CN111952235A - 半导体制造装置及半导体装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体制造装置及半导体装置的制造方法。提供如下半导体制造装置,即,在拾取半导体片时,将粘接带从半导体片的四角均等地剥离,不会引起半导体片的位置偏移或胶带破裂,能够稳定地拾取半导体片。使用在上表面存在平坦部、在四角存在形状为凹状的凹部的针(1),进行粘贴于粘接带(2)的半导体片(4)的推起,均等地产生半导体片(4)的四角的粘接带的剥离而进行拾取。
Description
技术领域
本发明涉及通过针将由粘接带保持而切割后的半导体片推起,通过夹头吸附而进行拾取的半导体制造装置。
背景技术
在半导体器件的制造工序中进行如下处理,即,在对切割用胶带等粘接带施加拉伸应力而延展后,从粘接带对各个半导体片进行拾取,将拾取的半导体片装配于电路基板等。拾取装置由对保持有粘接带的保持件进行设置的工作台、从工作台的上方对半导体片的位置进行检测的上部拍摄照相机、从工作台下方推起半导体片的推起件、以及从上方拾取半导体片的夹头构成(例如,参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2016-195194号公报
在上述以往的半导体制造装置中,在拾取半导体片时,在从下方推起粘接带之上的半导体片时,在粘接带与半导体片的粘接状态不均匀的情况下,半导体片从粘接带剥离的状态会产生波动。因此,存在产生半导体片的位置偏移或胶带破裂,无法在相同条件下稳定地拾取这样的问题。
发明内容
本发明就是为了解决上述那样的问题而提出的,其目的在于得到不会引起位置偏移或胶带破裂,能够稳定地从粘接带拾取半导体片的半导体制造装置。
本发明涉及的半导体制造装置具有上表面的宽度与半导体片的宽度等同的推起针,该推起针所具有的上表面呈如下形状,即,隔着粘接带与半导体片的底面接触的推起部分是平坦的,在矩形的四角具有凹状的凹部。
发明的效果
本发明涉及的半导体制造装置实现如下效果,能够在相同的状态下将半导体片从组装于保持部件的粘接带剥离,能够进行稳定的拾取。
附图说明
图1是拾取装置的斜视图,其中,该拾取装置示出本发明的实施方式1。
图2是表示拾取装置的结构的框图,其中,该拾取装置示出本发明的实施方式1。
图3是表示由拾取装置进行拾取的半导体片的切割前的状态的半导体基板俯视图,其中,该拾取装置示出本发明的实施方式1。
图4是由拾取装置进行拾取的半导体片的斜视图,其中,该拾取装置示出本发明的实施方式1。
图5是放大表示拾取装置的针的顶端部分的斜视图,其中,该拾取装置示出本发明的实施方式1。
图6是拾取装置的针的俯视图,其中,该拾取装置示出本发明的实施方式1。
图7是从横向观察拾取装置的针的剖视图,其中,该拾取装置示出本发明的实施方式1。
图8是用于说明高频器件的制造方法的流程图。
图9是拾取装置针隔着粘接带与半导体片接触时的剖视图,其中,该拾取装置示出本发明的实施方式1。
图10是通过拾取装置的针,将粘接带和半导体片抬起而使半导体片的端部从粘接带剥离的状态的剖视图,其中,该拾取装置示出本发明的实施方式1。
图11是从下方观察通过拾取装置的针将粘接带和半导体片抬起而使半导体片的端部从粘接带剥离的状态的图,其中,该拾取装置示出本发明的实施方式1。
图12是通过拾取装置的针,为了将粘贴于粘接带的半导体片推起而向上方移动,与粘接带接触时的剖视图,其中,该拾取装置示出以往的实施方式。
图13是通过拾取装置的针,将粘贴于粘接带的半导体片抬起时的剖视图,其中,该拾取装置示出以往的实施方式。
图14是从下方观察通过拾取装置的针将粘贴于粘接带的半导体片抬起时的从半导体片剥离掉粘接带的状态的剖视图,其中,该拾取装置示出以往的实施方式。
图15是拾取装置的针的第一变形例,是放大表示顶端部分的斜视图,其中,该拾取装置示出本发明的实施方式1。
图16是拾取装置的针的第二变形例,是放大表示顶端部分的斜视图,其中,该拾取装置示出本发明的实施方式1。
图17是拾取装置的斜视图,其中,该拾取装置示出本发明的实施方式2。
图18是表示拾取装置的结构的框图,其中,该拾取装置示出本发明的实施方式2。
图19是由拾取装置进行拾取的工序S3a中的动作的流程图,其中,该拾取装置示出本发明的实施方式2。
图20是表示拾取装置的第一变形例的结构的框图,其中,该拾取装置示出本发明的实施方式2。
图21是表示拾取装置的第二变形例的结构的框图,其中,该拾取装置示出本发明的实施方式2。
图22是表示拾取装置的第三变形例的结构的框图,其中,该拾取装置示出本发明的实施方式2。
图23是拾取装置的斜视图,其中,该拾取装置示出本发明的实施方式3。
图24是表示拾取装置的结构的框图,其中,该拾取装置示出本发明的实施方式3。
标号的说明
100、200、300拾取装置,1、1a、1b、1c、1z针,2粘接带,3环状保持件,4、4a、4b、4c、4z半导体片,5夹头,6上部拍摄照相机,7半导体基板,8拾取工作台,9针工作台,10、10a、10b切除部,11以往的针,12粘接面,13剥离部,14细的针组件,21工作台驱动部,22定位检测部,22a定位尺寸检测部,23、23a推起驱动部,24控制部,25、25b、25c粘接面状态检测部,26夹头驱动部,31下部拍摄照相机,31a光反射板传感器,31b空气传播振动检测传感器,31c压电元件。
具体实施方式
实施方式1.
首先,对本发明的实施方式1的半导体制造装置涉及的拾取装置100的结构进行说明。图1是拾取装置100的斜视图,其中,该拾取装置100示出本实施方式的结构的一个例子。拾取装置100由拾取工作台8、上部拍摄照相机6、针1、针工作台9和夹头5构成,该拾取工作台8用于载置将半导体片4粘贴于延展后的粘接带2之上的状态下的环状保持部件3,该上部拍摄照相机6在拾取工作台8的上方对与半导体片4的配置相关的位置信息进行检测,该针1的从拾取工作台8的下方将半导体片4推起的上表面平坦且在四角具有切除部,该针工作台9对针1进行保持而进行推起,该夹头5从上方拾取半导体片。此外,在图1中进行了表示x方向、y方向及z方向的标示,将朝上方设为z方向,将与其垂直的水平方向设为x方向和y方向。在图1之外的图中,在存在相同的示出x方向、y方向及z方向的标示的情况下,它们的朝向分别表示与图1相同的朝向。
图2是表示本发明的实施方式1涉及的拾取装置100的结构的框图。拾取装置100具有:推起驱动部23,其对使针1上下移动的针工作台9进行控制;工作台驱动部21,其对拾取工作台8的水平方向的位置进行控制;以及定位检测部22,其对与半导体片4的配置相关的位置信息进行检测,拾取装置100还具有对推起驱动部23、工作台驱动部21及定位检测部22进行控制的控制部24。
在拾取装置100中设置有拾取工作台8,该拾取工作台8载置有对粘贴有半导体片4的粘接带2进行保持的环状保持件3。在拾取工作台8的上方配置有对半导体片4的位置进行拍摄的上部拍摄照相机6。来自上部拍摄照相机6的影像信息被发送至定位检测部22,检测出的与半导体片4的配置相关的位置信息被发送至控制部24。控制部24基于从定位检测部22发送来的位置信息,将成为使拾取工作台8移动的指示的信号发送至工作台驱动部21。接下来,控制部24将成为使进行推起的针工作台9得到驱动的指示的信号发送至推起驱动部23。并且,控制部24将所指示的信号发送至夹头驱动部26,使得夹头5从上方对由针1推起的粘接带2之上的半导体片4进行吸附、拾取。
图3示出半导体片4的切割前的状态,是半导体基板7的俯视图。在半导体基板7的表面处多个半导体片4在矩阵方向排列为阵列状,将该半导体基板7粘贴于粘接带2而进行切割,并且通过将粘接带2延展,从而对各个半导体片4进行制作。
图4是由本发明的实施方式1的半导体制造装置涉及的拾取装置100进行拾取的半导体片4的斜视图。从半导体基板7切出的半导体片4为具有宽度A1、纵深方向的长度A2、高度A3的矩形状。
图5是放大表示本发明的实施方式1的半导体制造装置涉及的拾取装置100的针1的顶端部分的斜视图,与虚线相比更靠下端侧则省略示出。就针1而言,相对于半导体片4的宽度A1和纵深A2,隔着粘接带2与半导体片4接触的上表面为等同大小的长方体形状,呈平坦的形状,具有将其四角切除的切除部10。此外,切除了四角的切除部10是指四角的形状为凹状的凹部,并不限于实际切除而形成,例如,也可以由铸模形成。
图6是本发明的实施方式1的半导体制造装置涉及的拾取装置100的针1的俯视图,是从z轴的正方向观察的图。针1与半导体片4接触的上表面为平坦的形状,切除其四角而成的切除部10是通过在x方向切除Wz1,在y方向切除Wz2的大小而形成的。在图6中1个切除部10的上表面形状为四分之一圆的曲面状态,但形状并不限于此。另外,图7是从横向观察本发明的实施方式1的半导体制造装置涉及的拾取装置100的针1的剖视图。针对切除部10,将Wz1和Wz2的标记统一为Wz。
接下来,包含本发明的实施方式1的半导体制造装置涉及的拾取装置100的动作在内,对半导体装置的制造方法进行说明。这里,半导体装置例如是高频器件、光器件、功率模块等半导体器件及半导体模块,但不限于此,只要是使用了半导体的装置即可。下面,作为半导体装置,以高频器件为例进行说明。
图8是用于说明高频器件的制造方法的流程图。高频器件是经过如下工序而制作的,该工序包含在半导体晶片的表面形成元件的工序S1,将半导体基板7粘贴于粘接带2、进行切割而切分为各个半导体片4的工序S2,从粘接带2拾取半导体片4的工序S3,以及将拾取的半导体片4装配于电路基板等的工序S4。
在工序S1中,使用半导体工艺在半导体晶片的表面形成高频晶体管、电容器、电阻等元件。在工序S2中,将形成有元件的半导体晶片粘贴于粘接带2,进行切割而切分为各个半导体片4。
在工序S3中,首先,使排列有半导体片4的粘接带2延展,组装于环状保持件3。接下来,使用图2所示的拾取装置100从粘接带2拾取半导体片4。
下面对工序S3更详细地进行说明。在图2中,在使排列有半导体片4的粘接带2延展后的状态下保持的环状保持件3被组装于拾取装置100的拾取工作台8。通过上部拍摄照相机6进行半导体片4的拍摄,通过定位检测部22对半导体片4的位置进行检测,将位置信息发送至控制部24。从控制部24将半导体片4的位置信息发送至使拾取工作台8移动的工作台驱动部21,工作台驱动部21使拾取工作台8移动至用于拾取半导体片4的位置。同时,从控制部24将进行推起的定时等信息发送至推起驱动部23,将指令发送至推起针工作台9,进行针1的推起,以使得在拾取工作台8到达用于拾取的位置后进行推起。针1隔着粘接带2推起半导体片4,使半导体片4的四角从粘接带2剥离。与此同时,夹头5从上方对半导体片4进行吸附,向z方向移动,进行拾取。
图9是实施方式1的半导体制造装置涉及的拾取装置100的针1为了隔着粘接带2推起半导体片4而向上方移动,恰好与粘接带2接触时的剖视图。虽然是从y轴的正方向观察的图,但从x轴的正方向观察的图也是同样的。成为如下状态,即,针1的上表面的平坦部隔着粘接带2与半导体片4的底面接触,由针1的上表面平坦部和半导体片4的底面夹着粘接带2。
图10是实施方式1的半导体制造装置涉及的拾取装置100的针1将粘贴于粘接带2的半导体片4推起,将粘接带2和半导体片4抬起而使半导体片4的端部从粘接带2剥离的状态的剖视图。由于被针1的上表面平坦部和半导体片4的底面夹着的部分的粘接带2被从上下方向夹着,因此即使推起也不会剥离,但针1的切除部10的部分使粘接带2被向下拉,从半导体片4以与切除部10的尺寸Wz等同的Wt1、Wt2发生剥离。
图11是从下方观察在图10中从半导体片4剥离粘接带2后的状态的图,是从z轴的负方向观察的图。剥离的部分13发生在四角,就其大小而言,x方向为Wa1、Wa2、Wc1、Wc2,y方向为Wd1、Wd2、Wb1、Wd2。Wa1、Wb1、Wc1、Wd1符合图10的Wt1,Wa2、Wb2、Wc2、Wd2符合图10的Wt2。由于Wt1、Wt2与切除部10的Wz为等同的大小,因此在四角会产生等同大小的剥离部13。
但是,在使用1根以往的半导体制造装置所使用的以往的顶端尖锐的针11而进行推起的情况下,无法在四角得到等同大小的剥离部。
图12是通过以往的半导体制造装置的以往的针11,为了将粘贴于粘接带2的半导体片4推起而向上方移动,与粘接带2接触时的剖视图。虽然是从y轴的正方向观察的图,但从x轴的正方向观察的图也是同样的。仅以往的针11的顶端部分隔着粘接带2与半导体片4接触。
图13是以往的半导体制造装置的以往的针11将粘贴于粘接带2的半导体片4推起时的剖视图。由于以往的针11与半导体片4的底面的接触点为1个点,因此例如由于在半导体片4的底面处附着的异物、粘接带2的粘接材料的不均匀,所以半导体片4与粘接带2的粘接面的粘接力不均匀,就粘接带2从半导体片4的剥离而言,粘接力弱的地方容易剥离,因此剥离得不均匀,Wn1与Wn2产生差异。
图14是从下方观察在图13中从半导体片4剥离粘接带2后的状态的剖视图,是从z轴的负方向观察的图。就粘接带2的剥离部13从半导体片4的剥离量而言,x方向为Wp1、Wp2、Wr1、Wr2,y方向为Ws1、Ws2、Wq1、Wq2。在图13中,将Wp1、Wq1、Wr1、Ws1统一记作Wn1,将Wp2、Wq2、Wr2、Ws2统一记作Wn2。由于Wn1、Wn2产生差异,因此半导体片4的向粘接带2的粘接状态根据各个半导体片4或粘接带2而产生差异,变得不均匀,因此会产生半导体片4的位置偏移等。
另一方面,在本发明的实施方式1的半导体制造装置涉及的拾取装置100中,在通过夹头5拾取半导体片4时,在半导体片4与粘接带2的粘接状态下,从粘接带2均等地剥离半导体片4的四角,半导体片4不会产生位置偏移,另外,半导体片4与粘接带2的粘接状态也是恒定的,能够稳定地进行拾取。通过使用实施方式1的半导体装置涉及的拾取装置100的针1而进行推起,从而在半导体片3的四角从粘接带2产生均等的剥离,不会产生位置偏移,能够稳定地进行拾取。
接下来,在工序S4中,通过拾取装置100拾取的半导体片4被装配安装于电路基板等。安装有高频器件的电路基板例如构成基站用高频模块、功率放大器模块。
接下来,对本实施方式1的半导体制造装置涉及的拾取装置100的针的第1变形例即针1a进行说明。图15是放大表示针1a的顶端部分的斜视图,与虚线相比更靠下端侧之处则省略示出。
就针1a而言,相对于半导体片4的宽度A1和纵深A2,隔着粘接带2与半导体片4接触的上表面为等同大小的长方体形状,呈平坦的形状,具有将其四角在z轴方向切除而成的切除部10a。此外,切除四角而成的切除部10a是指四角的形状为凹状的凹部,并不限于实际切除而形成,例如,也可以由铸模形成。
就第1变更例的针1a而言,由于切除部10a连续至针1a的下部,因此具有制造容易,制造材料少这样的效果。就第1变更例而言,在拾取装置100中,将针1a用于半导体片4的推起,除此之外是相同的。
接下来,对本实施方式1的半导体制造装置涉及的拾取装置100的针的第2变形例即针1b进行说明。图16是放大表示本实施方式1的半导体制造装置涉及的拾取装置100的针1b的顶端部分的斜视图,与虚线相比更靠下端侧之处则省略示出。通过将细的针组件14以长度方向朝向z轴方向地平行排列构成的集合体而构成与第1变形例的针1a相同的形体。如果进一步详细地说明,则通过将多根细的针组件14的顶端部分以相同的高度排列于x-y平面而形成平坦的上表面部分,在四角部分不配置细的针组件14,由此构成了形状为凹状的凹部的切除部10b。上部的虚线示出通过将细的针组件14集合起来而形成的与第1变形例1的针1a相同的形体,即平坦的上表面部分。
第2变更例的针1b仅通过配置制造容易并且价格廉价的细的针组件14就能够制作,具有容易且廉价地获得这样的效果。就第2变更例而言,在拾取装置100中,将针1b用于半导体片4的推起,除此之外是相同的。
如上所述,本实施方式1的半导体制造装置具有分别在上表面存在平坦部、在四角存在形状为凹状的凹部的针1、1a、1b的任意者,能够稳定地从粘接带2使半导体片4剥离,能够稳定地进行拾取。
另外,执行使用本实施方式1的半导体制造装置涉及的拾取装置100,通过本实施方式1的半导体装置的制造方法进行拾取的工序S3,由此能够均等地从粘接带2使半导体片4剥离,不会产生半导体片4的位置偏移,得到能够稳定地进行拾取这样的效果。
实施方式2.
对本发明的实施方式2的半导体制造装置涉及的拾取装置200的结构进行说明。本发明的实施方式2与本发明的实施方式1在如下方面不同,即,在拾取工作台8的下部设置检测机构,该检测机构对由针推起了半导体片时的半导体片从粘接带2的剥离状态进行检测,通过检测机构对四角的剥离部分的剥离状态进行检测而对针的推起进行控制,除此之外是相同的。
图17是拾取装置200的斜视图,其中,该拾取装置200示出本实施方式的结构的一个例子。在图17中,标注与图1相同的标号的结构示出相同或对应的结构,省略其说明。在拾取工作台8的下部设置有2台下部拍摄照相机31,该下部拍摄照相机31作为由针1推起了半导体片4时的半导体片4从粘接带2的剥离状态的检测机构进行动作。构成为由下部拍摄照相机31各自拍摄四角的剥离部分13中的2个,从而能够通过2台下部拍摄照相机31对四角的剥离部分13进行拍摄。此外,也可以设置4台下部拍摄照相机31,分别分担地对半导体片4的剥离部13各自进行拍摄。
图18是表示本发明的实施方式2涉及的拾取装置200的结构的框图。在图18中,标注与图2相同的标号的结构示出相同或对应的结构,省略其说明。在拾取工作台8的下部设置对由针1推起了半导体片4时的半导体片4从粘接带2的剥离状态进行拍摄的下部拍摄照相机31,设置有根据下部拍摄照相机31的影像对粘接面的状态进行检测的粘接面状态检测器25。
接下来,包含本发明的实施方式2的半导体制造装置涉及的拾取装置200的动作在内,对半导体装置的制造方法进行说明。这里,半导体装置与实施方式1相同,例如是高频器件、光器件、功率模块等半导体器件及半导体模块,但不限于此,只要是使用了半导体的装置即可。下面,作为半导体装置,以高频器件为例进行说明。
除了一部分之外,半导体装置的制造方法与实施方式1的图8的流程图相同。其中,由于工序S3的详细的工序与实施方式1存在区别,因此将其称为工序S3a而进行说明。
图19是拾取的工序S3a中的半导体制造装置涉及的拾取装置200的动作的流程图。在步骤S11中,由上部拍摄照相机6对半导体片4进行拍摄,由定位检测部22进行与元件的配置相关的位置信息的检测,将位置信息发送至控制部24。接下来,在步骤S12中,从控制部24将指示发送至工作台驱动部21而使拾取工作台8移动至拾取位置,并且将指示发送至推起驱动部23。在步骤S13中,开始半导体片4的推起。在步骤S14中,从拾取工作台8的下部通过下部拍摄照相机31对半导体片4从粘接带2的剥离状态进行拍摄,对半导体片4的剥离状态进行检测。由于下部拍摄照相机31在半导体片4被推起时被针1遮挡而看不到与下部拍摄照相机31相对侧的剥离状态,因此在隔着针1相对的位置各自设置1台。通过来自下部拍摄照相机31的信息,通过粘接面状态检测部25对剥离状态进行判定而对半导体片的剥离状态进行检测。在步骤S15中,与成为是否为能够拾取的剥离状态的指标的参数进行对照,由控制部24对剥离状态是否满足条件进行判断,在满足条件的情况下进入步骤S16的半导体片4的拾取。在步骤S15中,在剥离状态不满足条件的情况下进入步骤S18,进行推起量的追加,进一步进行推起。接下来,在步骤S19中,对剥离量是否不足进行判断,在剥离量充分的情况下进入步骤S16的半导体片4的拾取,在剥离量不足的情况下进入步骤S20,对剥离量是否落在设定的范围外进行判定。如果剥离量落在设定范围内,则进一步进行推起量的追加,如果落在设定范围外,则进入步骤S21,视为错误将该半导体片4的拾取中断,使工作台移动而用于拾取下一个半导体片。在全部半导体片4结束后,结束拾取的工序S3a。
接下来,说明图19中的对半导体片剥离状态进行检测的步骤S14、对剥离状态是否满足条件进行判断的步骤S15。通过下部拍摄照相机31隔着粘接带2对半导体片4的底面的图像进行拍摄。半导体片4从粘接带2剥离的部分与粘接的部分相比亮度低而成为模糊的影像。对该亮度低的部分进行检测而作为剥离部分进行识别。如果在四角产生了剥离、剥离部分的面积之和满足成为能够剥离的指标的参数这两者均被满足,则在步骤S15中对剥离状态是否满足条件进行判断,作出Yes的判定。
另外,说明图19中的进行剥离量是否不足的判定的步骤S19、进行剥离量是否落在设定范围外的判定的步骤S20。
在对剥离状态是否满足条件进行判定的步骤S15中成为No的情况下,进一步追加针1的推起,通过下部拍摄照相机31进行拍摄而与步骤S14同样地对剥离部分的面积进行测量。在对剥离量是否不足进行判定的步骤S19中,如果剥离部分的面积之和满足成为是否是能够拾取的剥离状态的指标的、设定好的参数,则成为No判定而进入步骤S16的拾取。在剥离部分的面积之和不满足参数的情况下,进入下一个步骤20,对剥离量是否落在设定范围外进行判定。如果剥离部分的面积之和落在某一定范围内,则如果进一步追加一定的推起,则满足参数的可能性高,但如果落在某一定范围外,则即使追加推起,剥离部分的面积也不会满足条件。在步骤S20中对剥离量是否落在一定范围内进行判断,在处于范围外的情况下,判断为无法进行该半导体片4的正常的拾取,为了转移至下一个半导体片4的拾取工序而使工作台移动。
如上所述通过下部拍摄照相机31对半导体片4的剥离状态进行拍摄,通过粘接面状态检测部25对剥离部分的面积进行检测,通过控制部24进行拾取装置200的控制,进行半导体片4的拾取。
接下来,针对实施方式2的半导体制造装置涉及的拾取装置200的检测机构的第1变形例,对使用了光反射板传感器的情况进行说明。图20示出在本实施方式2的半导体装置涉及的拾取装置200中,作为检测机构使用了光反射板传感器的结构,是本实施方式的第1变形例的框图。在图20中,标注与图18相同的标号的结构示出相同或对应的结构,省略其说明。在本发明的实施方式2中,取代下部拍摄照相机31和粘接面状态检测部25,为了对半导体片4从粘接带2的剥离状态进行检测,在拾取工作台8的下部设置有光反射板传感器31a、对来自光反射板传感器31a的发送进行接收而对粘接面状态进行检测的粘接面状态检测部25a,除此之外是相同的。
光反射板传感器31a将光照射至半导体片4的底面,对其反射光进行检测。此外,光不限于可见光,只要能够检测半导体片4的剥离状态即可,也可以使用例如红外线。在图20中,光反射板传感器31a设置于2处,但由于需要对半导体片4的四角的反射光进行检测,因此光反射板传感器31a为具有如下功能的机构,即,将光照射至四角,对来自4处的反射光进行检测。
根据从光反射板传感器31a发送来的反射光的信息,通过粘接面状态检测部25a对半导体片4从粘接带2的剥离状态进行检测,发送至控制部24,由此对拾取装置200的动作进行控制,进行拾取作业。除了上述光反射板传感器31a和粘接面状态检测部25a的动作之外,拾取装置200的动作是相同的。
接下来,针对实施方式2的半导体制造装置涉及的拾取装置200的检测机构的第2变形例,对使用了空气传播振动检测传感器的情况进行说明。图21示出在本实施方式2的半导体装置涉及的拾取装置200中,作为检测机构使用了空气传播振动检测传感器的结构,是本实施方式2的变形例的框图。在图21中,标注与图18相同的标号的结构示出相同或对应的结构,省略其说明。在本发明的实施方式2中,取代下部拍摄照相机31和粘接面状态检测部25,为了对半导体片4从粘接带2的剥离状态进行检测,在拾取工作台8的下部在与粘接带2接近的位置设置有空气传播振动检测传感器31b,设置有对来自空气传播振动检测传感器31b的发送进行接收而对粘接面状态进行检测的粘接面状态检测部25b,除此之外是相同的。
空气传播振动检测传感器31b对在半导体片4通过针1的推起从粘接带2剥离时产生的空气传播振动进行检测。作为空气传播振动,例如为由声音引起的振动,但不限于此,只要是对经由空气传播来的振动进行检测即可。
根据从空气传播振动检测传感器31b发送来的空气传播振动的信息,通过粘接面状态检测部25b对半导体片4从粘接带2的剥离状态进行检测,发送至控制部24,由此对拾取装置200的动作进行控制,进行拾取作业。除了上述空气传播振动检测传感器31b和粘接面状态检测部25b的动作之外,拾取装置200的动作是相同的。
接下来,针对实施方式2的半导体制造装置涉及的拾取装置200的检测机构的第3变形例,对使用了压电元件的情况进行说明。图22示出在本实施方式2的半导体装置涉及的拾取装置200中,作为检测机构使用了压电元件的结构,是本实施方式的第3变形例的框图。在图22中,标注与图18相同的标号的结构示出相同或对应的结构,省略其说明。在本发明的实施方式2中,取代下部拍摄照相机31和粘接面状态检测部25,为了对半导体片4从粘接带2的剥离状态进行检测,对经由针1传播来的弹性波进行检测的压电元件31c被安装于例如针1。进一步设置有对来自压电元件31c的发送进行接收而对粘接面状态进行检测的粘接面状态检测部25c,除此之外是相同的。在图22中,对将压电元件31c设置于针1的情况进行了说明,但只要是拾取工作台8或环状保持件3等能够对在从粘接带2剥离了半导体片4时产生的弹性波进行检测的位置,则不限于此。
压电元件31c对在半导体片4通过针1的推起从粘接带2剥离时产生的弹性波进行检测。
根据从压电元件31c发送来的弹性波的振动的信息,通过粘接面状态检测部25c对半导体片4从粘接带2的剥离状态进行检测,发送至控制部24,由此对拾取装置200的动作进行控制,进行拾取作业。除了压电元件31c和粘接面状态检测部25c的动作之外,拾取装置200的动作是相同的。
实施方式3.
对本发明的实施方式3的半导体制造装置涉及的拾取装置300的结构进行说明。本发明的实施方式3与本发明的实施方式1在如下方面不同,即,并存有尺寸不同的半导体片,在设置于拾取工作台8的下部的针工作台9a设置有与半导体片接触的上表面的尺寸不同的多个针,除此之外是相同的。能够得到即使并存有尺寸不同的半导体片,也能够稳定地进行半导体片的拾取这样的效果。
图23是本实施方式3的半导体制造装置涉及的拾取装置300的斜视图。标注与图1相同的标号的结构示出相同或与其对应的结构,省略其说明。在拾取工作台8组装有将尺寸彼此不同的半导体片4a、4b、4c粘贴于粘接带2后设置于环状保持件3的构造物。下面,将尺寸彼此不同的半导体片4a、4b、4c统称为半导体片4z。在设置于拾取工作台8的下部的针工作台9a中配置有多个针1a、1b、1c,该多个针1a、1b、1c的与半导体片4z接触的上表面具有与尺寸彼此不同的半导体片4z各自对应的大小。下面,将多个针1a、1b、1c统称为针1z。构成为能够基于由上部拍摄照相机6拍摄的图像数据,通过具有与半导体片4z的每一者的尺寸对应的上表面尺寸的针1z进行推起。此外,由于与半导体片4z的每一者的尺寸对应地配置由上表面尺寸不同的多个针构成的针1z,因此当然对针的根数没有限制。
图24是表示本发明的实施方式3涉及的拾取装置300的结构的框图。在图24中,标注与图2相同的标号的结构示出相同或对应的结构,省略其说明。拾取装置300具有:定位尺寸检测部22a,其对来自上部拍摄照相机6的信号进行接收;针1z,其具有与半导体片4z的尺寸对应的尺寸的上表面;针工作台9a,在该针工作台9a设置针1z,该针工作台9a进行推起;以及推起驱动部23a,其将推起何种尺寸的针1z的指令发送至针工作台9a。
接下来,包含本发明的实施方式3的半导体制造装置涉及的拾取装置300的动作在内,对半导体装置的制造方法进行说明。这里,半导体装置与实施方式1相同,例如是高频器件、光器件、功率模块等半导体器件及半导体模块,但不限于此,只要是使用了半导体的装置即可。下面,作为半导体装置,以高频器件为例进行说明。
除了一部分之外,半导体装置的制造方法与实施方式1的图8的流程图相同。其中,由于工序S3的详细的工序与实施方式1存在区别,因此将其称为工序S3b而进行说明。
在工序S3b中,将通过在拾取工作台8的上部配置的上部拍摄照相机6拍摄的图像信息发送至定位尺寸检测部22a,对半导体片4的尺寸、与配置相关的位置信息进行检测,发送至控制部24。从控制部24将半导体片4的位置信息发送至工作台驱动部21,使拾取工作台8移动至用于拾取半导体片4的位置。同时,控制部24将半导体片4的尺寸信息发送至推起驱动部23a,推起驱动部23a将指令发送至针工作台9a,以对与半导体片4的尺寸对应的针进行选择而进行推起。从针工作台9a,仅使与半导体片4z的尺寸对应的针1z进行推起。针隔着粘接带2推起半导体片4z,使半导体片3的四角从粘接带2剥离。与此同时,夹头5从上方对半导体片4z进行吸附,向z方向移动,进行拾取。
如上所述,即使在粘接带之上混合地粘贴有尺寸不同的半导体片的情况下,通过使具有与半导体片4的尺寸相匹配的尺寸的上表面的针推起,从而半导体片4从粘接带2的剥离也不会过大,能够在四角产生剥离部分。由此,能够从粘接带2使半导体片4的剥离均等地产生,不会产生半导体片4的位置偏移,能够稳定地进行拾取。
Claims (9)
1.一种半导体制造装置,其具有:
保持件,其对粘贴有半导体片的粘接带进行保持;
拾取工作台,其载置所述保持件;
工作台驱动部,其对所述拾取工作台的移动进行控制;
上部拍摄照相机,其设置于所述拾取工作台的上方,对所述半导体片的位置进行拍摄;
定位检测部,其根据所述上部拍摄照相机的拍摄信息对所述半导体片的位置信息进行检测;
夹头,其拾取所述半导体片;
夹头驱动部,其对所述夹头进行控制;
针,其配置于所述拾取工作台的下方,该针具有宽度与半导体片等同的、四角的形状为凹状的平坦上表面,为了拾取所述半导体片,该针进行保持件的推起;
针工作台,其对所述针进行支撑;
推起驱动部,其对所述针工作台进行驱动;以及
控制部,其基于来自所述定位检测部的所述位置信息对所述工作台驱动部发出进行工作台的移动的指示,并且对所述推起驱动部指示所述半导体片的推起,进而对所述夹头驱动部进行指示,以使得从上方对通过所述针推起的所述半导体片进行吸附。
2.根据权利要求1所述的半导体制造装置,其特征在于,
还具有:
检测机构,其对所述粘接带的从所述半导体片的四角的剥离状态进行检测;以及
粘接面状态检测部,其根据来自所述检测机构的信息,对所述粘接带的从所述半导体片的剥离状态是否适于拾取进行判断,
所述控制部根据来自粘接面状态检测部的信息而发出进行推起的指示,以使得所述粘接带的从所述半导体片的剥离状态成为适于拾取的条件。
3.根据权利要求2所述的半导体制造装置,其特征在于,
所述检测机构是由图像的拍摄照相机构成的。
4.根据权利要求2所述的半导体制造装置,其特征在于,
所述检测机构是由光反射板传感器构成的。
5.根据权利要求2所述的半导体制造装置,其特征在于,
所述检测机构是由空气传播振动检测传感器构成的。
6.根据权利要求2所述的半导体制造装置,其特征在于,
所述检测机构是由压电元件构成的。
7.根据权利要求1所述的半导体制造装置,其特征在于,
与尺寸不同的半导体片的每一者的尺寸对应地具有多个所述针,
所述控制部与半导体片的尺寸相匹配地对所对应的所述针进行选择。
8.一种半导体装置的制造方法,其具有以下工序:
在拾取工作台载置对粘贴有被切割后的半导体片的粘接带进行保持的保持件;
通过具有四角的形状为凹状凹部的平坦上表面的针隔着所述粘接带将所述半导体片推起;以及
通过夹头从上方对所述半导体片进行吸附而拾取。
9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法,其中,
还具有以下工序:通过检测机构对已由所述针推起时的粘贴于所述粘接带的半导体片的四角的剥离状态进行检测,通过粘接面状态检测部对剥离状态是否适于拾取进行判断。
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