CN111433838A - 显示装置及电子设备 - Google Patents
显示装置及电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111433838A CN111433838A CN201880079028.5A CN201880079028A CN111433838A CN 111433838 A CN111433838 A CN 111433838A CN 201880079028 A CN201880079028 A CN 201880079028A CN 111433838 A CN111433838 A CN 111433838A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- transistor
- terminal
- image data
- circuit
- potential
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 74
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 102
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 98
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 89
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 31
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 15
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 194
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 160
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 description 39
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 35
- 101000647095 Homo sapiens Transcriptional protein SWT1 Proteins 0.000 description 30
- 102100025094 Transcriptional protein SWT1 Human genes 0.000 description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 29
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 13
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 12
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 6
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 4
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 2,6-dimethyl-n-[[(2s)-pyrrolidin-2-yl]methyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1NC[C@H]1NCCC1 UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical group [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101100480488 Rattus norvegicus Taar8c gene Proteins 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 3
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052718 tin Chemical group 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 101100480484 Rattus norvegicus Taar8a gene Proteins 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052696 pnictogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical group [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004974 Thermotropic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000012905 input function Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011156 metal matrix composite Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001291 polyvinyl halide Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3275—Details of drivers for data electrodes
- G09G3/3291—Details of drivers for data electrodes in which the data driver supplies a variable data voltage for setting the current through, or the voltage across, the light-emitting elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3275—Details of drivers for data electrodes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3685—Details of drivers for data electrodes
- G09G3/3688—Details of drivers for data electrodes suitable for active matrices only
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G5/00—Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators
- G09G5/36—Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators characterised by the display of a graphic pattern, e.g. using an all-points-addressable [APA] memory
- G09G5/39—Control of the bit-mapped memory
- G09G5/393—Arrangements for updating the contents of the bit-mapped memory
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2230/00—Details of flat display driving waveforms
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0264—Details of driving circuits
- G09G2310/027—Details of drivers for data electrodes, the drivers handling digital grey scale data, e.g. use of D/A converters
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/0223—Compensation for problems related to R-C delay and attenuation in electrodes of matrix panels, e.g. in gate electrodes or on-substrate video signal electrodes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/0271—Adjustment of the gradation levels within the range of the gradation scale, e.g. by redistribution or clipping
- G09G2320/0276—Adjustment of the gradation levels within the range of the gradation scale, e.g. by redistribution or clipping for the purpose of adaptation to the characteristics of a display device, i.e. gamma correction
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
提供一种电路面积小且功耗低的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置，包括图像信号线、图像数据保持部、校正数据保持部及显示元件，其中校正数据保持部与图像信号线电连接，图像信号线与图像数据保持部电连接，图像数据保持部与显示元件电连接。图像信号线具有利用寄生电容保持第一图像数据的功能，图像数据保持部具有保持第一图像数据的功能。校正数据保持部具有：保持校正数据的功能；以及在图像数据保持部保持第一图像数据之后，在校正数据保持部保持校正数据，由此根据第一图像数据及校正数据生成其灰度多于第一图像数据的灰度的第二图像数据的功能。
Description
技术领域
本发明的一个方式涉及一种显示装置及电子设备。
注意，本发明的一个方式不限定于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本发明的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。因此，具体而言，作为本说明书所公开的本发明的一个方式的技术领域的例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、蓄电装置、摄像装置、存储装置、处理器、电子设备、***、它们的驱动方法、它们的制造方法或它们的检查方法。
背景技术
近年来，对智能手机等移动电话机、平板信息终端、笔记本型PC(个人计算机)、便携式游戏机等所包括的显示装置在各种方面上进行改良。例如，对显示装置进行开发，以提高分辨率、提高颜色再现性，减小驱动电路或者降低功耗等。另外，例如，专利文献1公开了一种发明,即为了显示多灰度的图像，包括使用多灰度线性数字模拟转换电路的液晶元件的显示装置的源极驱动器IC的发明。
另外，可以举出作为显示装置中的像素电路所包括的开关元件应用将氧化物半导体用于半导体薄膜的晶体管的技术等。
作为可以用于晶体管的半导体薄膜，硅类半导体材料被广泛地周知，而作为其他材料，氧化物半导体受到关注。作为氧化物半导体，例如，除了如氧化铟、氧化锌等单元金属氧化物之外还已知多元金属氧化物。在多元金属氧化物中，有关In-Ga-Zn氧化物(以下也称为IGZO)的研究尤为火热。
通过有关IGZO的研究，在氧化物半导体中，发现了既不是单晶也不是非晶的CAAC(c-axis aligned crystalline：c轴取向结晶)结构及nc(nanocrystalline：纳米晶)结构(参照非专利文献1至非专利文献3)。非专利文献1及非专利文献2中公开了一种使用具有CAAC结构的氧化物半导体制造晶体管的技术。非专利文献4及非专利文献5中公开了，一种比CAAC结构及nc结构的结晶性低的氧化物半导体中也具有微小的结晶。
已报告：将IGZO用于活性层的晶体管具有极低的关态电流(参照非专利文献6)；以及利用了该特性的LSI及显示装置(参照非专利文献7及非专利文献8。)。另外，专利文献2公开了将在活性层中包含IGZO的晶体管用于显示装置的像素电路的发明。
[先行技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]美国专利第8462145号说明书
[专利文献2]日本专利申请公开第2010-156963号公报
[非专利文献]
[非专利文献1]S.Yamazaki et al.,“SID Symposium Digest of TechnicalPapers”,2012,volume 43,issue 1,p.183-186
[非专利文献2]S.Yamazaki et al.,“Japanese Journal of Applied Physics”,2014,volume 53,Number 4S,p.04ED18-1-04ED18-10
[非专利文献3]S.Ito et al.,“The Proceedings of AM-FPD’13Digest ofTechnical Papers”,2013,p.151-154
[非专利文献4]S.Yamazaki et al.,“ECS Journal of Solid State Science andTechnology”,2014,volume 3,issue 9,p.Q3012-Q3022
[非专利文献5]S.Yamazaki,“ECS Transactions”,2014,volume 64,issue 10,p.155-164
[非专利文献6]K.Kato et al.,“Japanese Journal of Applied Physics”,2012,volume 51,p.021201-1-021201-7
[非专利文献7]S.Matsuda et al.,“2015Symposium on VLSI Technology Digest ofTechnical Papers”,2015,p.T216-T217
[非专利文献8]S.Amano et al.,“SID Symposium Digest of Technical Papers”,2010,volume 41,issue 1,p.626-629
发明内容
发明所要解决的技术问题
作为显示高质量的图像的条件，例如显示装置被要求高分辨率、多灰度、广色域等。例如，在包括有机EL(Electro Luminescence)元件等发光元件或者透射型液晶元件、反射型液晶元件等液晶元件的显示装置中，为了实现多灰度的图像，需要适当地设计源极驱动器电路。
为了对多灰度的图像数据进行处理，需要提高包括在源极驱动器电路中的数字模拟转换电路的分辨能力，数字模拟转换电路可以通过提高其分辨能力更细密地输出模拟值(电压)。但是，在设计分辨能力高的数字模拟转换电路的情况下，该数字模拟转换电路的面积增大。
本发明的一个方式的目的之一是提供一种能够生成多灰度的图像数据的显示装置。此外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的显示装置。此外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种包括上述显示装置的新颖的电子设备。
另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有电路面积小的源极驱动器电路的显示装置。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有功耗低的源极驱动器电路的显示装置。
注意，本发明的一个方式的目的不局限于上述目的。上述列举的目的并不妨碍其他目的的存在。另外，其他目的是本部分没有提到而将在下面的记载中进行说明的目的。本领域技术人员可以从说明书或附图等的记载中导出并适当抽出本部分没有提到的目的。此外，本发明的一个方式实现上述目的及其他目的中的至少一个目的。此外，本发明的一个方式并不需要实现所有的上述目的及其他目的。
解决技术问题的手段
(1)
本发明的一个方式是一种显示装置，包括第一电路、第二电路及图像信号线，其中第一电路包括图像保持部及显示元件，第二电路包括校正数据保持部，第二电路与图像信号线电连接，图像信号线与第一电路电连接，图像数据保持部与显示元件电连接，第一电路具有在图像数据保持部保持第一图像数据的功能，第二电路具有在校正数据保持部保持校正数据的功能以及根据校正数据将保持在图像信号线及图像数据保持部的第一图像数据校正为第二图像数据的功能，显示元件具有显示对应于第二图像数据的图像的功能。
(2)
另外，本发明的一个方式是一种具有上述(1)的结构的显示装置，其中第二电路包括第一至第三开关及第一电容器，第一电路包括第四开关及第二电容器，第一开关的第一端子与第一电容器的第一端子及图像信号线电连接，第一开关的第二端子与第二开关的第一端子电连接，校正数据保持部与第二开关的第二端子、第一电容器的第二端子及第三开关的第一端子电连接，第四开关的第一端子与图像信号线电连接，图像数据保持部与第四开关的第二端子及第二电容器电连接。
(3)
另外，本发明的一个方式是一种具有上述(2)的结构的显示装置，其中第一至第四开关中的至少一个是晶体管，该晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物和硅中的一个。
(4)
另外，本发明的一个方式是一种具有上述(2)或(3)的结构的显示装置，具有第一至第四功能。第一功能具有：使第二开关处于关闭状态并使第三开关处于开启状态而对校正数据保持部写入第一电位的功能；以及使第二开关处于关闭状态并使第一开关和第四开关都处于开启状态而对图像信号线及上述图像数据保持部写入对应于第一图像数据的第二电位的功能。第二功能具有：使第一开关处于关闭状态并使第四开关处于开启状态而使图像信号线及图像数据保持部处于电浮动状态的功能。第三功能具有：使第一开关和第三开关都处于关闭状态并使第二开关处于开启状态而对校正数据保持部写入对应于校正数据的第三电位的功能；以及在第一电容器的第二端子的电位从第一电位变为第三电位时，图像信号线及图像数据保持部所保持的第二电位变为对应于第二图像数据的第四电位的功能。第四功能具有：使第四开关处于关闭状态而根据第四电位驱动显示元件的功能。
(5)
另外，本发明的一个方式是一种具有上述(4)的结构的显示装置，其中第二电位是对应于第二图像数据的高位的电位，第三电位是对应于第二图像数据的低位的电位。
(6)
另外，本发明的一个方式是一种具有上述(2)至(5)中任一结构的显示装置，其中显示元件是液晶元件，该液晶元件的第一端子与图像数据保持部电连接。
(7)
另外，本发明的一个方式是一种具有上述(2)至(5)中任一结构的显示装置，其中显示元件是发光元件并包括驱动电路部，该驱动电路部包括驱动晶体管，该驱动晶体管的栅极与图像数据保持部电连接，驱动晶体管的第一端子与第二电容器的第二端子及发光元件的输入端子电连接。
(8)
另外，本发明的一个方式是一种电子设备，包括具有上述(1)至(7)中任一结构的显示装置以及框体。
发明效果
根据本发明的一个方式，可以提供一种能够生成多灰度的图像数据的显示装置。另外，根据本发明的一个方式，可以提供一种新颖的显示装置。另外，根据本发明的一个方式，可以提供一种包括上述显示装置的电子设备。
另外，根据本发明的一个方式，可以提供一种包括电路面积小的源极驱动器电路的显示装置。另外，根据本发明的一个方式，可以提供一种包括功耗低的源极驱动器电路的显示装置。
注意，本发明的一个方式的效果不局限于上述效果。上述列举的效果并不妨碍其他效果的存在。另外，其他效果是本部分没有提到而将在下面的记载中进行说明的效果。本领域技术人员可以从说明书或附图等的记载中导出并适当抽出本部分没有提到的效果。此外，本发明的一个方式实现上述效果及其他效果中的至少一个效果。由此，本发明的一个方式根据情况有时不具有以上举出的效果。
附图简要说明
[图1]是示出显示装置的一个例子的方框图。
[图2]是示出显示装置的例子的方框图。
[图3]是示出显示装置的一个例子的电路图。
[图4]是示出像素的例子的电路图。
[图5]是示出显示装置所包括的电路的一个例子的电路图。
[图6]是示出显示装置的一个例子的电路图。
[图7]是说明显示装置的工作例子的时序图。
[图8]是示出显示装置的例子的俯视图。
[图9]是示出触摸面板的一个例子的透视图。
[图10]是示出显示装置的一个例子的截面图。
[图11]是示出晶体管的结构例子的截面图。
[图12]是示出晶体管的结构例子的截面图。
[图13]是示出电子设备的一个例子的透视图。
[图14]是示出电子设备的一个例子的透视图。
[图15]是示出DOSRAM的结构例子的截面图。
[图16]是示出在实施例中说明的显示装置的电路图。
[图17]是示出图16的显示装置中的对应校正数据的电位的写入引起的对应图像数据的电位变动的图。
实施发明的方式
在本说明书等中，金属氧化物(metal oxide)是指广义上的金属的氧化物。金属氧化物被分类为氧化物绝缘体、氧化物导电体(包括透明氧化物导电体)和氧化物半导体(Oxide Semiconductor，也可以简称为OS)等。例如，在将金属氧化物用于晶体管的活性层的情况下，有时将该金属氧化物称为氧化物半导体。换言之，在金属氧化物能够构成包括具有放大作用、整流作用及开关作用中的至少一个的晶体管的沟道形成区域时，可以将该金属氧化物称为金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor)，简称为OS。此外，可以将OS FET或OS晶体管换称为包含金属氧化物或氧化物半导体的晶体管。
此外，在本说明书等中，有时将包含氮的金属氧化物也称为金属氧化物(metaloxide)。此外，也可以将包含氮的金属氧化物称为金属氧氮化物(metal oxynitride)。
(实施方式1)
在本实施方式中，说明本发明的一个方式的显示装置。
〈显示装置的结构例子1〉
首先，说明显示装置的结构例子。图1是示出包括显示元件的显示装置的一个例子的方框图。显示装置DD包括显示部PA、源极驱动器电路SD及栅极驱动器电路GD。
显示部PA包括多个像素PIX。图1只示出显示部PA所包括的多个像素PIX中的一个而省略其他像素PIX。另外，显示部PA所包括的多个像素PIX优选配置为矩阵状。
在图1中，像素PIX通过被用作图像信号线的布线SL与源极驱动器电路SD电连接。并且，像素PIX通过被用作选择信号线的布线GL与栅极驱动器电路GD电连接。注意，由于显示部PA包括多个像素PIX，所以可以使多个像素PIX与布线SL电连接。同样地，也可以使多个像素PIX与布线GL电连接。另外，也可以根据在显示部PA中包括的像素PIX的数量设置多个布线SL及多个布线GL。再者，根据像素PIX的电路结构，也可以使一个像素PIX与多个布线SL或多个布线GL电连接。
像素PIX可以具有包括一个以上的子像素的结构。例如，作为像素PIX可以采用如下结构：包括一个子像素(红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)和白色(W)等中的任一种颜色)的结构；包括三个子像素(红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的三种颜色等)的结构；或者包括四个子像素(红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)、白色(W)的四种颜色或者红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)、黄色(Y)的四种颜色等)的结构。注意，适用于子像素的颜色要素不局限于上述组合，也可以根据需要组合青色(C)及品红色(M)等。
源极驱动器电路SD具有：生成对显示部PA中的像素PIX输入的图像数据的功能；以及将该图像数据发送到像素PIX的功能。
源极驱动器电路SD例如可以包括移位寄存器SR、锁存电路LAT、电平转换电路LVS、数字模拟转换电路DAC、放大器电路AMP及数据总线布线DB。在图1中，移位寄存器SR的输出端子与锁存电路LAT的时钟输入端子电连接，锁存电路LAT的输入端子与数据总线布线DB电连接，锁存电路LAT的输出端子与电平转换电路LVS的输入端子电连接，电平转换电路LVS的输出端子与数字模拟转换电路DAC的输入端子电连接，数字模拟转换电路DAC的输出端子与放大器电路AMP的输入端子电连接，放大器电路AMP的输出端子与显示部PA电连接。
相对于一个布线SL设置有图1所示的锁存电路LAT、电平转换电路LVS、数字模拟转换电路DAC及放大器电路AMP。换言之，需要根据布线SL的数量设置多个锁存电路LAT、多个电平转换电路LVS、多个数字模拟转换电路DAC以及多个放大器电路AMP。在此情况下，移位寄存器SR对多个锁存电路LAT的各时钟输入端子依次发送脉冲信号即可。
数据总线布线DB是用来发送包含对显示部PA输入的图像数据的数字信号的布线。该图像数据具有灰度，灰度越大越可以平滑地表现颜色或亮度的变化，并且可以在显示部PA上显示更自然的图像。但是，灰度越大，该图像数据的数据量越大，因此需要高分辨能力的数字模拟转换电路。
对锁存电路LAT的输入端子从数据总线布线DB输入包含图像数据的数字信号。并且，根据从移位寄存器SR发送的信号，锁存电路LAT进行保持该图像数据的工作和将所保持的该图像数据从输出端子输出的工作中的一个。
电平转换电路LVS具有将输入信号转换为具有更大或更小振幅电压的输出信号的功能。在图1中，电平转换电路LVS具有将从锁存电路LAT发送的包含图像数据的数字信号的振幅电压转换为数字模拟转换电路DAC适当工作的振幅电压的功能。
数字模拟转换电路DAC具有将被输入的包含图像数据的数字信号转换为模拟信号的功能及将该模拟信号从输出端子输出的功能。尤其是，在显示部PA上显示多灰度的图像数据的情况下，数字模拟转换电路DAC需要为高分辨能力的数字模拟转换电路。
放大器电路AMP具有将输入到输入端子的模拟信号放大并输出到输出端子的功能。通过在数字模拟转换电路DAC和显示部PA之间设置放大器电路AMP，可以将图像数据稳定地发送到显示部PA。作为放大器电路AMP，可以适用包括运算放大器等的电压跟随器电路等。注意，在作为放大器电路使用具有差分输入电路的电路的情况下，该差分输入电路的偏置电压优选为无限趋近于0V。
通过进行上述工作，源极驱动器电路SD可以将从数据总线布线DB发送的包含图像数据的数字信号转换为模拟信号并将该信号发送到显示部PA。
栅极驱动器电路GD具有在显示部PA所包括的多个像素PIX中选择被输入图像数据的像素PIX的功能。
作为对显示部PA输入图像数据的方法，例如有如下方法：栅极驱动器电路GD对与某一个布线GL电连接的多个像素PIX发送选择信号，使包含在多个像素PIX中的图像数据的写入开关元件为导通状态，然后，从源极驱动器电路SD通过布线SL对多个像素PIX发送图像数据来进行图像数据的写入。由此，在本说明书等中，可以将布线GL换称为栅极线、选择信号线等，并可以将布线SL换称为源极线、数据线、图像信号线等。
注意，本发明的一个方式不局限于图1所示的显示装置DD的结构。作为本发明的一个方式，例如根据设计规格、目的等的情况，适当地改变显示装置DD的构成要素。
在将多灰度的图像显示在显示部PA中的情况下，只要提高数字模拟转换电路DAC的分辨能力即可，然而，此时数字模拟转换电路DAC增大，因此有时源极驱动器电路SD的电路面积增大。当使源极驱动器电路SD所包括的电路中的晶体管或电容器等电路元件缩小以缩小源极驱动器电路SD的电路面积时，由于寄生电阻的影响或在制造电路元件时导致的结构的不均匀的影响等，有时电路元件的电特性受到不良影响。
〈显示装置的结构例子2〉
本发明的一个方式的显示装置是基于上述而构成的，利用电容耦合将像素PIX的图像数据的保持部的电位改变为比数字模拟转换电路DAC能够输出的电位更精确的电位。换言之，根据本发明的一个方式的显示装置，可以对像素PIX的图像数据的保持部供应比数字模拟转换电路DAC更高分辨能力的电位。由此，因为无需提高数字模拟转换电路的分辨能力，所以可以使用分辨能力低的数字模拟转换电路。因此，可以缩减包括数字模拟转换电路DAC的源极驱动器电路SD的电路面积，并且可以降低源极驱动器电路SD的功耗。
图2A和图2B示出本发明的一个方式的显示装置的结构例子。
图2A的方框图示出包括液晶元件的显示装置的一个例子，显示装置DD1包括显示部PA以及设置在显示部PA周围的电路。
具体而言，图2A所示的显示装置DD1除了图1所示的显示部PA、栅极驱动器电路GD及源极驱动器电路SD以外，还包括校正数据保持部104。显示部PA中的像素PIX包括图像数据保持部101及显示元件103。
校正数据保持部104的输入端子与源极驱动器电路SD的输出端子电连接，校正数据保持部104的输出端子与布线SL电连接。
与图1所示的显示部PA同样，图2A所示的显示部PA包括多个像素PIX。注意，图2A只示出显示部PA所包括的多个像素PIX的中的一个，而省略其他像素PIX。在显示部PA所包括的像素PIX中，图像数据保持部101与显示元件103电连接。另外，图像数据保持部101与布线SL电连接。
图像数据保持部101具有保持从源极驱动器电路SD通过校正数据保持部104及布线SL发送的图像数据的功能。另外，图像数据保持部101可以包括用来保持图像数据的写入开关元件、电容器等。
图2A所示的像素PIX中的显示元件103具有控制从像素PIX发射的光的功能。该光的强度(可以换称为亮度、灰度的高度等。)根据保持在图像数据保持部101的图像数据而决定。
如上所述，作为显示元件103可以采用液晶元件。作为该液晶元件，例如可以举出透射型液晶元件、反射型液晶元件等。除了液晶元件以外，例如可以举出电泳元件、使用电子粉流体(注册商标)的显示元件、电润湿方式的显示元件等。在后面说明作为显示元件103使用无机EL元件、有机EL元件等发光元件的情况。
图2A所示的布线VA与像素PIX电连接。布线VA例如可以为用来在图像数据保持部101中保持图像数据的电容线、用来对显示元件103的液晶元件的一个端子供应电位的布线等。因此，布线VA可以为一个或多个。
在图1的显示装置DD的说明中，布线GL具有在对像素PIX写入图像数据时预先发送选择信号的功能，但是还可以具有控制图2A的像素PIX与布线VA之间的开启状态、关闭状态的功能。由此，布线GL可以为一个或多个。由此，可以暂时停止从布线VA的电压的施加及/或电流的供应。
图2B的方框图示出包括有机EL元件、无机EL元件等发光元件的显示装置的一个例子。
具体而言，图2B所示的显示装置DD2具有与显示装置DD1的像素PIX大致相同的结构，但是与显示装置DD1不同之处是：显示部PA中的像素PIX包括驱动电路部102。由此，关于显示装置DD2，只说明与上述显示装置DD1不同的部分，而省略与显示装置DD1相同部分的说明。
驱动电路部102与图像数据保持部101及显示元件103电连接。
驱动电路部102具有根据保持在图像数据保持部101中的图像数据驱动显示元件103的功能。例如，在作为显示元件103使用有机EL元件等根据电流决定发光亮度的发光元件时，驱动电路部102可以包括控制该电流的驱动晶体管。驱动晶体管具有将驱动电流供应到显示元件103的功能。
如上所述，作为图2B所示的像素PIX中的显示元件103，例如可以使用发光元件。作为发光元件，例如可以举出无机EL元件、有机EL元件等。另外，除了上述以外，例如可以举出Micro-LED等。
与图2A所示的布线VA同样，图2B的布线VA与像素PIX电连接。在此，布线VA可以为用来在图像数据保持部101中保持图像数据的电容线、用来驱动驱动电路部102的电压供应线、用来对发光元件供应电流的布线等。由此，与图2A所示的布线VA同样，图2B的布线VA可以为一个或多个布线。
接着，详细地说明校正数据保持部104、像素PIX以及被用作图像信号线的布线SL。图3是示出布线SL的寄生电容及布线电阻、像素PIX的电路结构以及校正数据保持部104的电路结构的电路图。在图3中，为了表示与校正数据保持部104的连接关系，示出源极驱动器电路SD。另外，在像素PIX中，作为电路元件只示出开关SWC及电容器Cs，而省略其他电路元件的记载。另外，图3示出电连接到像素PIX的布线SL，而省略用来对像素PIX发送选择信号的布线(相当于图1以及图2所示的布线GL的布线)、用来对指定的节点供应预定的电位的布线(相当于图2所示的布线VA的布线)等。
如上所述，在图3中示出布线SL中的布线SL所具有的寄生电容及布线电阻。具体而言，布线SL在每个像素PIX中包括作为布线电阻的电阻器Rp及作为寄生电容的电容器Cp。图3所示的显示部PA在一个列上包括N个像素PIX(N是1以上的整数)，并且布线SL包括串联连接的N个电阻器Rp以及并联连接的N个电容器Cp。另外，在图3中，一个像素PIX电连接到电容器Cp的第一端子与电阻器Rp的第一端子的电连接点。
在图3所示的显示部PA中，将设置在第i行(i是1以上且N以下的整数)的像素PIX表示为像素PIX[i]。注意，本说明书中，在没有特别的说明的情况下，有时省略像素PIX[1]至像素PIX[N]各自的地址的记载。另外，图3示出像素PIX[1]、像素PIX[2]、像素PIX[N]，而省略其他像素PIX。
像素PIX包括开关SWC及电容器Cs。开关SWC的第一端子与电容器Cs的第一端子电连接，开关SWC的第二端子与布线SL电连接。电容器Cs的第二端子与布线VC电连接。例如，开关SWC的开启状态、关闭状态的切换由从布线GL等对像素PIX发送的选择信号进行。
例如，电容器Cs可以为在图2所说明的图像数据保持部101所包括的用来保持图像数据的电容器。另外，例如，布线VC可以为为了保持该图像数据对电容器Cs的第二端子供应适当的电位的布线。
布线VP电连接到被用作寄生电容的电容器Cp的第二端子。作为布线VP，例如，可以为用来对像素PIX发送选择信号的布线GL、布线VC等。
校正数据保持部104包括开关SW1至开关SW3及电容器Cd。开关SW1的第一端子与电容器Cd的第一端子及布线SL电连接，开关SW1的第二端子与开关SW2的第一端子及源极驱动器电路SD电连接。开关SW3的第一端子与电容器Cd的第二端子及开关SW2的第二端子电连接，开关SW3的第二端子与布线VG电连接。
注意，在本实施方式中，将开关SW2的第二端子、电容器Cd的第二端子与开关SW3的第一端子的电连接点表示为节点ND3。
校正数据保持部可以通过使开关SW2处于开启状态而对电容器Cd的第二端子(节点ND3)写入校正数据。
布线VG是用来使保持在校正数据保持部104的校正数据复位的布线，例如，可以为供应基准电位的布线。
〈像素的电路结构例子〉
接着，对可以适用于图1至图3所示的像素PIX的电路结构例子进行说明。
图4A1所示的像素PIX包括晶体管Tr1、电容器C1及液晶元件LC。此外，布线DL、布线GL及布线VCOM与像素PIX电连接。
晶体管Tr1用作开关元件。尤其是，晶体管Tr1被用作使液晶元件LC的第一端子与布线DL电连接或不连接的晶体管。换言之，晶体管Tr1可以相当于图3的像素PIX中的开关SWC。另外，晶体管Tr1可以适用实施方式3所记载的结构。
布线DL为用来对像素PIX发送图像数据的布线，并且为相当于图1至图3所示的布线SL的布线。再者，布线GL为相对于像素PIX的选择信号线，并且为相当于图1以及图2所示的布线GL的布线。
布线VCOM是用来对液晶元件LC的第二端子供应预定的电位的布线。作为预定的电位例如可以采用基准电位、低电平电位及比它们更低的电位等。另外，布线VCOM可以对显示部PA中的多个像素PIX各自包括的液晶元件LC的第二端子供应共同的电位。
晶体管Tr1的第一端子与电容器C1的第一端子电连接，晶体管Tr1的第二端子与布线DL电连接，晶体管Tr1的栅极与布线GL电连接。
注意，在本实施方式中，将晶体管Tr1的第一端子、电容器C1的第一端子与液晶元件LC的第一端子的电连接点表示为节点ND1。
液晶元件LC的第二端子与布线VCOM电连接。此外，电容器C1的第二端子与布线VCOM电连接。
电容器C1具有保持晶体管Tr1的第一端子与布线VCOM之间的电位差的功能。另外，电容器C1可以相当于图3所示的像素PIX中的电容器Cs。在此情况下，图3所示的布线VC可以相当于图4A1的布线VCOM。注意，电容器C1只要具有保持电容器C1的第一端子的电位的功能即可，所以电容器C1的第二端子也可以与布线VCOM以外的供应恒电位的布线电连接。
另外，在图4A1所示的像素PIX中，晶体管Tr1及电容器C1可以相当于图2A所示的像素PIX的图像数据保持部101所包括的电路元件。另外，在图4A1所示的像素PIX中，液晶元件LC可以相当于图2A所示的像素PIX的显示元件103。
在图4A1所示的像素PIX中，通过在节点ND1保持对应于图像数据的电位，液晶元件LC中的液晶分子根据电压在液晶元件LC的第一端子和第二端子之间取向。被取向的液晶分子使来自显示装置中的背光单元的光透过，或者由显示装置中的反射电极反射从显示装置之外进入的光，因此像素PIX可以发射对应于图像数据的光。
在图4A1的像素PIX中，晶体管Tr1优选为OS晶体管。尤其是，OS晶体管优选为在沟道形成区域中包含铟、元素M(元素M为铝、镓、钇或锡)和锌中的至少一种的氧化物。此外，在实施方式4中详细地说明该氧化物。通过作为晶体管Tr1采用这样的OS晶体管，可以使晶体管的关态电流极小。在电容器C1的第一端子(节点ND1)中保持数据的情况下，通过作为晶体管Tr1使用OS晶体管，可以防止由于关态电流导致的保持在节点ND1中的数据的损坏。
另外，作为晶体管Tr1，例如，可以使用在沟道形成区域中包含硅的晶体管(以下记为Si晶体管)。作为硅，例如，可以使用氢化非晶硅、微晶硅或多晶硅等。
另外，图4A1所示的晶体管Tr1也可以包括背栅极。图4A2所示的像素PIX具有对图4A1所示的像素PIX所包括的晶体管Tr1设置背栅极的结构。在图4A2中，晶体管Tr1的栅极与背栅极电连接。其栅极与背栅极电连接的晶体管可以增高流过该晶体管的通态电流，所以通过采用图4A2所示的像素PIX的结构，可以使像素PIX的工作快。注意，图4A2所示的像素PIX具有晶体管Tr1的栅极与背栅极连接的结构，但是也可以具有由其他布线对晶体管Tr1的背栅极供应电位的结构。
另外，说明与图4A1及图4A2不同的可以适用于图1至图3所示的像素PIX的电路结构的例子。
图4B1所示的像素PIX包括晶体管Tr2至晶体管Tr4、电容器C2及发光元件LD。此外，布线DL、布线GL1、布线AL、布线VL、布线CAT与像素PIX电连接。
晶体管Tr2、晶体管Tr4分别用作开关元件。图像数据的写入通过控制晶体管Tr2进行，所以晶体管Tr2可以相当于图3的像素PIX中的开关SWC。晶体管Tr3用作控制流过发光元件LD的电流的驱动晶体管。另外，晶体管Tr2及晶体管Tr4可以适用实施方式3所记载的结构。
布线DL为用来对像素PIX发送图像数据的布线，并且可以相当于图1至图3的布线SL。再者，布线GL1为相对于像素PIX的选择信号线，并且可以相当于图1以及图2的布线GL。
布线VL是用来对像素PIX中的特定节点供应预定的电位的布线。再者，布线AL是用来供应流过发光元件LD的电流的布线。布线VL及布线AL可以相当于图2所示的布线VA。
布线CAT是用来对发光元件LD的输出端子供应预定的电位的布线。作为预定的电位可以采用例如基准电位、低电平电位及比它们更低的电位等。另外，布线CAT可以相当于图2所示的布线VA。在显示部PA中的多个像素PIX中，布线CAT优选用作供应给共同电位的布线。
晶体管Tr2的第一端子与电容器C2的第一端子及晶体管Tr3的栅极电连接，晶体管Tr2的第二端子与布线DL电连接，晶体管Tr2的栅极与布线GL1电连接。晶体管Tr3的第一端子与布线AL电连接，晶体管Tr3的第二端子与电容器C2的第二端子、晶体管Tr4的第一端子及液晶元件LD的输入端子电连接。晶体管Tr4的第二端子与布线VL电连接，晶体管Tr4的栅极与布线GL1电连接。发光元件LD的输出端子与布线CAT电连接。
注意，在本实施方式中，将晶体管Tr2的第一端子、电容器C2的第一端子与晶体管Tr3的栅极的电连接点表示为节点ND2。
电容器C2具有保持晶体管Tr3的第二端子与栅极之间的电位差的功能。此外，电容器C2可以相当于图3所示的像素PIX中的电容器Cs。
另外，在图4B1所示的像素PIX中，晶体管Tr2及电容器C2可以相当于图2B所示的像素PIX的图像数据保持部101所包括的电路元件。另外，在图4B1所示的像素PIX中，晶体管Tr3及晶体管Tr4可以相当于图2B所示的像素PIX的驱动电路部102所包括的电路元件。另外，在图4B1所示的像素PIX中，发光元件LD可以相当于图2B所示的像素PIX的显示元件103。
在图4B1所示的像素PIX中，通过在节点ND2保持对应于图像数据的电位，对应于作为驱动晶体管的晶体管Tr3的栅极与源极间的电压的电流流过晶体管Tr3的源极和漏极之间。由于该电流流过发光元件LD的输入端子，所以发光元件LD发射光。由此，像素PIX可以发射对应于图像数据的光。
在图4B1的像素PIX中，晶体管Tr2至晶体管Tr4中的至少一个优选为OS晶体管。尤其是，OS晶体管优选为在沟道形成区域中包含铟、元素M(元素M为铝、镓、钇或锡)和锌中的至少一种的氧化物。此外，在实施方式4中详细地说明该氧化物。通过作为晶体管Tr2至晶体管Tr4中的至少一个采用这样的OS晶体管，可以使采用OS晶体管的晶体管的关态电流极小。在电容器C2的第一端子(节点ND2)中保持数据的情况下，通过作为晶体管Tr2使用OS晶体管，可以防止由于关态电流导致的保持在节点ND2中的数据的损坏。另外，通过作为晶体管Tr2至晶体管Tr4都采用OS晶体管，可以同时形成这些晶体管，因此有时可以缩短显示部PA的制造工序。就是说，由于可以减少显示部PA的生产时间，所以可以增加某个单位时间内的生产个数。
另外，作为晶体管Tr2至晶体管Tr4中的至少一个，例如，可以使用在沟道形成区域中包含硅的Si晶体管。作为硅，例如，可以使用氢化非晶硅、微晶硅或多晶硅等。
另外，晶体管Tr2至晶体管Tr4的各沟道形成区域优选都使用相同的材料。另外，根据情况，在像素PIX中可以将晶体管Tr2至晶体管Tr4中的一部分晶体管为Si晶体管并将其他晶体管为OS晶体管。
另外，在图4B1所示的像素PIX中，也可以对发光元件LD的输入端子设置开关元件。在图4B2所示的像素PIX中，在晶体管Tr3的第二端子、电容器C2的第二端子和晶体管Tr4的第一端子的电连接点与发光元件LD之间设置有用作开关元件的晶体管Tr5。换言之，晶体管Tr5的第一端子与晶体管Tr3的第二端子、电容器C2的第二端子、晶体管Tr4的第一端子电连接，晶体管Tr5的第二端子与发光元件LD的输入端子电连接。另外，晶体管Tr5的栅极与选择信号线之一的布线GL2电连接。
在是图4B1所示的像素PIX的情况下，为了停止发光元件LD的发光，不使电流流过发光元件LD的输入端子即可，与此同时降低施加到布线AL的电位等即可。在此情况下，需要另外设置用来控制布线AL的驱动器电路，所以有时显示装置的制造成本增高。另一方面，在是图4B2所示的像素PIX的情况下，通过对布线GL2施加低电平电位而使晶体管Tr5处于关闭状态，来停止对发光元件LD的电流的供应即可。另外，通过作为晶体管Tr5采用上述OS晶体管，可以防止由于关态电流的发光元件LD的发光。
另外，在图4B2所示的像素PIX中，晶体管Tr5可以相当于图2B所示的像素PIX的驱动电路部102所包括的电路元件。
〈校正数据保持部的电路结构例子〉
接着，对可以适用于图1至图3所示的校正数据保持部104的电路结构例子进行说明。
图5A所示的校正数据保持部104具有作为图3所示的校正数据保持部104的开关SW1至开关SW3分别采用晶体管SWT1至晶体管SWT3的电路结构。在图5A中，为了表示与校正数据保持部104的连接关系，示出显示部PA及源极驱动器电路SD。
晶体管SWT1的第一端子与电容器Cd的第一端子及布线SL(布线DL)电连接，晶体管SWT1的第二端子与晶体管SWT2的第一端子及源极驱动器电路SD电连接，晶体管SWT1的栅极与布线CRL1电连接。晶体管SWT2的栅极与布线CRL2电连接。晶体管SWT3的第一端子与电容器Cd的第二端子及晶体管SWT2的第二端子电连接，晶体管SWT3的第二端子与布线VG电连接，晶体管SWT3的栅极与布线CRL1电连接。
与图3同样，在图5中将晶体管SWT2的第二端子、电容器Cd的第二端子与晶体管SWT3的第一端子的电连接点称为节点ND3。
布线CRL1及布线CRL2是用来进行晶体管SWT1至晶体管SWT3的开启状态和关闭状态的切换的布线。尤其是，晶体管SWT1及晶体管SWT3的各栅极与布线CRL1电连接，所以通过对布线CRL1供应高电平电位或低电平电位，可以同时进行晶体管SWT1及晶体管SWT3的开启状态和关闭状态的切换。注意，不需要同时进行晶体管SWT1及晶体管SWT3的各开启状态和关闭状态的切换，也可以分别独立地进行晶体管SWT1及晶体管SWT3的开启状态和关闭状态的切换。此时，校正数据保持部104具有与晶体管SWT1及晶体管SWT3的各栅极与不同的布线电连接的结构即可。
作为晶体管SWT1至晶体管SWT3中的至少一个优选使用OS晶体管。由于OS晶体管具有关态电流极小的特性，所以例如通过作为晶体管SWT2及/或晶体管SWT3使用OS晶体管，可以防止由于关态电流导致的保持在节点ND3的数据破坏。另外，通过作为晶体管SWT1至晶体管SWT3都使用OS晶体管，可以同时形成这些晶体管，因此有时可以缩短显示部PA的制造工序。
另外，图5A所示的晶体管SWT1至晶体管SWT3中的至少一个可以为包括背栅极的晶体管。在图5B中，晶体管SWT1至晶体管SWT3都为包括背栅极的晶体管，各晶体管的栅极与背栅极电连接。由于栅极与背栅极电连接的晶体管可以增高流过该晶体管的通态电流，所以通过采用图5B所示的像素PIX的结构，可以使像素PIX的工作快。注意，在图5B所示的像素PIX具有晶体管SWT1至晶体管SWT3的各栅极与各背栅极连接的结构，但是也可以具有对各晶体管的背栅极由其他布线供应电位的结构。
另外，作为晶体管SWT1至晶体管SWT3中的至少一个优选使用Si晶体管。另外，也可以将晶体管SWT1至晶体管SWT3中的一部分晶体管为Si晶体管并将其他晶体管为OS晶体管。
另外，图5A及图5B示出作为图3所示的校正数据保持部104的开关SW1至开关SW3使用晶体管SWT1至晶体管SWT3的电路结构例子，但是图3所示的校正数据保持部104的开关SW1至开关SW3也可以为由CMOS(Complementary MOS)电路构成的开关，诸如模拟开关。
再者，当校正数据保持部104和像素PIX在相同衬底上形成时，晶体管SWT1至晶体管SWT3以及像素PIX所包括的晶体管的各沟道形成区域优选由相同材料形成。
另外，在由相同材料形成校正数据保持部104和源极驱动器电路SD所包括的各晶体管的沟道形成区域时，校正数据保持部104及源极驱动器电路SD优选形成在相同半导体衬底上。另外，在由彼此不同的材料形成校正数据保持部104和源极驱动器电路SD所包括的各晶体管的沟道形成区域时，优选采用层叠结构，其中将源极驱动器电路SD形成在半导体衬底上且在该源极驱动器电路SD的上方形成校正数据保持部104。在此情况下，校正数据保持部104的晶体管SWT1至晶体管SWT3由OS晶体管构成并源极驱动器电路SD由Si晶体管构成。另外，校正数据保持部104及源极驱动器电路SD也可以采用在形成有源极驱动器电路SD的半导体衬底上安装有形成有校正数据保持部104的衬底的结构。另外，也可以采用在源极驱动器SD的内部包括校正数据保持部104的结构。
作为被形成像素PIX、校正数据保持部104、源极驱动器电路SD等的衬底，例如可以举出玻璃衬底、石英衬底、蓝宝石衬底、稳定氧化锆衬底(氧化钇稳定氧化锆衬底等)、树脂衬底等绝缘体衬底。作为该衬底，例如可以举出有由硅或锗等构成的半导体衬底或者由碳化硅、硅锗、砷化镓、磷化铟、氧化锌或氧化镓等构成的化合物半导体衬底。另外，作为该衬底，例如可以举出在半导体衬底中包括绝缘性区域的SOI(Silicon On Insulator)衬底等。另外，作为该衬底，例如可以举出石墨衬底、金属衬底、合金衬底、导电树脂衬底等导电体衬底等。
〈〈工作例子〉〉
接着，说明本发明的一个方式的显示装置的工作例子。注意，在本工作例子中使用的显示装置是图6所示的显示装置DD3。显示装置DD3具有将显示装置DD1中的像素PIX为图4A1所示的像素PIX并将布线SL为图3所示的布线SL，并且将校正数据保持部104为图5A所示的校正数据保持部104的结构。另外，在图6中，电容器Cpa是作为图3所示的布线SL的寄生电容的电容器Cp的总和，在电连接到布线SL的像素PIX是N个时，表示为Cpa＝N×Cp。另外，在图6中，省略表示图3所示的布线SL的布线电阻的电阻器Rp。另外，在图6中，关于源极驱动器电路SD，只示出放大器电路AMP，而省略电连接到放大器电路的输入端子的电路及元件。
图7是示出显示装置DD3的工作例子的时序图。图7所示的时序图示出时刻T1至时刻T6及其附近时刻的布线GL、布线VCOM、布线CRL1、布线CRL2、布线VG、布线DL、放大器电路的输出电压(在图7中，记载为AMP_out。)、节点ND1以及节点ND3的电位的变化。在图7中记载的“high”表示高电平电位且“low”表示低电平电位。另外，在图7中记载的VGND表示基准电位。
注意，在时刻T1至时刻T6及其附近的时刻，布线VCOM及布线VG一直被施加VGND。
注意，在本工作例子中，除非特别叙述，晶体管Tr1、晶体管SWT1至晶体管SWT3均有时在处于开启状态时最终在线性区域中工作。也就是说，有时对晶体管Tr1、晶体管SWT1至晶体管SWT3的栅极电压、源极电压及漏极电压进行适当的偏压，使得这些晶体管在线性区域中工作。另外，在作为显示装置DD1的像素PIX使用图4B1及图4B2所示的像素PIX时，优选使晶体管Tr2、晶体管Tr4在线性区域中工作并使晶体管Tr3在饱和区域中工作。
[时刻T1之前]
在时刻T1之前，对布线GL施加低电平电位。在布线GL的电位为低电平电位时，对晶体管Tr1的栅极施加低电平电位，因此晶体管Tr1处于关闭状态。换言之，布线DL和节点ND1之间成为非导通状态。
对布线CRL1施加低电平电位。在布线CRL1的电位为低电平电位时，对晶体管SWT1及晶体管SWT3的各栅极施加低电平电位，因此晶体管SWT1和晶体管SWT3都处于关闭状态。换言之，源极驱动器电路SD与显示部PA之间成为非导通状态，节点ND3与布线VG之间也成为非导通状态。
在液晶元件LC的第一端子(节点ND1)和第二端子之间产生一定程度以上的电位差的情况下，根据该电位差液晶元件LC所包括的液晶分子取向。因为被取向的液晶分子使来自显示装置DD1所包括的背光单元的光透过，所以从像素PIX发射该光。根据施加到液晶元件LC的第一端子(节点ND1)和第二端子之间的电压，就是节点ND1的电位决定该光的强度，由此通过调整该电位可以进行灰度显示。注意，在图7所示的时序图的时刻T1之前，在液晶元件LC的第一端子(节点ND1)和第二端子之间产生不使从像素PIX发射光的程度的电位差，而将该电位设定为VIni1。换言之，在图7所示的时序图中，将节点ND1的电位记载为VIni1。注意，VIni1也可以为等于VGND或低于VGND的电位。在本工作例子中，将VIni1设定为大于VGND但不够高得从像素PIX发射光的电位进行说明。
在时刻T1之前，布线CRL2的电位从高电平电位变为低电平电位。在布线CRL2的电位为高电平电位时，对晶体管SWT2的栅极施加高电平电位，因此晶体管SWT2处于开启状态。换言之，源极驱动器电路SD和节点ND3之间成为导通状态。此时，从源极驱动器电路SD中的放大器电路AMP的输出端子输出的电位施加到节点ND3。另外，在布线CRL2的电位成为低电平电位时，晶体管SWT2处于关闭状态，所以源极驱动器电路SD与节点ND3之间成为不电连接的状态。
另外，为了简单地说明本工作例子，将时刻T1之前的节点ND3的电位设定为VIni2。注意，VIni2可以等于VGND或低于VGND的电位，但是在本工作例子中，将VIni2设定为高于VGND的电位。
在时刻T1之前，布线DL的电位为适当的电位。在图7中假设布线DL的电位高于VGND的电位而进行图示。
[时刻T1]
在时刻T1对布线GL施加高电平电位。因此，从时刻T1至时刻T2之间，对晶体管Tr1的栅极施加高电平电位，而晶体管Tr1处于导通状态。由此，布线DL与源极驱动器电路SD之间成为导通状态。
另外，在时刻T1对布线CRL1施加高电平电位。因此，从时刻T1至时刻T2之间，对晶体管SWT1及晶体管SWT3的每个栅极施加高电平电位，而晶体管SWT1及晶体管SWT3处于导通状态。节点ND3与布线VG之间成为导通状态。
在此，在时刻T1，假设从放大器电路的输出端子作为模拟信号输出Vdata1。Vdata1被设定为源极驱动器电路SD所包括的数字模拟转换电路DAC能够输出的电位。此时，晶体管SWT1处于开启状态，所以布线DL的电位成为Vdata1。另外，晶体管Tr1处于开启状态，所以像素PIX的节点ND1的电位也成为Vdata1。
另外，因为晶体管SWT3处于开启状态，所以布线ND3的电位成为VGND。另外，因为晶体管SWT2处于关闭状态，所以从放大器电路AMP的输出端子输出的电位Vdata1没有施加到节点ND3。
此时，电容器Cd的第一端子与第二端子之间的电压成为Vdata1。
[时刻T2]
在时刻T2对布线CRL1施加低电平电位。因此，从时刻T2至时刻T3之间，对晶体管SWT1及晶体管SWT3的各栅极施加低电平电位，而晶体管SWT1和晶体管SWT3都处于关闭状态。
在晶体管SWT1处于关闭状态时，布线DL和源极驱动器电路SD之间成为非电导通状态。因此布线DL与节点ND1处于电浮动状态。另外，在晶体管SWT3处于关闭状态时，节点ND3与布线VG之间也成为非电导通状态，因此节点ND3也处于电浮动状态。
再者，从时刻T2至时刻T3之间，作为模拟信号，从放大器电路AMP的输出端子输出电位Vdata2。与电位Vdata1同样，电位Vdata2也被设定为源极驱动器电路SD所包括的数字模拟转换电路DAC能够输出的电位。
[时刻T3]
在时刻T3中，对布线CRL2施加高电平电位。因此，从时刻T3至时刻T4之间，对晶体管SWT2的栅极施加高电平电位，而晶体管SWT2处于开启状态。
此时，因为晶体管SWT2处于开启状态，所以对节点ND3施加从放大器电路AMP的输出端子输出的电位Vdata2。另外，因为晶体管SWT3处于关闭状态，所以电流从源极驱动器电路SD没有流过布线VG，节点ND3的电位从VGND上升到Vdata2。
另外，布线DL与节点ND1处于电浮动状态，节点ND3的电位的变动引起由于电容器Cd的电容耦合的布线DL和节点ND1的各电位变动。在图7的时序图中，将布线DL和节点ND1的各电位的变动量记为ΔVg，然而在将电容器Cd的静电电容值设定为CA且将合成作为布线SL的寄生电容的电容器Cpa与像素PIX的电容器C1而得的静电电容值表示为CB时，ΔVg可以以下面算式(E1)估计。
[算式1]
因此，在将节点ND1的电位设定为VND1时，以下面算式(E2)表示VND1。
[算式2]
注意，关于算式(E1)及算式(E2)，不考虑产生在液晶元件LC的第一端子和第二端子之间的寄生电容。然而，因为液晶元件LC的第一端子与电容器C1的第一端子彼此电连接，并且液晶元件LC的第二端子及电容器C1的第二端子各自与布线VCOM电连接，所以可以看作具有液晶元件LC与电容器C1并联电连接的结构。因此，可以将算式(E1)及算式(E2)的静电电容值CB看作考虑了液晶元件的寄生电容的值。
[时刻T4]
在时刻T4中，对布线GL施加低电平电位。因此，从时刻T4至时刻T5之间，对晶体管Tr1的栅极施加低电平电位，而晶体管Tr1处于关闭状态。
在晶体管Tr1处于开启状态时，布线DL和节点ND1之间成为非导通状态。因此节点ND1的电位VND1由电容器C1保持。
[时刻T5]
在时刻T5中，对布线CRL2施加低电平电位。因此，从时刻T5至时刻T6之间，对晶体管SWT2的栅极施加低电平电位，而晶体管SWT2处于关闭状态。
在晶体管SWT2处于关闭状态时，源极驱动器电路SD和节点ND3之间成为非导通状态。另外，因为晶体管SWT3处于关闭状态，所以节点ND3处于电浮动状态。由此，节点ND3的电位由电容器Cd保持。
[时刻T6]
在时刻T6，对布线CRL1施加高电平电位。由此，在时刻T6以后，对晶体管SWT1及晶体管SWT3的各栅极施加高电平电位，因此晶体管SWT1和晶体管SWT3都处于开启状态。
另外，在时刻T6，从放大器电路AMP的输出端子作为模拟信号输出电位VAN。与Vdata1及Vdata2同样，VAN被设定为源极驱动器电路SD所包括的数字模拟转换电路DAC能够输出的电位。
由于晶体管SWT1处于开启状态，所以对布线DL施加来自放大器电路AMP的输出端子的电位。由此，布线DL的电位成为VAN。
另外，由于晶体管SWT3处于开启状态，所以对节点ND3施加来自布线VG的电位VGND。
在此，着眼于时刻T4以后的液晶元件LC。在液晶元件LC的第一端子和第二端子之间被施加VND1＝Vdata1+ΔVg的电压。因此，在时刻T4以后，液晶元件LC所包括的液晶分子根据电位VND1取向且从像素PIX发射光。
注意，从像素PIX发射的光的亮度根据施加到液晶元件LC的第一端子和第二端子之间的电压决定。
如上述那样，通过在图6所示的显示装置DD3中进行图7的时序图的时刻T1至时刻T6及其附近的时刻的工作，可以对像素PIX的图像数据的保持部(节点ND1)供应其分辨能力比数字模拟转换电路DAC高的电位。
〈〈具体例子〉〉
在此对如下一个例子进行说明，即通过上述的工作例子在显示装置DD3的显示部PA上显示比数字模拟转换电路DAC所输出的图像数据更多的灰度的图像数据。
在该例子中，作为源极驱动器电路SD的数字模拟转换电路DAC设置6位的数字模拟转换电路，将校正数据保持部104所包括的电容器Cd的静电电容值CA与合成作为布线SL的寄生电容的电容器Cpa和像素PIX的电容器C1而得的静电电容值CB的比设定为CA：CB＝1：63。
通过作为数字模拟转换电路DAC使用6位的数字模拟转换电路DAC，对布线DL及节点ND1写入的Vdata1可以取得以2进制表示的“000000”至“111111”的值。在此，在将“111111”的电压值设定为6.3V的情况下，数字模拟转换电路DAC可以输出的Vdata1可取的电压值为每隔0.1V从0V至6.3V的范围的电压值。
由此，从上述的工作例子的时刻T1至时刻T2之间，对布线DL及节点ND1可以写入从0V至6.3V的范围的Vdata1。
电容器Cd的静电电容值CA与合成作为布线SL的寄生电容的电容器Cpa和像素PIX的电容器C1而得的静电电容值CB的比为CA：CB＝1：63，因此算式(E1)成为以下算式(E3)。
[算式3]
在此，例如在作为输出Vdata2的数字模拟转换电路使用与输出Vdata1的数字模拟转换电路DAC相同的电路时，Vdata2可以与Vdata1同样地取得以2进制表示从“000000”至“111111”的值。此时，Vdata2可取的电压值也为每隔0.1V从0V至6.3V的范围的电压值。就是说，根据算式(E3)，ΔVg可取每隔0.1/64V(＝0.0015625V)从0V至6.3/64V(＝0.0984375V)的值。
由此，在从上述的工作例子的时刻T3至时刻T4之间，根据算式(E2)及算式(E3)，像素PIX的节点ND1的电位可取每隔0.1/64V(＝0.0015625V)从0V至6.3+6.3/64V(＝6.3984375V)的值。
就是说，在本发明的一个方式的显示装置DD1至显示装置DD3中，通过进行上述工作，可以对像素PIX的节点ND1供应6位的数字模拟转换电路DAC不能输出的更细密的电压的值。在上述的具体例子中，在数字模拟转换电路DAC中进行每隔0.1V的电位的输出，然而对像素PIX的节点ND1可以写入每隔0.1/64V(＝0.0015625V)的电位。换言之，对像素PIX可以写入其分辨能力比6位的数字模拟转换电路DAC高的电位(图像数据)。
在上述的具体例子中，6位的数字模拟转换电路DAC供给的Vdata1相当于图像数据的高6位，并且由校正数据保持部104的电容器Cd所引起的电容耦合对节点ND1供应的ΔVg相当于图像数据的低6位。换言之，通过使用本发明的一个方式的显示装置DD1至显示装置DD3，对数字模拟转换电路DAC供给的高6位的图像数据补充低6位的图像数据，可以在显示部PA上显示相当于12位的图像数据。
另外，在上述工作例子中，在时刻T3至时刻T4之间对校正数据保持部104的节点ND3作为校正数据供应高于VGND的电位，但是也可以作为校正数据供应低于VGND的电位。换言之，可以由校正数据保持部104的电容器Cd的电容耦合将施加到节点ND1的ΔVg为负电位。
注意，根据本发明的一个方式的显示装置的结构不局限于图1至图3、图6所示的结构。作为本发明的一个方式，例如根据设计规格、目的等的情况，适当地改变该显示装置的构成要素。
另外，本实施方式所说明的一个结构例子可以与其他结构例子组合。例如，与在晶体管Tr1中设置有背栅极的图4A2的像素PIX同样，图4B1及图4B2所示的像素PIX也可以在晶体管Tr2至晶体管Tr4中设置有背栅极(未图示)。
另外，本发明的一个方式的显示装置的工作方法不局限于上述的工作例子或具体例子。在该工作方法中，可以适当地改变例如对元件、电路或布线等供应电位的顺序或该电位的值。另外，如上面所述那样，可以适当地改变本发明的一个方式的显示装置的结构，因此根据该结构，也可以改变显示装置的工作方法。
注意，本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式或实施例适当地组合。
(实施方式2)
在本实施方式中，对使用液晶元件的显示装置的结构例子进行说明。注意，在本实施方式中省略实施方式1中已说明的对从源极驱动器电路SD输出的图像数据供应低位的图像数据的工作及功能的说明。
图8A所示的显示装置具有第一衬底4001及第二衬底4006。在该显示装置中，以围绕设置在第一衬底4001上的显示部215的方式设置密封剂4005，显示部215被密封剂4005及第二衬底4006密封。
显示部215设置有包括实施方式1所示的像素PIX的像素阵列。
在图8A中，扫描线驱动电路221a、信号线驱动电路231a、信号线驱动电路232a及共通线驱动电路241a都包括设置在印刷电路板4041上的多个集成电路4042。集成电路4042由单晶半导体或多晶半导体形成。信号线驱动电路231a及信号线驱动电路232a具有实施方式1所示的源极驱动器电路SD的功能。扫描线驱动电路221a具有实施方式1所示的栅极驱动器电路GD的功能。共通线驱动电路241a具有对实施方式1所示的布线VCOM供给规定电位的功能。
通过FPC(Flexible printed circuit：柔性印刷电路)4018向扫描线驱动电路221a、共通线驱动电路241a、信号线驱动电路231a及信号线驱动电路232a供应各种信号及电位。
包括于扫描线驱动电路221a及共通线驱动电路241a中的集成电路4042具有对显示部215供应选择信号的功能。包括在信号线驱动电路231a及信号线驱动电路232a中的集成电路4042具有对显示部215供应图像信号的功能。集成电路4042被安装在与由第一衬底4001上的密封剂4005围绕的区域不同的区域中。
注意，对集成电路4042的连接方法没有特别的限制，可以使用引线键合法、COG(Chip On Glass)法、TCP(Tape Carrier Package)法以及COF(Chip On Film)法等。
图8B示出利用COG法安装包含于信号线驱动电路231a及信号线驱动电路232a中的集成电路4042的例子。另外，通过将驱动电路的一部分或整体形成在形成有显示部215的衬底4001上，可以形成***整合型面板(system-on-panel)。
图8B示出将扫描线驱动电路221a及共通线驱动电路241a形成在形成有显示部215的衬底上的例子。通过同时形成驱动电路与显示部215内的像素电路，可以减少构件数。由此，可以提高生产率。
另外，在图8B中，以围绕设置在第一衬底4001上的显示部215、扫描线驱动电路221a以及共通线驱动电路241a的方式设置密封剂4005。显示部215、扫描线驱动电路221a及共通线驱动电路241a上设置有第二衬底4006。由此，显示部215、扫描线驱动电路221a及共通线驱动电路241a由第一衬底4001、密封剂4005及第二衬底4006与显示元件密封在一起。
虽然图8B中示出另行形成信号线驱动电路231a及信号线驱动电路232a并将其安装至第一衬底4001的例子，但是本发明的一个方式不局限于该结构，也可以另行形成扫描线驱动电路并进行安装，或者另行形成信号线驱动电路的一部分或扫描线驱动电路的一部分并进行安装。
此外，显示装置有时包括显示元件为密封状态的面板和在该面板中安装有包括控制器的IC等的模块。
设置于第一衬底上的显示部及扫描线驱动电路包括多个晶体管。作为该晶体管，可以适用OS晶体管或Si晶体管。
***驱动电路所包括的晶体管及显示部的像素电路所包括的晶体管既可以具有相同的结构又可以具有不同的结构。***驱动电路所包括的晶体管既可以都具有相同的结构，又可以组合两种以上的结构。同样地，像素电路所包括的晶体管既可以都具有相同的结构，又可以组合两种以上的结构。
另外，可以在第二衬底4006上设置输入装置4200(未图示。在后面说明输入装置4200)。图8所示的对显示装置设置输入装置4200的结构能够用作触摸面板。
对本发明的一个方式的触摸面板所包括的感测元件(也称为传感元件)没有特别的限制。还可以将能够检测出手指、触屏笔等检测对象的接近或接触的各种传感器用作感测元件。
例如，作为传感器的方式，可以利用静电电容式、电阻膜式、表面声波式、红外线式、光学式、压敏式等各种方式。
在本实施方式中，以包括静电电容式的感测元件的触摸面板为例进行说明。
作为静电电容式，有表面型静电电容式、投影型静电电容式等。另外，作为投影型静电电容式，有自电容式、互电容式等。优选使用互电容式，因为可以同时进行多点感测。
本发明的一个方式的触摸面板可以采用贴合了分别制造的显示装置和感测元件的结构、在支撑显示元件的衬底和对置衬底中的一方或双方设置有构成感测元件的电极等的结构等各种各样的结构。
图9A和图9B示出触摸面板的一个例子。图9A是触摸面板4210的透视图。图9B是输入装置4200的透视示意图。注意，为了明确起见，只示出典型的构成要素。
触摸面板4210具有贴合了分别制造的显示装置与感测元件的结构。
触摸面板4210包括重叠设置的输入装置4200和显示装置。
输入装置4200包括衬底4263、电极4227、电极4228、多个布线4237、多个布线4238及多个布线4239。例如，电极4227可以与布线4237或布线4239电连接。另外，电极4228可以与布线4239电连接。FPC4272b可以与多个布线4237及多个布线4238分别电连接。FPC4272b可以设置有IC4273b。
显示装置的第一衬底4001与第二衬底4006之间可以设置触摸传感器。当在第一衬底4001与第二衬底4006之间设置触摸传感器时，除了静电电容式触摸传感器之外还可以使用利用光电转换元件的光学式触摸传感器。
图10是以图8B中的点划线N1-N2示出的部分的截面图。图10所示的显示装置包括电极4015，该电极4015与FPC4018的端子通过各向异性导电层4019电连接。另外，在图10中，电极4015在形成于绝缘层4112、绝缘层4111及绝缘层4110的开口中与布线4014电连接。
电极4015与第一电极层4030使用同一导电层形成，布线4014与晶体管4010及晶体管4011的源电极及漏电极使用同一导电层形成。
另外，设置在第一衬底4001上的显示部215和扫描线驱动电路221a包括多个晶体管。在图10中，例示出显示部215中的晶体管4010及扫描线驱动电路221a中的晶体管4011。虽然图10中作为晶体管4010及晶体管4011示出底栅极型晶体管，但是也可以使用顶栅极型晶体管。另外，晶体管4011可以包括在实施方式1中已说明的栅极驱动器电路GD中。
在图10中，在晶体管4010及晶体管4011上设置有绝缘层4112。
另外，晶体管4010及晶体管4011设置在绝缘层4102上。另外，晶体管4010及晶体管4011包括形成在绝缘层4111上的电极4017。电极4017可以用作背栅电极。
另外，图10所示的显示装置包括电容器4020。电容器4020包括与晶体管4010的栅电极以同一工序形成的电极4021以及与源电极及漏电极以同一工序形成的电极。每个电极隔着绝缘层4103彼此重叠。注意，作为电容器4020可以采用例如实施方式1中已说明的像素PIX的电容器C1。
一般而言，考虑在像素部中配置的晶体管的泄漏电流等设定在显示装置的像素部中设置的电容器的电容以使其能够在指定期间保持电荷。电容器的电容考虑晶体管的关态电流等设定即可。
图10是作为显示元件使用透射型液晶元件的液晶显示装置的一个例子。在图10中，作为显示元件的液晶元件4013包括第一电极层4030、第二电极层4031及液晶层4008。注意，以夹持液晶层4008的方式设置有被用作取向膜的绝缘层4032和绝缘层4033。第二电极层4031设置在第二衬底4006一侧，第一电极层4030与第二电极层4031隔着液晶层4008重叠。设置在显示部215中的晶体管4010与液晶元件4013电连接。换言之，作为晶体管4010可以采用例如实施方式1中已说明的晶体管Tr1，并且作为液晶元件4013可以采用例如实施方式1中已说明的像素PIX的液晶元件LC。
作为第一电极层4030及第二电极层4031优选使用使可见光透过的导电性材料。作为该导电性材料，例如，可以使用包含选自铟(In)、锌(Zn)及锡(Sn)中的一种以上的材料。具体而言，可以举出氧化铟、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物、包含氧化钨的铟氧化物、包含氧化钨的铟锌氧化物、包含氧化钛的铟氧化物、包含氧化钛的铟锡氧化物、包含氧化硅的铟锡氧化物(ITSO)、氧化锌、以及包含镓的氧化锌等。此外，可以使用包含石墨烯的膜。包含石墨烯的膜例如可以通过使形成在绝缘体或导电体等的膜上的包含氧化石墨烯的膜还原而形成。
作为液晶元件4013，例如，可以采用应用FFS(Fringe Field Switching：边缘场切换)模式的液晶元件。另外，一般而言，作为液晶材料，有介电常数的各向异性(Δε)为正数的正型液晶材料和各向异性为负数的负型液晶材料。作为本实施方式所示的液晶元件4013可以应用该两种材料，根据所应用的模式及设计可以采用最适的液晶材料。
在本实施方式所示的显示装置中，优选使用负型液晶材料。在负型液晶中能够抑制起因于液晶分子的极化的挠曲电效应导致影响，并且极性几乎不影响透过率。因此，可以抑制显示装置的使用者看到闪烁(flicker)。挠曲电效应是指主要起因于分子形状且由于取向畸变发生极化的现象。在负型液晶材料中，不容易产生展曲变形或弯曲变形等取向畸变。
注意，在此作为液晶元件4013，采用应用FFS模式的元件，但是不局限于此，可以采用应用各种模式的液晶元件。例如，可以使用采用VA(Vertical Alignment：垂直取向)模式、TN(Twisted Nematic：扭曲向列)模式、IPS(In-Plane-Switching：平面切换)模式、ASM(Axially Symmetric Aligned Micro-cell：轴对称排列微单元)模式、OCB(OpticallyCompensated Birefringence：光学补偿弯曲)模式、FLC(Ferroelectric Liquid Crystal：铁电性液晶)模式、AFLC(AntiFerroelectric Liquid Crystal：反铁电液晶)模式、ECB(Electrically Controlled Birefringence：电控双折射)模式、VA-IPS(VerticalAlignment In-Plane-Switching：垂直取向平面切换)模式、宾主模式等的液晶元件。
另外，也可以对本实施方式所示的显示装置使用常黑型液晶显示装置，例如采用垂直取向(VA)模式的透射型液晶显示装置。作为垂直取向模式，可以使用MVA(Multi-Domain Vertical Alignment：多象限垂直取向)模式、PVA(Patterned VerticalAlignment：垂直取向构型)模式、ASV(Advanced Super View：高级超视觉)模式等。
液晶元件是利用液晶的光学调制作用来控制光的透过或非透过的元件。液晶的光学调制作用由施加到液晶的电场(水平电场、垂直电场或倾斜方向电场)控制。作为用于液晶元件的液晶可以使用热致液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶(PDLC:Polymer Dispersed Liquid Crystal：聚合物分散液晶)、铁电液晶、反铁电液晶等。这些液晶材料根据条件呈现出胆甾相、近晶相、立方相、手向列相、各向同性相等。
虽然图10示出具有垂直电场方式的液晶元件的显示装置的例子，但是也可以对本发明的一个方式应用具有水平电场方式的液晶元件的显示装置。在采用水平电场方式的情况下，也可以使用不使用取向膜的呈现蓝相的液晶。蓝相是液晶相的一种，是指当使胆甾液晶的温度上升时即将从胆甾相转变到均质相之前出现的相。因为蓝相只在窄的温度范围内出现，所以将其中混合了5wt％以上的手征试剂的液晶组合物用于液晶层4008，以扩大温度范围。由于包含呈现蓝相的液晶和手征试剂的液晶组成物的响应速度快，并且其具有光学各向同性。此外，包含呈现蓝相的液晶和手征试剂的液晶组成物不需要取向处理，并且视角依赖性小。另外，由于不需要设置取向膜而不需要摩擦处理，因此可以防止由于摩擦处理而引起的静电破坏，并可以降低制造工序中的液晶显示装置的不良、破损。
间隔物4035是通过对绝缘层选择性地进行蚀刻而得到的柱状间隔物，并且它是为控制第一电极层4030和第二电极层4031之间的间隔(单元间隙)而设置的。注意，还可以使用球状间隔物。
此外，根据需要，可以适当地设置黑矩阵(遮光层)、着色层(滤色片)、偏振构件、相位差构件、抗反射构件等的光学构件(光学衬底)等。例如，也可以使用利用偏振衬底及相位差衬底的圆偏振。此外，作为光源，也可以使用背光单元或侧光单元等。作为上述背光单元及侧光单元，也可以使用Micro-LED等。在为图10所示的显示装置的情况下，采用如下结构即可，例如，在第二衬底4006的表面(与设置有着色层4131及遮光层4132的面相反一侧)及在第一衬底4001的背面(与设置有绝缘层4102的面相反一侧)都设置偏光衬底，并且在第一衬底4001背面一侧隔着偏光衬底设置背光单元(未图示)。
在图10所示的显示装置中，在第二衬底4006和第二电极层4031之间设置有遮光层4132、着色层4131及绝缘层4133。
作为能够用于遮光层4132的材料，可以举出碳黑、钛黑、金属、金属氧化物或包含多个金属氧化物的固溶体的复合氧化物等。遮光层也可以为包含树脂材料的膜或包含金属等无机材料的薄膜。另外，也可以对遮光层4132使用包含着色层4131的材料的膜的叠层膜。例如，可以采用包含用于使某种颜色的光透过的着色层4131的材料的膜与包含用于使其他颜色的光透过的着色层4131的材料的膜的叠层结构。通过使着色层4131与遮光层4132的材料相同，除了可以使用相同的设备以外，还可以实现工序简化，因此是优选的。
作为能够用于着色层4131的材料，可以举出金属材料、树脂材料、包含颜料或染料的树脂材料等。遮光层及着色层的形成方法可以与上述各层的形成方法同样地进行即可。例如，可以利用喷墨法等。
作为绝缘层4133优选的是具有平坦化功能的保护层。通过绝缘层4133具有平坦化功能，可以在其厚度彼此不同的着色层4131及遮光层4132的形成面上形成平坦的绝缘膜。通过使绝缘层4133平坦化，可以将第二电极层4031形成为平坦，因此能够减少液晶层4008的厚度的不均匀。作为这种绝缘层4133，可以举出丙烯酸树脂等。
另外，图10所示的显示装置包括绝缘层4111及绝缘层4102。作为绝缘层4111及绝缘层4102，使用不易使杂质元素透过的绝缘层。通过由绝缘层4111和绝缘层4102夹持晶体管，可以防止从外部到半导体层的杂质的混入。
此外，虽然在本实施方式中，对显示装置的结构例子进行说明，但是根据情况可以适当地改变电路结构及电路元件等。例如，由于晶体管4011容易因静电等而损坏，所以优选设置用来保护驱动电路的保护电路。此外，保护电路优选使用非线性元件构成。
注意，本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式或实施例适当地组合。
(实施方式3)
在本实施方式中说明可以用于本发明的一个方式的半导体装置或显示装置的晶体管的结构。
可以使用底栅型晶体管或顶栅型晶体管等各种方式的晶体管来制造本发明的一个方式的半导体装置或显示装置。因此，以适合现有的生产线的方式很容易地更换所使用的半导体层材料或晶体管结构。
[底栅型晶体管]
图11A1是底栅型晶体管的一种的沟道保护型晶体管810的截面图。在图11A1中，晶体管810形成在衬底771上。此外，晶体管810在衬底771上隔着绝缘层772包括电极746。另外，在电极746上隔着绝缘层726包括半导体层742。电极746可以被用作栅电极，并且绝缘层726被用作栅极绝缘层。
另外，在半导体层742的沟道形成区域上包括绝缘层741。此外，在绝缘层726上以与半导体层742的一部分接触的方式包括电极744a及电极744b。电极744a可以用作源电极和漏电极中的一个。电极744b用作源电极和漏电极中的另一个。电极744a的一部分及电极744b的一部分形成在绝缘层741上。
绝缘层741可以被用作沟道保护层。通过在沟道形成区域上设置绝缘层741，可以防止在形成电极744a及电极744b时半导体层742被露出。由此，可以防止在形成电极744a及电极744b时半导体层742的沟道形成区域被蚀刻。根据本发明的一个方式，可以实现电特性良好的晶体管。
另外，晶体管810在电极744a、电极744b及绝缘层741上包括绝缘层728，在绝缘层728上包括绝缘层729。
当将氧化物半导体用于半导体层742时，优选将能够从半导体层742的一部分中夺取氧而产生氧缺陷的材料用于电极744a及电极744b的至少与半导体层742接触的部分。半导体层742中的产生氧缺陷的区域的载流子浓度增加，该区域n型化而成为n型区域(有时称为n+区域)。因此，该区域能够被用作源区域或漏区域。当将氧化物半导体用于半导体层742时，作为能够从半导体层742中夺取氧而产生氧缺陷的材料的一个例子，可以举出钨、钛等。
通过在半导体层742中形成源区域及漏区域，可以降低电极744a及电极744b与半导体层742的接触电阻。因此，可以使场效应迁移率及阈值电压等晶体管的电特性良好。
当将硅等半导体用于半导体层742时，优选在半导体层742与电极744a之间及半导体层742与电极744b之间设置被用作n型半导体或p型半导体的层。用作n型半导体或p型半导体的层可以被用作晶体管的源区域或漏区域。
绝缘层729优选使用具有防止杂质从外部扩散到晶体管中或者降低杂质的扩散的功能的材料形成。此外，根据需要也可以省略绝缘层729。
图11A2所示的晶体管811与晶体管810之间的不同之处在于：晶体管811在绝缘层729上包括可以用作背栅电极的电极723。电极723可以使用与栅电极746同样的材料及方法形成。
一般而言，背栅电极使用导电层来形成，并以半导体层的沟道形成区域被栅电极与背栅电极夹住的方式设置。因此，背栅电极可以具有与栅电极同样的功能。背栅电极的电位可以与栅电极相等，也可以为接地电位(GND电位)或任意电位。另外，通过不跟栅电极联动而独立地改变背栅电极的电位，可以改变晶体管的阈值电压。
电极746及电极723都可以被用作栅电极。因此，绝缘层726、绝缘层728及绝缘层729都可以被用作栅极绝缘层。另外，也可以将电极723设置在绝缘层728与绝缘层729之间。
注意，当将电极746和电极723中的一个称为“栅电极”时，将另一个称为“背栅电极”。例如，在晶体管811中，当将电极723称为“栅电极”时，将电极746称为“背栅电极”。另外，当将电极723用作“栅电极”时，晶体管811是顶栅型晶体管之一种。此外，有时将电极746和电极723中的一个称为“第一栅电极”，有时将另一个称为“第二栅电极”。
通过隔着半导体层742设置电极746以及电极723并将电极746及电极723的电位设定为相同，半导体层742中的载流子流过的区域在厚度方向上更加扩大，所以载流子的移动量增加。其结果是，晶体管811的通态电流增大，并且场效应迁移率也增高。
因此，晶体管811是相对于占有面积具有较大的通态电流的晶体管。即，可以相对于所要求的通态电流缩小晶体管811的占有面积。根据本发明的一个方式，可以缩小晶体管的占有面积。因此，根据本发明的一个方式，可以实现集成度高的半导体装置。
另外，由于栅电极及背栅电极使用导电层形成，因此具有防止在晶体管的外部产生的电场影响到形成沟道形成区域的半导体层的功能(尤其是对静电等的电场遮蔽功能)。另外，当将背栅电极形成得比半导体层大以使用背栅电极覆盖半导体层时，能够提高电场遮蔽功能。
另外，通过使用具有遮光性的导电膜形成背栅电极，能够防止光从背栅电极一侧入射到半导体层。由此，能够防止半导体层的光劣化，并防止晶体管的阈值电压漂移等电特性劣化。
根据本发明的一个方式，可以实现可靠性良好的晶体管。另外，可以实现可靠性良好的半导体装置。
图11B1示出作为底栅型的晶体管之一的沟道保护型晶体管820的截面图。晶体管820具有与晶体管810大致相同的结构，而晶体管820的与晶体管810不同之处在于：绝缘层741覆盖半导体层742的端部。另外，在选择性地去除绝缘层741的重叠于半导体层742的部分而形成的开口部中，半导体层742与电极744a电连接。另外，在选择性地去除绝缘层741的重叠于半导体层742的部分而形成的其他开口部中，半导体层742与电极744b电连接。绝缘层741的与沟道形成区域重叠的区域可以被用作沟道保护层。
图11B2所示的晶体管821与晶体管820的不同之处在于：晶体管821在绝缘层729上包括可以被用作背栅电极的电极723。
通过设置绝缘层741，可以防止在形成电极744a及电极744b时半导体层742露出。因此，可以防止在形成电极744a及电极744b时半导体层742被薄膜化。
另外，与晶体管810及晶体管811相比，晶体管820及晶体管821的电极744a与电极746之间的距离及电极744b与电极746之间的距离更长。因此，可以减少产生在电极744a与电极746之间的寄生电容。此外，可以减少产生在电极744b与电极746之间的寄生电容。根据本发明的一个方式，可以提供一种电特性良好的晶体管。
图11C1所示的晶体管825是底栅型晶体管之一的沟道蚀刻型晶体管。在晶体管825中，不使用绝缘层741形成电极744a及电极744b。因此，在形成电极744a及电极744b时露出的半导体层742的一部分有时被蚀刻。另一方面，由于不设置绝缘层741，可以提高晶体管的生产率。
图11C2所示的晶体管826与晶体管825的不同之处在于：晶体管826在绝缘层729上具有可以用作背栅电极的电极723。
[顶栅极型晶体管]
图12A1所例示的晶体管842是顶栅型晶体管之一。晶体管842的与晶体管810、晶体管811、晶体管820、晶体管821、晶体管825及晶体管826不同之处在于：在形成绝缘层729之后形成电极744a及电极744b。电极744a及电极744b在形成于绝缘层728及绝缘层729中的开口与半导体层742电连接。
另外，去除不与电极746重叠的绝缘层726的一部分，以电极746及剩余的绝缘层726为掩模将杂质755引入到半导体层742，由此可以在半导体层742中以自对准(self-alignment)的方式形成杂质区域。晶体管842包括绝缘层726超过电极746的端部延伸的区域。半导体层742的通过绝缘层726被引入杂质755的区域的杂质浓度低于不通过绝缘层726被引入杂质755的区域。因此，在半导体层742的不与电极746重叠的区域中形成LDD(Lightly Doped Drain：轻掺杂漏极)区域。
图12A2所示的晶体管843与晶体管842的不同之处在于晶体管843包括电极723。晶体管843包括形成在衬底771上的电极723。电极723具有隔着绝缘层772与半导体层742层叠的区域。电极723可以用作背栅电极。
另外，如图12B1所示的晶体管844及图12B2所示的晶体管845那样，也可以完全去除不与电极746重叠的区域的绝缘层726。另外，如图12C1所示的晶体管846及图12C2所示的晶体管847那样，也可以不去除绝缘层726。
在晶体管842至晶体管847中，也可以在形成电极746之后以电极746为掩模而将杂质755引入到半导体层742，由此在半导体层742中自对准地形成杂质区域。根据本发明的一个方式，可以实现电特性良好的晶体管。另外，根据本发明的一个方式，可以实现集成度高的半导体装置。
注意，本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式或实施例适当地组合。
(实施方式4)
本实施方式中，对可用于上述的实施方式中已说明的OS晶体管的金属氧化物CAC-OS(Cloud-Aligned Composite Oxide Semiconductor)及CAAC-OS(c-axis AlignedCrystalline Oxide Semiconductor)的结构进行说明。注意，在本说明书等中，CAC表示功能或材料的构成的一个例子，CAAC表示结晶结构的一个例子。
〈金属氧化物的构成〉
CAC-OS或CAC-metal oxide在材料的一部分中具有导电性的功能，在材料的另一部分中具有绝缘性的功能，作为材料的整体具有半导体的功能。此外，在将CAC-OS或CAC-metaloxide用于晶体管的活性层的情况下，导电性的功能是使被用作载流子的电子(或空穴)流过的功能，绝缘性的功能是不使被用作载流子的电子流过的功能。通过导电性的功能和绝缘性的功能的互补作用，可以使CAC-OS或CAC-metal oxide具有开关功能(开启/关闭的功能)。通过在CAC-OS或CAC-metal oxide中使各功能分离，可以最大限度地提高各功能。
CAC-OS或CAC-metal oxide包括导电性区域及绝缘性区域。导电性区域具有上述导电性的功能，绝缘性区域具有上述绝缘性的功能。此外，在材料中，导电性区域和绝缘性区域有时以纳米粒子级分离。另外，导电性区域和绝缘性区域有时在材料中不均匀地分布。此外，有时导电性区域被观察为其边缘模糊且以云状连接。
在CAC-OS或CAC-metal oxide中，有时导电性区域及绝缘性区域以0.5nm以上且10nm以下，优选为0.5nm以上且3nm以下的尺寸分散在材料中。
此外，CAC-OS或CAC-metal oxide由具有不同带隙的成分构成。例如，CAC-OS或CAC-metal oxide由具有起因于绝缘性区域的宽隙的成分及具有起因于导电性区域的窄隙的成分构成。在该结构中，当使载流子流过时，载流子主要在具有窄隙的成分中流过。此外，具有窄隙的成分与具有宽隙的成分互补作用，与具有窄隙的成分联动地在具有宽隙的成分中载流子流过。因此，在将上述CAC-OS或CAC-metal oxide用于晶体管的沟道形成区域时，在晶体管的开启状态中可以得到高电流驱动力，即大通态电流及高场效应迁移率。
就是说，也可以将CAC-OS或CAC-metal oxide称为基质复合材料(matrixcomposite)或金属基质复合材料(metal matrix composite)。
〈金属氧化物的结构〉
氧化物半导体被分为单晶氧化物半导体和非单晶氧化物半导体。作为非单晶氧化物半导体，例如有CAAC-OS、多晶氧化物半导体、nc-OS(nanocrystalline oxidesemiconductor)、a-like OS(amorphous-like oxide semiconductor)及非晶氧化物半导体等。
CAAC-OS具有c轴取向性，其多个纳米晶在a-b面方向上连结而结晶结构具有畸变。注意，畸变是指在多个纳米晶连结的区域中晶格排列一致的区域与其他晶格排列一致的区域之间的晶格排列的方向变化的部分。
虽然纳米晶基本上是六角形，但是并不局限于正六角形，有不是正六角形的情况。此外，在畸变中有时具有五角形及七角形等晶格排列。另外，在CAAC-OS的畸变附近观察不到明确的晶界(grain boundary)。即，可知通过使晶格排列畸变，可抑制晶界的形成。这可能是由于CAAC-OS可容许因如下原因而发生的畸变：在a-b面方向上的氧原子的排列的低密度或因金属元素被取代而使原子间的键合距离产生变化等。
CAAC-OS有具有层状结晶结构(也称为层状结构)的倾向，在该层状结晶结构中层叠有包含铟及氧的层(下面称为In层)和包含元素M、锌及氧的层(下面称为(M，Zn)层)。另外，铟和元素M彼此可以取代，在用铟取代(M，Zn)层中的元素M的情况下，也可以将该层表示为(In，M，Zn)层。另外，在用元素M取代In层中的铟的情况下，也可以将该层表示为(In，M)层。
CAAC-OS为结晶性高的氧化物半导体。另外，在CAAC-OS中观察不到明确的晶界，因此不容易发生起因于晶界的电子迁移率的下降。另外，氧化物半导体的结晶性有时因杂质的混入或缺陷的生成等而降低，因此可以说CAAC-OS是杂质或缺陷(氧缺陷等)少的氧化物半导体。因此，包含CAAC-OS的氧化物半导体的物理性质稳定。因此，包含CAAC-OS的氧化物半导体具有高耐热性及高可靠性。另外，CAAC-OS对制造工序中的高温度(所谓热积存；thermal budget)也具有稳定性。因此，在对OS晶体管使用CAAC-OS时，能够扩大制造工序的自由度。
在nc-OS中，微小的区域(例如1nm以上且10nm以下的区域，特别是1nm以上且3nm以下的区域)中的原子排列具有周期性。另外，nc-OS在不同的纳米晶之间观察不到结晶取向的规律性。因此，在膜整体中观察不到取向性。所以，有时nc-OS在某些分析方法中与a-likeOS或非晶氧化物半导体没有差别。
a-like OS是具有介于nc-OS与非晶氧化物半导体之间的结构的氧化物半导体。a-like OS包含空洞或低密度区域。也就是说，a-like OS的结晶性比nc-OS及CAAC-OS的结晶性低。
氧化物半导体具有各种结构及各种特性。本发明的一个方式的氧化物半导体也可以包括非晶氧化物半导体、多晶氧化物半导体、a-like OS、nc-OS、CAAC-OS中的两种以上。
〈具有氧化物半导体的晶体管〉
在此，对将上述氧化物半导体用于晶体管的情况进行说明。
通过将上述氧化物半导体用于晶体管，可以实现场效应迁移率高的晶体管。另外，可以实现可靠性高的晶体管。
另外，优选将载流子密度低的氧化物半导体用于晶体管。在以降低氧化物半导体膜的载流子密度为目的的情况下，可以降低氧化物半导体膜中的杂质浓度以降低缺陷态密度。在本说明书等中，将杂质浓度低且缺陷态密度低的状态称为“高纯度本征”或“实质上高纯度本征”。例如，氧化物半导体的载流子密度可以低于8×1011/cm3，优选低于1×1011/cm3，更优选低于1×1010/cm3且为1×10-9/cm3以上。
另外，因为高纯度本征或实质上高纯度本征的氧化物半导体膜具有较低的缺陷态密度，所以有可能具有较低的陷阱态密度。
此外，被氧化物半导体的陷阱能级俘获的电荷到消失需要较长的时间，有时像固定电荷那样动作。因此，有时在陷阱态密度高的氧化物半导体中具有沟道形成区域的晶体管的电特性不稳定。
因此，为了使晶体管的电特性稳定，降低氧化物半导体中的杂质浓度是有效的。为了降低氧化物半导体中的杂质浓度，优选还降低附近膜中的杂质浓度。作为杂质有氢、氮、碱金属、碱土金属、铁、镍、硅等。
〈杂质〉
在此，说明氧化物半导体中的各杂质的影响。
在氧化物半导体包含第14族元素之一的硅或碳时，氧化物半导体中形成缺陷能级。因此，将氧化物半导体中及氧化物半导体的界面附近的硅或碳的浓度(通过二次离子质谱分析法(SIMS：Secondary Ion Mass Spectrometry)测得的浓度)设定为2×1018atoms/cm3以下，优选为2×1017atoms/cm3以下。
另外，当氧化物半导体包含碱金属或碱土金属时，有时形成缺陷能级而形成载流子。因此，使用包含碱金属或碱土金属的氧化物半导体的晶体管容易具有常开启特性。由此，优选降低氧化物半导体中的碱金属或碱土金属的浓度。具体而言，将利用SIMS测得的氧化物半导体中的碱金属或碱土金属的浓度设定为1×1018atoms/cm3以下，优选为2×1016atoms/cm3以下。
当氧化物半导体包含氮时，产生作为载流子的电子，并载流子密度增加，而氧化物半导体容易被n型化。其结果，将含有氮的氧化物半导体用于半导体的晶体管容易具有常开启特性。因此，优选尽可能地减少氧化物半导体中的氮，例如，利用SIMS测得的氧化物半导体中的氮浓度小于5×1019atoms/cm3，优选为5×1018atoms/cm3以下，更优选为1×1018atoms/cm3以下，进一步优选为5×1017atoms/cm3以下。
包含在氧化物半导体中的氢与键合于金属原子的氧起反应生成水，因此有时形成氧缺陷。当氢进入该氧缺陷时，有时产生作为载流子的电子。另外，有时由于氢的一部分与键合于金属原子的氧键合，产生作为载流子的电子。因此，使用包含氢的氧化物半导体的晶体管容易具有常开启特性。由此，优选尽可能地减少氧化物半导体中的氢。具体而言，在氧化物半导体中，利用SIMS测得的氢浓度低于1×1020atoms/cm3，优选低于1×1019atoms/cm3，更优选低于5×1018atoms/cm3，进一步优选低于1×1018atoms/cm3。
通过将杂质被充分降低的氧化物半导体用于晶体管的沟道形成区域，可以使晶体管具有稳定的电特性。
本实施方式可以与其他实施方式或实施例适当地组合。
(实施方式5)
在本实施方式中，说明将上述的实施方式中已说明的半导体装置或显示装置应用于电子设备的产品例子。
〈笔记本式个人计算机〉
本发明的一个方式的半导体装置或显示装置可以应用于信息终端装置所具备的显示器。图13A示出信息终端装置之一的笔记本式个人计算机，其包括框体5401、显示部5402、键盘5403及指向装置5404等。
〈智能手表〉
本发明的一个方式的半导体装置或显示装置可以应用于可穿戴终端。图13B是可穿戴终端之一种的智能手表，该智能手表包括框体5901、显示部5902、操作按钮5903、表把5904、表带5905等。另外，也可以将附加有位置输入装置的功能的显示装置用于显示部5902。另外，可以通过在显示装置设置触摸面板来附加位置输入装置的功能。或者，也可以通过在显示装置的像素部设置也称为光电传感器的光电转换元件来附加位置输入装置的功能。另外，作为操作按钮5903，可以具备启动智能手表的电源开关、操作智能手表的软件的按钮、调整音量的按钮和使显示部5902点灯或关灯的开关等中的至少一个。另外，在图13B所示的智能手表中示出两个操作按钮5903，但是智能手表所包括的操作按钮的数量不局限于此。另外，表把5904被用作调整智能手表的时间的表冠。另外，表把5904除了调整时间以外还可以被用作操作智能手表的软件的输入接口。此外，图13B所示的智能手表为包括表把5904的结构，但是不局限于此，也可以为不具有表把5904的结构。
〈视频摄像机〉
本发明的一个方式的半导体装置或显示装置可以应用于视频摄像机。图13C所示的视频摄像机包括第一框体5801、第二框体5802、显示部5803、操作键5804、透镜5805及连接部5806等。操作键5804及透镜5805设置在第一框体5801中，而显示部5803设置在第二框体5802中。并且，第一框体5801和第二框体5802由连接部5806连接，由连接部5806可以改变第一框体5801和第二框体5802之间的角度。显示部5803的影像也可以根据连接部5806所形成的第一框体5801和第二框体5802之间的角度切换。
〈移动电话机〉
本发明的一个方式的半导体装置或显示装置可以应用于移动电话机。图13D示出具有信息终端的功能的移动电话机，该移动电话机包括框体5501、显示部5502、麦克风5503、扬声器5504以及操作按钮5505。另外，也可以将附加有位置输入装置的功能的显示装置用于显示部5502。另外，可以通过在显示装置设置触摸面板来附加位置输入装置的功能。或者，也可以通过在显示装置的像素部设置也称为光电传感器的光电转换元件来附加位置输入装置的功能。另外，作为操作按钮5505，可以具备启动移动电话机的电源开关、操作移动电话机的软件的按钮、调整音量的按钮和使显示部5502点灯或关灯的开关等中的任一个。
另外，在图13D所示的移动电话机中示出两个操作按钮5505，但是移动电话机所包括的操作按钮的数量不局限于此。此外，虽然未图示，但是图13D所示的移动电话机也可以包括发光装置，其用途为闪光灯或照明。
〈电视装置〉
本发明的一个方式的半导体装置或显示装置可以应用于电视装置。图13E所示的电视装置包括框体9000、显示部9001、扬声器9003、操作键9005(包括电源开关或操作开关)、连接端子9006等。可以将例如是50英寸以上或100英寸以上的大型的显示部9001组装到电视装置。
〈移動体〉
本发明的一个方式的半导体装置或显示装置可以应用于作为移动体的汽车的驾驶座位周边。
例如，图13F是示出汽车室内的前挡风玻璃周边的图。图13F示出安装在仪表盘的显示面板5701、显示面板5702、显示面板5703以及安装在立柱的显示面板5704。
显示面板5701至显示面板5703可以提供导航信息、速度表、转速计、行驶距离、加油量、排档状态、空调的设定以及其他各种信息。另外，使用者可以适当地改变显示面板所显示的显示内容及布置等，可以提高设计性。显示面板5701至显示面板5703还可以被用作照明装置。
通过将由设置在车体的摄像单元拍摄的影像显示在显示面板5704上，可以补充被立柱遮挡的视野(死角)。也就是说，通过显示由设置在汽车外侧的摄像单元拍摄的影像，可以补充死角，从而可以提高安全性。另外，通过显示补充看不到的部分的影像，可以更自然、更舒适地确认安全。显示面板5704可以被用作照明装置。
〈电子广告用的电子设备〉
本发明的一个方式的半导体装置或显示装置可以应用于用来电子广告的显示器。图14A示出可以挂墙的数字标牌(Digital Signage)的例子。图14A示出数字标牌6200挂在墙壁6201上的情况。
〈折叠式平板信息终端〉
本发明的一个方式的半导体装置或显示装置可以应用于平板信息终端。图14B示出具有可以折叠的结构的平板信息终端。图14B所示的信息终端包括框体5321a、框体5321b、显示部5322及操作按钮5323。尤其是，显示部5322包括柔性基材，由该基材能够实现可以折叠的结构。
另外，框体5321a及框体5321b由铰链部5321c结合，并且可以由铰链部5321c对折。此外，显示部5322设置于框体5321a、框体5321b及铰链部5321c。
此外，虽然未图示，图13A至图13C、图13E、图14A及图14B所示的电子设备也可以具有包括麦克风及扬声器的结构。通过采用这种结构，例如可以在上述电子设备中附加声音输入功能。
此外，虽然未图示，但是图13A、图13B、图13D、图14A及图14B所示的电子设备也可以具有包括相机的结构。
另外，虽然未图示，但是图13A至图13F、图14A及图14B所示的电子设备可以在框体的内部设置传感器(该传感器具有测量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、转速、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、倾斜度、振动、气味或红外线等)。尤其是，通过设置具有陀螺仪传感器或加速度传感器等测定倾斜度的传感器的测定装置，可以判断图13D所示的移动电话机的方向(该移动电话机相对于垂直方向朝向哪个方向)而将显示部5502的屏面显示根据该移动电话机的方向自动切换。
另外，虽然未图示，但是图13A至图13F、图14A及图14B所示的电子设备也可以包括取得指纹、静脉、虹膜或声纹等生物信息的装置。通过采用该结构，可以实现具有生物识别功能的电子设备。
图13A至图13F及图14A所示的电子设备的显示部可以使用柔性基材。具体而言，该显示部也可以具有在柔性基材上设置晶体管、电容器及显示元件等的结构。通过使用该结构，不仅可以实现其框体如图13A至图13F及图14A所示地具有平坦的面的电子设备，而且可以实现如图13F所示的仪表盘及立柱那样其框体具有曲面的电子设备。
作为可用于图13A至图13F、图14A及图14B的显示部的柔性基材，举出可以使用如下对可见光具有透光性的材料的例子：聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯树脂(PEN)、聚醚砜树脂(PES)、聚丙烯腈树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚碳酸酯树脂、聚酰胺树脂、聚环烯烃树脂、聚苯乙烯树脂、聚酰胺-酰亚胺树脂、聚丙烯树脂、聚酯树脂、聚卤化乙烯树脂、芳香族聚酰胺树脂及环氧树脂等。另外，也可以使用这些材料的混合物或叠层。
注意，本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式或实施例适当地组合。
(实施方式6)
在本实施方式中，对能够用于上述实施方式中例示出的电子设备的半导体装置进行说明。以下示出的半导体装置可以用作存储装置。
在本实施方式中，作为使用氧化物半导体的存储装置的一个例子，对DOSRAM(注册商标)进行说明。“DOSRAM”源于Dynamic Oxide Semiconductor Random Access Memory。DOSRAM是指如下存储装置：存储单元为1T1C(一个晶体管和一个电容器)型单元；写入用晶体管为使用氧化物半导体的晶体管。
参照图15对DOSRAM1000的叠层结构例子进行说明。在DOSRAM1000中，进行数据的读出的读出放大器部1002与存储数据的单元阵列部1003层叠。
如图15所示，读出放大器部1002设置有位线BL、Si晶体管Ta10、Ta11。Si晶体管Ta10、Ta11在单晶硅片中包括半导体层。Si晶体管Ta10、Ta11构成读出放大器并与位线BL电连接。
单元阵列部1003包括多个存储单元1001。存储单元1001包括晶体管Tw1及电容器C10。在单元阵列部1003中，两个晶体管Tw1共用半导体层。半导体层与位线BL通过未图示的导电体电连接。
图15所示的叠层结构可以用于通过层叠多个包括晶体管群的电路形成的各种半导体装置。
图15中的金属氧化物、绝缘体、导电体等可以为单层或叠层。在制造这些层时，可以使用溅射法、分子束外延法(MBE法)、脉冲激光烧蚀法(PLA法)、化学气相沉积法(CVD法)、原子层沉积法(ALD法)等各种成膜方法。CVD法包括等离子体CVD法、热CVD法、有机金属CVD法等。
在此，晶体管Tw1的半导体层由金属氧化物(氧化物半导体)构成。在此，示出半导体层由三层的金属氧化物层构成的例子。半导体层优选由含有In、Ga及Zn的金属氧化物构成。
在此，通过对金属氧化物添加形成氧缺陷的元素或者与氧缺陷键合的元素，金属氧化物的载流子密度可能增大而被低电阻化。例如，通过选择性地使使用金属氧化物的半导体层低电阻化，可以在半导体层中设置源区域或漏区域。
另外，作为使金属氧化物低电阻化的元素，典型的有硼或磷。另外，也可以使用氢、碳、氮、氟、硫、氯、钛、稀有气体元素等。作为稀有气体元素的典型例子有氦、氖、氩、氪及氙等。该元素的浓度可以利用二次离子质谱分析法(SIMS：Secondary Ion MassSpectrometry)等进行测量。
尤其是，硼及磷可以使用非晶硅或低温多晶硅的生产线的装置，所以是优选的。通过转用该生产线的设置，可以降低设备投资。
例如，包括被选择性地低电阻化的半导体层的晶体管可以使用伪栅极形成。具体而言，在半导体层上设置伪栅极，将该伪栅极用作掩模，对半导体层添加使该半导体层低电阻化的元素。也就是说，该元素被添加到半导体层的不与伪栅极重叠的区域中，由此形成被低电阻化的区域。作为该元素的添加方法，可以使用：对离子化了的源气体进行质量分离而添加的离子注入法；不对离子化了的源气体进行质量分离而添加的离子掺杂法；以及等离子体浸没离子注入法等。
作为用于导电体的导电性材料，有如下材料：以掺杂有磷等杂质元素的多晶硅为代表的半导体；镍硅化物等硅化物；钼、钛、钽、钨、铝、铜、铬、钕、钪等金属；或以上述金属为成分的金属氮化物(氮化钽、氮化钛、氮化钼、氮化钨)等。另外，也可以使用铟锡氧化物、包含氧化钨的铟氧化物、包含氧化钨的铟锌氧化物、包含氧化钛的铟氧化物、包含氧化钛的铟锡氧化物、铟锌氧化物、添加有氧化硅的铟锡氧化物等导电性材料。
作为可以用于绝缘体的绝缘材料，有氮化铝、氧化铝、氮氧化铝、氧氮化铝、氧化镁、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧氮化硅、氧化镓、氧化锗、氧化钇、氧化锆、氧化镧、氧化钕、氧化铪、氧化钽、硅酸铝等。在本说明书等中，氧氮化物是指氧含量大于氮含量的化合物，氮氧化物是指氮含量大于氧含量的化合物。
注意，本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式或实施例适当地组合。
[实施例]
为了确认在实施方式1所说明的显示装置的工作中是否适当地进行图像数据的校正，利用电路模拟器进行计算。在本实施例中说明该计算及其结果。
该計算中使用的软件是SILVACO公司制造的SmartSpice(version4.26.7.R)电路模拟器。使用该电路模拟器计算，将图像数据及校正数据为输入数据并将校正了的图像数据为输出数据进行计算。
图16示出在上述计算中使用的电路结构。图16示出源极驱动器电路SD、校正数据保持部104及显示部PA。
在图16的源极驱动器电路SD中，示出数字模拟转换电路DAC及运算放大器OPA。运算放大器OPA相当于图1中的放大器电路AMP并且是由Si晶体管构成的CMOS电路。
数字模拟转换电路DAC的输出端子与运算放大器OPA的非反转输入端子电连接。另外，运算放大器OPA的反转输入端子与运算放大器OPA的输出端子电连接，运算放大器OPA的输出端子与校正数据保持部104的开关SW1的第二端子和开关SW2的第一端子电连接。另外，由于上述连接结构，运算放大器OPA被用作电压跟随器电路。
另外，运算放大器OPA的高电源输入端子与布线VDL电连接，运算放大器OPA的低电源输入端子与布线VGL电连接。
关于校正数据保持部104，参照实施方式1中的图3的校正数据保持部104的说明。
在实施方式1中说明开关SW3的第二端子与布线VG电连接，但是在图16的校正数据保持部104中，开关SW3的第二端子通过直流电源VD与布线VGL电连接。另外，开关SW1至开关SW3都作为开关元件采用模拟开关(具有CMOS电路的结构的开关)。
在图16中示出显示部PA中的表示布线SL(布线DL)所包括的电阻的电阻器Rpa以及作为合成布线SL(布线DL)的寄生电容与像素PIX的电容器C1的电容而得的电容器Cc。另外，电阻器Rpa与电容器Cc的电连接点为节点ND。
接着，说明计算条件。将校正数据保持部104的电容器Cd的静电电容的值设定为1pF，并将电容器Cc的静电电容的值设定为31pF。根据实施方式1的具体例子，这相当于对从数字模拟转换电路DAC输出的电压补充相当于低5位的电压。
另外，直流电源VD的电压设定为0.5V。
另外，电阻器Rpa的值设定为10kΩ。
数字模拟转换电路DAC每隔0.25V输出0.5V至8.5V的电位。
另外，运算放大器OPA具有电压跟随器电路的结构，所以运算放大器OPA需要为可以在数字模拟转换电路DAC能够输出的电位范围内适当地进行工作的电路。因此，电连接到运算放大器OPA的高电源输入端子的布线VDL所供应的电位设定为9V，并且电连接到运算放大器OPA的低电源输入端子的布线VGL所供应的电位设定为基准电位。
图17的图表示出从数字模拟转换电路DAC输出的校正数据以及第一期间和第二期间的之间的节点ND电位的变化。具体而言，在图17中，纵轴表示节点ND的电位VND、横轴表示时刻。第一期间及第二期间分别相当于实施方式1的工作例子中的时刻T1至时刻T2之间以及时刻T2至时刻T4之间。具体而言，时刻T1为图17中的0秒(计算开始点)，时刻T2为1.0×10-5秒(完成图像数据的写入的时刻)。
在第一期间，使用信号F1使开关SW1及开关SW3处于开启状态，使用信号F2使开关SW2处于关闭状态，从数字模拟转换电路DAC作为对应于图像数据的电位输出4.0V，进行对节点ND写入该电位的工作。
在第二期间，使用信号F1使开关SW1及开关SW3处于关闭状态，使用信号F2使开关SW2处于开启状态，从数字模拟转换电路DAC作为校正数据每隔0.25V输出0.5V至8.5V中的一个电位，进行对节点ND3写入该输出电位的工作。通过对节点ND3写入对应于该校正数据的电位，电位VND变动。在本实施例中，作为对应于校正数据的电位每隔0.25V从0.5V至8.5V的电位分别记载为V0至V32，图17只示出符号V0、V10、V20、V30、V32。
在此，考察在第二期间作为校正数据对节点ND3写入V0(0.5V)的情况。在第一期间节点ND3的电位是0.5V，所以即使从第一期间进入第二期间，节点ND3的电位没有变动，即保持0.5V。因此，电位VND没有因电容器Cd所引起电容耦合而变动，而保持4.0V。
接着，考察在第二期间作为校正数据对节点ND3写入V10(3.0V)的情况。在第一期间节点ND3的电位是0.5V，所以在进入第二期间时，节点ND3的电位上升2.5V。在此，根据算式(E2)电位VND的电位可以估计为4+2.5/32V(＝4.078125V)，与图17的结果大致一致。
同样地，考察在第二期间作为校正数据对节点ND3分别写入V20(5.5V)、V30(8.0V)、V32(8.5V)的情况。在第一期间节点ND3的电位是0.5V，所以在进入第二期间时，节点ND3的电位在写入V20(5.5V)、V30(8.0V)、V32(8.5V)的情况下分别上升5.0V、7.5V、8.0V。在此，根据算式(E2)，电位VND的电位可以估计为在各情况下为4+5.0/32V(＝4.15625V)、4+7.5/32V(＝4.234375V)、4+8.0/32V(＝4.25V)，与图17的结果大致一致。
如上所述，数字模拟转换电路DAC每隔0.25V输出电位，使用校正数据保持部104可以生成其间隔小于0.25V的电位。
换言之，通过使用本发明的一个方式的显示装置，可以使用校正数据保持部生成其分辨能力高于源极驱动器电路SD所包括的数字模拟转换电路DAC的图像数据。另外，通过将该图像数据写入到包括在上述显示装置中的像素，上述显示装置的显示部可以显示多灰度的图像。
(关于本说明书等的记载的附记)
下面，对本说明书中所记载的实施方式及实施例中的各结构及说明附加注释。
〈关于实施方式及实施例所示的本发明的一个方式的附记〉
各实施方式及实施例所示的结构可以与其他实施方式及实施例所示的结构适当地组合而构成本发明的一个方式。另外，当在一个方式中示出多个结构例子时，可以适当地组合结构例子。
另外，可以将某一实施方式或实施例中说明的内容(或其一部分)应用/组合/替换成该实施方式或实施例中说明的其他内容(或其一部分)和另一个或多个其他实施方式中说明的内容(或其一部分)中的至少一个内容。
注意，实施方式或实施例中说明的内容是指各实施方式或实施例中利用各种附图所说明的内容或者利用说明书所记载的文章而说明的内容。
另外，通过将某一实施方式或实施例中示出的附图(或其一部分)与该附图的其他部分、该实施方式或实施例中示出的其他附图(或其一部分)和另一个或多个其他实施方式或实施例中示出的附图(或其一部分)中的至少一个附图组合，可以构成更多图。
〈关于序数词的附记〉
在本说明书等中，“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混淆而附加上的。因此，其不是为了限定构成要素的个数而附加上的。此外，其不是为了限定构成要素的顺序而附加上的。另外，例如，本说明书等的实施方式(或实施例)之一中附有“第一”的构成要素有可能在其他的实施方式(或实施例)或权利要求书中附有“第二”的序数词。另外，例如，本说明书等的实施方式(或实施例)之一中附有“第一”的构成要素有可能在其他实施方式或权利要求书中被省略“第一”。
〈关于说明附图的记载的附记〉
参照附图对实施方式(或实施例)进行说明。但是，所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是实施方式(或实施例)可以以多个不同形式来实施，其方式和详细内容可以在不脱离本发明的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅限定在实施方式(或实施例)所记载的内容中。注意，在实施方式(或实施例的结构)中的发明的结构中，在不同的附图中共同使用相同的附图标记来表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反复说明。
在本说明书等中，为方便起见，使用了“上”、“下”等表示配置的词句，以参照附图说明构成要素的位置关系。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，表示配置的词句不局限于本说明书等中所示的记载，根据情况可以适当地更换表达方式。例如，如果是“位于导电体的顶面的绝缘体”的表述，通过将所示的附图的方向旋转180度，则可以换称为“位于导电体的下面的绝缘体”。
此外，“上”或“下”这样的词句不限定构成要素的位置关系为“正上”或“正下”且直接接触的情况。例如，当记载为“绝缘层A上的电极B”时，不一定必须在绝缘层A上直接接触地形成有电极B，也可以包括绝缘层A与电极B之间包括其他构成要素的情况。
在附图中，为便于清楚地说明，有时夸大表示大小、层的厚度或区域。因此，本发明并不一定限定于上述尺寸。附图是为了明确起见而示出任意的大小的，而不局限于附图所示的形状或数值等。例如，可以包括噪声或定时偏差等所引起的信号、电压或电流的不均匀等。
在透视图等的附图中，为了明确起见，有时省略部分构成要素的图示。
在附图中，有时使用同一附图标记表示同一构成要素、具有相同功能的构成要素、由同一材料构成的构成要素或者同时形成的构成要素等，并且有时省略重复说明。
〈关于可以改称的记载的附记〉
在本说明书等中，在说明晶体管的连接关系时，使用将源极和漏极中的一方记为“源极和漏极中的一个”(第一电极或第一端子)，将源极和漏极中的另一方记为“源极和漏极中的另一个”(第二电极或第二端子)的表述。这是因为晶体管的源极和漏极根据晶体管的结构或工作条件等而互换的缘故。注意，可以将晶体管的源极和漏极根据情况适当地改称为源极(漏极)端子、源极(漏极)电极等。另外，在本说明书等中，有时将栅极以外的两个端子称为第一端子及第二端子或第三端子及第四端子。注意，在本说明书等中，沟道形成区域指的是形成沟道的区域，通过对栅极施加电位形成该区域，而可以使电流流过源极-漏极之间。
另外，在使用极性不同的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，源极及漏极的功能有时相互调换。因此，在本说明书等中，“源极”和“漏极”可以互相调换。
另外，在本说明书等中，“电极”或“布线”这样的词句不在功能上限定其构成要素。例如，有时将“电极”用作“布线”的一部分，反之亦然。再者，“电极”或“布线”这样的词句还包括多个“电极”或“布线”被形成为一体的情况等。
另外，在本说明书等中，可以适当地调换电压和电位。电压是指与基准电位之间的电位差，例如在基准电位为接地电位时，可以将电压换称为电位。接地电位不一定意味着0V。注意，电位是相对的，对布线等供应的电位有时根据基准电位而变化。
在本说明书等中，根据情况或状态，可以互相调换“膜”和“层”等词句。例如，有时可以将“导电层”变换为“导电膜”。此外，有时可以将“绝缘膜”变换为“绝缘层”。另外，根据情况或状态，可以使用其他词句代替“膜”和“层”等词句。例如，有时可以将“导电层”或“导电膜”变换为“导电体”。此外，例如有时可以将“绝缘层”或“绝缘膜”变换为“绝缘体”。
在本说明书等中，根据情况或状态，可以互相调换“布线”、“信号线”及“电源线”等词句。例如，有时可以将“布线”变换为“信号线”等。此外，例如有时可以将“布线”变换为“电源线”等。反之亦然，有时可以将“信号线”或“电源线”变换为“布线”。有时可以将“电源线”等变换为“信号线”等。反之亦然，有时可以将“信号线”变换为“电源线”等。另外，根据情况或状态，可以互相将施加到布线的“电位”变换为“信号”等。反之亦然，有时可以将“信号”等变换为“电位”。
〈关于词句的定义的附记〉
下面，对上述实施方式及实施例中提到的词句的定义进行说明。
〈〈关于半导体的杂质〉〉
半导体的杂质例如是构成半导体层的主要成分之外的物质。例如，浓度低于0.1原子％的元素是杂质。有时由于包含杂质而例如发生在半导体中形成DOS(Density of States：态密度)、载流子迁移率降低或结晶性降低等情况。在半导体是氧化物半导体时，作为改变半导体的特性的杂质，例如有第1族元素、第2族元素、第13族元素、第14族元素、第15族元素或主要成分之外的过渡金属等，特别是，例如有氢(也包含在水中)、锂、钠、硅、硼、磷、碳、氮等。在半导体是氧化物半导体时，例如有时氢等杂质的混入导致氧缺陷的产生。此外，在半导体是硅层时，作为改变半导体的特性的杂质，例如有氧、除了氢之外的第1族元素、第2族元素、第13族元素、第15族元素等。
〈〈开关〉〉
在本说明书等中，开关是指具有通过变为导通状态(开启状态)或非导通状态(关闭状态)来控制是否使电流流过的功能的元件。或者，开关是指具有选择并切换电流路径的功能的元件。
例如，可以使用电开关或机械开关等。换言之，开关只要可以控制电流就不局限于特定的开关。
电开关的例子包括晶体管(例如双极晶体管或MOS晶体管)、二极管(例如PN二极管、PIN二极管、肖特基二极管、金属-绝缘体-金属(MIM；Metal Insulator Metal)二极管、金属-绝缘体-半导体(MIS；Metal Insulator Semiconductor)二极管或者二极管接法的晶体管等)或者组合这些元件的逻辑电路。
当作为开关使用晶体管时，晶体管的“导通状态”是指晶体管的源电极与漏电极在电性上短路的状态。另外，晶体管的“非导通状态”是指晶体管的源电极与漏电极在电性上断开的状态。当仅将晶体管用作开关时，对晶体管的极性(导电型)没有特别的限制。
作为机械开关的一个例子，可以举出像数字微镜装置(DMD)那样的利用MEMS(微电子机械***)技术的开关。该开关具有以机械方式可动的电极，并且通过移动该电极来控制导通和非导通而进行工作。
〈〈连接〉〉
注意，在本说明书等中，当记载为“X与Y连接”时，包括如下情况：X与Y电连接的情况；X与Y在功能上连接的情况；以及X与Y直接连接的情况。因此，不局限于附图或文中所示的连接关系等规定的连接关系，还包括附图或文中所示的连接关系以外的连接关系。
这里使用的X和Y为对象物(例如，装置、元件、电路、布线、电极、端子、导电膜和层等)。
作为X和Y电连接的情况的一个例子，可以在X和Y之间连接一个以上的能够电连接X和Y的元件(例如开关、晶体管、电容器、电感器、电阻器、二极管、显示元件、发光元件、负载等)。另外，开关具有控制开启和关闭的功能。换言之，通过使开关处于导通状态(开启状态)或非导通状态(关闭状态)来控制是否使电流流过。
作为X和Y在功能上连接的情况的一个例子，可以在X和Y之间连接一个以上的能够在功能上连接X和Y的电路(例如，逻辑电路(反相器、NAND电路、NOR电路等)、信号转换电路(DA转换电路、AD转换电路、γ(伽马)校正电路等)、电位电平转换电路(电源电路(升压电路、降压电路等)、改变信号的电位电平的电平转换器电路等)、电压源、电流源、切换电路、放大电路(能够增大信号振幅或电流量等的电路、运算放大器、差动放大电路、源极跟随电路、缓冲器电路等)、信号产生电路、存储电路、控制电路等)。注意，例如，即使在X与Y之间夹有其他电路，当从X输出的信号传送到Y时，也可以说X与Y在功能上是连接着的。
此外，当明确地记载为“X与Y电连接”时，包括如下情况：X与Y电连接的情况(换言之，以中间夹有其他元件或其他电路的方式连接X与Y的情况)；X与Y在功能上连接的情况(换言之，以中间夹有其他电路的方式在功能上连接X与Y的情况)；以及X与Y直接连接的情况(换言之，以中间不夹有其他元件或其他电路的方式连接X与Y的情况)。换言之，当明确记载有“电连接”时，与只明确记载有“连接”的情况相同。
注意，例如，在晶体管的源极(或第一端子等)通过Z1(或没有通过Z1)与X电连接，晶体管的漏极(或第二端子等)通过Z2(或没有通过Z2)与Y电连接的情况下以及在晶体管的源极(或第一端子等)与Z1的一部分直接连接，Z1的另一部分与X直接连接，晶体管的漏极(或第二端子等)与Z2的一部分直接连接，Z2的另一部分与Y直接连接的情况下，可以表示为如下。
例如，可以表达为“X、Y、晶体管的源极(或第一端子等)及晶体管的漏极(或第二端子等)互相电连接，并按X、晶体管的源极(或第一端子等)、晶体管的漏极(或第二端子等)及Y的顺序电连接”。或者，可以表达为“晶体管的源极(或第一端子等)与X电连接，晶体管的漏极(或第二端子等)与Y电连接，并以X、晶体管的源极(或第一端子等)、晶体管的漏极(或第二端子等)、Y的顺序依次电连接”。或者，可以表达为“X通过晶体管的源极(或第一端子等)及晶体管的漏极(或第二端子等)与Y电连接，X、晶体管的源极(或第一端子等)、晶体管的漏极(或第二端子等)、Y依次设置为相互连接”。通过使用与这种例子相同的表达方法规定电路结构中的连接顺序，可以区别晶体管的源极(或第一端子等)与晶体管的漏极(或第二端子等)而决定技术范围。注意，这些表达方法只是一个例子而已，不局限于上述表达方法。在此，X、Y、Z1及Z2为对象物(例如，装置、元件、电路、布线、电极、端子、导电膜及层等)。
另外，即使在电路图上独立的构成要素彼此电连接，也有时一个构成要素兼有多个构成要素的功能。例如，在布线的一部分用作电极时，一个导电膜兼有布线和电极的两个构成要素的功能。因此，本说明书中的“电连接”的范畴内还包括这种一个导电膜兼有多个构成要素的功能的情况。
[符号说明]
DD：显示装置、DD1：显示装置、DD2：显示装置、DD3：显示装置、PA：显示部、GD：栅极驱动器电路、SD：源极驱动器电路、PIX：像素、SR：移位寄存器、LAT：锁存电路、LVS：电平转换电路、DAC：数字模拟转换电路、AMP：放大器电路、GL：布线、GL1：布线、GL2：布线、SL：布线、VA：布线、VC：布线、VP：布线、VG：布线、DL：布线、AL：布线、VL：布线、VCOM：布线、CAT：布线、CRL1：布线、CRL2：布线、DB：数据总线布线、Rp：电阻器、Cs：电容器、Cp：电容器、Cpa：电容器、Cd：电容器、C1：电容器、C2：电容器、Tr1：晶体管、Tr2：晶体管、Tr3：晶体管、Tr4：晶体管、Tr5：晶体管、SWT1：晶体管、SWT2：晶体管、SWT3：晶体管、SWC：开关、SW1：开关、SW2：开关、SW3：开关、LC：液晶元件、LD：发光元件、ND1：节点、ND2：节点、ND3：节点、VDL：布线、VGL：布线、Rpa：电阻器、Cc：电容器、ND：节点、BL：位线、Ta10：Si晶体管、Ta11：Si晶体管、Tw1：晶体管、C10：电容器；101：图像数据保持部、102：驱动电路部、103：显示元件、104：校正数据保持部、215：显示部、221a：扫描线驱动电路、231a：信号线驱动电路、232a：信号线驱动电路、241a：共通线驱动电路、723：电极、726：绝缘层、728：绝缘层、729：绝缘层、741：绝缘层、742：半导体层、744a：电极、744b：电极、746：电极、755：杂质、771：衬底、772：绝缘层、810：晶体管、811：晶体管、820：晶体管、821：晶体管、825：晶体管、826：晶体管、842：晶体管、843：晶体管、844：晶体管、845：晶体管、846：晶体管、847：晶体管、1000：DOSRAM、1001：存储单元、1002：读出放大器部、1003：单元阵列部、4001：第一衬底、4005：密封剂、4006：第二衬底、4010：晶体管、4011：晶体管、4013：液晶元件、4014：布线、4015：电极、4017：电极、4018：FPC、4019：各向异性导电层、4020：电容器、4021：电极、4030：第一电极层、4031：第二电极层、4032：绝缘层、4033：绝缘层、4035：间隔物、4041：印刷电路板、4042：集成电路、4102：绝缘层、4103：绝缘层、4110：绝缘层、4111：绝缘层、4112：绝缘层、4133：绝缘层、4200：输入装置、4210：触摸面板、4227：电极、4228：电极、4237：布线、4238：布线、4239：布线、4263：衬底、4272b：FPC、4273b：IC、5321a：框体、5321b：框体、5321c：铰链部、5322：显示部、5323：操作按钮、5401：框体、5402：显示部、5403：键盘、5404：指向装置、5501：框体、5502：显示部、5503：麦克风、5504：扬声器、5505：操作按钮、5701：显示面板、5702：显示面板、5703：显示面板、5704：显示面板、5801：第一框体、5802：第二框体、5803：显示部、5804：操作键、5805：透镜、5806：连接部、5901：框体、5902：显示部、5903：操作按钮、5904：表把、5905：表带、6200：数字标牌、6201：墙壁、9000：框体、9001：显示部、9003：扬声器、9005：操作键、9006：连接端子
Claims (8)
1.一种显示装置，包括：
第一电路：
第二电路；以及
图像信号线，
其中，所述第一电路包括图像数据保持部及显示元件，
所述第二电路包括校正数据保持部，
所述第二电路与所述图像信号线电连接，
所述图像信号线与所述第一电路电连接，
所述图像数据保持部与所述显示元件电连接，
所述第一电路具有在所述图像数据保持部保持所述第一图像数据的功能，
所述第二电路具有：
在所述校正数据保持部保持校正数据的功能；以及
根据所述校正数据将保持在所述图像信号线及所述图像数据保持部的所述第一图像数据校正为第二图像数据的功能，
并且，所述显示元件具有显示对应于所述第二图像数据的图像的功能。
2.根据权利要求1所述的显示装置，
其中所述第二电路包括第一至第三开关及第一电容器，
所述第一电路包括第四开关及第二电容器，
所述第一开关的第一端子与所述第一电容器的第一端子及所述图像信号线电连接，
所述第一开关的第二端子与所述第二开关的第一端子电连接，
所述校正数据保持部与所述第二开关的第二端子、所述第一电容器的第二端子及所述第三开关的第一端子电连接，
所述第四开关的第一端子与所述图像信号线电连接，
并且所述图像数据保持部与所述第四开关的第二端子及所述第二电容器电连接。
3.根据权利要求2所述的显示装置，
其中所述第一至第四开关中的至少一个是晶体管，
并且所述晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物和硅中的一个。
4.根据权利要求2或3所述的显示装置，
其中所述显示装置具有第一至第四功能，
所述第一功能具有：
使所述第二开关处于关闭状态并使所述第三开关处于开启状态而对所述校正数据保持部写入第一电位的功能；以及
使所述第二开关处于关闭状态并使所述第一开关和所述第四开关都处于开启状态而对所述图像信号线及所述图像数据保持部写入对应于所述第一图像数据的第二电位的功能，
所述第二功能具有：
使所述第一开关处于关闭状态并使所述第四开关处于开启状态而使所述图像信号线及所述图像数据保持部处于电浮动状态的功能，
所述第三功能具有：
使所述第一开关和所述第三开关都处于关闭状态并使所述第二开关处于开启状态而对所述校正数据保持部写入对应于所述校正数据的第三电位的功能；以及
在所述第一电容器的第二端子的电位从所述第一电位变为所述第三电位时，由所述图像信号线及所述图像数据保持部保持的第二电位变为对应于所述第二图像数据的第四电位的功能，
并且所述第四功能具有：
使所述第四开关处于关闭状态而根据所述第四电位驱动所述显示元件的功能。
5.根据权利要求4所述的显示装置，
其中所述第二电位是对应于所述第二图像数据的高位的电位，
并且所述第三电位是对应于所述第二图像数据的低位的电位。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的显示装置，
其中所述显示元件是液晶元件，
并且所述液晶元件的第一端子与所述图像数据保持部电连接。
7.根据权利要求2至5中任一项所述的显示装置，
其中所述显示元件是发光元件，
所述显示元件包括驱动电路部，
所述驱动电路部包括驱动晶体管，
所述驱动晶体管的栅极与所述图像数据保持部电连接，
所述驱动晶体管的第一端子与所述第二电容器的第二端子及所述发光元件的输入端子电连接。
8.一种电子设备，包括：
权利要求1至7中任一项所述的显示装置；以及
框体。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017-245276 | 2017-12-21 | ||
| JP2017245276 | 2017-12-21 | ||
| JP2018-030646 | 2018-02-23 | ||
| JP2018030646 | 2018-02-23 | ||
| PCT/IB2018/059591 WO2019123064A1 (ja) | 2017-12-21 | 2018-12-04 | 表示装置、及び電子機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111433838A true CN111433838A (zh) | 2020-07-17 |
Family
ID=66994520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201880079028.5A Pending CN111433838A (zh) | 2017-12-21 | 2018-12-04 | 显示装置及电子设备 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11120764B2 (zh) |
| JP (2) | JPWO2019123064A1 (zh) |
| KR (1) | KR20200098548A (zh) |
| CN (1) | CN111433838A (zh) |
| TW (1) | TWI825051B (zh) |
| WO (1) | WO2019123064A1 (zh) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2019162801A1 (ja) | 2018-02-23 | 2021-03-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の動作方法 |
| JPWO2020053701A1 (ja) | 2018-09-12 | 2021-09-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| WO2020095142A1 (ja) | 2018-11-09 | 2020-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置および電子機器 |
| US11436993B2 (en) | 2018-12-19 | 2022-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display apparatus and electronic device |
| JP7477461B2 (ja) | 2018-12-26 | 2024-05-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置および電子機器 |
| US11735134B2 (en) | 2019-02-05 | 2023-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display apparatus and electronic device |
| TW202114264A (zh) | 2019-08-29 | 2021-04-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
| JPWO2021191721A1 (zh) | 2020-03-27 | 2021-09-30 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001343953A (ja) * | 1999-12-10 | 2001-12-14 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の駆動方法、画像処理回路、電気光学装置および電子機器 |
| CN1612192A (zh) * | 2003-10-28 | 2005-05-04 | 株式会社日立制作所 | 图像显示装置 |
| CN1667478A (zh) * | 2004-03-10 | 2005-09-14 | 三洋电机株式会社 | 液晶显示装置及其控制方法 |
| CN102016968A (zh) * | 2008-11-28 | 2011-04-13 | 卡西欧计算机株式会社 | 有机电致发光像素的驱动设备和发光设备 |
| CN103295523A (zh) * | 2012-02-22 | 2013-09-11 | 精工爱普生株式会社 | 电光学装置以及电子设备 |
| JP2013254009A (ja) * | 2012-06-05 | 2013-12-19 | Sony Corp | 表示装置、撮像装置及び階調電圧生成回路 |
| CN104240638A (zh) * | 2013-06-12 | 2014-12-24 | 索尼公司 | 显示设备及其驱动方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5883608A (en) | 1994-12-28 | 1999-03-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Inverted signal generation circuit for display device, and display apparatus using the same |
| JP3311224B2 (ja) | 1994-12-28 | 2002-08-05 | キヤノン株式会社 | 表示素子用反転信号生成回路とそれを用いた表示装置 |
| JP2004361841A (ja) | 2003-06-06 | 2004-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | 表示装置 |
| US9153341B2 (en) * | 2005-10-18 | 2015-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device |
| KR100924143B1 (ko) * | 2008-04-02 | 2009-10-28 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 평판표시장치 및 그의 구동 방법 |
| JP5491833B2 (ja) | 2008-12-05 | 2014-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR101532268B1 (ko) | 2008-12-18 | 2015-07-01 | 삼성전자주식회사 | 디지털-아날로그 변환기, 이를 포함하는 소스 구동회로, 및소스 구동회로를 포함하는 표시 장치 |
| TWI447690B (zh) * | 2010-09-30 | 2014-08-01 | Casio Computer Co Ltd | 顯示驅動裝置、顯示裝置及其驅動控制方法以及電子機器 |
| US9842545B2 (en) * | 2013-12-20 | 2017-12-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device and method for driving same |
| JP2017108397A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 信号処理回路、及び該信号処理回路を有する半導体装置 |
| US11990502B2 (en) | 2017-08-31 | 2024-05-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| JP7146778B2 (ja) | 2017-09-05 | 2022-10-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示システム |
| CN111052213A (zh) | 2017-09-15 | 2020-04-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及电子设备 |
| US10957720B2 (en) | 2017-11-09 | 2021-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
| WO2019111104A1 (ja) | 2017-12-06 | 2019-06-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、記憶装置、及び表示装置 |
| JP7184491B2 (ja) | 2017-12-06 | 2022-12-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置および電子機器 |
-
2018
- 2018-12-04 CN CN201880079028.5A patent/CN111433838A/zh active Pending
- 2018-12-04 US US16/771,052 patent/US11120764B2/en active Active
- 2018-12-04 JP JP2019560502A patent/JPWO2019123064A1/ja not_active Withdrawn
- 2018-12-04 WO PCT/IB2018/059591 patent/WO2019123064A1/ja active Application Filing
- 2018-12-04 KR KR1020207018441A patent/KR20200098548A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-12-14 TW TW107145328A patent/TWI825051B/zh active
-
2023
- 2023-08-29 JP JP2023138726A patent/JP2023165703A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001343953A (ja) * | 1999-12-10 | 2001-12-14 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の駆動方法、画像処理回路、電気光学装置および電子機器 |
| CN1612192A (zh) * | 2003-10-28 | 2005-05-04 | 株式会社日立制作所 | 图像显示装置 |
| CN1667478A (zh) * | 2004-03-10 | 2005-09-14 | 三洋电机株式会社 | 液晶显示装置及其控制方法 |
| CN102016968A (zh) * | 2008-11-28 | 2011-04-13 | 卡西欧计算机株式会社 | 有机电致发光像素的驱动设备和发光设备 |
| CN103295523A (zh) * | 2012-02-22 | 2013-09-11 | 精工爱普生株式会社 | 电光学装置以及电子设备 |
| JP2013254009A (ja) * | 2012-06-05 | 2013-12-19 | Sony Corp | 表示装置、撮像装置及び階調電圧生成回路 |
| CN104240638A (zh) * | 2013-06-12 | 2014-12-24 | 索尼公司 | 显示设备及其驱动方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2019123064A1 (ja) | 2019-06-27 |
| TW201933313A (zh) | 2019-08-16 |
| KR20200098548A (ko) | 2020-08-20 |
| US20200302889A1 (en) | 2020-09-24 |
| JPWO2019123064A1 (ja) | 2021-01-21 |
| TWI825051B (zh) | 2023-12-11 |
| JP2023165703A (ja) | 2023-11-17 |
| US11120764B2 (en) | 2021-09-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111406280B (zh) | 半导体装置、显示装置、电子设备及工作方法 | |
| JP7505054B2 (ja) | Ｅｌ表示装置 | |
| JP6532989B2 (ja) | 表示装置 | |
| TWI825051B (zh) | 顯示裝置及電子裝置 | |
| CN108475491B (zh) | 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置 | |
| JP5951730B2 (ja) | 表示装置 | |
| JP6224150B2 (ja) | 半導体装置、表示モジュール、電子機器 | |
| JP7242260B2 (ja) | 表示装置、及び電子機器 | |
| TWI488161B (zh) | 半導體裝置的驅動方法 | |
| TW201921331A (zh) | 顯示裝置及電子裝置 | |
| KR20120002925A (ko) | 전계 구동형 표시 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |