像素驱动电路包括至少一第一晶体管；所述半导体层图案化形成有所述第一晶体管的有源层301，所述第一金属层图案化形成有所述第一晶体管的第一栅极303；所述屏蔽导体201与所述第一栅极303电连接，在垂直所述基底10的方向上，所述屏蔽导体201在所述基底10上的正投影至少覆盖该所述第一晶体管的所述第一栅极303在所述基底10上的正投影。
具体地，所述基底10可以包括刚性基底或柔性基底，当基底10为刚性基底时，材料可以是金属或玻璃，当基底10为柔性基底时，材料可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、聚氨酯基树脂、纤维素树脂、硅氧烷树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂中的至少一种。本实施例中，所述基底10为柔性基底，材料为聚酰亚胺。
具体地，所述屏蔽层20包括屏蔽导体201和设置于所述屏蔽导体201上的屏蔽绝缘层202，所述屏蔽导体201可以整面设置，也可以图案化形成多个小块的屏蔽导体，每一小块的屏蔽导体对应一个第一晶体管，也可以一小块对应多个第一晶体管，具体可以根据实际生产和应用需求进行设置，将屏蔽导体201图案化后更能够适应于柔性显示面板的生产。
具体地，所述屏蔽导体201的材质可以为一层或多层叠加的金属材料，例如Mo，Ti，Ti/Al/Ti等，所述屏蔽导体201的材质也可以为半导体硅材料等，或者透明导电材料，例如氧化铟锡等。
具体地，所述屏蔽绝缘层202的材质可以为有机或无机绝缘材料。
具体地，如图1所示，所述像素驱动电路层30包括叠设于所述屏蔽层20上的半导体层、第一绝缘层GI1、第一金属层；其中，所述半导体层经图案化，形成多个第一晶体管的有源层301，第一绝缘层GI1整面设置，第一金属层经图案化，形成多个第一晶体管的第一栅极303；有源层301为导体化的硅材料，第一金属层的材质可包括钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)和钨(W)中的至少一种金属。
具体地，所述像素驱动电路层30还包括设置在第一金属层上的介电层ILD、设置于所述介电层ILD上的第二金属层，该第二金属层经图案化，可以形成多个第一晶体管的源极402和漏极403，对应的源极402和漏极403通过设置于介电层ILD和第一绝缘层GI1上的过孔与对应的第一晶体管的有源层301连接，以形成完整的第一晶体管结构。
具体地，所述第一晶体管可以为低温多晶硅晶体管，也可以为氧化物晶体管。
具体地，在有效显示区内，第一晶体管的源漏极层上方可以设置有有机平坦层PLN，有机平坦层PLN上形成阳极502，阳极502通过设置于有机平坦层PLN上的过孔与第一晶体管的源漏极电连接，所述阳极502上还设置有像素定义层501，所述像素定义层501包括多个开口，空穴功能单元、发光材料单元及电子功能单元可以位于所述开口内。
具体地，所述像素定义层501上还可以设置多个支撑隔垫柱503。
可以理解的是，如图5所示，在本技术方案中，通过在半导体层和基底10之间设置屏蔽层20，屏蔽层20包括屏蔽导体201和屏蔽绝缘层202，在垂直所述基底10的方向上，屏蔽导体201在基底10上的正投影覆盖第一晶体管的第一栅极303在基底10上的正投影，且屏蔽导体201电连接第一栅极303，使得该屏蔽导体201能够作为对应第一晶体管的底栅，形成双栅式结构，提高对应第一晶体管的导通电流，使得对应第一晶体管的数据写入更充分，能够有效提升显示面板的亮度、色度均一性等相关性能测试的信赖性，有效的解决了因受PI层中可移动电荷或可极化粒子的影响，造成的第一晶体管信赖性较差的问题。
本实施例中，包括多个所述第一晶体管，所述屏蔽导体201包括多个子屏蔽导体，多个所述子屏蔽导体与各所述第一晶体管一一对应，所述子屏蔽导体与对应的所述第一晶体管的所述第一栅极303电连接，在垂直所述基底10的方向上，所述第一晶体管对应的所述子屏蔽导体在所述基底10上的正投影至少覆盖该所述第一晶体管的所述第一栅极303在所述基底10上的正投影。
可以理解的是，所述屏蔽导体201经过图案化形成多个子屏蔽导体，相对整面设置屏蔽导体201的技术方案而言，能够提高显示面板的弯折性能，更适用于柔性显示面板。
本实施例中，如图2和图6所示，第一晶体管对应的所述子屏蔽导体为第一屏蔽导体201a，所述第一屏蔽导体201a图案化形成本体2011a和与所述本体2011a连接的第一连接部2012a，所述本体2011a在所述基底10上的正投影覆盖其对应的所述第一晶体管的所述半导体在所述基底10上的正投影；所述第一连接部2012a通过一第一过孔2101与所述第一栅极303电连接，所述第一过孔2101贯穿所述屏蔽绝缘层202和所述第一绝缘层GI1。
具体地，所述第一栅极303在所述基底10上的正投影至少覆盖对应的第一晶体管的有源层301在所述基底10上的正投影。
可以理解的是，以第一晶体管为例，将子屏蔽导体(即第一屏蔽导体201a)设置本体2011a与第一连接部2012a能够更合理的利用显示面板的空间且不对有源层301的正常工作产生影响。
本实施例中，如图6所示，所述像素驱动电路层30还包括设置于所述第一金属层上的介电层ILD、设置于所述介电层ILD上的第二金属层；
所述像素驱动电路还包括至少一第二晶体管，所述半导体层还图案化形成有所述第二晶体管的有源层301，所述第一金属层还图案化形成有所述第二晶体管的第二栅极305，所述第二金属层图案化形成有所述第一晶体管的源漏极、所述第二晶体管的源漏极、以及所述像素驱动电路的电源高电位信号线401；
所述屏蔽导体图案化形成对应所述第一晶体管设置的第一屏蔽导体201a，对应所述第二晶体管设置的第二屏蔽导体201b，所述第二屏蔽导体201b与对应的所述第二晶体管的所述第二栅极305电连接，在垂直所述基底的方向上，所述第二屏蔽导体201b在所述基底上的正投影至少覆盖该所述第二晶体管的所述第二栅极305在所述基底上的正投影，且所述电源高电位信号线401与所述第二屏蔽导体201b电连接。
具体地，所述第二晶体管可以为开关补偿晶体管，所述第一晶体管可以为功能性晶体管，例如初始化晶体管、驱动晶体管、电压补偿晶体管、发光控制晶体管等，可以理解的是，通过将第二屏蔽导体201b连接电源高电位信号线401，同时第二屏蔽导体201b连接第二栅极305，使得第二屏蔽导体201b的屏蔽效果进一步增强。
本实施例中，如图2所示，所述介电层ILD对应所述电源高电位信号线401层的位置设置有第二过孔2102，所述电源高电位信号线401穿过所述第二过孔2102与所述第二栅极305电连接。
可以理解的是，当第二晶体管为开关补偿晶体管时，以7T1C电路为例，当电路处于发光阶段时，开关补偿晶体管为关闭状态，当显示面板显示为黑色画面时，数据信号线上的电压为6.5V，开关补偿晶体管相应的Vg(晶体管栅极电压)＝VGH(开关电压)＝7V，Vs(源极电压)＝Vdata(数据信号线电压)＝VGMP(栅极金属有源层连通电压)＝6.5V，所以Vgs(栅源电压)＝0.5V(为7T中Vgs最小的薄膜晶体管)。因此，开关补偿晶体管在长时间或高温工作时，Vth(阈值电压)会正向偏移，漏电流会增大，甚至使得Vth＞Vgs，造成严重漏电，使得显示面板产生黑画面漏光、发绿等问题，且由于7T1C电路中七个TFT是采用相同制程一并成膜形成，所以通过制程负调开关补偿晶体管Vth，会影响其他TFT的Vth，使得其他TFT的Vth负偏，本技术方案通过在开关补偿晶体管下方增加第二屏蔽导体201b，对应的第二屏蔽导体201b连接恒定的电源高电位信号线401信号(4.6V)，可单独使开关补偿晶体管Vth负调，从而可解决可靠性验证中息屏显示发绿，高温竖纹，黑画面漏光等问题，且同时提高TFT的屏蔽效果好。
本实施例中，如图6所示，所述第二屏蔽导体201b包括互相连接的第二本体2011b和第二连接部2012b，所述电源高电位信号线401包括与所述第二连接部2012b相对应的连接段，所述介电层ILD和所述第一绝缘层GI1上设有一贯穿的第三过孔2103，所述电源高电位信号线401的所述连接段穿过所述第三过孔2103与所述第二屏蔽导体201b的所述第二连接部2012b电连接。
可以理解的是，将第二屏蔽导体201b设置为互相连接的第二本体2011b和第二连接部2012b，能够更合理的利用显示面板的空间且不对第二晶体管的有源层301的正常工作产生影响。
本实施例中，所述像素驱动电路层还包括第二绝缘层GI2和叠设于所述第二绝缘层GI2上的第三金属层，所述第二绝缘层GI2和所述第三金属层设置于所述第一金属层和所述介电层ILD之间，所述第三金属层图案化形成有对应所述第一栅极303对应的电极板304，在垂直所述基底10的方向上，所述电极板304在所述基底10上的正投影与所述第一栅极303在所述基底10上的正投影重合。
可以理解的是，该所述第一栅极303和所述电极板304形成对应的晶体管的双栅结构，能够进一步增强屏蔽导体201的屏蔽效果。
本实施例中，如图3、图4、图6所示，所述显示面板包括阵列设置的多个发光器件(O)和驱动所述发光器件(O)发光的所述像素驱动电路，所述像素驱动电路还包括第一电容(Cst)；至少一所述晶体管包括第一初始化晶体管(M4)、开关补偿晶体管(M2)、驱动晶体管(M1)、电压补偿晶体管(M3)、第二初始化晶体管(M7)、第一发光控制晶体管(M5)、第二发光控制晶体管(M6)；
其中，所述驱动晶体管(M1)的栅极连接于第一节点Q，所述驱动晶体管(M1)的第一端连接于第三节点B，所述驱动晶体管(M1)的第二端连接于第二节点A；
所述开关补偿晶体管(M2)的栅极连接第二扫描信号(Scan2)，所述开关补偿晶体管(M2)的第一端连接数据信号(Data)，所述开关补偿晶体管(M2)的第二端连接于所述第二节点A；
所述电压补偿晶体管(M3)的栅极连接所述第二扫描信号(Scan2)，所述电压补偿晶体管(M3)的第一端连接于所述第三节点B，所述电压补偿晶体管(M3)的第二端连接于所述第一节点Q；
所述第一初始化晶体管(M4)的栅连接第一扫描信号(Scan1)，所述第一初始化晶体管(M4)的第一端连接于第五节点D，所述第一初始化晶体管(M4)的第二端连接于所述第一节点Q，所述第一初始化晶体管(M4)通过所述第五节点D与初始化信号相连；
所述第一发光控制晶体管(M5)的栅极连接发光控制信号，所述第一发光控制晶体管(M5)的第一端连接于第六节点E，所述第一发光控制晶体管(M5)的第二端连接于所述第二节点A，所述第一发光控制晶体管(M5)通过所述第六节点E与电源高电位信号线401(Vdd)相连；
所述第二发光控制晶体管(M6)的栅极连接所述发光控制信号，所述第二发光控制晶体管(M6)的第一端连接于所述第三节点B，所述第二发光控制晶体管(M6)的第二端连接于第四节点C，所述第二发光控制晶体管(M6)通过所述第四节点C与所述发光器件(O)的阳极502相连；
所述第二初始化晶体管(M7)的栅连接所述第二扫描信号(Scan2)，所述第二初始化晶体管(M7)的第一端连接于所述第四节点C，所述第二初始化晶体管(M7)的第二端连接于所述第五节点D，所述第二初始化晶体管(M7)通过所述第五节点D与所述初始化信号相连，所述第二初始化晶体管(M7)通过所述第四节点C与所述发光器件(O)的阳极502相连；
所述第一电容(Cst)的第一电容电极连接于所述第六节点E，所述第一电容(Cst)的第二电容电极连接于所述第一节点Q，所述第一电容(Cst)通过所述第六节点E与电源高电位信号线401(Vdd)相连。
所述第二初始化晶体管M7的栅连接所述第二扫描信号Scan2，所述第二初始化晶体管M7的第一端连接于所述第四节点C，所述第二初始化晶体管M7的第二端连接于所述第五节点D，所述第二初始化晶体管M7通过所述第五节点D与所述初始化信号VI相连，所述第二初始化晶体管M7通过所述第四节点C与所述发光器件O的阳极502相连；
其中，所述驱动晶体管(M1)和所述电压补偿晶体管(M3)为所述第一晶体管、所述开关补偿晶体管(M2)为所述第二晶体管。
本发明实施例还提供了一种显示面板的制作方法，如图7所示，包括以下步骤：
S1、提供一基底10；
S2、在所述基底10上形成屏蔽层20，所述屏蔽层20包括屏蔽导体201和设置于所述屏蔽导体201上的屏蔽绝缘层202；
S3、在所述屏蔽层20上形成像素驱动电路层30，所述像素驱动电路层30包括层叠设置在所述屏蔽层20上的半导体层、第一绝缘层GI1、第一金属层；所述像素驱动电路层30包括多个像素驱动电路；
其中，所述像素驱动电路包括至少一第一晶体管；所述半导体层图案化形成有所述第一晶体管的有源层301，所述第一金属层图案化形成有所述第一晶体管的第一栅极303；所述屏蔽导体201与所述第一栅极303电连接，在垂直所述基底10的方向上，所述屏蔽导体201在所述基底10上的正投影覆盖所述第一栅极303在所述基底10上的正投影。
可以理解的是，本申请通过在半导体层和基底10之间设置屏蔽层20，屏蔽层20包括屏蔽导体201和屏蔽绝缘层202，屏蔽导体201电连接栅极，在垂直所述基底10的方向上，屏蔽导体201在基底10上的正投影至少覆盖该第一晶体管的第一栅极303在基底10上的正投影，通过屏蔽导体201连接第一栅极303，使得该屏蔽导体201能够作为对应TFT的底栅，提高对应TFT的导通电流，使得对应TFT的数据写入更充分，能够有效提升显示面板的亮度、色度均一性等相关的信赖性，有效的解决了因受PI层中可移动电荷或可极化粒子的影响，造成的TFT信赖性较差的问题。
本实施例中，所述显示面板的具体结构请结合任一上述的显示面板的实施例及图1至图6，在此不再赘述。
本发明实施例还提供了一种移动终端，包括如任一上述的显示面板及终端主体，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基底；以及
屏蔽层，设置于所述基底上，所述屏蔽层包括屏蔽导体和设置于所述屏蔽导体上的屏蔽绝缘层；
像素驱动电路层，设置于所述屏蔽层上，所述像素驱动电路层包括：层叠设置在所述屏蔽层上的半导体层、第一绝缘层、第一金属层；所述像素驱动电路层包括多个像素驱动电路；
其中，所述像素驱动电路包括至少一第一晶体管；所述半导体层图案化形成有所述第一晶体管的有源层，所述第一金属层图案化形成有所述第一晶体管的第一栅极；所述屏蔽导体与所述第一栅极电连接，在垂直所述基底的方向上，所述屏蔽导体在所述基底上的正投影覆盖所述第一栅极在所述基底上的正投影。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素驱动电路包括多个所述第一晶体管，所述屏蔽导体包括多个子屏蔽导体，多个所述子屏蔽导体与各所述第一晶体管一一对应，所述子屏蔽导体与对应的所述第一晶体管的所述第一栅极电连接，在垂直所述基底的方向上，所述第一晶体管对应的所述子屏蔽导体在所述基底上的正投影至少覆盖该所述第一晶体管的所述第一栅极在所述基底上的正投影。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述子屏蔽导体图案化形成本体和与所述本体连接的第一连接部，所述本体在所述基底上的正投影覆盖其对应的所述晶体管的所述半导体在所述基底上的正投影；所述屏蔽绝缘层和所述第一绝缘层上设有贯穿的第一过孔，所述第一连接部通过一第一过孔与所述第一栅极电连接。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素驱动电路层还包括设置于所述第一金属层上的介电层、设置于所述介电层上的第二金属层；
所述像素驱动电路还包括至少一第二晶体管，所述半导体层还图案化形成有所述第二晶体管的有源层，所述第一金属层还图案化形成有所述第二晶体管的第二栅极，所述第二金属层图案化形成有所述第一晶体管的源漏极、所述第二晶体管的源漏极、以及所述像素驱动电路的电源高电位信号线；
所述屏蔽导体图案化形成对应所述第一晶体管设置的第一屏蔽导体，对应所述第二晶体管设置的第二屏蔽导体，所述第二屏蔽导体与对应的所述第二晶体管的所述第二栅极电连接，在垂直所述基底的方向上，所述第二屏蔽导体在所述基底上的正投影至少覆盖该所述第二晶体管的所述第二栅极在所述基底上的正投影，且所述电源高电位信号线与所述第二屏蔽导体电连接。
5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述介电层上对应所述第二栅极的位置设置有第二过孔，所述电源高电位信号线穿过所述第二过孔与所述第二栅极电连接。
6.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第二屏蔽导体包括互相连接的第二本体和第二连接部，所述电源高电位信号线包括与所述第二连接部相对应的连接段，所述介电层和所述第一绝缘层上设有一贯穿的第三过孔，所述电源高电位信号线的所述连接段穿过所述第三过孔与所述第二屏蔽导体的所述第二连接部电连接。
7.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述像素驱动电路层还包括第二绝缘层和叠设于所述第二绝缘层上的第三金属层，所述第二绝缘层和所述第三金属层设置于所述第一金属层和所述介电层之间，所述第三金属层图案化形成有对应所述第一栅极对应的电极板，在垂直所述基底的方向上，所述电极板在所述基底上的正投影与所述第一栅极在所述基底上的正投影重合。
8.如权利要求4～7中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括阵列设置的多个发光器件(O)和驱动所述发光器件(O)发光的所述像素驱动电路，所述像素驱动电路还包括第一电容(Cst)；至少一所述晶体管包括第一初始化晶体管(M4)、开关补偿晶体管(M2)、驱动晶体管(M1)、电压补偿晶体管(M3)、第二初始化晶体管(M7)、第一发光控制晶体管(M5)、第二发光控制晶体管(M6)；
所述驱动晶体管(M1)的栅极连接于第一节点，所述驱动晶体管(M1)的第一端连接于第三节点，所述驱动晶体管(M1)的第二端连接于第二节点；
所述开关补偿晶体管(M2)的栅极连接第二扫描信号(Scan2)，所述开关补偿晶体管(M2)的第一端连接数据信号(Data)，所述开关补偿晶体管(M2)的第二端连接于所述第二节点；
所述电压补偿晶体管(M3)的栅极连接所述第二扫描信号(Scan2)，所述电压补偿晶体管(M3)的第一端连接于所述第三节点，所述电压补偿晶体管(M3)的第二端连接于所述第一节点；
所述第一初始化晶体管(M4)的栅连接第一扫描信号(Scan1)，所述第一初始化晶体管(M4)的第一端连接于第五节点，所述第一初始化晶体管(M4)的第二端连接于所述第一节点，所述第一初始化晶体管(M4)通过所述第五节点与初始化信号相连；
所述第一发光控制晶体管(M5)的栅极连接发光控制信号，所述第一发光控制晶体管(M5)的第一端连接于第六节点，所述第一发光控制晶体管(M5)的第二端连接于所述第二节点，所述第一发光控制晶体管(M5)通过所述第六节点与电源高电位信号线(Vdd)相连；
所述第二发光控制晶体管(M6)的栅极连接所述发光控制信号，所述第二发光控制晶体管(M6)的第一端连接于所述第三节点，所述第二发光控制晶体管(M6)的第二端连接于第四节点，所述第二发光控制晶体管(M6)通过所述第四节点与所述发光器件(O)的阳极相连；
所述第二初始化晶体管(M7)的栅连接所述第二扫描信号(Scan2)，所述第二初始化晶体管(M7)的第一端连接于所述第四节点，所述第二初始化晶体管(M7)的第二端连接于所述第五节点，所述第二初始化晶体管(M7)通过所述第五节点与所述初始化信号相连，所述第二初始化晶体管(M7)通过所述第四节点与所述发光器件(O)的阳极相连；
所述第一电容(Cst)的第一电容电极连接于所述第六节点，所述第一电容(Cst)的第二电容电极连接于所述第一节点，所述第一电容(Cst)通过所述第六节点与电源高电位信号线(Vdd)相连；
其中，所述驱动晶体管(M1)和所述电压补偿晶体管(M3)为所述第一晶体管、所述开关补偿晶体管(M2)为所述第二晶体管。
9.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基底；
在所述基底上形成屏蔽层，所述屏蔽层包括屏蔽导体和设置于所述屏蔽导体上的屏蔽绝缘层；
在所述屏蔽层上形成像素驱动电路层，所述像素驱动电路层包括层叠设置在所述屏蔽层上的半导体层、第一绝缘层、第一金属层；所述像素驱动电路层包括多个像素驱动电路；
其中，所述像素驱动电路包括至少一第一晶体管；所述半导体层图案化形成有所述第一晶体管的有源层，所述第一金属层图案化形成有所述第一晶体管的第一栅极；所述屏蔽导体与所述第一栅极电连接，在垂直所述基底的方向上，所述屏蔽导体在所述基底上的正投影覆盖所述第一栅极在所述基底上的正投影。
10.一种移动终端，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一项所述的显示面板及终端主体，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
CN202110988827.8A 2021-08-26 2021-08-26 显示面板及其制作方法、移动终端 Active CN113745325B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110988827.8A CN113745325B (zh) 2021-08-26 2021-08-26 显示面板及其制作方法、移动终端

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110988827.8A CN113745325B (zh) 2021-08-26 2021-08-26 显示面板及其制作方法、移动终端

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113745325A CN113745325A (zh) 2021-12-03
CN113745325B true CN113745325B (zh) 2023-09-26

Family

ID=78733131

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110988827.8A Active CN113745325B (zh) 2021-08-26 2021-08-26 显示面板及其制作方法、移动终端

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113745325B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114203735A (zh) * 2021-12-06 2022-03-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 驱动基板及其制作方法、显示面板
CN114361223A (zh) * 2021-12-30 2022-04-15 厦门天马显示科技有限公司 显示面板和显示装置
WO2023130202A1 (en) * 2022-01-04 2023-07-13 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and display apparatus
CN114974129A (zh) * 2022-05-07 2022-08-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112017593A (zh) * 2020-09-28 2020-12-01 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN112786670A (zh) * 2021-01-11 2021-05-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112017593A (zh) * 2020-09-28 2020-12-01 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN112786670A (zh) * 2021-01-11 2021-05-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113745325A (zh) 2021-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113745325B (zh) 显示面板及其制作方法、移动终端
US11744111B2 (en) Display device
US10038046B2 (en) Organic light emitting diode display
US9601556B2 (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
US10019944B2 (en) Display device and electronic apparatus
US9107252B2 (en) Display panel, display unit, and electronic apparatus
US10109657B2 (en) Display device
US9013463B2 (en) Organic light emitting display integrated with touch screen panel
TW200901133A (en) Display, method for driving display, and electronic apparatus
CN113299716B (zh) 一种显示面板
US7935544B2 (en) Method of manufacturing organic light-emitting device
US20240046861A1 (en) Display panel and mobile terminal
CN111580304A (zh) 背光模组、显示面板及电子装置
US20220208927A1 (en) Array substrate, display panel and display device
KR20160053043A (ko) 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법
CN112599540B (zh) 阵列基板及其制备方法、显示面板
CN114902320B (zh) 显示基板及其驱动方法、显示装置
US11587917B2 (en) Backlight module, display panel and electronic device
CN114743989A (zh) 阵列基板及显示面板
CN115616802A (zh) 液晶手写板及其控制方法、手写装置
US11963418B2 (en) Display device
CN109860236A (zh) 有机发光二极管显示面板及掩模板
CN110611043B (zh) 有机发光显示面板及显示器件
US8957421B2 (en) Flat panel display and method of manufacturing the same
US20230371326A1 (en) Display device with voltage line contact

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant