CN111805091A - 一种lap激光镭雕工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种LAP激光镭雕工艺，包括如下步骤，S1、获得塑胶基板；S2、在基板的表面镀氧化膜；S3、通过激光镭射在基板镀有氧化膜的表面上制作电路走线槽；S4、在基板上的电路走线槽内化镀金属层。在塑胶基板进行激光镭雕电路走线槽之前在基板上镀氧化膜以增强基板的抗氧化性和耐磨性，当激光在基板上镭雕电路走线槽时氧化膜可防止基板上的电路走线槽的边缘因激光的热量出现烧焦现象，使激光镭射形成的电路走线槽轮廓清晰，同时避免化镀前处理过程中各种因素的干扰，大大减少了产品产生溢镀、漏镀等不良现象的几率，提高产品质量，确保成品的品质，减少因不良品导致的资源浪费。

Description

一种LAP激光镭雕工艺
技术领域
本发明涉及天线技术领域，尤其涉及一种LAP激光镭雕工艺。
背景技术
随着移动通讯设备和智能穿戴设备向微型化、智能化的方向发展，使得应用在上述设备中的天线需要在极其有限的空间中集成WIFI、蓝牙等大量功能。
LAP(Laser Activating Plating)技术是一种以激光诱导普通塑胶基材后选择性金属镀的技术，能够在任意成型面上制作具有电气功能的电路及互联器件，因此在天线制造中具有显著优势。
常规LAP工艺中，由于普通塑胶基材材质柔软脆弱，激光镭雕过程中产品易被烧焦导致线路的轮廓粗糙从而使镭雕层线路不稳定，因此在化镀前处理过程中各种酸碱药水在线路的轮廓粗糙处残留量较大，导致产品的线路轮廓被腐蚀，产生斑点及微孔影响镀层在产品上附着，进而产品会出现溢镀、漏镀等不良现象。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种提高产品质量的LAP激光镭雕工艺。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种LAP激光镭雕工艺，包括如下步骤，
S1、获得塑胶基板；
S2、在基板的表面镀氧化膜；
S3、通过激光镭射在基板镀有氧化膜的表面上制作电路走线槽；
S4、在基板上的电路走线槽内化镀金属层。
本发明的有益效果在于：在塑胶基板进行激光镭雕电路走线槽之前在基板上镀氧化膜以增强基板的抗氧化性和耐磨性，当激光在基板上镭雕电路走线槽时氧化膜可防止基板上的电路走线槽的边缘因激光的热量出现烧焦现象，使激光镭射形成的电路走线槽轮廓清晰，同时避免化镀前处理过程中各种因素的干扰，大大减少了产品产生溢镀、漏镀等不良现象的几率，提高产品质量，确保成品的品质，减少因不良品导致的资源浪费。
附图说明
图1为本发明实施例一的LAP激光镭雕工艺中步骤S1的示意图；
图2为本发明实施例一的LAP激光镭雕工艺中步骤S2的示意图；
图3为本发明实施例一的LAP激光镭雕工艺中步骤S3的示意图；
图4为本发明实施例一的LAP激光镭雕工艺中步骤S4的示意图。
标号说明：
1、基板；2、氧化膜；3、电路走线槽；4、金属层。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
本发明最关键的构思在于：在塑胶基板进行LAP激光镭雕电路走线槽之前在基板上镀氧化膜。
请参照图1至图4，一种LAP激光镭雕工艺，包括如下步骤，
S1、获得塑胶基板1；
S2、在基板1的表面镀氧化膜2；
S3、通过激光镭射在基板1镀有氧化膜2的表面上制作电路走线槽3；
S4、在基板1上的电路走线槽3内化镀金属层4。
本发明的工作原理简述如下：在塑胶基板1进行激光镭雕电路走线槽3之前在基板1上镀氧化膜2以增强基板1的抗氧化性和耐磨性，氧化膜2可防止激光在基板1上镭雕电路走线槽3时基板1上电路走线槽3的边缘因激光的热量而烧焦，使激光镭射形成的电路走线槽3轮廓清晰。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：基板1上通过激光镭射形成电路走线槽3轮廓清晰，避免化镀前处理过程中各种酸碱性药水腐蚀电路走线槽3的边缘产生斑点或小孔，大大减少了产品产生溢镀、漏镀等不良现象的几率，提高产品质量，减少因成品质量不佳造成的资源浪费。
进一步的，步骤S2中，氧化膜2通过PVD工艺形成。
由上述描述可知，采用PVD工艺形成的氧化膜2层具有良好的硬度和耐磨性，使氧化膜2层使用寿命更长，不易从基板1表面脱落。
进一步的，步骤S2之前还包括步骤S11、将基板1的表面清洁并进行去静电处理。
由上述描述可知，将基板1表面的杂质和污垢清除并进行去静电处理，有助于基板1进行下一步处理，避免杂质附着在基板1的表面上导致氧化膜2在基板1上分布不均匀或不完整。
进一步的，步骤S11之后还包括步骤S12、将基板1表面进行打磨和喷砂处理。
进一步的，步骤S12之后还包括步骤S13、在基板1上喷涂底漆，烘烤底漆至底漆定型。
由上述描述可知，对基板1表面进行打磨和喷砂后再喷涂底漆，提升基板1表面细微的粗糙度，使底漆能够更好的渗入基板1表面，大大增加氧化膜2在基板1上的附着力，保证氧化膜2镀层不易脱落。
进一步的，步骤S2中，氧化膜2为二氧化硅层。
由上述描述可知，二氧化硅结构稳定、抗氧化能力强，将二氧化硅层镀在基板1表面大大提升了基板1的抗氧化性及耐磨性。
进一步的，步骤S2之后还包括步骤S21、在基板1上喷涂面漆，烘烤面漆至面漆定型。
由上述描述可知，在氧化膜2上喷涂面漆进一步提高氧化膜2的性能，同时保护氧化膜2，减少外力对氧化膜2的干扰。
进一步的，步骤S3中，激光的能量为8W，激光的频率为40KHZ，激光的速度为2500mm/s，激光的填充间距为0.04mm。
进一步的，步骤S3中，激光镭射对基板1的镭雕次数为8次。
由上述描述可知，由于基板1的表面覆盖氧化膜2，使基板1的表面钝化***，因此进行激光镭雕电路走线槽3时需要加大激光镭雕机的功率并增加镭雕次数以获得足够清晰的电路走线槽3。
进一步的，步骤S4之前还包括步骤S31、对基板1进行化学除油，化学除油后通过水洗去除残留的化学药剂。
由上述描述可知，基板1化镀前需要去除基板1表面附着的油污的等杂质，保证化镀时金属层4完全覆盖电路走线槽3，经过化学除油后的基板1上残余的化学药剂通过水洗清除，避免残留药剂腐蚀基板1。
实施例一
请参照图1至图4，本发明的实施例一为：一种LAP激光镭雕工艺，包括如下步骤，
S1、获得塑胶基板1；
S2、在基板1的表面镀氧化膜2；
S3、通过激光镭射在基板1镀有氧化膜2的表面上制作电路走线槽3；
S4、在基板1上的电路走线槽3内化镀金属层4。
如图1所示，步骤S1中，基板1根据实际生产中产品的形状注塑成型，或者直接从供应商处采购。
进一步的，步骤S2之前还包括步骤S11、将基板1的表面清洁并进行去静电处理；步骤S12、将基板1表面进行打磨和喷砂处理；步骤S13、在基板1上喷涂底漆，烘烤底漆至底漆定型。步骤S11的目的在于在基板1的表面形成氧化膜2之前去除基板1表面的油污等污渍并进行去静电处理，防止基板1的表面附着杂质导致镀氧化膜2时氧化膜2在基板1上覆盖不均匀甚至出现缺口，影响后续工艺的进行，完成清洁及去静电的基板1还需要将表面进行打磨和喷砂处理，以增强基板1表面细微的粗糙度，利于步骤S13中喷涂的底漆渗入基板1表面中，大大增强氧化膜2与基板1之间的附着力，保证氧化膜2镀层不会脱落，同时对基板1的表面进行打磨和喷砂处理相当于传统化镀工艺中对基板1用铬酐和硫酸进行粗化以提高镀层在基板1上的附着力，因此后续工艺中可减少化镀前处理过程中的部分工序，缩短化镀工艺制程所需的时间，提高生产效率的同时避免化镀前处理中使用的各种酸碱药水对基板1产生腐蚀导致电路走线槽3的边缘模糊。
如图2所示，步骤S2中，基板1的表面通过PVD工艺形成氧化膜2，在本实施例中，氧化膜2为二氧化硅膜，在其他可行的实施例中，氧化膜2可选用其他材质，例如氧化铝。
进一步的，步骤S2之后还包括步骤S21、在基板1上喷涂面漆，烘烤面漆至面漆定型。步骤S21的目的在于在氧化膜2的表面再喷涂面漆，进一步提升氧化膜2性能的同时对氧化膜2起保护作用。
如图3所示，步骤S3中，用激光镭雕机在基板1镀有氧化膜2的一面上镭雕形成电路走线槽3，其中激光镭雕机产生的激光的能量为8W、激光的频率为40KHZ、激光的速度为2500mm/s、激光的填充间距为0.04mm以及激光的镭雕次数为8次，相比于直接在塑胶基材上镭雕线路走线槽采用4W的激光镭雕6次，镀有氧化膜2的基板1表面钝化，硬度及抗氧化性远大于普通的塑胶基材，因此采用相同的激光镭雕机时需要增大激光的能量强度及增加镭雕次数才能够保证形成的电路走线槽3清晰，同时又避免了电路走线槽3的轮廓被烧焦出现坑洼现象。
进一步的，步骤S4之前还包括步骤S31、对基板1进行化学除油，化学除油后通过水洗去除残留的化学药剂。在基板1化镀之前需要将基板1上的油污等杂质通过化学药剂去除，再通过水洗去除残留的化学药剂，使金属层4完全覆盖电路走线槽3，保证基板1上形成的电路具有良好的导电性。
如图4所示，步骤S4中，在基板1上镭雕形成的电路走线槽3中化镀金属层4，使基板1上形成电路以实现产品传递电信号的功能，金属层4的材质可选用铜或镍等导电性能好的金属。
进一步的，步骤S4之后还包括步骤S5、将完成化镀的基板1进行水洗和干燥。基板1完成化镀后表面仍有残留的化镀液及金属，将基板1水洗去除残留物后将基板1干燥后即可将获得产品的成品。
进一步的，步骤S5之后还包括步骤S6、将成品分装打包。
综上所述，本发明提供的LAP激光镭雕工艺在基板上成型的电路走线槽轮廓清晰，避免了激光镭雕时电路走线槽的边缘产生烧焦现象，减少化镀时出现溢镀或漏镀现象，提高了产品品质，利于降低不良品率，相比于传统的LAP工艺缩短了加工时间，利于提升生产效率，同时获得的产品质量好，减少了不良品造成的资源浪费。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种LAP激光镭雕工艺，其特征在于：包括如下步骤，
S1、获得塑胶基板；
S2、在基板的表面镀氧化膜；
S3、通过激光镭射在基板镀有氧化膜的表面上制作电路走线槽；
S4、在基板上的电路走线槽内化镀金属层。
2.根据权利要求1所述的LAP激光镭雕工艺，其特征在于：步骤S2中，氧化膜通过PVD工艺形成。
3.根据权利要求1所述的LAP激光镭雕工艺，其特征在于：步骤S2之前还包括步骤S11、将基板的表面清洁并进行去静电处理。
4.根据权利要求3所述的LAP激光镭雕工艺，其特征在于：步骤S11之后还包括步骤S12、将基板表面进行打磨和喷砂处理。
5.根据权利要求4所述的LAP激光镭雕工艺，其特征在于：步骤S12之后还包括步骤S13、在基板上喷涂底漆，烘烤底漆至底漆定型。
6.根据权利要求1所述的LAP激光镭雕工艺，其特征在于：步骤S2中，氧化膜为二氧化硅层。
7.根据权利要求1所述的LAP激光镭雕工艺，其特征在于：步骤S2之后还包括步骤S21、在基板上喷涂面漆，烘烤面漆至面漆定型。
8.根据权利要求1所述的LAP激光镭雕工艺，其特征在于：步骤S3中，激光的能量为8W，激光的频率为40KHZ，激光的速度为2500mm/s，激光的填充间距为0.04mm。
9.根据权利要求1所述的LAP激光镭雕工艺，其特征在于：步骤S3中，激光镭射对基板的镭雕次数为8次。
10.根据权利要求1所述的LAP激光镭雕工艺，其特征在于：步骤S4之前还包括步骤S31、对基板进行化学除油，化学除油后通过水洗去除残留的化学药剂。
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