CN107230694A - 有机发光显示设备 - Google Patents

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Abstract

公开了有机发光显示设备，有机发光显示设备包括：衬底，具有显示区域和位于显示区域外部的***区域；第一绝缘层，在整个显示区域和***区域中设置在衬底上方，第一绝缘层包括布置在***区域中的第一开口；第一电极，在显示区域中设置在第一绝缘层上方；像素限定膜，设置在第一绝缘层上方，像素限定膜包括暴露第一电极的一部分的第二开口和形成在第一开口的位置处以形成公共开口的第三开口；中间层，设置在第一电极上方；以及第二电极，覆盖中间层、像素限定膜、第三开口的至少一部分和第一开口的至少一部分。

Description

有机发光显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年3月24日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0035547号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文。
技术领域
所描述的技术涉及有机发光显示设备。
背景技术
有机发光显示(OLED)设备为自发光型显示设备。OLED设备包括多个有机发光器件。多个有机发光器件中的每个包括空穴注入电极、电子注入电极和布置在它们之间的有机发射层。从空穴注入电极注入的空穴在有机发射层中与从电子注入电极注入的电子复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态，从而生成光。
作为自发光型显示设备的OLED设备不需要单独的光源。因此，OLED设备可以以低电压驱动，并且可被制造成具有轻的重量和薄的外形。此外，OLED设备具有宽视角、高对比度和短的响应时间。相应地，OLED设备广泛应用于多种领域，例如，诸如MP3播放器或移动电话的个人便携式电子装置、电视机等。如可折叠或可卷曲OLED设备的柔性OLED设备也已经应用于多种领域。
然而，从外部引入的或在OLED设备中所包括的有机材料等中生成的杂质(例如，气体或水分)可能在制造过程期间或使用期间渗透OLED设备并导致图像品质的劣化。
发明内容
本发明的一个或多个实施方式包括能够防止或减轻图像品质的劣化的有机发光显示设备。
本发明示例性实施方式提供有机发光显示设备。有机发光显示设备包括衬底、第一绝缘层、第一电极、像素限定膜、中间层和第二电极。衬底包括显示区域和***区域。第一绝缘层设置在衬底上方。第一绝缘层包括布置在***区域中的第一开口。第一电极在显示区域中设置在第一绝缘层上方。像素限定膜设置在第一绝缘层上方。像素限定膜包括暴露第一电极的一部分的第二开口。像素限定膜还包括形成在第一开口的位置处以形成公共开口的第三开口。中间层设置在第一电极上方。第二电极覆盖中间层、像素限定膜、第三开口的至少一部分和第一开口的至少一部分。
有机发光显示设备还可包括导电层。导电层可在***区域中设置在第一绝缘层上方。导电层可覆盖第一开口。
像素限定膜可包括多个第四开口。多个第四开口可位于导电层的至少一部分上方。
第二电极可通过多个第四开口与导电层接触。
像素限定膜可通过多个第四开口划分成多个区域。
导电层可包括多个第五开口。多个第五开口可布置在第一开口周围。
第二电极可与布置在第一开口中的导电层直接接触。
第三开口的宽度可大于第一开口的宽度。
有机发光显示设备还可包括第二绝缘层。第二绝缘层可设置在第一绝缘层下方。第二绝缘层可包括无机材料。第一开口可延伸至第二绝缘层。
第二电极可完全覆盖第三开口和第一开口。
本发明示例性实施方式提供有机发光显示设备。有机发光显示设备包括衬底、第一绝缘层、第一电极、像素限定膜和第二电极。衬底包括显示区域和***区域。第一绝缘层设置在衬底上方。第一绝缘层包括布置在***区域中的第一开口。第一电极在显示区域中设置在第一绝缘层上方。像素限定膜设置在第一绝缘层上方。像素限定膜包括暴露第一电极的一部分的第二开口。像素限定膜还包括形成在第一开口的位置处以形成公共开口的第三开口。第二电极覆盖像素限定膜、第一电极、第三开口的至少一部分和第一开口的至少一部分。
第一绝缘层可通过第一开口划分成第一区域和第二区域。
像素限定膜可通过第三开口划分成至少两个区域。
第一开口可形成闭合环路。第二电极可覆盖第一开口。
第二电极的边缘可相对于显示区域位于第一开口外侧。在与显示区域的角落对应的区域中第二电极的边缘与第一开口之间的距离可小于在除了与显示区域的角落对应的区域以外的区域中第二电极的边缘与第一开口之间的距离。
闭合环路可包括在与显示区域的角落对应的区域中朝着显示区域凹陷的区域。
第二电极可包括在与显示区域的角落对应的区域中在远离显示区域的方向上突出的区域。
本发明示例性实施方式提供有机发光显示设备。有机发光显示设备包括衬底、第一绝缘层、第一电极、像素限定膜和第二电极。衬底包括显示区域和***区域。第一绝缘层包括下部和上表面。第一绝缘层包括布置在***区域中的第一开口。第一电极在显示区域中设置在第一绝缘层上方。像素限定膜设置在第一绝缘层的整体上方。像素限定膜包括暴露第一电极的中心部分的第二开口。像素限定膜还包括第三开口，其中第一开口布置在第三开口中。第二电极覆盖像素限定膜、第一电极、第三开口的至少一部分和第一开口的至少一部分。第一绝缘层的下部设置在衬底上方。公共开口延伸至第一绝缘层的下部。
有机发光显示设备还可包括覆盖层。覆盖层可设置在第二电极上方。覆盖层可覆盖第一开口。覆盖层可在第三开口中通过第二电极与像素限定膜分开。
第一绝缘层、像素限定膜和覆盖层中的每个可包括有机材料。
有机发光显示设备还可包括封装层。封装层可设置在覆盖层上方。封装层可包括至少一个无机层和至少一个有机层。
附图说明
通过结合附图对本发明实施方式进行的以下描述，这些和/或其它方面将变得显而易见和更容易理解，在附图中：
图1是示出根据本发明示例性实施方式的有机发光显示设备的示意性平面图；
图2是示出根据本发明示例性实施方式的图1的有机发光显示设备的示意性剖视图；
图3是示出根据比较例的有机发光显示设备的示意性剖视图；
图4是示出根据本发明示例性实施方式的有机发光显示设备的示意性平面图；
图5是示出根据本发明示例性实施方式的图4的有机发光显示设备的示意性剖视图；
图6是示出根据本发明示例性实施方式的有机发光显示设备的示意性平面图；
图7是示出根据本发明示例性实施方式的有机发光显示设备的示意性平面图；以及
图8是示出根据本发明示例性实施方式的有机发光显示设备的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将详细地参照本发明示例性实施方式，其中本发明示例性实施方式的示例被示出在附图中，在附图中相同的附图标记始终指示相同的元件。本发明实施方式可具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所阐述的描述。相应地，下面仅通过参照附图对本发明实施方式进行描述以解释本说明书的各方面。如本文所使用的，措辞“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。
在下文中，将参照附图对本发明实施方式进行详细描述。在整个附图和说明书中，相同的附图标记分配给相同的元件，并且其冗余描述可被省略。
为了解释的便利，附图中的元件的尺寸可能被放大。由于附图中的部件的尺寸和厚度为了解释的便利而被任意地示出，所以本发明的以下示例性实施方式不限于此。
图1是示出根据本发明示例性实施方式的有机发光显示设备1的示意性平面图。图2是示出根据本发明示例性实施方式的图1的有机发光显示设备1的示意性剖视图。
参照图1和图2，有机发光显示设备1可包括衬底110。衬底110可包括显示区域DA和***区域PA。***区域PA可位于显示区域DA外部。***区域PA可为非显示区域。衬底110可包括多种材料，诸如玻璃材料、金属材料、或塑料材料。根据本发明实施方式，衬底110可为柔性衬底。例如，衬底110可包括聚合物树脂，诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或乙酸丙酸纤维素(CAP)。
衬底110的显示区域DA可为图像被显示的区域。多个薄膜晶体管TFT1可布置在显示区域DA中。多个有机发光器件130也可布置在显示区域DA中。多个有机发光器件130可电连接到多个薄膜晶体管TFT1。多个有机发光器件130与多个薄膜晶体管TFT1的电连接可为多个第一电极131与多个薄膜晶体管TFT1的电连接。多个薄膜晶体管TFT2可布置在衬底110的***区域PA中。多个薄膜晶体管TFT2可包括例如配置成控制待施加到显示区域DA的电信号的电路的一部分。
薄膜晶体管TFT1中的每个可包括半导体层122、栅电极124、源电极126S和漏电极126D。半导体层122可包括非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)或有机半导体材料。栅电极124可设置在半导体层122上方。源电极126S和漏电极126D可根据施加到栅电极124的信号而彼此电连接。栅电极124可包括含有选自由铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)组成的组中的一种或多种材料的单层结构或多层结构。
为了电绝缘半导体层122与栅电极124，栅极绝缘膜113可布置在半导体层122与栅电极124之间。栅极绝缘膜113可包括无机材料，诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第二绝缘层115可设置在栅电极124上方。第二绝缘层115可包括无机材料，诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。源电极126S和漏电极126D可设置在第二绝缘层115上方。源电极126S和漏电极126D可经由形成在第二绝缘层115和栅极绝缘膜113中的接触孔电连接到半导体层122。
源电极126S和漏电极126D可包括单层结构或多层结构。源电极126S和漏电极126D可包括选自由铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)构成的组中的一种或多种材料。包括无机材料的第二绝缘层115可通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)形成。
缓冲层111可布置在薄膜晶体管TFT1与衬底110之间。缓冲层111可包括无机材料，诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。缓冲层111可增加衬底110的上表面的平坦度。缓冲层111也可防止或减少杂质从衬底110等渗透到薄膜晶体管TFT1的半导体层122中。
第一绝缘层118可设置在薄膜晶体管TFT1上方。例如，当有机发光器件130设置在薄膜晶体管TFT1上方时，第一绝缘层118可具有基本上平坦的上表面，以使得第一电极131可形成为基本上平坦的。第一绝缘层118可包括有机材料，诸如压克力、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)或六甲基二硅氧烷(HMDSO)。参照图2，第一绝缘层118可包括单层结构，然而，本发明实施方式不限于此。例如，第一绝缘层118可包括多层结构。第一绝缘层118可在整个显示区域DA和***区域PA中设置在衬底110上方。第一绝缘层118可包括布置在***区域PA中的第一开口118h1。第一绝缘层118可通过第一开口118h1物理地划分成至少两个部分。由此，可防止来自外部的杂质或在第一开口118h1外侧的第一绝缘层118等中生成的杂质(例如，气体或水分)经由第一绝缘层118到达显示区域DA。
在衬底110的显示区域DA中，有机发光器件130可设置在第一绝缘层118上方。有机发光器件130可包括第一电极131、第二电极135和布置在第一电极131与第二电极135之间的中间层133。中间层133可包括发射层。
第一绝缘层118可包括开口。开口可暴露薄膜晶体管TFT1的源电极126S和漏电极126D中的一个。第一电极131可经由开口与源电极126S和漏电极126D中的一个接触。第一电极131可电连接到薄膜晶体管TFT1。
第一电极131可为半透明电极或透明电极。可选地，第一电极131可为反射电极。当第一电极131为半透明电极或透明电极时，第一电极131可包括透明导电层。透明导电层可包括选自由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、铟镓氧化物(IGO)和铝锌氧化物(AZO)构成的组中的一种或多种材料。第一电极131还可包括半透明层，半透明层可提高有机发光显示设备1的光效率。半透明层可为具有几纳米至几十纳米的厚度的薄膜。半透明层可包括选自由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)和镱(Yb)构成的组中的一种或多种材料。当第一电极131为反射电极时，第一电极131可包括反射膜和透明导电层。反射膜可包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物。透明导电层可设置在反射膜上方和/或下方。透明导电层可为选自由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、铟镓氧化物(IGO)和铝锌氧化物(AZO)构成的组中的至少一种材料。然而，本发明实施方式不限于此。第一电极131可包括多种材料。第一电极131可包括单层结构或多层结构。
像素限定膜119可在整个显示区域DA和***区域PA中设置在第一绝缘层118上方。像素限定膜119可通过包括与各个子像素对应的开口来限定像素。例如，第二开口119h2可暴露至少第一电极131的中心部分。像素限定膜119可增加第一电极131的边缘与设置在第一电极131上方的第二电极135之间的距离。因此，可防止在第一电极131的边缘处发生电弧。像素限定膜119可包括有机材料，诸如聚酰亚胺(PI)或六甲基二硅氧烷(HMDSO)。像素限定膜119可包括第三开口119h3。第三开口119h3可在***区域PA中暴露第一绝缘层118的第一开口118h1。与第一开口118h1相似地，第三开口119h3可防止来自外部的或在第一开口118h1外侧的像素限定膜119中生成的杂质(例如气体或水分)经由像素限定膜119渗透并到达显示区域DA。第一绝缘层118和像素限定膜119可包括基本上相同的有机材料，然而，本发明实施方式不限于此。
有机发光器件130的中间层133可包括低分子量材料或高分子量材料。当中间层133包括低分子量材料时，中间层133可包括单层结构或多层结构。多层结构可包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。中间层133可包括多种有机材料，诸如铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPB)或三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。多层结构的层可通过真空沉积形成。当中间层133包括高分子量材料时，中间层133可包括包括空穴传输层(HTL)和发射层(EML)的结构。空穴传输层(HTL)可包括聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)。发射层(EML)可包括聚对苯乙烯(PPV)基聚合物或聚芴(PFO)基聚合物。中间层133可通过丝网印刷、喷墨印刷或激光诱导热成像(LITI)形成。
然而，中间层133不限于此。中间层133可包括多种结构。中间层133可包括遍布多个第一电极131的整合层。中间层133也可包括与多个第一电极131对应地图案化的层。
第二电极135可布置在整个显示区域DA和***区域PA中。第二电极135可设置在中间层133和像素限定膜119上方，以及设置于像素限定膜119的第三开口119h3内。第二电极135也可布置在第一绝缘层118的第一开口118h1内。第二电极135可相对于多个有机发光器件130一体地形成。第二电极135可对应于多个第一电极131。第二电极135可覆盖第一开口118h1的至少一部分。
第二电极135可为半透明电极或透明电极。可选地，第二电极135可为反射电极。当第二电极135为半透明电极或透明电极时，第二电极135可包括选自由银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、锂(Li)、钙(Ca)、铜(Cu)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、银镁(MgAg)和银钙(CaAg)构成的组中的一种或多种材料。第二电极135可为具有几纳米至几十纳米的厚度的薄膜。当第二电极135为反射电极时，第二电极135可包括选自由银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、锂(Li)、钙(Ca)、铜(Cu)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、银镁(MgAg)和银钙(CaAg)构成的组中的一种或多种材料。然而，第二电极135的结构和材料不限于此。
第一绝缘层118和像素限定膜119可在整个显示区域DA和***区域PA中设置在衬底110上方。第一绝缘层118可包括布置在***区域PA中的第一开口118h1。像素限定膜119可包括布置在***区域PA中的第三开口119h3。第二绝缘层115可通过第一绝缘层118中的第一开口118h1暴露。布置在像素限定膜119中的第三开口119h3的宽度W2可大于布置在第一绝缘层118中的第一开口118h1的宽度W1。相应地，像素限定膜119可不布置在第一开口118h1中。第三开口119h3的至少一部分可由第二电极135覆盖。
导电层150可在***区域PA中设置在第一绝缘层118上方。导电层150也可布置在布置于***区域PA中的第一开口118h1内。导电层150可设置在与第一电极131基本上相同的层上。导电层150的至少一部分可布置在第一绝缘层118与像素限定膜119之间。导电层150可包括与第一电极131基本上相同的材料。导电层150可完全覆盖第一开口118h1。
根据本发明实施方式，导电层150可包括多个第五开口150h5。多个第五开口150h5可布置在第一开口118h1周围。像素限定膜119可包括多个第四开口119h4。多个第四开口119h4可暴露导电层150的至少一部分。像素限定膜119可通过第四开口119h4划分成多个区域。导电层150的多个第五开口150h5可设置在像素限定膜119下方。多个第五开口150h5可用作使在包括有机材料的第一绝缘层118中生成的气体能够经由其排放到外部的通道。因此，可防止或减轻因在第一绝缘层118中生成的气体渗透到显示区域DA中而导致的有机发光显示设备1中的图像品质的劣化。
像素限定膜119的多个第四开口119h4可暴露导电层150。设置在像素限定膜119上方的第二电极135可经由多个第四开口119h4与导电层150接触。导电层150可为用于向第二电极135供给电压的电压供给线。可选地，导电层150可为用于将电压供给线连接至第二电极135的连接线。
参照图1，第一绝缘层118中的第一开口118h1可围绕显示区域DA。例如，第一开口118h1可形成闭合环路以完全围绕显示区域DA。相应地，第一绝缘层118可包括通过第一开口118h1划分的第一区域118a和第二区域118b。相似地，像素限定膜119可通过与第一开口118h1对应地布置的第三开口119h3划分成至少两个区域。
导电层150可布置在***区域PA中以围绕显示区域DA。导电层150可覆盖第一开口118h1。导电层150可包括布置在第一开口118h1周围的多个第五开口150h5。第二电极135可布置在整个显示区域DA和***区域PA中。第二电极135可完全覆盖第一开口118h1。例如，第二电极135可完全覆盖与显示区域DA的角落对应的区域处的第一开口118h1以及布置在显示区域DA周围的第一开口118h1。第二电极135可与布置在第一开口118h1中的导电层150直接接触。
然而，本发明实施方式不限于此。导电层150可覆盖第三开口119h3的一部分并且完全覆盖第一开口118h1。导电层150也可覆盖第一开口118h1的一部分和第三开口119h3的一部分。然而，导电层150可在围绕显示区域DA的整个区域中覆盖第一开口118h1的至少一部分和第三开口119h3的至少一部分。
覆盖层140可设置在第二电极135上方。覆盖层140可提高有机发光显示设备1的光效率。覆盖层140可布置在整个显示区域DA和***区域PA中。覆盖层140也可布置在第一开口118h1内。覆盖层140可包括有机材料。封装层可设置在覆盖层140上方。封装层可包括至少一个无机膜和至少一个有机膜。
图3是示出根据比较例的有机发光显示设备的示意性剖视图。
参照图3，有机发光显示设备1'可包括位于***区域PA'中的第二绝缘层115'。有机发光显示设备1'还可包括设置在第二绝缘层115'上方的第一绝缘层118'。第一绝缘层118'可包括第一开口118h1'。导电层150'可布置在第一开口118h1'内。导电层150'可包括多个第五开口150h5'。多个第五开口150h5'可布置在第一开口118h1'周围。
像素限定膜119'可设置在第一绝缘层118'上方。像素限定膜119'可覆盖导电层150'的至少一部分。像素限定膜119'可包括第三开口119h3'。第三开口119h3'可暴露第一开口118h1'。第二电极135'和覆盖层140'可设置在像素限定膜119'上方。
在根据比较例的有机发光显示设备1'中，第二电极135’可能不布置在第一开口118h1'内。覆盖层140'可从第二电极135'的上侧延伸。覆盖层140'可覆盖第一开口118h1'。第一绝缘层118'、像素限定膜119'和覆盖层140'中的每个可包括有机材料。相应地，从外部引入的或在像素限定膜119'中生成的杂质G'(例如，气体或水分)可沿着通道P'渗透并且沿着第一绝缘层118'渗透显示区域DA。可能渗透到显示区域DA中的杂质G'(例如，气体或水分)可渗透包括发射层的中间层133。由此，杂质G'可能导致有机发光显示设备1'中的图像品质的劣化。
参照图2，第二电极135可布置在第一开口118h1内。由于第二电极135，像素限定膜119和覆盖层140可在第一开口118h1和第三开口119h3中彼此完全分离。相应地，因为可能通过第一绝缘层118或像素限定膜119从外部引入的或在像素限定膜119中生成的杂质G(例如，气体或水分)可被第二电极135阻挡，所以杂质G可不渗透显示区域DA。另外，通过覆盖层140引入的杂质G(例如，气体或水分)可被第二电极135阻挡，并因此可不渗透中间层133。相应地，可防止或减轻有机发光显示设备1中的图像品质的劣化。
图4是示出根据本发明示例性实施方式的有机发光显示设备2的示意性平面图。图5是示出根据本发明示例性实施方式的图4的有机发光显示设备2的示意性剖视图。
参照图4和图5，有机发光显示设备2可包括衬底210、第一绝缘层218、第一电极231、像素限定膜219、中间层233和第二电极235。衬底210可包括显示区域DA和***区域PA。***区域PA可位于显示区域DA外部。第一绝缘层218可在整个显示区域DA和***区域PA中设置在衬底210上方。第一绝缘层218可包括第一开口218h1。第一开口218h1可布置在***区域PA中。第一电极231可在显示区域DA中设置在第一绝缘层218上方。像素限定膜219可在整个显示区域DA和***区域PA中设置在第一绝缘层218上方。像素限定膜219可包括第二开口219h2。第二开口219h2可暴露第一电极231的中心部分。像素限定膜219还可包括供第一开口218h1可被布置在其中的第三开口219h3。中间层233可设置在第一电极231上方。第二电极235可覆盖中间层233、像素限定膜219、第三开口219h3和第一开口218h1。
缓冲层211可设置在衬底210上方。薄膜晶体管TFT1和有机发光器件230可在显示区域DA中设置在缓冲层211上方。有机发光器件230可电连接到薄膜晶体管TFT1。有机发光器件230可包括第一电极231、中间层233和第二电极235。中间层233可包括发射层。
薄膜晶体管TFT1可包括半导体层222、栅电极224、源电极226S和漏电极226D。栅极绝缘膜213可布置在半导体层222与栅电极224之间。第二绝缘层215可设置在栅电极224上方。栅极绝缘膜213和第二绝缘层215可包括无机材料。栅极绝缘膜213和第二绝缘层215可布置在整个显示区域DA和***区域PA中。
第一绝缘层218可设置在薄膜晶体管TFT1上方。第一绝缘层218可布置在整个显示区域DA和***区域PA中。第一绝缘层218可包括位于***区域PA中的第一开口218h1。第一开口218h1可暴露第二绝缘层215。第一开口218h1可形成闭合环路以围绕显示区域DA。第一绝缘层218可通过第一开口218h1划分成第一区域218a和第二区域218b。第一绝缘层218可包括有机材料，如聚酰亚胺(PI)。
第一电极231可在显示区域DA中设置在第一绝缘层218上方。导电层250可布置在***区域PA中。与图2的导电层150不同，图5的导电层250可不包括布置在第一开口218h1周围的开口。像素限定膜219可设置在第一绝缘层218上方。像素限定膜219可包括第二开口219h2。第二开口219h2可暴露第一电极231的中心部分。像素限定膜219也可包括第三开口219h3，第三开口219h3暴露第一开口218h1。像素限定膜219可布置在整个显示区域DA和***区域PA中。像素限定膜219可覆盖第一电极231的一部分。像素限定膜219可覆盖导电层250的一部分。暴露第一开口218h1的第三开口219h3可比第一开口218h1宽，并且可完全暴露第一开口218h1。
包括发射层(EML)的中间层233可设置在第一电极231上方。第二电极235可设置在中间层233上方。第二电极235可设置在中间层233和像素限定膜219上方。第二电极235可延伸到第一开口218h1内。因为像素限定膜219可不布置在第一开口218h1内，所以导电层250可在第一开口218h1中与第二电极235接触。导电层250可为用于向第二电极235供给电压的电压供给线。可选地，导电层250可为用于将电压供给线连接到第二电极235的连接线。第二电极235可完全覆盖第一开口218h1。例如，第二电极235可完全覆盖形成闭合环路的整个第一开口218h1。相应地，可阻挡可能使从外部引入的或在像素限定膜219等的有机材料中生成的杂质(例如，气体或水分)渗透显示区域DA的通道。如图4中所示，第二电极235的边缘可相对于显示区域DA位于第一开口218h1外侧。在与显示区域DA的角落对应的区域中第二电极235的边缘与第一开口218h1之间的距离d2可小于在其余区域(例如，与显示区域DA的一侧对应的区域)中第二电极235的边缘与第一开口218h1之间的距离d1。
覆盖层240可设置在第二电极235上方。覆盖层240可包括有机材料。覆盖层240可提高有机发光显示设备2的光效率。封装层260可设置在覆盖层240上方。封装层260可覆盖有机发光器件230。相应地，封装层260可保护有机发光器件230免受外部杂质(例如，水分或氧气)的影响。封装层260可覆盖显示区域DA。封装层260可延伸至***区域PA。如图5所示，封装层260可包括第一无机层261、有机层263和第二无机层265。封装层260可进一步包括更多有机层或无机层。
第一无机层261可覆盖覆盖层240。第一无机层261可包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。根据本发明实施方式，如氟化锂(LiF)层的其它层可布置在第一无机层261与覆盖层240之间。因为第一无机层261可沿着其下部结构提供，所以如图5中所示第一无机层261的上表面可能不是基本上平坦的。有机层263可覆盖第一无机层261。有机层263的上表面可为基本上平坦的。有机层263可以包括选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)、聚乙烯磺酸酯、聚氧化甲烯(POM)、聚芳酯和六甲基二硅醚(HMDSO)中的一种或多种材料。第二无机层265可覆盖有机层263。第二无机层265可包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第二无机层265可在有机发光显示设备2的角落处与第一无机层261接触，从而不暴露有机层263。
封装层260可包括第一无机层261、有机层263和第二无机层265。当在封装层260中出现裂纹时，多层结构可防止裂纹在第一无机层261和有机层263之间或者在有机层263和第二无机层265之间彼此连接。因此，可防止或减少可能使外部水分或氧气渗透显示区域DA的通道的形成。
图6是示出根据本发明示例性实施方式的有机发光显示设备3的示意性平面图。除了第一绝缘层318和第二电极335以外，图6的有机发光显示设备3的配置可与图2的有机发光显示设备1的配置或图5的有机发光显示设备2的配置相同。
参照图6，有机发光显示设备3可包括位于显示区域DA和***区域PA中的第一绝缘层318。第一绝缘层318可包括位于***区域PA中的第一开口318h1。第一开口318h1可围绕显示区域DA。在平面图中，第一开口318h1可包括在角落中凹陷的区域。例如，第一开口318h1可形成闭合环路以围绕显示区域DA。闭合环路可包括朝着显示区域DA凹陷的区域。根据本发明实施方式，第一开口318h1可包括在角落中凹陷成具有L形状的区域。
第二电极335可完全覆盖第一开口318h1。例如，第二电极335的边缘可相对于显示区域DA位于第一开口318h1外侧。在与显示区域DA的角落对应的区域中第二电极335的边缘与第一开口318h1之间的距离d4可大于在其余区域(例如，与显示区域DA的一侧对应的区域)中第二电极335的边缘与第一开口318h1之间的距离d3。
通过如上所述地配置第一开口318h1的角落，第二电极335可提供为使得在除了图6的角落以外的区域中第二电极335的边缘与第一开口318h1之间的距离d3小于在除了图4的角落以外的区域中第二电极235的边缘与第一开口218h1之间的距离d1。相应地，可最小化第二电极335的面积。
图7是示出根据本发明示例性实施方式的有机发光显示设备4的示意性平面图。除了第一绝缘层418和第二电极435以外，图7的有机发光显示设备4的配置与图2的有机发光显示设备1的配置或图5的有机发光显示设备2的配置相同。
参照图7，有机发光显示设备4可包括位于显示区域DA和***区域PA中的第一绝缘层418。第一绝缘层418可包括位于***区域PA中的第一开口418h1。第一开口418h1可围绕显示区域DA。第二电极435可完全覆盖第一开口418h1。例如，第二电极435的边缘可相对于显示区域DA位于第一开口418h1外侧。在与显示区域DA的角落对应的区域中，第二电极435可包括在远离显示区域DA的方向上突出的区域。
在与显示区域DA的角落对应的区域中第二电极435的边缘与第一开口418h1之间的距离d6可基本上等于在其余区域(例如，与显示区域DA的一侧对应的区域)中第二电极435的边缘与第一开口418h1之间的距离d5。然而，本发明实施方式不限于此。在与显示区域DA的角落对应的区域中第二电极435的边缘与第一开口418h1之间的距离d6可小于或大于在其余区域中第二电极435的边缘与第一开口418h1之间的距离d5。
图8是示出根据本发明示例性实施方式的有机发光显示设备5的示意性剖视图。
参照图8，有机发光显示设备5可包括衬底510、第一绝缘层518、第一电极531、像素限定膜519、中间层533和第二电极535。衬底510可包括显示区域DA和位于显示区域DA外部的***区域PA。第一绝缘层518可在整个显示区域DA和***区域PA中设置在衬底510上方。第一绝缘层518可包括位于***区域PA中的第一开口518h1。第一电极531可在显示区域DA中设置在第一绝缘层518上方。像素限定膜519可在整个显示区域DA和***区域PA中设置在第一绝缘层518上方。像素限定膜519可包括第二开口519h2。第二开口519h2可暴露第一电极531的中心部分。像素限定膜519也可包括供第一开口518h1被布置在其中的第三开口519h3。中间层533可设置在第一电极531上方。第二电极535可覆盖中间层533、像素限定膜519、第三开口519h3和第一开口518h1。
缓冲层511可设置在衬底510上方。薄膜晶体管TFT1和有机发光器件530可在显示区域DA中设置在缓冲层511上方。有机发光器件530可电连接到薄膜晶体管TFT1。有机发光器件530可包括第一电极531、中间层533和第二电极535。中间层533可包括发射层。
薄膜晶体管TFT1可包括半导体层522、栅电极524、源电极526S和漏电极526D。栅极绝缘膜513可布置在半导体层522与栅电极524之间。第二绝缘层515可设置在栅电极524上方。栅极绝缘膜513和第二绝缘层515可包括无机材料。栅极绝缘膜513和第二绝缘层515可布置在整个显示区域DA和***区域PA中。
第一绝缘层518可设置在薄膜晶体管TFT1上方。第一绝缘层518可布置在整个显示区域DA和***区域PA中。第一绝缘层518可包括位于***区域PA中的多个第一开口518h1a和518h1b。多个第一开口518h1a和518h1b可暴露第二绝缘层515。多个第一开口518h1a和518h1b可为从一个开口分支的开口或者可为彼此完全分开的开口。
由于多个第一开口518h1a和518h1b，第一绝缘层518可被划分成第一区域518a、第二区域518b和第三区域518c。当多个第一开口518h1a和518h1b是从一个开口分支的开口时，第三区域518c可具有矩形形状。当多个第一开口518h1a和518h1b是彼此完全分开的开口时，第三区域518c可具有框形状。第一绝缘层518可包括有机材料，如聚酰亚胺(PI)。
第一电极531可在显示区域DA中设置在第一绝缘层518上方。导电层550可位于在***区域PA中。导电层550可包括多个第五开口550h5。多个第五开口550h5可设置在第一绝缘层518的第三区域518c、第一区域518a和第二区域518b上方。像素限定膜519可设置在第一绝缘层518上方。像素限定膜519可包括多个第四开口519h4。多个第四开口519h4可暴露导电层550的至少一部分。
包括发射层(EML)的中间层533可设置在第一电极531上方。第二电极535可设置在中间层533上方。像素限定膜519可不延伸至多个第一开口518h1a和518h1b内。因为像素限定膜519可不布置在多个第一开口518h1a和518h1b内，所以导电层550可在多个第一开口518h1a和518h1b中与第二电极535接触。导电层550可为用于向第二电极535供给电压的电压供给线。可选地，导电层550可为用于将电压供给线连接到第二电极535的连接线。第二电极535可完全覆盖多个第一开口518h1a和518h1b。覆盖层540可设置在第二电极535上方。
第一绝缘层518可包括多个第一开口518h1a和518h1b。第二电极535可完全覆盖多个第一开口518h1a和518h1b。因此，与第一绝缘层518包括一个第一开口相比，其可以更可靠地阻挡使从外部经由像素限定膜519引入的或在像素限定膜519中生成的杂质(例如，气体或水分)渗透显示区域DA的通道。因此，可防止或减轻制造过程期间或使用中有机发光显示设备5中的图像品质的劣化。
根据本发明的至少一个实施方式，有机发光显示设备1、2、3、4、和5可分别包括第一绝缘层118、218、318、418和518，第一绝缘层118、218、318、418和518分别包括位于***区域PA中的第一开口118h1、218h1、318h1、418h1、518h1a和518h1b。可防止使杂质可从第一开口118h1、218h1、318h1、418h1、518h1a和518h1b的外侧引入到第一开口118h1、218h1、318h1、418h1、518h1a和518h1b的内侧的通道。因此，可防止或减轻有机发光显示设备1、2、3、4和5中的图像品质的劣化。
应理解，本文所描述的本发明的实施方式应当仅以描述性的意义来考虑，而不是为了限制的目的。在本发明的每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被视为可用于本发明的其它实施方式中的其它相似特征或方面。
虽然已参照附图对本发明的一个或多个实施方式进行了描述，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离如随附权利要求书中限定的精神和范围的情况下可在形式和细节上进行各种改变。

Claims (23)

1.有机发光显示设备，包括：
衬底，具有显示区域和位于所述显示区域外部的***区域；
第一绝缘层，在整个所述显示区域和所述***区域中设置在所述衬底上方，所述第一绝缘层包括布置在所述***区域中的第一开口；
第一电极，在所述显示区域中设置在所述第一绝缘层上方；
像素限定膜，设置在所述第一绝缘层上方，所述像素限定膜包括暴露所述第一电极的一部分的第二开口和形成在所述第一开口的位置处以形成公共开口的第三开口；
中间层，设置在所述第一电极上方；以及
第二电极，覆盖所述中间层、所述像素限定膜、所述第三开口的至少一部分和所述第一开口的至少一部分。
2.如权利要求1所述的有机发光显示设备，还包括：
导电层，在所述***区域中设置在所述第一绝缘层上方，其中所述导电层覆盖所述第一开口。
3.如权利要求2所述的有机发光显示设备，其中，
所述像素限定膜包括位于所述导电层的至少一部分上方的多个第四开口。
4.如权利要求3所述的有机发光显示设备，其中，
所述第二电极通过所述多个第四开口与所述导电层接触。
5.如权利要求3所述的有机发光显示设备，其中，
所述像素限定膜通过所述多个第四开口划分成多个区域。
6.如权利要求2所述的有机发光显示设备，其中，
所述导电层包括布置在所述第一开口周围的多个第五开口。
7.如权利要求2所述的有机发光显示设备，其中，
所述第二电极与布置在所述第一开口中的所述导电层直接接触。
8.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，
所述第三开口的宽度大于所述第一开口的宽度。
9.如权利要求1所述的有机发光显示设备，还包括：
第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层下方，
其中，所述第二绝缘层包括无机材料，且所述第一开口延伸至所述第二绝缘层。
10.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，
所述第二电极完全覆盖所述第三开口和所述第一开口。
11.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，
所述第一开口围绕所述显示区域。
12.如权利要求11所述的有机发光显示设备，其中，
所述第一绝缘层通过所述第一开口划分成第一区域和第二区域。
13.如权利要求12所述的有机发光显示设备，其中，
所述像素限定膜通过所述第三开口划分成至少两个区域。
14.如权利要求11所述的有机发光显示设备，其中，
所述第一开口形成闭合环路，以及
所述第二电极完全覆盖所述第一开口。
15.如权利要求14所述的有机发光显示设备，其中，
所述第二电极的边缘相对于所述显示区域位于所述第一开口外侧，以及
在与所述显示区域的角落对应的区域中所述第二电极的所述边缘与所述第一开口之间的距离小于在除了与所述显示区域的角落对应的区域以外的区域中所述第二电极的所述边缘与所述第一开口之间的距离。
16.如权利要求14所述的有机发光显示设备，其中，
所述闭合环路包括在与所述显示区域的角落对应的区域中朝着所述显示区域凹陷的区域。
17.如权利要求14所述的有机发光显示设备，其中，
所述第二电极包括在与所述显示区域的角落对应的区域中在远离所述显示区域的方向上突出的区域。
18.如权利要求1所述的有机发光显示设备，还包括：
覆盖层，设置在所述第二电极上方并且覆盖所述第一开口。
19.如权利要求18所述的有机发光显示设备，其中，
所述覆盖层在所述第三开口中通过所述第二电极与所述像素限定膜分开。
20.如权利要求18所述的有机发光显示设备，其中，
所述第一绝缘层、所述像素限定膜和所述覆盖层中的每个包括有机材料。
21.如权利要求18所述的有机发光显示设备，还包括：
封装层，设置在所述覆盖层上方，
其中，所述封装层包括至少一个无机层和至少一个有机层。
22.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，
所述第一绝缘层包括至少两个第一开口。
23.如权利要求22所述的有机发光显示设备，其中，
所述第一绝缘层包括通过所述至少两个第一开口彼此分开的第一区域、第二区域和第三区域。
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