CN111509008B - 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置 - Google Patents

阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111509008B
CN111509008B CN202010311566.1A CN202010311566A CN111509008B CN 111509008 B CN111509008 B CN 111509008B CN 202010311566 A CN202010311566 A CN 202010311566A CN 111509008 B CN111509008 B CN 111509008B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
substrate
conductive
electrode
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010311566.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111509008A (zh
Inventor
唐亮
刘亮亮
彭利满
吴岩
白妮妮
陈强
刘旭
景国栋
张倩倩
薛智勇
郭强
徐国芳
李子华
王强
张瑞卿
***
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202010311566.1A priority Critical patent/CN111509008B/zh
Publication of CN111509008A publication Critical patent/CN111509008A/zh
Priority to PCT/CN2021/079818 priority patent/WO2021213041A1/zh
Priority to US17/771,756 priority patent/US20220416007A1/en
Application granted granted Critical
Publication of CN111509008B publication Critical patent/CN111509008B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本公开提供了一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置，属于显示设备领域。该方法包括：提供具有导电图案层的衬底基板，所述衬底基板具有显示区和位于所述显示区周围的周边区，所述导电图案层包括位于所述周边区的多根导电线；在所述导电图案层上形成电极材料膜层；在所述电极材料膜层上形成掩膜层，所述掩膜层包括位于所述显示区的多个电极层图案和位于所述导电线上方的保护图案；刻蚀所述电极材料膜层，并去除所述掩膜层。在多个电极层图案的作用下可以刻蚀出多个电极，在保护图案的作用下，可以避免导电线上被保护图案遮挡的区域受到刻蚀溶液的腐蚀。

Description

阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置
技术领域
本公开涉及显示设备领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，有机发光显示器(Organic Light Emitting Diode，OLED)成为市场的主流。有机发光显示器通常包括设置有多个薄膜晶体管的阵列基板、盖板以及设置在阵列基板和盖板之间的OLED发光单元。
发明内容
本公开实施例提供了一种阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置。
所述技术方案如下：
第一方面，本公开实施例提供了一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：
提供具有导电图案层的衬底基板，所述衬底基板具有显示区和位于所述显示区周围的周边区，所述导电图案层包括位于所述周边区的多个导电结构，所述导电结构具有与所述衬底基板接触的第一表面、远离所述衬底基板的第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的侧面；
在所述导电图案层上形成电极材料膜层；
在所述电极材料膜层上形成掩膜层，所述掩膜层包括位于所述显示区的多个电极层图案和位于所述导电结构上方的保护图案，所述保护图案至少覆盖所述侧面的一部分；
刻蚀所述电极材料膜层，并去除所述掩膜层。
可选地，所述提供具有导电图案层的衬底基板，包括：
提供一衬底基板，
在所述衬底基板上形成金属层；
图案化所述金属层，得到所述导电图案层，所述导电图案层还包括位于所述显示区的多个源电极和多个漏电极。
可选地，所述刻蚀所述电极材料膜层，包括：
采用刻蚀液刻蚀所述电极材料膜层，在所述显示区形成多个电极，所述导电图案层包括沿远离所述衬底基板的方向依次叠置的第一材料层、第二材料层和第三材料层，所述第一材料层的材料为Ti，所述第二材料层的材料为Al，所述第三材料层的材料为Ti。
第二方面，本公开实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板、沿远离所述衬底基板的方向依次设置于所述衬底基板上的导电图案层和电极图案层，所述衬底基板具有显示区和位于所述显示区周围的周边区，所述导电图案层包括位于所述周边区的多个导电结构，所述电极图案层包括位于所述显示区的多个电极和位于所述导电结构上的保护结构。
可选地，所述导电结构具有与所述衬底基板接触的第一表面、远离所述衬底基板的第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的侧面，所述保护结构至少覆盖所述侧面的一部分。
可选地，所述电极图案层上具有掩膜层，所述掩膜层包括位于所述电极上的电极层图案和位于所述保护结构上的保护图案。
可选地，所述保护图案在所述衬底基板上的正投影与所述保护结构在所述衬底基板上的正投影重叠。
可选地，所述导电结构远离所述衬底基板的表面为凹面。
可选地，所述导电图案层包括沿远离所述衬底基板的方向依次叠置的第一材料层、第二材料层和第三材料层，所述第一材料层的材料为Ti，所述第二材料层的材料为Al，所述第三材料层的材料为Ti。
可选地，所述导电图案层还包括位于所述显示区的多个源电极和多个漏电极，所述多个源电极与所述多个电极连接，或者所述多个漏电极与所述多个电极连接。
可选地，所述阵列基板还包括至少部分位于所述周边区的多根信号线，所述导电结构位于所述信号线上并与所述信号线接触，所述信号线包括数据线、栅线、电源线中的至少一种。
可选地，所述阵列基板还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述多根信号线上，所述绝缘层上具有露出所述信号线的开口，所述开口沿所述导电结构延伸的方向延伸，所述导电结构通过所述开口与所述信号线连接。
第三方面，本公开实施例还提供了一种显示面板，该显示面板包括如第二方面所述的阵列基板。
第四方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括如第三方面所述的显示面板。
本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
通过在形成有导电图案层的衬底基板上形成电极材料膜层，然后在电极材料膜层上形成掩膜层，再刻蚀电极材料膜层，由于位于周边区的导电图案层包括多个导电结构，掩膜层包括位于显示区的多个电极层图案和位于导电结构上方的保护图案，在多个电极层图案的作用下可以刻蚀出多个电极，保护图案至少覆盖导电结构的侧面的一部分，在保护图案的作用下，可以避免导电结构的侧面上被保护图案遮挡的区域受到刻蚀溶液的腐蚀。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是相关技术中的一种阵列基板的俯视图；
图2是图1中的A-A截面图；
图3是本公开实施例提供的一种阵列基板的制造方法流程图；
图4是本公开实施例提供的形成有导电图案层的衬底基板的局部结构示意图；
图5是本公开实施例提供的形成有电极材料膜层的衬底基板的结构示意图；
图6是本公开实施例提供的形成有掩膜层的衬底基板的结构示意图；
图7是本公开实施例提供的一种阵列基板的局部截面图；
图8是本公开实施例提供的刻蚀电极材料膜层后的衬底基板的结构示意图；
图9是本公开实施例提供的一种阵列基板的制造方法流程图；
图10是本公开实施例提供的形成有信号线层的衬底基板的结构示意图；
图11是本公开实施例提供的形成有绝缘层的衬底基板的结构示意图；
图12是本公开实施例提供的形成有导电图案层的衬底基板的结构示意图；
图13是本公开实施例提供的一种阵列基板在显示区的局部截面图；
图14是本公开实施例提供的形成有平坦化层的衬底基板的结构示意图；
图15是本公开实施例提供的形成有电极材料膜层的衬底基板的结构示意图；
图16是本公开实施例提供的形成有保护图案的衬底基板的结构示意图；
图17是本公开实施例提供的去除掩膜层后的衬底基板的结构示意图；
图18是本公开实施例提供的一种形成有掩膜层的衬底基板的示意图；
图19是本公开实施例提供的去除掩膜层后的衬底基板的结构示意图；
图20是本公开实施例提供的一种阵列基板的局部结构示意图；
图21是本公开实施例提供的一种阵列基板在周边区的局部截面图；
图22是本公开实施例提供的一种阵列基板在周边区的局部截面图；
图23是本公开实施例提供的一种阵列基板在显示区的局部截面图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
图1是相关技术中的一种阵列基板的俯视图。如图1所示，阵列基板包括衬底基板1，衬底基板1具有显示区11和位于显示区11周围的周边区12。显示区11对应显示面板上用于显示画面的区域，在制作显示面板时，显示区11用于设置发光单元，周边区12对应显示区以外的区域。在显示区11通常设置有驱动电路，驱动电路包括多根信号线13，其中部分信号线13从显示区11延伸至周边区12。延伸至周边区12的信号线13可以用来连接柔性电路板。由于信号线13通常较细，电阻较大，不利于柔性电路板与驱动电路之间电信号的传输，因此通常会在周边区12，设置接触并覆盖信号线13的导电结构，通过导电结构与柔性电路板连接。
导电结构通常是导电线。图2是图1中的A-A截面图。如图2所示，信号线13上覆盖有导电线14，导电线14具有与衬底基板1接触的第一表面14a、远离衬底基板1的第二表面14b以及连接第一表面14a和第二表面14b的侧面14c。这里与衬底基板1接触的第一表面14a可以是指第一表面14a与衬底基板1直接接触，也可以是间接接触，即第一表面14a与衬底基板1之间也可以有其他层级结构。作为示意，图2中侧面14c与衬底基板1垂直，但侧面14c与衬底基板1也可以不垂直。为了方便导电线14与柔性电路板连接，该导电线14通常是裸露的，因此容易在制作阵列基板的过程中受到腐蚀，从而产生不良影响。例如，导电线的至少部分区域是容易被刻蚀阳极的刻蚀液所腐蚀的材料。如图2中所示，后续制作OLED的阳极，采用刻蚀液进行刻蚀后，导电线14的侧面受到了较严重的腐蚀。这会对阵列基板造成不良影响，以图2中的腐蚀形式为例，在后续经过高压水清洗后，图示中的区域B可能会翘起，影响导电线14与柔性电路板的连接，并且该区域也有可能发生断裂并脱落，脱落后的碎片还有可能会造成阵列基板的短路，例如碎片掉落到显示区11，有可能会将OLED的阳极短路。
图3是本公开实施例提供的一种阵列基板的制造方法流程图。如图3所示，该方法包括：
在步骤S11中，提供具有导电图案层的衬底基板。
衬底基板具有显示区和位于显示区周围的周边区，导电图案层包括位于周边区的多个导电结构，导电结构具有与衬底基板接触的第一表面、远离衬底基板的第二表面以及连接第一表面和第二表面的侧面。本公开以导电结构为导电线为例进行说明，图4是本公开实施例提供的形成有导电图案层的衬底基板的局部结构示意图。如图4所示，导电图案层21包括位于周边区12的多根导电线214。
在步骤S12中，在导电图案层上形成电极材料膜层。
图5是本公开实施例提供的形成有电极材料膜层的衬底基板的结构示意图。如图5所示，在导电图案层21上形成有电极材料膜层30。电极材料膜层30可以是银。
在步骤S13中，在电极材料膜层上形成掩膜层。
图6是本公开实施例提供的形成有掩膜层的衬底基板的结构示意图。如图6所示，掩膜层40包括位于显示区11的多个电极层图案(未示出)和位于导电线214上方的保护图案41，保护图案41至少覆盖导电结构的侧面的一部分。如图7所示，导电线214上覆盖有保护图案41。可以每根导电线214上均对应设置一个保护图案41，也可以只在部分导电线214上对应设置保护图案41，不同导电线214上的保护图案41彼此间隔，以确保导电线214之间绝缘。保护图案41用于保护导电线214。
在步骤S14中，刻蚀电极材料膜层，并去除掩膜层。
图8是本公开实施例提供的刻蚀电极材料膜层后的衬底基板的结构示意图。对比图8和图2，图8中导电线214的侧面未受到腐蚀。保护图案41虽然是位于电极材料膜层上而不是与导电线214直接接触，但保护图案41所保护的是导电线214。
通过在形成有导电图案层的衬底基板上形成电极材料膜层，然后在电极材料膜层上形成掩膜层，再刻蚀电极材料膜层，由于位于周边区的导电图案层包括多个导电结构，掩膜层包括位于显示区的多个电极层图案和位于导电结构上方的保护图案，在多个电极层图案的作用下可以刻蚀出多个电极，保护图案至少覆盖导电结构的侧面的一部分，在保护图案的作用下，可以避免导电结构的侧面上被保护图案遮挡的区域受到刻蚀溶液的腐蚀。
图9是本公开实施例提供的一种阵列基板的制造方法流程图。如图9所示，该方法包括：
在步骤S21中，提供一衬底基板。
衬底基板具有显示区和位于显示区周围的周边区。其中显示区用于在后续工艺中布置OLED发光单元。
该衬底基板可以为玻璃基板、石英基板以及塑料基板等。
在步骤S22中，在衬底基板上形成信号线层。
图10是本公开实施例提供的形成有信号线层的衬底基板的结构示意图。如图10所示，信号线层10可以包括多根信号线113，其中多根信号线113可以至少部分位于周边区12。部分信号线113可以位于显示区11和周边区12，即部分信号线113可以从显示区11延伸至周边区12。信号线113可以包括数据线、栅线、电源线中的至少一种。
以信号线113为栅线为例，栅线从显示区11延伸到周边区12，方便将栅线与柔性电路板进行连接，这样在将阵列基板制作为显示面板后，柔性电路板可以通过栅线向显示面板传输扫描信号。
在步骤S23中，在信号线层上形成绝缘层。
绝缘层覆盖在信号线层上，绝缘层可以提供必要的绝缘作用，并为后续结构的制作提供基础。
图11是本公开实施例提供的形成有绝缘层的衬底基板的结构示意图，如图11所示，在周边区12，绝缘层50上具有露出信号线113的开口50a。开口50a沿导电线214延伸。在周边区12，通过将绝缘层50位于信号线113上方的部分去除，使得信号线113外露，方便信号线113与后续制作的导电线214接触。
在步骤S24中，在衬底基板上形成导电图案层。
图12是本公开实施例提供的形成有导电图案层的衬底基板的结构示意图。导电图案层21可以包括位于周边区12的多根导电线214。如图12所示，在周边区12，导电线214位于开口50a中，导电线214通过开口50a与信号线113连接，导电线214接触并覆盖信号线113，导电线214可以用来连接柔性电路板。
可选地，导电图案层的材料可以为Ti/Al/Ti。即导电图案层可以包括沿远离衬底基板1的方向依次叠置的第一材料层、第二材料层和第三材料层，第一材料层的材料可以为Ti，第二材料层的材料可以为Al，第三材料层的材料可以为Ti。Al具有较好的导电性，Ti具有较好的抗腐蚀性，采用Ti/Al/Ti的叠加结构，可以利用Ti为Al提供保护，有利于降低生产过程中Al受到的腐蚀。
图13是本公开实施例提供的一种阵列基板在显示区的局部截面图。如图13所示，导电图案层21还可以包括位于显示区11的多个源电极215和多个漏电极216。显示区11还可以阵列分布有TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)60，TFT60可以用来控制在后续工艺中制作的OLED发光单元发光，通过制作导电图案层21，在显示区11形成TFT60的源电极215和漏电极216，源电极215和漏电极216中的一种可以用来与后续制作的OLED发光单元的电极进行连接，例如漏电极216可以用于与OLED发光单元的阳极连接。
通过将导电线214、源电极215和漏电极216设置在同一层，只需要采用一次构图工艺就可以制成，有利于节省工艺，提高生产效率。
导电图案层可以采用如下方式制造：
在衬底基板上形成金属层。
图案化金属层，得到导电图案层。
在步骤S25中，在导电图案层上形成平坦化层。
图14是本公开实施例提供的形成有平坦化层的衬底基板的结构示意图。平坦化层可以在显示区11提供平整的表面，利于后续制作OLED发光单元。如图14所示，平坦化层70上可以具有过孔70a，以使OLED发光单元的电极能够与源电极215或漏电极216相连。平坦化层70位于周边区12的部分被去除，以保证导电线214暴露在外。
在步骤S26中，在衬底基板上形成电极材料膜层。
电极材料膜层可以用于制作OLED发光单元的电极。本公开以制作OLED发光单元的阳极为例。
在步骤S26中形成的电极材料膜层可以覆盖显示区和周边区。图15是本公开实施例提供的形成有电极材料膜层的衬底基板的结构示意图。如图15所示，电极材料膜层30覆盖了导电线214。
在步骤S27中，在电极材料膜层上形成掩膜层。
掩膜层可以包括位于显示区的多个电极层图案和位于导电线上方的多个保护图案，保护图案可以与导电线一一对应，也可以只在部分导电线上设置保护图案。
电极层图案用于在显示区制作OLED发光单元的电极，保护图案用于在刻蚀电极材料膜层时对导电线提供保护。
在周边区形成有多个保护图案，保护图案至少覆盖导电线的侧面的一部分。图16是本公开实施例提供的形成有保护图案的衬底基板的结构示意图。如图16所示，保护图案41可以覆盖导电线214的侧面。
保护图案41可以包括侧面保护块411，导电线214的侧面在衬底基板1上的正投影位于侧面保护块411在衬底基板1上的正投影内。即侧面保护块411覆盖电极材料膜层30上位于导电线214的侧面的区域。这样在刻蚀电极材料膜层30时，由于侧面保护块411的存在，因此电极材料膜层30上被侧面保护块411所覆盖的区域不会被刻蚀，刻蚀液也就无法接触到导电线214的侧面，从而不会对导电线214的侧面造成腐蚀。对于Ti/Al/Ti材料的导电线214，侧面暴露出来的Al比较容易受到腐蚀，通过侧面保护块411对导电线214的侧面提供保护，这样就能够很好的避免导电线214受到腐蚀。
掩膜层40可以通过如下方式形成：
在电极材料膜层30上形成光刻胶层。
图案化光刻胶层形成掩膜层40。
由于相关技术中在制作OLED发光单元的电极时，也需要设置掩膜层，该掩膜层仅包括位于显示区的电极层图案，而在步骤S27中，仅仅只是改变了掩膜层，通过一次图案化，在显示区形成电极层图案，在周边区形成保护图案，因此没有增加新的工艺步骤，操作简单，对生产成本造成的影响小。
在步骤S28中，刻蚀电极材料膜层，并去除掩膜层。
可以采用酸性刻蚀液刻蚀电极材料膜层。
图17是本公开实施例提供的去除掩膜层后的衬底基板的结构示意图。如图17所示，在完成电极材料膜层30的刻蚀，去除掩膜层40后，电极材料膜层30上被侧面保护块411覆盖的区域会残留在导电线214上，由于电极材料膜层30为导电结构，因此残留在导电线214上的电极材料膜层30也不会影响导电线214与柔性电路板的导通。
保护图案的具体结构可以根据导电线上需要保护的区域进行设置。例如在图17中，为了对导电线214的侧面提供保护，因此保护图案41覆盖导电线214的侧面。图18是本公开实施例提供的一种形成有掩膜层的衬底基板的示意图。如图18所示，为了对导电线214的侧面、远离衬底基板1的表面提供保护，保护图案41可以覆盖导电线214的侧面和远离衬底基板1的表面。
保护图案41可以包括表面保护块412，导电线214在衬底基板1上的正投影位于表面保护块412在衬底基板1上的正投影内，即表面保护块412覆盖电极材料膜层30上位于导电线214的侧面和远离衬底基板1的表面的区域。这样在刻蚀电极材料膜层30的过程中，导电线214的侧面、远离衬底基板1的表面均不会与刻蚀液接触。
图19是本公开实施例提供的去除掩膜层后的衬底基板的结构示意图。如图19所示，在完成电极材料膜层30的刻蚀，去除掩膜层40后，电极材料膜层30上被表面保护块412覆盖的区域会残留在导电线214上，由于电极材料膜层30为导电结构，因此残留在导电线214上的电极材料膜层30也不会影响导电线214与柔性电路板的导通，并且由于残留的电极材料膜层30与导电线214的侧面、远离衬底基板1的表面均接触，接触面积更大，因此更不容易脱落，降低了残留的电极材料膜层30脱落引发不良影响的风险。
图20是本公开实施例提供的一种阵列基板的局部结构示意图，该阵列基板采用图3或图9所示的方法制造。如图20所示，该阵列基板包括衬底基板1、沿远离衬底基板1的方向依次设置于衬底基板1上的导电图案层21和电极图案层，衬底基板1具有显示区11和位于显示区11周围的周边区12，导电图案层21包括位于周边区12的多个导电结构，电极图案层包括位于显示区11的多个电极81和位于导电结构上的保护结构82。
导电结构可以是导电线214。本公开以导电结构为导电线214为例进行说明，保护结构82可以与导电线214一一对应，保护结构82位于相应的导电线214上，也可以只有部分导电线214上设置有保护结构82。保护结构82可以至少覆盖导电线214的侧面的一部分。图20中示例性地示出了6个电极81。保护结构82是采用图3或图9所示所示的方法制造显示面板时，由于保护图案的作用而残留在导电线上电极材料膜层。电极材料膜层可以是银。通过在形成有导电图案层的衬底基板上形成电极材料膜层，然后在电极材料膜层上形成掩膜层，再刻蚀电极材料膜层，由于位于周边区的导电图案层包括多根导电线，掩膜层包括位于显示区的多个电极层图案和位于导电线上方的保护图案，在多个电极层图案的作用下可以刻蚀出多个电极，在保护图案的作用下，可以避免导电线上被保护图案遮挡的区域受到刻蚀溶液的腐蚀。
电极图案层上可以具有掩膜层，掩膜层40可以包括位于电极81上的电极层图案和位于保护结构82上的保护图案41。
示例性地，掩膜层40可以是光刻胶层。
电极层图案可以与电极81一一对应，保护图案41可以与保护结构82一一对应，也可以只有部分保护结构82上具有保护图案41。
保护图案在衬底基板上的正投影可以与保护结构在衬底基板上的正投影重叠。图21是本公开实施例提供的一种阵列基板在周边区的局部截面图，如图21所示，保护结构82可以包括第一导电层821，导电线214的侧面在衬底基板1上的正投影位于第一导电层821在衬底基板1上的正投影内，即保护结构82可以包括覆盖导电线214的侧面的第一导电层821。在保护图案41包括侧面保护块411时，侧面保护块411覆盖电极材料膜层上位于导电线214的侧面的区域。这样在刻蚀电极材料膜层时，由于侧面保护块411的存在，因此电极材料膜层上被侧面保护块411所覆盖的区域不会被刻蚀，刻蚀液也就无法接触到导电线214的侧面，从而不会对导电线214的侧面造成腐蚀。刻蚀电极材料膜层后，在侧面保护块411的作用下，会形成覆盖导电线214的侧面的第一导电层821。
如图21所示，导电线214远离衬底基板1的表面可以为凹面。导电线214用于与柔性电路板进行连接，将导电线214远离衬底基板1的表面设置为凹面，可以有利于增大导电线214与柔性电路板的接触面积，使两者连接更牢固，并且还有利于降低电阻。
可选地，导电线214的材料可以为Ti/Al/Ti。即导电线214包括沿远离衬底基板1的方向依次叠置的第一材料层、第二材料层和第三材料层，第一材料层的材料可以为Ti，第二材料层的材料可以为Al，第三材料层的材料可以为Ti。Al具有较好的导电性，Ti具有较好的抗腐蚀性，采用Ti/Al/Ti的叠加结构，可以利用Ti为Al提供保护，有利于降低生产过程中Al受到的腐蚀。
图22是本公开实施例提供的一种阵列基板在周边区的局部截面图，该阵列基板也是采用图3或图9所示的方法制造。如图22所示，该阵列基板中，保护结构82可以包括第二导电层822，导电线214在衬底基板1上的正投影位于第二导电层822在衬底基板1上的正投影内，即第二导电层822覆盖导电线214的侧面和远离衬底基板1的表面的第二导电层822。在保护图案41包括表面保护块412时，表面保护块412覆盖电极材料膜层上位于导电线214的侧面和远离衬底基板1的表面的区域。这样在刻蚀电极材料膜层时，由于表面保护块412的存在，因此电极材料膜层上被表面保护块412所覆盖的区域不会被刻蚀，刻蚀液也就无法接触到导电线214的侧面和远离衬底基板1的表面，从而不会对导电线214造成腐蚀。刻蚀电极材料膜层后，在表面保护块412的作用下，会形成覆盖导电线214的侧面和远离衬底基板1的表面的第二导电层822。并且由于第二导电层822与导电线214的侧面、远离衬底基板1的表面均接触，接触面积更大，因此更不容易脱落，降低了第二导电层822脱落引发不良影响的风险。
参照图20所示，阵列基板还可以包括至少部分位于周边区12的多根信号线113，导电线214位于信号线113上并与信号线113接触。
阵列基板上可以有信号线层10，信号线层10位于衬底基板1上，信号线层10可以包括多根信号线113，部分信号线113可以从显示区11延伸至周边区12。如图21所示，导电图案层21位于信号线层10上，在周边区12，导电线214接触并覆盖信号线113。信号线113可以包括数据线、栅线、电源线中的至少一种。以信号线113为栅线为例，栅线从显示区11延伸到周边区12，方便将栅线与柔性电路板进行连接，这样在将阵列基板制作为显示面板后，柔性电路板可以通过栅线向显示面板传输扫描信号。
如图21所示，阵列基板还可以包括绝缘层50，绝缘层50位于信号线层10上。在周边区12，绝缘层50上具有露出信号线113的开口50a，开口50a沿导电线214延伸的方向延伸，导电线214位于开口50a中，导电线214通过开口50a与信号线113连接。通过开口50a使信号线113外露，使得导电线214能够与信号线113接触。
图23是本公开实施例提供的一种阵列基板在显示区的局部截面图，如图23所示，导电图案层21还可以包括位于显示区11的多个源电极215和多个漏电极216，多个漏电极216与多个电极81连接。通过漏电极216可以为OLED发光单元的电极81提供电信号，使OLED发光单元发光。通过将导电线214、源电极215和漏电极216设置在同一层，只需要采用一次构图工艺就可以制成，有利于节省工艺，提高生产效率。
在其他可能的实现方式中，也可以将多个源电极215与多个电极连接，即源电极215和漏电极216中的一种可以与电极81连接。
如图23所示，该阵列基板还可以包括位于电极81上的像素界定层91、有机材料功能层92、电极93，若电极81为阳极，则电极93可以是阴极，若电极81为阴极，则电极93可以是阳极。电极93上还可以设置有钝化层94和封装层95。
本公开实施例还提供了一种显示面板，该显示面板可以包括如图20～23所示的阵列基板。
本公开实施例还提供了一种显示装置，该显示装置可以包括前述的显示面板。示例性地，该显示装置可以是手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述仅为本公开的可选实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供具有绝缘层、多根信号线、导电图案层的衬底基板，所述衬底基板具有显示区和位于所述显示区周围的周边区，至少部分所述信号线从所述显示区延伸至所述周边区，所述绝缘层位于所述多根信号线上，所述绝缘层上具有露出所述信号线的开口，所述开口的宽度小于所述信号线的宽度，所述导电图案层包括位于所述周边区的多个导电结构，所述导电结构具有靠近所述衬底基板的第一表面、远离所述衬底基板的第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的侧面，所述导电结构的第一表面通过所述开口与所述信号线连接，且所述导电结构的第一表面至少部分位于所述开口外，所述第二表面为凹面；
在所述导电图案层上形成电极材料膜层；
在所述电极材料膜层上形成掩膜层，所述掩膜层包括位于所述显示区的多个电极层图案和位于所述导电结构上方的保护图案，所述保护图案覆盖所述第二表面和所述侧面；
刻蚀所述电极材料膜层，并去除所述掩膜层，形成电极图案层，所述电极图案层包括位于所述显示区的多个电极和位于所述导电结构上的保护结构，所述保护结构远离所述导电结构的表面为凹面，且所述保护结构的凹陷区域位于所述第二表面的凹陷区域中。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述提供具有导电图案层的衬底基板，包括：
提供一衬底基板，
在所述衬底基板上形成金属层；
图案化所述金属层，得到所述导电图案层，所述导电图案层还包括位于所述显示区的多个源电极和多个漏电极。
3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述刻蚀所述电极材料膜层，包括：
采用刻蚀液刻蚀所述电极材料膜层，在所述显示区形成多个电极，所述导电图案层包括沿远离所述衬底基板的方向依次叠置的第一材料层、第二材料层和第三材料层，所述第一材料层的材料为Ti，所述第二材料层的材料为Al，所述第三材料层的材料为Ti。
4.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、绝缘层、多根信号线、沿远离所述衬底基板的方向依次设置于所述衬底基板上的导电图案层和电极图案层，所述衬底基板具有显示区和位于所述显示区周围的周边区，至少部分所述信号线从所述显示区延伸至所述周边区，所述绝缘层位于所述多根信号线上，所述绝缘层上具有露出所述信号线的开口，所述开口的宽度小于所述信号线的宽度；
所述导电图案层包括位于所述周边区的多个导电结构，所述导电结构具有靠近所述衬底基板的第一表面、远离所述衬底基板的第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的侧面，所述导电结构的第一表面通过所述开口与所述信号线连接，且所述导电结构的第一表面至少部分位于所述开口外，所述第二表面为凹面，所述电极图案层包括位于所述显示区的多个电极和位于所述导电结构上的保护结构，所述保护结构覆盖所述第二表面和所述侧面，所述保护结构远离所述导电结构的表面为凹面，且所述保护结构的凹陷区域位于所述第二表面的凹陷区域中。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述电极图案层上具有掩膜层，所述掩膜层包括位于所述电极上的电极层图案和位于所述保护结构上的保护图案。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述保护图案在所述衬底基板上的正投影与所述保护结构在所述衬底基板上的正投影重叠。
7.根据权利要求4～6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述导电图案层包括沿远离所述衬底基板的方向依次叠置的第一材料层、第二材料层和第三材料层，所述第一材料层的材料为Ti，所述第二材料层的材料为Al，所述第三材料层的材料为Ti。
8.根据权利要求4～6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述导电图案层还包括位于所述显示区的多个源电极和多个漏电极，所述多个源电极与所述多个电极连接，或者所述多个漏电极与所述多个电极连接。
9.根据权利要求4～6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述信号线包括数据线、栅线、电源线中的至少一种。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求4～9任一项所述的阵列基板。
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的显示面板。
CN202010311566.1A 2020-04-20 2020-04-20 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置 Active CN111509008B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010311566.1A CN111509008B (zh) 2020-04-20 2020-04-20 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置
PCT/CN2021/079818 WO2021213041A1 (zh) 2020-04-20 2021-03-09 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置
US17/771,756 US20220416007A1 (en) 2020-04-20 2021-03-09 Array substrate, method for manufacturing same, display panel, and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010311566.1A CN111509008B (zh) 2020-04-20 2020-04-20 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111509008A CN111509008A (zh) 2020-08-07
CN111509008B true CN111509008B (zh) 2023-12-12

Family

ID=71875095

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010311566.1A Active CN111509008B (zh) 2020-04-20 2020-04-20 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220416007A1 (zh)
CN (1) CN111509008B (zh)
WO (1) WO2021213041A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111509008B (zh) * 2020-04-20 2023-12-12 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置
CN112071211B (zh) * 2020-09-21 2023-09-26 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板、及其制备方法、显示装置
CN113809270B (zh) * 2021-10-22 2023-09-12 昆山国显光电有限公司 显示面板及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103579008A (zh) * 2012-07-26 2014-02-12 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种焊盘结构及其制备方法
CN105384140A (zh) * 2014-08-31 2016-03-09 天工方案公司 电子装置中改进的堆叠结构
CN107167970A (zh) * 2017-06-01 2017-09-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种显示基板及显示设备
CN109449182A (zh) * 2018-10-30 2019-03-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
CN109491159A (zh) * 2018-11-21 2019-03-19 厦门天马微电子有限公司 阵列基板和显示面板

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4497601B2 (ja) * 1999-11-01 2010-07-07 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP4528035B2 (ja) * 2004-06-18 2010-08-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
CN111211137B (zh) * 2020-01-13 2022-12-27 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
CN111509008B (zh) * 2020-04-20 2023-12-12 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103579008A (zh) * 2012-07-26 2014-02-12 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种焊盘结构及其制备方法
CN105384140A (zh) * 2014-08-31 2016-03-09 天工方案公司 电子装置中改进的堆叠结构
CN107167970A (zh) * 2017-06-01 2017-09-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种显示基板及显示设备
CN109449182A (zh) * 2018-10-30 2019-03-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
CN109491159A (zh) * 2018-11-21 2019-03-19 厦门天马微电子有限公司 阵列基板和显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
US20220416007A1 (en) 2022-12-29
CN111509008A (zh) 2020-08-07
WO2021213041A1 (zh) 2021-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110649043B (zh) 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法
CN108447872B (zh) 阵列基板及其制作方法和显示装置
CN111509008B (zh) 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置
CN105161505B (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
US9966393B2 (en) Array substrate and method of fabricating the same
US10444579B2 (en) Display substrate and manufacturing method thereof, and display device
CN106847774B (zh) 一种显示面板及显示面板的制备方法
CN110112205B (zh) 显示基板及其制造方法、有机发光二极管显示装置
JP2005242372A (ja) 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
CN109742114B (zh) 显示背板制作方法及显示背板、显示装置
JP6521534B2 (ja) 薄膜トランジスタとその作製方法、アレイ基板及び表示装置
CN113937236B (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN111427206B (zh) 阵列基板及显示装置
CN109037233B (zh) 阵列基板及其制作方法和显示装置
US20230171987A9 (en) Flexible display module, method for manufacturing the same, and flexible display device
CN110459505B (zh) 过孔连接结构及阵列基板的制造方法、阵列基板
CN101488479B (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN107579040B (zh) 一种掩膜版、阵列基板及其制作方法
US9230995B2 (en) Array substrate, manufacturing method thereof and display device
KR20120043404A (ko) 표시장치 및 이의 제조방법
CN110148618B (zh) 一种显示基板及其制作方法、显示装置
KR100669715B1 (ko) 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
CN107706196B (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN113193012A (zh) 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN114503274A (zh) 显示基板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant