CN111512460A - 显示元件和电子装置 - Google Patents

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关根昌章
坂入卓
大地朋和
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Abstract

提供了一种显示元件，包括：显示区域，该显示区域包括以二维形式布置的像素(10)，每个像素包括多个子像素(100R、100W、100G、100B)。在每个像素中，针对每个子像素(例如112R和112W或112G和112B)调节光反射部(112)相对于发光部的高度。

Description

显示元件和电子装置
技术领域
本技术涉及显示元件和电子装置，更具体地，涉及能够提高像素的亮度的显示元件和电子装置。
<相关申请的交叉引用>
本申请要求于2017年12月26日提交的日本优先专利申请JP 2017-248697的权益，其全部内容通过引用并入本文。
背景技术
近年来，作为在施加电压时自身发光的发光元件，已经开发了发光型显示元件，诸如使用其中形成了称为有机电致发光(有机EL)的现象的有机发光二极管(OLED)的有机EL显示元件。
在有机EL显示元件中，如果光提取效率差，则不能有效地使用有机EL元件中的实际发光量，从而导致功耗等方面的损失，因此需要有效提取光的技术。
作为用于提高光提取效率的技术，例如在PTL1中公开的技术是已知的。PTL1中公开了一种涉及阳极反射器结构的技术，该阳极反射器结构使用元件之间的折射率差来反射在元件表面上传播的一些光。
引证列表
专利文献
PTL 1：JP 2013-191533A
发明内容
技术问题
在有机EL显示元件中，可以使用通过增加特定像素的尺寸以提高每个像素的亮度来增加发光面积的方法，但是在采用这种方法的情况下，由于像素间距改变，难以实现高清晰度。因此，需要更适当地提高像素的亮度的技术。
希望能够提高像素的亮度。
问题的解决方案
本技术由权利要求书限定。
发明的有利效果
根据本技术的实施例，可以提高像素的亮度。
此外，在此描述的效果不必是限制性的，并且可以包括本公开中描述的任何效果。
附图说明
[图1]图1是示出应用本技术的显示元件的一个实施例的配置的示例的框图。
[图2]图2是示出像素驱动电路的配置的示例的电路图。
[图3]图3是示出显示区域的结构的示例的俯视图。
[图4]图4是示出根据相关技术的像素结构的一部分的主要部分截面图。
[图5]图5是示出根据第一实施例的像素结构的一部分的主要部分截面图。
[图6]图6是示出根据第二实施例的像素结构的一部分的主要部分截面图。
[图7]图7是示出根据第三实施例的像素结构的一部分的主要部分截面图。
[图8]图8A和图8B是各自表示第四实施例的变形例所涉及的像素的结构的一部分的主要部分截面图。
[图9]图9A、图9B和图9C各自表示了示出根据第五实施例的变形例的像素的结构的一部分的主要部分截面图。
[图10]图10A和图10B分别表示了示出根据第六实施例的变形例的像素的结构的一部分的主要部分截面图。
[图11]图11是表示根据第七实施例的底部发射子像素100的结构的一部分的主要部分截面图。
[图12]图12A和图12B各自表示了示出根据第八实施例的变形例的像素的结构的一部分的主要部分截面图。
[图13]图13是用于描述由反射器反射光的概念图。
[图14]图14是示出到反射器的倾斜表面的距离和进行全反射的反射器的高度之间的关系的图。
[图15]图15是用于描述由反射器反射光的概念图。
[图16]图16是示出在反射器角度改变的情况下满足全反射条件的反射器的高度变化的表。
[图17]图17是示出了满足预定全反射条件的反射器的结构的示例的示图。
[图18]图18是用于描述根据本技术的实施例的像素制造工艺的第一示例的流程的示图。
[图19]图19是用于描述根据本技术的实施例的像素制造工艺的第一示例的流程的示图。
[图20]图20是用于描述根据本技术的实施例的像素制造工艺的第一示例的流程的示图。
[图21]图21是用于描述根据本技术的实施例的像素制造工艺的第二示例的流程的示图。
[图22]图22是用于描述根据本技术的实施例的像素制造工艺的第二示例的流程的示图。
[图23]图23是用于描述根据本技术的实施例的像素制造工艺的第二示例的流程的示图。
[图24]图24是用于描述根据本技术的实施例的像素制造工艺的第二示例的流程的示图。
[图25]图25是用于描述根据本技术的实施例的像素制造工艺的第二示例的流程的示图。
[图26]图26是用于描述根据本技术的实施例的像素制造过程的第二示例的流程的示图。
[图27]图27是用于描述根据本技术的实施例的像素制造过程的第二示例的流程的示图。
[图28]图28是示出作为应用了本技术的实施例的显示元件的电子装置的单镜头反光相机的外观的一个示例的示图。
[图29]图29是示出作为应用了本技术的实施例的显示元件的电子装置的头戴式显示器的外观的示例的示图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图描述本技术的实施例。此外，将按以下顺序进行描述。
1.本技术的实施例
2.修改的示例
3.电子装置的示例
<1.本技术的实施例>
(显示元件的配置示例)
图1是示出应用本技术的显示元件的一个实施例的配置的示例的框图。
在图1中，显示元件1是发光型显示元件(显示装置)，例如使用例如有机发光二极管(OLED)的有机EL显示元件。
如图1所示，在显示元件1中，多个像素(子像素100R、100W、100G、100B)二维地布置在由例如玻璃、硅晶片，或树脂制成的基板11上，从而形成显示区域23。此外，作为用于视频显示的驱动器的信号线驱动电路21和扫描线驱动电路22形成在显示区域23的周边上。
像素驱动电路33形成在显示区域23中。图2示出像素驱动电路33的配置的示例。
如图2所示，像素驱动电路33是包括驱动晶体管Tr1、写晶体管Tr2、其间的电容器(保持电容器)Cs以及在第一电源线(Vcc)和第二电源线(GND)之间串联连接到驱动晶体管Tr1的有机发光元件101(101R、101W、101G和101B)的有源型驱动电路。
在像素驱动电路33中，沿列方向布置多条信号线31、沿行方向布置多条扫描线32。信号线31和扫描线32的交叉点对应于包括有机发光元件101R、101W、101G、101B中的任何一个的子像素100R、100W、100G和100B。
各信号线31与信号线驱动电路21连接，从信号线驱动电路21经由信号线31向写晶体管Tr2的源极供给图像信号。扫描线32与扫描线驱动电路22连接，从扫描线驱动电路22经由扫描线32向写晶体管Tr2的栅极依次提供扫描信号。
图3示出显示区域23的平面配置的示例。在图3中，在显示区域23中整体以二维形式顺序地形成显示产生红(R)光的子像素100R、产生白(W)光的子像素100W、产生绿(G)光的子像素100G和产生蓝(B)光的子像素100B。
此外，相邻子像素100R、100W、100G和100B(子像素)的组合构成一个像素10。换言之，多个像素10以二维形式(以矩阵形式)布置在显示区域23中，并且每个像素10由红色(R)、白色(W)、绿色(G)和蓝色(B)的四个子像素100构成。换言之，在显示区域23中，以二维形式布置的像素10被称为WRGB像素。
(像素的结构)
在有机EL显示元件中，为了提高构成像素的各子像素的亮度，可以通过改变子像素的尺寸来应对。然而，在采用通过增加像素中特定子像素的尺寸来增加发光面积的方法的情况下，由于像素间距改变，难以实现高清晰度。
具体而言，如图4所示，在包括4个子像素900的像素90中，为了提高子像素900W的亮度，采用增加4个子像素900当中的子像素900W中的发光部的发光面积的结构。
在该结构中，由于仅在子像素900W中增加发光面积，因此子像素900W的像素间距与其他子像素9003R、9003G、9003B的像素间距不同。此外，如上所述，如果针对每个子像素900改变像素间距，则难以实现高清晰度。
对此，在本技术中，对于构成像素10的每个子像素100，可以通过调节光反射部(反射器)相对于发光部的高度来调节每个子像素100的亮度而不改变像素间距。在下文中，将依次描述第一实施例至第三实施例的像素10的结构作为应用了本技术的实施例的像素的结构。
(像素的结构的第一示例)
图5是示出根据第一实施例的像素结构的一部分的主要部分截面图。下面将参照主要部分截面图描述根据第一实施例的像素10的结构。
在图5中，第一实施例的像素10包括四个子像素，即，发射红(R)光的子像素100R、发射白(W)光的子像素100W、发射绿(G)光的子像素100G和发射蓝(B)光的子像素100B。
此外，子像素100R包括有机发光元件101R。类似地，子像素100W、100G和100B分别包括有机发光元件101W、101G和101B。
有机发光元件101R是包括含有发光层的有机层和电极的发光部。在有机发光元件101R中，有机层具有夹在阳极电极和阴极电极之间的结构，但图5中仅示出了阳极电极121R。此外，阳极电极121R曝光于其中的开口部指定发光部。
这里，有机层包括由有机发光材料制成的发光层，但是具体地，例如，有机层可以具有空穴传输层、发光层和电子传输层的堆叠结构、空穴传输层和兼作电子传输层的发光层的堆叠结构、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的堆叠结构等。例如，希望该有机发光元件101R采用发射白光的结构。
此外，在子像素100R中，形成用于有机发光元件101R的滤色片131R，通过该滤色片透射光变为红色(R)区，并且子像素100R通过这种组合产生红色(R)光。
与有机发光元件101R一样，有机发光元件101W是包括有机层和电极(包括阳极电极121W)的发光部。有机发光元件101W不形成滤色片，子像素100W产生白色(W)光。
与有机发光元件101R一样，有机发光元件101G是包括有机层和电极(包括阳极电极121G)的发光部。对于有机发光元件101G形成透射光变为绿色(G)区的滤色片131G，并且子像素100G通过这种组合产生绿色(G)光。
与有机发光元件101R一样，有机发光元件101B是包括有机层和电极(包括阳极电极121B)的发光部。为有机发光元件101B形成透射光变成蓝色(B)区的滤色片131B，并且子像素100B通过这种组合产生蓝色(B)光。
此外，在第一实施例的像素10中，形成反射器(光反射部)以提高光提取效率。
在此，反射器包括第一元件和第二元件，第一元件将来自有机发光元件的光反射到第一基板上的显示表面侧，第二元件填充与第一基板相对布置的第二基板和光反射结构之间的空间的第二元件，并具有与第一元件的折射率不同的折射率，并且反射器将通过第二元件传播的光反射到第一元件的表面上，从而可以提高光提取效率。
如图5所示，在第一实施例的像素10中，在被配置成光反射层的第一元件111的表面上形成反射器112(反射器结构)。此外，第一元件111(在本实施例中以及在随后描述的实施例中)可以使用例如SiO2和/或P-SiO的材料形成。
此外，虽然在图4中未示出，但是在第一实施例的像素10中，形成从每个有机发光元件101传播光并向外部发射光的第二元件(例如，稍后描述的图22中的第二元件151)，并且形成第一元件111以填充第二元件之间的空间。换言之，光反射层(反射器结构)由第一元件111和第二元件(例如，将在下文描述的图22中的第二元件151)形成。
如图5所示，在第一实施例的像素10中，包括子像素100R、子像素100W、子像素100G，以及子像素100B的四个子像素在反射器112的高度(第一元件111的倾斜表面的高度)上不同。
在此，在第一元件111中，阳极电极121露出的开口部的侧壁以预定的倾斜角度(反射器角度α)倾斜，并且倾斜表面(表面)形成反射器112。在下文中，倾斜表面在堆叠方向上的高度也称为反射器112的“倾斜表面高度”。
换言之，在第一实施例的像素10中，例如，在比较各子像素100中的反射器112的倾斜表面高度的情况下，可以获得以下式(1)所示的关系。
反射器的倾斜表面高度112W>反射器的倾斜表面高度112G>反射器的倾斜表面高度112R>反射器的倾斜表面高度112B…(1)
这里，在公式(1)中，反射器112W的倾斜表面高度对应于子像素100W中的第一元件111的倾斜表面的高度。类似地，反射器112G、112R和112B的倾斜表面高度对应于子像素100G、100R和100B中的第一元件111的倾斜表面的高度。
如上所述，在第一实施例的像素10中，特定子像素100的亮度增加，使得四个子像素100形成为反射器112的倾斜表面高度不同、并且各个子像素100的亮度不同。特别地，当子像素100W的反射器112W的倾斜表面高度高时，来自有机发光元件101W(阳极电极121W)的光受到全反射的区域增加，因此子像素100W的亮度提高，由此可以提高整个像素10的亮度。
此外，在第一实施例的像素10中，由于在不改变每个子像素100中的发光区域或间距布置的情况下改变反射光的区域，即反射器112的倾斜表面高度，所以各个子像素100的亮度不同，因此可以容易地实现高清晰度。
如上所述，在第一实施例的像素10中，针对每个子像素100，调节反射器112相对于用作发光部的有机发光元件101(阳极电极121)的倾斜表面高度，使得反射器112R、反射器112W、反射器112G和反射器112B的倾斜表面高度不同。因此，在第一实施例的像素10中，不仅可以提高光反射层的光提取效率，而且可以通过使每个子像素100具有不同的亮度来提高特定子像素100的亮度。
此外，在图5中，已经描述了如公式(1)所示的反射器112W的倾斜表面高度最高并且倾斜表面高度按照反射器112G、反射器112R和反射器112B的顺序减小的示例，但是公式(1)所示的关系是示例，并且只要反射器112R、112W、112G和112B的倾斜表面高度彼此不同，倾斜表面高度的顺序就是任意的。
例如，在像素10中的各子像素100的使用期限不同的情况下，由于能够通过提高子像素100的亮度来降低施加的电流密度，所以能够进行调节，使得各子像素100具有相同的使用期限劣化。在执行这种调节的情况下，可以针对每个子像素100调节反射器112的倾斜表面高度，使得例如满足在下面的公式(1)中指示的关系。
反射器的倾斜表面高度112B>反射器的倾斜表面高度112W>反射器的倾斜表面高度112G>反射器的倾斜表面高度112R…(1)'
此外，在图5中，构成像素10的子像素100以图5中从左侧到右侧的子像素100R、100W、100G和100B的顺序布置，但是子像素100的布置顺序是任意的。此外，除了反射器112的倾斜表面高度为如图5所示的子像素100W的反射器112W的均匀高度的情况之外，还存在假设反射器112的倾斜表面的高度是不均匀的的情况，但是在这种情况下，例如，优选为每个子像素100调节反射器112的倾斜表面高度的平均值等。
(像素的结构的第二示例)
图6是示出根据第二实施例的像素结构的一部分的主要部分截面图。下面将参考主要部分截面图描述根据第二实施例的像素10的结构。
如图6所示，在第二实施例的像素10中，在包括子像素100R、子像素100W、子像素100G和子像素100B的四个子像素100中，特定子像素100的反射器112的倾斜表面高度不同。
换言之，在第二实施例(图6)的像素10中，与上述第一实施例(图5)的像素10相比，在不改变所有四个子像素100的反射器112的倾斜表面高度的情况下，改变四个子像素100中的特定子像素100的反射器112的倾斜表面高度。
具体地，在图6中，将仅在子像素100W中的反射器112W的倾斜表面高度改变为高于其他子像素100R、100G和100B的反射器112R、112G和112B的倾斜表面高度。
换句话说，在第二实施例的像素10中，在比较各个子像素100中的反射器112的倾斜表面高度的情况下，例如，可以获得下面的公式(2)所示的关系。
反射器的倾斜表面高度112W>反射器的倾斜表面高度112R＝反射器的倾斜表面高度112G＝反射器的倾斜表面高度112B…(2)
这里，在公式(2)中，反射器112W的倾斜表面高度对应于子像素100W中第一元件111的倾斜表面的高度。类似地，反射器112R、112G和112B的倾斜表面高度对应于子像素112R、112G和100B中的第一元件111的倾斜表面的高度。
如上所述，在第二实施例的像素10中，可以增加特定子像素100的亮度，使得四个子像素100中的特定子像素100形成为反射器112的倾斜表面高度不同、并且各个子像素100的亮度不同。例如，当仅子像素100W的反射器112W的倾斜表面高度高时，来自有机发光元件101W(阳极电极121W)的光受到全反射的区域增多，因此子像素100W的亮度提高，由此可以提高整个像素10的亮度。
此外，在第二实施例的像素10中，由于在不改变每个子像素100的发光面积或间距布置的情况下改变反射器112的倾斜表面高度，所以每个子像素100具有不同的亮度，因此可以容易地实现高清晰度。
如上所述，在第二实施例的像素10中，针对每个子像素100，调节反射器112相对于用作发光部的有机发光元件101(阳极电极121)的倾斜表面高度，使得仅特定子像素100的反射器112的倾斜表面高度不同于其他子像素100的反射器112的倾斜表面高度。因此，在第二实施例的像素10中，不仅可以提高光反射层的光提取效率，而且可以通过使每个子像素100具有不同的亮度来提高特定子像素100的亮度。
此外，在图6中，已经描述了其中反射器112W的倾斜表面高度最高，并且已经描述了其他反射器(即反射器112G、反射器112R和反射器112B)的倾斜表面高度相等，但是公式(2)中所示的关系是示例，并且只要特定子像素110的反射器112的倾斜表面高度不同于其他子像素100的倾斜表面高度，则倾斜表面高度改变的反射器112是任意的。
这里，如上所述，在像素10中的各子像素100的使用期限不同的情况下，使得通过如上所述改变每个子像素100的亮度能够进行调节各个子像素100具有相同的使用期限劣化，但是，可以调节特定子像素100G的反射器112G的倾斜表面高度，使得例如满足以下公式(2)’中指示的关系。
反射器的倾斜表面高度112B>反射器的倾斜表面高度112W＝反射器的倾斜表面高度112G＝反射器的倾斜表面高度112R…(2)'
此外，已经描述了随着特定子像素100改变一个子像素100的反射器112的倾斜表面高度的示例，但是特定子像素100的数量可以是两个或多个，例如，可以改变子像素100W和100B的反射器112W和112B的倾斜表面高度。
(像素的结构的第三示例)
图7是示出根据第三实施例的像素结构的一部分的主要部分截面图。下面将参考主要部分截面图描述根据第三实施例的像素10的结构。
如图7所示，在第三实施例的像素10中，调节包括子像素100R、子像素100W、子像素100G和子像素100B的四个子像素100中的特定子像素100中包括的有机发光元件101的阳极电极121的位置。
换言之，在第三实施例(图7)的像素10中，与上述第一实施例(图5)的像素10和第二实施例(图6)的像素10相比，在不调节子像素100中的反射器112的倾斜表面高度(堆叠方向上的高度)的情况下调节有机发光元件101的阳极电极121的位置(堆叠方向上的位置)。
如上所述，通过调节有机发光元件101(阳极电极121)的位置，可以针对每个子像素100调节反射器112相对于用作发光部的有机发光元件101(阳极电极121)的倾斜表面高度。因此，可以使特定子像素100的反射器112的倾斜表面高度不同于其他子像素100的反射器112的倾斜表面高度。
具体地，在图7中，仅在堆叠方向上以大的深度形成子像素100W中的有机发光元件101W的阳极电极121W，因此子像素100W的反射器112W的倾斜表面高度高于子像素112R、112G和100B的反射器112R、112G和112B的倾斜表面高度。
换言之，在第三实施例中，例如，在比较各子像素100中的反射器112的倾斜表面高度的情况下，获得与上述式(2)的关系类似的关系。
如上所述，在第三实施例的像素10中，调节四个子像素100中的特定子像素100的有机发光元件101的阳极电极121的位置，使得特定子像素100的反射器112的倾斜表面高度不同，因此可以使各个子像素100具有不同的亮度，并且可以相应地增加特定子像素100的亮度。
例如，由于调节子像素100W的有机发光元件101W的阳极电极121W的位置，使得仅子像素100W的反射器112W具有更高的倾斜表面高度，因此提高了子像素100W的亮度，并且可以相应地提高整个像素10的亮度。
此外，在第三实施例的像素10中，因为在不改变每个子像素100的发光面积或间距布置的情况下调节有机发光元件101的阳极电极121的位置，所以每个子像素100具有不同的亮度，因此可以容易地实现高清晰度。
如上所述，在第三实施例的像素10中，通过调节每个子像素100的反射器112相对于用作发光部101的有机发光元件101的阳极电极121的倾斜表面高度调节特定子像素100的阳极电极121侧的位置，使得仅特定子像素100的反射器112的倾斜表面高度不同于其他子像素100的反射器112的倾斜表面高度。因此，在第三实施例的像素10中，不仅可以提高光反射层的光提取效率，而且可以通过使每个子像素100具有不同的亮度来提高特定子像素100的亮度。
此外，在图7中，已经获得了这样的示例，即反射器112W的倾斜表面高度是最高的，并且其他反射器(即，反射器112G、反射器112R和反射器112B)的倾斜表面高度是相等的，使得获得与公式(2)中相似的关系，但是该关系是示例，并且只要特定子像素110的反射器112的倾斜表面高度不同于其他子像素100的倾斜表面高度，阳极电极121侧的位置改变的子像素100是任意的。
此外，这里已经给出了作为特定子像素100的一个子像素100的阳极电极121侧的位置被调节的示例，但是，例如，特定子像素100的数量可以是两个或多个，例如，子像素100W和100B的阳极电极121W和121B侧的位置可以被调节。此外，可以针对像素10中的每个子像素100调节阳极电极121侧的位置，使得例如满足上述公式(1)的关系。
(像素的结构的第四示例)
图8A和图8B分别表示根据第四实施例的变形例的像素的结构的一部分的主要部分截面图。下面将参照这些主要部分截面图描述根据第四实施例的像素10的结构。
如图8A所示，在第四实施例的第一变形例的像素10中，第一元件111包含第一(下)部111A和第二(上)部111B。下部111A包含每个子像素100R、100B、100G和100W的发光元件101R、101B、101G和101W，上部111B包含每个子像素100R、100B、100G和100W的反射器112R、112B、112G和112W。上部和下部111A和111B由间隙800隔开。间隙800包含每个子像素100R、100B和100G的滤色片131R、131B和131G(子像素100W没有滤色片)。
在该示例中，子像素之一(子像素100B的反射器112B)的反射器的倾斜表面高度高于其他子像素(子像素100R、100G和100W的反射器112R、112G和112W)的反射器的倾斜表面高度。换言之，例如，在比较各子像素100中的反射器112的倾斜表面高度的情况下，获得根据式(2)’的关系。
在图8A的像素10中，通过使四个子像素100中的特定子像素100的反射器112的倾斜表面高度不同，增加了该特定子像素100的亮度。例如，当子像素100B的反射器112B的倾斜表面高度高于其他子像素的倾斜表面高度时(如图8A所示)，来自有机发光元件101B的光受到全反射的区域增加，因此子像素100B的亮度相对于其他子像素的亮度提高。此外，在图8A的像素10中，由于在不改变每个子像素100的发光面积或间距布置的情况下改变反射器112的倾斜表面高度，所以可以容易地实现高清晰度。
如上所述，在图8A的像素10中，对于每个子像素100，确定反射器112相对于用作发光部的有机发光元件101的倾斜表面高度，使得仅特定子像素100的反射器112的倾斜表面高度不同于其他子像素100的反射器112的倾斜表面高度。因此，在图8A的像素10中，不仅可以提高光反射层的光提取效率，而且可以通过使子像素100具有不同的亮度来提高特定子像素100的亮度。在使用相对于其他子像素100R、100G和100W具有更高的倾斜表面高度的反射器112B来增加子像素100B的亮度的情况下，每个子像素100可以实现相同(或类似)的使用期限劣化。
此外，在图8A中，如公式(2)’所示，已经描述了其中反射器112B的倾斜表面高度高于其他反射器的倾斜表面高度并且其中其他反射器(即，反射器112G、反射器112R和反射器112W)的倾斜表面高度相等的示例。然而，在式(2)’中表示的关系是示例，并且只要特定子像素100的反射器112的倾斜表面高度不同于其他子像素100的倾斜表面高度，其倾斜表面高度改变的反射器112是任意的。例如，可以使用式(2)所示的倾斜表面高度的关系(由此增加子像素100W的亮度，以整体地增加像素10的亮度)。
此外，已经描述了随着特定子像素100改变子像素100的反射器112的倾斜表面高度的示例，但是特定子像素100的数量可以是两个或多个。例如，可以使子像素100W和100B的反射器112W和112B的倾斜表面高度彼此相等并且高于子像素100R和100G的反射器112R和112G的倾斜表面高度。还可以理解，更一般来说，每个反射器112(或者，至少，反射器112的一部分中的每一个)可以具有不同的相应倾斜表面高度。
如图8B所示，在第四实施例的第二变形例的像素10中，仅上部111B的一部分与下部111A分开间隙800，而上部111B的其余部分不与下部111A分开(即，连接到)。具体地，包含子像素之一的反射器的上部111B的部分801(在该示例中为子像素100B的反射器112B)不与下部111A分离(即，部分801连接到下部111A)，而上部111B的另一部分802(包含其他子像素(在该示例中为子像素100R、100G和100W的反射器112R、112G和112W)的每个的至少一部分)与下部111A分离(即，部分802不连接到下部111A)。在图8B的示例中，上部111B的部分801的反射器112B延伸穿过子像素100B的滤色器131B的一部分和子像素100R和100G的相邻滤色器131R和131G的一部分，使得与下部111A连接。
由于在上部111B的部分802与下部111A之间存在间隙800，但在上部111B的部分801与下部111A之间没有间隙800(对于从滤色片131的顶表面803测量的给定反射器高度)，由部分801(在该示例中为子像素100B的反射器112B)所包含的反射器的倾斜表面的表面积大于由部分802(在该示例中为子像素100R、100G和100W的反射器112R、112G和112W)所包含的反射器的倾斜表面的表面积。
在图8B的像素10中，由于在四个子像素100中特定子像素100的反射器112的不同的倾斜表面积，特定子像素100的亮度增加。例如，当子像素100B的反射器112B的倾斜表面积高于其他子像素的倾斜表面积时(如图8B所示)，来自有机发光元件101B的光受到全反射的区域增加，并且因此子像素100B的亮度相对于其他子像素的亮度提高。此外，在图8B的像素10中，由于在不改变每个子像素100的发光面积或间距布置的情况下改变反射器112的倾斜表面积，所以可以容易地实现高清晰度。
如上所述，在图8B的像素10中，对于每个子像素100，确定反射器112相对于用作发光部的有机发光元件101的倾斜表面区域，使得仅特定子像素100的反射器112的倾斜表面区域不同于其他子像素100的反射器112的倾斜表面区域。因此，在图8B的像素10中，不仅可以提高光反射层的光提取效率，而且可以通过使子像素100具有不同的亮度来提高特定子像素100的亮度。在使用相对于其他子像素100R、100G和100W具有更高的倾斜表面积的反射器112B来增加子像素100B的亮度的情况下，每个子像素100可以实现相同(或相似)的使用期限劣化。
此外，在图8B中，已经描述了反射器112B的倾斜表面积高于其他反射器的倾斜表面积并且其他反射器(即，反射器112G、反射器112R和反射器112W)的倾斜表面积相等的示例。然而，这仅仅是一个示例，并且只要特定子像素100的反射器112的倾斜表面积不同于其他子像素100的倾斜表面积，其倾斜表面积改变的反射器112(通过确定上部111B的哪个(哪些)部分连接到下部111A而不是哪个)是任意的。例如，子像素100W的反射器112W可以具有最大的倾斜表面积，而其他子像素可以具有更小的、相等的倾斜表面积(由此增加子像素100W的亮度，并且作为整体增加像素10的亮度)。
此外，已经描述了随着特定子像素100改变一个子像素100的反射器112的倾斜表面积的示例，但是特定子像素100的数量可以是例如两个或多个。可以使子像素100W和100B的反射器112W和112B的倾斜表面积彼此相等并且高于子像素100R和100G的反射器112R和112G的倾斜表面积。还将认识到，更一般地说，每个反射器112(或至少，这些反射器112的一部分中的每一个)可以具有不同的相应倾斜表面积(例如，通过调整每个反射器112与下部111A之间的间隙的尺寸)。
(像素的结构的第五示例)
图9A、9B和9C分别示出了根据第五实施例的变形例的像素结构的一部分的主要部分截面图。下面将参考这些主要部分截面图描述根据第五实施例的像素10的结构。
在上述实施例中，每个有机发光元件101采用发射白光的结构，该白光(必要时)然后行进通过滤色器(例如，用于子像素100R、100B和100G)。或者，每个有机发光元件101可以发射特定颜色的光(而不是白光)。因此，例如，可以存在发射红光的红光发射元件101R、发射蓝光的蓝光发射元件101B和发射绿光的绿光发射元件101G。在这种情况下，不需要滤色器，因为从每个发光元件101发射的光已经是期望的颜色。
第五实施例的像素10使用这种彩色发光元件101。除了每个发光元件的有机层包含由发射彩色(而不是白色)光的有机发光材料制成的发光层之外，这些彩色发光元件在结构上类似于上述实施例的白色发光元件。特别地，每个发光元件(未示出)的阳极、阴极和有机层的相对位置与先前对于上述实施例的白色发光元件所描述的相同。
在图9A、9B和9C的实施例中，每个发光元件101是彩色发光元件并且没有白色发光元件。此外，每个像素10可以包含多个特定颜色的发光元件(在这种情况下，每个像素10包含两个红色发光元件101R)。
如图9A所示，在第五实施例的第一变形例的像素10中，第一元件111包含每个子像素100R、100B和100G的反射器112R、112B和112G。子像素之一(本示例中子像素100B的反射器112B)的反射器的倾斜表面高度高于其他子像素(本示例中子像素100R和100G的反射器112R和112G)的反射器的倾斜表面高度。其他子像素的反射器的斜面高度相等。
在图9A的像素10中，通过在四个子像素100中不同特定子像素100的反射器112的倾斜表面高度来增加特定子像素100的亮度。例如，当子像素100B的反射器112B的倾斜表面高度高于其他子像素的倾斜表面高度时(如图9A中所示)，其中来自有机发光元件101B的光受到全反射的区域增加，并且因此相对于其他子像素的亮度改善了子像素100B的亮度。此外，在图9A的像素10中，由于在不改变每个子像素100的发光区域或间距布置的情况下改变反射器112的倾斜表面高度，所以可以容易地实现高清晰度。
如上所述，在图9A的像素10中，对于每个子像素100，确定反射器112相对于用作发光部的有机发光元件101的倾斜表面高度，使得仅特定子像素100的反射器112的倾斜表面高度不同于其他子像素100的反射器112的倾斜表面高度。因此，在图9A的像素10中，不仅可以提高光反射层的光提取效率，而且可以通过使子像素100具有不同的亮度来提高特定子像素100的亮度。在使用相对于其他子像素100R和100G具有更高的倾斜表面高度的反射器112B来增加子像素100B的亮度的情况下，每个子像素100可以实现相同(或类似)的使用期限劣化。
此外，在图9A中，已经描述了其中反射器112B的倾斜表面高度高于其他反射器的倾斜表面高度并且其中其他反射器(即，反射器112G和反射器112R)的倾斜表面高度相等的示例。然而，这仅仅是一个示例，并且只要特定子像素100的反射器112的倾斜表面高度不同于其他子像素100的倾斜表面高度，其倾斜表面高度改变的反射器112是任意的。
此外，已经描述了当特定子像素100改变时一个子像素100的反射器112的倾斜表面高度的示例，但是特定子像素100的数量可以是两个或多个。例如，可以使子像素100G和100B的反射器112G和112B的倾斜表面高度彼此相等并且高于子像素100R的反射器112R的倾斜表面高度。还可以理解，更一般地说，每个反射器112(或者，至少，反射器112的一部分中的每一个)可以具有不同的相应倾斜表面高度。
如图9B所示，在第五实施例的第二变形例的像素10中，第一元件111包含仅用于子像素之一的反射器(在该示例中为子像素100B的反射器112B)。
在图9B的像素10中，通过仅为四个子像素100中的特定子像素100提供反射器112来增加特定子像素100的亮度。例如，当提供用于子像素100B的反射器112B时，其中来自有机发光元件101B的光受到全反射的区域增加，并且因此子像素100B的亮度相对于其他子像素的亮度提高。此外，在图9B的像素10中，由于在不改变每个子像素100的发光面积或间距布置的情况下提供特定子像素的反射器112，所以可以容易地实现高清晰度。
在图9B的像素10中，不仅可以提高光反射层的光提取效率，而且可以通过使子像素100具有不同的亮度来提高特定子像素100的亮度。在使用反射器112B(不使用用于其他子像素100R和100G的反射器)来增加子像素100B的亮度的情况下，子像素100中的每一个可以实现相同(或类似)的使用期限劣化。
在图9B的像素10中，已经描述了其中仅为子像素100B提供反射器112B的示例。然而，这仅仅是一个示例，设置有反射器112的子像素100可以不同子像素。
在图9B的像素10中，已经描述了其中反射器112仅被提供给一个特定子像素100的示例。然而，特定子像素100的数量可以是两个或多个。即，更一般地说，可以向像素10的子像素100的一部分提供反射器112，而像素10的子像素100的其余部分没有提供反射器112。这提高了提供反射器112的特定子像素100的亮度。
如图9C所示，在第五实施例的第三变形例的像素10中，第一元件111包含第一(下)部111A和第二(上)部111B。下部111A包含每个子像素100R、100B和100G的发光元件101R、101B和101G，上部111B包含每个子像素100R、100B和100G的反射器112R、112B和112G。
下部111A和上部111B由间隙隔开，该间隙对于下部111A和上部111B的不同的相应的相对部在尺寸上变化。在图9C的示例中，包含一个子像素的反射器的上部111B的部分901(在这个示例中是子像素100B的反射器112B)和下部111A之间的间隙903的尺寸小于上部111B的另一部分902与下部111A之间的间隙904的尺寸，该上部111B的另一部分902包含其他子像素(在该示例中为子像素100R和100G的反射器112R和112G)的每个反射器的至少一部分。在图9C的示例中，下部111A的面向上部111B的表面905包含平面化层907，上部111B的部分901和902相对于下部111A在不同位置处嵌入到平面化层907中，使得在上部111B的部分901和902与下部111A的部分901和902之间提供不同尺寸的间隙。平面化层907由透射材料形成，由每个发光元件101R、101B和101G发射的光可以通过该透射材料。平面化层907可以由例如诸如丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、硅树脂等树脂形成。
由于在上部111B的部分902与下部111A之间存在较大尺寸的间隙且在上部111B的部分901与下部111A之间存在较小尺寸的间隙(对于从平面化层907的顶表面906测量的给定反射器高度)，由部分901(在该示例中子像素100B的反射器112B)包含的反射器的倾斜表面的表面积大于由部分902(子像素100R和100G的反射器112R和112G)包含的反射器的倾斜表面的表面积。
在图9C的像素10中，由于在四个子像素100中特定子像素100的反射器112的不同倾斜表面积，特定子像素100的亮度增加。例如，当子像素100B的反射器112B的倾斜表面积高于其他子像素的倾斜表面积时(如图9C所示)，其中来自有机发光元件101B的光受到全反射的区域增加，并且因此相对于其他子像素的亮度改善了子像素100B的亮度。此外，在图9C的像素10中，由于在不改变每个子像素100的发光区域或间距布置的情况下改变反射器112的倾斜表面区域，所以可以容易地实现高清晰度。
如上所述，在图9C的像素10中，对于每个子像素100，确定反射器112相对于用作发光部的有机发光元件101的倾斜表面区域，使得仅特定子像素100的反射器112的倾斜表面区域不同于其他子像素100的反射器112的倾斜表面区域。因此，在图9C的像素10中，不仅可以提高光反射层的光提取效率，而且可以通过使子像素100具有不同的亮度来提高特定子像素100的亮度。在使用相对于其他子像素100R和100G具有更高的倾斜表面积的反射器112B来增加子像素100B的亮度的情况下，每个子像素100可以实现相同(或相似)的使用期限劣化。
此外，在图9C中，已经描述了其中反射器112B的倾斜表面积高于其他反射器的倾斜表面积并且其中其他反射器(即，反射器112G和反射器112R)的倾斜表面积相等的示例。然而，这仅仅是一个示例，并且只要特定子像素100的反射器112的倾斜表面积不同于其他子像素100的倾斜表面积，其倾斜表面积被改变(通过确定包含反射器112的上部111B的部分与下部111A之间的间隙的尺寸)的反射器112是任意的。
此外，已经描述了随着特定子像素100改变一个子像素100的反射器112的倾斜表面积的示例，但是特定子像素100的数量可以是两个或多个。即，更一般地说，可以改变第一元件111的上部111B和下部111A之间的间隙的尺寸，使得像素10的子像素100的一部分的反射器的倾斜表面积大于像素10的子像素100的其余部分的反射器的倾斜表面积。这提高了特定子像素100的亮度，向所述特定子像素100提供具有更大倾斜表面积的反射器112。还将认识到，更一般地说，每个反射器112(或至少，这些反射器112的一部分中的每一个)可以具有不同的相应倾斜表面积(例如，通过调整每个反射器112与下部111A之间的间隙的尺寸)。
(像素的结构的第六示例)
图10A和图10B分别示出根据第六实施例的变形例的像素的结构的一部分的主要部分截面图。下面将参照这些主要部分截面图描述根据第六实施例的像素10的结构。
在上述实施例中，每个子像素100的发光元件101包含具有夹在阳极电极和阴极电极之间的结构的有机层(在附图中，阴极在阳极上方)。阴极(例如由ITO形成)是透明的，使得由有机层发射的光通过阴极透射到该子像素100的反射器112。另一方面，阳极(例如由Al、Cu等形成)是反射性的，使得由有机层发射的光被阳极反射而不是透射通过它。这种布置被称为顶部发射OLED显示器类型。然而，本技术不限于这种布置。在可选实施例中，阳极是透明的、阴极是反射的，使得由每个子像素100的有机层发射的光透过阳极到达该子像素100的反射器112，但是被阴极反射而不是透过它。在这种情况下，阳极例如由ITO形成，阴极例如由Al、Cu等形成。这种布置被称为底部发射OLED类型。图10A和图10B所示的第六实施例的变形例表示示例性底发射OLED型像素。
如图10A所示，在第六实施例的第一变形例的像素10中，第一元件111包含第一(下)部111A和第二(上)部111B。上部111B包含每个子像素100R、100B和100G的发光元件101R、101B和101G，下部111A包含每个子像素100R、100B和100G的反射器112R、112B和112G。
下部111A和上部111B由间隙隔开，该间隙对于下部111A和上部111B的不同的相应的相对部在尺寸上变化。在图10A的示例中，包含子像素之一的反射器(在该示例中为子像素100B的反射器112B)的下部111A的部分1001与上部111B之间的间隙1004的尺寸小于下部111A的另一部分1002与上部111B之间的间隙1005的尺寸，下部111A的另一部分1002包含其他子像素的反射器中的每一者的至少一部分(在该示例中为子像素100R和100G的反射器112R和112G)。在图10A的示例中，上部111B的面向下部111A的表面1006包含平面化层1000，下部111A的部分1001和1002在相对于上部111B的不同位置处嵌入到平面化层1000中，使得在下部111A的部分1001和1002与上部111B的部分1001和1002之间提供不同尺寸的间隙。平面化层1000由透射材料形成，由每个发光元件101R、101B和101G发射的光可以通过该透射材料。平面化层1000例如可以由诸如丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、硅树脂等树脂形成。
由于在下部111A的部分1002和上部111B之间存在较大尺寸的间隙1005和在下部111A的部分1001和上部111B之间存在较小尺寸的间隙1004(并且假定下部111A的每个反射器延伸到平面化层1000的底面1007)，由部分1001(在该示例中为子像素100B的反射器112B)包含的反射器的倾斜表面的表面积大于至少一部分由部分1002构成的反射器(在该示例中为子像素100R和100G的反射器112R和112G)的倾斜表面的表面区域。
在图10A的像素10中，由于在四个子像素100中特定子像素100的反射器112的不同的倾斜表面积，特定子像素100的亮度增加。例如，当子像素100B的反射器112B的倾斜表面积高于其他子像素的倾斜表面积时(如图10A所示)，来自有机发光元件101B的光受到全反射的区域增加，因此子像素100B的亮度相对于其他子像素的亮度提高。此外，在图10A的像素10中，由于在不改变每个子像素100的发光区域或间距布置的情况下改变反射器112的倾斜表面区域，所以可以容易地实现高清晰度。
如上所述，在图10A的像素10中，对于每个子像素100，确定反射器112相对于用作发光部的有机发光元件101的倾斜表面区域，使得仅特定子像素100的反射器112的倾斜表面区域不同于其他子像素100的反射器112的倾斜表面区域。因此，在图10A的像素10中，不仅可以提高光反射层的光提取效率，而且可以通过使子像素100具有不同的亮度来提高特定子像素100的亮度。在使用相对于其他子像素100R和100G具有更高的倾斜表面积的反射器112B来增加子像素100B的亮度的情况下，每个子像素100可以实现相同(或相似)的使用期限劣化。
此外，在图10A中，已经描述了反射器112B的倾斜表面积高于其他反射器的倾斜表面积并且其他反射器(即，反射器112G和反射器112R)的倾斜表面积相等的示例。然而，这仅仅是一个示例，并且只要特定子像素100的反射器112的倾斜表面积不同于其他子像素100的倾斜表面积，其倾斜表面积被改变(通过确定包含反射器112的下部111A的部分与上部111A之间的间隙的尺寸)的反射器112是任意的。
此外，已经描述了随着特定子像素100改变一个子像素100的反射器112的倾斜表面积的示例，但是特定子像素100的数量可以是两个或多个。即，更一般地说，可以改变第一元件111的上部111B和下部111A之间的间隙的尺寸，使得像素10的子像素100的一部分的反射器的倾斜表面积大于像素10的子像素100的其余部分的反射器的倾斜表面积。这提高了特定子像素100的亮度，向该特定子像素100提供具有更大倾斜表面积的反射器112。还将认识到，更一般地说，每个反射器112(或至少，反射器112的一部分中的每一个)可以具有不同的相应倾斜表面积(例如，通过调整每个反射器112与上部111B之间的间隙的尺寸)。可替换地，每个反射器可以具有相同的倾斜表面积(例如，通过确保每个反射器112和上部111B之间的间隙的尺寸相同)，从而提供每个子像素100的同样改善的亮度，并因此提供像素10的改善的总亮度。
图10B示出了第六实施例的第二变形例的像素10。除了第一元件111的下部111A和上部111B由恒定尺寸的间隙1003分开，并且子像素之一的反射器(在该示例中为子像素100B的反射器112B)在朝向平面化层1000的底表面1007的方向上延伸的程度大于其他子像素的反射器(在该示例中为子像素100R和100G的反射器112R和112G)朝向平面化层1000的底表面1007延伸的程度之外，图10B的像素10与图10A的像素相同。反射器112向平面化层1000的底面1007延伸的程度可称为反射器深度。向平坦层1000的底面1007延伸到更大的程度(使得反射器112的下端1008和平坦层1000的底面1007之间的距离更小)的反射器112(例如，反射器112B)具有更大的深度。反射器112(例如，反射器112R和112G)具有较小的深度，该反射器向平坦层1000的底面1007延伸较小的程度(使得反射器112的下端1008和平坦层1000的底面1007之间的距离较小)。在图10B的示例中，除了具有最深反射器深度的反射器112B之外的反射器的反射器深度彼此相等。
在图10B的像素10中，通过在四个子像素100中不同特定子像素100的反射器112的反射器深度来增加特定子像素100的亮度。例如，当子像素100B的反射器112B的反射器深度大于其他子像素的反射器深度时(如图10B所示)，来自有机发光元件101B的光受到全反射的区域增加。这是因为更大的反射器深度提供了反射器的更大表面积，由发光元件101B发射的光从该更大表面积被反射。因此提高了子像素100B相对于其他子像素的亮度。此外，在图10B的像素10中，由于在不改变每个子像素100的发光区域或间距布置的情况下改变反射器112的反射器深度，所以可以容易地实现高清晰度。
如上所述，在图10B的像素10中，针对每个子像素100确定反射器112相对于用作发光部的有机发光元件101的反射器深度，使得仅特定子像素100的反射器112的反射器深度不同于其他子像素100的反射器112的反射器深度。因此，在图10B的像素10中，不仅可以提高光反射层的光提取效率，而且可以通过使子像素100具有不同的亮度来提高特定子像素100的亮度。在使用具有相对于其他子像素100R和100G的反射器深度的反射器112B来增加子像素100B的亮度的情况下，每个子像素100可以实现相同(或类似)的使用期限劣化。
此外，在图10B中，已经描述了其中反射器112B的反射器深度大于其他反射器的深度并且其中其他反射器(即，反射器112G和反射器112R)的反射器深度相等的示例。然而，这仅仅是一个示例，并且反射器深度改变的反射器112是任意的，只要特定子像素100的反射器112的反射器深度不同于其他子像素100的反射器深度。
此外，已经描述了当特定子像素100改变时一个子像素100的反射器112的反射器深度的示例，但是特定子像素100的数量可以是两个或多个。例如，可以使子像素100G和100B的反射器112G和112B的反射器深度彼此相等并且大于子像素100R的反射器112R的反射器深度。还可以理解，更一般地说，每个反射器112(或者，至少，反射器112的一部分中的每一个)可以具有不同的相应反射器深度。可替换地，每个反射器可以具有相同的反射器深度，从而提供同样改善的每个子像素100的亮度，并因此提供改善的像素10的总亮度。
虽然图10A和10B的像素10使用彩色发光元件101R、101B和101G，但是应当理解，可替换地，可以使用白色发光元件101R、101B和101G。在这种情况下，像素10包含附接到平面化层1000的底面1007的另一层，平面化层1000包含适当的滤色片(例如图5、图6、图7以及图8A和图8B中所示的滤色片)。在这种层中，红色滤色片(例如滤色片101R)与发光元件101R对准、蓝色滤色片(例如滤色片131B)与发光元件101B对准、绿色滤色片(例如滤色片131G)与发光元件101G对准。
(像素的结构的第七示例)
图11示出了说明根据第七实施例的底部发射子像素100的结构的一部分的主要部分截面图。在根据第七实施例的包含多个子像素100的像素中，每个子像素100包含图11所示的结构。
子像素100包含衬底1101，该衬底1101包含必要的像素电路(未示出)。基板1101例如是薄膜晶体管(TFT)基板。平面化层1102形成在衬底1101上。平面化层1102例如由诸如丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、硅树脂等树脂形成。阳极121形成在平面化层1102的第一部分上。在平面化层1102的第二部分上形成绝缘层1103。绝缘层1103由绝缘材料形成。与平面化层1102类似，绝缘层1103可以由诸如丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、硅树脂等树脂形成。平面化层1102和绝缘层1103可以由相同或不同的材料制成。在平面化层1102的第三部分上形成沟槽1106。沟槽1106延伸穿过绝缘层1103并进入平面化层1102。在阳极121、绝缘层1103和沟槽1106的内表面上形成有机层1104(包含发光层)和阴极层1105作为相邻层(形成组合层)。
在图11的底部发射像素中，阳极121(例如由ITO形成)是透明的。另一方面，阴极1105(例如由Al、Cu等形成)是反射性的。在阳极121上形成有机层1104和阴极1105(使得有机层1104夹在阳极121和阴极1105之间)使得有机层1104的一部分与阳极121和阴极1105均接触。因此，由有机层1104的该部分发射光，从而与阳极121和阴极1105的相应部分一起形成发光元件。
由该发光元件发射的光线1107传播通过阳极121和平面化层1102，并在平面化层1102(具有第一折射率)和有机层14(具有第二折射率)之间的边界，有机层1104和阴极1105(具有第三折射率)之间的边界和反射阴极1105中的一个或多个处反射。
在一个实施例中，包含图11所示类型的子像素100的像素通过首先形成衬底1101(例如，硅)来制造。使用合适的工艺(这些工艺在本领域中是已知的，因此在此不再详细讨论)。然后，使用平面化工艺在衬底1101上形成平面化层1102。然后，在平面化层1102上形成阳极121。这使用例如CVD(化学气相沉积)成膜工艺来完成。
然后在平面化层1102和阳极121上形成绝缘层1103。这例如使用进一步的平面化工艺来执行。然后去除绝缘层1103和/或平面化层1102的部分以暴露阳极121并形成沟槽1106。这是通过例如在绝缘层1103和/或平面化层1102上重复形成光致抗蚀剂层，将光致抗蚀剂层的一部分暴露于预定的光图案，执行显影工艺以去除光致抗蚀剂层的暴露部分，以及蚀刻绝缘层1103和/或平面化层1102的由光致抗蚀剂层的去除部分暴露的部分来执行的。重复该工艺以蚀刻掉绝缘层1103和/或平面化层1102的连续层，直到暴露阳极121并且形成沟槽1106。
然后将有机层1104和阴极层1105沉积在暴露的阳极121、绝缘层1103的其余部分和沟槽1106的内表面上(再次使用例如CVD成膜工艺)。或者，有机层1104可以仅沉积在阳极121上(即，不在绝缘层1103的其余部分和沟槽1106的内表面上)，而阴极层1105沉积在暴露的阳极121、绝缘层1103的其余部分和沟槽1106的内表面上。
(像素的结构的第八示例)
图12A和12B分别是示出根据第八实施例的变形例的底部发光像素的结构的一部分的主要部分截面图。下面将参照这些主要部分截面图描述根据第八实施例的像素10的结构。
图12A和图12B的像素10每个都与图10A的相同，除了第一部件包括上部111B和下部111A，上部111B包含每个子像素100R、100B和100G的发光元件101R、101B和101G，下部111A包含每个子像素100R、100B和100G的反射器112R、112B和112G，除了第一部件111是一个整体的第一部件之外，反射器112R、112B和112G是凹口部1200的边界，在该凹口部通过内反射(例如全内反射)反射每个发光元件101发射的光。凹口部1200提供具有比形成凹口部的材料(诸如丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、硅树脂等树脂)的折射率低的折射率的间隙(例如空气间隙或真空间隙)，从而提供反射由发光元件发射的光的边界。
图12A和图12B的凹口部1200相对于第一元件111的定位方式类似于形成图10A的反射器112的下部111A的材料部分相对于上部111B的定位方式。即，每个凹口部的上表面1201与第一元件111分开变化的距离。在图12A的示例中，包含子像素中的一个子像素的反射器(在该示例中是子像素100B的反射器112B)的凹口部1200B和1200C的相应上表面1201之间的距离小于第一元件111的相应上表面1201之间的距离包含其他子像素(在该示例中为子像素100R和100G的反射器112R和112G)的每个的至少一部分的其余凹口部120A、120D和120E的相应上表面1201与第一元件111之间的距离。
在图12A的示例中，第一元件111的面向凹口部的表面1203包含平面化层1202，在平面化层1202中形成凹口部1200。平面化层1202由透射材料形成，由每个发光元件101R、101B和101G发射的光可以通过该透射材料。平面化层1202可由例如诸如丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、硅树脂等树脂形成。在图12B的示例中，不是在平面化层1202中形成凹口部，而是在平面化层1203上提供单独的凹口层1203(例如，由另外的树脂形成)，并且凹口部1200形成在该单独的凹口层中。
在图12A和12B的示例中，由于凹口部1200A、1200D和1200E与第一元件111之间的距离较大，并且凹口部1200B和1200C与第一元件111之间的距离较小(并且假定每个凹口部延伸到平面化层1202或凹口层1203的底面1204)，子像素100B的反射器112B的表面积大于子像素100R和100G的反射器112R和112G的表面积。
在图12A和12B的像素10中，由于在四个子像素100中特定子像素100的反射器112的表面积不同，特定子像素100的亮度增加。例如，当子像素100B的反射器112B的表面积高于其他子像素的表面积时(如图12A和图12B所示)，来自有机发光元件101B的光发生全反射的区域增加，因此子像素100B的亮度相对于其他子像素的亮度提高。此外，在图12A和图12B的像素10中，由于在不改变每个子像素100的发光面积或间距布置的情况下改变反射器112的倾斜表面积，所以可以容易地实现高清晰度。
如上所述，在图12A及图12B的像素10中，对于每个子像素100，确定反射器112相对于用作发光部的有机发光元件101的表面积，使得仅特定子像素100的反射器112的表面积不同于其他子像素100的反射器112的倾斜表面积。因此，在图12A和图12B的像素10中，不仅可以提高光反射层的光提取效率，而且可以通过使子像素100具有不同的亮度来提高特定子像素100的亮度。在使用相对于其他子像素100R和100G具有更高表面积的反射器112B来增加子像素100B的亮度的情况下，每个子像素100可以实现相同(或类似)的使用期限劣化。
此外，在图12A和12B中，已经描述了反射器112B的表面积高于其他反射器的表面积并且其他反射器(即，反射器112G和反射器112R)的表面积相等的示例。然而，这仅仅是一个示例，并且其表面积改变的反射器112(通过确定在其边界限定了反射器112的凹口部和第一元件111之间的间隙的尺寸)是任意的，只要特定子像素100的反射器112的表面积不同于其他子像素100的倾斜表面积。
此外，已经描述了随着特定子像素100改变一个子像素100的反射器112的表面积的示例，但是特定子像素100的数量可以是两个或多个。即，更一般地说，可以改变每个凹口部的上表面1201和第一元件111之间的距离，使得像素10的子像素100的一部分的反射器的表面积大于像素10的子像素100的其余部分的反射器的表面积。这提高了提供具有更大表面积的反射器112的特定子像素100的亮度。还将认识到，更一般地说，每个反射器112(或至少，反射器112的一部分中的每一个)可具有不同的相应倾斜表面区域(例如，通过调节每个凹口部的上表面1201与第一元件111之间的距离)。可替代地，每个反射器可以具有相同的倾斜表面区域(例如，通过确保每个凹口部1200的上表面1201与第一元件111之间的距离相同)，从而提供每个子像素100的同等改善的亮度并且因此提供像素10的改善的总亮度)。
此外，应当理解，图12A和图12B的凹口部1200可以与图10A的凹口部1200的布置类似，而不是与图10B的凹口部1200的布置类似。即，每个凹口部1200的上表面1201与第一元件111之间的距离可以相同，并且凹口部1200的一部分(例如，包括子像素100B的反射器112B的凹口部1200B和1200C)可以在朝向平面化层1202或凹口层1203的底表面1204的方向上延伸到比凹口部1200的其余部分(例如，其余凹口部1200A、1200D和1200E)朝向平面化层1202或凹口层1203的底表面1204延伸(提供较小的反射器深度)的程度更大的程度(提供较大的反射器深度)。
虽然图12A和图12B的像素10使用彩色发光元件101R、101B和101G，但是应当理解，可替换地，可以使用白色发光元件101R、101B和101G。在这种情况下，像素10包含附接到平面化层1202或凹口层1203的底面1204的另一层，该另一层包含适当的滤色片(例如图5、图6、图7以及图8A和图8B所示的滤色片)。在这种层中，红色滤色片(例如滤色片101R)与发光元件101R对准，蓝色滤色片(例如滤色片131B)与发光元件101B对准，并且绿色滤色片(例如滤色片131G)与发光元件101G对准。
在上述实施例中，每个反射器112包含光反射表面(例如，第一元件111的反射表面或者具有较高折射率的材料与具有较低折射率的材料之间的边界)，该光反射表面具有对于每个像素10的子像素100中的一个或多个可以不同的面积，使得改变那些子像素100的反射光量，并且因此改变那些子像素100的输出亮度。
在上述实施例中，每个子像素100的光反射表面是倾斜表面，并且每个子像素100的倾斜表面的面积根据倾斜表面在堆叠方向上延伸的长度(倾斜表面的长度越长，则光被反射的面积越大，被反射的光量就越大。
在一些实施例中(例如，图5、图6、图8A、图9A、图9B和图10B的实施例)，所有反射器112的倾斜表面从公共平面延伸，并且每个倾斜表面沿其延伸的长度由倾斜表面的高度或深度确定。在图5、图6、图8A、图9A和图9B的示例中，公共平面是限定发光元件101中的每一个的平面。在图10B的示例中，公共平面是第一元件111的下部111A的顶表面(其平行于沿其限定发光元件101的平面，并且与沿其由间隙1003限定发光元件101的平面分开)。
在其他实施例中(例如，图7、图8B、图9C、图10A、图12A和图12B的实施例)，至少一个倾斜表面从堆叠方向上的不同位置处的平面延伸到其他倾斜表面中的每一个延伸的平面。然而，每个倾斜表面可以延伸成使得所有倾斜表面在共同的平面中相遇。在图7、图8B、图9C、图10A、图12A和图12B的示例中，反射器112B的倾斜表面从与其他反射器的倾斜表面不同的平面延伸。然而，所有的倾斜表面延伸以在共同的平面中相遇。在图7中，公共平面是由第一元件111的顶部限定的平面(滤色器131布置在第一元件111的顶部上)。在图8B和图9C中，公共平面是由第一元件111的上部111B的顶部限定的平面。在图10A中，公共平面是由第一元件111的下部111A的底部限定的平面。在图12A和图12B中，公共平面分别是由平面化层1202和1203的底部限定的平面。每个倾斜表面沿着其延伸的长度因此通过该倾斜表面从其延伸到该公共平面的平面的位置而变化。
在所有上述实施例中，每个子像素100的倾斜表面沿着其在堆叠方向上延伸的长度(从而限定反射光的倾斜表面的区域)可以被称为该倾斜表面相对于该子像素100的发光部的高度或深度。应当理解，“高度”和“深度”是相对的术语，因为如果从不同的角度考虑所涉及的长度(例如，如果图5是倒置观察的，然后，每个反射器112的“高度”变为“深度”，并且如果倒置地观察图10A或10B，则每个反射器112的“深度”变为“高度”。因此，术语“高度”和“深度”应被认为在功能上等同，并且术语“高度”或“深度”可与表述“沿堆叠方向延伸的长度”互换使用。更一般地说，还可以指每个反射器112在堆叠方向上沿其延伸的长度，作为与反射器112的第一端共面的第一平面(例如，在堆叠方向上的反射器的顶部)和与反射器112的第二端共面的第二平面(例如，在堆叠方向上的反射器的底部)之间的距离。
在实施例中，术语“堆叠方向”应当被理解为表示这样的方向，其中包含像素10和子像素100的显示元件1通过在另一层之上连续堆叠一层而形成。这些层包括例如第一元件111(如果存在，包括第一元件111的下部111A和上部111B)，每个发光元件101的阳极、有机层和阴极，以及如果存在，包括一个或多个平面化层(诸如平面化层907、1000、1106、1202和1203)。
应当理解，可以更一般地应用本技术，使得以二维形式布置的多个像素(每个像素可以包含多个子像素或者其本身可以是子像素)包含第一像素、第二像素和第三像素。第一光反射部(反射器112)位于第一像素和第二像素之间(使得反射由第一像素或第二像素发射的光)，并且第二光反射部(反射器112)位于第二像素和第三像素之间(使得反射由第二像素或第三像素发射的光)。第一光反射部和第二光反射部的高度可以相同(使得提高光从其均匀地反射的每个像素的感知亮度)。可替换地，第一光反射部和第二光反射部的高度可以不同(使得改善一个像素的感知亮度，光从该像素反射到另一个像素上。
在上述实施例中，应当理解，每个反射器112是倾斜的反射表面，并且每个像素(其可以包含多个子像素或者其本身可以是子像素)发射由这些表面中的一个或多个反射的光。例如，在图5、图6、图7、图8A、图8B、图9A、图9C、图10A、图10B、图12A和图12B的每一个中，子像素100中的每一个发射由两个倾斜表面反射的光(即，每个子像素具有两个倾斜表面)。在图9B中，蓝色子像素100B发射由两个倾斜表面反射的光(即，蓝色子像素100B具有两个倾斜表面)，红色子像素100R和绿色子像素100G中的一个的每一个发射由一个倾斜表面反射的光(即，这些子像素中的每一个具有一个倾斜表面)，其余红色子像素100R发射未由倾斜表面反射的光(即，该子像素不具有倾斜表面)。应当理解，在上述实施例中，通过相对于第二像素的至少一个倾斜反射表面的高度改变第一像素的至少一个倾斜反射表面的高度，使得相对于反射第二像素发射的光的总面积改变反射第一像素发射的光的总面积，从而实现第一像素相对于第二像素的不同的感知亮度。
(反射器的结构细节)
接下来，将参考图13至17详细描述反射器112的结构。
图13是用于描述由反射器112反射的光的概念图。
如图13所示，在子像素100中，从有机发光元件101(的阳极电极121)到反射器112的光是全向的，但是反射器112反射以预定全反射角或更大的角度入射的光，但是透射以小于该角度的角度入射的光。
例如，在图13中，来自有机发光元件101的阳极电极121的光束L1至L4中的光束L2和L3被反射器112全反射，同时光束L4穿过反射器112。
这里，图14示出了到反射器112的倾斜表面的距离L(单位：nm)与进行全反射的反射器112的倾斜表面高度H(单位：nm)之间的关系。
例如，在反射器112之间的开口部(阳极电极121曝光的部分)的宽度为2000nm的情况下，到反射器112的倾斜表面的距离L最大为2000nm。在这种情况下，满足全反射条件的高度H从图14所示的L和H之间的关系大约为1600nm。
换言之，在反射器112中，反射区域的高度H＝1600nm以上，并且由于全反射区域随着高度(倾斜表面高度)H的增加而增加，因此可以提高子像素100的亮度。换言之，可以说，通过随着倾斜表面高度H的增加而增加反射面积来提高亮度。
这里，可以通过例如以下计算来获得满足全反射条件的高度(倾斜表面高度)H。
换言之，如图15所示，在以θ、α表示入射到反射器112上的光的入射角(反射角)的情况下，可以通过以下公式(3)来计算。
α＝tan-1(H/(L+t))…(3)
这里，如果反射器角度(倾角)由β表示，则通过三角形的外角定理获得以下公式(4)的关系。
(90-θ)+α＝β…(4)
因此，可由式(3)和(4)推导以下式(5)的关系。
θ＝90+α-β＝90+tan-1(H/(L+t))-β
tan-1(H/(L+t))＝θ+β-90
tan(θ+β-90)＝H/(L+t)…(5)
此外，由于从tanβ＝H/t的关系获得t＝H/tanβ，因此可以基于公式(5)推导以下公式(6)的关系。
H＝(L+t)×tan(θ+β-90)＝(L+(H/tanβ))×tan(θ+β-90)…(6)
然后，由于以θ>θmax(临界角)进行全反射，因此能够获得满足下述式(7)的关系的高度H。
H≧L×tan(θmax+β-90)/(1-(tan(θmax+β-90)/tanβ))…(7)
由此，获得满足全反射条件的高度(倾斜表面高度)H。
这里，在反射器112(例如，SiO)的折射率nA(即，第一元件111的表面的折射率nA)为1.4，并且假定在与反射器112的界面处的有机层(例如，稍后描述的图22的层141)的有机EL材料的折射率nB为1.8，如图15所示。在这种情况下，执行全反射的θmax(临界角)具有以下公式(8)的关系：
sinθmax＝sinθmax/sin90°＝nA/nB…(8)
然后，通过计算公式(8)获得下式(9)的计算结果。
θmax＝sin-1(nA/nB)＝sin-1(1.4/1.8)＝sin-1(0.882)＝51.3°…(9)
由于如上所述获得θmax＝51.3°，如果假定L为1000nm，并且β为71°，则可以通过在公式(7)的基础上求解以下公式(10)来获得H＝808nm。
H＝L×tan(θmax+β-90)/(1-(tan(θmax+β-90)/tanβ))
＝1000×tan(51.3°+71°-90°)/(1-(tan(51.3°+71°-90°)/tan71°))
＝808.07
此外，本技术的发明人通过详细模拟获得在反射器角度β改变的情况下满足全反射条件的高度(倾斜表面高度)H的变化，来分析反射器112之间的最佳反射器角度β和开口部的宽度(开口部的尺寸)。仿真的结果在图16中示出。
图16的表格示出了当反射器角度β的值(单位：度)和到反射器112的倾斜表面的距离L的值(单位：nm)改变时满足全反射条件(单位：度)的高度(倾斜表面高度)的值(单位：nm)。
这里，图16的表格示出了当β＝60°、65°、68°、70°、71°、73°、74°、75°和80°并且L＝10nm、100nm、500nm、1000nm、1500nm、2000nm、2500nm和3000nm时通过计算公式(7)获得的高度H的值。
此外，从该模拟的结果发现，期望用作发光部的有机发光元件101发射的部分(阳极电极121曝光的部分)的宽度，即，开口部的尺寸为3000nm以下。期望反射器角度β为60°至80°。图17示出了满足这种全反射条件的结构的示例。在图17中，当β＝71°并且L＝2000nm时，H＝1616nm。
(制造工序的第一示例)
接下来，将参考图18至22描述根据本技术的实施例的顶部发射像素制造工艺的第一示例的流程。
此外，在制造过程的第一示例中，为了描述方便，将描述将子像素100R和100G制造为构成像素10的任意子像素100的过程的流程。
在此，首先，进行如图18的A所示的干燥处理。通过干燥处理工艺，在第一元件111A上形成阳极电极121R和121G。此外，例如，可以使用SiO2等作为第一元件111A的材料。此外，可以使用诸如Al、Cu等的反射材料作为阳极电极121的材料。
接着，进行如图18的B所示的CVD成膜工艺。利用CVD成膜工艺，在形成于第一元件111A上的阳极电极121R和121G上形成第一元件111B。此外，例如，可以使用P-SiO等作为第一元件111B的材料。
接下来，执行如图18的C所示的抗蚀剂涂覆工艺。第一元件111B通过抗蚀剂涂覆工艺涂覆有光致抗蚀剂211。
然后，执行如图19的D所示的曝光工艺。在曝光工序中，使用光掩模221使光致抗蚀剂211的表面以图案形式曝光，从而形成包括曝光部(曝光部212)和未曝光部(除曝光部212以外的部分)的图案。
然后，进行如图19的E所示的显影工艺。利用显影工艺，去除光致抗蚀剂211的曝光部212。
然后，进行如图19的F所示的蚀刻工艺。通过蚀刻工艺，蚀刻除了由光致抗蚀剂211掩蔽的部分之外的部分，并且处理第一元件111B的一部分。
然后，进行如图20的G所示的抗蚀剂涂覆工艺。通过抗蚀剂涂覆工艺，第一元件111B的处理部分涂覆有光致抗蚀剂211。
接着，执行如图20的H所示的曝光工艺。利用该曝光工艺，使用光掩模231将光致抗蚀剂211的表面以图案形式曝光，从而形成包括曝光部(曝光部213和214)和未曝光部(除了曝光部213和214之外的部分)的图案。
然后，进行如图20的I所示的显影工艺。利用显影工艺去除光致抗蚀剂211的曝光部213和214。
然后，进行如图21的J所示的蚀刻工艺。通过蚀刻工艺，蚀刻除了由光致抗蚀剂211掩蔽的部分之外的部分，并且处理第一元件111B的一部分。通过该工艺，在各个子像素100中形成具有不同高度的反射器，并且曝光第一元件111A上的阳极电极121R和121G。
然后，进行如图21的K所示的抗蚀剂剥离处理。通过抗蚀剂剥离工艺，光致抗蚀剂211被剥离。
然后，进行如图21的L所示的气相沉积工艺和CVD成膜工艺。利用气相沉积工艺，在阳极电极121R和121G以及形成在第一元件111A上的第一元件111B的表面上形成包括有机层和阴极电极层(例如由透明材料诸如ITO形成的)的层141和保护膜142。此外，有机层在阳极电极和阴极电极层之间发光。例如，希望有机层发射白光。此外，例如，可以使用绝缘材料、导电材料等作为保护膜142的材料。
然后，进行如图22的M所示的平面化工艺。利用平面化工艺，嵌入并平面化第二元件151。此外，例如，可以使用诸如丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、硅树脂等树脂作为第二元件151的材料。
如上所述，在形成包括有机层和阴极电极层的层141和保护膜142之后，进一步形成第二元件151，从而形成包括第一元件111(111B)和第二元件151的光反射层(反射器结构)。
然后，进行如图22的N所示的滤色片形成工艺。通过滤色片形成工艺，在平面化的第二元件151上形成滤色片131R和131G。
在如上所述制造的像素10中，由于由第一元件111的倾斜表面的倾斜引起的反射器的倾斜表面高度针对每个子像素100不同，所以各个子像素100的亮度不同，因此可以提高特定子像素100的亮度。
上面已经描述了制造工艺的第一示例。
(制造工艺的第二示例)
接下来，将参考图23至图27描述根据本技术的实施例的顶部发射像素制造工艺的第二示例的流程。
此外，在制造过程的第二示例中，为了描述方便，将描述将子像素112R、112G、100W和100B制造为构成像素10的任意子像素100的过程的流程。
在此，首先，进行如图23的A所示的干燥处理工艺。通过干燥处理工艺，在第一元件111A上形成阳极电极121R、121G、121W和121B。此外，例如，可以使用SiO2等作为第一元件111A的材料。此外，例如，可以使用诸如Al、Cu等的反射材料作为阳极电极121的材料。
接着，进行如图23所示的CVD成膜工艺。利用CVD成膜工艺，在形成于第一元件111A上的阳极电极121R、121G、121W和121B上形成第一元件111B。此外，例如，可以使用P-SiO等作为第一元件111B的材料。
接下来，执行如图23的C所示的抗蚀剂涂覆工艺。通过抗蚀剂涂覆工艺，第一元件111B涂覆有光致抗蚀剂311。
然后，执行如图24的D所示的曝光工艺。利用该曝光工艺，使用光掩模321将光致抗蚀剂311的表面以图案形式曝光，从而形成包括曝光部(曝光部312)和未曝光部(除了曝光部312之外的部分)的图案。
然后，进行如图24的E所示的显影工艺。利用显影工艺，去除光致抗蚀剂311的曝光部312。
然后，进行如图24的F所示的蚀刻工艺。利用该蚀刻工艺，蚀刻除了被光致抗蚀剂311掩蔽的部分之外的部分，并且处理第一元件111B的一部分。
然后，进行如图25的G所示的抗蚀剂涂覆工艺。通过抗蚀剂涂覆工艺，第一元件111B的处理部分涂覆有光致抗蚀剂311。
接下来，执行如图25的H所示的曝光工艺。利用曝光工艺，使用光掩模331将光致抗蚀剂311的表面以图案形式曝光于光下，从而形成包括曝光部(曝光部313、314、315和316)和未曝光部(除了曝光部313、314、315和316之外的部分)的图案。
然后，进行如图25的I所示的显影工艺。利用显影工艺，去除光致抗蚀剂311的曝光部313、314、315和316。
然后，进行如图26的J所示的蚀刻工艺。利用该蚀刻工艺，蚀刻除了被光致抗蚀剂311掩蔽的部分之外的部分，并且处理第一元件111B的一部分。通过该工艺，在各个子像素100中形成具有不同高度的反射器，并且曝光第一元件111A上的阳极电极121R、121G、121W和121B。
然后，进行如图26的K所示的抗蚀剂剥离处理。通过抗蚀剂剥离工艺，光致抗蚀剂311被剥离。
然后，进行如图26的L所示的气相沉积工艺和CVD成膜工艺。通过气相沉积工艺，在阳极电极121R、121G、121W和121B以及在第一元件111A上形成的第一元件111B的表面上形成包括有机层和阴极电极层(例如由透明材料诸如ITO形成的)的层141和保护膜142。此外，有机层在阳极电极和阴极电极层之间发光。例如，希望有机层发射白光。此外，例如，可以使用绝缘材料、导电材料等作为保护膜142的材料。
然后，进行如图27的M所示的平面化工艺。利用平面化工艺，嵌入并平面化第二元件151。此外，可以使用诸如丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、硅树脂等树脂作为第二元件。
如上所述，在形成包括有机层和阴极电极层的层141和保护膜142之后，进一步形成第二元件151，从而形成包括第一元件111(111B)和第二元件151的光反射层(反射器结构)。
然后，进行如图27的N所示的滤色片形成工艺。通过滤色片形成工艺，在平面化的第二元件151上形成滤色片131R、131G和131B。
在如上所述制造的像素10中，由于由第一元件111的倾斜表面的倾斜引起的反射器的倾斜表面高度针对每个子像素100不同，所以各个子像素100的亮度不同，因此可以提高特定子像素100的亮度。
上面已经描述了制造工艺的第二示例。
<2.修改示例>
在上述实施例中，像素10被描述为WRGB像素，即，包括四个子像素100R、100G、100B和100W，但是子像素100的配置不限于此。
例如，像素10可以不包括子像素100W并且可以包括三个子像素100R、100G和100B。此外，例如，可以使用具有与白色(W)的可见度相等的高可见度的另一种颜色的子像素100来代替白色(W)子像素100W。此外，在像素10中，多个子像素100的布置顺序可以是对于每种颜色不同的任意顺序。
此外，在第一实施例和第二实施例中，针对每个子像素100调节反射器112的倾斜表面高度，而在第三实施例中，针对每个子像素100调节阳极电极121侧的位置，但是可以同时执行这些调节。换言之，在像素10中，可以针对每个子像素100调节反射器112的倾斜表面高度和阳极电极121侧的位置。
此外，上述实施例中描述的各层的材料和厚度、成膜方法、成膜条件等不限于上述描述，并且可以使用其他材料和厚度或其他成膜方法和其他成膜条件。此外，在上述实施例等中，已经具体描述了有机发光元件101的配置，但是不必包括所有层，可以进一步包括另一层。
另外，在上述实施例中，说明了有源矩阵型显示元件(显示装置)的结构，但是本技术也可以应用于无源矩阵型显示元件(显示装置)。此外，用于有源矩阵驱动的像素驱动电路的配置不限于上述实施例中所描述的配置，并且如果必要，可以添加电容元件、晶体管等。在这种情况下，除了上述信号线驱动电路21(图1)和扫描线驱动电路22(图1)之外，可以随着像素驱动电路的变化而适当地添加必要的驱动电路。
<3.电子装置的示例>
(单反相机的示例)
图28示出作为应用了其中应用了本技术的实施例的显示元件的电子装置(成像装置)的单镜头反光相机(镜头可互换的单镜头反光型数码相机)的外观的示例。
如图28的A所示，单镜头反光相机包括例如安装在相机主体(相机主体)411的右前侧的可互换拍摄镜头单元(可互换镜头)412和安装在左前侧并由拍摄者握持的握持部413。
另外，如图28的B所示，监视器414大致安装在相机主体411的背面的中心部。取景器(目镜窗)415安装在监视器414上方。通过查看取景器415，摄影师可以可视地识别从拍摄镜头单元412引导的对象的光图像并决定合成。
该取景器415由应用上述本技术的实施例的显示元件(显示元件1)构成。
(头戴式显示器的示例)
图29示出作为应用了本技术的实施例的显示元件的电子装置的头戴式显示器(HMD)的外观的示例。
如图29的A所示，头戴式显示器包括例如在眼镜型显示单元511的两侧上形成的佩戴在用户的头部上的耳钩部512。显示单元511由应用了本技术的实施例的显示元件(显示元件1)构成。
例如，将图29的A的头戴式显示器佩戴在头上的用户可以观看显示单元511上显示的虚拟现实(VR)视频。
此外，图29的A示出了完全覆盖用户眼睛的非透射型头戴式显示器的示例，但是示出了透射型显示单元521(例如，如图29的B所示，可以由应用了本技术的实施例的显示元件(显示元件1)构成(视频透射型等)头戴式显示器。
例如，将图29的B的头戴式显示器佩戴在头上的用户可以查看显示单元521上显示的增强现实(AR)图像。
(其他示例)
此外，在图28和图29中，将单反相机和头戴式显示器示出为应用了显示元件的电子装置，该显示元件应用了本技术的实施例，但是可以将应用了本技术的实施例的显示元件应用于电子装置，诸如，智能电话、电视接收机、个人计算机、摄像机、移动电话、游戏机、可穿戴装置等。
此外，本技术的实施例不限于上述实施例，可以在不脱离本技术的要旨的范围内进行各种修改。
根据本技术的实施例，提供一种显示元件，包括：显示区域，包括以二维形式布置的像素，每个像素包括多个子像素。在每个像素中，针对每个子像素调节光反射部相对于发光部的高度。
在根据本技术的实施例的显示元件中，提供包括以二维形式布置的像素的显示区域，每个像素包括多个子像素。在每个像素中，针对每个子像素调节光反射部相对于发光部的高度。
根据本技术的实施例，提供了一种包括显示元件的电子装置，该显示元件包括显示区域，该显示区域包括以二维形式布置的像素，每个像素包括多个子像素。在每个像素中，针对每个子像素调节光反射部相对于发光部的高度。
根据本技术的实施例的电子装置配备有显示元件，在该显示元件中提供包括以二维形式布置的像素的显示区域，每个像素包括多个子像素。在每个像素中，针对每个子像素调节光反射部相对于发光部的高度。
此外，根据本技术的实施例的显示元件或电子装置可以是独立装置或构成一个装置的内部块。
另外，本技术还可以如下配置。
(1)
一种显示元件，包括：
显示区域，包括以二维形式布置的像素，每个该像素包括多个子像素；
其中在每个像素中，针对每个子像素调节光反射部相对于发光部的高度。
(2)
根据(1)的显示元件，其中针对每个子像素调节该光反射部的倾斜表面在堆叠方向上的高度。
(3)
根据(2)的显示元件，其中该光反射部的倾斜表面的高度针对每个子像素不同。
(4)
根据(2)的显示元件，其中该光反射部的倾斜表面的高度仅在多个子像素中的特定子像素中不同。
(5)
根据(1)的显示元件，其中针对每个子像素调节该发光部在堆叠方向上的位置。
(6)
根据(5)的显示元件，其中该发光部的位置针对每个子像素不同。
(7)
根据(5)的显示元件，其中该发光部的位置仅在该多个子像素中的特定子像素中不同。
(8)
根据(1)至(7)中任一项的显示元件，其中根据该光反射部的倾斜表面的角度和该光发射部的宽度来调节该光反射部的倾斜表面的高度。
(9)
根据(1)至(8)中任一项的显示元件，其中每个像素包括发射三种基色的光的第一子像素、第二子像素和第三子像素以及发射非基色的光的第四子像素。
(10)
根据(9)的显示元件，其中该光的基色包括红光、绿光和蓝光，并且
该光的非基色是白光。
(11)
根据(1)至(10)中任一项的显示元件，
其中该子像素是包括发光元件的像素，该发光元件作为该发光部发光；
该发光元件包括电极和包括发光层的有机层。
(12)
一种电子装置，包括：
显示元件，包括
显示区域，包括以二维形式布置的像素，每个该像素包括多个子像素；
其中在每个像素中，针对每个子像素调节光反射部相对于发光部的高度。
(13)
一种显示元件，包含：
显示区域，包括以二维形式布置的多个像素，该多个像素包括第一像素、第二像素和第三像素；
位于该第一像素和该第二像素之间的第一光反射部，以及
位于该第二像素和该第三像素之间的第二光反射部，
其中第一光反射部的高度和第二光反射部的高度相对于多个像素的发光部不同。
(14)
根据(13)的显示元件，其中该第一光反射部的高度和该第二光反射部的高度相对于堆叠方向上的公共平面不同。
(15)
根据(13)的显示元件，其中该第一光反射部和该第二光反射部相对于该多个像素的发光部的位置在堆叠方向上的位置不同。
(16)
根据(13)的显示元件，其中每个光反射部的高度是光反射部的光反射表面沿着堆叠方向延伸的长度。
(17)
根据(13)的显示元件，其中该第一像素、第二像素和第三像素中的每一个发射该三种基色的光或非基色的光之一。
(18)
根据(17)的显示元件，其中该光的基色包括红光、绿光和蓝光，并且该光的非基色是白光。
(19)
根据(13)的显示元件，
其中每个像素是包括作为发光部发光的发光元件的像素，并且
该发光元件包括电极和包括发光层的有机层。
(20)
一种电子装置，包含：
显示元件，该显示元件包含
显示区域，包括以二维形式布置的多个像素，该多个像素包括第一像素、第二像素和第三像素；
位于该第一像素和该第二像素之间的第一光反射部，以及
位于该第二像素和该第三像素之间的第二光反射部，
其中第一光反射部的高度和第二光反射部的高度相对于多个像素的发光部不同。
(21)
一种底部发光有机电致发光EL显示元件，包含：
显示区域，包括以二维形式布置的多个像素，该多个像素包括第一像素、第二像素和第三像素；
位于该第一像素和该第二像素之间的第一光反射部，以及
位于该第二像素和该第三像素之间的第二光反射部，
其中第一光反射部的高度和第二光反射部的高度相对于多个像素的发光部相同。
(22)
根据(21)的显示元件，其中每个该光反射部的高度是该光反射部的光反射表面沿着堆叠方向延伸的长度。
(23)
根据(21)的显示元件，其中该第一像素、第二像素和第三像素中的每一个发射该三种基色的光或非基色的光之一。
(24)
根据(23)的显示元件，其中该光的基色包括红光、绿光和蓝光，而该光的非基色是白光。
(25)
根据(21)的显示元件，其中
每个像素是包括作为发光部发光的发光元件的像素，并且
该发光元件包括电极和包括发光层的有机层。
(26)
包含底部发光有机EL显示元件的电子装置，该底部发光有机EL显示元件包含：
显示区域，包括以二维形式布置的多个像素，该多个像素包括第一像素、第二像素和第三像素；
位于该第一像素和该第二像素之间的第一光反射部，以及
位于该第二像素和该第三像素之间的第二光反射部，
其中第一光反射部的高度和第二光反射部的高度相对于多个像素的发光部相同。
[参考符号列表]
1 显示元件
10 像素 11 基材
21 信号线驱动电路
22 扫描线驱动电路
23 显示区域
31 信号线32扫描线
33 像素驱动电路
100、100R、100G、100B、100W 子像素
101、101R、101G、101B、101W 有机发光元件
111 第一元件
112、112R、112G、112B、112W 反射器
121、121R、121G、121B、121W 阳极电极
131、131R、131G、131B 滤色片
141 层
142 保护膜
151 第二元件

Claims (14)

1.一种显示元件，包含：
显示区域，包括以二维形式布置的多个像素，所述多个像素包括第一像素、第二像素和第三像素；
位于所述第一像素和所述第二像素之间的第一光反射部，以及
位于所述第二像素和所述第三像素之间的第二光反射部，
其中，所述第一光反射部的高度和所述第二光反射部的高度相对于所述多个像素的发光部不同。
2.根据权利要求1所述的显示元件，其中，所述第一光反射部的高度和所述第二光反射部的高度相对于堆叠方向上的公共平面不同。
3.根据权利要求1所述的显示元件，其中，所述第一光反射部的位置和所述第二光反射部的位置相对于所述多个像素的发光部的位置在堆叠方向上不同。
4.根据权利要求1所述的显示元件，其中，每个光反射部的高度是光反射部的光反射表面沿着堆叠方向延伸的长度。
5.根据权利要求1所述的显示元件，其中，所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素中的每一个发射三种基色的光或非基色的光之一。
6.根据权利要求5所述的显示元件，其中，所述光的基色包括红光、绿光和蓝光，并且所述光的非基色是白光。
7.根据权利要求1所述的显示元件，
其中，每个像素是包括作为所述发光部发光的发光元件的像素，并且
所述发光元件包括电极和包括发光层的有机层。
8.一种电子装置，包含：
显示元件，所述显示元件包含
显示区域，包括以二维形式布置的多个像素，所述多个像素包括第一像素、第二像素和第三像素；
位于所述第一像素和所述第二像素之间的第一光反射部，以及
位于所述第二像素和所述第三像素之间的第二光反射部，
其中，所述第一光反射部的高度和所述第二光反射部的高度相对于所述多个像素的发光部不同。
9.一种底部发光有机电致发光EL显示元件，包含：
显示区域，包括以二维形式布置的多个像素，所述多个像素包括第一像素、第二像素和第三像素；
位于所述第一像素和所述第二像素之间的第一光反射部，以及
位于所述第二像素和所述第三像素之间的第二光反射部，
其中，所述第一光反射部的高度和所述第二光反射部的高度相对于所述多个像素的发光部相同。
10.根据权利要求9所述的显示元件，其中，每个光反射部的高度是所述光反射部的光反射表面沿着堆叠方向延伸的长度。
11.根据权利要求9所述的显示元件，其中，所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素中的每一个发射三种基色的光或非基色的光之一。
12.根据权利要求11所述的显示元件，其中，所述光的基色包括红光、绿光和蓝光，而所述光的非基色是白光。
13.根据权利要求9所述的显示元件，其中
每个像素是包括作为发光部发光的发光元件的像素，并且
所述发光元件包括电极和包括发光层的有机层。
14.一种电子装置，包含底部发光有机EL显示元件，所述底部发光有机EL显示元件包含：
显示区域，包括以二维形式布置的多个像素，所述多个像素包括第一像素、第二像素和第三像素；
位于所述第一像素和所述第二像素之间的第一光反射部，以及
位于所述第二像素和所述第三像素之间的第二光反射部，
其中，所述第一光反射部的高度和所述第二光反射部的高度相对于所述多个像素的发光部相同。
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