CN111512546B - 滤波器模块 - Google Patents

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Abstract

滤波器模块(3)具备：滤波器(11)，其配置在连结输入输出端子(m1)与输入输出端子(m2)的路径上；滤波器(12)，其配置在连结输入输出端子(m3)与输入输出端子(m4)的路径上；开关(SW1)，其切换与输入输出端子(m1)连接的布线(L1)与接地的导通及非导通；以及开关(SW2)，其切换与输入输出端子(m3)连接的布线(L2)与接地的导通及非导通，当通过开关(SW1)而使布线(L1)与接地成为导通时，通过开关(SW2)而使布线(L2)与接地成为非导通，当通过开关(SW2)而使布线(L2)与接地成为导通时，通过开关(SW1)而使布线(L1)与接地成为非导通。

Description

滤波器模块
技术领域
本发明涉及滤波器模块。
背景技术
近年来，与多频段对应的无线终端的开发不断进展，为了对应于多个频带，所设置的滤波器的数量增加，另一方面，要求无线终端的小型化。
与此相对，例如，公开了将多个滤波器统一设置在一个基板上的滤波器模块(例如，专利文献1)。由此，滤波器模块被小型化，进而，实现了无线终端的小型化。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2005-057342号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是，在上述以往的滤波器模块中，例如，有时将以互不相同的频带作为通带的多个滤波器配置于同一基板，将频带接近的滤波器彼此相邻配置。在该情况下，有时通过滤波器的信号相互干扰，无法充分地确保与各个滤波器连接的布线间的隔离。其结果是，有时滤波器的衰减特性劣化，无法发挥所希望的功能。
对此，可以考虑通过在上述同一基板上增加接地端子来抑制衰减特性的劣化，但在该情况下，与增加接地端子相应地导致大型化，难以实现小型化。
对此，本发明的目的在于，提供一种能够在实现小型化的同时抑制衰减特性的劣化的滤波器模块。
用于解决课题的手段
本发明的一方面的滤波器模块具备：第一输入输出端子；第二输入输出端子；第一滤波器，其配置在连结所述第一输入输出端子与所述第二输入输出端子的路径上；第三输入输出端子；第四输入输出端子；第二滤波器，其配置在连结所述第三输入输出端子与所述第四输入输出端子的路径上；第一基板，其设置有所述第一输入输出端子、所述第二输入输出端子、所述第一滤波器、所述第三输入输出端子、所述第四输入输出端子及所述第二滤波器；第一布线，其与所述第一输入输出端子连接，传播通过所述第一滤波器的信号；第一开关，其切换所述第一布线与接地的导通及非导通；第二布线，其与所述第三输入输出端子连接，传播通过所述第二滤波器的信号；以及第二开关，其切换所述第二布线与接地的导通及非导通，当通过所述第一开关而使所述第一布线与接地成为导通时，通过所述第二开关而使所述第二布线与接地成为非导通，当通过所述第二开关而使所述第二布线与接地成为导通时，通过所述第一开关而使所述第一布线与接地成为非导通。
在第一基板统一地设置有第一滤波器及第二滤波器，因此，第一滤波器的第一输入输出端子与第二滤波器的第三输入输出端子能够接近地配置。与此相伴，与第一输入输出端子连接的第一布线和与第三输入输出端子连接的第二布线可能接近而无法充分地确保布线间的隔离。
与此相对，例如，在第一滤波器的通带与第二滤波器的通带不同的情况下，当进行第一滤波器的通带中的通信且不进行第二滤波器的通带中的通信的情况下，通过第二开关而使第二布线与接地成为导通。即，第二布线及与第二布线连接的第三输入输出端子成为接地电位。因此，在第一输入输出端子及第一布线的附近配置接地(第三输入输出端子及第二布线)，能够抑制第一滤波器的衰减特性的劣化。同样地，例如，在进行第二滤波器的通带中的通信且不进行第一滤波器的通带中的通信的情况下，通过第一开关而使第一布线与接地成为导通。即，第一布线及与第一布线连接的第一输入输出端子成为接地电位。因此，在第三输入输出端子及第二布线的附近配置接地(第一输入输出端子及第一布线)，能够抑制第二滤波器的衰减特性的劣化。另外，能够不增加接地端子而将与各滤波器连接的高频信号的输入输出端子也用作接地端子，因此，能够实现小型化。这样，能够在实现小型化的同时抑制衰减特性的劣化。
例如也可以是，所述第一开关是SPST(single pole single throw，单刀单掷)的开关，所述滤波器模块还具备切换所述第一布线与通过所述第一滤波器的信号的输入输出端子的导通及非导通的SPST的开关。
例如也可以是，所述第一开关是SPDT(single pole double throw，单刀双掷)的开关，在所述第一开关的共用端子连接有所述第一布线，在所述第一开关的两个选择端子中的一个选择端子连接有通过所述第一滤波器的信号的输入输出端子，在另一个选择端子连接有接地。
例如也可以是，所述第二开关是SPST的开关，所述滤波器模块还具备切换所述第二布线与通过所述第二滤波器的信号的输入输出端子的导通及非导通的SPST的开关。
例如也可以是，所述第二开关是SPDT的开关，在所述第二开关的共用端子连接有所述第二布线，在所述第二开关的两个选择端子中的一个选择端子连接有通过所述第二滤波器的信号的输入输出端子，在另一个选择端子连接有接地。
例如也可以是，所述滤波器模块还具备第二基板，所述第一开关及所述第二开关设置于所述第二基板。另外，例如也可以是，所述第一开关及所述第二开关设置于同一芯片。
另外，也可以是，所述滤波器模块还具备：第三布线，其与所述第二输入输出端子连接，传播通过所述第一滤波器的信号；第三开关，其切换所述第三布线与接地的导通及非导通；第四布线，其与所述第四输入输出端子连接，传播通过所述第二滤波器的信号；以及第四开关，其切换所述第四布线与接地的导通及非导通，当通过所述第一开关而使所述第一布线与接地成为导通、且通过所述第三开关而使所述第三布线与接地成为导通时，通过所述第二开关而使所述第二布线与接地成为非导通，并且，通过所述第四开关而使所述第四布线与接地成为非导通，当通过所述第二开关而使所述第二布线与接地成为导通、且通过所述第四开关而使所述第四布线与接地成为导通时，通过所述第一开关而使所述第一布线与接地成为非导通，并且，通过所述第三开关而使所述第三布线与接地成为非导通。
在第一基板统一地设置第一滤波器及第二滤波器，因此，第一滤波器的第二输入输出端子与第二滤波器的第四输入输出端子也能够接近地配置。与此相伴，与第二输入输出端子连接的第三布线和与第四输入输出端子连接的第四布线可能接近而无法充分地确保布线间的隔离。
例如，在进行第一滤波器的通带中的通信且不进行第二滤波器的通带中的通信的情况下，通过第二开关而使第二布线与接地成为导通，并且，通过第四开关而使第四布线与接地成为导通。即，不仅仅是与第二滤波器的输入端子连接的布线及与输出端子连接的布线中的一方，而是两方与接地成为导通。因此，在第一输入输出端子、第二输入输出端子、第一布线及第三布线的附近配置接地(第三输入输出端子、第四输入输出端子、第二布线及第四布线)，能够更加有效地抑制第一滤波器的衰减特性的劣化。同样地，例如，在进行第二滤波器的通带中的通信且不进行第一滤波器的通带中的通信的情况下，通过第一开关而使第一布线与接地成为导通，并且，通过第三开关而使第三布线与接地成为导通。即，不仅仅是与第一滤波器的输入端子连接的布线及与输出端子连接的布线中的一方，而是两方与接地成为导通。因此，在第三输入输出端子、第四输入输出端子、第二布线及第四布线的附近配置接地(第一输入输出端子、第二输入输出端子、第一布线及第三布线)，能够更加有效地抑制第二滤波器的衰减特性的劣化。
例如也可以是，所述第三开关是SPST的开关，所述滤波器模块还具备切换所述第三布线与通过所述第一滤波器的信号的输入输出端子的导通及非导通的SPST的开关。
例如也可以是，所述第三开关是SPDT的开关，在所述第三开关的共用端子连接有所述第三布线，在所述第三开关的两个选择端子中的一个选择端子连接有通过所述第一滤波器的信号的输入输出端子，在另一个选择端子连接有接地。
例如也可以是，所述第四开关是SPST的开关，所述滤波器模块还具备切换所述第四布线与通过所述第二滤波器的信号的输入输出端子的导通及非导通的SPST的开关。
例如也可以是，所述第四开关是SPDT的开关，在所述第四开关的共用端子连接有所述第四布线，在所述第四开关的两个选择端子中的一个选择端子连接有通过所述第二滤波器的信号的输入输出端子，在另一个选择端子连接有接地。
例如也可以是，所述滤波器模块还具备第二基板，所述第一开关至所述第四开关设置于所述第二基板。另外，例如也可以是，所述第一开关至所述第四开关设置于同一芯片。
另外，也可以是，所述滤波器模块还具备：放大电路，其具有与所述第一滤波器连接的第一输入端子、与所述第二滤波器连接的第二输入端子、以及输出端子，该放大电路将向所述第一输入端子输入的通过所述第一滤波器的信号及向所述第二输入端子输入的通过所述第二滤波器的信号中的一方放大从而从所述输出端子输出；第五开关，其切换所述第一输入端子与接地的导通及非导通；以及第六开关，其切换所述第二输入端子与接地的导通及非导通，当通过所述第一开关而使所述第一布线与接地成为导通时，通过所述第五开关而使所述第一输入端子与接地成为导通，并且，通过所述第六开关而使所述第二输入端子与接地成为非导通，当通过所述第二开关而使所述第二布线与接地成为导通时，通过所述第五开关而使所述第一输入端子与接地成为非导通，并且，通过所述第六开关而使所述第二输入端子与接地成为导通。
例如，在进行第一滤波器的通带中的通信且不进行第二滤波器的通带中的通信的情况下，通过第六开关而使放大电路的第二输入端子与接地成为导通。另外，例如，在进行第二滤波器的通带中的通信且不进行第一滤波器的通带中的通信的情况下，通过第五开关而使放大电路的第一输入端子与接地成为导通。即，未用于通信的一侧的输入端子与接地成为导通，因此，能够防止放大电路的误动作。
例如也可以是，所述滤波器模块还具备第二基板，所述第一开关至所述第六开关设置于所述第二基板。另外，例如也可以是，所述第一开关至所述第六开关、以及所述放大电路设置于同一芯片。
另外，也可以是，在所述第一基板还设置有与所述第一滤波器及所述第二滤波器连接的至少一个接地端子，所述第一输入输出端子与所述第三输入输出端子未将所述至少一个接地端子的任一个夹在中间而相邻，所述第二输入输出端子与所述第四输入输出端子未将所述至少一个接地端子的任一个夹在中间而相邻。
由此，无需为了确保与各个滤波器连接的布线间的隔离而将接地端子设置在第一输入输出端子与第三输入输出端子之间、以及第二输入输出端子与第四输入输出端子之间，因此，能够提高设计的自由度。
另外，也可以是，所述第一滤波器的通带与所述第二滤波器的通带是互不相同的频带。
由此，能够实现互不相同的频带中的多频段化。
发明效果
根据本发明的滤波器模块，能够在实现小型化的同时抑制衰减特性的劣化。
附图说明
图1是示出实施方式1的滤波器模块的一例的结构图。
图2是示出实施方式1的第一滤波器的一例的结构图。
图3是示出实施方式1的第二滤波器的一例的结构图。
图4是示出实施方式1的第一基板的布局的一例的俯视图。
图5是示出与实施方式1的第一基板连接的布线的一例的俯视图。
图6A是示出实施方式1的第一滤波器的各开关为第一状态时和为第二状态时的通过特性的图。
图6B是被图6A的圆圈包围的部分周边的放大图。
图7是示出实施方式1的滤波器模块的另一例的结构图。
图8是示出实施方式2的滤波器模块的一例的结构图。
图9是示出实施方式2的滤波器模块的另一例的结构图。
图10是示出实施方式3的滤波器模块的一例的结构图。
具体实施方式
以下，使用附图对本发明的实施方式详细进行说明。需要说明的是，以下所说明的实施方式均示出包括性或具体的例子。以下的实施方式所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置及连接方式等是一例，并非意在限定本发明。关于以下的实施方式中的构成要素中的未记载于独立权利要求的构成要素，作为任意的构成要素而被说明。另外，在各图中，针对实质上相同的结构标注相同的标记，有时省略或简化重复的说明。另外，在以下的实施方式中，“连接”不仅包括直接连接的情况，也包括经由其他元件等而电连接的情况。
(实施方式1)
[1.滤波器模块的结构]
首先，使用图1对实施方式1的滤波器模块的结构进行说明。
图1是示出实施方式1的滤波器模块1的一例的结构图。
滤波器模块1是与多频段对应的模块，例如，对应于两个频带。使用滤波器模块1，例如进行两个频带的信号的分时通信。滤波器模块1具备输入输出端子n1～n4。例如，在输入输出端子n1及n3连接有天线元件，在输入输出端子n2及n4连接有低噪声放大器等放大电路的输入端子。
滤波器模块1具备第二基板100、设置于第二基板100的第一基板10、开关SW1、SW1a、SW2、SW2a、SW3、SW3a、SW4及SW4a、以及布线L1、L2、L3及L4。
第二基板100是安装上述部件、第一基板10等其他基板的安装基板，例如是印刷基板等。输入输出端子n1～n4例如设置于第二基板100。第一基板10与上述各开关通过设置于第二基板100的布线L1、L2、L3及L4而连接。
在第一基板10设置有输入输出端子m1(第一输入输出端子)、输入输出端子m2(第二输入输出端子)、滤波器11、输入输出端子m3(第三输入输出端子)、输入输出端子m4(第四输入输出端子)、以及滤波器12。即，这些结构统一设置于第一基板10。第一基板10例如是印刷基板或LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics，低温共烧陶瓷)基板等。需要说明的是，虽然在图1中未图示，但在第一基板10设置有与滤波器11及12连接的至少一个接地端子(参照后述的图4)。输入输出端子m1～m4及接地端子例如是设置于第一基板10的凸起或表面电极(焊盘)等。
滤波器11是配置在将输入输出端子m1与输入输出端子m2连结的路径上的第一滤波器。例如，滤波器11是接收滤波器，其通带是LTE(Long Term Evolution，长期演进)的Band25Rx(1930-1995MHz)。
滤波器12是配置在将输入输出端子m3与输入输出端子m4连结的路径上的第二滤波器。例如，滤波器12是接收滤波器，其通带是LTE的Band3Rx(1805-1880MHz)。
滤波器11及12例如是弹性波滤波器，构成弹性波滤波器的谐振器例如是利用了表面波(SAW：Surface Acoustic Wave，声表面波)的谐振器。需要说明的是，也可以是利用了边界波的谐振器或者FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator，薄膜体声波谐振器)等利用了体波(BAW：Bulk Acoustic Wave，体声波)的谐振器等。SAW谐振器具有在具有压电性的基板上形成的IDT(InterDigital Transducer，叉指换能器)电极，能够实现具有急剧度高的通过特性的小型且低高度的滤波器电路。需要说明的是，具有压电性的基板是至少在表面具有压电性的基板。该基板例如也可以在表面具备压电薄膜，由声速与该压电薄膜不同的膜以及支承基板等层叠体构成。另外，该基板例如可以是包括高声速支承基板和形成在高声速支承基板上的压电薄膜在内的层叠体，也可以是包括高声速支承基板、形成在高声速支承基板上的低声速膜、以及形成在低声速膜上的压电薄膜在内的层叠体。或者，还可以是包括支承基板、形成在支承基板上的高声速膜、形成在高声速膜上的低声速膜、以及形成在低声速膜上的压电薄膜在内的层叠体。需要说明的是，该基板也可以在基板整体具有压电性。
布线L1是与输入输出端子m1连接且传播通过滤波器11的信号的第一布线。布线L1连接输入输出端子m1与开关SW1。另外，布线L1也是连接输入输出端子m1与开关SW1a的布线。布线L2是与输入输出端子m3连接且传播通过滤波器12的信号的第二布线。布线L2连接输入输出端子m3与开关SW2。另外，布线L2也是连接输入输出端子m3与开关SW2a的布线。布线L3是与输入输出端子m2连接且传播通过滤波器11的信号的第三布线。布线L3连接输入输出端子m2与开关SW3。另外，布线L3也是连接输入输出端子m2与开关SW3a的布线。布线L4是与输入输出端子m4连接且传播通过滤波器12的信号的第四布线。布线L4连接输入输出端子m4与开关SW4。另外，布线L4也是连接输入输出端子m4与开关SW4a的布线。
开关SW1是切换布线L1(输入输出端子m1)与接地的导通及非导通的第一开关。例如，开关SW1是SPST的开关，在该情况下，滤波器模块1还具备切换布线L1(输入输出端子m1)与通过滤波器11的信号的输入输出端子n1的导通及非导通的SPST的开关SW1a。需要说明的是，也可以代替作为SPST的开关的开关SW1及SW1a而设置SPDT的开关。在该情况下，第一开关是SPDT的开关，在第一开关的共用端子连接有布线L1(输入输出端子m1)，在第一开关的两个选择端子中的一个选择端子连接有输入输出端子n1，在另一个选择端子连接有接地。另外，在该情况下，连接该开关的共用端子与输入输出端子m1的布线成为第一布线。
开关SW2是切换布线L2(输入输出端子m3)与接地的导通及非导通的第二开关。例如，开关SW2是SPST的开关，在该情况下，滤波器模块1还具备切换布线L2(输入输出端子m3)与通过滤波器12的信号的输入输出端子n3的导通及非导通的SPST的开关SW2a。需要说明的是，也可以代替作为SPST的开关的开关SW2及SW2a而设置SPDT的开关。在该情况下，第二开关是SPDT的开关，在第二开关的共用端子连接有布线L2(输入输出端子m3)，在第二开关的两个选择端子中的一个选择端子连接有输入输出端子n3，在另一个选择端子连接有接地。另外，在该情况下，连接该开关的共用端子与输入输出端子m3的布线成为第二布线。
开关SW3是切换布线L3(输入输出端子m2)与接地的导通及非导通的第三开关。例如，开关SW3是SPST的开关，在该情况下，滤波器模块1还具备切换布线L3(输入输出端子m2)与通过滤波器11的信号的输入输出端子n2的导通及非导通的SPST的开关SW3a。需要说明的是，也可以代替作为SPST的开关的开关SW3及SW3a而设置SPDT的开关。在该情况下，第三开关是SPDT的开关，在第三开关的共用端子连接有布线L3(输入输出端子m2)，在第三开关的两个选择端子中的一个选择端子连接有输入输出端子n2，在另一个选择端子连接有接地。另外，在该情况下，连接该开关的共用端子与输入输出端子m2的布线成为第三布线。
开关SW4是切换布线L4(输入输出端子m4)与接地的导通及非导通的第四开关。例如，开关SW4是SPST的开关，在该情况下，滤波器模块1还具备切换布线L4(输入输出端子m4)与通过滤波器12的信号的输入输出端子n4的导通及非导通的SPST的开关SW4a。需要说明的是，也可以代替作为SPST的开关的开关SW4及SW4a而设置SPDT的开关。在该情况下，第四开关是SPDT的开关，在第四开关的共用端子连接有布线L4(输入输出端子m4)，在第四开关的两个选择端子中的一个选择端子连接有输入输出端子n4，在另一个选择端子连接有接地。另外，在该情况下，连接该开关的共用端子与输入输出端子m4的布线成为第四布线。
这些开关例如是由GaAs或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)构成的FET(Field Effect Transistor，场效应晶体管)开关、或者二极管开关等。
另外，例如基于来自外部(例如RF信号处理电路)的控制信号，在这些开关为SPST的开关的情况下切换导通状态及非导通状态，在这些开关为SPDT的开关的情况下切换共用端子与多个选择端子的任一个选择端子的连接。另外，例如基于来自一个RF信号处理电路的控制信号，同步地控制这些开关。
具体而言，当通过开关SW1而使布线L1(输入输出端子m1)与接地成为导通、并且通过开关SW3而使布线L3(输入输出端子m2)与接地成为导通时，通过开关SW2而使布线L2(输入输出端子m3)与接地成为非导通，并且，通过开关SW4而使布线L4(输入输出端子m4)与接地成为非导通。此时，通过开关SWIa而使布线L1(输入输出端子m1)与输入输出端子n1成为非导通，通过开关SW3a而使布线L3(输入输出端子m2)与输入输出端子n2成为非导通，通过开关SW2a而使布线L2(输入输出端子m3)与输入输出端子n3成为导通，通过开关SW4a而使布线L4(输入输出端子m4)与输入输出端子n4成为导通。
另外，当通过开关SW2而使布线L2(输入输出端子m3)与接地成为导通、并且通过开关SW4而使布线L4(输入输出端子m4)与接地成为导通时，通过开关SW1而使布线L1(输入输出端子m1)与接地成为非导通，并且，通过开关SW3而使布线L3(输入输出端子m2)与接地成为非导通。此时，通过开关SW2a而使布线L2(输入输出端子m3)与输入输出端子n3成为非导通，通过开关SW4a而使布线L4(输入输出端子m4)与输入输出端子n4成为非导通，通过开关SW1a而使布线L1(输入输出端子m1)与输入输出端子n1成为导通，通过开关SW3a而使布线L3(输入输出端子m2)与输入输出端子n2成为导通。
即，在进行与滤波器11的通带对应的频带(例如Band25Rx)中的通信时，布线L1及L3、以及和布线L1及L3连接的输入输出端子m1及m2与接地成为非导通，布线L2及L4、以及和布线L2及L4连接的输入输出端子m3及m4与接地成为导通。另外，在进行与滤波器12的通带对应的频带(例如Band3Rx)中的通信时，布线L2及L4、以及和布线L2及L4连接的输入输出端子m3及m4与接地成为非导通，布线L1及L3、以及和布线L1及L3连接的输入输出端子m1及m2与接地成为导通。
需要说明的是，这些开关可以设置在第二基板100的内部，也可以设置在第二基板100上。另外，滤波器模块1也可以不具备第二基板100，开关SW1、SW1a、SW2、SW2a、SW3、SW3a、SW4及SW4a、以及布线L1、L2、L3及L4也可以分别分体设置。
[2.第一滤波器及第二滤波器的结构]
接着，使用图2及图3对滤波器11及12的具体结构进行说明。
图2是示出实施方式1的滤波器11(第一滤波器)的一例的结构图。在图2中，除了滤波器11之外还示出输入输出端子m1及m2。
滤波器11具有配置在将输入输出端子m1与输入输出端子m2连结的路径上的串联臂谐振器S11～S13及双模式型SAW滤波器DMS1、以及分别配置在设置于该路径上的互不相同的连接节点与接地之间的并联臂谐振器P11及P12。连接节点是指元件与元件、或者元件与端子之间的连接点。并联臂谐振器P11连接在串联臂谐振器S11及双模式型SAW滤波器DMS1之间的连接节点与接地之间，并联臂谐振器P12连接在串联臂谐振器S12及串联臂谐振器S13之间的连接节点与接地之间。通过该结构，形成滤波器11的通带(例如Band25Rx)。
图3是示出实施方式1的滤波器12(第二滤波器)的一例的结构图。在图3中，除了滤波器12之外还示出输入输出端子m3及m4。
滤波器12具有配置在将输入输出端子m3与输入输出端子m4连结的路径上的串联臂谐振器S21～S23及双模式型SAW滤波器DMS2、以及分别配置在设置于该路径上的互不相同的连接节点与接地之间的并联臂谐振器P21及P22。并联臂谐振器P21连接在串联臂谐振器S21及串联臂谐振器S22之间的连接节点与接地之间，并联臂谐振器P22连接在双模式型SAW滤波器DMS2及串联臂谐振器S23之间的连接节点与接地之间。通过该结构，形成滤波器12的通带(例如Band3Rx)。
需要说明的是，构成滤波器11及12的谐振器的数量、双模式型SAW滤波器的有无等是一例，不限于这里说明的情况。
[3.第一基板的布局及与第一基板连接的布线的布线例]
接着，使用图4及图5对第一基板10的布局及与第一基板10连接的布线的布线例进行说明。
首先，使用图4对第一基板10的布局进行说明。
图4是示出实施方式1的第一基板10的布局的一例的俯视图。需要说明的是，在图4中，在连接端子与部件的布线及连接部件与部件的布线上标注有阴影线。具体而言，在与接地连接的地线上标注有由从左上向右下延伸的平行线构成的阴影线，在通过高频信号的信号线上标注有由从右上向左下延伸的平行线构成的阴影线。另外，在图4上，看起来在双模式型SAW滤波器DMS1及DMS2的周边，上述信号线与上述地线接触而导通，但例如在一方的布线(这里为信号线)之下设置有另一方的布线(这里为地线)，使得相互不导通。
如图4所示，在第一基板10统一设置有滤波器11及12、以及输入输出端子m1～m4。另外，在第一基板10设置有与滤波器11及滤波器12连接的至少一个接地端子。例如，在第一基板10设置有与滤波器11(具体而言，并联臂谐振器P11及P12以及双模式型SAW滤波器DMS1)连接的接地端子g1、以及与滤波器12(具体而言，并联臂谐振器P21及P22以及双模式型SAW滤波器DMS2)连接的接地端子g2。
为了使第一基板10的尺寸尽可能地小型化，将滤波器11及12的结构部件、与它们连接的输入输出端子m1～m4、以及接地端子g1及g2密集地配置。因此，将与滤波器11连接的输入输出端子m1(这里为例如输入端子)和与滤波器12连接的输入输出端子m3(这里为例如输入端子)接近配置。另外，将与滤波器11连接的输入输出端子m2(这里为例如输出端子)与和滤波器12连接的输入输出端子m4(这里为例如输出端子)接近配置。例如，输入输出端子m1与输入输出端子m3未将至少一个接地端子的任一个夹在中间而相邻，输入输出端子m2与输入输出端子m4未将至少一个接地端子的任一个夹在中间而相邻。
接着，使用图5对与第一基板10连接的布线的布线例进行说明。
图5是示出与实施方式1的第一基板10连接的布线的一例的俯视图。需要说明的是，在图5中，省略了设置于第一基板10的部件及布线的图示，针对第一基板10仅图示出端子。
如图5所示，在第一基板10中，输入输出端子m1与输入输出端子m3接近配置，因此，与它们连接的布线L1及L2也接近配置。同样地，在第一基板10中，输入输出端子m2与输入输出端子m4接近配置，因此，与它们连接的布线L3及L4也接近配置。由此，可能无法充分地确保布线L1及L2间以及布线L3及L4间的隔离。
[4.滤波器特性]
接着，使用图6A及图6B，来说明进行与滤波器11的通带对应的频带(例如Band25Rx)中的通信、未进行与滤波器12的通带对应的频带(例如Band3Rx)中的通信时的滤波器11的通过特性。
图6A是示出实施方式1的滤波器11(第一滤波器)的各开关为第一状态时和为第二状态时的通过特性的图。图6B是被图6A的圆圈包围的部分周边的放大图。
需要说明的是，第一状态是指如下状态：开关SW1a及SW3a成为导通状态，并且，开关SW1及SW3成为非导通状态，并且，开关SW2a及SW4a成为非导通状态，并且，开关SW2及SW4成为导通状态，第二状态是指相对于第一状态而开关SW2及SW4成为非导通状态的状态。
在进行滤波器11的通带中的通信且不进行滤波器12的通带中的通信的情况下，在第一状态及第二状态下，开关SW1a及SW3a均成为导通状态，开关SW1及SW3均成为非导通状态，开关SW2a及SW4a均成为非导通状态。在第一状态下，开关SW2及SW4还成为导通状态，布线L2及L4(输入输出端子m3及m4)与接地成为导通。在第二状态下，开关SW2及SW4还成为非导通状态，布线L2及L4(输入输出端子m3及m4)与接地成为非导通。在本发明中，将各开关设成了第一状态，但针对首先成为第二状态时产生的问题进行说明。
在第二状态下，与滤波器12相关的端子及布线成为从接地浮起的状态。此时，由于将布线L1及L2接近配置，因此，通过布线L1向输入输出端子m1输入的高频信号的一部有时会泄漏到布线L2。另外，由于将布线L3及L4接近配置，因此，通过了滤波器12的该泄漏信号的一部分有时会返回到布线L3。
如上所述，滤波器12将Band3Rx(1805-1880MHz)作为通带，Band3Rx位于作为滤波器11的通带的Band25Rx(1930-1995MHz)的低频带侧的衰减频带。即，通过布线L1向输入输出端子m1输入的高频信号能够通过滤波器11而使Band3Rx的成分衰减。但是，当该高频信号的一部分泄漏到布线L2时，该泄漏信号所包含的Band3Rx的成分会通过以Band3Rx作为通带的滤波器12。然后，当通过了滤波器12的包括Band3Rx的成分的泄漏信号从布线L4返回到布线L3时，结果是，滤波器11无法使Band3Rx的成分衰减一部分，衰减特性会发生劣化。因此，如图6A及图6B所示，在Band3Rx(1805-1880MHz)周边，在第二状态下，与后述的第一状态相比，衰减特性会劣化。
对此，在本发明中，将各开关设为第一状态，将与滤波器12相关的端子及布线与接地连接。
在第一状态下，输入输出端子m3及m4、以及布线L2及L4成为与接地连接的状态。因此，即便通过布线L1向输入输出端子m1输入的高频信号的一部分泄漏到布线L2，由于布线L2及输入输出端子m3与接地连接，因此，该泄漏信号也向接地流动。另外，由于布线L4及输入输出端子m4与接地连接，因此该泄漏信号难以从布线L4返回到布线L3。因此，如图6A及图6B所示，在Band3Rx(1805-1880MHz)周边，在第一状态下，与第二状态相比衰减特性的劣化得以抑制。
需要说明的是，关于进行与滤波器12的通带对应的频带(例如Band3Rx)中的通信、且未进行与滤波器11的通带对应的频带(例如Band25Rx)中的通信时的滤波器12的通过特性，成为与上述说明同样的趋势。虽然省略了详细的说明，但在位于作为滤波器12的通带的Band3Rx(1805-1880MHz)的高频带侧的Band25Rx(1930-1995MHz)周边，能够抑制滤波器12的衰减特性的劣化。
另外，如图4所示，在第一基板10上，除了最低必要限度的接地端子g1及g2以外，未设置接地端子，但能够抑制衰减特性的劣化。这是因为，也能够将输入输出端子m1～m4用作接地端子，接地端子实质上增加。即，无需增加接地端子，因此，能够在不大型化的情况下抑制衰减特性的劣化。
另外，通过将接地端子配置到输入输出端子m1及m3之间、以及输入输出端子m2及m4之间，能够提高隔离(即抑制衰减特性的劣化)，但在本发明中，如图4所示，能够不采用这样的配置而抑制衰减特性的劣化。同样地，即便在布线L1及L2之间、以及布线L3及L4之间的隔离变差的状态(例如，在布线间未夹着接地、布线彼此并行或交叉的状态)下，也能够抑制衰减特性的劣化。这是因为，如上所述，通过将与未用于通信的一侧的滤波器相关的端子及布线用作接地，能够提高隔离。因此，无需另外进行用于提高隔离的设计，能够提高设计的自由度。
[5.变形例]
需要说明的是，开关SW1至开关SW4也可以设置于同一芯片。
图7是示出实施方式1的滤波器模块1的另一例的结构图。如图7所示，开关SW1、SW1a、SW2、SW2a、SW3、SW3a、SW4及SW4a也可以设置于同一芯片20。而且，也可以将芯片20安装于第二基板100。
[6.总结]
如以上说明的那样，例如，在滤波器11的通带与滤波器12的通带不同的情况下，当进行滤波器11的通带中的通信且不进行滤波器12的通带中的通信时，通过开关SW2而使布线L2与接地成为导通，并且，通过开关SW4而使布线L4与接地成为导通。即，不仅仅是与滤波器12的输入端子连接的布线及与输出端子连接的布线中的一方，而是两方与接地成为导通。因此，在输入输出端子m1、输入输出端子m2、布线L1及布线L3的附近配置接地(输入输出端子m3、输入输出端子m4、布线L2及布线L4)，能够抑制滤波器11的衰减特性的劣化。同样地，例如在进行滤波器12的通带中的通信且不进行滤波器11的通带中的通信的情况下，通过开关SW1而使布线L1与接地成为导通，并且，通过开关SW3而使布线L3与接地成为导通。即，不仅仅是与滤波器11的输入端子连接的布线及与输出端子连接的布线的一方，而是两方与接地成为导通。因此，在输入输出端子m3、输入输出端子m4、布线L2及布线L4的附近配置接地(输入输出端子m1、输入输出端子m2、布线L1及布线L3)，能够抑制滤波器12的衰减特性的劣化。另外，不用增加接地端子，能够将与各滤波器连接的高频信号的输入输出端子也用作接地端子，因此，能够实现小型化。这样，能够在实现小型化的同时抑制衰减特性的劣化。
(实施方式2)
接着，使用图8对实施方式2的滤波器模块进行说明。
图8是示出实施方式2的滤波器模块2的一例的结构图。
在实施方式2的滤波器模块2中，在输入输出端子n2及n4连接有开关SW5及SW6、以及放大电路30，这一点与实施方式1中的滤波器模块1不同。其他点与实施方式1中的滤波器模块1相同，因此省略说明。
放大电路30具有与滤波器11连接的输入端子i1(第一输入端子)、与滤波器12连接的输入端子i2(第二输入端子)、以及输出端子o1。具体而言，输入端子i1经由设置在连结输入输出端子m2与输入端子i1的路径上的连接节点与接地之间的开关SW5、以及设置在该路径上的开关SW3a而与滤波器11连接。另外，输入端子i2经由设置在连结输入输出端子m4与输入端子i2的路径上的连接节点与接地之间的开关SW6、以及设置在该路径上的开关SW4a而与滤波器12连接。放大电路30是将向输入端子i1输入的通过滤波器11的信号及向输入端子i2输入的通过滤波器12的信号中的一方放大从而从输出端子o1输出的例如低噪声放大器。在输出端子o1例如连接有RF信号处理电路等。
开关SW5是切换输入端子i1与接地的导通及非导通的第五开关。需要说明的是，开关SW5可以与输入端子i1直接连接，也可以经由布线而连接。在开关SW5经由布线而与输入端子i1连接的情况下，开关SW5通过切换该布线与接地的导通及非导通来切换输入端子i1与接地的导通及非导通。开关SW6是切换输入端子i2与接地的导通及非导通的第六开关。需要说明的是，开关SW6可以与输入端子i2直接连接，也可以经由布线而与连接。在开关SW6经由布线而与输入端子i2连接的情况下，开关SW6通过切换该布线与接地的导通及非导通来切换输入端子i2与接地的导通及非导通。开关SW5及SW6例如是由GaAs或CMOS构成的FET开关或者二极管开关等。另外，开关SW5及SW6例如基于来自外部(例如RF信号处理电路)的控制信号来切换导通状态及非导通状态。另外，开关SW5及SW6与上述的开关SW1、SW1a、SW2、SW2a、SW3、SW3a、SW4及SW4a一起，例如基于来自一个RF信号处理电路的控制信号被同步地控制。
具体而言，当通过开关SW1而使布线L1(输入输出端子m1)与接地成为导通时，通过开关SW5而使输入端子i1与接地成为导通，并且，通过开关SW6而使输入端子i2与接地成为非导通。需要说明的是，当通过开关SW1而使布线L1(输入输出端子m1)与接地成为导通，开关SW3、SW2a及SW4a也成为导通，开关SW1a、SW3a、SW2及SW4也成为非导通。
另外，当通过开关SW2而使布线L2(输入输出端子m3)与接地成为导通时，通过开关SW5而使输入端子i1与接地成为非导通，通过开关SW6而使输入端子i2与接地成为导通。需要说明的是，当通过开关SW2而使布线L2(输入输出端子m3)与接地成为导通时，开关SW4、SW1a及SW3a也成为导通，开关SW2a、SW4a、SW1及SW3成为非导通。
即，在进行与滤波器11的通带对应的频带中的通信时，被输入通过滤波器11的高频信号的输入端子i1与接地成为非导通，不进行通信而不被输入高频信号的输入端子i2与接地成为导通。另外，在进行与滤波器12的通带对应的频带中的通信时，被输入通过滤波器12的高频信号的输入端子i2与接地成为非导通，不进行通信而不被输入高频信号的输入端子i1与接地成为导通。
需要说明的是，滤波器模块2也可以不具备第二基板100，开关SW1、SW1a、SW2、SW2a、SW3、SW3a、SW4、SW4a、SW5及SW6、放大电路30、以及布线L1、L2、L3及L4也可以分别分体设置。
另外，开关SW1至开关SW6、以及放大电路30也可以设置于同一芯片。
图9是示出实施方式2的滤波器模块2的另一例的结构图。如图9所示，开关SW1、SW1a、SW2、SW2a、SW3、SW3a、SW4、SW4a、SW5、SW6及放大电路30也可以设置于同一芯片20a。而且，也可以将芯片20a安装于第二基板100。
如以上说明的那样，例如，在进行与滤波器11的通带对应的频带中的通信之际开关SW6成为非导通状态的情况下，当信号从成为非导通状态的开关SW4a泄漏而被输入到输入端子i2时，放大电路30在应该仅对输入到输入端子i1的信号进行放大时可能会由于输入到输入端子i2的信号而进行误动作。对此，将开关SW6设为导通状态，使输入端子i2与接地连接，由此，不会向输入端子i2输入信号，能够防止放大电路30的误动作。这样，未用于放大电路30的通信的一侧的输入端子与接地导通，因此，能够防止放大电路30的误动作。
(实施方式3)
接着，使用图10对实施方式3的滤波器模块进行说明。
图10是示出实施方式3的滤波器模块3的一例的结构图。
在实施方式3的滤波器模块3中，在输入输出端子m2及m4未连接开关SW3及SW4等，这一点与实施方式1中的滤波器模块1不同。其他点与实施方式1中的滤波器模块1相同，因此省略说明。
在实施方式1中，滤波器11及12中的未用于通信的滤波器的输入端子及输出端子这两方与接地成为导通，但也可以仅一方与接地成为导通。因此，也可以如图10所示的滤波器模块3那样在输入输出端子m2不连接开关SW3及SW3a，另外，也可以在输入输出端子m4不连接开关SW4及SW4a。
需要说明的是，滤波器模块3也可以不具备第二基板100，开关SW1、SW1a、SW2及SW2a、以及布线L1及L2也可以分别分体设置。
另外，虽然省略了图示，但开关SW1及SW2也可以设置于同一芯片。
如以上说明的那样，在进行滤波器11的通带中的通信且不进行滤波器12的通带中的通信的情况下，通过开关SW2而使布线L2(输入输出端子m3)与接地成为导通。即，布线L2及与布线L2连接的输入输出端子m3成为接地电位。因此，在输入输出端子m1及布线L1的附近配置接地(输入输出端子m3及布线L2)，能够抑制滤波器11的衰减特性的劣化。同样地，例如，在进行滤波器12的通带中的通信且不进行滤波器11的通带中的通信的情况下，通过开关SW1而使布线L1(输入输出端子m1)与接地成为导通。即，布线L1及与布线L1连接的输入输出端子m1成为接地电位。因此，在输入输出端子m3及布线L2的附近配置接地(输入输出端子m1及布线L1)，能够抑制滤波器12的衰减特性的劣化。另外，能够不增加接地端子而将与各滤波器连接的高频信号的输入输出端子也用作接地端子，因此，能够实现小型化。这样，能够在实现小型化的同时抑制衰减特性的劣化。
(其他实施方式)
以上，针对本发明的滤波器模块，举出实施方式进行了说明，但本发明不限于上述实施方式。组合上述实施方式中的任意的构成要素而实现的其他实施方式、在不脱离本发明的主旨的范围内对上述实施方式实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的变形例、内置有本发明的滤波器模块的各种设备也包含在本发明中。
例如，在上述实施方式中，滤波器模块具备两个滤波器11及12，但也可以具备三个以上。
另外，例如，在上述实施方式中，输入输出端子m1与输入输出端子m3未将至少一个接地端子的任一个夹在中间而相邻，输入输出端子m2与输入输出端子m4未将至少一个接地端子的任一个夹在中间而相邻，但不限于此。例如，输入输出端子m1与输入输出端子m3也可以将至少一个接地端子的任一个夹在中间而相邻，输入输出端子m2与输入输出端子m4也可以将至少一个接地端子的任一个夹在中间而相邻。
另外，例如，在上述实施方式中，滤波器11的通带是Band25Rx(1930-1995MHz)，滤波器12的通带是Band3Rx(1805-1880MHz)，但不限于此，也可以是其他频带。另外，这些通带也可以相同。
产业上的可利用性
本发明作为可应用于多频段***的滤波器模块，能够广泛利用于便携电话等通信设备。
附图标记说明：
1、2、3 滤波器模块；
10 第一基板；
11 滤波器(第一滤波器)；
12 滤波器(第二滤波器)；
20、20a 芯片；
30 放大电路；
100 第二基板；
DMS1、DMS2 双模式型SAW滤波器；
L1 布线(第一布线)；
L2 布线(第二布线)；
L3 布线(第三布线)；
L4 布线(第四布线)；
S11、S12、S13、S21、S22、S23 串联臂谐振器；
SW1 开关(第一开关)；
SW2 开关(第二开关)；
SW3 开关(第三开关)；
SW4 开关(第四开关)；
SW5 开关(第五开关)；
SW6 开关(第六开关)；
SW1a、SW2a、SW3a、SW4a 开关；
P11、P12、P21、P22 并联臂谐振器；
g1、g2 接地端子；
i1 输入端子(第一输入端子)；
i2 输入端子(第二输入端子)；
m1 输入输出端子(第一输入输出端子)；
m2 输入输出端子(第二输入输出端子)；
m3 输入输出端子(第三输入输出端子)；
m4 输入输出端子(第四输入输出端子)；
n1～n4 输入输出端子；
o1 输出端子。

Claims (20)

1.一种滤波器模块，具备：
第一输入输出端子；
第二输入输出端子；
第一滤波器，其配置在连结所述第一输入输出端子与所述第二输入输出端子的路径上；
第三输入输出端子；
第四输入输出端子；
第二滤波器，其配置在连结所述第三输入输出端子与所述第四输入输出端子的路径上；
第一基板，其设置有所述第一输入输出端子、所述第二输入输出端子、所述第一滤波器、所述第三输入输出端子、所述第四输入输出端子及所述第二滤波器；
第一布线，其与所述第一输入输出端子连接，传播通过所述第一滤波器的信号；
第一开关，其切换所述第一布线与接地的导通及非导通；
第二布线，其与所述第三输入输出端子连接，传播通过所述第二滤波器的信号；
第二开关，其切换所述第二布线与接地的导通及非导通；
第三布线，其与所述第二输入输出端子连接，传播通过所述第一滤波器的信号；
第三开关，其切换所述第三布线与接地的导通及非导通；
第四布线，其与所述第四输入输出端子连接，传播通过所述第二滤波器的信号；以及
第四开关，其切换所述第四布线与接地的导通及非导通，
当通过所述第一开关而使所述第一布线与接地成为导通、且通过所述第三开关而使所述第三布线与接地成为导通时，通过所述第二开关而使所述第二布线与接地成为非导通，并且，通过所述第四开关而使所述第四布线与接地成为非导通，
当通过所述第二开关而使所述第二布线与接地成为导通、且通过所述第四开关而使所述第四布线与接地成为导通时，通过所述第一开关而使所述第一布线与接地成为非导通，并且，通过所述第三开关而使所述第三布线与接地成为非导通，
所述第一输入输出端子与所述第三输入输出端子相邻，
所述第二输入输出端子与所述第四输入输出端子相邻，
所述第一基板具有配置在连结所述第一输入输出端子与所述第二输入输出端子的路径上的第一基板上布线以及配置在连结所述第三输入输出端子与所述第四输入输出端子的路径上的第二基板上布线，
所述第一基板上布线的至少一部分与所述第二基板上布线的至少一部分在所述第一基板上相邻。
2.根据权利要求1所述的滤波器模块，其中，
所述第一滤波器和所述第二滤波器在所述第一基板上分离设置。
3.根据权利要求1所述的滤波器模块，其中，
所述第一开关是SPST即单刀单掷的开关，
所述滤波器模块还具备切换所述第一布线与通过所述第一滤波器的信号的输入输出端子的导通及非导通的SPST的开关。
4.根据权利要求1所述的滤波器模块，其中，
所述第一开关是SPDT即单刀双掷的开关，
在所述第一开关的共用端子连接有所述第一布线，
在所述第一开关的两个选择端子中的一个选择端子连接有通过所述第一滤波器的信号的输入输出端子，在另一个选择端子连接有接地。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的滤波器模块，其中，
所述第二开关是SPST的开关，
所述滤波器模块还具备切换所述第二布线与通过所述第二滤波器的信号的输入输出端子的导通及非导通的SPST的开关。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的滤波器模块，其中，
所述第二开关是SPDT的开关，
在所述第二开关的共用端子连接有所述第二布线，
在所述第二开关的两个选择端子中的一个选择端子连接有通过所述第二滤波器的信号的输入输出端子，在另一个选择端子连接有接地。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的滤波器模块，其中，
所述滤波器模块还具备第二基板，
所述第一开关及所述第二开关设置于所述第二基板。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的滤波器模块，其中，
所述第一开关及所述第二开关设置于同一芯片。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的滤波器模块，其中，
所述第三开关是SPST的开关，
所述滤波器模块还具备切换所述第三布线与通过所述第一滤波器的信号的输入输出端子的导通及非导通的SPST的开关。
10.根据权利要求1至4中任一项所述的滤波器模块，其中，
所述第三开关是SPDT的开关，
在所述第三开关的共用端子连接有所述第三布线，
在所述第三开关的两个选择端子中的一个选择端子连接有通过所述第一滤波器的信号的输入输出端子，在另一个选择端子连接有接地。
11.根据权利要求1至4中任一项所述的滤波器模块，其中，
所述第四开关是SPST的开关，
所述滤波器模块还具备切换所述第四布线与通过所述第二滤波器的信号的输入输出端子的导通及非导通的SPST的开关。
12.根据权利要求1至4中任一项所述的滤波器模块，其中，
所述第四开关是SPDT的开关，
在所述第四开关的共用端子连接有所述第四布线，
在所述第四开关的两个选择端子中的一个选择端子连接有通过所述第二滤波器的信号的输入输出端子，在另一个选择端子连接有接地。
13.根据权利要求1至4中任一项所述的滤波器模块，其中，
所述滤波器模块还具备第二基板，
所述第一开关至所述第四开关设置于所述第二基板。
14.根据权利要求1至4中任一项所述的滤波器模块，其中，
所述第一开关至所述第四开关设置于同一芯片。
15.根据权利要求1至4中任一项所述的滤波器模块，其中，
所述滤波器模块还具备：
放大电路，其具有与所述第一滤波器连接的第一输入端子、与所述第二滤波器连接的第二输入端子以及输出端子，将向所述第一输入端子输入的通过所述第一滤波器的信号及向所述第二输入端子输入的通过所述第二滤波器的信号中的一方放大从而从所述输出端子输出；
第五开关，其切换所述第一输入端子与接地的导通及非导通；以及
第六开关，其切换所述第二输入端子与接地的导通及非导通，
当通过所述第一开关而使所述第一布线与接地成为导通时，通过所述第五开关而使所述第一输入端子与接地成为导通，并且，通过所述第六开关而使所述第二输入端子与接地成为非导通，
当通过所述第二开关而使所述第二布线与接地成为导通时，通过所述第五开关而使所述第一输入端子与接地成为非导通，并且，通过所述第六开关而使所述第二输入端子与接地成为导通。
16.根据权利要求15所述的滤波器模块，其中，
所述滤波器模块还具备第二基板，
所述第一开关至所述第六开关设置于所述第二基板。
17.根据权利要求16所述的滤波器模块，其中，
所述放大电路设置于所述第二基板。
18.根据权利要求15所述的滤波器模块，其中，
所述第一开关至所述第六开关以及所述放大电路设置于同一芯片。
19.根据权利要求1至4中任一项所述的滤波器模块，其中，
在所述第一基板还设置有与所述第一滤波器及所述第二滤波器连接的至少一个接地端子，
所述第一输入输出端子与所述第三输入输出端子未将所述至少一个接地端子的任一个夹在中间而相邻，
所述第二输入输出端子与所述第四输入输出端子未将所述至少一个接地端子的任一个夹在中间而相邻。
20.根据权利要求1至4中任一项所述的滤波器模块，其中，
所述第一滤波器的通带与所述第二滤波器的通带是互不相同的频带。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107370479A (zh) * 2016-05-12 2017-11-21 株式会社村田制作所 开关模块
CN107408937A (zh) * 2015-03-30 2017-11-28 株式会社村田制作所 高频率滤波器、前端电路以及通信设备

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6676602B1 (en) * 2002-07-25 2004-01-13 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Two dimensional array switching for beamforming in a volume
JP2005057342A (ja) 2003-08-05 2005-03-03 Oki Electric Ind Co Ltd 分波器および分波器における分波線路の線路長決定方法
US7313367B2 (en) * 2005-03-14 2007-12-25 Northrop Grumman Corporation Switched multiplexer method to combine multiple broadband RF sources
US7733187B2 (en) 2006-10-13 2010-06-08 Panasonic Corporation High frequency power amplifier
JP2008118624A (ja) * 2006-10-13 2008-05-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波電力増幅装置
JP5177392B2 (ja) * 2008-03-17 2013-04-03 Ｔｄｋ株式会社 弾性表面波装置
JP6250935B2 (ja) * 2013-02-05 2017-12-20 太陽誘電株式会社 高周波モジュール
JP5677499B2 (ja) * 2013-04-11 2015-02-25 太陽誘電株式会社 高周波回路モジュール

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107408937A (zh) * 2015-03-30 2017-11-28 株式会社村田制作所 高频率滤波器、前端电路以及通信设备
CN107370479A (zh) * 2016-05-12 2017-11-21 株式会社村田制作所 开关模块

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