CN111916477A - 显示装置及显示装置制造方法 - Google Patents

显示装置及显示装置制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111916477A
CN111916477A CN202010372130.3A CN202010372130A CN111916477A CN 111916477 A CN111916477 A CN 111916477A CN 202010372130 A CN202010372130 A CN 202010372130A CN 111916477 A CN111916477 A CN 111916477A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
display device
module
layer
module hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010372130.3A
Other languages
English (en)
Inventor
崔允祯
金相烈
鲁硕原
金亨植
吴守贤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020190123805A external-priority patent/KR102650598B1/ko
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN111916477A publication Critical patent/CN111916477A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80521—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

公开一种显示装置及显示装置制造方法。根据一实施例的显示装置可以包括：基底基板；电路层；发光元件层；封装层；以及模块孔。所述发光元件层可以包括第一电极、发光层以及第二电极。由于所述第二电极包括：第一部分，与所述模块孔不重叠且具有第一厚度；以及第二部分，布置在所述模块孔和所述第一部分之间，并且厚度随着从所述模块孔趋向所述第一部分而增加，因此，可以提高显示装置在高温潮湿环境下的耐久性。

Description

显示装置及显示装置制造方法
技术领域
本发明涉及显示装置和显示装置的制造方法，更加详细地，涉及提高了耐久性的显示装置及其制造方法。
背景技术
近来，为了在显示装置中收纳相机等电子模块，正在活跃进行形成贯通显示模块的显示区域的孔的技术。但是，在通过物理方法形成孔的情形下，会发生如下的问题：在由金属构成的电极产生颗粒而损伤周围区域，或者电极翘起而容易由于热或者湿气而受损。
发明内容
本发明的一目的在于提供提高了耐久性的显示装置。
本发明的一目的在于提供提高了耐久性的显示装置的制造方法。
根据一实施例的显示装置可以包括显示区域以及模块孔区域。所述模块孔区域可以被定义在所述显示区域。所述显示装置可以包括基底基板、电路层、发光元件层、封装层以及模块孔。所述电路层可以布置在所述基底基板上。所述发光元件层可以布置在所述电路层上。所述发光元件层可以包括第一电极、布置在所述第一电极上的第二电极以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层。所述封装层可以布置在所述发光元件层上。所述模块孔可以与所述模块孔区域重叠，并且贯通所述基底基板、所述电路层以及所述发光元件层而被定义。所述模块孔可以收纳电子模块。所述第二电极可以包括第一部分和第二部分。所述第一部分可以与所述模块孔不重叠且具有第一厚度。所述第二部分可以布置在所述模块孔和所述第一部分之间。所述第二部分的厚度可以随着从所述模块孔趋向所述第一部分而增加。
所述第二电极可以包括Ag(银)和Mg(镁)。
在所述第二部分，所述Ag和所述Mg可以具有非晶结构以及多晶结构。在所述第一部分，所述Ag和所述Mg可以具有多晶结构。
在所述第二部分，越是靠近所述电路层的部分越可以具有宽的宽度。
在所述第一部分，所述Ag和所述Mg的摩尔比可以为95:5至85:15。
所述第二电极还可以包括Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo以及Ti中的至少一个。所述第二电极可以是半透射电极。
所述电子模块可以是相机模块或者红外线感测模块。
根据一实施例的显示装置可以包括显示区域以及模块孔区域。所述模块孔区域可以被定义在所述显示区域。所述显示装置可以包括基底基板、电路层、发光元件层以及模块孔。所述电路层可以布置在所述基底基板上。所述发光元件层可以布置在所述电路层上。所述发光元件层可以包括第一电极、布置在所述第一电极上的第二电极以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层。所述模块孔可以与所述模块孔区域重叠。所述模块孔可以通过贯通所述基底基板、所述电路层以及所述发光元件层而被定义。
所述第二电极可以包括Ag和Mg。所述第二电极可以包括第一部分和第二部分。所述第一部分可以与所述模块孔不重叠。所述第二部分可以布置在所述模块孔和所述第一部分之间。在所述第一部分，所述Ag和所述Mg可以具有多晶结构。在所述第二部分，所述Ag和所述Mg可以具有非晶结构以及多晶结构。
所述第一部分可以具有均匀的厚度。所述第二部分的厚度可以随着从所述模块孔趋向所述第一部分而增加。
以整个所述第一部分为基准的所述第一部分的Ag的摩尔比可以与以整个所述第二部分为基准的所述第二部分的Ag的摩尔比不同。
根据本发明的一实施例的显示装置制造方法可以包括如下步骤：提供基底基板；形成电路层和发光元件层；形成电极孔；以及形成模块孔。提供所述基底基板的步骤可以是提供包括预备模块孔区域和与所述预备模块孔区域相邻的显示区域的基底基板的步骤。形成所述电路层和所述发光元件层的步骤可以是形成布置在所述基底基板上的电路层以及布置在所述电路层上且包括被依次层叠的第一电极、发光层以及第二电极的发光元件层的步骤。形成所述电极孔的步骤可以是电解所述第二电极而形成与所述预备模块孔区域重叠的电极孔的步骤。形成所述模块孔的步骤可以是形成贯通所述基底基板、所述电路层以及所述发光元件层的模块孔的步骤。
形成所述电极孔的步骤可以包括利用电解装置电解所述第二电极的步骤。所述电解装置可以包括：探针；电源供应部、第一连接部以及第二连接部。所述探针可以包括固体电解质部和还原部。所述电源供应部可以包括阴极和阳极。所述第一连接部可以连接所述阴极和所述探针。所述第二连接部可以连接所述阳极和所述第二电极。
形成所述电极孔的步骤可以包括如下步骤：使所述固体电解质部接触到与所述预备模块孔区域重叠的所述第二电极的一区域；将所述阳极与所述第二电极电连接；以及从所述电源供应部向第二电极施加电流。
所述第二电极包括Ag和Mg，所述Ag和所述Mg的摩尔比可以为95:5至85:15。
定义所述电极孔的步骤还可以包括将所述固体电解质部加热的步骤。将所述固体电解质部加热的步骤可以是将所述固体电解质部加热到100℃至200℃的步骤。
所述固体电解质部可以包括包含Ag的固体电解质。
形成所述模块孔的步骤可以包括对与所述预备孔区域重叠的区域进行激光蚀刻的步骤。
所述固体电解质部可以具有圆柱形状或者锥台形状。
根据本发明的一实施例的显示装置可以具有被提高的耐久性。
根据本发明的一实施例的显示装置制造方法，可以制造出具有被提高的耐久性的显示装置。
附图说明
图1是根据一实施例的显示装置的立体图。
图2是根据一实施例的显示装置的分解立体图。
图3a和图3b是根据一实施例的显示模块的剖面图。
图4是沿图2的I-I'线截取的显示面板的剖面图。
图5是放大示出图4的BB区域的放大图。
图6是关于根据一实施例的显示装置制造方法的顺序图。
图7是关于利用电解装置电解第二电极的步骤的顺序图。
图8a至图8h是示出根据一实施例的显示装置制造方法的各步骤的图。
图9a至图9e是示出根据一实施例的显示装置制造方法的各步骤的图。
图10是关于根据一实施例的利用电解装置电解第二电极的步骤的顺序图。
图11是示出加热固体电解质部的步骤的图。
图12a和图12b是示出根据一实施例的探针的图。
符号说明
DD：显示装置 EL2：第二电极
EL2-1：第一部分 EL2-2：第二部分
ELD：电解装置 PV：探针
ET：固体电解质部 CM：还原部
具体实施方式
在本说明书中，当被提及为某构成要素(或者区域、层、部分等)位于另一构成要素“之上”、与另一构成要素“连接”或者与另一构成要素“结合”时，其表示可以直接布置/连接/结合于另一构成要素上，或者在它们之间还可以布置有第三构成要素。
相同的附图标记指代相同的构成要素。并且，为了针对技术内容进行有效的说明，在附图中，构成要素的厚度、比率以及尺寸被夸大示出。
当提及为“和/或”时，表示将相关构成可以定义的一个以上的组合全部都包括。
第一、第二等术语可以用于说明多种构成要素，但所述构成要素不应被所述术语定义。所述术语仅用于将一个构成要素与另一构成要素进行区分的目的。例如，在不脱离本发明的权利范围的情况下，第一构成要素可以被命名为第二构成要素，相似地，第二构成要素也可以被命名为第一构成要素。单数的表述只要在语境中没有明确表示出不同含义，便包括复数的表述。
并且，“下方”、“下侧”、“上方”、“上侧”等术语用于说明附图中示出的构成之间的相关关系。所述术语作为相对的概念，以附图中表示的方向为基准而被说明。
只要没有被定义为不同，本说明书中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属技术领域的技术人员通常所理解的术语相同的含义。并且，诸如在通常使用的词典中被定义的术语之类的术语应当被解释为具有与在相关技术的境遇中的含义一致的含义，并且只要没有被解释为理想的或者过度地形式性的含义，则被解释为本说明书中明示性地被定义的含义。
“包括”或者“具有”等术语应当被理解为旨在指定说明书上所记载的特征、数字、步骤、操作、构成要素、部件或者其组合的存在，而不是预先排除一个或者其以上的其他特征或者数字、步骤、操作、构成要素、部件或者其组合的存在或者附加的可能性。
以下，参照附图说明本发明的实施例。
图1是根据一实施例的显示装置DD的立体图。图2是根据一实施例的显示装置DD的分解立体图。图3a和图3b是根据一实施例的显示模块的剖面图。
如图1所示，显示装置DD可以在前面显示图像IM。前面可以被定义为平行于由第一方向DR1和第二方向DR2定义的面。前面包括透射区域TA以及与透射区域TA相邻的边框区域BZA。
在显示装置DD的透射区域TA可以显示有图像IM。作为图像IM的一例，图1中示出了网络搜索窗口。透射区域TA可以具有与第一方向DR1和第二方向DR2分别平行的四边形形状。然而，其仅为示例性地示出的情形，透射区域TA可以具有多种形状，并不限于任意一个实施例。
边框区域BZA与透射区域TA相邻。边框区域BZA可以围绕透射区域TA。然而，其仅为示例性地示出的情形，边框区域BZA可以仅与透射区域TA的一侧相邻而布置，也可以被省略。
显示装置DD可以包括多种实施例。例如，显示装置DD可以包括平板电脑、笔记本电脑、计算机、智能电视等。在一实施例中，将智能电话作为示例而示出了显示装置DD。
法线方向可以与显示装置DD的厚度方向DR3(以下，称作第三方向)对应。本实施例中以图像IM显示的方向为基准而定义各部件的上面(或者前面)和下面(或者背面)。上面和下面在第三方向DR3上彼此对向。
此外，第一方向至第三方向DR1、DR2、DR3指代的方向作为相对性的概念，可以变换成其他方向。以下，第一方向至第三方向指代第一方向至第三方向DR1、DR2、DR3分别所指的方向，将参照相同的附图标记。
此外，根据本发明的显示装置DD可以感测从外部施加的用户的输入TC。用户的输入TC包括用户身体的一部分、光、热或者压力等多种形态的外部输入。在本实施例中，以施加到前面的用户的手示出了用户的输入TC。然而，其仅为示例性地示出的情形，如上所述，可以以多种形态提供用户的输入TC，并且，显示装置DD还可以根据显示装置DD的结构而感测施加到显示装置DD的侧面或者背面的用户的输入TC，并且不限于任意一个实施例。
如图1和图2所示，显示装置DD可以包括显示模块DM、窗口WM、电子模块EM以及收纳部件BM。
显示模块DM可以显示图像IM并感测外部输入TC。例如，显示模块DM可以包括显示面板DP、DP1以及感测外部输入的输入感测单元ISU(图3a、图3b)。
参照图2，显示模块DM可以包括能够在平面上进行划分的显示区域DA、非显示区域NDA以及模块孔区域HA。
在一实施例，显示区域DA为显示图像IM的区域，同时也可以是感测外部输入TC的区域。然而，其仅为示例性地示出的情形，在显示区域DA内，显示图像IM的区域和感测外部输入TC的区域也可以彼此分离。
非显示区域NDA可以是被边框区域BZA覆盖的区域。非显示区域NDA与显示区域DA相邻。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。在非显示区域NDA可以布置有用于驱动显示区域DA的驱动电路或者驱动布线等。
在本实施例中，显示模块DM被组装成显示区域DA和非显示区域NDA朝向窗口WM的平坦的状态。然而，其仅为示例性地示出的情形，在显示模块DM中，非显示区域NDA的一部分可以被弯曲。此时，非显示区域NDA中的一部分会朝向显示装置DD的背面，从而可以在显示装置DD的前面减小边框区域BZA。或者，显示模块DM还可以被组装成显示区域DA的一部分也被弯曲的状态。或者，在根据本发明的一实施例的显示模块DM中，非显示区域NDA也可以被省略。
模块孔区域HA的边缘可以被显示区域DA围绕。在平面上，模块孔区域HA可以在中间隔着显示区域DA而与非显示区域NDA相隔。
模块孔区域HA可以是定义有模块孔MH的区域。据此，模块孔MH可以在平面上被显示图像IM的显示区域DA围绕。关于模块孔MH的详细内容将后述。
窗口WM可以布置在显示模块DM的前面而保护显示模块DM。例如，窗口WM可以包括玻璃基板、蓝宝石基板或者塑料膜。窗口WM可以是刚性基板或者柔性基板。
窗口WM可以被划分为透射区域TA和边框区域BZA。透射区域TA可以是使入射的光透射的区域。透射区域TA可以具有与显示区域DA对应的形状。例如，透射区域TA可以与显示区域DA的前面或者至少一部分重叠。在显示模块DM的显示区域DA显示的图像IM可以通过透射区域TA而从外部可见。
边框区域BZA可以是透光率低于透射区域TA的透光率的区域。边框区域BZA定义透射区域TA的形状。边框区域BZA可以与透射区域TA相邻并且围绕透射区域TA。
边框区域BZA可以具有预定颜色。边框区域BZA可以覆盖显示模块DM的非显示区域NDA而阻断非显示区域NDA从外部可见。此外，其为示例性地示出的情形，在根据本发明的一实施例的窗口WM，边框区域BZA也可以被省略。
收纳部件BM可以与窗口WM结合。收纳部件BM提供显示装置DD的背面。收纳部件BM可以与窗口WM结合而定义内部空间。
收纳部件BM可以稳定地保护收纳在内部空间的显示装置DD的构成免受外部冲击的影响。在收纳部件BM提供的内部空间中可以收纳有显示模块DM和电子模块EM等。
参照图3a，显示模块DM可以包括显示面板DP和输入感测单元ISU。显示面板DP包括基底基板BSS、电路层CL、发光元件层LDL以及薄膜封装层TFE。
显示面板DP并不被特别限定，例如可以为发光型显示面板。显示面板DP可以是有机发光显示面板或者量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层包括有机发光物质。量子点发光显示面板的发光层包括量子点或者量子棒。以下，显示面板DP被说明为有机发光显示面板。
基底基板BSS可以包括塑料基板、玻璃基板或者有机/无机复合材料基板等。
电路层CL可以包括多个绝缘层、多个导电层和半导体层。电路层CL的多个导电层可以构成信号布线或者像素的控制电路。
发光元件层LDL包括显示元件，例如，有机发光二极管。然而，并不限于此，根据显示面板DP的种类，发光元件层LDL可以包括无机发光二极管或者有机-无机混合发光二极管。
薄膜封装层TFE密封发光元件层LDL。薄膜封装层TFE包括至少一个绝缘层。根据本发明的一实施例的薄膜封装层TFE可以包括至少一个封装有机膜和至少一个封装无机膜。例如，薄膜封装层TFE可以具有依次层叠第一封装无机膜、封装有机膜以及第二封装无机膜的结构。
封装无机膜保护发光元件层LDL免受水分/氧气的影响，封装有机膜保护发光元件层LDL免受诸如灰尘粒子等异物的影响。封装无机膜可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层等，然而并不特别局限于此。封装有机膜可以包括丙烯酸系列有机膜，但并不特别局限于此。
输入感测单元ISU可以通过连续工序直接形成在薄膜封装层TFE上。然而，实施例并不限于此，输入感测单元ISU可以通过粘结部件而与薄膜封装层TFE结合。在此情形下，输入感测单元ISU可以包括基底层和感测电路层。感测电路层可以包括多个绝缘层和多个导电层。参照图3b，显示模块DM1可以包括显示面板DP1和输入感测单元ISU。相比于图3a所示的显示模块DM，图3b所示的显示模块DM1仅在封装基板ECL的构成上不同，其他构成可以实质相同。因此，接下来以封装基板ECL为中心进行说明。
封装基板ECL密封发光元件层LDL。封装基板ECL可以包括玻璃。封装基板ECL可以具有刚性(rigid)的性质。封装基板ECL可以保护发光元件层LDL免受水分、氧气以及灰尘粒子等异物的影响。封装基板ECL可以通过密封部件SLP而与基底层结合。密封部件SLP可以包括熔块(frit)。然而，其仅为示例性的，构成密封部件SLP的物质并不限于此。
在封装基板ECL上也可以布置有输入感测单元ISU。图3b对封装基板ECL被包括在显示面板DP1的构成进行了说明，但封装基板ECL也可以被定义为包括在输入感测单元ISU的构成。
虽然图3b示出了在封装基板ECL上通过连续工序直接形成输入感测单元ISU的情形，但实施例并不限于此。例如，在输入感测单元ISU和封装基板ECL之间可以提供有粘结部件(未示出)，输入感测单元ISU和封装基板ECL可以通过粘结部件而结合。此外，粘结部件可以是诸如光学透明粘结膜(OCA：Optically Clear Adhesive film)、光学透明粘结树脂(OCR：Optically Clear Resin)或者减压粘结膜(PSA：Pressure Sensitive Adhesivefilm)等有机粘结层。
本说明书中，封装层可以被用作将薄膜封装层TFE和封装基板ECL两者全部包含的概念。
图4是示出沿图2的I-I'线截取的显示面板的剖面图。参照图4，一实施例的显示模块DM可以包括基底基板BSS、电路层CL、发光元件层LDL以及封装层TFE。
基底基板BSS可以包括基底层BS和辅助层BL。基底层BS可以是绝缘基板。基底层BS可以提供为柔性的状态。例如，基底层BS可以包括聚酰亚胺(PI：Polyimide)。或者，基底层BS可以提供为刚性的状态。例如，基底层BS可以由玻璃、塑料等多种物质构成。塑料基板可以包括丙烯酸系树脂、甲基丙烯酸系树脂、聚异戊二烯、乙烯系树脂、环氧系树脂、聚氨酯系树脂、纤维素系树脂、硅氧烷系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚酰胺系树脂以及苝系树脂中的至少某一个。
辅助层BL可以布置在基底层BS上。辅助层BL可以直接形成在基底层BS上而覆盖基底层BS的前面(front surface)。辅助层BL可以包括无机物。辅助层BL可以包括阻挡层(barrier layer)和/或缓冲层(buffer layer)。据此，辅助层BL可以防止通过基底层BS流入的氧气或者水分渗透到电路层CL或者发光元件层LDL，并且可以使电路层CL稳定地形成在基底层BS上。
电路层CL可以布置在基底基板BSS上。电路层CL可以包括晶体管TR和使晶体管TR绝缘的第一绝缘层至第三绝缘层10、20、30。第一绝缘层至第三绝缘层10、20、30分别可以包括有机物和/或无机物，并且可以具有单层或者叠层结构。
图4将驱动晶体管作为晶体管TR而示例性地示出。晶体管TR可以包括半导体图案SP、控制电极CE、输入电极IE以及输出电极OE。半导体图案SP可以布置在基底基板BSS上。半导体图案SP可以包括半导体物质。控制电极CE可以在中间隔着第一绝缘层10而与半导体图案SP相隔。控制电极CE可以与开关晶体管(未示出)和电容器(未示出)的一电极连接。
输入电极IE和输出电极OE可以在中间隔着第二绝缘层20而与控制电极CE相隔。晶体管TR的输入电极IE和输出电极OE可以贯通第一绝缘层10和第二绝缘层20而分别电连接到半导体图案SP的一侧和另一侧。
第三绝缘层30可以布置在第二绝缘层20上而覆盖输入电极IE和输出电极OE。此外，在晶体管TR中，半导体图案SP也可以布置在控制电极CE上。或者，半导体图案SP也可以布置在输入电极IE和输出电极OE上。或者，输入电极IE和输出电极OE也可以与半导体图案SP布置在同一层上而直接连接到半导体图案SP。根据本发明的一实施例的晶体管TR可以形成为多种结构，并不限于某一个实施例。
发光元件层LDL可以布置在电路层CL上。发光元件层LDL可以包括发光元件LD，所述发光元件LD可以包含第一电极EL1、发光层EML以及第二电极EL2。发光元件层LDL还包括定义像素区域的像素定义层PDL。
第一电极EL1具有导电性。第一电极EL1可以利用金属合金或者导电性化合物形成。第一电极EL1可以是正极(anode)。并且，第一电极EL1可以是像素电极。第一电极EL1可以是反射电极。第一电极EL1可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti或者它们的化合物或混合物(例如，Ag和Mg的混合物)。第一电极EL1的厚度可以为大约
Figure BDA0002478528340000101
至大约
Figure BDA0002478528340000102
例如，可以为大约
Figure BDA0002478528340000103
至大约
Figure BDA0002478528340000104
发光层EML布置在第一电极EL1上。发光层EML例如可以具有大约
Figure BDA0002478528340000105
至大约
Figure BDA0002478528340000106
或者大约
Figure BDA0002478528340000107
至大约
Figure BDA0002478528340000108
的厚度。发光层EML可以具有由单一物质构成的单层结构、由多个彼此不同的物质构成的单层结构或者具有由多个彼此不同的物质构成的多个层的多层结构。发光层EML可以包括有机物质或者量子点(Quantumdot)作为发光物质。在发光层EML包括有机物质的情形下，可以包括蒽衍生物、芘衍生物、荧蒽衍生物、
Figure BDA00024785283400001011
衍生物、二氢苯并蒽衍生物或者三亚苯衍生物。在发光层EML包括量子点的情形下，量子点可以具有包括核以及围绕所述核的壳的核-壳结构。例如，量子点的核可以选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物以及它们的组合。
第二电极EL2布置在发光层EML上。第二电极EL2可以是公共电极或者负极(Cathode)。第二电极EL2例如可以是半透射电极。
在第二电极EL2为半透射电极或者反射电极的情形下，第二电极EL2可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti或者包括它们的化合物或者混合物(例如，Ag和Mg的混合物)。优选地，第二电极EL2可以包括Ag和Mg。例如，第二电极EL2可以仅包括Ag和Mg。第二电极EL2的厚度可以为大约
Figure BDA0002478528340000109
至大约
Figure BDA00024785283400001010
例如，可以为大约
Figure BDA0002478528340000111
至大约
Figure BDA0002478528340000112
虽然未示出，但在第一电极EL1和发光层EML之间还可以布置有空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层等功能层，在发光层EML和第二电极EL2之间还可以布置有空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等。
封装层TFE可以布置在第二电极EL2上而覆盖第二电极EL2。封装层TFE可以直接覆盖第二电极EL2。封装层TFE可以包括包含有机物的有机物层以及包含无机物的无机物层。在一实施例中，还可以布置有覆盖第二电极EL2的盖层(未示出)。
模块孔MH可以沿第三方向DR3贯通显示模块DM。模块孔MH可以是从显示模块DM的前面连接到背面的贯通孔。即，模块孔MH可以贯通基底基板BSS、电路层CL、发光元件层LDL以及封装层TFE。然而，实施例并不限于此。模块孔MH可以不贯通基底基板BSS。
在一实施例中，在通过布置封装基板ECL而替代薄膜封装层TFE的情形下，模块孔MH可以仅贯通基底基板BSS和封装基板ECL中的某一个。并且，模块孔MH可以将基底基板BSS和封装基板ECL两者全部贯通，或者将基底基板BSS和封装基板ECL两者均不贯通。详细内容将后述。
布置在显示模块DM的背面而与模块孔MH重叠的构成可以在显示模块DM的前面通过模块孔MH可见。此外，在本实施例中，虽然将模块孔MH图示为在第三方向DR3上具有高度的圆桶形状，但并不限于此，模块孔MH可以以多棱柱、椭圆柱、锥台等多种形状提供。
模块孔MH与电子模块EM可以在平面上重叠。即，模块孔MH可以收纳电子模块EM。电子模块EM接收通过模块孔MH输入的信号，并且提供到显示模块DM。电子模块EM可以通过模块孔MH接收外部输入。电子模块EM可以是包括具有能够被收纳到模块孔MH内的尺寸或者至少具有与模块孔MH相似的尺寸的收纳部的模块。电子模块EM可以是相机模块、扬声器模块或者红外线感测模块等感测模块。电子模块EM可以感测通过模块孔MH而接收到的外部被摄体，或者通过模块孔MH向外部提供语音等声音信号。
虽然图1、图2以及图4示出了模块孔MH为一个的情形，但实施例并不限于此，在显示模块DM可以定义有多个模块孔MH。
图5是放大示出图4的BB区域的放大图。
参照图5，在一实施例中，第二电极EL2可以包括第一部分EL2-1和第二部分EL2-2。第一部分EL2-1与模块孔MH不重叠，并且可以具有第一厚度d1。第一部分EL2-1可以具有均匀的厚度。第二部分EL2-2可以布置在模块孔MH和第一部分EL2-1之间。
第二部分EL2-2的厚度可以随着从模块孔MH趋向第一部分EL2-1而增加。第二部分EL2-2可以从第一部分EL2-1沿模块孔MH方向延伸。第二部分EL2-2可以具有与第一部分EL2-1一体的形状。第二部分EL2-2可以从第一部分EL2-1沿电路层CL延伸。即，第二部分EL2-2可以与电路层CL接触并延伸。
在第二部分EL2-2中，越是靠近电路层CL的部分，越可以具有宽的宽度。此处，宽度表示沿与厚度方向(第三方向)DR3垂直相交的第二方向DR2上的长度。例如，如图5所示，第二部分EL2-2可以以锥形(tapered)形状形成。然而，实施例并不限于此，可以包括曲线形状。由于根据一实施例的第二部分EL2-2不包括翘起或者粗糙的部分(毛刺(Burr))，因此，可以在高温潮湿环境下具有强耐久性。
在第一部分EL2-1中，Ag和Mg可以具有多晶(polycrystalline)结构。在第二部分EL2-2中，Ag和Mg中的一部分可以具有非晶结构(amorphous)，其余部分可以具有多晶结构。
以整个第一部分EL2-1为基准的第一部分EL2-1的Ag的摩尔比可以不同于与以整个第二部分EL2-2为基准的第二部分EL2-2的Ag的摩尔比不同。在第一部分EL2-1中，Ag和Mg的摩尔比可以为95:5至85:15。
以下，参照图6至图11，针对根据一实施例的显示装置制造方法S1进行详细说明。以下，在关于图6至图11的说明中，关于与参照图1至图5说明的构成相同的构成，只要没有特别提及，便可以与图1至图5中所说明的内容相同地说明，因此省略详细说明。
图6是关于根据一实施例的显示装置制造方法S1的顺序图。图7是关于利用电解装置电解第二电极的步骤(S31)的顺序图。图8a至图8h是示出根据一实施例的显示装置制造方法S1的各步骤的图。图9a至图9e是示出根据一实施例的显示装置制造方法S1的各步骤的图。图8a至图8h中示例性地示出了显示面板DP包括薄膜封装层TFE的情形的实施例，图9a至图9e示例性地示出了显示面板DP包括封装基板ECL的情形的实施例。
参照图6，根据一实施例的显示装置制造方法S1可以包括如下步骤：提供基底基板(S10)；形成电路层和发光元件层(S20)；形成电极孔(S30)；以及形成模块孔(S40)。
参照图6和图8a，提供基底基板的步骤(S10)可以是提供包括预备模块孔区域PHA以及与预备模块孔区域PHA相邻的显示区域DA的基底基板BSS的步骤。形成电路层以及发光元件层的步骤(S20)可以是形成布置在基底基板BSS上的电路层CL以及布置在电路层CL上并且包括依次层叠的第一电极EL1、发光层EML以及第二电极EL2的发光元件层LDL的步骤。
参照图7以及图8b至图8d，形成电极孔的步骤(S30)可以包括利用电解装置电解第二电极的步骤(S31)。
参照图8c，电解装置ELD可以包括探针PV、电源供应部PS、第一连接部CN1以及第二连接部CN2。探针PV可以包括固体电解质部ET以及还原部CM。电源供应部PS可以包括阴极EL2-PS和阳极EL1-PS。第一连接部CN1可以连接电源供应部PS和探针PV。具体地，第一连接部CN1可以连接电源供应部PS的阴极EL2-PS和探针PV的还原部CM。虽然未示出，但第一连接部CN1可以包括连接电源供应部PS的阴极EL2-PS和探针PV的还原部CM的第一信号线(未示出)。第二连接部CN2可以连接电源供应部PS和第二电极EL2。更具体地，第二连接部CN2可以将电源供应部PS的阳极EL1-PS连接到第二电极EL2。虽然未示出，但第二连接部CN2可以包括连接电源供应部PS的阳极EL1-PS和第二电极EL2的第二信号线(未示出)。图8c中示出了第二连接部CN2与第二电极EL2中的非显示区域NDA重叠的部分接触而电连接第二电极EL2和电源供应部PS的情形。然而，实施例并不限于此，第二连接部CN2与第二电极EL2接触的位置并不受特别限定。
参照图7，利用电解装置电解第二电极的步骤(S31)可以包括如下步骤：使固体电解质部接触到与预备模块孔区域重叠的第二电极的一区域(S31-1)；将阳极与第二电极电连接(S31-2)；以及从电源供应部向第二电极施加电流(S31-3)。
图8a中示出了通过提供基底基板的步骤(S10)以及形成电路层和发光元件层的步骤(S20)而提供的基底基板BSS、电路层CL以及发光元件层LDL的层叠关系。参照图8a，示出了在与预备模块孔区域PHA重叠的区域没有布置单独的晶体管TR、第一电极EL1以及发光层EML的情形。然而，实施例并不限于此，也可以布置有单独的晶体管TR、第一电极EL1以及发光层EML。
图8b和图8d中示出了使固体电解质部接触到与预备模块孔区域重叠的第二电极的一区域的步骤(S31-1)、将电源供应部的阳极与第二电极电连接的步骤(S31-2)以及从电源供应部施加电流的步骤(S31-3)。参照图8b和图8d，在固体电解质部ET接触到与预备模块孔区域PHA重叠的第二电极EL2的一区域，并且将电源供应部PS的阳极EL1-PS与第二电极EL2电连接后，从电源供应部施加电流时，可以形成电极孔EL2-H。具体地，Ag和Mg在第二电极EL2被氧化而形成Ag+和Mg2+阳离子，形成的Ag+和Mg2+阳离子可以随着固体电解质移动到还原部CM。此时，还原力强的Ag+可以从还原部CM接收电子而被还原，从而形成还原金属RM。在图8d中，探针PV-1包括所述还原部CM、所述还原金属RM以及所述固体电解质部ET。
固体电解质部ET可以包括的固体电解质并不受特别限定。但是，优选地，固体电解质部ET可以包括包含Ag的固体电解质。例如，固体电解质部ET可以包括不易溶于水而易于维持固体形态的AgCl、AgBr、AgI、Ag2S、Ag2CO3以及Ag2SO4中的至少一个。
在固体电解质部ET包括作为固体电解质的包含Ag的电解质的情形下，包括大量Ag的第二电极EL2的电解速度可以得到提高。在Ag被离子化的过程中，固体电解质部ET需要维持电中性。为了使固体电解质部ET维持电中性，每当Ag被离子化为Ag+时，相同当量的阳离子要被还原到还原部CM。此时，在固体电解质部ET包括还原力小于Ag的金属离子的情形下，由于还原到还原部CM的速度慢，因此Ag被电解而离子化的速度可能缓慢。
在一实施例的固体电解质部ET包括Ag的情形下，由于Ag+在还原部CM被还原的速度快，因此第二电极EL2的Ag可以被快速电解。对于标准还原电位高于Ag的金属而言，可能由于工艺费用等问题而不适合用作固体电解质。
与本发明的实施例不同地，在利用激光蚀刻方法去除第二电极EL2的情形下，可能由于在去除第二电极EL2时产生的颗粒而显示装置DD受损，或者可能发生第二电极EL2翘起的问题。例如，第二电极EL2可能通过激光而以类似撕裂的方式被去除，由此可能发生第二电极EL2翘起的问题(例如，产生毛刺(Burr))。例如，第二电极可能具有倒锥(reversetapered)形状或者发生第二电极EL2的激光接触部分被撕裂而容易翘起的问题。因此，显示装置DD可能在高温潮湿环境下容易受损而导致耐久性降低。
在一实施例的显示装置制造方法S1中，由于以电解方式去除第二电极EL2，因此第二电极EL2在形成电极孔EL2-H的过程中被去除的同时不会产生颗粒。因此，可以防止由于产生颗粒而导致的显示装置DD的损伤。并且，防止发生第二电极EL2翘起的现象。例如，通过电解方式去除而形成的第二电极EL2的剖面部可以形成为平滑的直线或者曲线的形状。具体地，第二电极EL2如图5所示也可以形成为平滑的锥形(tapered)形状。因此，通过一实施例的显示装置制造方法S1制造出的显示装置DD可以提高耐久性。
参照图8d，在通过一实施例的显示装置制造方法S1而第二电极EL2被电解的情形下，第二电极EL2可以形成为包括第一部分EL2-1(图5)以及第二部分EL2-2(图5)。在电解过程中，与固体电解质部ET接触的部分和与固体电解质部ET相邻的部分受到电解的影响，多晶结构被破坏，从而可以具有非晶结构。例如，由于第二部分EL2-2(图5)是在制造过程中与固体电解质部ET相邻地布置的部分，因此，一部分多晶结构可能会被破坏而具有非晶结构。即，在第二部分EL2-2(图5)中，没有发生电解的部分会维持多晶结构，受到电解的影响而发生电解的部分(即，虽然进行了电解，但没有完全被电解的部分)可能具有非晶结构。此外，与固体电解质部ET充分相隔而没有发生电解的第一部分EL2-1(图5)可以维持多晶结构，
受电解影响的第二部分EL2-2可以具有与电解之前的第二电极EL2的Ag和Mg比率不同的比率。由于第一部分EL2-1不受电解影响，因此可以具有与电解之前的第二电极EL2的Ag和Mg比率相同的比率。因此，以整个第一部分EL2-1为基准的第一部分EL2-1的Ag的摩尔比可以不同于以整个第二部分EL2-2为基准的第二部分EL2-2的Ag的摩尔比。例如，在电解过程中，由于反应性快的Mg比Ag分解得更快，因此第二部分EL2-2的Ag的摩尔比可能大于第一部分EL2-1的Ag的摩尔比。
参照图6、图8e至图8g，形成模块孔的步骤(S40)可以包括贯通电路层CL以及发光元件层LDL的步骤(S40)。
图8e和图8f示出了对与预备模块孔区域PHA重叠的区域进行激光蚀刻而形成预备模块孔的步骤(S40)。参照图8e和图8f，形成预备模块孔的步骤(S40)可以是对与预备模块孔区域PHA重叠的区域进行激光蚀刻的步骤。可以向与预备模块孔区域PHA重叠的区域照射激光而贯通发光元件层LDL、电路层CL以及辅助层BL。据此，可以定义贯通发光元件层LDL、电路层CL以及辅助层BL的预备模块孔MH-P。
图8g示出了形成薄膜封装层TFE的步骤。图8h示出了对与预备模块孔区域PHA重叠的区域进行激光蚀刻而形成模块孔MH1的步骤。
参照图8g，在定义预备模块孔MH-P后，可以布置薄膜封装层TFE。如在上文中提及，薄膜封装层TFE可以为包括有机物层和无机物层的多层结构，并且可以是有机物层和无机物层交替层叠的结构。
参照图8h，可以通过向与模块孔区域HA重叠的区域照射激光而贯通薄膜封装层TFE。据此，在显示面板DP可以定义有贯通薄膜封装层TFE、发光元件层LDL、电路层CL以及辅助层BL的模块孔MH1。
模块孔区域HA可以具有比预备模块孔区域PHA窄的面积。模块孔区域HA可以是被预备模块孔区域PHA围绕的区域。因此，即使向模块孔区域HA照射激光而去除薄膜封装层TFE，电路层CL和发光元件层LDL也可以被薄膜封装层TFE覆盖。
虽然未示出，但可以通过向与模块孔区域HA重叠的区域照射激光而进一步贯通基底层BS。据此，在显示面板DP可以定义有贯通薄膜封装层TFE、发光元件层LDL、电路层CL以及基底基板BSS的模块孔MH(图4)。
以下，参照图9a至图9e，针对根据一实施例的显示装置制造方法S1进行说明。
参照图9a和图9b，可以通过与参照图8a至图8e而说明的方法相同的方法形成电极孔EL2-H。此后，可以通过与参照图8e至图8f而说明的方法相同的方法形成模块孔MH2。
参照图9c，此后，封装基板ECL可以布置在发光元件层LDL上。如在上文中提及，封装基板ECL可以包括玻璃。封装基板ECL可以具有刚性(rigid)的性质。封装基板ECL可以保护发光元件层LDL免受诸如水分、氧气以及灰尘粒子等异物的影响。
在封装基板ECL和发光元件层LDL之间可以定义有填充层ASL。填充层ASL可以由封装基板ECL和发光元件层LDL之间的相隔的空间定义。填充层ASL可以包括惰性气体。填充层ASL防止基底基板BSS和封装基板ECL之间存在的异物扩散。模块孔MH2也可以被惰性气体填充。参照图9c，模块孔MH2可以由与发光元件层LDL以及电路层CL不重叠的部分定义。填充层ASL可以由与发光元件层LDL和电路层CL重叠的部分定义。
参照图9d，一实施例中，还可以包括沿模块孔MH3的边缘布置封装部件SM的步骤。封装部件SM可以在粘结封装基板ECL之前布置。封装部件SM可以覆盖由于模块孔MH3而暴露的发光元件层LDL、电路层CL以及辅助层BL。封装部件SM可以包括与密封部件SLP相同的材料，并且可以在与布置密封部件SLP的步骤相同的步骤中进行布置。参照图9d，可以以封装部件SM为边界而定义模块孔MH3和填充层ASL。模块孔MH3也可以被惰性气体填充。
参照图9e，还可以包括向封装基板ECL和基底层BS照射激光的步骤。封装基板ECL和基底层BS中，可以向与模块孔区域HA重叠且与封装部件SM不重叠的部位照射激光而定义模块孔MH4。相比于没有去除封装基板ECL和基底层BS的情形，在进一步去除封装基板ECL和基底层BS而定义模块孔MH4的情形下，可以提高模块孔MH4的透射度。在显示装置DD还包括封装部件SM的情形下，在模块孔区域HA的边缘可以布置有封装部件SM。
图10是关于根据一实施例的利用电解装置电解第二电极的步骤(S31)的顺序图。图11是示出加热固体电解质部的步骤的图。
参照图10和图11，在显示装置制造方法S1，利用电解装置电解第二电极的步骤(S31)还可以包括加热固体电解质部的步骤(S31-10)。加热固体电解质部的步骤(S31-10)可以是从电源供应部施加电流的步骤(S31-3)之前的步骤。例如，加热固体电解质部的步骤(S31-10)可以是从电源供应部施加电流的步骤(S31-3)的上一个步骤。
由于Ag具有大约0.8V(伏特)的标准还原电位，因此氧化速度可能较慢。在一实施例中，在加热与第二电极EL2接触的固体电解质的情形下，由于反应速度可能会加快，因此Ag被氧化的速度可能会变快。因此，可以减少工艺费用。
虽然未示出，但第一连接部CN1(图8c)可以包括将由电源供应部PS传递的加热信号传递到固体电解质部ET或者还原部CM的第三信号线(未示出)。
图12a和图12b是示出根据一实施例的探针PV的图。
参照图12a和图12b，固体电解质部ET可以具有圆柱形状或者锥台形状。图12a示例性地示出了固体电解质部ET具有圆柱形状的情形，图12b示例性地示出了固体电解质部ET具有圆锥台形状的情形。然而，固体电解质部ET的形状并不限于此，也可以具有三棱锥台、四棱锥台以及五棱锥台等多角锥台形状。
在一实施例中的固体电解质部ET具有圆柱或者锥台形状的情形下，如图4所示，第二部分EL2-2可以不翘起地形成。更加优选地，在固体电解质部ET具有圆锥台形状的情形下，如图5所示，第二部分EL2-2可以不翘起而以锥形形状形成。因此，显示装置DD的损伤速度可以在高温潮湿环境下变慢，并且可以提高显示装置DD的耐久性。
在通过根据一实施例的显示装置制造方法S1制造的显示装置DD中，第二电极EL2的第二部分EL2-2的厚度可以随着从模块孔MH趋向第一部分EL2-1而增加。第二部分EL2-2可以从第一部分EL2-1沿电路层CL而与电路层CL接触并延伸。在第二部分EL2-2中，越是靠近电路层CL的部分，越可以具有宽的宽度。因此，根据一实施例的显示装置DD可以在高温潮湿环境下具有强耐久性。
根据一实施例的显示装置制造方法S1可以将第二电极EL2电解而形成。因此，在工序中不产生颗粒，并且可以防止第二电极EL2翘起或者产生粗糙的部分(毛刺(Burr))，可以制造具有高耐久性的显示装置DD。
虽然参照实施例进行了说明，但本技术领域的熟练的技术人员可以理解的是，在不脱离权利要求书中记载的本发明的思想和领域的范围内，可以对本发明进行多种修改和变更。并且，本发明公开的实施例并不旨在限定本发明的技术思想，应当解释为本发明的权利范围包括权利要求书和与其等同的范围内的所有技术思想。

Claims (20)

1.一种显示装置，包含显示区域以及定义在所述显示区域的模块孔区域，其中，包括：
基底基板；
电路层，布置在所述基底基板上；
发光元件层，布置在所述电路层上，并且包括第一电极、布置在所述第一电极上的第二电极以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；
封装层，布置在所述发光元件层上；以及
模块孔，与所述模块孔区域重叠，并且贯通所述电路层和所述发光元件层而被定义，
其中，所述第二电极包括：第一部分，与所述模块孔不重叠且具有第一厚度；以及第二部分，布置在所述模块孔和所述第一部分之间，并且厚度随着从所述模块孔趋向所述第一部分而增加。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第二电极包括Ag和Mg。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中，
在所述第二部分，所述Ag和所述Mg具有非晶结构以及多晶结构。
4.如权利要求3所述的显示装置，其中，
在所述第一部分，所述Ag和所述Mg具有多晶结构。
5.如权利要求2所述的显示装置，其中，
在所述第二部分，越是靠近所述电路层的部分越具有宽的宽度。
6.如权利要求2所述的显示装置，其中，
在所述第一部分，所述Ag和所述Mg的摩尔比为95:5至85:15。
7.如权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第二电极还包括Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo以及Ti中的至少一个。
8.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第二电极是半透射电极。
9.如权利要求1所述的显示装置，其中，还包括：
电子模块，以在平面上与所述模块孔重叠的方式布置，
其中，所述电子模块是相机模块或者红外线感测模块。
10.一种显示装置，包含显示区域以及定义在所述显示区域的模块孔区域，所述显示装置包括：
基底基板；
电路层，布置在所述基底基板上；
发光元件层，布置在所述电路层上，并且包括第一电极、布置在所述第一电极上的第二电极以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；以及
模块孔，与所述模块孔区域重叠，并且通过贯通所述电路层和所述发光元件层而被定义，
其中，所述第二电极包括Ag和Mg，并且包括：第一部分，与所述模块孔不重叠；以及第二部分，布置在所述模块孔和所述第一部分之间，
在所述第一部分，所述Ag和所述Mg具有多晶结构，
在所述第二部分，所述Ag和所述Mg具有非晶结构以及多晶结构。
11.如权利要求10所述的显示装置，其中，
所述第一部分具有均匀的厚度，所述第二部分的厚度随着从所述模块孔趋向所述第一部分而增加。
12.如权利要求10所述的显示装置，其中，
以整个所述第一部分为基准的所述第一部分的Ag的摩尔比与以整个所述第二部分为基准的所述第二部分的Ag的摩尔比不同。
13.一种显示装置制造方法，包括如下步骤：
提供包括预备模块孔区域和与所述预备模块孔区域相邻的显示区域的基底基板；
形成布置在所述基底基板上的电路层以及布置在所述电路层上且包括被依次层叠的第一电极、发光层以及第二电极的发光元件层；
电解所述第二电极而形成与所述预备模块孔区域重叠的电极孔；以及
形成贯通所述电路层以及所述发光元件层的模块孔。
14.如权利要求13所述的显示装置制造方法，其中，
形成所述电极孔的步骤包括利用电解装置电解所述第二电极的步骤，
其中，所述电解装置包括：
探针，包括固体电解质部和还原部；
电源供应部，包括阴极和阳极；
第一连接部，连接所述阴极和所述探针；以及
第二连接部，连接所述阳极和所述第二电极。
15.如权利要求14所述的显示装置制造方法，其中，
形成所述电极孔的步骤包括如下步骤：
使所述固体电解质部接触到与所述预备模块孔区域重叠的所述第二电极的一区域；
将所述阳极与所述第二电极电连接；以及
从所述电源供应部向第二电极施加电流。
16.如权利要求13所述的显示装置制造方法，其中，
所述第二电极包括Ag和Mg，所述Ag和所述Mg的摩尔比为95:5至85:15。
17.如权利要求14所述的显示装置制造方法，其中，
形成所述电极孔的步骤还包括如下步骤：
将所述固体电解质部加热到100℃至200℃。
18.如权利要求14所述的显示装置制造方法，其中，
所述固体电解质部包括包含Ag的固体电解质。
19.如权利要求13所述的显示装置制造方法，其中，
形成所述模块孔的步骤包括如下步骤：
对与所述预备模块孔区域重叠的区域进行激光蚀刻。
20.如权利要求14所述的显示装置制造方法，其中，
所述固体电解质部具有圆柱形状或者锥台形状。
CN202010372130.3A 2019-05-08 2020-05-06 显示装置及显示装置制造方法 Pending CN111916477A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20190053958 2019-05-08
KR10-2019-0053958 2019-05-08
KR10-2019-0123805 2019-10-07
KR1020190123805A KR102650598B1 (ko) 2019-05-08 2019-10-07 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111916477A true CN111916477A (zh) 2020-11-10

Family

ID=73046579

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010372130.3A Pending CN111916477A (zh) 2019-05-08 2020-05-06 显示装置及显示装置制造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11374193B2 (zh)
CN (1) CN111916477A (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200135673A (ko) * 2019-05-24 2020-12-03 삼성디스플레이 주식회사 표시장치의 제조방법
KR20200136550A (ko) * 2019-05-27 2020-12-08 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법
CN110600511A (zh) * 2019-08-26 2019-12-20 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光显示面板及其制备方法
KR20210107216A (ko) * 2020-02-21 2021-09-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법
CN111552404A (zh) * 2020-04-24 2020-08-18 京东方科技集团股份有限公司 柔性触控基板、柔性触控面板和装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100759376B1 (ko) 2001-10-25 2007-09-19 삼성에스디아이 주식회사 삼극관형 전계 방출 표시 장치의 제조방법
US7148148B2 (en) 2001-12-06 2006-12-12 Seiko Epson Corporation Mask forming and removing method, and semiconductor device, an electric circuit, a display module, a color filter and an emissive device manufactured by the same method
KR20060015930A (ko) 2004-08-16 2006-02-21 삼성전자주식회사 액정 표시 장치의 게이트 배선 제조 방법
KR102222680B1 (ko) * 2013-02-01 2021-03-03 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 기판, 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
US10032844B2 (en) * 2014-12-29 2018-07-24 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR102435391B1 (ko) * 2015-09-25 2022-08-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102490891B1 (ko) 2015-12-04 2023-01-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102373566B1 (ko) * 2016-09-23 2022-03-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20180041796A (ko) * 2016-10-14 2018-04-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US11374193B2 (en) 2022-06-28
US20200358024A1 (en) 2020-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111916477A (zh) 显示装置及显示装置制造方法
JP7011687B2 (ja) 電子機器
JP6915012B2 (ja) 入出力装置
JP6972072B2 (ja) 表示装置
JP6781799B2 (ja) 発光装置
KR102525809B1 (ko) 전자 기기
JP6951511B2 (ja) 情報処理装置
JP6781286B2 (ja) 剥離方法
JP6525420B2 (ja) 発光装置
JP6902088B2 (ja) 発光装置の作製方法
JP2021099517A (ja) 表示装置
JP6517481B2 (ja) 発光装置
CN108010436B (zh) 显示装置
JP4440589B2 (ja) デュアル型有機電子発光素子とその製造方法
EP3667731A1 (en) Method of manufacturing display apparatus
JP2002072907A (ja) 表示装置
CN114497124A (zh) 显示装置
KR20170075864A (ko) 미러 디스플레이 장치
KR102650598B1 (ko) 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
TWI452552B (zh) 顯示裝置及其製造方法以及顯示器
CN110634923A (zh) 一种双面amoled显示面板及其制备方法
JP2019070849A (ja) 電子機器
JP6748795B2 (ja) 電子機器
JP2003122270A (ja) 表示装置とその製造方法
KR20240001763A (ko) 복수의 표시 셀들을 포함하는 모기판과 표시 장치의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination