CN111584508A - 一种有机绝缘膜及显示面板 - Google Patents
一种有机绝缘膜及显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111584508A CN111584508A CN202010403863.9A CN202010403863A CN111584508A CN 111584508 A CN111584508 A CN 111584508A CN 202010403863 A CN202010403863 A CN 202010403863A CN 111584508 A CN111584508 A CN 111584508A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- organic insulating
- insulating layer
- insulating film
- main
- auxiliary
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000219 Ethylene vinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 claims description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- KHXKESCWFMPTFT-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,2,3,3-heptafluoro-3-(1,2,2-trifluoroethenoxy)propane Chemical compound FC(F)=C(F)OC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F KHXKESCWFMPTFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供一种有机绝缘膜及显示面板，该有机绝缘膜包括：至少一主有机绝缘层，所述主有机绝缘层的材料为设定感光树脂；至少一副有机绝缘层，设于所述主有机绝缘层的一侧，所述副有机绝缘层的材料包括所述设定感光树脂和热塑性聚合物。本发明的有机绝缘膜及显示面板，能够提高隔绝水氧的能力。
Description
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种有机绝缘膜及显示面板。
【背景技术】
现有金属氧化物半导体层的薄膜晶体管，为了满足充电率要求以及降低错充风险，一般采用有机绝缘膜作为保护层(Passiviation)。
然而有机绝缘膜与传统的化学气相沉积(CVD)镀膜制作的普通绝缘材料(SiNx或SiOx)的保护层相比，有机绝缘膜隔绝水氧特性相对较弱，使得器件易受外界环境影响而发生电性漂移。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种有机绝缘膜及显示面板，能够提高隔绝水氧的能力。
为解决上述技术问题，本发明提供一种有机绝缘膜，包括：
至少一主有机绝缘层，所述主有机绝缘层的材料为设定感光树脂；
至少一副有机绝缘层，设于所述主有机绝缘层的一侧，所述副有机绝缘层的材料包括所述设定感光树脂和热塑性聚合物。
本发明还提供一种显示面板，其包括上述有机绝缘膜。
本发明的有机绝缘膜及显示面板，包括至少一主有机绝缘层，所述主有机绝缘层的材料为设定感光树脂；至少一副有机绝缘层，设于所述主有机绝缘层的一侧，所述副有机绝缘层的材料包括所述设定感光树脂和热塑性聚合物；由于添加了热塑性聚合物，因此提高了有机绝缘膜的水氧阻隔能力。
【附图说明】
图1为本发明实施例一的有机绝缘膜的结构示意图；
图2为本发明实施例二的有机绝缘膜的结构示意图；
图3为本发明一实施方式的显示面板的结构示意图；
图4为本发明另一实施方式的显示面板的结构示意图。
【具体实施方式】
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
请参照图1，图1为本发明实施例一的有机绝缘膜的结构示意图。
如图1所示，本实施例的有机绝缘膜20包括：主有机绝缘层21和副有机绝缘层22。
其中所述主有机绝缘层21的材料为设定感光树脂；在一实施方式中，所述设定感光树脂包括PFA，PFA为少量全氟丙基全氟乙烯基醚与聚四氟乙烯的共聚物，所述设定感光树脂的材料可包括丙烯酸树脂和硅氧树脂中的至少一种。
副有机绝缘层22设于所述主有机绝缘层21的上方，当然也可设于所述主有机绝缘层21的下方。所述副有机绝缘层22的材料包括所述设定感光树脂和热塑性聚合物。
在一实施方式中，为了进一步提高水氧阻隔能力，所述热塑性聚合物包括乙烯-乙烯醇共聚物和乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中的至少一种。
在一实施方式中，为了进一步提高水氧阻隔能力，所述副有机绝缘层22的厚度范围为0.3um～2um。
在一实施方式中，所述副有机绝缘层22的材料还包括光引发剂、溶剂和添加剂。
在一实施方式中，所述副有机绝缘层22中所述热塑性聚合物的重量百分比范围为0.1％-5％；所述副有机绝缘层22中所述设定感光树脂的重量百分比范围为1％-25％；所述副有机绝缘层22中所述光引发剂的重量百分比范围为0.05％-10％；所述副有机绝缘层22中所述添加剂的重量百分比范围为0.01％～5％，其余含量为溶剂。
在一实施方式中，所述主有机绝缘层21的极性为正型，所述副有机绝缘层22的极性为正或者负。
在一实施方式中，副有机绝缘层22的制备方式具体如下：
将1-25wt％的PFA树脂、0.1-8wt％的热塑性聚合物、0.05-10wt％的光引发剂、0.01～5wt％添加剂以及溶剂混合，之后进行加热，上述树脂与热塑性聚合物发生交联反应，其中PFA树脂比如包括丙烯酸树脂、硅氧树脂等，主要影响膜层的曝光、显影、力学以及化学特性。光引发剂可以为光刻胶的常用引发剂，如PAC(聚合氯化铝)、PAG(聚亚烷基二醇)等；添加剂比如为附着助剂、流平剂等。
当所述光引发剂为正型光刻胶的引发剂时，通过上述步骤得到极性为正型副有机绝缘层。
当所述光引发剂为负型光刻胶的引发剂时，通过上述步骤得到极性为负型副有机绝缘层。其中负型光刻胶的常用引发剂在紫外光照射下能产能自由基，如苯乙酮类、二苯甲酮类、咪唑类等。
本实施例的有机绝缘膜具体在制作过程中包括以下步骤：
S101、在衬底基板上涂布设定感光树脂(比如正型PFA)、经过黄光、显影后，再高温烘烤(Oven)后，形成主有机绝缘层21。
主有机绝缘层21的膜厚范围可为0.3um～2um，其中优选为0.7um。
S102、在主有机绝缘层上涂布设定感光树脂和热塑性聚合物、经过黄光、显影后，再高温烘烤(Oven)后，形成副有机绝缘层。
副有机绝缘层22的膜厚范围可为0.3um～2um，其中优选为0.7um。
由于添加热塑性聚合物，因此增加有机绝缘膜的水氧阻隔能力，此外由于有机绝缘膜中的各层的材料相同，因此可以通过一道蚀刻工艺形成过程，提高了生产效率。
可以理解的，如果在有机绝缘膜上方或者下方增加一层普通绝缘层以提升隔绝水氧的特性，但是由于普通绝缘材料与有机绝缘的材料差异，不便于一次性在其上形成过孔，增加了蚀刻工艺的难度；如采用分步蚀刻会增加掩膜工艺，降低了生产效率。
请参照图2，图2为本发明实施例二的有机绝缘膜的结构示意图。
如图2所示，本实施例的有机绝缘膜20与上一实施例的区别在于：本实施例的主有机绝缘层为两层，也即包括第一主有机绝缘层21和第二主有机绝缘层23。所述副有机绝缘层22设于第一主有机绝缘层21和所述第二主有机绝缘层23之间。
本实施例的有机绝缘膜具体在制作过程中包括以下步骤：
S201、在衬底基板上涂布设定感光树脂(比如正型PFA)、经过黄光、显影后，再高温烘烤(Oven)后，形成第一主有机绝缘层21。
第一主有机绝缘层21的膜厚范围可为0.3um～2um，其中优选为0.7um。
S202、在主有机绝缘层上涂布设定感光树脂和热塑性聚合物、经过黄光、显影后，再高温烘烤(Oven)后，形成副有机绝缘层。
副有机绝缘层22的膜厚范围可为0.3um～2um，其中优选为0.7um。
S203、在衬底基板上涂布设定感光树脂(比如正型PFA)、经过黄光、显影后，再高温烘烤(Oven)后，形成第二主有机绝缘层23。
第二主有机绝缘层23的膜厚范围可为0.3um～2um，其中优选为0.7um。
当然，可以理解的，所述有机绝缘膜20可包括多层(大于2)主有机绝缘层和多层(大于1)副有机绝缘层，其中所述主有机绝缘层和所述副有机绝缘层的总层数大于等于2小于等于10。通过设置多层膜层，进一步提升阻隔能力，由于各层膜厚较薄使得阻隔层的硬度增加，从而提高了面板的抗压能力。
如图3和图4所示，本发明还提供一种显示面板，包括：衬底基板10、第一金属层、栅绝缘层12、第二金属层、有机绝缘膜20以及透明导电层30，其中第一金属层用于形成栅极和第一辅助电极12、第二金属层用于形成源极和漏极以及第二辅助电极13，有机绝缘膜20上形成有第一过孔201和第二过孔202，第一过孔201和第二过孔202可通过干刻工艺(Dry)制作得到，由于有机绝缘膜的材料相同，因此可以通过一道蚀刻工艺形成过程，且过孔的内避较平滑，从而提高连接的稳定性。
第一辅助电极12通过第一过孔201与透明导电层30连接；第二辅助电极13通过第二过孔202与透明导电层30连接。
图3和图4仅给出显示面板的连接区域的示意图，其余区域未示出。可以理解的，图3和图4以实施例一的有机绝缘膜为例进行说明，但是不能对本发明构成限定，本发明其余实施例的有机绝缘膜同样可以适应与上述显示面板中。
本发明的有机绝缘膜及显示面板，包括至少一主有机绝缘层，所述主有机绝缘层的材料为设定感光树脂；至少一副有机绝缘层，设于所述主有机绝缘层的一侧，所述副有机绝缘层的材料包括所述设定感光树脂和热塑性聚合物；由于添加了热塑性聚合物，因此提高了有机绝缘膜的水氧阻隔能力，此外由于有机绝缘膜中的各层的材料相同，因此可以通过一道蚀刻工艺形成过程，提高了生产效率。也即在提高隔绝水氧特性的能力的同时，提高了生产效率。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种有机绝缘膜，其特征在于，包括：
至少一主有机绝缘层，所述主有机绝缘层的材料为设定感光树脂；
至少一副有机绝缘层，设于所述主有机绝缘层的一侧，所述副有机绝缘层的材料包括所述设定感光树脂和热塑性聚合物。
2.根据权利要求1所述的有机绝缘膜，其特征在于，
所述热塑性聚合物包括乙烯-乙烯醇共聚物和乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的有机绝缘膜，其特征在于，
所述副有机绝缘层的厚度范围为0.3um～2um。
4.根据权利要求1所述的有机绝缘膜，其特征在于，
所述副有机绝缘层的材料还包括光引发剂、溶剂以及添加剂。
5.根据权利要求4所述的有机绝缘膜，其特征在于，
所述副有机绝缘层中所述热塑性聚合物的重量百分比范围为0.1％-5％；
所述副有机绝缘层中所述设定感光树脂的重量百分比范围为1％-25％；
所述副有机绝缘层中所述光引发剂的重量百分比范围为0.05％-10％；
所述副有机绝缘层中所述添加剂的重量百分比范围为0.01％～5％。
6.根据权利要求1所述的有机绝缘膜，其特征在于，
所述设定感光树脂为PFA。
7.根据权利要求6所述的有机绝缘膜，其特征在于，
所述设定感光树脂包括丙烯酸树脂和硅氧树脂中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的有机绝缘膜，其特征在于，所述有机绝缘膜还包括：
所述第一主有机绝缘层和所述第二主有机绝缘层；所述副有机绝缘层设于第一主有机绝缘层和所述第二主有机绝缘层之间。
9.根据权利要求1所述的有机绝缘膜，其特征在于，
所述有机绝缘膜包括多层主有机绝缘层和多层副有机绝缘层，其中所述主有机绝缘层和所述副有机绝缘层的总层数小于等于10。
10.一种显示面板，其特征在于，包括：如权利要求1至9任意一项所述的有机绝缘膜。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010403863.9A CN111584508B (zh) | 2020-05-13 | 2020-05-13 | 一种有机绝缘膜及显示面板 |
| PCT/CN2020/096498 WO2021227191A1 (zh) | 2020-05-13 | 2020-06-17 | 一种有机绝缘膜及显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010403863.9A CN111584508B (zh) | 2020-05-13 | 2020-05-13 | 一种有机绝缘膜及显示面板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111584508A true CN111584508A (zh) | 2020-08-25 |
| CN111584508B CN111584508B (zh) | 2024-02-27 |
Family
ID=72124937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010403863.9A Active CN111584508B (zh) | 2020-05-13 | 2020-05-13 | 一种有机绝缘膜及显示面板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111584508B (zh) |
| WO (1) | WO2021227191A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112406237A (zh) * | 2020-11-19 | 2021-02-26 | 太湖华强科技有限公司 | 一种有机绝缘膜 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09265183A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 蛍光体パターンの製造法 |
| JP2003131377A (ja) * | 2001-10-22 | 2003-05-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 層間絶縁膜用感光性樹脂組成物および感光性転写材料 |
| CN103477284A (zh) * | 2011-03-17 | 2013-12-25 | 李允炯 | 化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物及利用该组合物的有机绝缘膜的形成方法 |
| CN106597809A (zh) * | 2016-12-01 | 2017-04-26 | 杭州福斯特光伏材料股份有限公司 | 一种高频传输电路板用感光性聚酰亚胺树脂组合物 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09265184A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性エレメント及びこれを用いた蛍光体パターンの製造法 |
| US6797760B1 (en) * | 1999-10-15 | 2004-09-28 | Alphagary Corporation | Non-dripping, flame retardant, fluoroelastomer insulative compositions for telecommunication cables |
-
2020
- 2020-05-13 CN CN202010403863.9A patent/CN111584508B/zh active Active
- 2020-06-17 WO PCT/CN2020/096498 patent/WO2021227191A1/zh active Application Filing
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09265183A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 蛍光体パターンの製造法 |
| JP2003131377A (ja) * | 2001-10-22 | 2003-05-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 層間絶縁膜用感光性樹脂組成物および感光性転写材料 |
| CN103477284A (zh) * | 2011-03-17 | 2013-12-25 | 李允炯 | 化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物及利用该组合物的有机绝缘膜的形成方法 |
| CN106597809A (zh) * | 2016-12-01 | 2017-04-26 | 杭州福斯特光伏材料股份有限公司 | 一种高频传输电路板用感光性聚酰亚胺树脂组合物 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112406237A (zh) * | 2020-11-19 | 2021-02-26 | 太湖华强科技有限公司 | 一种有机绝缘膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2021227191A1 (zh) | 2021-11-18 |
| CN111584508B (zh) | 2024-02-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9971182B2 (en) | Touch panel and preparation method therefor | |
| WO2017159543A1 (ja) | 感光性樹脂組成物、硬化膜、積層体、タッチパネル用部材及び硬化膜の製造方法 | |
| CN112582569B (zh) | 一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置 | |
| JP2011150550A (ja) | タッチパネル部材、並びに、上記タッチパネル部材を用いた表示装置及びタッチパネル | |
| TW201905026A (zh) | 圖像顯示裝置密封材及圖像顯示裝置密封片 | |
| CN111584508B (zh) | 一种有机绝缘膜及显示面板 | |
| CN107037627A (zh) | 一种偏光片及其制备方法、显示装置 | |
| US20180233379A1 (en) | Method of forming via hole, array substrate and method of forming the same and display device | |
| US9897863B2 (en) | Array substrate, display panel and display apparatus having recesses on data lines or gate lines | |
| CN112599701B (zh) | 显示基板 | |
| TW201439872A (zh) | 透明導電性薄膜及具有其之觸控面板以及顯示裝置 | |
| CN110797303B (zh) | 一种基板及其制备方法、显示装置 | |
| KR20170037527A (ko) | 도전성 고분자 조성물, 피복품 및 패턴 형성 방법 | |
| CN107709388B (zh) | 光固化性树脂组合物 | |
| WO2019218822A1 (zh) | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置 | |
| US20190250482A1 (en) | Light beam direction control element | |
| US10583586B2 (en) | Imprint mold and manufacturing method of the same | |
| KR101721563B1 (ko) | 투명전극필름 및 그 제조방법 | |
| US20130071561A1 (en) | Compositions and antireflective coatings for photolithography | |
| CN109192739B (zh) | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置 | |
| CN107611115B (zh) | 集成电路针脚、内嵌式触摸屏及集成电路针脚的封装方法 | |
| US10324328B2 (en) | COA liquid crystal panel and method for manufacturing the same | |
| US20240237495A9 (en) | Curved display panel, manufacturing method thereof, and display device | |
| CN109585303A (zh) | 显示面板、阵列基板、薄膜晶体管及其制造方法 | |
| CN111025731A (zh) | 色阻堆叠结构和显示面板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |