CN112014710B - 针压适配方法、装置、针测设备及可读存储介质 - Google Patents

针压适配方法、装置、针测设备及可读存储介质 Download PDF

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Abstract

本申请提供一种针压适配方法、装置、针测设备及可读存储介质，涉及半导体制程领域。本申请通过获取探针在不同按压高度下针对待测晶圆中多个元件单元通过第一测试键及第二测试键分别量测得到的第一电阻量测值和第二电阻量测值，并针对每个元件单元，根据该元件单元在不同按压高度下的第一电阻量测值及第二电阻量测值，计算探针在不同按压高度下与该元件单元对应的接触电阻值，进而根据该探针在不同按压高度下与多个元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定出与待测晶圆真实适配的目标探测高度，并以该目标探测高度所对应的针压大小，作为该待测晶圆所适配的能够达到最佳量测效果的最佳针压，从而确保待测晶圆的量测精准度。

Description

针压适配方法、装置、针测设备及可读存储介质
技术领域
本申请涉及半导体制程领域，具体而言，涉及一种针压适配方法、装置、针测设备及可读存储介质。
背景技术
在半导体器件制程过程中，通常需要在晶圆加工完成后对其进行晶圆针测，从而及早的将良品与不合格品分辨出来以便于后续的制程处理。而晶圆针测操作则通常需要利用针测设备上的探针与待测晶圆的切割道上配置的测试键连接，来对待测晶圆的电气特性进行量测。
而在晶圆针测过程中，探针会因施加在测试键上的针压大小而在测试键上造成大小不一的刻痕，针压越大则形成的刻痕尺寸越大，而探针的针压过大或过小往往都会影响量测结果。因此，目前多使用人工利用显微镜观测的刻痕尺寸的方式判断针压大小，并通过调整探针的高度来调整针压。但需要注意的是，这种针压调节方式通常会因针痕清晰状况以及测试键材质问题，出现误判针压的现象，无法精准调节出与待测晶圆真实适配的能够达到最佳量测效果的最佳针压。
发明内容
有鉴于此，本申请的目的在于提供一种针压适配方法、装置、针测设备及可读存储介质，能够为待测晶圆确定出真实适配的能够达到最佳量测效果的最佳针压，以确保待测晶圆的量测精准度。
为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：
第一方面，本申请实施例提供一种针压适配方法，所述方法包括：
获取探针在不同按压高度下于待测晶圆中多个元件单元各自的第一测试键处量测得到的第一电阻量测值，以及所述探针在不同按压高度下于多个所述元件单元各自的第二测试键处量测得到的第二电阻量测值；
针对每个所述元件单元，根据所述探针在不同按压高度下与该元件单元对应的第一电阻量测值及第二电阻量测值，计算所述探针在不同按压高度下与该元件单元对应的接触电阻值；
根据所述探针在不同按压高度下与每个所述元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定所述探针针对所述待测晶圆的目标探测高度；
将所述探针在所述目标探测高度下对应的针压大小，作为所述待测晶圆所适配的量测针压。
在可选的实施方式中，所述根据所述探针在不同按压高度下与该元件单元对应的第一电阻量测值及第二电阻量测值，计算所述探针在不同按压高度下与该元件单元对应的接触电阻值，包括：
针对每个元件单元，查找与该元件单元对应的第一电阻量测值、第二电阻量测值、第一测试键尺寸、第二测试键尺寸及接触电阻值之间的预设关联关系；
针对每个按压高度，将该元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值及第二电阻量测值代入所述预设关联关系，计算得到所述探针在该按压高度下于该元件单元处的接触电阻值。
在可选的实施方式中，所述根据所述探针在不同按压高度下与每个所述元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定所述探针针对所述待测晶圆的目标探测高度，包括：
针对每个按压高度，对所述探针在该按压高度下与多个所述元件单元各自对应的接触电阻值进行均值计算，得到所述探针在该按压高度下对应的接触电阻中位数；
将与计算出的最小接触电阻中位数对应的按压高度，作为所述目标探测高度。
在可选的实施方式中，所述根据所述探针在不同按压高度下与每个所述元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定所述探针针对所述待测晶圆的目标探测高度，包括：
针对每个按压高度，对所述探针在该按压高度下与多个所述元件单元各自对应的接触电阻值进行均值计算，得到所述探针在该按压高度下对应的接触电阻中位数；
对所述探针在该按压高度下的接触电阻中位数以及所述探针在该按压高度下与多个所述元件单元各自对应的接触电阻值进行标准差运算，得到所述探针在该按压高度下对应的接触电阻标准差；
将与计算出的最小接触电阻标准差对应的按压高度，作为所述目标探测高度。
在可选的实施方式中，所述根据所述探针在不同按压高度下与每个所述元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定所述探针针对所述待测晶圆的目标探测高度，包括：
针对每个按压高度，对所述探针在该按压高度下与多个所述元件单元各自对应的接触电阻值进行均值计算，得到所述探针在该按压高度下对应的接触电阻中位数；
根据多个所述元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值的分布状况，计算所述探针在该按压高度下对应的高度校准值，其中每个所述元件单元的第一测试键的电阻值小于该元件单元的第二测试键的电阻值；
将与计算出的最小接触电阻中位数对应的按压高度作为第一探测高度，并将与计算出的最小高度校准值对应的按压高度作为第二探测高度；
对所述第一探测高度与所述第二探测高度进行均值运算，得到所述目标探测高度。
在可选的实施方式中，所述根据所述探针在不同按压高度下与每个所述元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定所述探针针对所述待测晶圆的目标探测高度，包括：
针对每个按压高度，对所述探针在该按压高度下与多个所述元件单元各自对应的接触电阻值进行均值计算，得到所述探针在该按压高度下对应的接触电阻中位数；
对所述探针在该按压高度下的接触电阻中位数以及所述探针在该按压高度下与多个所述元件单元各自对应的接触电阻值进行标准差运算，得到所述探针在该按压高度下对应的接触电阻标准差；
根据多个所述元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值的分布状况，计算所述探针在该按压高度下对应的高度校准值，其中每个所述元件单元的第一测试键的电阻值小于该元件单元的第二测试键的电阻值；
将与计算出的最小接触电阻标准差对应的按压高度作为第一探测高度，并将与计算出的最小高度校准值对应的按压高度作为第二探测高度；
对所述第一探测高度与所述第二探测高度进行均值运算，得到所述目标探测高度。
在可选的实施方式中，所述根据多个所述元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值的分布状况，计算所述探针在该按压高度下对应的高度校准值，包括：
对多个所述元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值进行均值计算，得到所述待测晶圆在该按压高度下的第一电阻量测中位数；
将计算出的所述第一电阻量测中位数，作为所述探针在该按压高度下对应的高度校准值；或者
对多个所述元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值进行均值计算，得到所述待测晶圆在该按压高度下的第一电阻量测中位数；
对所述待测晶圆在该按压高度下的第一电阻量测中位数以及多个所述元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值进行标准差运算，得到所述待测晶圆在该按压高度下的第一电阻量测标准差；
将计算出的所述第一电阻量测标准差，作为所述探针在该按压高度下对应的高度校准值。
第二方面，本申请实施例提供一种针压适配装置，所述装置包括：
量测数据获取模块，用于获取探针在不同按压高度下于待测晶圆中多个元件单元各自的第一测试键处量测得到的第一电阻量测值，以及所述探针在不同按压高度下于多个所述元件单元各自的第二测试键处量测得到的第二电阻量测值；
接触电阻计算模块，用于针对每个所述元件单元，根据所述探针在不同按压高度下与该元件单元对应的第一电阻量测值及第二电阻量测值，计算所述探针在不同按压高度下与该元件单元对应的接触电阻值；
探测高度确定模块，用于根据所述探针在不同按压高度下与每个所述元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定所述探针针对所述待测晶圆的目标探测高度；
晶圆针压适配模块，用于将所述探针在所述目标探测高度下对应的针压大小，作为所述待测晶圆所适配的量测针压。
第三方面，本申请实施例提供一种针测设备，包括处理器和存储器，所述存储器存储有能够被所述处理器执行的机器可执行指令，所述处理器可执行所述机器可执行指令，以实现前述实施方式中任意一项所述的针压适配方法。
第四方面，本申请实施例提供一种可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时，实现前述实施方式中任意一项所述的针压适配方法。
本申请实施例的有益效果是：
本申请通过获取探针在不同按压高度下针对待测晶圆中多个元件单元通过第一测试键量测得到的第一电阻量测值及通过第二测试键量测得到的第二电阻量测值，并针对每个元件单元，根据该元件单元在不同按压高度下对应的第一电阻量测值及第二电阻量测值，计算探针在不同按压高度下与该元件单元对应的接触电阻值，进而根据该探针在不同按压高度下与多个元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定出该探针针对待测晶圆真实适配的目标探测高度，并以该目标探测高度所对应的针压大小，作为该待测晶圆所适配的能够达到最佳量测效果的最佳针压，从而确保待测晶圆的量测精准度。
为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本申请实施例提供的针测设备的设备组成示意图；
图2为本申请实施例提供的针压适配方法的流程示意图；
图3为图2中的步骤S220包括的子步骤的流程示意图；
图4为图2中的步骤S230包括的子步骤的流程示意图之一；
图5为图2中的步骤S230包括的子步骤的流程示意图之二；
图6为图2中的步骤S230包括的子步骤的流程示意图之三；
图7为图2中的步骤S230包括的子步骤的流程示意图之四；
图8为本申请实施例提供的针压适配装置的模块组成示意图。
图标：10-针测设备；11-存储器；12-处理器；13-探针；14-通信单元；100-针压适配装置；110-量测数据获取模块；120-接触电阻计算模块；130-探测高度确定模块；140-晶圆针压适配模块。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本申请的描述中，需要理解的是，在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
下面结合附图，对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互结合。
请参照图1，图1是本申请实施例提供的针测设备10的设备组成示意图。在本申请实施例中，所述针测设备10用于对待测晶圆的电气特性进行量测。其中，所述待测晶圆经切割道划分为多个元件单元，每个元件单元用于加工形成一个半导体器件，所述待测晶圆的切割道上配置有材质相同的多个第一测试键及多个第二测试键，所述待测晶圆上的每个元件单元可单独对应一个第一测试键及一个第二测试键，所述针测设备10可通过与测试键接触并按压的方式，对该测试键所对应的元件单元的电气特性进行量测。
其中，同一元件单元所对应的第一测试键与第二测试键各自的结构尺寸互不相同，以确保材质相同的所述第一测试键与所述第二测试键各自的电阻值互不相同，使同一元件单元在相同量测条件下通过第一测试键及第二测试键量测得到的电气特性数值(比如，电阻量测数值)互不相同。
在本实施例中，所述针测设备10包括存储器11、处理器12、探针13、通信单元14及所述针压适配装置100。所述存储器11、所述处理器12及所述通信单元14各个元件相互之间直接或间接地电性连接，以实现数据的传输或交互。例如，所述存储器11、所述处理器12及所述通信单元14这些元件相互之间可通过一条或多条通讯总线或信号线实现电性连接。
在本实施例中，所述存储器11可以是，但不限于，随机存取存储器(Random AccessMemory，RAM)，只读存储器(Read Only Memory，ROM)，可编程只读存储器(ProgrammableRead-Only Memory，PROM)，可擦除只读存储器(Erasable Programmable Read-OnlyMemory，EPROM)，电可擦除只读存储器(Electric Erasable Programmable Read-OnlyMemory，EEPROM)等。其中，所述存储器11用于存储程序，所述处理器12在接收到执行指令后，可相应地执行所述程序，其中所述程序包括用于控制所述探针13调整其作用在测试键(第一测试键或第二测试键)上的按压高度的软件程序。
在本实施例中，所述处理器12可以是一种具有信号的处理能力的集成电路芯片。所述处理器12可以是通用处理器，包括中央处理器(Central Processing Unit，CPU)及网络处理器(Network Processor，NP)等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等，可以实现或者执行本申请实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。
在本实施例中，所述探针13的数目可以是多个，也可以仅是一个。若所述探针13的数目为多个，则所述针测设备10可通过所述处理器12控制多个所述探针13同时与多个元件单元各自对应的第一测试键和/或第二测试键接触，并调控多个所述探针13保持相同按压高度，从而得以量测出多个元件单元在相同按压高度下通过第一测试键及第二测试键分别量测得到的电阻量测数值。若所述探针13的数目仅为一个，则所述针测设备10可通过所述处理器12控制所述探针13依次与单个元件单元的第一测试键或第二测试键接触，并调整该探针13的按压高度，从而得以量测出所述单个元件单元在不同按压高度在通过对应的第一测试键及第二测试键分别量测得到的电阻量测数值。其中，可以理解的是，所述待测晶圆上与所述探针13接触的元件单元数目小于或等于所述待测晶圆的元件单元总数。
在本实施例中，所述通信单元14用于通过网络建立所述针测设备10与其他设备之间的通信连接，并通过所述网络收发数据，其中所述网络包括有线通信网络及无线通信网络。例如，所述针测设备10通过所述通信单元14获取半导体研发人员针对待测晶圆下达的量测指令，并按照所述量测指令测试出所述待测晶圆中多个元件单元各自在不同按压高度下与第一测试键或第二测试键对应的电阻量测值。
在本实施例中，所述针压适配装置100包括至少一个能够以软件或固件的形式存储于所述存储器11中或固化在所述针测设备10的操作***中的软件功能模块。所述处理器12可用于执行所述存储器11存储的可执行模块，例如所述针压适配装置100所包括的软件功能模块及计算机程序等。所述针测设备10通过所述针压适配装置100针对待测晶圆，确定出与该待测晶圆真实适配的能够达到最佳量测效果的最佳针压，从而确保待测晶圆的量测精准度。
可以理解的是，图1所示的框图仅为针测设备10的一种结构组成示意图，所述针测设备10还可包括比图1中所示更多或者更少的组件，或者具有与图1所示不同的配置。图1中所示的各组件可以采用硬件、软件或其组合实现。
在本申请中，为确保所述针测设备10能够为待测晶圆确定出真实适配的用以达到最佳量测效果的最佳针压，并确保待测晶圆的量测精准度，本申请通过应用于上述针测设备10的针压适配方法实现上述效果，下面对本申请提供的针压适配方法进行详细描述。
请参照图2，图2是本申请实施例提供的针压适配方法的流程示意图。在本申请实施例中，图2所示的针压适配方法的具体流程和步骤如下文所示。
步骤S210，获取探针在不同按压高度下于待测晶圆中多个元件单元各自的第一测试键处量测得到的第一电阻量测值，以及探针在不同按压高度下于多个元件单元各自的第二测试键处量测得到的第二电阻量测值。
在本实施例中，所述针测设备10在控制探针13与待测晶圆中的某个元件单元所对应的第一测试键或第二测试键接触后，会相应地调控该探针13在第一测试键或第二测试键上的按压高度，并通过施加电压及检测电流的方式，确定该元件单元在对应按压高度下的经第一测试键量测出的第一电阻量测值，以及该元件单元在对应按压高度下的经第二测试键量测出的第二电阻量测值。
步骤S220，针对每个元件单元，根据探针在不同按压高度下与该元件单元对应的第一电阻量测值及第二电阻量测值，计算探针在不同按压高度下与该元件单元对应的接触电阻值。
在本实施例中，所述针测设备10在得出多个元件单元各自在不同按压高度下的第一电阻量测值及第二电阻量测值后，会根据每个所述元件单元在某个按压高度下的第一电阻量测值及第二电阻量测值，计算所述探针13在该按压高度下与该元件单元对应的接触电阻值，而后根据计算出的不同按压高度下各元件单元所对应的接触电阻值，选取一个合适的按压高度，并向该按压高度所对应的针压大小，作为与待测晶圆适配的能够确保量测精准度及最佳量测效果的最佳针压。
步骤S230，根据探针在不同按压高度下与每个元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定探针针对待测晶圆的目标探测高度。
在本实施例中，当所述针测设备10计算出的所述探针13在不同按压高度下于各元件单元处分别产生的接触电阻值后，会根据各接触电阻值的分布情况选取一个合适的能够确保量测精准度及最佳量测效果的目标探测高度，并向该目标探测高度所对应的针压大小，作为与待测晶圆适配的最佳针压。
步骤S240，将探针在所述目标探测高度下对应的针压大小，作为待测晶圆所适配的量测针压。
在本实施例中，当所述针测设备10确定出与所述待测晶圆适配的目标探测高度时，会直接将该目标探测高度所对应的针压大小，作为对所述待测晶圆进行量测时的最合适量测针压，从而确保待测晶圆的量测精准度及量测效果。
在本申请实施例中，所述针测设备10通过执行上述针压适配方法为待测晶圆确定出真实适配的能够达到最佳量测效果的最佳针压，以确保待测晶圆的量测精准度。
在本申请中，为确保所述针测设备10能够针对所述探针13计算其在不同按压高度下于待测晶圆中不同元件单元处产生的接触电阻，本申请实施例通过对上述步骤S220的具体执行过程进行详细阐述。
请参照图3，图3是图2中的步骤S220包括的子步骤的流程示意图。在本实施例中，所述步骤S220可以包括子步骤S221及子步骤S222。
子步骤S221，针对每个元件单元，查找与该元件单元对应的第一电阻量测值、第二电阻量测值、第一测试键尺寸、第二测试键尺寸及接触电阻值之间的预设关联关系。
在本实施例中，所述针测设备10会针对待测晶圆中每个元件单元，根据该元件单元所对应的材质相同而电阻值不同的第一测试键尺寸及第二测试键尺寸，配置出该元件单元在相同按压高度(即相同针压)作用下对应的第一电阻量测值、第二电阻量测值、第一测试键尺寸、第二测试键尺寸以及接触电阻值之间的预设关联关系，以便于所述针测设备10针对每个元件单元计算出探针13在不同按压高度下对应的接触电阻值。
在本实施例的一种实施方式中，所述预设关联关系可采用如下式子进行表达：
Figure BDA0002653977060000111
其中，RL用于表示对应元件单元在某个按压高度作用下量测的第一电阻量测值，L1用于表示该元件单元对应的第一测试键的长度，W1用于表示该元件单元对应的第一测试键的线宽度，RH用于表示该元件单元在该按压高度作用下量测的第二电阻量测值，L2用于表示该元件单元对应的第二测试键的长度，W2用于表示该元件单元对应的第二测试键的线宽度，R0用于表示所述探针13在该按压高度作用下与该元件单元对应的接触电阻值，RS用于表示基础尺寸的测试键电阻值。其中，所述基础尺寸的测试键电阻值是形状为正方形且长宽固定的测试键的电阻值。
在可选的实施方式中，同一元件单元的第一测试键的电阻值小于该元件单元的第二测试键的电阻值。所述第一测试键的线宽度数值需大于10μm，所述第一测试键的长度数值需小于1μm，而所述第二测试键的线宽度数值需小于0.36μm，所述第二测试键的长度数值需大于30μm。
子步骤S222，针对每个按压高度，将该元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值及第二电阻量测值代入预设关联关系，计算得到探针在该按压高度下于该元件单元处的接触电阻值。
在本实施例中，当所述针测设备10确定出某个元件单元所对应的预设关联关系后，会将该元件单元在某个按压高度下对应量测出的第一电阻量测值及第二电阻量测值代入所述预设关联关系中，从而通过求解方程的方式计算出所述探针13在该按压高度下于该元件单元处产生的接触电阻值。
在本申请中，为确保所述针测设备10能够为所述待测晶圆选定出一个真实适配的能够保证晶圆量测精准度的量测针压，本申请实施例通过对上述步骤S230的具体执行过程进行详细阐述。
可选地，请参照图4，图4是图2中的步骤S230包括的子步骤的流程示意图之一。在本实施例的第一种实施方式中，所述步骤S230可以包括子步骤S231及子步骤S232。
子步骤S231，针对每个按压高度，对探针在该按压高度下与多个元件单元各自对应的接触电阻值进行均值计算，得到探针在该按压高度下对应的接触电阻中位数。
其中，不同按压高度各自对应的接触电阻中位数可以相同，也可以不同。
子步骤S232，将与计算出的最小接触电阻中位数对应的按压高度，作为目标探测高度。
在本实施例中，所述针测设备10可直接将计算出的数值最小的接触电阻中位数所对应的按压高度，作为目标探测高度，以通过所述目标探测高度所对应的针压大小尽量降低探针13对晶圆量测过程的影响，提升量测精准度及量测效果。
可选地，请参照图5，图5是图2中的步骤S230包括的子步骤的流程示意图之二。在本实施例的第二种实施方式中，所述步骤S230可以包括子步骤S231、子步骤S233及子步骤S234。
子步骤S231，针对每个按压高度，对探针在该按压高度下与多个元件单元各自对应的接触电阻值进行均值计算，得到探针在该按压高度下对应的接触电阻中位数。
子步骤S233，对探针在该按压高度下的接触电阻中位数以及探针在该按压高度下与多个元件单元各自对应的接触电阻值进行标准差运算，得到探针在该按压高度下对应的接触电阻标准差。
其中，不同按压高度各自对应的接触电阻标准差可以相同，也可以不同。
子步骤S234，将与计算出的最小接触电阻标准差对应的按压高度，作为目标探测高度。
在本实施例中，所述针测设备10可直接将计算出的数值最小的接触电阻标准差所对应的按压高度，作为目标探测高度，以通过所述目标探测高度所对应的针压大小尽量降低探针13对晶圆量测过程的影响，提升量测精准度及量测效果。
可选地，请参照图6，图6是图2中的步骤S230包括的子步骤的流程示意图之三。在本实施例的第三种实施方式中，所述步骤S230可以包括子步骤S231、子步骤S235、子步骤S236及子步骤S237。
子步骤S231，针对每个按压高度，对探针在该按压高度下与多个元件单元各自对应的接触电阻值进行均值计算，得到探针在该按压高度下对应的接触电阻中位数。
子步骤S235，根据多个元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值的分布状况，计算探针在该按压高度下对应的高度校准值，其中每个元件单元的第一测试键的电阻值小于该元件单元的第二测试键的电阻值。
在本实施例中，为确保最终确定出的目标探测高度是多方位考虑了接触电阻及测试键对晶圆量测过程的影响，能够尽可能地提升量测精准度及量测效果，所述针测设备10在确定目标探测高度的过程中会引入方便观察针压的阻值效应的低电阻测试键的量测状况进行按压高度校准。因此，所述针测设备10在针对每个按压高度计算该按压高度所对应的接触电阻中位数的同时，也会根据该按压高度下各第一电阻量测值的数值分布状况，计算所述探针13在该按压高度下对应的高度校准值。
其中，所述根据多个元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值的分布状况，计算探针13在该按压高度下对应的高度校准值的步骤可以是如下两种高度校准值计算方式中的任意一种。
高度校准值计算方式一：对多个元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值进行均值计算，得到待测晶圆在该按压高度下的第一电阻量测中位数；
将计算出的第一电阻量测中位数，作为探针13在该按压高度下对应的高度校准值。
高度校准值计算方式二：对多个元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值进行均值计算，得到待测晶圆在该按压高度下的第一电阻量测中位数；
对待测晶圆在该按压高度下的第一电阻量测中位数以及多个元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值进行标准差运算，得到待测晶圆在该按压高度下的第一电阻量测标准差；
将计算出的第一电阻量测标准差，作为探针13在该按压高度下对应的高度校准值。
子步骤S236，将与计算出的最小接触电阻中位数对应的按压高度作为第一探测高度，并将与计算出的最小高度校准值对应的按压高度作为第二探测高度。
在本实施例中，所述针测设备10会将计算出的数值最小的接触电阻中位数所对应的按压高度作为第一探测高度，并将计算出的数值最小的高度校准值所对应的按压高度作为第二探测高度，而后结合所述第一探测高度及所述第二探测高度确定出与所述待测晶圆适配的目标探测高度。
子步骤S237，对第一探测高度与第二探测高度进行均值运算，得到目标探测高度。
在本实施例中，所述针测设备10通过将与接触电阻直接关联的第一探测高度及与低阻值测试键关联的第二探测高度进行均值计算，并将计算出的高度均值作为对应的目标探测高度，从而在确定目标探测高度的过程中多方位考虑了接触电阻及测试键对晶圆量测过程的影响，引入了方便观察针压的阻值效应的低电阻测试键的量测状况进行高度校准，从而通过确定出的目标探测高度尽可能地提升量测精准度及量测效果。
可选地，请参照图7，图7是图2中的步骤S230包括的子步骤的流程示意图之四。在本实施例的第四种实施方式中，所述步骤S230包括子步骤S231、子步骤S233、子步骤S235、子步骤S238及子步骤S237。
子步骤S231，针对每个按压高度，对探针在该按压高度下与多个元件单元各自对应的接触电阻值进行均值计算，得到探针在该按压高度下对应的接触电阻中位数。
子步骤S233，对探针在该按压高度下的接触电阻中位数以及探针在该按压高度下与多个元件单元各自对应的接触电阻值进行标准差运算，得到探针在该按压高度下对应的接触电阻标准差。
子步骤S235，根据多个元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值的分布状况，计算探针在该按压高度下对应的高度校准值，其中每个元件单元的第一测试键的电阻值小于该元件单元的第二测试键的电阻值。
其中，所述根据多个元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值的分布状况，计算探针13在该按压高度下对应的高度校准值的步骤可以是如下两种高度校准值计算方式中的任意一种。
高度校准值计算方式一：对多个元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值进行均值计算，得到待测晶圆在该按压高度下的第一电阻量测中位数；
将计算出的第一电阻量测中位数，作为探针13在该按压高度下对应的高度校准值。
高度校准值计算方式二：对多个元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值进行均值计算，得到待测晶圆在该按压高度下的第一电阻量测中位数；
对待测晶圆在该按压高度下的第一电阻量测中位数以及多个元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值进行标准差运算，得到待测晶圆在该按压高度下的第一电阻量测标准差；
将计算出的第一电阻量测标准差，作为探针13在该按压高度下对应的高度校准值。
子步骤S238，将与计算出的最小接触电阻标准差对应的按压高度作为第一探测高度，并将与计算出的最小高度校准值对应的按压高度作为第二探测高度。
在本实施例中，所述针测设备10会将计算出的数值最小的接触电阻标准差所对应的按压高度作为第一探测高度，并将计算出的数值最小的高度校准值所对应的按压高度作为第二探测高度，而后结合所述第一探测高度及所述第二探测高度确定出与所述待测晶圆适配的目标探测高度。
子步骤S237，对第一探测高度与第二探测高度进行均值运算，得到目标探测高度。
在本申请中，为确保所述针测设备10所包括的针压适配装置100能够正常实施，本申请通过对所述针压适配装置100进行功能模块划分的方式实现其功能。下面对本申请提供的针压适配装置100的具体组成进行相应描述。
请参照图8，图8是本申请实施例提供的针压适配装置100的模块组成示意图。在本申请实施例中，所述针压适配装置100可以包括量测数据获取模块110、接触电阻计算模块120、探测高度确定模块130及晶圆针压适配模块140。
所述量测数据获取模块110，用于获取探针在不同按压高度下于待测晶圆中多个元件单元各自的第一测试键处量测得到的第一电阻量测值，以及探针在不同按压高度下于多个所述元件单元各自的第二测试键处量测得到的第二电阻量测值。
所述接触电阻计算模块120，用于针对每个元件单元，根据探针在不同按压高度下与该元件单元对应的第一电阻量测值及第二电阻量测值，计算探针在不同按压高度下与该元件单元对应的接触电阻值。
所述探测高度确定模块130，用于根据探针在不同按压高度下与每个元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定探针针对待测晶圆的目标探测高度。
所述晶圆针压适配模块140，用于将探针在目标探测高度下对应的针压大小，作为待测晶圆所适配的量测针压。
需要说明的是，本申请实施例所提供的针压适配装置100，其基本原理及产生的技术效果与前述应用于针压适配方法相同，为简要描述，本实施例部分未提及之处，可参考上述的针对针压适配方法的描述内容。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，也可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，附图中的流程图和框图显示了根据本申请的实施例的装置、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现方式中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的***来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
另外，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。所述功能如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个可读存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个可读存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的可读存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
综上所述，在本申请实施例提供的针压适配方法、装置、针测设备及可读存储介质中，本申请通过获取探针在不同按压高度下针对待测晶圆中多个元件单元通过第一测试键量测得到的第一电阻量测值及通过第二测试键量测得到的第二电阻量测值，并针对每个元件单元，根据该元件单元在不同按压高度下对应的第一电阻量测值及第二电阻量测值，计算探针在不同按压高度下与该元件单元对应的接触电阻值，进而根据该探针在不同按压高度下与多个元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定出该探针针对待测晶圆真实适配的目标探测高度，并以该目标探测高度所对应的针压大小，作为该待测晶圆所适配的能够达到最佳量测效果的最佳针压，从而确保待测晶圆的量测精准度。
以上所述，仅为本申请的各种实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种针压适配方法，其特征在于，所述方法包括：
获取探针在不同按压高度下于待测晶圆中多个元件单元各自的第一测试键处量测得到的第一电阻量测值，以及所述探针在不同按压高度下于多个所述元件单元各自的第二测试键处量测得到的第二电阻量测值；
针对每个所述元件单元，根据所述探针在不同按压高度下与该元件单元对应的第一电阻量测值及第二电阻量测值，计算所述探针在不同按压高度下与该元件单元对应的接触电阻值；
根据所述探针在不同按压高度下与每个所述元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定所述探针针对所述待测晶圆真实适配的用于确保对所述待测晶圆的量测精准度及最佳量测效果的目标探测高度；
将所述探针在所述目标探测高度下对应的针压大小，作为所述待测晶圆所适配的量测针压；
其中，所述根据所述探针在不同按压高度下与该元件单元对应的第一电阻量测值及第二电阻量测值，计算所述探针在不同按压高度下与该元件单元对应的接触电阻值，包括：
针对每个元件单元，查找与该元件单元对应的第一电阻量测值、第二电阻量测值、第一测试键尺寸、第二测试键尺寸及接触电阻值之间的预设关联关系；
针对每个按压高度，将该元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值及第二电阻量测值代入所述预设关联关系，计算得到所述探针在该按压高度下于该元件单元处的接触电阻值。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述探针在不同按压高度下与每个所述元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定所述探针针对所述待测晶圆的目标探测高度，包括：
针对每个按压高度，对所述探针在该按压高度下与多个所述元件单元各自对应的接触电阻值进行均值计算，得到所述探针在该按压高度下对应的接触电阻中位数；
将与计算出的最小接触电阻中位数对应的按压高度，作为所述目标探测高度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述探针在不同按压高度下与每个所述元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定所述探针针对所述待测晶圆的目标探测高度，包括：
针对每个按压高度，对所述探针在该按压高度下与多个所述元件单元各自对应的接触电阻值进行均值计算，得到所述探针在该按压高度下对应的接触电阻中位数；
对所述探针在该按压高度下的接触电阻中位数以及所述探针在该按压高度下与多个所述元件单元各自对应的接触电阻值进行标准差运算，得到所述探针在该按压高度下对应的接触电阻标准差；
将与计算出的最小接触电阻标准差对应的按压高度，作为所述目标探测高度。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述探针在不同按压高度下与每个所述元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定所述探针针对所述待测晶圆的目标探测高度，包括：
针对每个按压高度，对所述探针在该按压高度下与多个所述元件单元各自对应的接触电阻值进行均值计算，得到所述探针在该按压高度下对应的接触电阻中位数；
根据多个所述元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值的分布状况，计算所述探针在该按压高度下对应的高度校准值，其中每个所述元件单元的第一测试键的电阻值小于该元件单元的第二测试键的电阻值；
将与计算出的最小接触电阻中位数对应的按压高度作为第一探测高度，并将与计算出的最小高度校准值对应的按压高度作为第二探测高度；
对所述第一探测高度与所述第二探测高度进行均值运算，得到所述目标探测高度。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述探针在不同按压高度下与每个所述元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定所述探针针对所述待测晶圆的目标探测高度，包括：
针对每个按压高度，对所述探针在该按压高度下与多个所述元件单元各自对应的接触电阻值进行均值计算，得到所述探针在该按压高度下对应的接触电阻中位数；
对所述探针在该按压高度下的接触电阻中位数以及所述探针在该按压高度下与多个所述元件单元各自对应的接触电阻值进行标准差运算，得到所述探针在该按压高度下对应的接触电阻标准差；
根据多个所述元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值的分布状况，计算所述探针在该按压高度下对应的高度校准值，其中每个所述元件单元的第一测试键的电阻值小于该元件单元的第二测试键的电阻值；
将与计算出的最小接触电阻标准差对应的按压高度作为第一探测高度，并将与计算出的最小高度校准值对应的按压高度作为第二探测高度；
对所述第一探测高度与所述第二探测高度进行均值运算，得到所述目标探测高度。
6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述根据多个所述元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值的分布状况，计算所述探针在该按压高度下对应的高度校准值，包括：
对多个所述元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值进行均值计算，得到所述待测晶圆在该按压高度下的第一电阻量测中位数；
将计算出的所述第一电阻量测中位数，作为所述探针在该按压高度下对应的高度校准值；或者
对多个所述元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值进行均值计算，得到所述待测晶圆在该按压高度下的第一电阻量测中位数；
对所述待测晶圆在该按压高度下的第一电阻量测中位数以及多个所述元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值进行标准差运算，得到所述待测晶圆在该按压高度下的第一电阻量测标准差；
将计算出的所述第一电阻量测标准差，作为所述探针在该按压高度下对应的高度校准值。
7.一种针压适配装置，其特征在于，所述装置包括：
量测数据获取模块，用于获取探针在不同按压高度下于待测晶圆中多个元件单元各自的第一测试键处量测得到的第一电阻量测值，以及所述探针在不同按压高度下于多个所述元件单元各自的第二测试键处量测得到的第二电阻量测值；
接触电阻计算模块，用于针对每个所述元件单元，根据所述探针在不同按压高度下与该元件单元对应的第一电阻量测值及第二电阻量测值，计算所述探针在不同按压高度下与该元件单元对应的接触电阻值；
探测高度确定模块，用于根据所述探针在不同按压高度下与每个所述元件单元对应的接触电阻值的分布状况，确定所述探针针对所述待测晶圆真实适配的用于确保对所述待测晶圆的量测精准度及最佳量测效果的目标探测高度；
晶圆针压适配模块，用于将所述探针在所述目标探测高度下对应的针压大小，作为所述待测晶圆所适配的量测针压；
其中，所述接触电阻计算模块具体用于：
针对每个元件单元，查找与该元件单元对应的第一电阻量测值、第二电阻量测值、第一测试键尺寸、第二测试键尺寸及接触电阻值之间的预设关联关系；
针对每个按压高度，将该元件单元在该按压高度下对应的第一电阻量测值及第二电阻量测值代入所述预设关联关系，计算得到所述探针在该按压高度下于该元件单元处的接触电阻值。
8.一种针测设备，其特征在于，包括处理器和存储器，所述存储器存储有能够被所述处理器执行的机器可执行指令，所述处理器可执行所述机器可执行指令，以实现权利要求1-6中任意一项所述的针压适配方法。
9.一种可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时，实现权利要求1-6中任意一项所述的针压适配方法。
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