CN111512423A - 安装方法和安装装置 - Google Patents

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Abstract

提供安装方法和安装装置，将半导体芯片高精度且稳定地安装于电路基板。具体而言，依次执行如下的工序：第1转移工序，在半导体芯片(1)的第2面侧准备第1粘接片(4a)，使激光(11)透过载体基板(2)而照射至半导体芯片(1)的第1面，从而按照使半导体芯片(1)从载体基板(2)剥离而粘贴于第1粘接片(4a)上的方式使半导体芯片(1)转移至第1粘接片(4a)，其中，所述第2面是与所述第1面相反的一侧的面；第2转移工序，在半导体芯片(1)的第1面侧准备第2粘接片(4b)，使激光(11)透过第1粘接片(4a)而照射至半导体芯片(1)的第2面，从而按照使半导体芯片(1)从第1粘接片(4a)剥离而粘贴于第2粘接片(4b)上的方式使半导体芯片(1)转移至第2粘接片(4b)；以及安装工序，由头(32)对第2粘接片(4b)的未转移有半导体芯片(1)的这一侧的面进行保持，借助头(32)而将半导体芯片(1)与电路基板(6)热压接，从而将半导体芯片(1)安装于电路基板(6)。

Description

安装方法和安装装置
技术领域
本发明涉及高精度且稳定地安装半导体芯片的安装方法和安装装置。
背景技术
半导体芯片为了降低成本而小型化，正在进行用于高精度地安装小型化后的半导体芯片的研究。特别是用于显示器的LED，要求以数um的精度高速地安装被称为微型LED的50um×50um以下的半导体芯片。
在专利文献1中记载了如下的构成：在由微型LED构成的半导体芯片与由蓝宝石构成的载体基板之间设置由铟构成的粘接层，从而使半导体芯片的安装面与载体基板粘接，利用加热的头对半导体芯片进行吸附，从而利用来自头的热量将粘接层熔融而将半导体芯片剥离，然后将半导体芯片安装于电路基板。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第5783481号公报
发明内容
发明所要解决的课题
但是，专利文献1记载的安装方法存在如下的问题：粘接层有可能残留在半导体芯片上，由于该粘接层的量的偏差而难以进行稳定的安装。
本发明的课题在于解决上述问题，提供将半导体芯片高精度且稳定地安装于电路基板的安装方法和安装装置。
用于解决课题的手段
为了解决上述课题，本发明的安装方法将第1面被保持于载体基板上的切割后的半导体芯片安装于电路基板，其特征在于，该安装方法依次执行如下的工序：第1转移工序，在所述半导体芯片的第2面侧准备第1粘接片，使激光透过所述载体基板而照射至所述半导体芯片的所述第1面，从而按照使所述半导体芯片从所述载体基板剥离而粘贴于所述第1粘接片上的方式使所述半导体芯片转移至所述第1粘接片，其中，所述第2面是与所述第1面相反的一侧的面；第2转移工序，在所述半导体芯片的所述第1面侧准备第2粘接片，使激光透过所述第1粘接片而照射至所述半导体芯片的所述第2面，从而按照使所述半导体芯片从所述第1粘接片剥离而粘贴于所述第2粘接片上的方式使所述半导体芯片转移至所述第2粘接片；以及安装工序，由头对所述第2粘接片的未转移有所述半导体芯片的这一侧的面进行保持，借助该头将所述半导体芯片与所述电路基板热压接，从而将所述半导体芯片安装于所述电路基板。
通过该安装方法，不使用粘接层而将半导体芯片安装于电路基板，因此能够不在半导体芯片的与电路基板对置的面上残留多余的物质而进行安装，能够高精度且稳定地安装于电路基板。
另外，也可以是，该安装方法在所述第1转移工序与所述第2转移工序之间具有使所述第1粘接片的粘接力降低的粘接力降低工序。
这样，能够容易地进行第2转移工序。
另外，也可以是，所述粘接力降低工序通过对所述第1粘接片和所述半导体芯片进行加热而使粘接力降低。
这样，能够容易地使第1粘接片的粘接力降低。
另外，也可以是，所述头的与所述第2粘接片接触的面的热膨胀系数、所述第2粘接片的材料以及所述电路基板的供所述半导体芯片安装的面的热膨胀系数等同，在所述安装工序中，进行温度控制以使所述第2粘接片的温度与所述电路基板的供所述半导体芯片转移的面的温度始终相等。
这样，能够防止在安装工序中电路基板与第2粘接片由于热膨胀系数的差异而发生位置偏移从而使半导体芯片从电路基板剥离。
另外，也可以是，所述头的与所述第2粘接片接触的面的材料、所述第2粘接片的材料以及所述电路基板的供所述半导体芯片安装的面的材料相同。
这样，能够进一步防止在安装工序中电路基板与第2粘接片发生位置偏移。
另外，为了解决上述课题，本发明的安装装置将第1面被保持于载体基板上的切割后的半导体芯片安装于载置台所载置的电路基板，其特征在于，该安装装置具有：第1粘接片保持部，其对第1粘接片进行保持，该第1粘接片供所述半导体芯片的第2面粘贴，该第2面是与所述第1面相反的一侧的面；第2粘接片保持部，其对第2粘接片进行保持，该第2粘接片接受所述半导体芯片的所述第1面；激光照射部，其照射激光；以及头，其对保持有所述半导体芯片的所述第2粘接片进行保持，并能够将所述半导体芯片相对于载置台所载置的所述电路基板进行加压和加热。
通过该安装装置，不使用粘接层而将半导体芯片安装于电路基板，因此能够不在半导体芯片的与电路基板对置的面上残留多余的物质而进行安装，能够高精度且稳定地安装于电路基板。
发明效果
根据本发明的安装方法和安装装置，能够将半导体芯片高精度且稳定地安装于电路基板。
附图说明
图1是对本发明的安装方法的第1转移工序进行说明的图。
图2是对本发明的安装方法的粘接力降低工序进行说明的图。
图3是对本发明的安装方法的第2转移工序进行说明的图。
图4是对其他实施方式的第2转移工序进行说明的图。
图5是对本发明的安装方法的安装工序进行说明的图。
图6是对安装工序中的失败例进行说明的图。
图7是对本发明的安装装置进行说明的图。
图8是对本发明的安装装置中的激光转移部进行说明的图。
图9是对本发明的安装装置中的粘接片载置部进行说明的图。
图10是对本发明的安装装置中的安装部进行说明的图。
具体实施方式
参照图1～图5对本发明的安装方法进行说明。图1是对本发明的安装方法的第1转移工序进行说明的图。图2是对本发明的安装方法的粘接力降低工序进行说明的图。图3是对本发明的安装方法的第2转移工序进行说明的图。图4是对其他实施方式的第2转移工序进行说明的图。图5是对本发明的安装方法的安装工序进行说明的图。
另外，在本发明中，将半导体芯片所具有的两个主面中的被载体基板保持的面作为第1面，将与第1面相反的一侧的面定义为第2面，在第2面上形成有凸块，与电路基板接合。
首先，参照图1对本发明的安装方法的第1转移工序进行说明。图1的(a)示出第1面被保持于载体基板2的切割后的多个半导体芯片1。载体基板2在图1的进深方向上也扩展，具有圆形或四边形，由硅、砷化镓、蓝宝石等构成。另外，半导体芯片1也沿着载体基板2的宽度而二维地排列有多个(数百个～数万个)。在被称为微型LED的小型的半导体芯片1中，尺寸为50um×50um以下，按照对该尺寸加上切割宽度而得的间距进行排列。这样的小型的半导体芯片1要求以高精度(例如1um以下的精度)安装于电路基板6。关于本实施方式的半导体芯片1，事先对各半导体芯片1进行检查而将不良的半导体芯片去除。具体而言，照射比后述的激光剥离的情况更强的激光而使不良芯片烧毁。另外，在半导体芯片1的第2面上形成有凸块。
图1的(b)示出将半导体芯片1的第2面粘贴在第1粘接片4a上的第1粘接片粘贴工序，该第2面是与被载体基板2保持的面即第1面相反的一侧的面。第1粘接片4a首先通过真空吸附而被保持于后述的第1粘接片载置部21，在要粘贴半导体芯片1的面上形成有粘接膜3a。本实施方式的粘接膜3a具有如下的特性：在常温下具有粘接性，但通过加热，粘接力降低。在该第1粘接片粘贴工序中，利用后述的机器人手臂40对保持着半导体芯片1的载体基板2进行吸附、操作，从而将半导体芯片1的第2面粘贴在第1粘接片载置部21所保持的第1粘接片4a的粘接膜3a上。
接着，对如上述那样连同载体基板一起粘贴有半导体芯片1的第1粘接片4a执行载体基板去除工序。在载体基板去除工序中，通过被称为激光剥离的方法将半导体芯片1从载体基板2剥离而去除。例如在微型LED中，对载体基板2照射准分子激光，从而激光11透过载体基板2而照射至半导体芯片1的第1面，使作为半导体芯片1的微型LED的GaN层的一部分分解成Ga和N，从而将半导体芯片1从由蓝宝石构成的载体基板2剥离。使真空吸附着载体基板2的机器人手臂40从第1粘接片4a离开，从而将所有半导体芯片1被照射了激光11的载体基板2去除。
这样经过第1粘接片粘贴工序和载体基板去除工序，如图1的(c)所示，将半导体芯片1从载体基板2转移至第1粘接片4a。在本说明中，将半导体芯片1从载体基板2转移至第1粘接片4a的工序称为第1转移工序。
另外，在上述说明中，在第1转移工序中，在将半导体芯片1的第2面粘贴于第1粘接片4a上之后进行载体基板2的去除，但不限于此，也可以在在从半导体芯片1的第2面稍微离开的位置上准备有第1粘接片4a的状态下，通过对载体基板2照射了激光时使微型LED的GaN层的一部分分解成Ga和N而产生的推进力对半导体芯片1施力，使半导体芯片1从载体基板2飞向第1粘接片4a而粘贴于第1粘接片4a。另外，在该情况下，在真空环境下实施半导体芯片1从载体基板2的剥离，从而消除空气阻力的影响而使半导体芯片1笔直地飞向第1粘接片4a，能够防止半导体芯片1在粘接片4a上的位置偏移。
另外，在本实施方式中，利用载体基板去除工序对载体基板2照射激光而通过激光剥离将载体基板2从半导体芯片1剥离而去除，但未必限于此，可以适当地变更。例如也可以将载体基板2从与设置有半导体芯片1的那一侧相反的一侧削落而去除。这称为背磨(backgrind)，特别是在红色LED的情况下，无法应用激光剥离，因此使用该背磨的方法。
接着，实施图2所示的粘接力降低工序。在粘接力降低工序中，将第1粘接片4a的粘接膜3a加热至规定的温度，从而使粘接膜3a的粘接力降低。另外，在本实施方式中，使用了具有通过加热而使粘接力降低的特性的粘接膜3a，因此在粘接力降低工序中对粘接膜3a进行加热，但不限于此，在使用粘接力因UV光等光的照射而变化的粘接膜3a的情况下，通过朝向粘接膜3a照射光而实施粘接力降低工序。
另一方面，若即使不使粘接力降低也能够实施后述的第2转移工序，则未必需要粘接力降低工序。
另外，在粘接力降低工序中通过加热而使第1粘接片4a的粘接力降低的情况下，有可能在第1粘接片4a发生了热膨胀因而半导体芯片1的排列间隔发生了扩展的状态下转移至第2粘接片4b并进行之后的工序。在该情况下，在将半导体芯片1安装于电路基板6时，半导体芯片1的安装位置可能产生偏移。为了防止该情况，第1粘接片4a可以将石英、玻璃等热膨胀系数较小的原材料作为材料。另外，可以将粘接力通过加热而降低但之后即使进行冷却粘接力也不恢复的原材料作为粘接膜3a的材料，在粘接力降低工序中对第1粘接片4a进行加热之后，在将半导体芯片1转移至第2粘接片4b之前，使第1粘接片4a冷却至加热前的温度。
接着，执行图3的(a)和(b)所示的第2转移工序。在第2转移工序中，如图3的(a)所示，按照使粘接膜3a和半导体芯片1朝下的方式对第1粘接片4a进行保持，并且在第1粘接片4a的下方配置有具有粘接膜3b的第2粘接片4b。
并且，如图3的(a)中速度v1所示那样，使第1粘接片4a相对于激光11的照射部相对移动，在半导体芯片1来到激光11的照射部的正下方的时机照射激光11，从而激光11透过第1粘接片4a而到达粘接膜3a与半导体芯片1的第2面的界面，将半导体芯片1激光剥离。具体而言，通过激光11的照射，从粘接膜3a产生气体，通过该气体的产生而对半导体芯片1施力，使半导体芯片1从第1粘接片4a飞向下方。另外，在半导体芯片1为GaN芯片的情况下，通过激光11的照射，能够分解成Ga和N并产生N2，从而通过膨胀而进行激光剥离。
此时，如图3的(a)中速度v2所示那样预先使第2粘接片4b相对于第1粘接片4a相对移动，从而能够根据该相对移动速度而如图3的(b)所示那样以任意的间隔使半导体芯片1着落在第2粘接片4b上的粘接膜3b上，成为在第2粘接片4b上粘贴有半导体芯片1的状态。这样，能够将在载体基板2上被切割而密集地排列在第1粘接片4a上的半导体芯片1以任意的间隔配置在第2粘接片4b上。例如为了使RGB这样的三种半导体芯片依次排列，各种半导体芯片1需要确保至少两个芯片以上的间隔而利用后述的安装工序配置于电路基板6上，能够通过上述的转移方法进行。
另外，被转移至第2粘接片4b的半导体芯片1其第1面与第2粘接片4b对置。
这里，在真空环境下实施激光剥离，从而消除空气阻力的影响而使半导体芯片1笔直地飞向第2粘接片4b，能够防止半导体芯片1在第2粘接片4b上的位置偏移。
另外，为了如上述那样实施激光剥离，第1粘接片4a需要将透过激光11的原材料作为材料。具体而言，优选将石英、玻璃等作为材料。另外，也可以使第1粘接片4a为较薄的膜状而使激光11透过。
另外，图4的(a)、(b)是第2转移工序的其他实施方式。在图3的(a)、(b)所示的实施方式中，激光照射部12照射线状的激光11，但在图4所示的该实施方式中，照射点状的激光，在一次照射中，仅使一个半导体芯片激光剥离。利用电流镜使该激光11的照射位置改变，从而仅选择要转移至第2粘接片4b的半导体芯片1而照射激光11。图4的(a)是激光11的照射开始时刻，图4的(b)是从照射开始起经过了规定的时间的时刻，仅选择要转移至第2粘接片4b的半导体芯片1而照射激光11，从而能够与图3的(a)、(b)的实施方式同样地以任意的间隔将半导体芯片1转移至第2粘接片4b。
接着，实施图5的(a)和(b)所示的安装工序。在安装工序中，如图5的(a)所示，后述的头32对第2粘接片4b的未转移有半导体芯片1的这一侧的面进行保持，使载置于后述的载置台31的电路基板6与第2粘接片4b所保持的半导体芯片1对置。
并且，头32接近电路基板6，如图5的(b)所示那样使设置于半导体芯片1的第2面的凸块与电路基板6抵接，进一步进行加压。
另外，在本实施方式中，在电路基板6的供半导体芯片1抵接的面上设置有转移层5，在半导体芯片1抵接于转移层5上之后，通过转移层5对半导体芯片1进行保持。
另外，在头32中设置有加热器35，在进行半导体芯片1的加压时，使加热器35进行动作而使头32的温度上升至半导体芯片1所具有的凸块发生熔融的温度，从而对半导体芯片1的凸块进行加热而使凸块熔融。其结果是，将半导体芯片1热压接在电路基板6上而牢固地接合。即，将半导体芯片1安装于电路基板6。
并且，头32在保持着第2粘接片4b的状态下从电路基板6离开，从而半导体芯片1从第2粘接片4b离开，完成半导体芯片1向电路基板6的安装。
另外，在本实施方式中，如图5的(b)那样通过一次安装工序同时进行多个半导体芯片1的热压接。特别是在半导体芯片1为微型LED的情况下，安装于一个电路基板6的半导体芯片1也达到数万个。在该情况下，例如在FHD(Full High Definition，全高清)面板中，在一个面板上排列有1920×1080×3个半导体芯片1，通过将所有半导体芯片1转移至一个第2粘接片4b并利用头32进行保持并一并地进行热压接，能够大幅降低安装所花费的时间。
这里，在本实施方式中，头32的至少与第2粘接片4b接触的面(头32的前端)的热膨胀系数、第2粘接片4b的热膨胀系数以及电路基板6的供半导体芯片1安装的面的热膨胀系数等同。另外，进一步优选头32的前端、第2粘接片4b、电路基板6的安装半导体芯片1的面的材料相同。具体而言，在电路基板6的材料为玻璃的情况下，头32的前端的材料和第2粘接片4b的材料与电路基板6同样地使用玻璃。另外，在电路基板6的材料为铜的情况下，头32的前端的材料和第2粘接片4b的材料使用SUS304。在该情况下，铜的热膨胀系数为16.8ppm，与此相对，SUS304的热膨胀系数为17.3ppm，它们的差为3％左右。
并且，不仅头32具有加热器35，还在载置台31中设置有加热器34，在实施安装工序的期间，控制加热器34和加热器35以使头32和第2粘接片4b的温度与电路基板6的安装半导体芯片1的面的温度始终相等。通过这样，即使在安装工序中电路基板6以及头32和第2粘接片4b发生热膨胀，第2粘接片4b的与半导体芯片1接触的部位和电路基板6上接合有半导体芯片1的凸块的部位的相对位置也不容易产生变化，能够稳定地进行高精度的安装。
假设在如图6那样仅头32具有加热器35而在头32与电路基板6之间产生温度差的情况下，或者在头32、第2粘接片4b以及电路基板6各自的热膨胀系数之间存在较大差异的情况下，根据各自的热膨胀后的尺寸的差异，第2粘接片4b的与半导体芯片1接触的部位和电路基板6上接合有半导体芯片1的凸块的部位的相对位置会产生变化。
这里，半导体芯片1的Z轴方向的尺寸存在不小的偏差，在各半导体芯片1的第1面上与第2粘接片4b之间产生的摩擦力方面也存在偏差。此时，在摩擦力比较低的半导体芯片1中，即使在粘接片4b的与半导体芯片1接触的面和电路基板6上接合有半导体芯片1的凸块的部位的相对位置产生变化，也可能在粘接片4b与半导体芯片1之间产生滑动，之后能够没有问题地进行热压接，但在摩擦力比较高的半导体芯片1中，该摩擦力比凸块的接合力高，由于上述相对位置的变化，半导体芯片1会附在粘接片4b上，有可能产生半导体芯片1的位置偏移、剥离。
与此相对，使头32的前端、粘接片4b以及电路基板6的热膨胀系数等同或相同，在安装工序的期间进行温度控制以使粘接片4b和电路基板6的温度始终相等，从而能够防止半导体芯片1从电路基板6剥离。
通过以上的安装方法，能够将半导体芯片高精度且稳定地安装于电路基板。
接着，将本发明的安装装置示于图7。
安装装置100具有激光转移部10、粘接片载置部20以及安装部30，通过激光转移部10进行第1转移工序和第2转移工序，通过安装部30进行安装工序。另外，第1粘接片4a和第2粘接片4b暂放于粘接片载置部20，若有需要，则在该粘接片载置部20进行粘接力降低工序。另外，通过一种以上的机器人手臂40来实施各装置间的基板(载体基板2、第1粘接片4a、第2粘接片4b、电路基板6)的搬送。
将激光转移部10的详细情况示于图8。
激光转移部10具有未图示的真空化部，能够将整体作为真空腔室而成为真空环境。另外，激光转移部10具有：能够在X轴方向上移动的转移基板保持部13，其对转移基板进行保持；能够在X轴方向、Y轴方向、Z轴方向以及θ方向上移动的被转移基板保持部14，其在转移基板保持部13的下侧，按照与转移基板具有间隙而对置的方式对被转移基板进行保持；激光照射部12，其照射激光11；以及未图示的控制部。
激光照射部12固定设置于激光转移部10。在本实施方式中，激光照射部12照射线状的激光11而使在Y轴方向上排列的半导体芯片1同时激光剥离。另外，在接近激光照射部12的位置设置有未图示的相机。该相机对转移基板或被转移基板的位置进行识别，使被转移基板保持部14在X轴、Y轴或θ方向(使Z轴方向为旋转的中心的中心方向)上移动而进行对准。
另外，转移基板保持部13具有开口，能够使从激光照射部12发出的激光11经由该开口而照射至转移基板保持部13所保持的转移基板。
在该激光照射部10中，进行第1转移工序和第2转移工序，在如第1转移工序那样按照转移基板(载体基板2)所保持的半导体芯片1与被转移基板(第1粘接片4a)之间不具有间隙的方式进行转移的情况下，使被转移基板保持部14在Z轴方向上移动而使转移基板保持部13所保持的载体基板2的半导体芯片1与被转移基板保持部14所保持的第1粘接片4a接触。并且，一边使转移基板保持部13和被转移基板保持部14在X轴方向上以相同的速度移动，一边按照规定的时间从激光照射部12断续地照射激光11，从而完成从载体基板2向第1粘接片4a的转移。
另外，也可以取而代之采用如下的方式：使粘贴有载体基板2的第1粘接片4a保持于被转移基板保持部14，仅使被转移基板保持部14在X轴方向上移动，同时按照规定的时间从激光照射部12断续地照射激光11。
另外，在本说明中，将如被转移基板保持部14那样在第1转移工序中起到保持第1粘接片4a的作用的部件称为第1粘接片保持部。
另一方面，在如图3的(a)、(b)所示的第2转移工序那样按照转移基板(第1粘接片4a)所保持的半导体芯片1与被转移基板(第2粘接片4b)之间具有间隙的方式执行转移的情况下，能够使保持着第1粘接片4a的转移基板保持部13在X轴方向上移动、或者使保持着第2粘接片4b的被转移基板保持部14在X轴方向、Y轴方向或θ方向中的至少一个方向上移动而进行对准。
并且，在对准之后，使转移基板保持部13和被转移基板保持部14在X轴方向上移动，按照规定的时间从激光照射部12断续地照射激光11，从而使粘贴于第1粘接片4a的半导体芯片1剥离，并朝向被转移基板保持部14所保持的第2粘接片4b施力而转移。在该情况下，通过真空化部使激光转移部10内为真空环境，从而被施力的半导体芯片1不会受到空气阻力的影响而能够防止位置偏移。
另外，通过改变转移基板保持部13与被转移基板保持部14之间的相对移动速度，能够如上述那样调节着落在第2粘接片4b上的半导体芯片1之间的间隔。
另外，在本说明中，将如被转移基板保持部14那样具有对接受半导体芯片1的第1面的第2粘接片4b进行保持的作用的部件称为第2粘接片保持部。即，在本实施方式中，被转移基板保持部14兼作第1粘接片保持部和第2粘接片保持部。
另外，在本实施方式中，被转移基板保持部14构成为能够在X轴方向、Y轴方向、Z轴方向以及θ方向上移动，但未必限于此，可以根据情况而适当变更。例如若不需要旋转对准，则无需θ方向的移动，另外，若无需变更转移基板与被转移基板之间的间隔，则无需Z轴方向的移动。另外，也可以使转移基板保持部13能够在Y轴方向上移动。
接着，将粘接片载置部20的详细情况示于图9。
粘接片载置部20具有第1粘接片载置部21、第2粘接片载置部22以及未图示的控制部。
第1粘接片载置部21的上表面能够对第1粘接片4a进行真空吸附，另外，设置有能够供机器人手臂40进入的槽部，实施第1转移工序之前的第1粘接片4a和通过激光转移部10粘贴了半导体芯片1的实施第2转移工序之前的第1粘接片4a通过机器人手臂40进行搬送，使粘接膜3a向上而暂放于第1粘接片载置部21的上表面上。
第2粘接片载置部22的上表面能够对第2粘接片4b进行真空吸附，另外设置有能够供机器人手臂40进入的槽部，实施第2转移工序之前的第2粘接片4b和通过激光转移部10粘贴了半导体芯片1的实施安装工序之前的第2粘接片4b通过机器人手臂40进行搬送，使粘接膜3b向上而暂放于第2粘接片载置部22的上表面上。
另外，在本实施方式中，第1粘接片载置部21具有加热器23，能够控制第1粘接片载置部21的上表面的温度。并且，在粘贴有半导体芯片1的第1粘接片4a被载置于第1粘接片载置部21的上表面的状态下，使加热器23进行加热，从而降低第1粘接片4a的粘接膜3a的粘接力。即，进行上述安装方法中的粘接力降低工序。另外，在本发明中，将如本实施方式的粘接片载置部21和加热器23那样使第1粘接片4a的粘接力降低的部件称为粘接力降低部。
接着，将安装部30的详细情况示于图10。
安装部30具有载置台31、头32以及双视野光学***33，并且具有未图示的控制部。
载置台31能够载置电路基板6并通过真空吸附而将电路基板6保持为不移动，构成为能够通过XY载台而在X、Y轴方向上移动。
另外，在本实施方式中，载置台31具有加热器34，能够通过控制部对载置台31的表面的温度(≒载置于载置台31的电路基板6的温度)进行控制。另外，在载置台31上设置有未图示的温度计，能够对该温度计所测量的载置台31的温度进行反馈而进行温度控制。
头32的前端部为大致平坦面，具有一个以上的吸附孔，在安装工序时该头32对第2粘接片4b的未转移有半导体芯片1的这一侧的面进行吸附保持。另外，头32能够在Z轴方向上移动，使载置台31所保持的电路基板6与已转移至头32所保持的第2粘接片4b上的半导体芯片1的凸块接触并进行加压。另外，头32具有加热器35，能够通过控制部对头32特别是前端部的温度进行控制。另外，在头32上设置有未图示的温度计，能够对该温度计所测量的头32的温度进行反馈而进行温度控制。
另外，头32构成为能够在θ方向(以Z轴方向为旋转的中心的中心方向)上移动，通过使载置台31在X、Y轴方向上的移动与头32在Z轴、θ方向上的移动相联动，能够将半导体芯片1热压接而安装于电路基板6上的规定的位置。
这里，在本实施方式中，同时控制加热器34和加热器35，在安装工序中，载置台31的表面的温度与头32的前端部的温度(≒第2粘接片4b的温度)始终相等。这样，如上所述，即使在安装工序中电路基板6与第2粘接片4b发生热膨胀，第2粘接片4b的与半导体芯片1接触的部位和在电路基板6上接合有半导体芯片1的凸块的部位的部位的相对位置也不容易产生变化，能够稳定地进行高精度的安装。
另外，在本实施方式中，构成为头32在Z轴、θ方向上移动、载置台31在X、Y轴方向上移动，但未必限于此，可以根据装置的情况而适当变更。例如可以构成为头32在X轴、Y轴、θ方向上移动、载置台31在Z轴方向上移动。另外，若无需θ方向的移动机构，则可以省略。例如在半导体芯片1和电路基板6的位置没有旋转偏移的情况下，可以省略θ方向的移动机构。
在将电路基板6载置于载置台31时，双视野光学***33能够进入至头32与电路基板6之间而拍摄双方的图像。所拍摄的各图像利用控制部进行图像处理而识别各自的位置偏移。并且，控制部考虑该位置偏移而进行控制以使各半导体芯片1与电路基板6上的规定的位置接触而接合，从而将半导体芯片1高精度地安装于X、Y轴方向。
通过以上所述的安装装置100，能够执行本发明的安装方法。
通过以上的安装方法和安装装置，能够将半导体芯片高精度且稳定地安装于电路基板。
这里，本发明的安装方法和安装装置不限于以上所说明的方式，在本发明的范围内，可以为其他方式。例如在上述说明中，第1转移工序和第3转移工序在真空环境下实施，但也可以在大气中进行。
标号说明
1：半导体芯片；2：载体基板；3a：粘接膜；3b：粘接膜；4a：第1粘接片；4b：第2粘接片；5：转移层；6：电路基板；10：激光转移部；11：激光；12：激光照射部；13：转移基板保持部；14：被转移基板保持部；20：粘接片载置部；21：第1粘接片载置部；22：第2粘接片载置部；23：加热器；30：安装部；31：载置台；32：头；33：双视野光学***；34：加热器；35：加热器；40：机器人手臂；100：安装装置。

Claims (6)

1.一种安装方法，将第1面被保持于载体基板上的切割后的半导体芯片安装于电路基板，其特征在于，
该安装方法依次执行如下的工序：
第1转移工序，在所述半导体芯片的第2面侧准备第1粘接片，使激光透过所述载体基板而照射至所述半导体芯片的所述第1面，从而按照使所述半导体芯片从所述载体基板剥离而粘贴于所述第1粘接片上的方式使所述半导体芯片转移至所述第1粘接片，其中，所述第2面是与所述第1面相反的一侧的面；
第2转移工序，在所述半导体芯片的所述第1面侧准备第2粘接片，使激光透过所述第1粘接片而照射至所述半导体芯片的所述第2面，从而按照使所述半导体芯片从所述第1粘接片剥离而粘贴于所述第2粘接片上的方式使所述半导体芯片转移至所述第2粘接片；以及
安装工序，由头对所述第2粘接片的未转移有所述半导体芯片的这一侧的面进行保持，借助该头将所述半导体芯片与所述电路基板热压接，从而将所述半导体芯片安装于所述电路基板。
2.根据权利要求1所述的安装方法，其特征在于，
该安装方法在所述第1转移工序与所述第2转移工序之间具有使所述第1粘接片的粘接力降低的粘接力降低工序。
3.根据权利要求2所述的安装方法，其特征在于，
所述粘接力降低工序通过对所述第1粘接片和所述半导体芯片进行加热而使粘接力降低。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的安装方法，其特征在于，
所述头的与所述第2粘接片接触的面的热膨胀系数、所述第2粘接片的材料以及所述电路基板的供所述半导体芯片安装的面的热膨胀系数等同，在所述安装工序中，进行温度控制以使所述第2粘接片的温度与所述电路基板的供所述半导体芯片转移的面的温度始终相等。
5.根据权利要求4所述的安装方法，其特征在于，
所述头的与所述第2粘接片接触的面的材料、所述第2粘接片的材料以及所述电路基板的供所述半导体芯片安装的面的材料相同。
6.一种安装装置，其将第1面被保持于载体基板上的切割后的半导体芯片安装于载置台所载置的电路基板，其特征在于，
该安装装置具有：
第1粘接片保持部，其对第1粘接片进行保持，该第1粘接片供所述半导体芯片的第2面粘贴，该第2面是与所述第1面相反的一侧的面；
第2粘接片保持部，其对第2粘接片进行保持，该第2粘接片接受所述半导体芯片的所述第1面；
激光照射部，其照射激光；以及
头，其对保持有所述半导体芯片的所述第2粘接片进行保持，并能够将所述半导体芯片相对于载置台所载置的所述电路基板进行加压和加热。
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