CN111433885B - 具有增强靶材冷却设置的磁电管 - Google Patents
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Abstract
本文提供磁电管组件以及并有该磁电管组件的处理***的实施例。一些实施例中，一种磁电管组件包括：可旋转磁体组件，耦接至主体的底部且具有彼此间隔开的多个磁体；以及包覆主体，设置在该多个磁体之间的空间中。一些实施例中，该磁电管组件进一步包括主体，该主体沿着该磁电管组件的中心轴延伸且具有冷却剂馈通通道，以将冷却剂提供至该主体下方的区域。
Description
技术领域
本公开的实施例总体上涉及用于基板处理的物理气相沉积腔室的磁电管。
背景技术
长期以来溅射(或称物理气相沉积(PVD))已用于在半导体集成电路的制造中沉积金属和相关材料。PVD的使用已扩展到将金属层沉积到高深宽比孔(诸如通孔(via)或其他垂直互连结构)的侧壁上。目前，先进的溅射应用包括将具有高应力和高离子密度的材料沉积到这样的通孔中。
例如，钛、钽及类似物已用于直穿硅通孔(TSV)应用中。发明人已经观察到，在这样的应用以及使用其他靶材材料的其他应用(其中利用高应力靶材材料且因此利用高功率)中，由于高靶材温度及不充分冷却而使得靶材开始破裂及弯曲。尽管已使用冷却剂来冷却靶材组件的后侧，但发明人已经观察到，流入其中设置有磁电管的空腔的冷却剂在某些应用中不会充分冷却靶材。
因此，发明人已提供了一种改良的磁电管组件，该磁电管组件能够解决上述问题。
发明内容
本文提供磁电管组件以及并有磁电管组件的处理***的实施例。一些实施例中，一种磁电管组件包括：可旋转磁体组件，耦接至主体的底部且具有彼此间隔开的多个磁体；以及包覆主体，设置在多个磁体之间的空间中。一些实施例中，磁电管组件进一步包括主体，主体沿着磁电管组件的中心轴延伸，且具有冷却剂馈通通道，以提供冷却剂至主体下方的区域。
一些实施例中，一种基板处理***包括：腔室；盖，可移除地设置在腔室顶上；靶材组件，耦接至盖，靶材组件包括靶材材料，靶材材料将从靶材组件溅射且沉积于基板上；基板支撑件，设置在腔室内以在处理期间支撑基板；冷却剂供应源；以及如本文的任一实施例所描述的磁电管组件。一些实施例中，磁电管组件能够包括：主体，主体沿着磁电管组件的中心轴延伸，且具有冷却剂馈通通道，以将冷却剂提供至主体下方的区域；可旋转磁体组件，耦接至主体的底部，可旋转磁体组件具有分流板、耦接至分流板的第一表面的外圈磁体、及耦接至分流板的第一表面的内圈磁体；以及包覆主体，设置在内圈磁体内以及内圈磁体与外圈磁体之间的空间中，其中磁体组件设置成邻近靶材组件，且冷却剂馈通通道配置成将冷却剂从冷却剂供应源沿着中心轴提供至包覆主体与靶材组件之间的间隙，以冷却靶材组件。
一些实施例中，一种磁电管组件包括：主体，沿着磁电管组件的中心轴延伸，且具有冷却剂馈通通道，以将冷却剂提供至主体下方的区域；以及可旋转磁体组件，耦接至主体的底部，可旋转磁体组件具有分流板、耦接至分流板的第一表面的外圈磁体、及耦接至分流板的第一表面的内圈磁体；以及包覆主体，设置在内圈磁体与外圈磁体之间的空间中，其中包覆主体包括穿孔，穿孔与冷却剂馈通通道对齐。
本公开的其他与进一步的实施例于下文描述。
附图说明
通过参考附图中描绘的本公开的说明性实施例，能够了解上文简要概述且在下文更详细讨论的本公开的实施例。然而，附图仅显示本公开的典型实施例，因此不应视为对范围的限制，因为本公开可允许其他等效的实施例。
图1描绘了根据本公开的一些实施例的处理腔室的示意剖面视图。
图2A描绘了根据本公开的一些实施例的磁体组件的分解等距视图。
图2B描绘了根据本公开的一些实施例的磁体组件的底部示意图。
图3描绘了根据本公开的一些实施例的磁电管组件的示意剖面视图。
为了便于理解，如可能则已使用相同的参考标号来标注各图中共通的相同元件。附图并未按比例绘制，并且为了清楚起见可能经过简化。一个实施例的元件和特征可以有利地并入其他实施例中而无需赘述。
具体实施方式
本公开涉及磁电管组件，该磁电管组件具有设置在该磁电管组件的磁体之间的空间中的包覆主体，而有利地改善设置在磁电管组件下方的靶材组件的冷却。本发明的磁电管组件有利地迫使冷却剂横跨靶材组件的后板而非其他空间，从而增加有效的冷却面积。本发明的磁电管有利地缓解由于过热所导致的靶材失效。
图1描绘了根据本公开的一些实施例的基板处理***(例如，物理气相沉积(PVD)处理***100)的简化剖面视图。适合用于根据本文提供的教示的修改例的其他PVD腔室的示例包括和SIP />PVD处理腔室，上述两者均可购自美国加州圣克拉拉的应用材料公司。来自应用材料公司或其他制造商的其他处理腔室(包括配置成用于除PVD外的其他类型的处理的那些处理腔室)也可受益于根据本文公开的教示的修改例。
为了说明，PVD处理***100包括腔室盖102，该腔室盖102可移除地设置在处理腔室104顶上。该腔室盖102可包括靶材组件114和接地组件103。处理腔室104含有用于在上面接收基板108的基板支撑件106。该基板支撑件106可位于下方接地外壳壁110内，该下方接地外壳壁110可以是处理腔室104的腔室壁。该下方接地外壳壁110可以电耦接至腔室盖102的接地组件103，使得RF返回路径被提供至设置在腔室盖102上方的RF电源182。该RF电源182可将RF能量提供至靶材组件114，如下文所讨论。以替代方式或组合方式，DC电源可以类似地耦接至靶材组件114
PVD处理***100可包括源分配板158，该源分配板158与靶材组件114的后侧相对，且沿着该靶材组件114的周围边缘电耦接至靶材组件114。PVD处理***100可以包括空腔170，该空腔170设置在靶材组件114的后侧和源分配板158之间。该空腔170可至少部分容纳磁电管组件196，如下文所讨论。该空腔170至少部分由导电支撑环164的内表面、源分配板158的面向靶材表面、以及靶材组件114(或背衬板160)的面向源分配板表面(例如，后侧)所限定。
磁电管组件196提供最接近靶材的旋转磁场，以助于处理腔室104内的等离子体处理。磁电管组件196包括主体154、电机176(该电机经由耦接组件178(例如齿轮组件)耦接至主体154)、及可旋转磁体组件148，该可旋转磁体组件148耦接至主体154的下部且设置在空腔170内。该可旋转磁体组件148包括多个磁体150。电机176和耦接组件178配置成使主体154、可旋转磁体组件148和多个磁体150绕处理腔室104的中心轴186旋转。电机176可以是电动电机、气动或液压驱动器、或任何其他能够提供所需移动的与工艺兼容的机构。尽管本文描述了一个说明性实施例以说明可旋转磁体组件148可如何旋转，但是也可以使用其他配置。主体154包括冷却剂馈通通道183，以沿中心轴186将冷却剂提供至主体154下方的区域。该冷却剂馈通通道183沿中心轴186延伸穿过主体154。该冷却剂馈通通道183沿着中心轴186从歧管部分162延伸穿过主体154的下部161。冷却剂供应源165流体耦接至歧管部分162的入口167，以将冷却剂供应通过冷却剂馈通通道183且进入空腔170至磁体组件148下方的区域。
在使用中，磁电管组件196旋转，且在一些实施例中，该磁电管组件196使可旋转磁体组件148在空腔170内垂直移动。一些实施例中，耦接组件178可以是包括凸脊的带，凸脊与设置在电机176及主体154中的凹槽配合，以将由电机176提供的旋转运动传送至可旋转磁体组件148。一些实施例中，作为替代方案，可通过使用滑轮、齿轮、或传送由电机176提供的旋转运动的其他适合的手段将耦接组件178耦接至可旋转磁体组件148。
发明人已经发现，通过中心冷却剂馈通通道供应的冷却剂可自由地行进在空腔170中的任何位置。详言之，冷却剂在磁体之间的空间中流动，而不是仅仅横跨靶材组件114的后表面。于是，靶材可能变得过热，导致靶材失效。发明人已经发现，如果磁体之间的空间被占用，则会迫使冷却剂在磁体组件的底面和靶材组件的后表面之间流动，从而改善靶材组件的冷却。例如，在55千瓦的功率下，相较于磁体之间有开放空间的常规冷却手段，靶材组件的温度降低了约35℃。就此而言，由发明人提供的改良的磁电管组件196包括包覆主体177，该包覆主体177占据多个磁体150之间的空间。由于包覆主体177占据多个磁体150之间的空间，所以冷却剂不能在多个磁体150之间的空间中流动，而被迫在磁体组件148和靶材组件114之间的区域中流动，从而增加了靶材组件114的有效冷却。一些实施例中，包覆主体177的最下方表面与背衬板160之间的距离163介于约1mm和约2mm之间。
将参考图2A及图2B进行下文的描述。图2A描绘了根据本公开的一些实施例的磁体组件(例如，包括包覆主体177的磁体组件148)的分解等距视图。图2B描绘了根据本公开的一些实施例的磁体组件148的底部示意视图。如图2A所示，多个磁体150耦接至具有开口204的分流板202，该开口204当耦接至主体154的底部时允许冷却剂通过。当磁体组件148旋转时，平衡件(counterbalance)206耦接至分流板202以提供平衡重(counterweight)。
包覆主体177配置成占据多个磁体150之间的空间。在一些实施例中，包覆主体177能够耦接至分流板202并且其总厚度大约等于该多个磁体的总厚度。以此方式，该包覆主体177的底表面以及多个磁体150的底表面形成实质平面的表面。在一些实施例中，多个磁体150可相对于包覆主体177的底表面稍微突出或稍微凹陷。穿孔212设置成穿过包覆主体177，且该穿孔212所处的位置与开口204对齐，以允许冷却剂在包覆主体177下方的区域中通过。
在一些实施例中，包覆主体177可以在外部形成(例如，在模具中)，并且与多个磁体150对应的多个孔208、210可形成为穿过包覆主体177。作为替代方案或组合方案，在一些实施例中，包覆主体177可具有多个槽(图中未示出)以接收多个磁体150的相对应的多组磁体150。之后，将包覆主体177放置就位，且多个磁体150延伸穿过多个孔洞208、210。在一些实施例中，作为替代方案，包覆主体177可形成在多个磁体150之间的空间中以填充空间。在这样的实施例中，孔208、210是包覆主体177的由多个磁体150所占据的部分。在一些实施例中，作为替代方案，管(图中未示出)可从开口204延伸到孔212，且包覆主体177可以仅阻挡多个磁体之间的空间的最下方部分，从而在包覆主体177和分流板202之间留下空间。
包覆主体177由不会腐蚀冷却剂或与冷却剂反应的非磁性(或非铁)的材料形成。在一些实施例中，包覆主体177的材料也是轻量的。在一些实施例中，包覆主体177可以由聚甲醛、环氧树脂或泡沫环氧树脂混合物中的一者形成。在一些实施例中，包覆主体177可以由铝(Al)或类似物形成。
在一些实施例中，磁体组件148进一步包括耦接至外圈磁体218(显示于图2B)的外磁极板214和耦接内圈磁体220的内磁极板216(显示于图2B)。为了容纳外磁极板214和内磁极板216，包覆主体177分别包括相对应的外极板通道222和内极板通道224。图2B描绘了磁体组件148，其中无外磁极板214和内磁极板216耦合到多个磁体。如图2B所描绘，包覆主体177填充内圈磁体220内的空间和外圈磁体218与内圈磁体220之间的空间。
图3描绘了根据本公开的一些实施例的磁电管组件(磁电管组件196)的剖面视图。如图3所示，外圈磁体218与内圈磁体220耦接至分流板202的第一表面304。包覆主体177设置在分流板202和靶材组件114的后侧303(即，背衬板160)之间。在一些实施例中，靶材组件114的后侧303可包括多个凹槽302，以改善靶材组件114的冷却。
在操作中，冷却剂流过主体154的冷却剂馈通通道183并且进入包覆主体177的最下方表面305和靶材组件114的后侧303之间的空间。在一些实施例中，外磁极板214和内磁极板216可与最下方表面305齐平。在一些实施例中，作为替代方案，外磁极板214和内磁极板216可突出超出最下方表面305。在一些实施例中，作为替代方案，外磁极板214和内磁极板214可相对于最下方表面305凹陷。靶材组件的最下方表面305和后侧303之间的距离是上文讨论的距离163(即，介于约1mm至约2mm之间)。
包覆主体177迫使冷却剂沿靶材组件的后侧303流动(如流线306所示)，直到冷却剂到达磁体组件148的周边为止。接着，冷却剂向上流动且流出源分配板158中所形成的冷却剂出口308。因为在磁体之间没有开放空间供冷却剂流动，所以冷却剂仅被允许沿着靶材组件114的整个后侧303流动，从而改善靶材组件的冷却。
回到图1，基板支撑件106具有面向靶材组件114的主表面的材料接收表面，并且该基板支撑件106将待溅射涂覆的基板108支撑于与靶材组件114的主表面相对的平面位置中。基板支撑件106可将基板108支撑在处理腔室104的中心区域120中。中心区域120界定为在处理期间于基板支撑件106上方的区域(例如，当基板支撑件106在处理位置时，该中心区域120是在靶材组件114和基板支撑件106之间)。
在一些实施例中，基板支撑件106可垂直移动，以允许基板108穿过处理腔室104下部中的隔离阀(图中未示出)移送至基板支撑件106上，然后升高到沉积或处理位置。连接至底部腔室壁124的波纹管122可设置成维持处理腔室104的内部容积与处理腔室104外部的大气的分离，同时有助于基板支撑件106的垂直移动。可由气体源126供应一种或多种气体而通过质量流量控制器128而到处理腔室104的下部中。排气通口130可被提供并且经由阀132耦接至泵(图中未示出)以对处理腔室104的内部进行排气，且助于维持处理腔室104内的期望压力。
RF偏压电源134可耦接至基板支撑件106，以便在基板108上诱导负DC偏压。此外，一些实施例中，处理期间负DC自我偏压可形成于基板108上。例如，由RF偏压电源134所供应的RF能量的频率范围可从约2MHz到约60MHz，例如，能够使用诸如2MHz、13.56MHz、或60MHz的非限制性频率。在其他应用中，基板支撑件106可接地或保持电浮接。作为替代方案或组合方案，电容调谐器136可以耦接至基板支撑件106，以调整基板108上的电压以用于其中可能不期望有RF偏压功率的应用。
处理腔室104进一步包括处理套件遮蔽件(或遮蔽件)138，以围绕处理腔室104的处理空间(或中心区域)，且保护其他腔室部件免受来自处理的损坏和/或污染。一些实施例中，遮蔽件138可连接至处理腔室104的上部接地外壳壁116的壁架140。如图1所示，腔室盖102可以安置在上部接地外壳壁116的壁架140上。类似于下部接地外壳壁110，该上部接地外壳壁116可提供在下部接地外壳壁110和腔室盖102的接地组件103之间的RF返回路径的一部分。然而，其他RF返回路径是可能的，诸如经由接地遮蔽件138。
遮蔽件138向下延伸且可包括大致上管状的部分，该部分具有大致上围绕中心区域120的大致恒定的直径。遮蔽件138沿着上部接地外壳壁116和下部接地外壳壁110的壁向下延伸至基板支撑件106的顶表面下方，并且向上返回直到抵达基板支撑件106的顶表面为止(例如，在遮蔽件138的底部处形成U形部分)。当基板支撑件106处于下方装载位置时，覆盖环146安置在遮蔽件138的向上延伸的内部部分的顶部上，但是当基板支撑件106处于上方沉积位置时，覆盖环146安置在基板支撑件106的外周边上，以保护基板支撑件106免受溅射沉积。可使用额外的沉积环(图中未示)以保护基板支撑件106的边缘免于基板108边缘周围的沉积。
在一些实施例中，磁体152可设置在处理腔室104附近，以在基板支撑件106和靶材组件114之间选择性提供磁场。例如，如图1所示，可将磁体152围绕外壳壁110外侧设置于基板支撑件106在处理位置时正上方的区域中。在一些实施例中，磁体152可附加式或替代式设置在其他位置，诸如邻近上部接地外壳壁116。该磁体152可以是电磁体且可耦接至电源(图中未示出)以控制由电磁体产生的磁场的大小。
腔室盖102总体上包括围绕靶材组件114设置的接地组件103。该接地组件103可包括具有第一表面157的接地板156，该第一表面157可大致平行于靶材组件114的后侧并且与该后侧相对。接地遮蔽件112可从接地板156的第一表面157延伸且围绕靶材组件114。该接地组件103可包括支撑构件175，以将靶材组件114支撑在接地组件103内。
在一些实施例中，支撑构件175可耦接至接地遮蔽件112的下端(靠近支撑构件175的外周边缘)并且径向向内延伸以支撑密封环181，及靶材组件114。密封环181可以是环或具有期望截面的其他环形形状。该密封环181可包括两个相对的平面且大致上平行的表面，以助于在密封环181的第一侧上与靶材组件114(诸如背衬板160)对接，并且在密封环181的第二侧上与支撑构件175对接。密封环181可由介电材料制成，诸如陶瓷。密封环181可将靶材组件114与接地组件103绝缘。
支撑构件175可以是大致上平面的构件，具有中心开口以容纳靶材组件114。一些实施例中，支撑构件175可以是圆形或盘状的形状，然而该形状可取决于腔室盖的相应形状和/或PVD处理***100中待处理的基板的形状而有所不同。
靶材组件114包括待于溅射期间沉积在基板(诸如基板108)上的源材料113，该源材料诸如金属、金属氧化物、金属合金、或类似物。在一些实施例中，源材料113可以是钛、钽、钨、或类似物。在与本公开一致的实施例中，靶材组件114包括支撑源材料113的背衬板160。源材料113可设置在背衬板组件160的面向基板支撑件的一侧上，如图1所说明。该背衬板160可包括导电材料，诸如铜－锌、铜－铬或与靶材相同的材料，使得RF和DC电力能够经由背衬板160耦合到源材料113。作为替代方案，背衬板160可以是非导电且可包括导电元件(图中未示出)，诸如电馈通件或类似物。背衬板160可以是盘形、矩形、方形或可由PVD处理***100容纳的任何其他形状。背衬板160配置成支撑源材料113，使得该源材料的前表面与基板108(当存在时)相对。源材料113可用任何合适的方式耦接至背衬板160。例如，在一些实施例中，源材料113可以扩散黏结至背衬板160。
在一些实施例中，导电支撑环164可设置在源分配板158与靶材组件114的后侧之间，以将RF能量从源分配板传播到靶材组件114的周围边缘。导电支撑环164可以是圆柱形的，第一端166在靠近源分配板158的周围边缘处耦接至源分配板158的面向靶材的表面，而第二端168在靠近靶材组件114的周围边缘处耦接至靶材组件114的面向源分配板的表面。在一些实施例中，第二端168在靠近背衬板160的周围边缘处耦接至背衬板160的面向源分配板的表面。
绝缘间隙180设置在接地板156与源分配板158、导电支撑环164和靶材组件114的外表面之间。该绝缘间隙180可填充有空气或一些其他适合的介电材料，诸如陶瓷、塑料、或类似物。接地板156和源分配板158之间的距离取决于接地板156和源分配板158之间的介电材料。当介电材料主要是空气时，接地板156和源分配板158之间的距离可在约15mm和约40mm之间。
接地组件103和靶材组件114可由密封环181和设置在接地板156的第一表面157与靶材组件114的后侧(例如，源分配板158的非面向靶材侧)之间的一个或多个绝缘体(图中未示出)电隔离。
PVD处理***100具有连接至源分配板158的RF电源182。该RF电源182可包括RF产生器和匹配电路，例如，以最小化操作期间反射回到RF产生器的反射RF能量。例如，由RF电源182所供应的RF能量的频率范围可从约13.56MHz到约162MHz或更高。例如，能够使用诸如13.56MHz、27.12MHz、40.68MHz、60MHz、或162MHz之类的非限制性频率。
在一些实施例中，PVD处理***100可包括第二能量源189，以在处理期间向靶材组件114提供额外的能量。在一些实施例中，第二能量源189可以是DC电源以提供DC能量，例如，以增强靶材材料的溅射速率(并因此提高基板上的沉积速率)。在一些实施例中，第二能量源189可以是类似于RF电源182的第二RF电源，以提供例如在第二频率的RF能量，该第二频率不同于RF电源182所提供的RF能量的第一频率。在其中第二能量源189是DC电源的实施例中，该第二能量源可以在适合将DC能量电耦合到靶材组件114(诸如源分配板158或某些其他的导电构件)的任何位置耦接至靶材组件114。
控制器194可被提供并耦接PVD处理***100的各种部件以控制部件的操作。控制器194包括中央处理单元(CPU)118、存储器172和支持电路173。该控制器194可直接控制PVD处理***100，或者经由与特定处理腔室和/或支持***部件相关联的计算机(或控制器)控制PVD处理***100。控制器194可以是任何形式的通用计算机处理器之一，该处理器能够在工业设定中用于控制各种腔室和子处理器。控制器194的存储器(或计算机可读媒体172)可以是容易取得的存储器中的一者或多者，诸如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘、硬盘、光学存储媒体(例如，CD或DVD)、闪存驱动器、或任何其他形式、本地端或远程的数字存储装置。支持电路173耦接至CPU 118，以用常规方式支持处理器。这些电路包括高速缓存、电源供应器、频率电路、输入/输出电路和子***、及类似物。本发明的方法可以作为软件例程存储在存储器172中，可执行或调用该软件例程以用本文所述的方式控制PVD处理***100的操作。软件例程也可由第二CPU(图中未示出)存储和/或执行，该第二CPU位于CPU118所控制的硬件的远程。
虽然前述内容针对本公开的实施例，但是可在不背离本公开的基本范围的情况下设计本公开的其他和进一步的实施例。
Claims (15)
1.一种磁电管组件，包括：
可旋转磁体组件，具有彼此间隔开的多个磁体，其中所述多个磁体包括外圈磁体；以及
包覆主体，设置在所述多个磁体之间的空间中，其中所述包覆主体包括多个孔洞，所述多个孔洞穿过所述包覆主体且与所述多个磁体相对应，其中所述包覆主体在所述外圈磁体的径向内侧处比在所述外圈磁体的径向外侧的区域厚。
2.如权利要求1所述的磁电管组件，进一步包括：
主体，沿着所述磁电管组件的中心轴延伸且具有冷却剂馈通通道，以将冷却剂提供至所述主体下方的区域，其中所述可旋转磁体组件耦接至所述主体的底部。
3.如权利要求2所述的磁电管组件，其中所述包覆主体包括穿孔，所述穿孔延伸穿过所述包覆主体且与所述冷却剂馈通通道对齐。
4.如权利要求1所述的磁电管组件，其中所述包覆主体的总厚度大约等于所述多个磁体的总厚度。
5.如权利要求1至4中任一项所述的磁电管组件，其中所述可旋转磁体组件包括：
分流板，其中所述多个磁体耦接至所述分流板的第一表面，其中所述多个磁体包括外圈磁体与内圈磁体，且其中所述空间在所述内圈磁体内以及在所述外圈磁体与所述内圈磁体之间。
6.如权利要求5所述的磁电管组件，进一步包括：
外磁极板，具有对应于所述外圈磁体的形状且耦接至所述外圈磁体；以及
内磁极板，具有对应于所述内圈磁体的形状且耦接至所述内圈磁体，其中所述包覆主体包括与所述外磁极板的形状对应的外极板通道以及与所述内磁极板的形状对应的内极板通道。
7.如权利要求5所述的磁电管组件，进一步包括：
平衡件，耦接至所述分流板以当所述可旋转磁体组件旋转时提供平衡重。
8.如权利要求1至4中任一项所述的磁电管组件，其中所述包覆主体由非铁材料形成。
9.如权利要求8所述的磁电管组件，其中所述包覆主体由聚甲醛、环氧树脂、或发泡环氧树脂混合物中的一者形成。
10.一种基板处理***，包括：
腔室；
盖，可移除地设置在所述腔室的顶上；
靶材组件，耦接至所述盖，所述靶材组件包括靶材材料，所述靶材材料将从所述靶材组件溅射且沉积于基板上；
基板支撑件，设置在所述腔室内以在处理期间支撑基板；
冷却剂供应源；以及
如权利要求2至3中任一项所述的磁电管组件，设置成在与所述基板支撑件相对的一侧上邻近所述靶材组件，其中所述冷却剂馈通通道配置成将所述冷却剂从所述冷却剂供应源沿着所述中心轴提供至所述包覆主体与所述靶材组件之间的间隙，以冷却所述靶材组件。
11.如权利要求10所述的基板处理***，进一步包括：
第一电机，经由耦接组件耦接至所述主体，以旋转所述主体和所述可旋转磁体组件。
12.如权利要求10所述的基板处理***，其中所述靶材组件包括背衬板和靶材，所述靶材耦接所述背衬板，且其中所述背衬板邻近所述磁体组件的一侧包括多个凹槽。
13.如权利要求10所述的基板处理***，其中所述可旋转磁体组件包括：
分流板，其中所述多个磁体耦接至所述分流板的第一表面，其中所述多个磁体包括外圈磁体与内圈磁体，且其中所述空间在所述内圈磁体内以及在所述外圈磁体与所述内圈磁体之间。
14.如权利要求13所述的基板处理***，进一步包括：
外磁极板，具有对应于所述外圈磁体的形状且耦接至所述外圈磁体；以及
内磁极板，具有对应于所述内圈磁体的形状且耦接至所述内圈磁体，其中所述包覆主体包括与所述外磁极板的形状对应的外极板通道以及与所述内磁极板的形状对应的内极板通道。
15.如权利要求10所述的基板处理***，其中所述包覆主体包括穿孔，所述穿孔延伸穿过所述包覆主体且与所述冷却剂馈通通道对齐。
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