CN111477673B - 阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，涉及柔性显示技术领域，用于解决各透明膜层之间的间距不相等而出现的牛顿环现象，影响显示面板的显示效果的技术问题，该阵列基板包括依次层叠设置的至少两层透明膜层，以及设置在至少一相邻的两层透明膜层之间设置光调制层，其中，光调制层的折射率在与该光调制层相邻的两层透明膜层的折射率之间。本发明提供的阵列基板用于减弱牛顿环现象，提高显示面板的显示效果。

Description

阵列基板、显示面板及显示装置

技术领域

本发明涉及柔性显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板具有自发光、对比度高、厚度薄、响应速度快、宽视角、低功耗、可实现柔性显示等特性，因此，被广泛应用于显示领域。

显示面板包括层叠设置的多个透明膜层，为了满足用户对电子设备的大屏占比的需求，可在显示面板上设置盲孔区域，将摄像机等感光元件埋设在盲孔区域所对应的显示面板的下方，外界光线可通过盲孔区域进入位于显示面板下方的感光元件。

然而，由于盲孔区两侧的透明膜层在大气压的压力下，局部会朝向盲孔区域塌陷，导致盲孔区两侧的透明膜层之间的距离不相等，出现牛顿环现象，影响显示面板的显示效果。

发明内容

鉴于上述问题，本发明实施例提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，用于减弱牛顿环现象，提高显示面板的显示效果。

为了实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

本发明实施例的第一方面提供一种阵列基板，其包括：依次层叠设置的至少两层透明膜层，所述至少两层透明膜层中，至少一相邻的两层所述透明膜层之间设置有光调制层，所述光调制层的两侧分别与该光调制层相邻的两层所述透明膜层贴合，且所述光调制层的折射率在与该所述光调制层相邻的两层所述透明膜层的折射率之间。

在一种可选的实施方式中，所述光调制层的折射率满足下列公式：

其中，n_A为夹设所述光调制层的相邻所述透明膜层中的一者的折射率，n_B为夹设所述光调制层的相邻所述透明膜层中的另一者的折射率，n_C为所述光调制层的折射率。

在一种可选的实施方式中，所述至少两层透明膜层包括衬底和缓冲层，所述衬底和所述缓冲层之间设置有光调制层，且位于所述衬底和所述缓冲层之间的光调制层的两侧分别与所述衬底和所述缓冲层贴合；位于所述衬底和所述缓冲层之间的光调制层的折射率，大于所述缓冲层的折射率，小于所述衬底的折射率。

在一种可选的实施方式中，所述缓冲层包括靠近所述衬底的第一缓冲层，以及与所述第一缓冲层平行且相对的第二缓冲层；所述第一缓冲层和所述第二缓冲层之间设置有光调制层，且位于所述第一缓冲层和所述第二缓冲层之间的光调制层的两侧分别与所述第一缓冲层和所述第二缓冲层贴合；位于所述第一缓冲层和所述第二缓冲层之间的光调制层的折射率，大于所述第二缓冲层的折射率，小于所述第一缓冲层的折射率。

在一种可选的实施方式中，所述第一缓冲层为氮化硅层，所述第二缓冲层为氧化硅层；位于所述第一缓冲层和所述第二缓冲层之间的光调制层为氮氧化硅层，和/或，位于所述衬底和所述缓冲层之间的光调制层的为氮氧化硅层。

在一种可选的实施方式中，所述至少两层透明膜层还包括设置于所述缓冲层上的阵列电路层；所述缓冲层和所述阵列电路层之间设置有光调制层，且位于所述缓冲层和所述阵列电路层之间的光调制层的两侧分别与所述缓冲层和所述阵列电路层贴合；位于所述缓冲层和所述阵列电路层之间的光调制层的折射率，大于所述阵列电路层的折射率，小于所述缓冲层的折射率。

在一种可选的实施方式中，所述至少两层透明膜层包括衬底和阵列电路层，所述衬底和所述阵列电路层之间设置有光调制层，且位于所述衬底和所述阵列电路层之间的光调制层的两侧分别与所述衬底和所述阵列电路层贴合；位于所述衬底和所述阵列电路层之间的光调制层的折射率，大于所述缓冲层的折射率，小于所述衬底的折射率。

在一种可选的实施方式中，所述阵列电路层包括交替层叠设置的若干绝缘层和若干导电层；相邻的导电层和所述绝缘层之间设置有光调制层，该光调制层的两侧分别与该光调制层相邻的所述导电层和所述绝缘层贴合；该光调制层的折射率，位于与该光调制层相邻的所述导电层的折射率和所述绝缘层的折射率之间。

在一种可选的实施方式中，所述若干导电层包括栅极层、金属层和阳极层；所述若干绝缘层包括位于所述栅极层和所述衬底之间的栅极绝缘层，以及位于所述栅极层和所述金属层之间、位于相邻的所述金属层之间或位于所述金属层和所述阳极层之间的层间绝缘层。

在一种可选的实施方式中，光调制层为氟化锂层、氟化镁、可掺杂型石英膜或氧化硅/硅的复合膜层。

本发明实施例的第二方面提供一种显示面板，其包括上述实施例提供的阵列基板，设置于阵列基板上的发光层，以及设置于所述发光层上的封装层；所述发光层和所述封装层之间设置有光调制层，位于所述发光层和所述封装层之间的光调制层的至少一侧与所述封装层和所述发光层贴合；且位于所述发光层和所述封装层之间的光调制层的折射率在与该所述光调制层相邻的所述封装层的折射率和所述发光层的折射率之间。

在一种可选的实施方式中，位于所述发光层和所述封装层之间的光调制层的一侧与所述封装层贴合，另一侧与所述发光层之间形成有真空间隔空间。

在一种可选的实施方式中，位于所述发光层和所述封装层之间的光调制层的一侧与所述发光层贴合，另一侧与所述封装层之间形成有真空间隔空间。

在一种可选的实施方式中，所述发光层和所述封装层之间设置有两层光调制层，其中一层所述光调制层的一侧与所述封装层贴合，另一层所述光调制层的一侧与所述发光层贴合；两层所述光调制层之间形成有真空间隔空间。

在一种可选的实施方式中，所述真空间隔空间内设置有若干支撑垫，所述支撑垫的一端与贴合在所述封装层上的光调制层相抵、另一端与所述发光层相抵；或所述支撑垫的一端与所述封装层相抵、另一端与贴合在所述发光层上的光调制层相抵；或所述支撑垫的一端与贴合在所述封装层上的光调制层相抵、另一端与贴合在所述发光层上的光调制层相抵。

在一种可选的实施方式中，还包括设置于所述封装层上的触控层，所述触控层和所述封装层之间设置有光调制层，位于所述触控层和所述封装层之间的光调制层的两侧分别与所述触控层和所述封装层贴合；位于所述触控层和所述封装层之间的光调制层的折射率，大于所述触控层的折射率，小于所述封装层的折射率。

本发明实施例的第三方面提供一种显示装置，包括上述实施例提供的阵列基板，或，上述实施例提供的显示面板。

与现有技术相比，本发明实施例提供的阵列基板、显示面板及显示装置具有以下优点：

本发明实施例提供的阵列基板中，通过在至少一相邻的两层透明膜层之间设置光调制层，且光调制层的折射率在与该光调制层相邻的两层透明膜层的折射率之间，可以提升预设波长光线在相邻透明膜层之间的透过率，减弱该预设波长光线的反射强度，即减小预设波长光线在与光调制层相邻的两层透明膜层上的反射率，从而可以使入射光谱和出射光谱接近甚至相等，进而减弱牛顿环现象，提高显示面板的显示效果。

除了上面所描述的本发明实施例解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及由这些技术方案的技术特征所带来的有益效果外，本发明实施例提供的阵列基板、显示面板及显示装置所能解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技术特征带来的有益效果，将在具体实施方式中作出进一步详细的说明。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例一提供的阵列基板的结构示意图；

图2为图1的第一种结构示意图；

图3为图1的第二种结构示意图；

图4为图1的第三种结构示意图；

图5为图1的第四种结构示意图；

图6为图1的第五种结构示意图；

图7为图1的第六种结构示意图；

图8为图1的第七种结构示意图；

图9为本发明实施例二提供的显示面板的第一种结构示意图；

图10为本发明实施例二提供的显示面板的第二种结构示意图；

图11为本发明实施例二提供的显示面板的第三种结构示意图；

图12为本发明实施例二提供的显示面板的第四种结构示意图；

图13为本发明实施例二提供的显示面板的第五种结构示意图；

图14为本发明实施例二提供的显示面板的第六种结构示意图；

图15为本发明实施例二提供的显示面板的第七种结构示意图；

图16为本发明实施例二提供的显示面板的第八种结构示意图。

附图标记说明：

100-阵列基板； 10-透明膜层； 11-衬底；

12-缓冲层； 121-第一缓冲层； 122-第二缓冲层；

20-光调制层； 21-第一调制层； 211-第二调制层；

212-第三调制层； 22-第四调制层； 23-第五调制层；

231-第六调制层； 24-第七调制层； 241-第八调制层；

242-第九调制层； 25-第十调制层； 13-阵列电路层；

131-导电层； 132-绝缘层； 200-发光层；

300-封装层； 400-真空间隔空间； 500-支撑垫；

600-触控层。

具体实施方式

由于位于盲孔区域内的摄像机等感光元件与显示面板顶部的透明膜层之间存在一定的间距，在大气压的压力下，盲孔区域所对应的顶部的透明膜层会朝向盲孔区域塌陷，导致预设波长光线的光程差不稳定，进而导致预设波长光线的入射光谱和出射光谱不同，出现牛顿环现象，影响显示面板的显示效果。为了解决上述问题，本发明实施例提供的阵列基板中，在至少一相邻的两层透明膜层之间设置光调制层，该光调制层的折射率在与该光调制层相邻的两层透明膜层的折射率之间，如此可以减弱预设波长光线的反射强度，从而减弱牛顿环现象，提高显示面板的显示效果。

为了使本发明实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本发明保护的范围。

实施例一

参见图1所示，本发明实施例提供的阵列基板100包括：依次层叠设置的至少两层透明膜层10，至少两层透明膜层10中，至少一相邻的两层透明膜层10之间设置有光调制层20，光调制层20的两侧分别与该光调制层20相邻的两层透明膜层10贴合，且光调制层20的折射率在与该光调制层20相邻的两层透明膜层10的折射率之间。

在本实施例中，阵列基板100中的透明膜层10可以是两层，也可以是多层，当阵列基板100中的透明膜层10为两层时，光调制层20设置在两个透明膜层10之间；而当阵列基板100中的透明膜层10为多层时，可以在其中一相邻的两层透明膜层之间设置有一光调制层20，也可以在任意相邻的两个透明膜层10之间均设置有光调制层20。同时，光调制层20的两侧分别与该光调制层20相邻的两侧透明膜层10贴合，这样，可以避免光调制层20和与该光调制层20相邻的透明膜层10之间出现间隙；且光调制层20的折射率在与该光调制层20相邻的两层透明膜层10的折射率之间，通过在相邻的两层透明膜层10之间设置光调制层20，一方面，提高了预设波长光线在与光调制层20相邻的两层透明膜层10之间的透光率，减小了预设波长光线在该界面的反射强度，使得预设波长光线在与光调制层20相邻的两层透明膜层10上的反射率也随之减小，从而减弱牛顿环现象；另一方面，可以将原本透光率较低的一些波长光线的透过率提升至与透光率较高的波长光线的透光率接近甚至相等，提高预设波长光线的透过的均一性，从而提高透过光线的色彩保真性。

当预设波长光线射向上述阵列基板时，预设波长光线的入射光谱E_cav(λ)和出射光谱E_nc(λ)满足如下公式：

在公式(1)中，E_cav(λ)为预设波长光线的入射光谱；E_nc(λ)为预设波长光线的出射光谱；R₁和R₂分别为与光调制层20相邻的两层透明膜层10的反射率；L为波列长度，λ为预设波长，m为自然正数。

从公式(1)可知，通过调整与光调制层20相邻的两层透明膜层10的反射率，便可以变换预设波长光线的入射光谱和出射光谱，当预设波长光线的入射光谱和出射光谱不相等时，则会出现牛顿环现象，而且入射光谱和出射光谱相差越大，牛顿环现象越明显，因此，在本实施例中，通过设置光调制层20来调整与光调制层20相邻两层透明膜层10的反射率的大小，使预设波长光线的入射光谱和出射光谱尽可能的接近甚至相等，从而减弱牛顿环现象。

在上述实施例的基础上，优选的，光调制层20的折射率可以满足下列公式(2)：

其中，在公式(2)中，n_A为夹设光调制层20的相邻透明膜层10中的一者的折射率，n_B为夹设光调制层20的相邻透明膜层10中的另一者的折射率，n_C为光调制层20的折射率。

当光调制层20的折射率满足上述公式(2)时，得到的光调制层20的折射率n_C的值为较优值，此时，光调制层20能够提升预设波长光线在相邻透明膜层10之间的透过率，减弱预设波长光线的反射强度，使得与光调制层20相邻两层透明膜层10的反射率随之减小，从而使预设波长光线的入射光谱和反射光谱接近甚至相等，进而减弱牛顿环现象。

参见图2所示，在一种可能的实施方式中，至少两层透明膜层10包括衬底11和缓冲层12，衬底11和缓冲层12之间设置有光调制层20，且位于衬底11和缓冲层12之间的光调制层20的两侧分别于衬底11和缓冲层12贴合；位于衬底11和缓冲层12之间的光调制层20的折射率，大于缓冲层12的折射率，小于衬底11的折射率。

为了方便描述和理解，下面将衬底11和缓冲层12之间的光调制层20用第一调制层21表示。

在本实施例中，衬底11可以是聚酰亚胺(Polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate，PET)、玻璃等材料制成的透明衬底。

缓冲层12位于衬底11上，其中，缓冲层12可以是氮化硅层和氧化硅层的混合层，且第一调制层21的折射率，可以大于氮化硅层和氧化硅层的混合层的总的折射率，小于衬底11的折射率，这样，可以提高预设波长光线在衬底11和缓冲层12之间的光线透过率，减弱预设波长光线在衬底11和缓冲层12之间的反射强度，减小衬底11的反射率和缓冲层12的反射率，从而减弱牛顿环现象；且可以提高预设波长光线中各波段的透过率的均一性，提高光线色彩的保真性。

在另一种可选的实施方式中，第一调制层21的折射率，也可以小于氮化硅层和氧化硅层的混合层的总的折射率，大于衬底11的折射率，此时，预设波长光线的入射角需要小于临界角，这样可以避免发生全反射的现象，从而减弱预设波长光线的反射强度，减弱牛顿环现象。

参见图3所示，进一步的，缓冲层12包括靠近衬底11的第一缓冲层121，以及与第一缓冲层121平行且相对的第二缓冲层122；第一缓冲层121和第二缓冲层122之间设置有光调制层，且位于第一缓冲层121和第二缓冲层122之间的光调制层的两侧分别于第一缓冲层121和第二缓冲层122贴合；位于第一缓冲层121和第二缓冲层122之间的光调制层的折射率，大于第二缓冲层122的折射率，小于第一缓冲层121的折射率。

为了方便描述和理解，将位于第一缓冲层121和第二缓冲层122之间的光调制层20用第二调制层211表示。

第一缓冲层121设置于衬底11上，第二缓冲层122设置于第一缓冲层121上，且在第一缓冲层121和第二缓冲层122之间还设置有第二调制层211，第二调制层211的折射率可以介于第一缓冲层121的折射率和第二缓冲层122的折射率之间。

优选的，第二调制层211的折射率大于第二缓冲层122的折射率，小于第一缓冲层121的折射率。通过在第一缓冲层121和第二缓冲层122之间设置第二调制层211，一方面，可以提高预设波长光线在第一缓冲层121和第二缓冲层122之间的透过率，减弱预设波长光线在第一缓冲层121和第二缓冲层122之间的反射强度，减小第一缓冲层121的反射率和第二缓冲层122的反射率，从而减弱牛顿环现象；另一方面，利用第二调制层211可以将原本透光率较低的一些波长光线的透过率提升至与透光率较高的波长光线的透光率接近甚至相等，提高预设波长光线中各波段的透过率的均一性，提高透过第一缓冲层121和第二缓冲层122的光线的色彩保真性。

参见图3和图4所示，在一种可能的实施例中，第一缓冲层121为氮化硅层，第二缓冲层122为氧化硅层；位于第一缓冲层121和第二缓冲层122之间的光调制层为氮氧化硅层，和/或，位于衬底11和第一缓冲层121之间的光调制层为氮氧化硅层。

在本实施例中，为了描述方便，将第一缓冲层121和第二缓冲层122之间设置的光调制层20用第二调制层211表示；将衬底11和第一缓冲层121之间设置的光调制层用第三调制层212表示；当光调制层20为氮氧化硅时，位于第一缓冲层121和第二缓冲层122之间的氮氧化硅层用A表示；位于衬底11和第一缓冲层121之间的氮氧化硅层用B表示。

具体的，第一缓冲层121和第二缓冲层122之间设置有氮氧化硅层A，通过氮氧化硅层A减小第一缓冲层121和第二缓冲层122的反射率，从而减弱牛顿环现象，且提高预设波长光线透过的均一性，提高透过第一缓冲层121和第二缓冲层122的光线的色彩保真性。

或者可以在衬底11和第一缓冲层121之间设置有氮氧化硅层B，通过氮氧化硅层B减小衬底11和第一缓冲层121的反射率，减弱牛顿环现象，且提高预设波长光线中各波段的透过率的均一性，提高透过衬底11和第一缓冲层121的光线的色彩保真性。

或者第一缓冲层121和第二缓冲层122之间设置有氮氧化硅层A的同时，衬底11和第一缓冲层121之间也设置有氮氧化硅层B。这样，可以提高预设波长光线的透过率，减小预设波长光线的反射强度，减弱牛顿环现象。另一方面可以提高预设波长光线中各波段的透过率的均一性，保证透过光线色彩的高保真性。

需要说明的是，氮氧化硅层A和氮氧化硅层B均为氮化硅和氧化硅共同成膜的混合层，由于预设波长光线的透过率与光调制层的厚度和折射率有关，因此，可以通过调节氮化硅和氧化硅的配制比例和厚度，以达到调节氮氧化硅层的折射率和厚度的目的，从而达到提升预设波长光线中各波段的透过率的均一性，提高光线的色彩保真性。

第二调制层211和第三调制层212也可以是其他材质制成，例如氧化硅/硅的混合膜层、可掺杂型石英膜等材质制成，只要第二调制层211的折射率介于氮化硅的折射率和氧化硅的折射率之间，第三调制层212的折射率介于衬底11的折射率和氮化硅的折射率之间即可。

参见图5所示，在一种可能的实施例中，至少两层透明膜层10还包括设置于缓冲层12上的阵列电路层13；缓冲层12和阵列电路层13之间设置有光调制层20，且位于缓冲层12和阵列电路层13之间的光调制层的两侧分别与缓冲层12和阵列电路层13贴合；位于缓冲层12和阵列电路层13之间的光调制层20的折射率，大于阵列电路层13的折射率，小于缓冲层12的折射率。

为了方便描述和理解，缓冲层12和阵列电路层13之间设置的光调制层20用第四调制层22表示。

通过在缓冲层12和阵列电路层13之间设置第四调制层22，一方面可以提高预设波长光线在缓冲层12和阵列电路层13之间的透过率，减弱预设波长光线的在缓冲层12和阵列电路层13之间的反射强度，减小缓冲层12的反射率和阵列电路层13的反射率，从而减弱牛顿环现象；另一方面，能够提高预设波长光线中各波段在缓冲层12和阵列电路层13之间的透过率的均一性，提高透过光线的色彩保真性。

在上述实施例中，至少两层透明膜层10包括衬底11和依次堆叠在衬底11上的缓冲层12和阵列电路层12，但不限于此，衬底11和阵列电路层13之间可以不设置缓冲层12，例如，参见图6所示，至少两层透明膜层10包括衬底11和阵列电路层13，衬底11和阵列电路层13之间设置有光调制层20，且位于衬底11和阵列电路层13之间的光调制层20的两侧分别与衬底11和阵列电路层13贴合；位于衬底11和阵列电路层13之间的光调制层20的折射率，大于缓冲层12的折射率，小于衬底11的折射率。

为了方便描述和理解，衬底11和阵列电路层13之间设置的光调制层20用第五调制层23表示。

通过在缓冲层12和阵列电路层13之间设置第五调制层23，一方面提高预设波长光线在衬底11和阵列电路层13之间的透过率，可以减弱预设波长光线的在衬底11和阵列电路层13之间的反射强度，减小衬底11的反射率和阵列电路层13的反射率，从而减弱牛顿环现象；另一方面，能够提高预设波长光线中各波段在衬底11和阵列电路层13之间的透过率的均一性，提高透过光线的色彩保真性。

参见图7和图8所示，在一些可能的实施例中，阵列电路层13包括交替层叠设置的若干绝缘层132和若干导电层131；相邻的导电层131和绝缘层132之间设置有光调制层20，该光调制层20的两侧分别与该光调制层20相邻的导电层131和绝缘层132贴合；该光调制层20的折射率，位于与该光调制层20相邻的导电层131的折射率和绝缘层132的折射率之间。

为了方便描述和理解，导电层131和绝缘层132之间设置的光调制层20用第六调制层231来表示。

通过在相邻的导电层131和绝缘层132之间设置第六调制层231，可以提升预设波长光线在导电层131和绝缘层132之间的透过率，减弱预设波长光线的反射强度，减小导电层131的反射率和绝缘层132的反射率，从而减弱牛顿环现象。

可以理解的是，阵列电路层13中，在其中至少一组相邻的导电层131和绝缘层132之间设置光调制层第六调制层231，或者在每一组相邻的导电层131和绝缘层132之间均设置有第六调制层231，具体根据产品需求可以进行任意组合，对此，本实施例不做限制。

通常的，若干导电层131包括栅极层、金属层和阳极层；若干绝缘层132包括位于栅极层和衬底11之间的栅极绝缘层，以及位于栅极层和金属层之间、位于相邻的金属层之间或位于金属层和阳极层之间的层间绝缘层。例如，参见图7和图8所示，靠近衬底11的导电层为栅极层，位于栅极层和衬底之间的绝缘层为栅极绝缘层。

在上述实施例中的光调制层20，其材料可以为氟化锂层、氟化镁、氧化硅、可掺杂型石英膜或氧化硅/硅的复合膜层等材质，通过蒸镀、溅射、电子束蒸发、涂布、化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)等方式形成。

实施例二

参见图9所示，本实施例提供的显示面板，包括上述实施例提供的阵列基板100，设置于阵列基板100上的发光层200，以及设置于发光层200上的封装层300；发光层200和封装层300之间设置有光调制层20，位于发光层200和封装层300之间的光调制层20的至少一侧与封装层300和发光层200贴合；且位于发光层200和封装层300之间的光调制层20的折射率在与该光调制层相邻的封装层300的折射率和发光层200的折射率之间。

为了便于区别和上述实施例中的光调制层20，本实施例中发光层200和封装层300之间的光调制层用第七调制层24表示。

在本实施例中，在发光层200和封装层300之间设置第七调制层24，使第七调制层24的折射率在封装层300的折射率和发光层200的折射率之间，可以提高预设波长光线在发光层200和封装层300之间的透过率，减弱预设波长光线在发光层200和封装层300之间的反射强度，减小预设波长光线在发光层200的反射率和封装层300的反射率，从而减弱牛顿环现象；且第七调制层24还可以提高预设波长光线中各波段在发光层200和封装层300之间的透过率的均一性，从而提高透过光线的色彩保真度。

参见图10所示，可选的，位于发光层200和封装层300之间的光调制层的一侧与封装层300贴合，另一侧与发光层200之间形成有真空间隔空间400。

通常的，由于各膜层之间因制造误差导致各透明膜层10之间的间距不等，造成个别相邻透明膜层10之间出现间隔空间；或者为满足屏下成像技术而设置的安装孔，而形成间隔空间，间隔空间至少一侧的透明膜层10在大气压的压力下，向间隔空间塌陷，间隔空间形成真空间隔空间400，由于预设波长光线在真空间隔空间400的光程差不同，从而产生牛顿环形现象。

在本实施例中，为了区别上述实施例中的光调制层，本实施例中的光调制层用第八调制层241表示。

具体的，封装层300配置为透明膜层10，第八调制层241的一侧与封装层300贴合，另一侧与发光层200之间形成真空间隔空间400，通过第八调制层241提高预设波长光线在封装层300和真空间隔空间400之间的透过率，减弱预设波长光线在封装层300和真空间隔空间400之间的反射强度，减小封装层300的反射率，减弱牛顿环现象。

参见图11所示，在另一种可选的实施方式中，位于发光层200和封装层300之间的光调制层的一侧与发光层200贴合，另一侧与封装层300之间形成有真空间隔空间400。

为了区别上述实施例中的光调制层，本实施例中的光调制层用第九调制层242表示。

具体的，第九调制层242位于发光层200上，且第九调制层242的一侧与发光层200贴合，另一侧与封装层300之间形成有真空间隔空间400。这样，通过第九调制层242提高预设波长光线在真空间隔空间400和发光层200之间的透过率，减弱预设波长光线在真空间隔空间400和发光层200之间的反射强度，减小发光层200的反射率，减弱牛顿环现象。

参见图12所示，在又一种可选的实施方式中，发光层200和封装层300之间设置有两层光调制层，其中一层光调制层的一侧与封装层300贴合，另一层光调制层的一侧与发光层200贴合；两层光调制层之间形成有真空间隔空间400。

也就是说，在封装层300和真空间隔空间400之间设置第八调制层241，同时，在真空间隔空间400和发光层200之间设置第九调制层242，这样，可以提高预设波长光线在封装层300和发光层200之间的透过率，减弱预设波长光线在封装层300和发光层200之间的反射强度，减小封装层300和发光层200的反射率，减弱牛顿环现象。

在上述实施例的基础上，为了减弱牛顿环现象，还可以在真空间隔空间400内设置有若干支撑垫500，其中，如图14所示，支撑垫500可以是透明支撑垫500，支撑垫500的一端与贴合在封装层300上的第八调制层241相抵、另一端与发光层200相抵；或者，如图13所示，支撑垫500的一端与封装层300相抵、另一端与贴合在发光层200上的第九调制层242；或者，如图15所示，支撑垫500的一端与贴合在封装层300上的第八调制层241相抵、另一端与贴合在发光层200上的第九调制层242相抵，这样，通过设置支撑垫500和光调制层，可以有效的减弱牛顿环现象。

需要说明的是，发光层200一般包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层、阳极等，为了减弱牛顿环现象，也可以在发光层200的至少一相邻的两层透明膜层10之间设置光调制层，并使设置在相邻的两层透明膜层10之间的光调制层的折射率介于与光调制层相邻的两层透明膜层10的折射率之间，具体设置位置可以任意组合，对此，本实施例不做限制。

参见图16所示，显示面板还包括设置于封装层300上的触控层600，触控层600和封装层300之间设置有光调制层20，位于触控层600和封装层300之间的光调制层20的两侧分别与触控层600和封装层300贴合；位于触控层600和封装层300之间的光调制层20的折射率，大于触控层600的折射率，小于封装层300的折射率。

触控层600配置为透明膜层10，并在触控层600和封装层300之间设置有调制层，为了便于区别与上述实施例中的光调制层，本实施例中的光调制层用第十调制层25表示，通过在触控层600和封装层300之间设置第十调制层25，可以提高预设波长光线在触控层600和封装层300之间的透过率，减弱预设波长光线在触控层600和封装层300之间的反射强度，减小了触控层600的反射率和封装层300的反射率，从而减弱牛顿环现象。另外，通过在触控层600和封装层300之间设置光调制层E，还可以提高预设波长光线中各波段在触控层600和封装层300之间的透过率的均一性，提高了透过光线的色彩保真度。

实施例三

本实施例提供的显示装置，包括上述实施例一中提供的阵列基板100，或上述实施例二中提供的显示面板。

其中，阵列基板100、显示面板的结构和工作原理在实施例中已进行了详细的说明，在此，不在一一进行阐述。

本发明实施例提供的显示装置，通过在至少一相邻的两层透明膜层之间设置光调制层，且光调制层的折射率在与该光调制层相邻的两层透明膜层的折射率之间，可以提升预设波长光线在相邻透明膜层之间的透过率，减弱该预设波长光线的反射强度，即减小预设波长光线在与光调制层相邻的两层透明膜层上的反射率，从而可以使入射光谱和出射光谱接近甚至相等，进而减弱牛顿环现象，提高显示面板的显示效果。

在本说明书的描述中，参考术“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (9)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：依次层叠设置的至少两层透明膜层，所述至少两层透明膜层中，至少一相邻的两层所述透明膜层之间设置有光调制层，所述光调制层的两侧分别与该光调制层相邻的两层所述透明膜层贴合，且所述光调制层的折射率在与该所述光调制层相邻的两层所述透明膜层的折射率之间；

所述至少两层透明膜层还包括缓冲层，以及设置于所述缓冲层上的阵列电路层；

所述缓冲层和所述阵列电路层之间设置有光调制层，且位于所述缓冲层和所述阵列电路层之间的光调制层的两侧分别与所述缓冲层和所述阵列电路层贴合；

位于所述缓冲层和所述阵列电路层之间的光调制层的折射率，大于所述阵列电路层的折射率，小于所述缓冲层的折射率。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光调制层的折射率满足下列公式：

；

其中，

为夹设所述光调制层的相邻所述透明膜层中的一者的折射率，

为夹设所 述光调制层的相邻所述透明膜层中的另一者的折射率， 为所述光调制层的折射率。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述至少两层透明膜层还包括衬底，所述衬底和所述缓冲层之间设置有光调制层，且位于所述衬底和所述缓冲层之间的光调制层的两侧分别与所述衬底和所述缓冲层贴合；

位于所述衬底和所述缓冲层之间的光调制层的折射率，大于所述缓冲层的折射率，小于所述衬底的折射率；

所述缓冲层包括靠近所述衬底的第一缓冲层，以及与所述第一缓冲层平行且相对的第二缓冲层；

所述第一缓冲层和所述第二缓冲层之间设置有光调制层，且位于所述第一缓冲层和所述第二缓冲层之间的光调制层的两侧分别与所述第一缓冲层和所述第二缓冲层贴合；

位于所述第一缓冲层和所述第二缓冲层之间的光调制层的折射率，大于所述第二缓冲层的折射率，小于所述第一缓冲层的折射率；

所述第一缓冲层为氮化硅层，所述第二缓冲层为氧化硅层；

位于所述第一缓冲层和所述第二缓冲层之间的光调制层为氮氧化硅层，和/或，位于所述衬底和所述第一缓冲层之间的光调制层为氮氧化硅层。

4.一种显示面板，其特征在于，包括：如权利要求1-3任一项所述的阵列基板，设置于所述阵列基板上的发光层，以及设置于所述发光层上的封装层；

所述发光层和所述封装层之间设置有光调制层，位于所述发光层和所述封装层之间的光调制层的至少一侧与所述封装层和所述发光层贴合；且位于所述发光层和所述封装层之间的光调制层的折射率在与该所述光调制层相邻的所述封装层的折射率和所述发光层的折射率之间。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，位于所述发光层和所述封装层之间的光调制层的一侧与所述封装层贴合，另一侧与所述发光层之间形成有真空间隔空间。

6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，位于所述发光层和所述封装层之间的光调制层的一侧与所述发光层贴合，另一侧与所述封装层之间形成有真空间隔空间。

7.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述发光层和所述封装层之间设置有两层光调制层，其中一层所述光调制层的一侧与所述封装层贴合，另一层所述光调制层的一侧与所述发光层贴合；

两层所述光调制层之间形成有真空间隔空间。

8.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，还包括设置于所述封装层上的触控层，所述触控层和所述封装层之间设置有光调制层，位于所述触控层和所述封装层之间的光调制层的两侧分别与所述触控层和所述封装层贴合；

位于所述触控层和所述封装层之间的光调制层的折射率，大于所述触控层的折射率，小于所述封装层的折射率。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-3任一项所述的阵列基板，或，如权利要求4-8任一项所述的显示面板。

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