CN111566882B - 半导体激光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种半导体激光装置，其包括：半导体激光元件；支承所述半导体激光元件的基体；和配线部，其形成于所述基体，构成向所述半导体激光元件去的导通路径。所述基体具有：朝向该基体的厚度方向上的一侧且搭载所述半导体激光元件的搭载面；和相对于所述半导体激光元件位于与所述厚度方向成直角的第1方向上的一侧的出射部。来自所述半导体激光元件的光通过所述出射部而出射。

Description

半导体激光装置
技术领域
本发明涉及半导体激光装置。
背景技术
半导体激光装置作为各种电子设备的光源器件被广泛使用。例如，在日本特开2017-147301号公报中，公开了现有的半导体激光装置的一例。该文献中所公开的半导体激光装置包括圆板状的基底部和设置在基底部的上表面的散热部。在散热部搭载有半导体激光元件。从基底部的下表面延伸出2个引线。该现有的半导体激光装置，以使各引线插通于电路板所形成的孔中的状态被安装于该电路板。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-147301号公报。
发明内容
发明要解决的技术问题
与上述的方式不同，根据电子设备的种类，有时要求表面安装型的半导体激光装置。
本发明的目的之一在于提供一种能够表面安装的半导体激光装置。
用于解决问题的技术手段
本发明提供一种半导体激光装置，其包括：半导体激光元件；支承所述半导体激光元件的基体；和配线部，其形成于所述基体，构成向所述半导体激光元件去的导通路径。所述基体具有：朝向该基体的厚度方向上的一侧且搭载所述半导体激光元件的搭载面；和相对于所述半导体激光元件位于与所述厚度方向成直角的第1方向上的一侧的出射部。来自所述半导体激光元件的光通过所述出射部而出射。
发明效果
依据本发明的半导体激光装置，能够实现表面安装。
本发明的其它的特征和优点通过参照附图在以下进行的详细说明能够更加明确。
附图说明
图1是表示第1实施方式的半导体激光装置的俯视图。
图2是表示第1实施方式的半导体激光装置的主视图。
图3是表示第1实施方式的半导体激光装置的侧视图。
图4是表示第1实施方式的半导体激光装置的仰视图。
图5是沿着图1的V-V线的剖视图。
图6是放大表示第1实施方式的半导体激光装置的一部分的剖视图。
图7是沿着图1的VII-VII线的剖视图。
图8是表示第1实施方式的半导体激光装置的基体的俯视图。
图9是表示第1实施方式的半导体激光装置的基体的俯视图。
图10是表示第1实施方式的半导体激光装置的基体的俯视图。
图11是说明第1实施方式的半导体激光装置的第1变形例的放大剖视图。
图12是说明第1实施方式的半导体激光装置的第2变形例的放大剖视图。
图13是表示第1实施方式的半导体激光装置的第3变形例的剖视图。
图14是表示第1实施方式的半导体激光装置的第4变形例的剖视图。
图15是表示第1实施方式的半导体激光装置的第5变形例的剖视图。
图16是表示第1实施方式的半导体激光装置的第6变形例的俯视图。
图17是沿着图16的XVII-XVII线的剖视图。
图18是表示第2实施方式的半导体激光装置的俯视图。
图19是说明第2实施方式的半导体激光装置的基体的俯视图。
图20是说明第2实施方式的半导体激光装置的基体的俯视图。
图21是表示第3实施方式的半导体激光装置的俯视图。
图22是表示第3实施方式的半导体激光装置的侧视图。
图23是表示第3实施方式的半导体激光装置的仰视图。
图24是沿着图21的XXIV-XXIV线的剖视图。
图25是说明第3实施方式的半导体激光装置的基体的俯视图。
图26是说明第3实施方式的半导体激光装置的基体的俯视图。
图27是说明第3实施方式的半导体激光装置的基体的俯视图。
图28是表示第3实施方式的半导体激光装置的第1变形例的剖视图。
图29是表示第4实施方式的半导体激光装置的俯视图。
图30是表示第4实施方式的半导体激光装置的仰视图。
图31是沿着图29的XXXI-XXXI线的剖视图。
图32是沿着图29的XXXII-XXXII线的剖视图。
图33是表示第5实施方式的半导体激光装置的俯视图。
图34是表示第5实施方式的半导体激光装置的主视图。
图35是沿着图33的XXXV-XXXV线的剖视图。
图36是表示第6实施方式的半导体激光装置的俯视图。
图37是表示第6实施方式的半导体激光装置的仰视图。
图38是沿着图36的XXXVIII-XXXVIII线的剖视图。
图39是表示第7实施方式的半导体激光装置的俯视图。
图40是表示第7实施方式的半导体激光装置的仰视图。
具体实施方式
以下，基于本发明的实施方式，并参照附图进行具体的说明。
图1～图10表示本发明的第1实施方式的半导体激光装置A1。半导体激光装置A1包括基体1、配线部5、半导体激光元件6、多个贯通配线69、第1盖部7和第2盖部8。
在以下的说明中，z方向相当于基体1的厚度方向。另外，x方向相当于第1方向，y方向相当于第2方向。在z方向上，图中的上侧相当于“一侧”，下侧相当于“另一侧”。在x方向上，有时将与一侧相当的一侧称为“前侧”，与另一侧相当的一侧称为“后侧”。但是，这些“一侧”、“另一侧”、“前”、“后”的词语是为了说明的方便的表达，而不是对本发明的半导体激光装置的结构加以限定的表达。
本发明中的“第1”、“第2”、“第3”等的用语只不过是用于区别要素的用语，而没有意图对这些要素赋予顺序。
基体1支承半导体激光元件6。至少基体1的表面由绝缘性的材料形成。例如，如图1～图5所示，基体1具有主面11、背面12、前方端面13、后方端面14、一对侧面15、开口17、出射部18、多个后方槽部161、多个前方槽部163和前方凹部171。举出基体1的大小的一例时，x方向尺寸为2.0mm～7.0mm程度、y方向尺寸为1.5mm～7.0mm程度、z方向尺寸为0.7mm～2.5mm程度，但基体1的大小和形状并不限定于该例子。
主面11是朝向z方向一侧(上侧)的面。在本实施方式中，主面11相当于安装面。在图示的例子中，主面11相对于z方向为直角。主面11为大致矩形形状。
背面12位于主面11的相反侧，朝向z方向另一侧(下侧)。在图示的例子中，背面12相对于z方向为直角。背面12为大致矩形形状。
前方端面13是朝向x方向一侧(前侧)的面，将主面11与背面12相连接。在图示的例子中，前方端面13相对于x方向为直角。
后方端面14是朝向x方向另一侧(后侧)的面，将主面11与背面12相连接。在图示的例子中，后方端面14相对于x方向为直角。
一对侧面15将主面11和背面12相连接，并且将前方端面13和后方端面14相连接。一对侧面15在y方向上相互隔开间隔。在图示的例子中，各侧面15相对于y方向为直角，是大致矩形形状。
开口17是将由基体1规定的内部空间向z方向一侧(上侧)开放的部位。在图示的例子中，在z方向观察(俯视)时为大致矩形形状(参照图10)。开口17偏向x方向一侧(前侧)地配置。通过设置开口17，主面11在z方向观察时为矩形的环状(闭合的框状)。
出射部18是用于使来自半导体激光元件6的激光向x方向一侧(前侧)射出的部位。在图示的例子中，由基体1规定的内部空间通过出射部18向x方向一侧(前侧)开放。出射部18例如在x方向观察时为矩形形状(参照图2)。另外，通过设置有出射部18，前方端面13在x方向观察时为矩形环状。
多个后方槽部161从后方端面14凹陷(参照图1)，分别在z方向上延伸(参照图3)。各后方槽部161到达主面(安装面)11。另外，在图示的例子中，各后方槽部161到达背面12。后方槽部161的截面形状在图示的例子中为半圆形状，本发明并不限定于此。多个后方槽部161在y方向上隔开间隔地配置。
如图1所示，多个前方槽部163形成于一对侧面15与前方端面13的交界部分。各前方槽部163沿着z方向延伸，到达主面11和背面12。后方槽部161的截面形状在图示的例子中为四分之一圆形，但本发明并不限定于此。
如图2和图5所示，前方凹部171从前方端面13向x方向另一侧(后侧)凹陷，包围出射部18的周围。前方凹部171在x方向观察为矩形环状。前方凹部171是用于设置第1盖部7的部分。
如图3所示，基体1包括多个层。在图示的例子中，基体1包括第1层2、第2层3和第3层4。第1层2、第2层3和第3层4在z方向上层叠。第1层2、第2层3和第3层4例如由氧化铝、氮化铝等的陶瓷形成，但本发明并不限定于此。此外，各层本身也可以由多个陶瓷层构成。在图2、图3、图5和图7中，一点划线表示相邻的陶瓷层的交界。
第1层2在z方向上位于最下侧。第1层2包括第1主面21、第1背面22、第1前方端面23、第1后方端面24、一对第1侧面25、第1主部210、一对第1侧方框部220、第1前方框部230、基座部240、底部250、多个第1后方槽部261和多个第1前方槽部263。
第1主面21是朝向z方向上侧的面。在本实施方式中，第1主面21相当于搭载面。在图示的例子中，第1主面21相对于z方向为直角。
第1背面22位于与第1主面21相反侧，朝向z方向下侧。在图示的例子中，第1背面22相对于z方向为直角。第1背面22构成背面12。
第1前方端面23为朝向x方向一侧(前侧)的面，将第1主面21和第1背面22相连接。在图示的例子中，第1前方端面23相对于x方向为直角。第1前方端面23构成前方端面13的一部分。
第1后方端面24为朝向x方向另一侧(后侧)的面，将第1主面21和第1背面22相连接。在图示的例子中，第1后方端面24相对于x方向为直角。第1后方端面24构成后方端面14的一部分。
一对第1侧面25将第1主面21和第1背面22相连接，并将第1前方端面23和第1后方端面24相连接。一对第1侧面25分别朝向y方向。在图示的例子中，第1侧面25相对于y方向为直角。第1侧面25构成侧面15的一部分。
第1主部210是第1层2之中位于x方向后侧的部位。在图示的例子中，第1主部210在z方向观察时为大致矩形形状。第1主部210的厚度与第1层2的最大厚度相同。
一对第1侧方框部220是从第1主部210的y方向两侧向x方向前侧延伸的部分。第1侧方框部220的厚度与第1层2的最大厚度相同。
第1前方框部230将一对第1侧方框部220的x方向一侧端相连接，在y方向上延伸。一对第1侧方框部220和第1前方框部230构成框状的部位。在第1前方框部230形成有凹部231。凹部231为第1前方框部230的z方向尺寸局部地变小的部位，构成前方凹部171的一部分。
基座部240从第1主部210向x方向一侧(前侧)延伸，在图示的例子中，在z方向观察时为大致矩形形状。基座部240与一对第1侧方框部220和第1前方框部230隔开间隔。在基座部240搭载有半导体激光元件6。
底部250是位于第1主面21的z方向另一侧(下侧)的部位。底部250从z方向观察时位于被一对第1侧方框部220、第1前方框部230和基座部240包围的区域中。底部250的厚度比第1层2的z方向的最大厚度小。
多个第1后方槽部261从第1后方端面24凹陷，在z方向上延伸。第1后方槽部261到达第1主面21和第1背面22。第1后方槽部261的截面形状没有特别的限定，在图示的例子中为半圆形状。多个第1后方槽部261在y方向上相互隔开间隔地配置。多个第1后方槽部261构成多个后方槽部161各自的一部分。
多个第1前方槽部263形成于一对第1侧面25与第1前方端面23的交界部分。第1前方槽部263在z方向上延伸，到达第1主面21和第1背面22。第1前方槽部263的截面形状没有特别的限定，在图示的例子中为四分之一圆形形状。多个第1前方槽部263构成多个前方槽部163各自的一部分。
第2层3层叠在第1层2的z方向一侧(上侧)。第2层3包括第2主面31、第2背面32、第2前方端面33、第2后方端面34、一对第2侧面35、内侧端面36、第2主部310、一对第2侧方框部320多个第2后方槽部361和多个第2前方槽部363。
第2主面31是朝向z方向一侧(上侧)的面。在图示的例子中，第2主面31相对于z方向为直角。
第2背面32是朝向与第2主面31所朝向的一侧相反侧的、即z方向另一侧(下侧)的面，与第1层2的第1主面21相面对。在图示的例子中，第2背面32相对于z方向为直角。
第2前方端面33是朝向x方向一侧(前侧)的面，将第2主面31与第2背面32相连接。在图示的例子中，第2前方端面33相对于x方向为直角。第2前方端面33构成前方端面13的一部分。第2前方端面33包括向y方向两侧离开的2个区域。
第2后方端面34是朝向x方向另一侧(后侧)的面，将第2主面31与第2背面32相连接。在图示的例子中，第2后方端面34相对于x方向为直角。第2后方端面34构成后方端面14的一部分。
一对第2侧面35将第2主面31和第2背面32相连接，并且将第2前方端面33和第2后方端面34相连接。一对第2侧面35分别朝向y方向。在图示的例子中，第2侧面35相对于y方向为直角。第2侧面35构成侧面15的一部分。
第2主部310是第2层3中的位于x方向另一侧(后侧)的部位。在图示的例子中，第2主部310在z方向观察时为大致矩形形状。第2主部310的厚度与第2层3的最大厚度相同。
内侧端面36是位于第2主部310的x方向一侧(前侧)的面。内侧端面36相对于z方向倾斜，以从z方向一侧(图6中的图中上侧)越去往另一侧(图6中的图中下侧)越位于x方向一侧(前侧，图6中的图中左侧)的方式倾斜。
一对第2侧方框部320是从第2主部310的y方向两侧向x方向一侧(前侧)延伸的部分。第2侧方框部320的厚度与第2层3的最大厚度相同。
在一对第2侧方框部320分别形成有凹部321。凹部321是第2侧方框部320中从第2前方端面33向x方向另一侧(后侧)凹陷的部位。另外，凹部321位于y方向内侧。一对凹部321构成前方凹部171的一部分。
多个第2后方槽部361从第2后方端面34凹陷，在z方向上延伸。第2后方槽部361到达第2主面31和第2背面32。第2后方槽部361的截面形状没有特别的限定，在图示的例子中为半圆形状。多个第2后方槽部361在y方向上相互隔开间隔地配置。多个第2后方槽部361构成多个后方槽部161各自的一部分。
多个第2前方槽部363形成于一对第2侧面35与第2前方端面33的交界部分。第2前方槽部363在z方向上延伸，到达第2主面31和第2背面32。第2前方槽部363的截面形状没有特别的限定，在图示的例子中为四分之一圆形形状。多个第2前方槽部363构成多个前方槽部163各自的一部分。
第3层4在z方向上位于最靠一侧(上侧)的位置。第3层4层叠在第2层3的z方向一侧(上侧)。第3层4包括第3主面41、第3背面42、第3前方端面43、第3后方端面44、一对第3侧面45、第3主部410、一对第3侧方框部420、第3前方框部430、多个第3后方槽部461和多个第3前方槽部463。
第3主面41是朝向z方向一侧(上侧)的面。在图示的例子中，第3主面41相对于z方向为直角。在本实施方式中，第3主面41构成主面11。
第3背面42是朝向与第3主面41所朝向的一侧相反侧的、即z方向另一侧(下侧)的面，与第2层3的第2主面31相面对。在图示的例子中，第3背面42相对于z方向为直角。
第3前方端面43是朝向x方向一侧(前侧)的面，将第3主面41与第3背面42相连接。在图示的例子中，第3前方端面43相对于x方向为直角。第3前方端面43构成前方端面13的一部分。
第3后方端面44是朝向x方向另一侧(后侧)的面，将第3主面41与第3背面42相连接。在图示的例子中，第3后方端面44相对于x方向为直角。第3后方端面44构成后方端面14的一部分。
一对第3侧面45将第3主面41和第3背面42相连接，并且将第3前方端面43和第3后方端面44相连接。一对第3侧面45分别朝向y方向。在图示的例子中，第3侧面45相对于y方向为直角。第3侧面45构成侧面15的一部分。
第3主部410是第3层4中的位于x方向另一侧(后侧)的部位。在图示的例子中，第3主部410在z方向观察时为大致矩形形状。第3主部410的厚度与第2层3的最大厚度相同。
一对第3侧方框部420是从第3主部410的y方向两侧向x方向一侧(前侧)延伸的部分。
第3前方框部430将一对第3侧方框部420的x方向一侧端向连接，在y方向上延伸。一对第3侧方框部420和第3前方框部430构成框状的部位。如图5所示，在第3前方框部430形成有凹部431。凹部431是从第3前方端面43向x方向另一侧(后侧)凹陷的部位，构成前方凹部171的一部分。
多个第3后方槽部461从第3后方端面44凹陷，在z方向上延伸。第3后方槽部461到达第3主面41和第3背面42。第3后方槽部461的截面形状没有特别的限定，在图示的例子中为半圆形状。多个第3后方槽部461在y方向相互隔开间隔地配置。多个第3后方槽部461构成多个后方槽部161各自的一部分。
多个第3前方槽部463形成在一对第3侧面45与第3前方端面43的交界部分。第3前方槽部463在z方向上延伸，到达第3主面41和第3背面42。第3前方槽部463的截面形状没有特别的限定，在图示的例子中为四分之一圆形状。多个第3前方槽部463构成多个前方槽部163各自的一部分。
在本实施方式中，在第3层4形成有开口17。另外，在第3层4形成有环状凹部440。环状凹部440是第3层4中的包围开口17的部分从第3主面41(主面11)向z方向另一侧(下侧)凹陷的部分。环状凹部440在z方向观察时为矩形环状。环状凹部440是用于设置第2盖部8的部位。
配线部5形成于基体1，是构成向半导体激光元件6去的导通路径的部分。如图1～图3和图5～图10所示，在本实施方式中，配线部5包括第1配线部51、第2配线部52、第3配线部53、多个后方连接部501和多个前方部505。配线部5由具有适当的导电性的材质构成，例如通过镀覆或粘贴等形成。作为配线部5的材质，例如能够适当选择Cu、Ni、Ti、Au等。另外，配线部5之中，在附着有焊料的部位可以设置有由Sn形成的表层。
第1配线部51是形成于基体1的第1层2的部分。在本实施方式中，第1配线部51包括元件搭载部511、第1带状部512和第1连结部513。
元件搭载部511形成于基体1的第1层2的基座部240的第1主面21。元件搭载部511是用于搭载半导体激光元件6的部分。在图示的例子中，元件搭载部511在z方向观察时为大致矩形形状，覆盖基座部240的大部分。
第1带状部512形成于第1层2的第1主部210，到达多个第1后方槽部261中的位于在y方向上在图8的图中最下侧的第1后方槽部261。另外，第1带状部512从该第1后方槽部261沿着x方向延伸。
第1连结部513连结元件搭载部511与第1带状部512。第1连结部513的形状或大小没有特别的限定，在图示的例子中，是具有2个弯曲部分的形状。
第2配线部52是形成于基体1的第2层3的部分。第2配线部52具有多个引线接合部521、多个第2带状部522和多个第2连结部523。
多个引线接合部521是与多个引线67连接的部位。在本实施方式中，多个引线接合部521在y方向上排列，形成于第2主部310的x方向一侧(前侧)部分。引线接合部521的形状没有特别的限定，在图示的例子中为矩形形状。如图1所示，多个引线接合部521在z方向观察时从第3层4露出。
多个第2带状部522形成于第2层3的第2主部310，到达多个第2后方槽部361之中在y方向上在图9的图中上侧的4个第2后方槽部361。第2带状部522从第2后方槽部361沿着x方向延伸。此外，如图8所示，第1带状部512和多个第2带状部522在z方向观察时相互在y方向上隔开间隔地排列。
多个第2连结部523连结多个引线接合部521和多个第2带状部522。第2连结部523的形状或大小没有特别的限定，在图示的例子中，为具有2个弯曲部分的形状。
第3配线部53是形成于基体1的第3层4的部分。第3配线部53具有多个安装端子部531和安装端子部532。
多个安装端子部531形成于第3层4的第3主部410，在y方向上相互隔开间隔地排列。多个安装端子部531到达多个第3后方槽部461之中在y方向上在图10中的图中上侧的4个第3后方槽部461。安装端子部531从第3后方槽部461沿着x方向延伸。安装端子部531的y方向尺寸比第2带状部522的y方向尺寸大。多个安装端子部531例如是阳极电极。
安装端子部532形成于第3层4的第3主部410。安装端子部532到达多个第3后方槽部461之中位于在y方向上在图10的图中最下侧的第3后方槽部461。另外，安装端子部532从该第3后方槽部461沿着x方向延伸。安装端子部532的y方向尺寸比第1带状部512的y方向尺寸大。多个安装端子部531和安装端子部532在y方向上相互隔开间隔地排列。安装端子部532例如是阴极电极。
如图1所示，在本实施方式中，在z方向观察时，相互导通的引线接合部521的中心O1与安装端子部531的中心O2在y方向上错开距离G地配置。此外，图1所示的多个距离G可以是相互相同的尺寸，也可以是相互不同的尺寸。另外，引线接合部521的y方向端缘的设想延长了的延长线E与安装端子部531交叉。
如图3所示，多个后方连接部501以覆盖基体1的多个后方槽部161之中的图中右侧的4个后方槽部161的方式形成。在本实施方式中，后方连接部501到达后方槽部161的z方向一侧端(上侧端)。另外，在图示的例子中，后方连接部501到达后方槽部161的z方向另一侧端(下侧端)。后方连接部501分别与第2配线部52的第2带状部522和第3配线部53的安装端子部531相接，并与它们导通。由此，引线接合部521经由第2连结部523、第2带状部522和后方连接部501与安装端子部531导通。
后方连接部502以覆盖基体1的多个后方槽部161之中的图3的图中左端的后方槽部161的方式形成。在本实施方式中，后方连接部502到达后方槽部161的z方向一侧端(上侧端)。另外，在图示的例子中，后方连接部502到达后方槽部161的z方向另一侧端(下侧端)。后方连接部502与第1配线部51的第1带状部512和第3配线部53的安装端子部532相接，并与它们导通。由此，元件搭载部511经由第1连结部513、第1带状部512和后方连接部502与安装端子部532导通。
如图2所示，多个前方部505分别覆盖多个前方槽部163。在图示的例子中，前方部505覆盖前方槽部163的整体，并到达前方槽部163的z方向两端。前方部505与第1配线部51、第2配线部52和第3配线部53不相接，没有与该各部导通。
半导体激光元件6是射出规定波长的激光的元件。半导体激光元件6的具体结构没有特别的限定，在本实施方式中，半导体激光元件6包括半导体层61、多个波导路62和多个电极63。
半导体层61是层叠有由半导体材料构成的多个层而成的半导体层，例如包括活性层以及夹着该活性层的n型包层和p型包层。在活性层内电子与空穴复合，由此进行发光。
多个波导路62是通过使在活性层中发出的光在x方向上反复进行反射，而生成规定波长的激光的部位。在本实施方式中，多个波导路62在y方向上相互隔开间隔地排列，各自沿着x方向延伸。半导体激光元件6为多波束型，能够从各波导路62分别地(即，与其它波导路独立地)射出激光。
多个电极63与多个波导路62对应地设置，在y方向上相互隔开间隔地排列。在多个电极63独立地连接有多个引线67。此外，在图示的例子中，以流通更大的电流为目的，在1个电极63连接有多个引线67。
在本实施方式中，在半导体激光元件6的半导体层61的下表面所设置的电极(图示省略)利用Ag膏等的导电性接合材(图示省略)与元件搭载部511导通接合。由此，半导体激光元件6被搭载于基座部240的第1主面21。此外，在图示的例子中，如图1和图5所示，半导体激光元件6的x方向一侧端从基座部240向x方向一侧仅突出了长度L。该突出抑制来自半导体激光元件6的光与基座部240相干涉，因而优选，在以后的图中也作为同样的结构表示。但是，在允许来自半导体激光元件6的光的干涉的情况下等，也可以是半导体激光元件6的x方向一侧端与基座部240的x方向一侧端在z方向观察时为大致一致等的、半导体激光元件6从基座部240不突出的结构。
半导体激光元件6具有的波导路62的个数没有特别的限定。在图示的例子中，半导体激光元件6具有4个波导路62。与此对应，半导体激光元件6具有4个电极63。另外，第2配线部52具有4个引线接合部521、4个第2带状部522和4个第2连结部523。基体1具有5个后方槽部161，配线部5具有4个后方连接部501和1个后方连接部502。另外，第3配线部53具有4个安装端子部531和1个安装端子部532。
第1盖部7将出射部18封闭，由可使来自半导体激光元件6的光透射的材质形成。在本实施方式中，第1盖部7例如由透明的玻璃形成。另外，第1盖部7也可以被实施用于改善射出效率的规定的涂层。在图示的例子中，第1盖部7在x方向观察时为矩形形状，被收容在基体1的前方凹部171中。第1盖部7向基体1的安装方法没有特别的限定，例如能够利用紫外线固化树脂等的粘接材料来接合。另外，在图示的例子中，第1盖部7是x方向上的尺寸一样的平板状。
第2盖部8封闭开口17。第2盖部8的材质没有特别的限定，在本实施方式中，例如由玻璃形成。另外，第2盖部8可以被实施用于使规定的外来光线衰减的规定的涂层。在图示的例子中，第2盖部8在z方向观察时为矩形形状，被收容在基体1的环状凹部440中。第2盖部8向基体1的安装方法没有特别的限定，例如能够利用紫外线固化树脂等的粘接材料接合。另外，在图示的例子中，第2盖部8为z方向上的尺寸一样的平板状。
此外，在具有第1盖部7和第2盖部8的结构中，也可以是利用第1盖部7和第2盖部8将由基体1规定的内部空间密闭的构造。在该情况下，优选为通过在减压环境下进行将第1盖部7和第2盖部8向基体1的安装，从而在半导体激光装置A1的完成后，利用大气压将第1盖部7和第2盖部8按压于基体1的结构。
接着，说明半导体激光装置A1的作用。
依据本实施方式，在主面11(第3主面41)形成有多个安装端子部531和安装端子部532，将主面11(第3主面41)作为安装面。因此，能够将半导体激光装置A1表面安装于电路板(图示省略)等。
在将主面11作为安装面的情况下，能够从半导体激光装置A1向x方向一侧(前侧)射出激光。由此，对于使用引线进行安装的类型的半导体激光装置，能够使激光的射出方向改变90°。
开口17是从作为安装面的主面11开口的结构。由此，在半导体激光装置A1的制造工序中，在形成了基体1后，例如开口17形成为朝向铅直方向上侧的姿态。接着，在该状态下，进行半导体激光元件6的搭载、引线67的接合、第1盖部7和第2盖部8的安装。并且，能够使用朝向铅直方向上侧的状态的多个安装端子部531和安装端子部532，来进行半导体激光元件6的导通试验或发光试验。因此，不需要为了进行使用多个安装端子部531和安装端子部532的试验，而在半导体激光装置A1的完成后使半导体激光装置A1反转等的操作。另外，基体1由于在出射部18中成为中空，因此能够缓和伴随半导体激光装置A1的动作而产生的应力。
通过设置基座部240和底部250，基座部240的x方向一侧的第1主面21成为从底部250位于z方向一侧的结构。通过将该第1主面21作为搭载面使用，能够抑制从半导体激光元件6射出的激光被基座部240和底部250遮挡的状况。另外，使半导体激光元件6的x方向一侧端(前侧端)从基座部240向x方向一侧(前侧)突出的结构对于抑制激光被遮挡的状况是优选的。但是，半导体激光元件6并不限定于从基座部240突出的结构。
多个第2带状部522相对于半导体激光元件6向x方向另一侧(后侧)延伸。即，多个第2带状部522设置在与半导体激光元件6的激光射出的一侧的相反侧。由此，能够使多个第2带状部522为直线状，形成为彼此的距离差异不大的配置。这样的结构对于使半导体激光元件6向多个波导路62和多个电极63去的导通路径的路径长度均匀化是适合的。另外，第1带状部512与多个第2带状部522同样地为直线状，并且在z方向观察时与多个第2带状部522在y方向上隔开间隔地排列，由此能够抑制通电时的无意图的相互干涉。这样对于将多个半导体激光元件6按所希望的时间独立地发光是优选的。
在基体1形成有内侧端面36。存在从半导体激光元件6不仅向x方向一侧(前侧)射出光而且向x方向另一侧(后侧)也射出光的情况。优选，向后方射出的光不与向前方射出的光重叠即可。在本实施方式中，在导体激光元件6的x方向另一侧(后侧)设置有内侧端面36。由此，能够抑制从半导体激光元件6向后侧行进的激光朝向出射部18射去的状况。
在作为安装面的主面11中，多个安装端子部531和安装端子部532偏向x方向另一侧(后侧)地配置。另一方面，多个前方部505与多个安装端子部531和安装端子部532隔开间隔，配置在x方向一侧(前侧)。由此，在将半导体激光装置A1安装于电路板等时，能够使熔融焊料的表面张力更加平衡性良好地作用于半导体激光装置A1。因此，能够更加准确地设定半导体激光装置A1的安装位置和姿态。
图11～图40表示本发明的变形例和其它实施方式。此外，在这些图中，对于与上述实施方式相同或者类似的要素标注与上述实施方式相同的附图标记。此外，当然上述的实施方式与以下说明的变形例和实施方式能够适当地采用彼此的部分的结构，实现各种各样的组合。
图11是表示半导体激光装置A1的第1变形例的主要部分放大剖视图。在本变形例的半导体激光装置A11中，内侧端面36是沿着z方向的形状，相对于z方向不倾斜。
图12是表示半导体激光装置A1的第2变形例的主要部分放大剖视图。在本变形例的半导体激光装置A12中，内侧端面36的倾斜与半导体激光装置A1的内侧端面36不同。在本变形例中，内侧端面36以从z方向一侧(上侧)越向z方向另一侧(下侧)去越位于x方向另一侧(后侧)的方式倾斜。
根据这些变形例能够理解，内侧端面36的角度能够设定为各种角度。
图13是表示半导体激光装置A1的第3变形例的剖视图。本变形例的半导体激光装置A13中，第1盖部7向基体1的安装方法与上述半导体激光装置A1不同。
在本变形例中，在基体1没有设置上述的前方凹部171。第1盖部7例如通过粘接来安装在基体1的前方端面13。根据本变形例能够理解，第1盖部7向基体1的安装方法或安装构造没有特别的限定。
图14是表示半导体激光装置A1的第4变形例的剖视图。在本变形例的半导体激光装置A14中，第1盖部7的结构与上述的半导体激光装置A1不同。
在本变形例中，第1盖部7具有透镜部71。透镜部71是向x方向鼓起的形状，构成所谓的凸透镜。这样的第1盖部7利用透镜部71使来自半导体激光元件6的激光折射，由此能够更加提高在x方向上的指向性。此外，由凸透镜形成的透镜部71为一个例子，透镜部71能够适当地采用凹透镜等的各种各样形状的透镜。
图15是表示半导体激光装置A1的第5变形例的剖视图。在本变形例的半导体激光装置A15中，半导体激光元件6的结构与上述的半导体激光装置A1不同。
在本变形例中，半导体激光元件6具有副基座(Submount)68。副基座68例如由Si、GaN、SiC、AlN等的材料形成。副基座68在其上表面形成有半导体层61。
在副基座68形成有贯通配线69。贯通配线69是在z方向上贯通副基座68的导通部件。贯通配线69与半导体层61的电极(图示省略)导通。
本变形例的第1层2不具有半导体激光装置A1中的基座部240。另外，第1主部210与底部250彼此的厚度相同。配线部5的第1配线部51的元件搭载部511形成在底部250的第1主面21。副基座68的贯通配线69与元件搭载部511导通。
依据本变形例，也能够将半导体激光装置A15进行表面安装。另外，半导体激光元件6可以是具有副基座68的类型的元件，也可以是不具有副基座68的类型的元件。通过将基体1和配线部5的结构适当变更，能够采用各种类型的半导体激光元件6。
图16是表示半导体激光装置A1的第6变形例的俯视图。图17是沿着图16的XVII-XVII线的剖视图。
在本变形例的半导体激光装置A16中，半导体激光元件6的x方向一侧端相对于基座部240的x方向一侧端仅以长度L’位于x方向另一侧。即，半导体激光元件6不是从基座部240突出的结构，而是形成为从基座部240的x方向一侧端向x方向另一侧退避了的配置。
依据这样的变形例，能够使半导体激光元件6与元件搭载部511(基座部240)重叠的面积增大。由此，能够将伴随半导体激光元件6的发光而产生的热向基座部240(基体1)更高效地传递。另外，通过使半导体激光元件6与元件搭载部511(基座部240)的接合面积增大，能够提高彼此的接合强度。另外，根据本变形例能够理解，半导体激光元件6的x方向一侧端与基座部240的x方向一侧端(或者副基座68的x方向一侧端)的位置关系没有任何限定。这一点在其它的变形例和实施方式中也是同样的。
图18～图20表示本发明的第2实施方式的半导体激光装置。图18是表示本实施方式的半导体激光装置A2的俯视图。图19是表示半导体激光装置A2的基体1的主要部分俯视图。图20是表示半导体激光装置A2的基体1的主要部分俯视图。
在半导体激光装置A2中，第1配线部51的第1带状部512与第2配线部52的多个第2带状部522的配置，与上述的半导体激光装置A1不同。
在本实施方式中，多个第2带状部522在z方向观察时隔着第1带状部512配置于y方向两侧。在图示的例子中，每2个第2带状部522隔着第1带状部512配置在y方向两侧。
如图19所示，第1带状部512设置在第1主部210的x方向大致中央。另外，第1连结部513为在x方向上延伸的直线状，不是弯曲形状。
如图20所示，4个第2连结部523中，y方向一侧的2个第2连结部523与y方向另一侧的2个第2连结部523形成为弯曲形状彼此朝向相反方向。
根据这样的实施方式，也能够将半导体激光装置A2进行表面安装。另外，依据本实施方式，容易使多个第2带状部522的路径长度更均匀。另外，通过使第1带状部512和第1连结部513均为直线状，能够使该路径的电感成分缩小。
图21～图27表示本发明的第3实施方式的半导体激光装置。图21是表示本实施方式的半导体激光装置A3的俯视图。图22是表示半导体激光装置A3的侧视图。图23是表示半导体激光装置A3的仰视图。图24是沿着图21的XXIV-XXIV线的剖视图。图25是表示半导体激光装置A3的基体1的主要部分俯视图。图26是表示半导体激光装置A3的基体1的主要部分俯视图。图27是表示半导体激光装置A3的基体1的主要部分俯视图。
在半导体激光装置A3中，如图23和图24所示，基体1的背面12为安装面。
基体1具有侧方槽部162。侧方槽部162从一个侧面15凹陷，沿着z方向形成。在本实施方式中，侧方槽部162到达第1背面22(背面12)。另外，在图示的例子中，侧方槽部162到达第3主面41(主面11)。
第1层2具有第1侧方槽部262。第1侧方槽部262从第1侧面25凹陷，沿着z方向形成。第2层3具有第2侧方槽部362。第2侧方槽部362从第2侧面35凹陷，沿着z方向形成。第3层4具有第3侧方槽部462。第3侧方槽部462从第3侧面45凹陷，沿着z方向形成。后方槽部161包括第1侧方槽部262、第2侧方槽部362和第3侧方槽部462。
配线部5具有多个后方连接部501和侧方连接部503。多个后方连接部501与上述的实施方式同样地覆盖多个后方槽部161。侧方连接部503覆盖侧方槽部162，并到达侧方槽部162的z方向另一侧端(下侧端)。另外，在图示的例子中，侧方连接部503到达侧方槽部162的z方向一侧端(上侧端)。
如图23和图25所示，第1配线部51包括元件搭载部511、第1连结部513、多个安装端子部514、安装端子部515和第1连结部518。第1连结部513从元件搭载部511向第1侧方槽部262去沿着y方向延伸，到达第1侧方槽部262。由此，第1连结部513与侧方连接部503相接。
安装端子部515形成于第1背面22(背面12)。安装端子部515在z方向观察时为矩形形状，比安装端子部514大。第1连结部518从安装端子部515在y方向上延伸，到达第1侧方槽部262。由此，第1连结部518与侧方连接部503相接。其结果是，元件搭载部511经由第1连结部513、侧方连接部503和581与安装端子部515导通。此外，如图24和图25所示，安装端子部515优选形成为在z方向观察时与半导体激光元件6重叠的结构。安装端子部515例如阴极电极。
多个安装端子部514形成于第1背面22(背面12)的靠x方向另一侧(后侧)。多个安装端子部514分别到达多个第1后方槽部261。由此，多个安装端子部514分别与多个后方连接部501相接。此外，如图24和图26所示，多个安装端子部514优选形成为在z方向观察时与多个引线接合部521重叠的结构。安装端子部514例如为阳极电极。
在图示的例子中，第2配线部52具有多个引线接合部521和多个第2带状部522，不具有上述实施方式的第2连结部523。另外，配线部5不具有上述实施方式的第3配线部53。第2带状部522与后方连接部501相接。其结果是，多个引线接合部521经由多个第2带状部522和多个后方连接部501分别与多个安装端子部514导通。但是，也可以是第2配线部52具有第2连结部523，配线部5具有第3配线部53的结构。
根据这样的实施方式，能够将背面12作为安装面，将半导体激光装置A3进行表面安装。另外，依据本实施方式，不需要在基体1的主面11形成配线部5。另外，能够将安装端子部515构成为在z方向观察时与半导体激光元件6重叠的结构。另外，能够将多个安装端子部514构成为在z方向观察时与多个引线接合部521重叠的结构。这样的结构对于半导体激光装置A3的小型化是优选的。
图28是表示半导体激光装置A3的第1变形例的剖视图。在本变形例的半导体激光装置A31中，第2盖部8向基体1的安装方法与上述的例子不同。
在本变形例中，在基体1没有设置上述的环状凹部440。第2盖部8例如通过粘接而安装在基体1的主面11。根据本变形例能够理解，第2盖部8向基体1的安装方法或安装构造没有特别的限定。
图29～图32表示本发明的第4实施方式的半导体激光装置。图29是表示本实施方式的半导体激光装置A4的俯视图。图30是表示A4的仰视图。图31是沿着图29的XXXI-XXXI线的剖视图。图32是沿着图29的XXXII-XXXII线的剖视图。
在本实施方式中，半导体激光装置A4具有热敏电阻器9。热敏电阻器9是用于检测半导体激光元件6的工作温度的温度检测元件的一例。
在图示的例子中，热敏电阻器9形成于半导体激光元件6的副基座68。如图32所示，副基座68不仅具有贯通配线69还具有贯通配线91和贯通配线92。贯通配线91和贯通配线92从热敏电阻器9贯通至副基座68的图中下表面，由金属等的导电体形成。此外，图31和图32是示意性表示在副基座68中形成有热敏电阻器9的结构的图。副基座68的热敏电阻器9的具体结构能够设定为各种结构。
如图30～图32所示，配线部5的第1配线部51包括一对元件搭载部511、一对第1连结部513、多个安装端子部514、安装端子部515、安装端子部516和多个第1连结部518。另外，基体1具有一对侧方槽部162。一对侧方槽部162分开形成在一对侧面15。配线部5具有一对侧方连接部503。一对侧方连接部503分别地覆盖一对侧方槽部162。
多个元件搭载部511形成于第1层2的第1主面21。在y方向上隔开间隔地配置。在一方的元件搭载部511连接有贯通配线69和贯通配线91。在另一方的元件搭载部511连接有贯通配线92。
一对第1连结部513从一对元件搭载部511向一对侧方槽部162在y方向上延伸。一对第1连结部513分别与一对侧方连接部503相接。
多个安装端子部514和安装端子部515是与上述的半导体激光装置A3的安装端子部514和安装端子部515同样的结构。安装端子部515经由第1连结部518、侧方连接部503、第1连结部513、元件搭载部511和贯通配线91，与热敏电阻器9的例如阴极电极(图示省略)导通。
安装端子部516相对于安装端子部515在y方向上隔开间隔地配置。在安装端子部516连接一方的第1连结部518。第1连结部518与一方的侧方连接部503相接。如图32所示，安装端子部516经由第1连结部518、侧方连接部503、第1连结部513、元件搭载部511和贯通配线92，与热敏电阻器9的例如阳极电极(图示省略)导通。
依据这样的实施方式，能够将半导体激光装置A4进行表面安装。另外，通过具有热敏电阻器9，能够从外部监视半导体激光元件6的工作温度。通过将热敏电阻器9内置于副基座68中，能够实现半导体激光装置A4的小型化。将第1背面22(背面12)作为安装面的结构对于半导体激光装置A4的小型化是有利的。
图33～图35表示本发明的第5实施方式的半导体激光装置。图33是表示本实施方式的半导体激光装置A5的俯视图。图34是表示半导体激光装置A5的主视图。图35是沿着图33的XXXV-XXXV线的剖视图。
半导体激光装置A5与半导体激光装置A4同样地具有热敏电阻器9。在本实施方式中，热敏电阻器9作为相对于半导体激光元件6独立的元件构成。此外，半导体激光元件6可以具有副基座68，也可以不具有副基座68。在图示的例子中，半导体激光元件6不具有副基座68。半导体激光元件6搭载于第1层2的基座部240。
第1配线部51不仅具有元件搭载部511和第1连结部513，还具有元件搭载部5111、引线接合部5112和连结部5113。元件搭载部5111相对于元件搭载部511在y方向上隔开间隔地配置。元件搭载部511与元件搭载部5111通过第1连结部513连结。元件搭载部5111是搭载热敏电阻器9的部位。引线接合部5112相对于元件搭载部5111在x方向上隔开间隔地配置。在引线接合部5112连接有引线99。引线99连接热敏电阻器9与引线接合部5112。连结部5113从引线接合部5112向侧方槽部162在y方向上延伸。连结部5113与侧方连接部503相接。
半导体激光装置A5的背面12的结构例如与上述半导体激光装置A4相同。另外，如图33所示，热敏电阻器9和引线99在z方向观察时从基体1的开口17露出。另外，如图34所示，热敏电阻器9构成为其一部分从出射部18突出，在x方向观察时被前方端面13遮挡的配置。
根据这样的实施方式，也能够将半导体激光装置A5进行表面安装。另外，通过具有热敏电阻器9，能够从外部监视半导体激光元件6的工作温度。另外，根据本实施方式能够理解，搭载热敏电阻器9的构造能够设定为各种各样的构造，与基体1和配线部5的结构适当对应即可。
图36～图38表示本发明的第6实施方式的半导体激光装置。图36是表示本实施方式的半导体激光装置A6的俯视图。图37是表示半导体激光装置A6的仰视图。图38是沿着图36的XXXVIII-XXXVIII线的剖视图。
在本实施方式中，基体1包括第1层2和第2层3。第1层2例如由玻璃环氧树脂形成，为平板状。第2层3例如由环氧树脂形成。像这样，基体1也可以由用相互不同的材质形成的多个部件构成。
第1层2在z方向观察时为矩形形状，包括第1主面21、第1背面22、第1前方端面23、第1后方端面24和一对第1侧面25。第1背面22构成背面12，是本实施方式的安装面。
第2层3例如是将环氧树脂进行模塑成形而成的部件与第1层2接合所形成的层。第2层3具有开口17和出射部18，在图示的例子中，具有环状凹部340和前方凹部171。环状凹部340是与上述实施方式的环状凹部440同样的凹部，用于设置第2盖部8。
配线部5包括元件搭载部591、多个引线接合部592、安装端子部593、多个安装端子部594、多个贯通配线595和多个贯通配线596。
元件搭载部591形成在第1层2的第1主面21，搭载有半导体激光元件6。多个引线接合部592相对于元件搭载部591形成在x方向另一侧(后侧)，在y方向上相互隔开间隔地配置。
安装端子部593形成于第1背面22(背面12)，在z方向观察时与元件搭载部591重叠。多个引线接合部592形成于第1背面22(背面12)，在z方向观察时分别与多个引线接合部592重叠。
多个贯通配线595在z方向上贯通第1层2，由金属等的导电体形成。多个贯通配线595连接元件搭载部591与安装端子部593。在图示的例子中，多个贯通配线595配置为矩阵状。
多个贯通配线596在z方向上贯通第1层2，由金属等的导电体形成。多个贯通配线596分别将多个引线接合部592与多个安装端子部594连接。如图36所示，贯通配线596以在z方向观察时与引线接合部592的靠x方向另一侧的部分重叠的方式配置。这样的配置对于将引线97的接合部分设置在与贯通配线596分开的位置是适合的。
依据这样的实施方式，也能够将半导体激光装置A6进行表面安装。另外，通过采用贯通配线595和贯通配线596，能够缩小配线部5的配置需要的面积，对于半导体激光装置A6的小型化是优选的。另外，通过具有多个贯通配线595，能够将从半导体激光元件6产生的热量更加高效地传递到外部。
图39和图40表示本发明的第7实施方式的半导体激光装置。图39是表示本实施方式的半导体激光装置A7的俯视图。图40是表示半导体激光装置A7的仰视图。
在本实施方式中，半导体激光元件6具有仅1个的波导路62和电极63。与此对应地，引线接合部592和安装端子部594的个数为1个。
根据这样的实施方式，能够将半导体激光装置A7进行表面安装。另外，根据本实施方式能够理解，本发明的半导体激光元件6的波导路62和电极63的个数没有特别的限定。波导路62和电极63的个数可以分别是1个，也可以分别是4个以外的多个。另外，例如，在半导体激光装置A1中，在不需要从多个波导路62以不同时序出射激光的情况下，也可以是仅具有1个安装端子部531的结构。
本发明的半导体激光装置并不限定于上述的实施方式。本发明的半导体激光装置的各部的具体结构能够自由地进行各种设计变更。
〔附记1〕
一种半导体激光装置，其包括：
半导体激光元件；
支承所述半导体激光元件的基体；和
配线部，其形成于所述基体，构成向所述半导体激光元件去的导通路径，
所述基体具有：朝向该基体的厚度方向上的一侧且搭载所述半导体激光元件的搭载面；和相对于所述半导体激光元件位于与所述厚度方向成直角的第1方向上的一侧的出射部，
来自所述半导体激光元件的光通过所述出射部而出射。
〔附记2〕
如附记1所述的半导体激光装置，所述基体具有相对于所述半导体激光元件位于所述厚度方向上的所述一侧的开口。
〔附记3〕
如附记2所述的半导体激光装置，所述出射部包括使来自所述半导体激光元件的光透射的第1盖部。
〔附记4〕
如附记3所述的半导体激光装置，所述第1盖部具有使来自所述半导体激光元件的光折射的透镜部。
〔附记5〕
如附记2～4中任一项所述的半导体激光装置，还具有封闭所述开口的第2盖部。
〔附记6〕
如附记2～5中任一项所述的半导体激光装置，所述基体具有朝向所述厚度方向的安装面，所述配线部具有形成于所述安装面的安装端子部。
〔附记7〕
如附记6所述的半导体激光装置，所述安装面朝向所述厚度方向上的所述一侧。
〔附记8〕
如附记6所述的半导体激光装置，所述安装面朝向所述厚度方向上的另一侧。
〔附记9〕
如附记8所述的半导体激光装置，所述配线部具有形成于所述搭载面且搭载所述半导体激光元件的元件搭载部。
〔附记10〕
如附记9所述的半导体激光装置，所述基体具有：朝向所述第1方向上的另一侧且到达所述安装面的后方端面；和从所述后方端面凹陷且到达所述安装面的至少一个后方槽部，
所述配线部具有至少一个后方连接部，该后方连接部形成于所述后方槽部并且使所述半导体激光元件和所述安装端子部导通。
〔附记11〕
如附记10所述的半导体激光装置，所述基体具有：相对于所述搭载面位于所述厚度方向上的所述另一侧的底部；和从所述底部向所述厚度方向上的所述一侧突出并且构成所述搭载面的基座部。
〔附记12〕
如附记10所述的半导体激光装置，所述半导体激光元件具有发挥发光功能的半导体层和支承所述半导体层的副基座。
〔附记13〕
如附记11或12所述的半导体激光装置，所述基体具有内侧端面，该内侧端面相对于所述半导体激光元件位于所述第1方向上的所述另一侧且相对于所述厚度方向倾斜。
〔附记14〕
如附记11～13中任一项所述的半导体激光装置，在还具有引线的结构中，所述配线部具有至少1个引线接合部，该引线接合部相对于所述半导体激光元件位于所述第1方向上的所述另一侧且相对于所述搭载面位于所述厚度方向上的所述一侧，
所述引线与所述半导体激光元件和所述引线接合部连接。
〔附记15〕
如附记14所述的半导体激光装置，所述半导体激光元件具有多个波导路，该多个波导路在与所述第1方向和所述厚度方向均成直角的第2方向上排列，且各自独立地向所述第1方向上的一侧出射光。
〔附记16〕
如附记15所述的半导体激光装置，
所述至少1个后方槽部包括在所述第2方向上排列的多个后方槽部，
所述至少1个引线接合部包括在所述第2方向上排列的多个引线接合部，
所述至少1个后方连接部包括分别形成于所述多个后方槽部的多个后方连接部，
所述配线部具有多个第2带状部，各第2带状部使所述多个引线接合部中的1个和所述多个后方连接部中的1个彼此导通，
所述多个第2带状部在所述第2方向上排列，且各自在所述第1方向上延伸。
〔附记17〕
如附记1～16中任一项所述的半导体激光装置，还具有由所述基体支承且与所述配线部导通的温度检测元件。

Claims (13)

1.一种半导体激光装置，其特征在于，包括：
半导体激光元件；
支承所述半导体激光元件的基体；和
配线部，其形成于所述基体，构成向所述半导体激光元件去的导通路径，
所述基体具有：朝向该基体的厚度方向上的一侧且搭载所述半导体激光元件的搭载面；和相对于所述半导体激光元件位于与所述厚度方向成直角的第1方向上的一侧的出射部，
来自所述半导体激光元件的光通过所述出射部而出射，
所述基体具有相对于所述半导体激光元件位于所述厚度方向上的所述一侧的开口，
所述基体具有朝向所述厚度方向的安装面，
所述配线部具有形成于所述安装面的安装端子部，
所述配线部具有形成于所述搭载面且搭载所述半导体激光元件的元件搭载部，
所述基体具有：朝向所述第1方向上的另一侧且到达所述安装面的后方端面；和从所述后方端面凹陷且到达所述安装面的至少一个后方槽部，
所述配线部具有至少一个后方连接部，该后方连接部形成于所述后方槽部并且使所述半导体激光元件和所述安装端子部导通。
2.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述出射部包括使来自所述半导体激光元件的光透射的第1盖部。
3.如权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第1盖部具有使来自所述半导体激光元件的光折射的透镜部。
4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于：
还具有封闭所述开口的第2盖部。
5.如权利要求1～3中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述安装面朝向所述厚度方向上的所述一侧。
6.如权利要求1～3中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述安装面朝向所述厚度方向上的另一侧。
7.如权利要求1～3中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述基体具有：相对于所述搭载面位于所述厚度方向上的所述另一侧的底部；和从所述底部向所述厚度方向上的所述一侧突出并且构成所述搭载面的基座部。
8.如权利要求1～3中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述半导体激光元件具有发挥发光功能的半导体层和支承所述半导体层的副基座。
9.如权利要求7所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述基体具有内侧端面，该内侧端面相对于所述半导体激光元件位于所述第1方向上的所述另一侧且相对于所述厚度方向倾斜。
10.如权利要求7所述的半导体激光装置，其特征在于：
还具有引线，
所述配线部具有至少1个引线接合部，该引线接合部相对于所述半导体激光元件位于所述第1方向上的所述另一侧且相对于所述搭载面位于所述厚度方向上的所述一侧，
所述引线与所述半导体激光元件和所述引线接合部连接。
11.如权利要求10所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述半导体激光元件具有多个波导路，该多个波导路在与所述第1方向和所述厚度方向均成直角的第2方向上排列，且各自独立地向所述第1方向上的一侧出射光。
12.如权利要求11所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述至少1个后方槽部包括在所述第2方向上排列的多个后方槽部，
所述至少1个引线接合部包括在所述第2方向上排列的多个引线接合部，
所述至少1个后方连接部包括分别形成于所述多个后方槽部的多个后方连接部，
所述配线部具有多个第2带状部，各第2带状部使所述多个引线接合部中的1个和所述多个后方连接部中的1个彼此导通，
所述多个第2带状部在所述第2方向上排列，且各自在所述第1方向上延伸。
13.如权利要求1～3中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于：
还具有由所述基体支承且与所述配线部导通的温度检测元件。
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