CN111477666B - 显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开一种显示面板及其制作方法、显示装置,所述显示面板包括:基板;设置在所述基板上的多个发光元件和封装层,所述多个发光元件位于所述封装层与所述基板之间;设置在所述封装层远离所述基板一侧、且与所述封装层粘结的转移层,所述转移层与所述封装层之间的粘结力大于有机胶层与所述封装层之间的粘结力,所述有机胶层被配置为在预设催化条件下发生化学反应而形成为所述转移层;设置在所述转移层远离所述基板一侧的触控结构,所述触控结构被配置为检测触摸动作的发生。

Description

显示面板及其制作方法、显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
随着有机发光二极管(Organic Light Emitting Display,OLED)显示技术的发展,OLED显示装置得到广泛应用。为了满足用户对于产品厚度及触控体验的需求,在一种生产工艺中,将触控功能层设置在OLED显示面板的封装层上。
发明内容
本公开实施例提供一种显示面板及其制作方法和显示装置。
根据本公开的第一方面,提供一种显示面板,包括:
基板;
设置在所述基板上的多个发光元件和封装层,所述多个发光元件位于所述封装层与所述基板之间;
设置在所述封装层远离所述基板一侧、且与所述封装层粘结的转移层,所述转移层与所述封装层之间的粘结力大于有机胶层与所述封装层之间的粘结力,所述有机胶层被配置为在预设催化条件下发生化学反应而形成为所述转移层;
设置在所述转移层远离所述基板一侧的触控结构,所述触控结构被配置为检测触摸动作的发生。
在一些实施例中,所述显示面板还包括:
设置在所述转移层远离所述基板一侧的绝缘间隔层,所述绝缘间隔层的致密度大于所述转移层的致密度,所述绝缘间隔层在所述基板上的正投影与所述转移层在所述基板上的正投影重合,所述触控结构设置在所述绝缘间隔层远离所述转移层的一侧。
在一些实施例中,所述绝缘间隔层包括硅的氮化物层、硅的氧化物层、硅的氮氧化物层中的一者或多者的叠层。
在一些实施例中,所述预设催化条件为紫外光固化条件或湿气固化条件。
在一些实施例中,所述基板包括显示区和环绕所述显示区的***区,所述***区包括位于显示区一侧的焊盘区,所述触控结构包括:
位于所述焊盘区的焊盘;
触控电极图形;
位于所述***区的触控信号线,所述触控信号线的一端连接所述触控电极图形,另一端连接所述焊盘。
在一些实施例中,所述触控结构还包括触控绝缘层,所述触控电极图形包括多个触控驱动电极和多个触控感应电极,
所述触控驱动电极与触控感应电极交叉设置,所述触控驱动电极与所述触控感应电极交叉处被所述触控绝缘层绝缘间隔开,每个所述触控驱动电极和每个所述触控感应电极均对应连接至少一条所述触控信号线。
在一些实施例中,所述触控驱动电极和所述触控感应电极位于不同层中。
在一些实施例中,所述触控驱动电极包括:沿第一方向排列的多个驱动电极单元、以及连接在每相邻两个所述驱动电极单元之间的桥接部;
所述触控感应电极包括:沿第二方向排列的多个感应电极单元、以及连接在每相邻两个所述感应电极单元之间的连接部;
其中,所述第一方向与所述第二方向相交叉,所述驱动电极单元、所述桥接部和所述感应电极单元均位于所述触控绝缘层远离所述基板的一侧且同层设置,所述连接部位于所述触控绝缘层与所述封装层之间。
在一些实施例中,所述触控结构还包括:位于***区的第一接地线和第二接地线,
所述第一接地线的一端与所述焊盘区中相应的焊盘连接,另一端延伸至所述显示区远离所述焊盘区的一侧;
所述第二接地线的一端与所述焊盘区中相应的焊盘连接,另一端延伸至所述显示区远离所述焊盘区的一侧;
所述第一接地线与所述第二接地线形成环绕所述显示区的半封闭结构,每条所述触控信号线均位于所述第一接地线和所述第二接地线之间。
在一些实施例中,所述第一接地线所连接的焊盘和所述第二接地线所连接的焊盘均被配置为加载接地信号。
在一些实施例中,所述第一接地线包括第一接地部,所述第二接地线包括第二接地部,所述第一接地部和所述第二接地部均位于所述显示区远离所述焊盘区的一侧,
所述第一接地部和所述第二接地部无接触,且所述第一接地部和所述第二接地部在第一方向上存在交叠,所述第一方向为由所述焊盘区指向所述显示区的方向。
在一些实施例中,所述触控结构还包括:第一防护线和第二防护线,
所述第一防护线的一端与所述焊盘区中的相应的焊盘连接,另一端延伸至所述显示区远离所述焊盘区的一侧;
所述第二防护线的一端与所述焊盘区中的相应的焊盘连接,另一端延伸至所述显示区远离所述焊盘区的一侧;
所述第一防护线和所述第二防护线形成环绕所述显示区的半封闭结构,所述第一防护线位于最靠近所述第一接地线的触控信号线与所述第一接地线之间,所述第二防护线位于最靠近所述第二接地线的触控信号线与所述第二接地线之间。
在一些实施例中,所述第一防护线所连接的焊盘和所述第二防护线所连接的焊盘均被配置为加载交流电信号。
在一些实施例中,所述第一防护线包括第一防护部,所述第二防护线包括第二防护部,所述第一防护部和所述第二防护部均位于所述显示区远离所述焊盘区的一侧,
所述第一防护部和所述第二防护部无接触,且所述第一防护部和所述第二防护部在第一方向上无交叠,所述第一方向为由所述焊盘区指向所述显示区的方向。
在一些实施例中,所述显示面板还包括:
缓冲层,设置在所述基板上;
半导体层,设置在所述缓冲层远离所述基板的一侧;
第一栅绝缘层,设置在所述半导体层远离所述基板的一侧;
第一栅电极层,设置在所述第一栅绝缘层远离所述基板的一侧;
第二栅绝缘层,设置在所述第一栅电极层远离所述基板的一侧;
第二栅电极层,设置在所述第二栅绝缘层远离所述基板的一侧;
层间绝缘层,设置在所述第二栅电极层远离所述基板的一侧;
第一源漏导电层,设置在所述层间绝缘层远离所述基板的一侧;
钝化层,设置在所述第一源漏导电层远离所述基板的一侧;
第一平坦化层,设置在所述钝化层远离所述基板的一侧;
第二源漏导电层,设置在所述第一平坦化层远离所述基板的一侧;
第二平坦化层,设置在所述第二源漏导电层远离所述基板的一侧;
像素界定层,设置在所述第二平坦化层远离所述基板的一侧,所述像素界定层包括与所述发光元件一一对应的像素开口;
其中,所述多个发光元件中的每个发光元件包括:第一电极、发光层和第二电极,所述第一电极位于所述第二平坦化层与所述像素界定层之间,所述发光层位于所述第一电极远离所述基板的一侧,所述发光层设置在相应的像素开口中,所述第二电极位于所述发光层远离所述基板的一侧,所述多个发光元件的第二电极连接为一体,形成第二电极层。
第二方面,本公开实施例提供一种显示面板的制作方法,包括:
在基板上形成多个发光元件;
在所述多个发光元件远离所述基板的一侧形成封装层;
在承载板上形成有机胶层;
在所述有机胶层远离所述承载板的一侧形成触控结构,所述触控结构被配置为检测触摸动作的发生;
将所述有机胶层与所述承载板分离,并将所述有机胶层和所述触控结构转移至所述封装层上;
向所述有机胶层施加预设催化条件,以使所述有机胶层发生化学反应而粘性增强,从而形成为转移层,所述转移层与所述封装层之间的粘结力大于有机胶层与封装层之间的粘结力。
在一些实施例中,所述在承载板上形成有机胶层的步骤与所述在所述有机胶层远离所述承载板的一侧形成触控结构的步骤之间还包括:
形成绝缘间隔层,所述绝缘间隔层的致密度大于所述有机胶层的致密度,且所述绝缘间隔层的一部分超出所述有机胶层的边界,以使所述绝缘间隔层超出所述有机胶层边界的部分与所述承载板连接;
所述在有机胶层远离所述承载板的一侧形成触控结构的步骤与所述将有机胶层与所述承载板分离的步骤之间,还包括:
至少将所述绝缘间隔层超出所述有机胶层边界的部分去除。
在一些实施例中,至少将所述绝缘间隔层超出所述有机胶层边界的部分去除的步骤包括:
沿预设切割线对所述绝缘间隔层和所述有机胶层切割,其中,所述预设切割线位于所述有机胶层边界的靠近所述有机胶层中心的一侧。
第三方面,本公开实施例还提供一种显示装置,包括上述显示面板。
附图说明
附图是用来提供对本公开的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本公开,但并不构成对本公开的限制。在附图中:
图1为本公开的一些实施例中提供的显示面板的结构示意图。
图2为本公开的一些实施例中提供的显示面板的平面图。
图3为沿图2中AA’线的剖视图。
图4本公开的另一些实施例中提供的显示面板的平面图。
图5为沿图4中BB'线的剖视图。
图6为本公开的一些实施例中提供的显示面板的制作方法流程图。
图7A至图7M为本公开的一些实施例中提供的显示面板的制作方法的过程示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本公开的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本公开,并不用于限制本公开。
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
这里用于描述本公开的实施例的术语并非旨在限制和/或限定本公开的范围。例如,除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。应该理解的是,本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。除非上下文另外清楚地指出,否则单数形式“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制,而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同,并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则所述相对位置关系也可能相应地改变。
在下面的描述中,当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”或“连接到”另一元件或层时,该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到所述另一元件或层,或者可以存在中间元件或中间层。然而,当元件或层被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”另一元件或层时,不存在中间元件或中间层。术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任意和全部组合。
图1为本公开的一些实施例中提供的显示面板的结构示意图,如图1所示,显示面板包括基板SUB、发光结构层10、封装层EPL、转移层20和触控结构40,发光结构层10包括多个发光元件,多个发光元件和封装层EPL设置在基板SUB上,多个发光元件位于封装层EPL与基板SUB之间。发光元件可以为有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED),有机发光二极管可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。封装层EPL用于对发光元件进行封装,以防止外界环境中的水汽和/或氧气侵蚀发光元件。
转移层20设置在封装层EPL远离基板SUB一侧且与封装层EPL粘结,转移层20为位于封装层EPL上的有机胶层在预设催化条件下发生化学反应而形成的膜层。转移层20的粘性更大,转移层20与封装层EPL之间的粘结力大于有机胶层与封装层EPL之间的粘结力。即,有机胶层被配置为在预设催化条件下发生化学反应而形成为转移层20。在未施加预设催化条件的情况下,有机胶层与封装层EPL之间无粘结力或粘结力较小;在施加预设催化条件后,有机胶层发生化学反应而粘性增强,从而使得发生化学反应后的有机胶层(即上述转移层20)与封装层EPL之间的粘结力增大。例如,有机胶层为未完全固化的有机复合材料膜层,在预设催化条件下,有机胶层进一步固化,形成为上述转移层20。
触控结构40设置在转移层20远离基板SUB的一侧,触控结构40被配置为检测触摸动作的发生。例如,触控结构40包括触控电极图形、触控信号线,触控电极图形接收触控驱动信号,并根据触摸动作产生触控感应信号。例如触控结构40被配置为检测触摸位置、触摸力度等等。
在触控电极图形和触控信号线的形成过程中,需要对导电材料进行刻蚀,以形成所需要的图形。当触控结构40直接形成在封装层EPL上时,刻蚀过程中容易对封装层EPL及其与基板SUB之间的各结构造成损伤。并且,当采用氧化铟锡(ITO)等透明导电材料制作触控电极图形时,需要对氧化铟锡进行高温退火,以降低触控电极图形的电阻。对氧化铟锡进行高温退火时,也很容易对封装层EPL及其与基板SUB之间的各结构造成损伤。
在本公开实施例中,触控结构40设置在转移层20远离基板SUB的一侧,并且,转移层20由位于封装层EPL上的有机胶层在预设催化条件下发生化学反应而形成,转移层20与封装层EPL之间的粘结力大于有机胶层与封装层EPL之间的粘结力。因此,在显示面板的制作过程中,可以先在另外的承载板上形成粘性较小的有机胶层,再在有机胶层上形成触控结构40,之后将有机胶层和触控结构40转移至封装层EPL上,并向有机胶层施加预设催化条件,以使有机胶层形成为紧密连接在封装层EPL上的转移层20。这种情况下,在制作触控结构40时,触控结构40的刻蚀过程或高温退火过程并不会对封装层EPL及封装层EPL与基板SUB之间的膜层造成损伤,从而有利于提高显示面板的产品良率。
在一些实施例中,上述预设催化条件包括光固化(例如,紫外光照固化)条件或湿气固化条件。
在一些实施例中,如图1所示,显示面板还包括绝缘间隔层30,绝缘间隔层30的致密度大于转移层20的致密度,绝缘间隔层30在基板SUB上的正投影与转移层20在基板SUB上的正投影重合,触控结构40设置在绝缘间隔层30远离转移层20的一侧。在显示面板的制作过程中,在承载板上形成有机胶层后,可以再形成致密度较高的绝缘间隔层30,并使绝缘间隔层30的一部分超出有机胶层的边界,从而使绝缘间隔层30超出有机胶层边界的部分可以与承载板固定连接,进而将有机胶层固定在承载板上。而在将有机胶层转移至封装层上时,至少将绝缘间隔层30超出有机胶层边界的部分去除,以便于将有机胶层与承载板进行分离。
需要说明的是,图1仅简单示意出基板SUB、发光结构层10(即多个发光元件)、封装层EPL、转移层20、绝缘间隔层30和触控结构40的位置关系,而基板SUB与发光元件之间并不是直接接触的,二者之间形成有其他膜层结构,具体将在下文进行描述。
图2为本公开的一些实施例中提供的显示面板的平面图,图3为沿图2中AA’线的剖视图,图4本公开的另一些实施例中提供的显示面板的平面图,图5为沿图4中BB'线的剖视图,下面结合图2至图5对本公开实施例中的显示面板进行介绍。
在一些实施例中,基板SUB包括显示区DA和环绕显示区DA的***区WA,***区WA包括位于显示区DA一侧的焊盘区BA,触控结构40包括:焊盘PAD、触控电极图形(如图2和图4中的触控驱动电极TX和触控感应电极RX)和触控信号线TL。焊盘PAD位于焊盘区BA,触控电极图形基本位于显示区DA,触控信号线TL位于***区WA。触控信号线TL的一端连接触控电极图形,另一端连接焊盘PAD。
焊盘PAD不被任何层覆盖,这样便于电连接到柔性印刷电路板FPCB(FlexiblePrint Circuit Board)。柔性印刷电路板FPCB与触控驱动芯片电连接,被配置为传输来自触控驱动芯片的信号。触控信号线TL与焊盘PAD和触控电极图形电连接,从而实现触控电极图形与柔性印刷电路板FPCB之间的信号传输。
其中,触控电极图形可以采用互电容型结构,也可以采用自电容型结构。本公开实施例以互电容型结构为例进行说明。
如图3和图5所示,触控结构40还包括触控绝缘层TLD,触控绝缘层TLD的材料可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和/或氮氧化硅(SiON)的无机材料,并且可以形成为多层或单层。当然,触控绝缘层TLD也可以采用有机材料制成。
触控电极图形包括多个触控驱动电极TX和多个触控感应电极RX。触控驱动电极TX与触控感应电极RX交叉设置,触控驱动电极TX与触控感应电极RX交叉处被触控绝缘层TLD绝缘间隔开,每个触控驱动电极TX和每个触控感应电极RX对应连接至少一条触控信号线TL。
触控驱动电极TX和触控感应电极RX的交叉位置形成触控电容,在进行触控感应时,触控驱动芯片依次向多个触控驱动电极TX对应的焊盘PAD提供触控驱动信号,从而使各触控驱动电极TX依次加载触控驱动信号,而触控感应电极RX上则产生相应的感应信号。当有触摸发生时,人体或触控笔靠近触控区,使得该区域中的触控电容发生变化,从而使得相应位置的触控感应电极RX的感应信号发生变化,进而使触控驱动芯片根据变化的感应信号确定触摸位置。
在一些实施例中,如图5所示,触控驱动电极TX和触控感应电极RX位于不同层中。例如,触控驱动电极TX和触控感应电极RX均为条形电极,触控绝缘层至少覆盖显示区。
例如,触控驱动电极TX和触控感应电极RX均采用透明电极;或者,均采用金属网电极;或者,触控驱动电极TX和触控感应电极RX中的一者采用透明电极,另一者采用金属网电极。可选地,透明电极为氧化铟锡(ITO)等透明导电材料制成的电极,金属网电极为采用铝或铜等金属材料制成的网格状金属。
在另一些实施例中,如图2和图3所示,触控驱动电极TX包括:沿第一方向排列的多个驱动电极单元TX1、以及连接在每相邻两个驱动电极单元TX1之间的桥接部TX2。触控感应电极RX包括:沿第二方向排列的多个感应电极单元RX1、以及连接在每相邻两个感应电极单元RX1之间的连接部RX2。其中,第一方向与第二方向相交叉,驱动电极单元TX1和触控感应电极RX均位于触控绝缘层TLD与封装层EPL之间且同层设置,桥接部TX2位于触控绝缘层TLD与封装层EPL之间。例如,第一方向为图2中的左右方向,第二方向为图2中的上下方向。需要说明的是,图2和图3中所示的触控驱动电极TX和触控感应电极RX仅为示例性说明,并不构成对本公开的限制。例如,还可以使连接部RX2位于触控绝缘层TLD远离基板SUB的一侧,桥接部TX2位于触控绝缘层TLD靠近基板SUB的一侧。又例如,将相邻的驱动电极单元TX1通过异层设置的连接部RX2连接,将相邻的感应电极单元RX1利用同层的桥接部TX2连接。
例如,驱动电极单元TX1和感应电极单元RX1均为透明电极,或者,驱动电极单元TX1和感应电极单元RX1均为金属网电极。桥接部TX2采用与驱动电极单元TX1相同的材料制作,连接部RX2可以采用金属材料制作。
在一些实施例中,如图2和图4所示,触控结构40还包括:位于***区WA的第一接地线GDL1和第二接地线GDL2。第一接地线GDL1的一端与焊盘区BA中相应的焊盘PAD连接,另一端延伸至显示区DA远离焊盘区BA的一侧。第二接地线GDL2的一端与焊盘区BA中相应的焊盘PAD连接,另一端延伸至显示区DA远离焊盘区BA的一侧。第一接地线GDL1与第二接地线GDL2形成环绕显示区DA的半封闭结构,每条触控信号线TL均位于第一接地线GDL1与第二接地线GDL2之间。其中,第一接地线GDL1所连接的焊盘PAD和第二接地线GDL2所连接的焊盘PAD均被配置为加载接地信号,具体地,第一接地线GDL1所连接的焊盘PAD和第二接地线GDL2所连接的焊盘PAD均与触控驱动芯片上的接地端连接,从而防止触控电极图形和触控信号线TL受到外界的静电干扰或其他干扰。第一接地线GDL1未连接焊盘PAD的一端和第二接地线GDL2未连接焊盘PAD的一端相间隔设置。
例如,第一接地线GDL1包括第一接地部,该第一接地部位于显示区DA远离焊盘区BA的一侧,即,第一接地部为图2中第一接地线GDL1位于显示区DA上方的部分。第二接地线GDL2包括第二接地部,该第二接地部位于显示区DA远离焊盘区BA的一侧,即,第二接地部为图2中第二接地线GDL2位于显示区DA上方的部分。第一接地部和第二接地部无接触,且第一接地部和第二接地部在第一方向上存在交叠,所述第一方向为由焊盘区BA指向显示区DA的方向(即,图2中从下向上的方向)。即,第二接地部的一部分位于第一接地部的上方。
在一些实施例中,如图2和图4所示,触控结构40还包括:第一防护线Guard1和第二防护线Guard2,第一防护线Guard1的一端与焊盘区BA中的相应的焊盘PAD连接,另一端延伸至显示区DA远离焊盘区BA的一侧。第二防护线Guard2的一端与焊盘区BA中相应的焊盘PAD连接,另一端延伸至显示区DA远离焊盘区BA的一侧。第一防护线Guard1和第二防护线Guard2形成环绕显示区DA的半封闭结构,第一防护线Guard1位于最靠近第一接地线GDL1的触控信号线TL与第一接地线GDL1之间,第二防护线Guard2位于最靠近第二接地线GDL2的触控信号线TL与第二接地线GDL2之间。第一防护线Guard1所连接的焊盘PAD和第二防护线Guard2所连接的焊盘PAD均被配置为加载交流电信号,该交流电信号可以由触控驱动芯片根据触控驱动信号进行设置,以防止触控信号线TL上的信号受到干扰。
例如,第一防护线Guard1包括第一防护部,该第一防护部位于显示区DA远离焊盘区BA的一侧,即,第一防护部为图2中第一防护线Guard1位于显示区DA上方的部分。第二防护线Guard2包括第二防护部,该第二防护部位于显示区DA远离焊盘区BA的一侧,即,第二防护部为图2中第二防护线Guard2位于显示区DA上方的部分。所述第一防护部和所述第二防护部无接触,且所述第一防护部和所述第二防护部在第一方向上无交叠,所述第一方向为由焊盘区BA指向显示区DA的方向(即,图2中从下向上的方向)。
在一些实施例中,基板SUB为柔性基板SUB,其可以采用柔性的有机材料制成,从而有利于显示面板的弯折。例如,该有机材料为聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯等树脂类材料。
如图3和图5所示,第一缓冲层BFL1设置在基板SUB上,用于防止或减少金属原子和/或杂质从基板SUB扩散到晶体管的有源层中。例如,第一缓冲层BFL1可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和/或氮氧化硅(SiON)的无机材料,并且可以形成为多层或单层。
半导体层设置在第一缓冲层BFL1上。半导体层的材料可以包括例如无机半导体材料(例如,多晶硅、非晶硅等)、有机半导体材料、氧化物半导体材料。半导体层包括各晶体管50的有源层51,有源层51包括沟道部和位于该沟道部两侧的源极桥接部和漏极桥接部,源极桥接部与晶体管50的源极53连接,漏极桥接部与晶体管50的漏极54连接。源极桥接部和漏极桥接部均可以掺杂有比沟道部的杂质浓度高的杂质(例如,N型杂质或P型杂质)。沟道部与晶体管50的栅极52正对,当栅极52加载的电压信号达到一定值时,沟道部中形成载流子通路,形成使晶体管50的源极53和漏极54导通。
第一栅绝缘层GI1设置在半导体层上,第一栅绝缘层GI1的材料可以包括硅化合物、金属氧化物。例如,第一栅绝缘层GI1的材料包括氮氧化硅(SiON)、氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、碳氧化硅(SiOxCy)、氮碳化硅(SiCxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化钛(TiOx)等。另外,第一栅绝缘层GI1可以为单层或多层。
第一栅电极层G1设置在第一栅绝缘层GI1上。其中,第一栅电极层G1包括各晶体管50的栅极52、电容70的第一电极板71,另外还包括扫描线(未示出)。第一栅电极层G1的材料可以包括例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。例如,第一栅电极层G1可以包括金(Au)、金的合金、银(Ag)、银的合金、铝(Al)、铝的合金、氮化铝(AlNx)、钨(W)、氮化钨(WNx)、铜(Cu)、铜的合金、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrNx)、钼(Mo)、钼的合金、钛(Ti)、氮化钛(TiNx)、铂(Pt)、钽(Ta)、氮化钽(TaNx)、钕(Nd)、钪(Sc)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。第一栅电极层G1可以具有单层或多层。
第二栅绝缘层GI2设置在第一栅电极层G1上,第二栅绝缘层GI2的材料可以包括例如硅化合物、金属氧化物。例如,第二栅绝缘层GI2的材料可以包括氮氧化硅(SiON)、氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、碳氧化硅(SiOxCy)、氮碳化硅(SiCxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化钛(TiOx)等。第二栅绝缘层GI2可以形成为单层或多层。
第二栅电极层G2设置在第二栅绝缘层GI2上。第二栅电极层G2可以包括电容70的第二电极板72。第二栅电极层G2的材料可以包括例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。例如,栅电极层可以包括金(Au)、金的合金、银(Ag)、银的合金、铝(Al)、铝的合金、氮化铝(AlNx)、钨(W)、氮化钨(WNx)、铜(Cu)、铜的合金、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrNx)、钼(Mo)、钼的合金、钛(Ti)、氮化钛(TiN x)、铂(Pt)、钽(Ta)、氮化钽(TaNx)、钕(Nd)、钪(Sc)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。第二栅电极层G2可以具有单层或多层。
层间绝缘层ILD设置第二栅电极层G2上,层间绝缘层ILD的材料可以包括例如硅化合物、金属氧化物等。具体可以选择上文所列举的硅化合物和金属氧化物,这里不再赘述。
第一源漏导电层SD1设置在层间绝缘层ILD上。第一源漏导电层SD1可以包括显示区DA中的各晶体管的源极53和漏极54,源极53与源极桥接部电连接,漏极54与漏极桥接部电连接。第一源漏导电层SD1可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等,例如,第一源漏导电层SD1可以为金属构成的单层或多层,例如为Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti。图3和图5所示的晶体管50包括栅极52、源极53、漏极54和有源层51。另外,第一源漏导电层SD1还可以包括第一电源线、第二电源线和数据线(未示出),栅线和数据线将显示区划分为多个像素单元,每个像素单元中设置有发光元件和像素驱动电路,像素驱动电路包括多个晶体管,图3和图5所示的晶体管为像素驱动电路中的其中一个晶体管。第一电源线用于向像素电路提供高电平信号,第二电源线用于向发光元件提供低电平信号。
钝化层PVX设置在第一源漏导电层SD1上,钝化层PVX的材料可以包括硅的化合物,例如,氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
第一平坦化层PLN1设置在钝化层PVX远离基板SUB的一侧,第一平坦化层PLN1的远离基板SUB的表面基本平坦。第一平坦化层PLN1采用有机绝缘材料制成,例如,该有机绝缘材料包括聚酰亚胺、环氧树脂、压克力、聚酯、光致抗蚀剂、聚丙烯酸酯、聚酰胺、硅氧烷等树脂类材料等。再例如,该有机绝缘材料包括弹性材料,例如、氨基甲酸乙酯、热塑性聚氨酯(TPU)等。
第二源漏导电层SD2设置在第一平坦化层PLN1远离基板SUB的一侧。第二源漏导电层SD2可以包括位于显示区DA内的转接电极60。其中,转接电极60通过贯穿第一平坦化层PLN1和钝化层PVX的过孔与漏极54电连接,同时,转接电极60还通过贯穿第二平坦化层PLN2的过孔与发光元件的第一电极51电连接。转接电极60可以避免直接在第一平坦化层PLN1和第二平坦化层PLN2中形成孔径比较大的过孔,从而改善过孔电连接的质量。第二源漏导电层SD2的材料可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等,例如,第二源漏导电层SD2可以为金属构成的单层或多层,例如为Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti。第二源漏导电层SD2的材料可以与第一源漏导电层SD1的材料相同或不同。
第二平坦化层PLN2设置在第二源漏导电层SD2上,第二平坦化层PLN2覆盖转接电极60,并且第二平坦化层PLN2的上表面基本平坦。第二平坦化层PLN2采用有机绝缘材料制成,例如,该有机绝缘材料包括聚酰亚胺、环氧树脂、压克力、聚酯、光致抗蚀剂、聚丙烯酸酯、聚酰胺、硅氧烷等树脂类材料等。再例如,该有机绝缘材料包括弹性材料,例如、氨基甲酸乙酯、热塑性聚氨酯(TPU)等。第二平坦化层PLN2的材料可以与第一平坦化层PLN1的材料相同或不同。
像素界定层PDL设置在第二平坦化层PLN2远离基板SUB的一侧。像素界定层PDL包括与发光元件一一对应的像素开口。像素界定层PDL的材料可以包括聚酰亚胺、聚酞亚胺、聚酞胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯或酚醛树脂等有机绝缘材料。
发光元件11包括第一电极11a、发光层11c和第二电极11b,第一电极11a位于第二平坦化层PLN2与像素界定层之间PDL,发光层11c位于相应的像素开口中,第二电极11b位于发光层11c远离基板的一侧。显示区DA中所有发光元件11的第二电极11b连接为一体,形成第二电极层。其中,第一电极11a为发光元件的阳极,第二电极11b为阴极。第一电极11a通过贯穿第二平坦化层PLN2的过孔与转接电极60电连接,进而与晶体管50的漏极54电连接。第一电极51可以采用例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等材料制成。第一电极51可以为单层或多层结构。第一电极51的一部分被像素开口暴露出。
发光层11c可以包括小分子有机材料或聚合物分子有机材料,可以为荧光发光材料或磷光发光材料,可以发红光、绿光、蓝光,或可以发白光。第二电极11b位于发光层11c的远离基板SUB的一侧,第二电极11b可以采用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等制成。本公开实施例中,发光元件11可以采用顶发射型结构或底发射型结构。当采用顶发射型结构时,第一电极11a包括具有光反射性能的导电材料或者包括光反射膜,第二电极11b包括透明或半透明的导电材料。当采用底发射型结构时,第二电极11b包括光反射性能的导电材料制成或者包括光反射膜,第一电极11a包括透明或半透明的导电材料。
需要说明的是,发光元件11还可以包括其他膜层,例如,还可以包括:位于第一电极11a与发光层11c之间的空穴注入层和空穴传输层,以及位于发光层11c与第二电极11b之间的电子传输层和电子注入层。
在一些实施例中,封装层EPL包括第一无机封装层CVD1、第二无机封装层CVD2和有机封装层IJP,第二无机封装层CVD2位于第一无机封装层CVD1的远离基板SUB的一侧,有机封装层IJP位于第一无机封装层CVD1和第二无机封装层CVD2之间。第一无机封装层CVD1和第二无机封装层CVD2均可以采用氮氧化硅(SiON)、氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等致密性高的无机材料制成。有机封装层IJP可以采用含有干燥剂的高分子材料制成,或采用可阻挡水汽的高分子材料制成。例如,采用高分子树脂,从而可以缓解第一无机封装层CVD1和第二无机封装层CVD2的应力,还可以包括干燥剂等吸水性材料以吸收侵入内部的水、氧等物质。
上覆层OC设置在触控结构40远离基板SUB的一侧。上覆层OC覆盖触控驱动电极TX、触控感应电极RX、触控信号线TL、第一接地线GDL1和第二接地线GDL2。上覆层OC的材料可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。
本公开实施例的柔性基板SUB上设置有第一栅绝缘层GI1、第二栅绝缘层GI2、缓冲层BFL,然而,可以理解的是,在一些示例中,这些层可以根据实际需要进行删减或增加,本公开对此不作具体限定。
另外,在一些示例中,可以省去第二平坦化层PNL2和转接电极60,这种情况下,第一电极11a直接设置在第一平坦化层PNL1上,并通过PNL1上的过孔与漏极54电连接。
本公开实施例还提供一种上述显示面板的制作方法,图6为本公开的一些实施例中提供的显示面板的制作方法流程图,如图6所示,该制作方法包括:
S11、在基板上形成多个发光元件。
S12、在多个发光元件远离基板的一侧形成封装层。
S13、在承载板上形成有机胶层。
S14、在有机胶层远离承载板的一侧形成触控结构,触控结构被配置为检测触摸动作的发生。
S15、将有机胶层与承载板分离,并将有机胶层和触控结构转移至封装层上。
S16、向有机胶层施加预设催化条件,以使有机胶层发生化学反应而粘性增强,从而形成为转移层,转移层与封装层之间的粘结力大于有机胶层与封装层之间的粘结力。
在本公开实施例中,触控结构并直接制作在封装层上,因此,触控结构的刻蚀过程和高温退火过程并不会对封装层以及封装层与基板之间的膜层造成损伤,从而有利于提高显示面板的产品良率。
需要说明的是,在本公开实施例中,步骤S13与步骤S11、S12的先后顺序不作特别限定,步骤S13可以在步骤S11~S12之前进行,也可以在步骤S11~S12之后进行。
在一些实施例中,预设催化条件包括光固化(例如,紫外光照固化)条件或湿气固化条件。
在一些实施例中,承载板采用强度大、更耐高温的材料,例如,承载板为玻璃基板。
在一些实施例中,步骤S13和步骤S14之间还包括:S131、形成绝缘间隔层,绝缘间隔层的致密度大于有机胶层的致密度,且绝缘间隔层的一部分超出有机胶层的边界,以使绝缘间隔层超出有机胶层边界的部分与承载板连接,从而使绝缘间隔层和有机胶层稳定地固定在承载板上,以便于形成触控结构。
可选地,绝缘间隔层包括硅的氮化物层、硅的氧化物层、硅的氮氧化物层中的一者或多者的叠层。例如,绝缘间隔层采用等离子体增强化学气相沉积(plasma enhancedchemical vapor deposition,PECVD)形成。
步骤S14与步骤S15之间还包括:S141、至少将绝缘间隔层超出有机胶层边界的部分去除,以便于将有机胶层与承载板进行分离。在一些实施例中,步骤S141具体包括:沿预设切割线对绝缘间隔层和有机胶层进行切割,其中,切割线位于有机胶层边界的内侧。
图7A至图7M为本公开的一些实施例中提供的显示面板的制作方法的过程示意图,如图7A至图7M所示,显示面板的制作方法包括:
S21a、在基板上形成缓冲层BFL,如图7A所示。
S21b、如图7B所示,在缓冲层BFL远离所述基板SUB的一侧形成半导体层。半导体层包括各晶体管的有源层51,有源层51包括沟道部和位于该沟道部两侧的源极桥接部和漏极桥接部。
可选地,利用溅射、热蒸发、等离子体增强化学气相沉积(plasma enhancedchemical vapor deposition,PECVD)、低压化学气相沉积(low pressure chemical vapordeposition,LPCVD)、大气压化学气相沉积(atmospheric pressure chemical vapordeposition,APCVD)或电子回旋谐振化学气相沉积(electron cyclotron resonancechemical vapor deposition,ECR-CVD)等工艺形成半导体层。
S21c、如图7C所示,然后,在半导体层远离基板SUB的一侧形成第一栅绝缘层GI1;之后,在第一栅绝缘层GI1远离基板SUB的一侧形成第一栅电极层G1;之后,在第一栅电极层G1远离基板SUB的一侧形成第二栅绝缘层GI2;之后,在第二栅绝缘层GI2远离基板SUB的一侧形成第二栅电极层G2;之后,在第二栅电极层G2远离基板SUB的一侧形成层间绝缘层ILD;之后,在层间绝缘层ILD远离基板SUB的一侧形成第一源漏导电层SD1。
其中,第一栅电极层G1包括各晶体管50的栅极52、电容70的第一电极板71。第二栅电极层可以包括电容70的第二电极板72。
其中,第一栅绝缘层GI1、第一栅电极层G1、第二栅绝缘层GI2、第二栅电极层G2、层间绝缘层ILD、第一源漏导电层SD1的材料均参见上文中的描述,这里不再赘述。可选地,利用磁控溅射等物理气相沉积方法形成第一栅电极层G1、第二栅电极层G2和第一源漏导电层SD1。利用PECVD形成第一栅绝缘层、第二栅绝缘层GI2和层间绝缘层ILD。第一源漏导电层SD1可以包括显示区中的各晶体管的源极53和漏极54,源极53通过贯穿层间绝缘层ILD、第二栅绝缘层GI2和第一栅绝缘层GI1的过孔与有源层51的源极桥接部连接,漏极54通过贯穿层间绝缘层ILD、第二栅绝缘层GI2和第一栅绝缘层GI1的过孔与有源层51的漏极桥接部连接。
S21d、如图7D所示,在第一源漏导电层SD1远离基板SUB的一侧形成钝化层PVX,之后,形成第一平坦化层PLN1。
S21e、如图7E所示,在第一平坦化层PLN1远离基板SUB的一侧形成第二源漏导电层SD2。第二源漏导电层SD2包括转接电极60,转接电极60通过贯穿第一平坦化层PLN1和钝化层PVX的过孔与漏极54电连接。第二源漏导电层SD2的材料参见上文说明,这里不再赘述。
S21f、如图7F所示,在第二源漏导电层SD2远离基板SUB的一侧形成第二平坦化层PLN2。
S21g、如图7G所示,形成多个发光元件中的每个发光元件的第一电极11a。第一电极11a通过第二平坦化层PLN2上的过孔与转接电极60连接。
S21h、如图7H所示,在第二平坦化层PLN2远离基板SUB的一侧形成像素界定层PDL,像素界定层PDL包括与发光元件一一对应的像素开口V。发光元件的第一电极11a位于第二平坦化层PLN2与像素界定层PDL之间,且第一电极11a的一部分被相应的像素开口V暴露出。
S21i、如图7I所示,形成多个发光元件11中的每个发光元件11的发光层11c,发光层11c位于第一电极11a远离基板SUB的一侧,发光层11c位于相应的像素开口中。发光层11c可以采用蒸镀的方式形成。之后,形成多个发光元件11中的每个发光元件11的第二电极11b,多个发光元件11的第二电极11b连接为一体,形成第二电极层。
其中,形成多个发光元件的步骤即为步骤S21g和S21i。
其中,第二源漏导电层SD2、第一电极11a、第二电极11b可以利用磁控溅射等物理气相沉积方法形成。第一平坦化层PLN1、第二平坦化层PLN2和像素界定层PDL可以采用喷墨打印的方式形成。
S22、如图7J所示,在多个发光元件11远离基板SUB的一侧形成封装层EPL。其中,封装层EPL包括第一无机封装层CVD1、第二无机封装层CVD2和位于第一无机封装层CVD1和第二无机封装层CVD2之间的有机封装层IJP。
S23、如图7K所示,在承载板80上依次形成有机胶层21和绝缘间隔层30,该绝缘间隔层30的致密度大于有机胶层21的致密度,且绝缘间隔层30的一部分超出有机胶层21的边界,以使绝缘间隔层30超出有机胶层21边界的部分与承载板80连接。例如,绝缘间隔层包括硅的氮化物层、硅的氧化物层、硅的氮氧化物层中的一者或多者的叠层。
S24、如图7L所示,在绝缘间隔层30远离承载板80的一侧形成触控结构40。具体地,触控结构40参见图2和图4中所示,包括焊盘PAD、触控电极图形(即触控驱动电极TX和触控感应电极RX)、触控信号线TL、触控绝缘层TLD。相应地,步骤S24包括:在绝缘间隔层30远离承载板80的一侧形成焊盘PAD、触控电极图形、触控信号线TL。其中,焊盘PAD位于有机胶层21的与焊盘区PAD对应的位置;多条触控信号线TL中的每条触控信号线TL的一端连接触控电极图形,另一端连接焊盘PAD。进一步具体地,触控电极图形包括多个触控驱动电极TX和多个触控感应电极RX,触控驱动电极TX与触控感应电极RX交叉设置并绝缘间隔。每个触控驱动电极TX和每个触控感应电极RX均对应连接至少一条触控信号线TL。步骤S24还包括:形成图2或图5中的触控绝缘层TLD,触控驱动电极TX与触控感应电极RX交叉处被触控绝缘层TLD绝缘间隔开。
在一些实施例方式中,如图5所示,触控驱动电极TX和触控感应电极RX位于不同层中。
在另一些实施方式中,如图3所示,触控驱动电极TX包括:沿第一方向排列的多个驱动电极单元TX1、以及连接在每相邻两个驱动电极单元TX1之间的桥接部TX2。触控感应电极RX包括:沿第二方向排列的多个感应电极单元RX1、以及连接在每相邻两个感应电极单元RX1之间的连接部RX2。其中,第一方向与第二方向相交叉,驱动电极单元TX1和触控感应电极RX均位于触控绝缘层TLD与封装层EPL之间,连接部RX2位于触控绝缘层TLD与封装层EPL之间,即,驱动电极单元TX1先于桥接部TX2形成。
另外,在一些实施例中,步骤S25还包括:形成第一接地线和第二接地线,形成第一接地线和第二接地线。第一接地线和第二接地线的位置和连接关系如图3和图5中所示,第一接地线GDL1的一端与相应的焊盘PAD连接,另一端延伸至触控电极图形远离焊盘区BA的一侧;第二接地线GDL2的一端与相应的焊盘PAD连接,另一端延伸至触控电极图形远离焊盘区BA的一侧;第一接地线GDL1与第二接地线GDL2形成环绕触控电极图形的半封闭结构,每条触控信号线TL均位于第一接地线GDL1和第二接地线GDL2之间。
另外,步骤S24还可以包括:形成第一防护线Guard1和第二防护线Guard2,第一防护线Guard1和第二防护线Guard2的连接关系已在上文描述,这里不再赘述。其中,第一防护线Guard1和第二防护线Guard2可以与第一接地线GDL1、第二接地线GDL2同步制作。
S25、至少将绝缘间隔层TLD超出有机胶层21边界的部分去除。可选地,如图7L所示,该步骤S25包括:沿预设切割线CL对绝缘间隔层30和有机胶层21切割,其中,预设切割线CL位于有机胶层21边界的靠近所述有机胶层中心的一侧。
S26、将有机胶层21与承载板80分离,并将有机胶层21和触控结构40转移至封装层EPL上;之后,向有机胶层21施加预设催化条件,以使有机胶层21发生化学反应而形成为转移层20,转移层20与封装层EPL之间的粘结力大于有机胶层21与封装层EPL之间的粘结力,如图7M所示。
之后,形成上覆层OC,当然,上覆层OC也可以在步骤S26之前形成。
本公开实施例还提供一种显示装置,其包括上述任一实施例的显示面板。该显示装置可以为OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式,然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本公开的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本公开的保护范围。

Claims (17)

1.一种显示面板,包括:
基板;
设置在所述基板上的多个发光元件和封装层,所述多个发光元件位于所述封装层与所述基板之间;
设置在所述封装层远离所述基板一侧、且与所述封装层粘结的转移层,所述转移层与所述封装层之间的粘结力大于有机胶层与所述封装层之间的粘结力,所述有机胶层被配置为在预设催化条件下发生化学反应而形成为所述转移层;
设置在所述转移层远离所述基板一侧的触控结构,所述触控结构被配置为检测触摸动作的发生;
设置在所述转移层远离所述基板一侧的绝缘间隔层,所述绝缘间隔层的致密度大于所述转移层的致密度,所述绝缘间隔层在所述基板上的正投影与所述转移层在所述基板上的正投影重合,所述触控结构设置在所述绝缘间隔层远离所述转移层的一侧。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述绝缘间隔层包括硅的氮化物层、硅的氧化物层、硅的氮氧化物层中的一者或多者的叠层。
3.根据权利要求1至2中任意一项所述的显示面板,其中,所述预设催化条件为紫外光固化条件或湿气固化条件。
4.根据权利要求1至2中任意一项所述的显示面板,其中,所述基板包括显示区和环绕所述显示区的***区,所述***区包括位于显示区一侧的焊盘区,所述触控结构包括:
位于所述焊盘区的焊盘;
触控电极图形;
位于所述***区的触控信号线,所述触控信号线的一端连接所述触控电极图形,另一端连接所述焊盘。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其中,所述触控结构还包括触控绝缘层,所述触控电极图形包括多个触控驱动电极和多个触控感应电极,
所述触控驱动电极与触控感应电极交叉设置,所述触控驱动电极与所述触控感应电极交叉处被所述触控绝缘层绝缘间隔开,每个所述触控驱动电极和每个所述触控感应电极均对应连接至少一条所述触控信号线。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其中,所述触控驱动电极和所述触控感应电极位于不同层中。
7.根据权利要求5所述的显示面板,其中,所述触控驱动电极包括:沿第一方向排列的多个驱动电极单元、以及连接在每相邻两个所述驱动电极单元之间的桥接部;
所述触控感应电极包括:沿第二方向排列的多个感应电极单元、以及连接在每相邻两个所述感应电极单元之间的连接部;
其中,所述第一方向与所述第二方向相交叉,所述驱动电极单元、所述桥接部和所述感应电极单元均位于所述触控绝缘层远离所述基板的一侧且同层设置,所述连接部位于所述触控绝缘层与所述封装层之间。
8.根据权利要求4所述的显示面板,其中,所述触控结构还包括:位于***区的第一接地线和第二接地线,
所述第一接地线的一端与所述焊盘区中相应的焊盘连接,另一端延伸至所述显示区远离所述焊盘区的一侧;
所述第二接地线的一端与所述焊盘区中相应的焊盘连接,另一端延伸至所述显示区远离所述焊盘区的一侧;
所述第一接地线与所述第二接地线形成环绕所述显示区的半封闭结构,每条所述触控信号线均位于所述第一接地线和所述第二接地线之间。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其中,所述第一接地线所连接的焊盘和所述第二接地线所连接的焊盘均被配置为加载接地信号。
10.根据权利要求8所述的显示面板,其中,所述第一接地线包括第一接地部,所述第二接地线包括第二接地部,所述第一接地部和所述第二接地部均位于所述显示区远离所述焊盘区的一侧,
所述第一接地部和所述第二接地部无接触,且所述第一接地部和所述第二接地部在第一方向上存在交叠,所述第一方向为由所述焊盘区指向所述显示区的方向。
11.根据权利要求8所述的显示面板,其中,所述触控结构还包括:第一防护线和第二防护线,
所述第一防护线的一端与所述焊盘区中的相应的焊盘连接,另一端延伸至所述显示区远离所述焊盘区的一侧;
所述第二防护线的一端与所述焊盘区中的相应的焊盘连接,另一端延伸至所述显示区远离所述焊盘区的一侧;
所述第一防护线和所述第二防护线形成环绕所述显示区的半封闭结构,所述第一防护线位于最靠近所述第一接地线的触控信号线与所述第一接地线之间,所述第二防护线位于最靠近所述第二接地线的触控信号线与所述第二接地线之间。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其中,所述第一防护线所连接的焊盘和所述第二防护线所连接的焊盘均被配置为加载交流电信号。
13.根据权利要求11所述的显示面板,其中,所述第一防护线包括第一防护部,所述第二防护线包括第二防护部,所述第一防护部和所述第二防护部均位于所述显示区远离所述焊盘区的一侧,
所述第一防护部和所述第二防护部无接触,且所述第一防护部和所述第二防护部在第一方向上无交叠,所述第一方向为由所述焊盘区指向所述显示区的方向。
14.根据权利要求1至2中任意一项所述的显示面板,其中,所述显示面板还包括:
缓冲层,设置在所述基板上;
半导体层,设置在所述缓冲层远离所述基板的一侧;
第一栅绝缘层,设置在所述半导体层远离所述基板的一侧;
第一栅电极层,设置在所述第一栅绝缘层远离所述基板的一侧;
第二栅绝缘层,设置在所述第一栅电极层远离所述基板的一侧;
第二栅电极层,设置在所述第二栅绝缘层远离所述基板的一侧;
层间绝缘层,设置在所述第二栅电极层远离所述基板的一侧;
第一源漏导电层,设置在所述层间绝缘层远离所述基板的一侧;
钝化层,设置在所述第一源漏导电层远离所述基板的一侧;
第一平坦化层,设置在所述钝化层远离所述基板的一侧;
第二源漏导电层,设置在所述第一平坦化层远离所述基板的一侧;
第二平坦化层,设置在所述第二源漏导电层远离所述基板的一侧;
像素界定层,设置在所述第二平坦化层远离所述基板的一侧,所述像素界定层包括与所述发光元件一一对应的像素开口;
其中,所述多个发光元件中的每个发光元件包括:第一电极、发光层和第二电极,所述第一电极位于所述第二平坦化层与所述像素界定层之间,所述发光层位于所述第一电极远离所述基板的一侧,所述发光层设置在相应的像素开口中,所述第二电极位于所述发光层远离所述基板的一侧,所述多个发光元件的第二电极连接为一体,形成第二电极层。
15.一种显示面板的制作方法,包括:
在基板上形成多个发光元件;
在所述多个发光元件远离所述基板的一侧形成封装层;
在承载板上形成有机胶层;
在所述有机胶层远离所述承载板的一侧形成触控结构,所述触控结构被配置为检测触摸动作的发生;
将所述有机胶层与所述承载板分离,并将所述有机胶层和所述触控结构转移至所述封装层上;
向所述有机胶层施加预设催化条件,以使所述有机胶层发生化学反应而粘性增强,从而形成为转移层,所述转移层与所述封装层之间的粘结力大于有机胶层与封装层之间的粘结力;
所述在承载板上形成有机胶层的步骤与所述在所述有机胶层远离所述承载板的一侧形成触控结构的步骤之间还包括:
形成绝缘间隔层,所述绝缘间隔层的致密度大于所述有机胶层的致密度,且所述绝缘间隔层的一部分超出所述有机胶层的边界,以使所述绝缘间隔层超出所述有机胶层边界的部分与所述承载板连接;
所述在有机胶层远离所述承载板的一侧形成触控结构的步骤与所述将有机胶层与所述承载板分离的步骤之间,还包括:
至少将所述绝缘间隔层超出所述有机胶层边界的部分去除。
16.根据权利要求15所述的制作方法,其中,至少将所述绝缘间隔层超出所述有机胶层边界的部分去除的步骤包括:
沿预设切割线对所述绝缘间隔层和所述有机胶层切割,其中,所述预设切割线位于所述有机胶层边界的靠近所述有机胶层中心的一侧。
17.一种显示装置,包括权利要求1至14中任意一项所述的显示面板。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111477666B (zh) * 2020-04-29 2023-05-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
KR20230026561A (ko) * 2021-08-17 2023-02-27 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
CN117296472A (zh) * 2022-04-26 2023-12-26 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、触控显示面板及其驱动方法
CN114911376A (zh) * 2022-05-31 2022-08-16 武汉天马微电子有限公司 一种触控面板和触控显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108415604A (zh) * 2018-03-20 2018-08-17 京东方科技集团股份有限公司 触控显示面板的制造方法、触控显示面板
CN109240528A (zh) * 2017-07-11 2019-01-18 三星显示有限公司 集成有指纹传感器的触摸显示装置
CN109545838A (zh) * 2018-12-20 2019-03-29 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102269919B1 (ko) * 2014-12-12 2021-06-28 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서를 포함하는 표시 장치
KR102521080B1 (ko) * 2016-03-28 2023-04-12 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 일체형 표시 장치
KR102427667B1 (ko) * 2017-09-26 2022-08-02 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102593535B1 (ko) * 2018-10-26 2023-10-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111477666B (zh) 2020-04-29 2023-05-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109240528A (zh) * 2017-07-11 2019-01-18 三星显示有限公司 集成有指纹传感器的触摸显示装置
CN108415604A (zh) * 2018-03-20 2018-08-17 京东方科技集团股份有限公司 触控显示面板的制造方法、触控显示面板
CN109545838A (zh) * 2018-12-20 2019-03-29 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

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