CN111470862A - 陶瓷浆料、陶瓷流延薄膜的制备方法和片式多层陶瓷电容器 - Google Patents

陶瓷浆料、陶瓷流延薄膜的制备方法和片式多层陶瓷电容器 Download PDF

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Abstract

本发明属于陶瓷电容器技术领域，尤其涉及一种陶瓷浆料、陶瓷流延薄膜的制备方法和片式多层陶瓷电容器。本发明提供的陶瓷浆料，包括具有特定重量份配比的钛酸钡粉体、蓖麻油、聚乙烯醇缩丁酯、邻苯二甲酸二正丁酯、正丁醇、乙二醇和无水乙醇，其中，以无水乙醇为溶剂，以蓖麻油为分散剂，以聚乙烯醇缩丁酯为粘结剂，以邻苯二甲酸二正丁酯为增塑剂，以正丁醇和乙二醇为消泡剂，上述各组分的协同作用，赋予了陶瓷浆料良好的流变性能，使得由该陶瓷浆料经流延形成的陶瓷流延薄膜表面平整致密。

Description

陶瓷浆料、陶瓷流延薄膜的制备方法和片式多层陶瓷电容器
技术领域
本发明属于陶瓷电容器技术领域，尤其涉及一种陶瓷浆料、陶瓷流延薄膜的制备方法和片式多层陶瓷电容器。
背景技术
MLCC(Multi-layer Ceramic Capacitors)是片式多层陶瓷电容器的英文缩写。是由印刷好电极的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封装上金属层，从而形成了一个类似独石的结构体，也被叫做独石电容器。
近年来，多层陶瓷电容逐渐成为了世界上用量最大，发展速度最快的片式元件之一。它是通过电介质与电极的相互交替的方式来制作的表面贴装多层陶瓷电容元件，应用于电视机、移动电话、计算机、医疗器械、录像机等数码产品中，在工业自动化控制设备的电子整机中的耦合、滤波、震荡和旁路电路中被大量应用，在高频电路中的应用最为广泛。随着国内外电子信息等产业和表面贴装技术的飞快发展，MLCC的需求量也逐日上升。所以，MLCC的性能和生产成本逐渐被各个厂家所重视。
流延成型工艺是一种大面积制备大面积平薄陶瓷材料的成型方法，包括浆料制备、成型、干燥、剥离基带等过程，自流延成型工艺出现以来就被应用于生产单层或多层的陶瓷材料。MLCC技术中制得的浆料，通过流延的工艺可以得到足够薄的陶瓷薄膜，以进一步降低MLCC电介质的单层厚度，现已成为生产片式多层电容器和多层陶瓷基片的重要技术。
然而，现有的流延工艺仍存在多方面的缺陷，例如，目前通用的流延工艺大多以有机流延为主，而有机溶剂，含有很多有毒、易挥发成分，容易造成操作员的中毒。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种陶瓷浆料，旨在解决现有流延工艺需要采用有机溶剂而容易导致工作人员中毒的问题。
本发明的另一目的在于提供一种陶瓷流延薄膜的制备方法以及片式多层陶瓷电容器。
为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：
一种陶瓷浆料，用于制备陶瓷流延薄膜，以所述陶瓷浆料的总重量为100份计，所述陶瓷浆料包括以下重量份组分：
Figure BDA0002405052490000021
本发明提供的陶瓷浆料，包括具有上述特定重量份配比的钛酸钡粉体、蓖麻油、聚乙烯醇缩丁酯、邻苯二甲酸二正丁酯、正丁醇、乙二醇和无水乙醇，其中，以无水乙醇为溶剂，以蓖麻油为分散剂，以聚乙烯醇缩丁酯为粘结剂，以邻苯二甲酸二正丁酯为增塑剂，以正丁醇和乙二醇为消泡剂，上述各组分的协同作用，赋予了陶瓷浆料良好的流变性能，使得由该陶瓷浆料经流延形成的陶瓷流延薄膜表面平整致密。
与现有技术相比，本发明提供的陶瓷浆料仅以无水乙醇作为浆料的溶剂，避免了使用有毒的有机溶剂，例如丁酮等，绿色环保，而且无水乙醇的价格便宜，可大大节约生产成本；与此同时，本发明提供的陶瓷浆料提供的陶瓷浆料具有优异的流变性能，配合流延成型工艺，可获得表面平整致密、且薄膜厚度可低于10微米的超薄型陶瓷流延薄膜，当将该薄膜应用于制备片式多层陶瓷电容时，在提高片式多层陶瓷电容性能的同时，还有利于制备小型化的片式多层陶瓷电容。
相应的，一种陶瓷流延薄膜的制备方法，包括以下步骤：
提供上述陶瓷浆料；
将所述陶瓷浆料进行流延成型，获得所述陶瓷流延薄膜。
本发明提供的陶瓷流延薄膜的制备方法，将上述陶瓷浆料配合流延成型工艺制备陶瓷流延薄膜，可获得表面平整致密的超薄陶瓷流延薄膜。
相应的，一种片式多层陶瓷电容器，包括陶瓷芯片，所述陶瓷芯片由若干陶瓷介质膜片叠合以及烧结而成；
其中，所述陶瓷介质膜片为由上述制备方法制得的陶瓷流延薄膜。
本发明提供的片式多层陶瓷电容器，其陶瓷介质膜片为由上述制备方法制得的陶瓷流延薄膜，表面平整致密，薄膜厚度小，有利于制备小型化、高性能的片式多层陶瓷电容，扩大片式多层陶瓷电容的应用范围。
附图说明
图1为本发明一实施例中提供的一种陶瓷浆料的制备方法的流程图；
图2为本发明另一实施例提供的一种陶瓷浆料的制备方法的流程图；
图3分别为实施例1和实施例9制得的陶瓷流延薄膜的SEM图，左图为实施例1制得的陶瓷流延薄膜的SEM图，右图为实施例9制得的陶瓷流延薄膜的SEM图；
图4分别为实施例1和实施例9制得的陶瓷流延薄膜的AFM图，左图为实施例1制得的陶瓷流延薄膜的AFM图，右图为实施例9制得的陶瓷流延薄膜的AFM图；
图5为实施例1-4制备的陶瓷流延薄膜的SEM图；
图6为实施例1-4制备的陶瓷流延薄膜的AFM图
图7为实施例1-4制备的陶瓷流延薄膜的密度及偏差曲线图；
图8为实施例5-8制备的陶瓷浆料的激光粒度测试结果；
图9为实施例5-8制备的陶瓷浆料的粒度分布图；
图10为实施例5-8制备的陶瓷浆料的Zeta电位分布图；
图11为实施例5-8制备的陶瓷浆料的粘度-剪切速率曲线；
图12为实施例1-4制备的陶瓷浆料的粘度-剪切速率曲线。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例说明书中所提到的各组分的质量不仅仅可以指代各组分的具体含量，也可以表示各组分间质量的比例关系，因此，只要是按照本发明实施例说明书组合物各组分的含量按比例放大或缩小均在本发明实施例说明书公开的范围之内。具体地，本发明实施例说明书中所述的质量可以是μg、mg、g、kg等医药领域公知的重量单位。
一种陶瓷浆料，用于制备陶瓷流延薄膜，以所述陶瓷浆料的总重量为100份计，所述陶瓷浆料包括以下重量份组分：
Figure BDA0002405052490000041
本发明实施例提供的陶瓷浆料，包括具有上述特定重量份配比的钛酸钡粉体、蓖麻油、聚乙烯醇缩丁酯、邻苯二甲酸二正丁酯、正丁醇、乙二醇和无水乙醇，其中，以无水乙醇为溶剂，以蓖麻油为分散剂，以聚乙烯醇缩丁酯为粘结剂，以邻苯二甲酸二正丁酯为增塑剂，以正丁醇和乙二醇为消泡剂，上述各组分的协同作用，赋予了陶瓷浆料良好的流变性能，使得由该陶瓷浆料经流延形成的陶瓷流延薄膜表面平整致密。
在本申请说明书中，“余量为乙醇”指的是陶瓷浆料中剩下的用量为乙醇的用量，例如，当陶瓷浆料仅包括钛酸钡粉体和无水乙醇时，以陶瓷浆料的总重量为100％计，钛酸钡的重量百分含量为49.46％，余量为无水乙醇，则无水乙醇的重量百分含量为：100％-49.46％＝50.54％。
作为一种实施方式，以所述陶瓷浆料的总重量为100份计，所述陶瓷浆料包括以下重量份组分：
Figure BDA0002405052490000051
经检测，该陶瓷浆料其粘度为0.947Pas，由此制得的陶瓷流延薄膜粗糙度为51.5nm，薄膜厚度小至44微米，密度高至3.79g/cm3，说明本发明实施例提供的陶瓷浆料具有良好的流变性能，且能够制备表面平整致密的陶瓷流延薄膜。
MLCC电容的计算公式为C＝ε×S×(N-1)/d，式中ε为电介质的介电常数(F/M)；S为内电极的面积(m2)；d为电介质层的厚度(m)，由此可知，电介质层的厚度为制约MLCC电容性能的制约因素。上述陶瓷浆料经流延制得的薄膜厚度小于10微米，表明本发明实施例提供的上述陶瓷浆料结合流延成型工艺有利于获得小型化、高性能的片式多层陶瓷电容。
具体地，钛酸钡粉体(BTO粉体)具备高的介电常数和铁电性能，是典型的Ⅱ类介电材料，作为所述陶瓷浆料的基料。
钛酸钡粉体可选择粒径在500纳米以下的钛酸钡粉体，不同的钛酸钡粉体在制备陶瓷浆料时会有不同的特点，粉体的粒径、表面特性等性质对浆料有着十分明显的影响。为了实现MLCC的小型化和高性能，陶瓷电介质层必须做到尽可能的薄，同时保证电学性质优异，故在选择流延使用的BTO粉体时还要求其分体直径尽可能的小，同时四方形优异。
作为一种实施方式，所述钛酸钡粉体的粒径为90-150纳米。在一些实施例中，钛酸钡粉体选为国瓷100nm，该钛酸钡粉体的实际粒径为134.22nm，比表面积为10.9208m2/g，四方率c/a为1.0067。
陶瓷浆料的固含量影响着陶瓷浆料的流变性能，进而影响着陶瓷流延薄膜的厚度和致密度，一般情况，高固含量意味着薄膜厚度大、高致密性和低成本，低固含量意味着浆料流变性能好和薄膜厚度小。为了实现MLCC的小型化和高性能，需要对陶瓷浆料的固含量进行优化，其中，陶瓷浆料的固含量取决于钛酸钡粉体的用量。
作为一种实施方式，所述钛酸钡粉体的重量为34-50份，优选为49.49份。当钛酸钡粉体的重量份在49.49份时获得的陶瓷浆料具有优异的流变性能。
蓖麻油，蓖麻油为阴离子分散剂，作为所述陶瓷浆料的分散剂，协同无水乙醇分散BOT粉体。
蓖麻油的用量影响着钛酸钡粉体在无水乙醇中的分散度，一定程度上影响着陶瓷浆料的流变性能。
作为一种实施方式，所述蓖麻油的重量为0.5-2份，优选为1.58份，当陶瓷浆料中蓖麻油的含量为1.58％时，BTO粉体的分散性最好。
聚乙烯醇缩丁酯(PVB)，作为陶瓷浆料的粘结剂，用于防止粉末偏析或提高后续经烧结制得的坯体的强度，一定程度上提高薄膜的致密度和减小薄膜厚度。
邻苯二甲酸二正丁酯(DBP)，作为陶瓷浆料的增塑剂，用于降低PVB的塑限温度Tg，使浆料在室温或者室温以下不会发生凝结，同时它也能起到桥联钛酸钡颗粒和润滑的作用而降低浆料粘度，有利于提升浆料的流变性能，促进制备表面平整致密、超薄厚度的陶瓷流延薄膜。
正丁醇和乙二醇，作为陶瓷浆料的消泡剂。正丁醇和乙二醇的混合液在溶剂中充分分散后，将会附着在泡膜上，吸附一部分泡膜的表面活性剂，形成表面张力差，导致气泡破裂。
上述钛酸钡粉末、蓖麻油、无水乙醇、PVB、DBP、正丁醇、乙二醇可选为市售商品，也可选为采用本领域的常规技术手段制备的产物，本发明实施例对此不作具体限定。
现有技术中常规使用无水乙醇和中低极性的有机溶剂(例如丁酮)复配作为陶瓷浆料的溶剂，与之相比，本发明实施例陶瓷浆料的溶剂仅包含无水乙醇，绿色环保，而且无水乙醇的价格便宜，可大大节约生产成本；与此同时，通过上述钛酸钡粉末、蓖麻油、无水乙醇、PVB、DBP、正丁醇和乙二醇之间的协同作用，赋予了陶瓷浆料优异的流变性能，将该陶瓷浆料配合流延成型工艺时，可获得表面平整致密、且薄膜厚度可低于10微米的超薄型陶瓷流延薄膜，当将该薄膜应用于制备片式多层陶瓷电容时，在提高片式多层陶瓷电容性能的同时，还有利于制备小型化的片式多层陶瓷电容。
基于上述技术方案，本发明实施例还提供了一种陶瓷流延薄膜的制备方法和片式多层陶瓷电容器。
相应的，一种陶瓷流延薄膜的制备方法，包括以下步骤：
S01、提供上述陶瓷浆料；
S02、将所述陶瓷浆料进行流延成型，获得所述陶瓷流延薄膜。
本发明实施例提供的陶瓷流延薄膜的制备方法，将上述陶瓷浆料配合流延成型工艺制备陶瓷流延薄膜，可获得表面平整致密的超薄陶瓷流延薄膜。
其中，步骤S01中的陶瓷材料的原料组成及其作用效果与上文所述的陶瓷浆料相同，为节省篇幅，在此不一一赘述。
作为一种实施方式，如图1所示，所述陶瓷浆料的制备方法包括以下步骤：
S011、将钛酸钡粉体、蓖麻油和无水乙醇混合，进行第一混料处理，获得第一混合物；
S012、将聚乙烯醇缩丁酯、邻苯二甲酸二正丁酯、正丁醇、乙二醇与所述第一混合物混合，进行第二混料处理。
在步骤S011中，钛酸钡粉体和蓖麻油分散在无水乙醇中，钛酸钡颗粒在溶剂中带负电和反离子，蓖麻油在溶剂中电离为表面离子和反离子，钛酸钡粉体和蓖麻油协同作用形成双电层分散体系，当已吸附负电荷的粉体颗粒相互接近时产生排斥，使之相互滑动错开，阻止粉体聚集形成大的团聚。在步骤S012中，PVB和DBP通过第二混料处理与粉体颗粒充分接触，PVB发挥粘结作用，DBP降低PVB的塑限温度Tg，以确保浆料不会在室温时发生凝结，且同时桥联、润滑钛酸钡颗粒和的作用，降低浆料粘度，一定程度上提高了陶瓷浆料的流变性能。
进行第一混料处理以及进行第二混料处理的步骤可参考本领域的常规操作，例如机械搅拌、超声分散等，使得各组分间能够均匀混合即可。在一些实施例中，所述第一混料处理和/或所述第二混料处理包括：球磨3-5小时。
进一步地，如图2所示，进行第二混料处理的步骤之后还包括：进行真空除气处理，获得所述陶瓷浆料。在一些实施例中，真空除气40分钟。
步骤S02中，将所述陶瓷浆料进行流延成型，以获得所述陶瓷流延薄膜。
将所述陶瓷浆料进行流延成型的步骤可参考本领域的常规操作，例如，将陶瓷浆料从浆料槽后部流至基带上，通过基带与刮刀之间的相对运动而沉积在基带上，干燥成型，形成陶瓷薄膜。
更具体地，刮刀的高度调整至500微米以下。作为一种实施方式，采用流延成型工艺将所述陶瓷浆料进行流延的步骤中，调整刮刀的高度为90-110微米。
更具体地，基带相对于刮刀的速度为流延线速度，作为一种实施方式，流延线速度为0.2-0.3cm/s，干燥的温度为30-50℃，干燥时间为7-10小时。在一些实施例中，流延线速度为0.25cm/s，干燥的温度为40℃，干燥时间为8小时。
相应的，一种片式多层陶瓷电容器，包括陶瓷芯片，所述陶瓷芯片由若干陶瓷介质膜片叠合以及烧结而成；
其中，所述陶瓷介质膜片为由上述制备方法制得的陶瓷流延薄膜。
本发明实施例提供的片式多层陶瓷电容器，其陶瓷介质膜片为由上述制备方法制得的陶瓷流延薄膜，表面平整致密，薄膜厚度小，有利于制备小型化、高性能的片式多层陶瓷电容，扩大片式多层陶瓷电容的应用范围。
为使本发明上述实施细节和操作能清楚地被本领域技术人员理解，以及本发明实施例一种陶瓷浆料、陶瓷流延薄膜的制备方法和片式多层陶瓷电容器的进步性能显著地体现，以下通过实施例对本发明的实施进行举例说明。
实施例1
本实施例提供了一种用于制备MLCC的陶瓷流延薄膜，该陶瓷流延薄膜的制备方法具体包括以下步骤：
S11、提供陶瓷浆料；
(1)根据以下浆料配方进行备料：
Figure BDA0002405052490000091
(2)制备浆料
将钛酸钡粉体、蓖麻油和无水乙醇混合，球磨4小时，获得第一混合物；
将聚乙烯醇缩丁酯、邻苯二甲酸二正丁酯、正丁醇、乙二醇与第一混合物混合，球磨4小时后真空除气40分钟，获得陶瓷浆料。
S12、调整刮刀高度为100微米，将步骤S11的陶瓷浆料流至基带并进行流延成型，流延线速度为0.25cm/s，干燥的温度为40℃，干燥时间为8小时，获得陶瓷流延薄膜。
实施例2-10制备陶瓷流延薄膜的方法与实施例1的区别如表1所示：
表1
钛酸钡 蓖麻油 PVB DBP 正丁醇 乙二醇 无水乙醇 刮刀高度
实施例2 34.62份 - - - - - 54.4份 -
实施例3 39.56份 - - - - - 49.46份 -
实施例4 44.51份 - - - - - 44.51份 -
实施例5 39.56份 0.79份 - - - - 50.25份 -
实施例6 39.56份 1.19份 - - - - 49.85份 -
实施例7 39.56份 1.58份 - - - - 49.46份 -
实施例8 39.56份 1.98份 - - - - 49.06份 -
实施例9 - - - - - - - 450μm
注：“-”表示与实施例1相同。
测试例1
1、取实施例1、9制备的陶瓷流延薄膜，分别测量其薄膜厚度，并采用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)分别观察其薄膜表面形貌，图3和图4为检测结果。
实施例1的薄膜厚度为21.3μm，实施例9的薄膜厚度为88.6μm，出于追求产品的小型化和薄膜化，100μm刮刀高度优于450μm；如图3所示，实施例1的表面胶体明显较少，粉体颗粒致密度高；如图4所示，实施例1的薄膜表面粗糙度为51.5nm，实施例9的薄膜表面粗糙度为99.9nm。
综上，表明当降低刮刀高度为100μm时获得的陶瓷流延薄膜的综合性能优异。
2、取实施例1-4制备的陶瓷流延薄膜，采用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)分别观察其薄膜表面形貌。
图5为实施例1-4制备的陶瓷流延薄膜的SEM图，如结果显示，实施例2、3、4和1采用的陶瓷浆料的固含量依次增加，随着固含量的增加流延膜的表面越来越致密，有机胶体和空洞越来越少；图6为实施例1-4制备的陶瓷流延薄膜的AFM图，如结果显示，实施例1-4制备的陶瓷流延薄膜的相对平整。
3、取实施例1-4制备的陶瓷流延薄膜，在流延膜上横向切割五块长宽均为2cm的样品，测试其平均厚度和质量，继而算出其密度偏差值，结果如表2所示。
通过计算获得如图7所示的密度及偏差结果，如结果所示，随着固含量的上升，流延膜的密度在不断上升，其密度偏差在固含量为40wt％、45wt％时达到了峰值，当固含量为49.46wt％时密度偏差在所选样品中达到最小。
表2
Figure BDA0002405052490000111
Figure BDA0002405052490000121
测试例2
1、取实施例5-8制备的陶瓷浆料，使用美国布鲁克海文公司的90Plus Zeta型激光光散射电位分析仪对其进行粒度和Zeta电位的测试，测试过程如下：
在制备测试用样品时，我们首先要将已经制备好的浆料用滴管转移一到两滴进Zeta电位样品池，然后不断的加入无水乙醇稀释浆料。控制仪器的平均计数率在300kcps附近，以免测试时激光的散射光光强过大，损伤仪器。对于Zeta电位测试，需要将测试专用电极浸泡5分钟以上，以保证测试的准确性。
图8为实施例5-8制备的陶瓷浆料的激光粒度测试结果，如结果显示，实施例5、6、7和8的陶瓷浆料的平均粒径依次为525.857nm、471.322nm、302.106nm和446.618nm。
图9为实施例5-8制备的陶瓷浆料的粒度分布图，如结果显示，实施例7的陶瓷浆料的D10、D50和D90均小于实施例5、6和8的陶瓷浆料，表明分散剂含量为1.58wt％时粉体的分散性优异。
图10为实施例5-8制备的陶瓷浆料的Zeta电位分布图，如结果显示，分散剂含量1.58wt％时浆料的Zeta电位最大，Zeta电位与体系的稳定性呈正相关，表明分散剂含量为1.58wt％时浆料体系的稳定性优异。
2、取实施例1-8制备的陶瓷浆料，采用美国赛默飞世尔公司的HAAKETMMARSTM型旋转流变仪测试陶瓷浆料的粘度，具体测试过程如下：
本次实验中使用PP35ti平台及转子对配置好的浆料进行剪切速率区间在0～1001/s的粘度-剪切速率对应关系测试。样品高度1mm，测试温度25℃，记录点100个，时间30s。
图11为实施例5-8制备的陶瓷浆料的粘度-剪切速率曲线，如结果显示，实施例5-8制备的陶瓷浆料的粘度十分接近。
图12为实施例1-4制备的陶瓷浆料的粘度-剪切速率曲线，如结果显示，实施例1、3、4的陶瓷浆料的粘度均在0.2Pas-1.0Pas之间，处于该粘度范围内的浆料较为适合流延，其中，粘度值越接近该区间上限值则越适合流延，表明当浆料固含量在49.49％时陶瓷浆料具有优异的流变性能。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种陶瓷浆料，其特征在于，用于制备陶瓷流延薄膜，以所述陶瓷浆料的总重量为100份计，所述陶瓷浆料包括以下重量份组分：
Figure FDA0002405052480000011
2.根据权利要求1所述的陶瓷浆料，其特征在于，所述钛酸钡粉体的重量为34-50份；和/或
所述蓖麻油的重量为0.5-2份。
3.根据权利要求1所述的陶瓷浆料，其特征在于，所述钛酸钡粉体的粒径为90-150纳米。
4.根据权利要求1至3任一项所述的陶瓷浆料，其特征在于，以所述陶瓷浆料的总重量为100份计，所述陶瓷浆料包括以下重量份组分：
Figure FDA0002405052480000012
5.一种陶瓷流延薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供如权利要求1至4任一项所述的陶瓷浆料；
将所述陶瓷浆料进行流延成型，获得所述陶瓷流延薄膜。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，采用流延成型工艺将所述陶瓷浆料进行流延的步骤中，调整刮刀的高度为90-110微米。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述陶瓷浆料的制备方法包括以下步骤：
将钛酸钡粉体、蓖麻油和无水乙醇混合，进行第一混料处理，获得第一混合物；
将聚乙烯醇缩丁酯、邻苯二甲酸二正丁酯、正丁醇、乙二醇与所述第一混合物混合，进行第二混料处理。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，进行第二混料处理的步骤之后还包括：进行真空除气处理，获得所述陶瓷浆料。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第一混料处理和/或所述第二混料处理包括：球磨3-5小时。
10.一种片式多层陶瓷电容器，其特征在于，包括陶瓷芯片，所述陶瓷芯片由若干陶瓷介质膜片叠合以及烧结而成；
其中，所述陶瓷介质膜片为由权利要求5至9任一项所述的制备方法制得的陶瓷流延薄膜。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112723879A (zh) * 2021-01-05 2021-04-30 贵州大学 一种锆钛酸钡钙压电陶瓷流延浆料及其应用
CN113314340A (zh) * 2021-06-01 2021-08-27 山东国瓷功能材料股份有限公司 一种陶瓷超细粉体流延超薄介质浆料及其成型的陶瓷薄膜
CN114804841A (zh) * 2022-04-30 2022-07-29 北京智感度衡科技有限公司 一种颗粒物传感器用氧化铝生瓷片及其制备方法

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