CN111751692B - 一种igbt的直通检测、保护方法及装置 - Google Patents

一种igbt的直通检测、保护方法及装置 Download PDF

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Abstract

本发明实施例公开了一种IGBT的直通检测、保护方法及装置,用以避免因IGBT开通较慢或者干扰而导致的误报故障或者直通。所述IGBT的直通检测方法,包括:在确定驱动IGBT的驱动信号由驱动IGBT关闭变化为驱动IGBT开通时,等待第一预设时长后检测所述IGBT的漏极与源极之间的电压;在确定所述IGBT的漏极与所述IGBT的源极之间的电压大于预设故障电压阈值时,确定所述IGBT发生直通故障。

Description

一种IGBT的直通检测、保护方法及装置
技术领域
本发明涉及电力电子技术领域,尤其是涉及一种IGBT的直通检测、保护方法及装置。
背景技术
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是由金属-氧化物-半导体(Metal Oxide Semiconductor,MOS)管和双极型晶体管(Bipolar JunctionTransistor,BJT)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,其兼有MOS管高输入阻抗和电力晶体管(Giant Transistor,GTR)低导通压降两方面的优点,凭借上述优点,IGBT在变流器、变频器、开关电源等领域得到了广泛应用,尤其在大功率电路中起重要作用。
但是,大功率IGBT在高压大电流的工况下工作时,依现有的IGBT驱动直通保护技术,极易因IGBT开通较慢或者干扰而导致误报故障或者直通,进而损坏IGBT。
发明内容
本发明实施例提供一种IGBT的直通检测、保护方法及装置,用以避免因IGBT开通较慢或者干扰而导致的误报故障或者直通。
第一方面,本发明实施例提供一种IGBT的直通检测方法,包括:
在确定驱动IGBT的驱动信号由驱动IGBT关闭变化为驱动IGBT开通时,等待第一预设时长后检测IGBT的漏极与源极之间的电压;
在确定IGBT的漏极与源极之间的电压大于预设故障电压阈值时,确定IGBT发生直通故障。
本发明实施例提供的IGBT的直通检测方法,在确定IGBT的驱动信号由驱动IGBT关闭变化为驱动IGBT开通时,延时预设时长后检测IGBT的漏极与源极之间的电压,并通过检测的电压值与预设故障电压阈值的比较结果来判定IGBT是否发生直通故障,与现有技术相比,有效避免了由于IGBT开通较慢或者干扰而导致误报故障或直通的问题。
在一种可能的实施方式中,本发明实施例提供的方法还包括:
在确定IGBT发生直通故障时,以预设变化规律减小驱动信号的驱动电压;
在确定驱动信号的驱动电压小于或等于预设驱动电压阈值时,将驱动电压调节为驱动IGBT关闭。
本发明实施例提供的IGBT的直通检测方法,在确定IGBT发生直通故障时,按预先设置的变化规律减小驱动信号的驱动电压,并在驱动信号的驱动电压减小到预设驱动电压阈值时,将驱动电压调节为驱动IGBT关闭,降低了直通保护时IGBT因过压过流而被损坏的几率。
在一种可能的实施方式中,本发明实施例提供的方法还包括:
在确定IGBT发生直通故障时,以预设变化规律减小驱动信号的驱动电压;
在确定驱动信号的驱动电压小于或等于预设驱动电压阈值时,等待第二预设时长后重新检测IGBT的漏极与源极之间的目标电压;
在确定目标电压小于预设故障电压阈值时,恢复驱动信号的驱动电压至原始电压,原始电压为IGBT发生直通故障时驱动信号的驱动电压。
本发明实施例提供的IGBT的直通检测方法,在确定IGBT发生故障时,按预先设置的变化规律减小驱动信号的驱动电压,以降低直通保护时IGBT因过压过流而被损坏的几率,同时在驱动信号的驱动电压减小到预设驱动电压阈值时,并不立即将驱动电压调节为驱动IGBT关闭,而是等待预设时长后,重新判断是否存在直通故障,若直通故障消失,则恢复驱动信号的驱动电压至原始电压,从而提高了***的可靠性。
在一种可能的实施方式中,本发明实施例提供的方法还包括:
在确定IGBT发生直通故障时,等待第二预设时长后重新检测IGBT的漏极与源极之间的目标电压;
在确定目标电压小于预设故障电压阈值时,利用驱动信号驱动IGBT。
本发明实施例提供的IGBT的直通检测方法,在确定IGBT发生故障时,并不立即将驱动电压调节为驱动IGBT关闭,而是等待预设时长后,重新判断是否存在直通故障,若直通故障消失,则恢复驱动信号的驱动电压至原始电压,从而提高了***的可靠性。
在一种可能的实施方式中,本发明实施例提供的方法还包括:
在确定目标电压大于预设故障电压阈值时,将所述驱动电压调节为驱动IGBT关闭。
第二方面,本发明实施例提供一种IGBT的直通保护方法,包括:
在确定IGBT发生直通故障时,以预设变化规律减小驱动IGBT的驱动信号的驱动电压;
在确定驱动信号的驱动电压小于或等于预设驱动电压阈值时,将所述驱动电压调节为驱动IGBT关闭。
本发明实施例提供的IGBT的直通保护方法,在确定IGBT发生直通故障时,按预先设置的变化规律减小驱动信号的驱动电压,并在驱动信号的驱动电压减小到预设驱动电压阈值时,将驱动电压调节为驱动IGBT关闭,降低了直通保护时IGBT因过压过流而被损坏的几率。
第三方面,本发明实施例提供另一种IGBT的直通保护方法,包括:
在确定IGBT发生直通故障时,以预设变化规律减小驱动IGBT的驱动信号的驱动电压;
在确定驱动信号的驱动电压小于或等于预设驱动电压阈值时,等待预设时长后检测IGBT的漏极与源极之间的电压;
在确定IGBT的漏极与源极之间的电压小于预设故障电压阈值时,恢复驱动信号的驱动电压至原始电压,原始电压为IGBT发生直通故障时驱动信号的驱动电压。
本发明实施例提供的IGBT的直通保护方法,在确定IGBT发生故障时,按预先设置的变化规律减小驱动IGBT的驱动信号的驱动电压,以降低直通保护时IGBT因过压过流而被损坏的几率,同时在驱动信号的驱动电压减小到预设驱动电压阈值时,并不立即将驱动电压调节为驱动IGBT关闭,而是等待预设时长后,重新判断是否存在直通故障,若直通故障消失,则恢复驱动信号的驱动电压至原始电压,从而提高了***的可靠性。
在一种可能的实施方式中,本发明实施例提供的方法还包括:
在确定IGBT的漏极与源极之间的电压大于预设故障电压阈值时,将驱动电压调节为驱动IGBT关闭。
第四方面,本发明实施例提供又一种IGBT的直通保护方法,包括:
在确定IGBT发生直通故障时,等待预设时长后检测IGBT的漏极与源极之间的电压;
在确定IGBT的漏极与源极之间的电压小于预设故障电压阈值时,利用驱动信号驱动IGBT。
本发明实施例提供的IGBT的直通保护方法,在确定IGBT发生直通故障时,按预先设置的变化规律减小驱动IGBT的驱动信号的驱动电压,并在驱动信号的驱动电压减小到预设驱动电压阈值时,将驱动电压调节为驱动IGBT关闭,降低了直通保护时IGBT因过压过流而被损坏的几率。
在一种可能的实施方式中,本发明实施例提供的方法还包括:
在确定IGBT的漏极与源极之间的电压大于预设故障电压阈值时,将驱动电压调节为驱动IGBT关闭。
第五方面,本发明实施例提供一种IGBT的直通检测装置,包括:
检测单元,用于在确定驱动IGBT的驱动信号由驱动IGBT关闭变化为驱动IGBT开通时,等待第一预设时长后检测IGBT的漏极与源极之间的电压;
处理单元,用于在确定IGBT的漏极与源极之间的电压大于预设故障电压阈值时,确定IGBT发生直通故障。
在一种可能的实施方式中,本发明实施例提供的装置还包括故障处理单元,具体用于:
在确定IGBT发生直通故障时,以预设变化规律减小驱动信号的驱动电压;
在确定驱动信号的驱动电压小于或等于预设驱动电压阈值时,将驱动电压调节为驱动IGBT关闭。
在一种可能的实施方式中,本发明实施例提供的装置还包括故障处理单元,具体用于:
在确定IGBT发生直通故障时,以预设变化规律减小驱动IGBT的驱动信号的驱动电压;
在确定驱动信号的驱动电压小于或等于预设驱动电压阈值时,等待第二预设时长后重新检测IGBT的漏极与源极之间的目标电压;
在确定目标电压小于预设故障电压阈值时,恢复驱动信号的驱动电压至原始电压,原始电压为IGBT发生直通故障时驱动信号的驱动电压。
在一种可能的实施方式中,本发明实施例提供的装置还包括故障处理单元,具体用于:
在确定IGBT发生直通故障时,等待第二预设时长后重新检测IGBT的漏极与源极之间的目标电压;
在确定目标电压小于预设故障电压阈值时,利用驱动信号驱动IGBT。
在一种可能的实施方式中,本发明实施例提供的装置中,故障处理单元,还用于:
在确定目标电压大于预设故障电压阈值时,将驱动电压调节为驱动IGBT关闭。
第六方面,本发明实施例提供一种IGBT的直通保护装置,包括:
处理单元,用于在确定IGBT发生直通故障时,以预设变化规律减小驱动IGBT的驱动信号的驱动电压;
控制单元,用于在确定驱动信号的驱动电压小于或等于预设驱动电压阈值时,将驱动电压调节为驱动IGBT关闭。
第七方面,本发明实施例提供另一种IGBT的直通保护装置,包括:
处理单元,用于在确定IGBT发生直通故障时,以预设变化规律减小驱动IGBT的驱动信号的驱动电压;
检测单元,用于在确定驱动信号的驱动电压小于或等于预设驱动电压阈值时,等待预设时长后检测IGBT的漏极与源极之间的电压;
控制单元,用于在确定IGBT的漏极与源极之间的电压小于预设故障电压阈值时,恢复驱动信号的驱动电压至原始电压,原始电压为IGBT发生直通故障时驱动信号的驱动电压。
在一种可能的实施方式中,本发明实施例提供的装置中控制单元还用于:
在确定IGBT的漏极与源极之间的电压大于预设故障电压阈值时,将驱动电压调节为驱动IGBT关闭。
第八方面,本发明实施例提供又一种IGBT的直通保护装置,包括:
检测单元,用于在确定IGBT发生直通故障时,等待预设时长后检测IGBT的漏极与源极之间的电压;
处理单元,用于在确定IGBT的漏极与源极之间的电压小于预设故障电压阈值时,利用驱动信号驱动IGBT。
在一种可能的实施方式中,本发明实施例提供的装置中处理单元还用于:
在确定IGBT的漏极与源极之间的电压大于预设故障电压阈值时,将驱动电压调节为驱动IGBT关闭。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种IGBT的直通检测方法的示意流程图;
图2为本发明实施例提供的IGBT的直通检测方法的原理示意图;
图3为本发明实施例提供的IGBT的直通检测方法的另一原理示意图;
图4为本发明实施例提供的IGBT的直通检测方法的又一原理示意图;
图5为本发明实施例提供的IGBT的直通检测方法的再一原理示意图;
图6为本发明实施例提供的一种IGBT的直通保护方法的流程图;
图7为本发明实施例提供的IGBT的直通保护方法的原理示意图;
图8为本发明实施例提供的另一IGBT的直通保护方法的流程图;
图9为本发明实施例提供的IGBT的直通保护方法的原理示意图;
图10为本发明实施例提供的又一IGBT的直通保护方法的流程图;
图11为本发明实施例提供的IGBT的直通保护方法的原理示意图;
图12为本发明实施例提供的一种IGBT的直通检测装置的结构示意图;
图13为本发明实施例提供的一种IGBT的直通保护装置的结构示意图;
图14为本发明实施例提供的另一IGBT的直通保护装置的结构示意图;
图15为本发明实施例提供的又一IGBT的直通保护装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图,对本发明实施例提供的IGBT的直通检测、保护方法及装置的具体实施方式进行详细地说明。
需要说明的是,本发明实施例提供的IGBT的直通检测、保护方法可以单独实施,也可以组合实施,本发明实施例对此不做限定。
如图1所述,本发明实施例提供一种IGBT的直通检测方法,包括以下步骤:
S101,在确定驱动IGBT驱动信号由驱动IGBT关闭变化为驱动IGBT开通时,等待第一预设时长后检测IGBT的漏极与源极之间的电压。
具体实施时,确定IGBT的驱动信号由驱动IGBT关闭变化为驱动IGBT开通时,等待第一预设时长后检测IGBT的漏极与源极之间的电压。
S102,在确定IGBT的漏极与源极之间的电压大于预设故障电压阈值时,确定IGBT发生直通故障。
具体实施时,第一预设时长和预设故障电压阈值均可以根据实际需求设置,本发明对此不做限定。例如,第一预设时长可以设置为5微秒(μs),预设故障电压阈值为9伏(V)。
具体实施时,本发明实施例中提供的方法在确定驱动IGBT的驱动信号为驱动IGBT关闭时,停止检测。
在一个示例中,如图2所示,图中Vge为驱动信号电压,Vce为IGBT的漏极与源极之间的电压,t为第一预设时长,在驱动信号由驱动IGBT关闭变化为驱动IGBT开通时,延时预设时长t之后,检测IGBT的漏极与源极之间的电压,当IGBT的漏极与源极之间的电压大于预设故障电压阈值时,确定IGBT发生直通故障。
在一种可能的实施方式中,本发明实施例还可以在确定IGBT发生直通故障时,以预设变化规律减小驱动IGBT的驱动信号的驱动电压,并在确定驱动信号的驱动电压小于或等于预设驱动电压阈值时,将驱动电压调节为驱动IGBT关闭。
具体实施时,预设变化规律可以根据实际需要进行灵活设定,本发明实施例对此不做限定,例如,预设变化规律为每微秒下降0.1V或者0.5V。
需要说明的是,预设驱动电压阈值可以根据实际需要设定,本发明实施例对此不做限定。例如,预设驱动电压阈值为8V。
在一个示例中,如图3所示,图中Vge为驱动信号电压,Vce为IGBT的漏极与源极之间的电压,t为第一预设时长,t1时刻为确定IGBT发生直通故障的时刻点,t2时刻为将驱动电压调节为驱动IGBT关闭的时刻点,V0为预设驱动电压阈值,在t1时刻,确定IGBT的漏极与源极之间的电压大于预设故障电压阈值,即确定IGBT发生直通故障,开始按预设变化规律减小驱动IGBT的驱动信号的驱动电压,直到到达t2时刻,驱动信号的驱动电压小于或等于预设驱动电压阈值,将驱动电压调节为驱动IGBT关闭。
在一种可能的实施方式中,本发明实施例还可以在确定IGBT发生直通故障时,以预设变化规律减小驱动IGBT的驱动信号的驱动电压,在确定驱动信号的驱动电压小于或等于预设驱动电压阈值时,等待第二预设时长后重新检测IGBT的漏极与源极之间的目标电压,并在确定目标电压小于预设故障电压阈值时,恢复驱动信号的驱动电压至原始电压,原始电压为IGBT发生直通故障时驱动信号的驱动电压。
具体实施时,预设变化规律可以根据实际需要进行灵活设定,本发明实施例对此不做限定。例如,预设变化规律为每微秒下降0.1V或者0.5V。
需要说明的是,第二预设时长可以根据实际需要设定,本发明实施例对此不做限定。例如,第二预设时长可以设置为20μs。
在一个示例中,如图4所示,图中Vge为驱动信号电压,Vce为IGBT的漏极与源极之间的电压,t为第一预设时长,t1时刻为确定IGBT发生直通故障的时刻点,t2重新检测IGBT的漏极与源极之间的目标电压的时刻点,t1-t2为第二预设时长t'。
在t1时刻,确定IGBT的漏极与源极之间的电压大于预设故障电压阈值,即确定IGBT发生直通故障,开始按预设变化规律减小驱动IGBT的驱动信号的驱动电压,经过第二预设时长t',到达t2时刻,重新检测IGBT的漏极与源极之间的目标电压,若目标电压小于预设故障电压阈值,即IGBT已不存在直通故障,恢复驱动信号的驱动电压至原始电压,原始电压为IGBT发生直通故障时,即t1时刻时的驱动信号的驱动电压,若目标电压大于或等于预设故障电压阈值,即直通故障依然存在,则将驱动电压调节为驱动IGBT关闭。
在一种可能的实施方式中,本发明实施例还可以在确定IGBT发生直通故障时,等待第二预设时长后重新检测IGBT的漏极与源极之间的目标电压,并在确定目标电压小于预设故障电压阈值时,利用驱动信号驱动IGBT。
需要说明的是,第二预设时长可以根据实际需要设定,本发明实施例对此不做限定。例如,第二预设时长可以设置为20μs。
在一个示例中,如图5所示,图中Vge为驱动信号电压,Vce为IGBT的漏极与源极之间的电压,t为第一预设时长,t1时刻为确定IGBT发生直通故障的时刻点,t2重新检测IGBT的漏极与源极之间的目标电压的时刻点,t1-t2为第二预设时长t'。
在t1时刻,确定IGBT的漏极与源极之间的电压大于预设故障电压阈值,即确定IGBT发生直通故障之后,经过第二预设时长t',到达t2时刻,重新检测IGBT的漏极与源极之间的目标电压。若目标电压小于预设故障电压阈值,即IGBT已不存在直通故障,恢复驱动信号的驱动电压至原始电压,原始电压为IGBT发生直通故障时,即t1时刻时的驱动信号的驱动电压,若目标电压大于或等于预设故障电压阈值,即依然存在直通故障,将驱动电压调节为驱动IGBT关闭。
下面结合图6-图11对本发明实施例提供的IGBT的直通保护方法进行详细说明。
如图6所示,本发明实施例提供一种IGBT的直通保护方法,包括:
S601,在确定IGBT发生直通故障时,以预设变化规律减小驱动IGBT的驱动信号的驱动电压。
S602,在确定驱动信号的驱动电压小于或等于预设驱动电压阈值时,将驱动电压调节为驱动IGBT关闭。
具体实施时,预设变化规律可以根据实际需要进行灵活设定,本发明实施例对此不做限定。例如,预设变化规律为每微秒下降0.1V或者0.5V。
需要说明的是,预设驱动电压阈值可以根据实际需要设定,本发明实施例对此不做限定。例如,预设驱动电压阈值设置为8V。
在一个示例中,如图7所示,图中Vge为驱动信号电压,Vce为IGBT的漏极与源极之间的电压,t1时刻为确定IGBT发生直通故障的时刻点,t2时刻为将驱动电压调节为驱动IGBT关闭的时刻点,V0为预设驱动电压阈值。
在t1时刻,确定IGBT发生直通故障,开始按预设变化规律减小驱动IGBT的驱动信号的驱动电压,直到到达t2时刻,驱动信号的驱动电压小于或等于预设驱动电压阈值,将驱动电压调节为驱动IGBT关闭。
如图8所示,本发明实施例提供另一IGBT的直通保护方法,包括如下步骤:
S801,在确定IGBT发生直通故障时,以预设变化规律减小驱动IGBT的驱动信号的驱动电压。
S802,在确定驱动信号的驱动电压小于或等于预设驱动电压阈值时,等待预设时长后检测IGBT的漏极与源极之间的电压。
S803,在确定IGBT的漏极与源极之间的电压小于预设故障电压阈值时,恢复驱动信号的驱动电压至原始电压,原始电压为IGBT发生直通故障时驱动信号的驱动电压。
具体实施时,预设变化规律可以根据实际需要进行灵活设定,本发明实施例对此不做限定。例如,预设变化规律为每微秒下降0.1V或者0.5V。
需要说明的是,预设时长可以根据实际需要设定,本发明实施例对此不做限定。例如,预设时长设置为20μs。
在一个示例中,如图9所示,图中Vge为驱动信号电压,Vce为IGBT的漏极与源极之间的电压,t为预设时长,t1时刻为确定IGBT发生直通故障的时刻点,t2重新检测IGBT的漏极与源极之间的目标电压的时刻点。
在t1时刻,确定IGBT的漏极与源极之间的电压大于预设故障电压阈值,即确定IGBT发生直通故障,开始按预设变化规律减小驱动IGBT的驱动信号的驱动电压,经过预设时长t,到达t2时刻,重新检测IGBT的漏极与源极之间的目标电压。若目标电压小于预设故障电压阈值,即IGBT已不存在直通故障,恢复驱动信号的驱动电压至原始电压,原始电压为IGBT发生直通故障时,即t1时刻时的驱动信号的驱动电压,若目标电压大于或等于预设故障电压阈值,即直通故障依然存在,将驱动电压调节为驱动IGBT关闭。
在一种可能的实施方式中,本发明实施例提供的方法还包括如下步骤:
在确定IGBT的漏极与源极之间的电压大于预设故障电压阈值时,将驱动电压调节为驱动IGBT关闭。
如图10所示,本发明实施例提供又一种IGBT的直通保护方法,包括如下步骤:
S1001,在确定IGBT发生直通故障时,等待预设时长后检测IGBT的漏极与源极之间的电压。
S1002,在确定IGBT的漏极与源极之间的电压小于预设故障电压阈值时,利用驱动信号驱动IGBT。
在一个示例中,如图11所示,图中Vge为驱动信号电压,Vce为IGBT的漏极与源极之间的电压,t为预设时长,t1时刻为确定IGBT发生直通故障的时刻点,t2重新检测IGBT的漏极与源极之间的目标电压的时刻点。
在t1时刻,确定IGBT的漏极与源极之间的电压大于预设故障电压阈值,即确定IGBT发生直通故障,经过预设时长t,到达t2时刻,重新检测IGBT的漏极与源极之间的目标电压,若目标电压小于预设故障电压阈值,即IGBT已不存在直通故障,恢复驱动信号的驱动电压至原始电压,原始电压为IGBT发生直通故障时,即t1时刻时的驱动信号的驱动电压,若目标电压大于或等于预设故障电压阈值,即直通故障依然存在,将驱动电压调节为驱动IGBT关闭。
基于相同的发明构思,本发明实施例提供一种IGBT的直通检测装置,如图12所示,该装置包括:
检测单元1201,用于在确定驱动IGBT的驱动信号由驱动IGBT关闭变化为驱动IGBT开通时,等待第一预设时长后检测IGBT的漏极与源极之间的电压;
处理单元1202,用于在确定IGBT的漏极与源极之间的电压大于预设故障电压阈值时,确定IGBT发生直通故障。
在一种可能的实施方式中,本发明实施例提供的装置还包括故障处理单元1203,用于:
在确定IGBT发生直通故障时,以预设变化规律减小驱动IGBT的驱动信号的驱动电压;
在确定驱动信号的驱动电压小于或等于预设驱动电压阈值时,将驱动电压调节为驱动IGBT关闭。
在一种可能的实施方式中,本发明实施例提供的装置还包括故障处理单元1203,用于:
在确定IGBT发生直通故障时,以预设变化规律减小驱动IGBT的驱动信号的驱动电压;
在确定驱动信号的驱动电压小于或等于预设驱动电压阈值时,等待第二预设时长后重新检测IGBT的漏极与源极之间的目标电压;
在确定目标电压小于预设故障电压阈值时,恢复驱动信号的驱动电压至原始电压,原始电压为IGBT发生直通故障时驱动信号的驱动电压。
在一种可能的实施方式中,本发明实施例提供的装置还包括故障处理单元1203,用于:
在确定IGBT发生直通故障时,等待第二预设时长后重新检测IGBT的漏极与源极之间的目标电压;
在确定目标电压小于预设故障电压阈值时,利用驱动信号驱动IGBT。
在一种可能的实施方式中,本发明实施例提供的装置中,故障处理单元1203,还用于:
在确定目标电压大于预设故障电压阈值时,将驱动电压调节为驱动IGBT关闭。
如图13所示,本发明实施例提供一种IGBT的直通保护装置,包括:
处理单元1301,用于在确定IGBT发生直通故障时,以预设变化规律减小驱动IGBT的驱动信号的驱动电压;
控制单元1302,用于在确定驱动信号的驱动电压小于或等于预设驱动电压阈值时,将驱动电压调节为驱动IGBT关闭。
如图14所示,本发明实施例提供另一种IGBT的直通保护装置,包括:
处理单元1401,用于在确定IGBT发生直通故障时,以预设变化规律减小驱动IGBT的驱动信号的驱动电压;
检测单元1402,用于在确定驱动信号的驱动电压小于或等于预设驱动电压阈值时,等待预设时长后检测IGBT的漏极与源极之间的电压;
控制单元1403,用于在确定IGBT的漏极与源极之间的电压小于预设故障电压阈值时,恢复驱动信号的驱动电压至原始电压,原始电压为IGBT发生直通故障时驱动信号的驱动电压。
在一种可能的实施方式中,本发明实施例提供的装置中控制单元1403还用于:
在确定IGBT的漏极与源极之间的电压大于预设故障电压阈值时,将驱动电压调节为驱动IGBT关闭。
如图15所示,本发明实施例提供又一种IGBT的直通保护装置,包括:
检测单元1501,用于在确定IGBT发生直通故障时,等待预设时长后检测IGBT的漏极与源极之间的电压;
处理单元1502,用于在确定IGBT的漏极与源极之间的电压小于预设故障电压阈值时,利用驱动信号驱动IGBT。
在一种可能的实施方式中,本发明实施例提供的装置中处理单元1502还用于:
在确定IGBT的漏极与源极之间的电压大于预设故障电压阈值时,将驱动电压调节为驱动IGBT关闭。
尽管已描述了本申请的优选实施例,但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念,则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以,所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本申请范围的所有变更和修改。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种绝缘栅双极型晶体管IGBT的直通检测方法,其特征在于,包括:
在确定驱动IGBT的驱动信号由驱动IGBT关闭变化为驱动IGBT开通时,等待第一预设时长后检测所述IGBT的漏极与源极之间的电压;
在确定所述IGBT的漏极与所述IGBT的源极之间的电压大于预设故障电压阈值时,确定所述IGBT发生直通故障;
其中,所述方法还包括:
在确定所述IGBT发生直通故障时,以预设变化规律减小所述驱动信号的驱动电压;
在确定所述驱动信号的驱动电压小于或等于预设驱动电压阈值时,等待第二预设时长后重新检测所述IGBT的漏极与源极之间的目标电压;
在确定所述目标电压小于所述预设故障电压阈值时,恢复所述驱动信号的驱动电压至原始电压,所述原始电压为所述IGBT发生直通故障时所述驱动信号的驱动电压。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在确定所述IGBT发生直通故障时,等待第二预设时长后重新检测所述IGBT的漏极与源极之间的目标电压;
在确定所述目标电压小于所述预设故障电压阈值时,利用所述驱动信号驱动所述IGBT。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在确定所述目标电压大于所述预设故障电压阈值时,将所述驱动电压调节为驱动所述IGBT关闭。
4.一种绝缘栅双极型晶体管IGBT的直通保护方法,其特征在于,包括:
在确定所述IGBT发生直通故障时,以预设变化规律减小驱动IGBT的驱动信号的驱动电压;
在确定所述驱动信号的驱动电压小于或等于预设驱动电压阈值时,等待预设时长后检测所述IGBT的漏极与源极之间的电压;
在确定所述IGBT的漏极与源极之间的电压小于预设故障电压阈值时,恢复所述驱动信号的驱动电压至原始电压,所述原始电压为所述IGBT发生直通故障时所述驱动信号的驱动电压。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在确定所述IGBT的漏极与源极之间的电压大于所述预设故障电压阈值时,将所述驱动电压调节为驱动所述IGBT关闭。
6.一种绝缘栅双极型晶体管IGBT的直通检测装置,其特征在于,包括:
检测单元,用于在确定驱动IGBT的驱动信号由驱动IGBT关闭变化为驱动IGBT开通时,等待第一预设时长后检测所述IGBT的漏极与源极之间的电压;
处理单元,用于在确定所述IGBT的漏极与源极之间的电压大于预设故障电压阈值时,确定所述IGBT发生直通故障;
其中,所述装置还包括:
故障处理单元,用于:
在确定所述IGBT发生直通故障时,以预设变化规律减小所述驱动信号的驱动电压;
在确定所述驱动信号的驱动电压小于或等于预设驱动电压阈值时,等待第二预设时长后重新检测所述IGBT的漏极与源极之间的目标电压;
在确定所述目标电压小于所述预设故障电压阈值时,恢复所述驱动信号的驱动电压至原始电压,所述原始电压为所述IGBT发生直通故障时所述驱动信号的驱动电压。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:
故障处理单元,用于:
在确定所述IGBT发生直通故障时,等待第二预设时长后重新检测所述IGBT的漏极与源极之间的目标电压;
在确定所述目标电压小于所述预设故障电压阈值时,利用所述驱动信号驱动所述IGBT。
8.根据权利要求6或7所述的装置,其特征在于,所述故障处理单元,还用于:
在确定所述目标电压大于所述预设故障电压阈值时,将所述驱动电压调节为驱动所述IGBT关闭。
9.一种绝缘栅双极型晶体管IGBT的直通保护装置,其特征在于,包括:
处理单元,用于在确定所述IGBT发生直通故障时,以预设变化规律减小驱动IGBT的驱动信号的驱动电压;
检测单元,用于在确定所述驱动信号的驱动电压小于或等于预设驱动电压阈值时,等待预设时长后检测所述IGBT的漏极与源极之间的电压;
控制单元,用于在确定所述IGBT的漏极与源极之间的电压小于预设故障电压阈值时,恢复所述驱动信号的驱动电压至原始电压,所述原始电压为所述IGBT发生直通故障时所述驱动信号的驱动电压。
10.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,所述控制单元还用于:
在确定所述IGBT的漏极与源极之间的电压大于所述预设故障电压阈值时,将所述驱动电压调节为驱动所述IGBT关闭。
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102377326A (zh) * 2010-08-20 2012-03-14 深圳市澳地特电气技术有限公司 基于igbt桥式开关拓扑的驱动电路及其保护模块

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4331994A (en) * 1979-09-28 1982-05-25 Borg-Warner Corporation Shootthrough fault protection system for a voltage source transistor inverter
JP3554353B2 (ja) * 1994-02-14 2004-08-18 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 電界効果トランジスタの保護装置
CN201708537U (zh) * 2010-06-21 2011-01-12 广东易事特电源股份有限公司 一种变换器桥臂直通保护电路
CN103199678B (zh) * 2013-04-17 2015-05-20 国电南瑞科技股份有限公司 一种紧凑型igbt模块驱动单元
CN104237761B (zh) * 2013-06-13 2018-05-04 通用电气公司 绝缘栅双极型晶体管的失效模式检测及保护的***和方法
CN203278624U (zh) * 2013-06-18 2013-11-06 欧瑞传动电气股份有限公司 一种带保护延时的igbt驱动电路
CN206331081U (zh) * 2016-09-18 2017-07-14 深圳市禾望电气股份有限公司 半导体器件故障检测的装置
CN206412994U (zh) * 2017-01-20 2017-08-15 武汉研途电气有限公司 一种全过程检测igbt状态的触发电路

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102377326A (zh) * 2010-08-20 2012-03-14 深圳市澳地特电气技术有限公司 基于igbt桥式开关拓扑的驱动电路及其保护模块

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