CN111416055A - 显示设备、制造显示设备的方法和电子装置 - Google Patents

显示设备、制造显示设备的方法和电子装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111416055A
CN111416055A CN202010004689.0A CN202010004689A CN111416055A CN 111416055 A CN111416055 A CN 111416055A CN 202010004689 A CN202010004689 A CN 202010004689A CN 111416055 A CN111416055 A CN 111416055A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
layer
pattern
display
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010004689.0A
Other languages
English (en)
Inventor
文昶鈗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020190128710A external-priority patent/KR20200085638A/ko
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN111416055A publication Critical patent/CN111416055A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

提供了显示设备、制造显示设备的方法和电子装置。所述显示设备包括：基体基底，具有前表面、与前表面背对的后表面、延伸贯穿前表面和后表面的模块孔、有效区域、与有效区域相邻的***区域以及与模块孔相邻的边缘区域；电路层，位于基体基底上，电路层包括驱动元件，驱动元件包括薄膜晶体管；以及显示元件层，包括防沉积图案和发光元件，发光元件包括：第一电极，连接到薄膜晶体管；发射图案，位于第一电极上；以及第二电极，设置在发射图案上。封装层位于显示元件层上，并且封装发光元件。第二电极和防沉积图案位于同一层处并且彼此不叠置。

Description

显示设备、制造显示设备的方法和电子装置
本申请要求于2019年1月4日提交的第10-2019-0001276号韩国专利申请和于2019年10月16日提交的第10-2019-0128710号韩国专利申请的优先权和权益，该两个韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开的一个或更多个示例实施例在此涉及一种显示设备和一种制造该显示设备的方法，更具体地，涉及在有效区域中包括模块孔的显示设备和制造该显示设备的方法。
背景技术
显示设备可以通过电信号来激活。显示设备可以包括各种电子组件，诸如用于显示图像的显示单元和/或用于感测外部输入的输入感测单元。电子组件可以通过各种布置的信号线而彼此电连接。
正在研究用于减小显示设备的非显示区域的技术，并且正在研究用于改善显示设备的电子组件的性能的技术。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对本公开的背景的理解，因此，其可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
本公开的一个或更多个示例实施例涉及一种能够抑制或防止设置在模块孔中的电子模块的性能劣化的显示设备、一种制造该显示设备的方法和一种电子装置。本公开的一个或更多个示例实施例涉及一种能够抑制或防止设置在显示面板的区域下面的电子模块的性能劣化的显示设备、一种制造该显示设备的方法和一种电子装置。
根据本公开的实施例，显示设备包括：基体基底，具有前表面、与前表面背对的后表面、延伸贯穿前表面和后表面的模块孔、有效区域、与有效区域相邻的***区域以及与模块孔相邻的边缘区域；电路层，位于基体基底上，电路层包括驱动元件，驱动元件包括薄膜晶体管；显示元件层，包括防沉积图案和发光元件，发光元件包括连接到薄膜晶体管的第一电极、位于第一电极上的发射图案和位于发射图案上的第二电极；以及封装层，位于显示元件层上，封装层封装发光元件。第二电极和防沉积图案位于同一层处并且彼此不叠置。
在实施例中，防沉积图案可以包括ABH113。
在实施例中，防沉积图案可以与边缘区域叠置，第二电极可以与有效区域叠置。
在实施例中，防沉积图案的厚度可以比第二电极的厚度大。
在实施例中，第二电极可以包括镁(Mg)、银(Ag)或它们的组合。
在实施例中，防沉积图案可以被模块孔暴露。
在实施例中，封装层可以包括：封装基底；以及密封构件，位于封装基底与显示元件层之间，密封构件与边缘区域叠置。
在实施例中，密封构件可以与防沉积图案接触。
在实施例中，发光元件还可以包括位于发射图案与第二电极之间的控制层，并且第二电极和防沉积图案均可以与控制层接触。
在实施例中，封装层可以包括可顺序地堆叠在显示元件层上的第一无机层、有机层和第二无机层。
在实施例中，基体基底可以具有在平面图中与模块孔相邻的凹陷图案，并且凹陷图案可以与边缘区域叠置。
在实施例中，显示设备还可以包括位于凹陷图案上的有机图案，并且有机图案可以包括ABH113。
根据本公开的实施例，显示设备包括：基体基底，具有前表面、与前表面背对的后表面、延伸贯穿前表面和后表面的模块孔、有效区域、与有效区域相邻的***区域以及与模块孔相邻的边缘区域；电路层，位于基体基底上，电路层包括驱动元件，驱动元件包括薄膜晶体管；显示元件层，包括：防沉积图案；以及发光元件，包括连接到薄膜晶体管的第一电极、位于第一电极上的发射图案和位于发射图案上的第二电极；以及封装层，位于显示元件层上，封装层封装发光元件。防沉积图案与边缘区域叠置并包括ABH113。第二电极与防沉积图案不叠置。
在实施例中，防沉积图案和第二电极可以位于同一层处。
在实施例中，第二电极可以包括镁(Mg)、银(Ag)或它们的组合。
根据本公开的实施例，提供了制造显示设备的方法，所述显示设备包括基体基底，基体基底具有前表面、与前表面背对的后表面、有效区域、与有效区域相邻的***区域和与有效区域相邻的孔区域。所述方法包括以下步骤：在基体基底上形成第一电极、发射图案和控制层；在控制层上形成防沉积层，防沉积层与孔区域叠置；在控制层上形成第二电极，第二电极与有效区域叠置且与防沉积层不叠置；在第二电极上形成封装层；以及形成穿透基体基底的模块孔，模块孔与孔区域叠置。
在实施例中，形成防沉积层的步骤可以包括：沉积并图案化ABH113。
在实施例中，形成第二电极的步骤可以包括：在控制层上沉积镁(Mg)或银(Ag)。
根据本公开的实施例，电子装置包括：基体层；防沉积图案，位于基体层上并且包括ABH113；以及电极图案，位于与防沉积图案的层相同的层处并且与防沉积图案不叠置，电极图案包括金属材料。
在实施例中，金属材料可以包括镁(Mg)、银(Ag)或它们的组合。
根据本公开的实施例，电子装置包括电子模块和显示面板，显示面板包括第一显示区域和与第一显示区域相邻的第二显示区域，第二显示区域与电子模块叠置，并且第二显示区域包括：电路层，包括驱动元件，驱动元件包括薄膜晶体管；以及显示元件层，包括防沉积图案和一个或更多个发光元件。发光元件包括：第一电极，连接到薄膜晶体管；发射图案，位于第一电极上；以及第二电极，位于发射图案上。防沉积图案位于与第二电极的层相同的层处并且防沉积图案与第二电极彼此不叠置，第二电极与第一显示区域和第二显示区域叠置，并且防沉积图案与第二显示区域叠置。
在实施例中，防沉积图案可以包括ABH113。
在实施例中，防沉积图案的厚度可以比第二电极的厚度大。
在实施例中，第二电极可以包括镁(Mg)、银(Ag)或它们的组合。
在实施例中，第二显示区域中的每单元区域的发射图案的数量可以比第一显示区域中的每单元区域的发射图案的数量少。
在实施例中，第二显示区域可以包括：发光区域，发射图案可以位于发光区域处；以及透射区域，防沉积图案可以位于透射区域处。
在实施例中，第二电极可以与发光区域叠置。
在实施例中，第二电极可以位于第一电极之中的与发光区域叠置的第一电极上，并且防沉积图案可以位于第一电极之中的与透射区域叠置的第一电极上。
在实施例中，第一显示区域和第二显示区域可以沿着第一方向布置，并且第二显示区域可以在与第一方向交叉的第二方向上延伸。
在实施例中，电子模块可以包括声音输出模块、发光模块、光接收模块和相机模块中的至少一种。
附图说明
通过下面参照附图进行的说明性的、非限制性的示例实施例的详细描述，将更清楚地理解本发明构思的以上和其它的方面和特征，在附图中：
图1是示出根据发明构思的实施例的显示设备的透视图；
图2是示出图1的显示设备的分解透视图；
图3是图1中示出的显示设备的框图；
图4是示出显示面板的像素的等效电路图；
图5是沿着图2的线I-I'截取的剖视图；
图6是示出执行检查第二电极是否沉积在形成有防沉积图案的位置处的实验的结果的图；
图7是示出根据发明构思的另一实施例的显示面板的沿着图2的线I-I'截取的剖视图；
图8A至图8E是示出制造根据图5的实施例的显示设备的方法的剖视图；
图9是示出根据发明构思的实施例的电子装置的分解透视图；
图10A是示意性地示出根据发明构思的实施例的显示面板的平面图；
图10B是示意性地示出根据发明构思的实施例的显示面板的平面图；
图11A是示出根据发明构思的实施例的显示面板的区域的放大平面图；
图11B是示出根据发明构思的实施例的显示面板的区域的放大平面图；
图12是示出根据发明构思的实施例的显示面板的区域的剖视图；以及
图13是示出根据发明构思的实施例的显示面板的区域的剖视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更详细地描述示例实施例。然而，本发明构思可以以各种不同的形式实施，并且不应被解释为仅局限于在此示出的实施例。相反，这些实施例作为示例被提供，使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将把发明构思的方面和特征充分地传达给本领域技术人员。因此，可以不描述对本领域普通技术人员为完整理解发明构思的方面和特征而言非必需的工艺、元件和技术。除非另外说明，否则在整个附图和书面描述中，同样的附图标记表示同样的元件，因此，可以不重复其描述。
在附图中，为了清楚，可以夸大和/或简化元件、层和区域的相对尺寸。为了易于解释，在这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……下面”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语来描述如图中示出的一个元件或特征与另一(其它)元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意图包括装置在使用中或在操作中的除了图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件或特征随后将被定向为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……下面”可以包括上方和下方两种方位。装置可以被另外定向(例如，旋转90度或在其它方位处)，并且应该相应地解释在这里使用的空间相对描述语。
将理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离发明构思的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、组件、区域、层或部分可以被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。
将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在一个或更多个中间元件或中间层。此外，还将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，该元件或层可以是所述两个元件或层之间的唯一元件或层，或者还可以存在一个或更多个中间元件或中间层。
在这里使用的术语是出于描述具体实施例的目的，而不意图限制发明构思。如在这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”和“一个(种/者)”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和“包含”以及它们的变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如在这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和全部组合。诸如“……中的至少一个(种/者)”的表述在一列元件(要素)之后时，修饰整列元件(要素)而不修饰该列元件中的个别元件(要素)。
如在这里使用的，术语“基本(大致)”、“大约(约)”和相似的术语用作近似术语而不用作程度术语，并且意图对本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值中的固有偏差做出解释。例如，考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(例如，测量***的局限性)，如在这里使用的诸如“大约(约)”或“基本(大致)”的术语包括所陈述的值和如由本领域普通技术人员所确定的特定值在可接受的偏差范围内的平均值。此外，当描述发明构思的实施例时，“可以(可)”的使用是指“发明构思的一个或更多个实施例”。如在这里使用的，术语“使用”及其变型可以被认为分别与术语“利用”及其变型同义。另外，术语“示例性”意图表示示例或举例说明。
除非另外定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明构思所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用字典中定义的术语)应被解释为具有与其在相关领域和/或本说明书的上下文中含义一致的含义，而不应该以理想化的或过于形式化的含义进行解释，除非在这里明确地如此定义。
图1是示出根据发明构思的实施例的显示设备的透视图。图2是示出图1的显示设备的分解透视图。图3是图1中示出的显示设备的框图。在下文中，将参照图1至图3描述根据发明构思的实施例的显示设备。
显示设备EA可以通过电信号被激活。显示设备EA可以被实现为各种实施例。例如，显示设备EA可以被实现为平板电脑、笔记本计算机、个人计算机、智能电视机、智能电话或任何其它适合的电子设备。在本实施例中，智能电话被示出为显示设备EA的示例。
如图1中所示，显示设备EA可以在显示设备EA的前表面处(例如，在显示设备EA的前表面上)显示图像IM。该前表面可以与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面平行或基本平行。该前表面可以包括透射区域TA和边框区域BZA，边框区域BZA与透射区域TA相邻、部分地围绕或围绕透射区域TA(例如，透射区域TA的外周)。
显示设备EA可以在透射区域TA处(例如，在透射区域TA中或在透射区域TA上)显示图像IM。在图1中，网络搜索框被示出为图像IM的示例，但发明构思不限于此。透射区域TA可以具有与第一方向DR1和第二方向DR2平行或基本平行的四边形形状(例如，矩形形状)。然而，发明构思的实施例不限于此。在其它实施例中，透射区域TA的形状可以被各种修改。
当在平面图中观看(例如，在与显示设备EA的前表面正交的方向上观看或者在与显示设备EA的前表面平行的平面上观看)时，边框区域BZA可以与透射区域TA相邻，或者可以围绕透射区域TA(例如，透射区域TA的外周)。然而，发明构思的实施例不限于此。例如，在其它实施例中，边框区域BZA可以仅与透射区域TA的一侧相邻，或者可以省略边框区域BZA。换言之，根据发明构思的一个或更多个实施例的显示设备EA可以被各种修改而不局限于特定实施例。
前表面的法线方向可以对应于显示设备EA的厚度方向DR3(在下文中，称为第三方向DR3)。在本实施例中，可以基于沿其显示图像IM的方向(例如，第三方向DR3)来限定每个构件(例如，组件或元件)的前表面(或顶表面)和后表面(或底表面)。例如，前表面和后表面可以在第三方向DR3上彼此背对。
然而，由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3表示的方向可以是相对概念(例如，代表性的方向)，并且可以被各种地修改为其它适合的方向。在下文中，第一方向至第三方向分别指由图1中示出的第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3表示的代表性的方向。
在一些实施例中，显示设备EA可以感测从外部施加的用户的输入TC。例如，用户的输入TC可以包括各种类型的外部输入(例如，诸如用户身体的一部分(例如，手指)、光、热和压力)中的至少一种。在本实施例中，施加到显示设备EA的前表面的用户的手被示出为用户的输入TC的示例。然而，发明构思的实施例不限于此。换言之，如上所述，可以以各种适合的形式提供用户的输入TC。在一些实施例中，基于显示设备EA的结构，显示设备EA还可以感测施加到显示设备EA的侧表面和/或后表面的用户的输入TC。
如图1和图2中所示，显示设备EA可以包括显示面板DP、窗构件WM、电子模块(例如，电子组件或电子器件)EM和容纳构件(例如，壳体或外壳)BM。如图3中所示，除了显示面板DP之外，显示设备EA还可以包括第一电子模块(例如，第一电子组件或第一电子器件)EM1、第二电子模块(例如，第二电子组件或第二电子器件)EM2和电源模块(例如，电源)PM。图3中示出的组件中的一些未在图2中示出。在下文中，将参照图1至图3更详细地描述显示设备EA。
显示面板DP可以显示图像IM，并且可以感测外部输入(也称为用户的输入)TC。例如，显示面板DP可以包括用于显示图像IM的显示单元(例如，显示器)DPU和用于感测外部输入TC的感测单元(例如，传感器)220。在本实施例中，感测单元220可以感测施加到窗构件WM的外部输入TC。
显示面板DP可以包括当在平面图中观看(例如，在与显示设备EA的前表面正交的方向上观看或者在与显示设备EA的前表面平行的平面上观看)时所限定的有效区域AA、***区域NAA和孔区域HA。有效区域AA可以是通过电信号被激活的区域。
在本实施例中，有效区域AA可以是其处(例如，其中或其上)显示图像IM的区域，并且还可以是其处(例如，其中或其上)感测外部输入TC的区域。然而，发明构思的实施例不限于此。在另一实施例中，用于显示图像IM的区域和用于感测外部输入TC的区域可以在有效区域AA处(例如，在有效区域AA中或在有效区域AA上)彼此分开。
***区域NAA可以被边框区域BZA覆盖。***区域NAA可以与有效区域AA相邻。当在平面图中观看(例如，在与显示设备EA的前表面正交的方向上观看或者在与显示设备EA的前表面平行的平面上观看)时，***区域NAA可以围绕有效区域AA(例如，围绕在有效区域AA的外周周围)。用于驱动有效区域AA的驱动电路和/或驱动线可以设置在***区域NAA处(例如，在***区域NAA中或在***区域NAA上)。
在本实施例中，显示面板DP可以以其中有效区域AA和***区域NAA面对窗构件WM的平坦状态进行组装。然而，发明构思的实施例不限于此。在另一实施例中，显示面板DP的***区域NAA的一部分可以被弯曲(或被折叠)。在这种情况下，***区域NAA的一部分可以面对显示设备EA的后表面，因此，可以减小在显示设备EA的前表面处(例如，在显示设备EA的前表面中或在显示设备EA的前表面上)的边框区域BZA。在又一实施例中，显示面板DP可以以其中有效区域AA的一部分也被弯曲(或被折叠)的状态进行组装。在再一实施例中，可以在显示面板DP中省略***区域NAA。
当在平面图中观看(例如，在与显示设备EA的前表面正交的方向上观看或者在与显示设备EA的前表面平行的平面上观看)时，孔区域HA的边缘可以被有效区域AA围绕(或部分地围绕)。当在平面图中观看(例如，在与显示设备EA的前表面正交的方向上观看或者在与显示设备EA的前表面平行的平面上观看)时，孔区域HA可以利用置于孔区域HA与***区域NAA之间的有效区域AA而与***区域NAA间隔开。
孔区域HA可以是其中限定有模块孔MH的区域。因此，当在平面图中观看(例如，在与显示设备EA的前表面正交的方向上观看或者在与显示设备EA的前表面平行的平面上观看)时，模块孔MH可以(例如，在其外周周围)被其中显示图像IM的有效区域AA围绕。
模块孔MH可以沿着第三方向DR3穿透(例如，延伸贯穿)显示面板DP。在一些实施例中，至少一个模块孔MH可以穿透(例如，延伸贯穿)显示面板DP。模块孔MH可以是从显示面板DP的前表面至显示面板DP的后表面穿透(例如，延伸贯穿)显示面板DP的通孔。设置在显示面板DP的后表面上且与模块孔MH叠置的组件可以从显示面板DP的前方通过模块孔MH可见。在本实施例中，模块孔MH被示出为在第三方向DR3上具有高度的圆柱形形状。然而，发明构思的实施例不限于此。在一些实施例中，模块孔MH可以具有其它各种适合的形状中的一种，例如，诸如多边柱形状、椭圆柱形状、截柱形状或任何其它适合的形状。
当在平面图中观看时，模块孔MH可以与电子模块EM叠置。电子模块EM可以通过模块孔MH接收外部输入TC。电子模块EM可以接收通过模块孔MH输入的信号，并且可以将接收的信号提供给显示面板DP。电子模块EM可以容纳在模块孔MH中，或者可以包括具有至少与模块孔MH的尺寸相似或基本相同的尺寸的容纳部件。下面将更详细地描述电子模块EM。
窗构件WM可以限定(例如，提供)显示设备EA的前表面。窗构件WM可以设置在显示面板DP的前表面上以保护显示面板DP。例如，窗构件WM可以包括玻璃基底、蓝宝石基底、塑料膜或者由任何其它适合的材料制成的基底或膜。窗构件WM可以具有单层结构或多层结构。例如，窗构件WM可以具有包括通过粘合剂而彼此结合的多个塑料膜的堆叠结构，或者可以具有包括通过粘合剂而彼此结合的玻璃基底和塑料膜的堆叠结构。
窗构件WM可以包括透射区域TA和边框区域BZA。透射区域TA可以透射入射到其的光。透射区域TA可以具有与有效区域AA的形状对应的形状。例如，透射区域TA可以与有效区域AA的整体(例如，全部)或至少一部分叠置。在显示面板DP的有效区域AA处(例如，在显示面板DP的有效区域AA中或在显示面板DP的有效区域AA上)显示的图像IM可以通过透射区域TA对外部可见。
边框区域BZA的光透射率可以比透射区域TA的光透射率小。边框区域BZA可以限定透射区域TA的形状。在平面图中，边框区域BZA可以与透射区域TA相邻，并且可以围绕透射区域TA(例如，透射区域TA的外周)。
边框区域BZA可以具有颜色(例如，预定颜色)。边框区域BZA可以覆盖显示面板DP的***区域NAA以防止或基本防止***区域NAA对外部可见。然而，发明构思的实施例不限于此。在发明构思的另一实施例中，可以从窗构件WM省略边框区域BZA。
容纳构件BM可以结合到窗构件WM。容纳构件BM可以限定(例如，提供)显示设备EA的后表面。容纳构件BM可以结合到窗构件WM以限定内部空间。
容纳构件BM可以由具有相对高的刚性的材料形成。例如，容纳构件BM可以包括可以由玻璃、塑料、金属和/或任何其它适合的材料或这些材料的组合形成的多个框和/或板。容纳构件BM可以稳定地保护或基本保护容纳在内部空间中的显示设备EA的组件不受外部冲击的影响。图3中示出的显示面板DP和各种组件可以被容纳在由容纳构件BM提供的内部空间中。
参照图3，显示设备EA可以包括电源模块(例如，电源)PM、第一电子模块(例如，第一电子组件或第一电子器件)EM1和第二电子模块(例如，第二电子组件或第二电子器件)EM2。电源模块PM可以供应用于显示设备EA的操作(例如，整体操作)的电力。电源模块PM可以包括电池模块。
第一电子模块EM1和第二电子模块EM2可以包括用于操作显示设备EA的各种功能模块。第一电子模块EM1可以安装(例如，直接安装)在电连接到显示面板DP的主板上。可选地，第一电子模块EM1可以安装在附加板上以通过连接件电连接到主板。
第一电子模块EM1可以包括控制模块(例如，控制器)CM、无线通信模块(例如，无线通信器件或收发器)TM、图像输入模块(例如，图像输入器件)IIM、声音输入模块(例如，声音输入器件)AIM、存储器(例如，存储器器件或存储器件)MM和外部接口IF。在实施例中，组件(例如，模块)中的一些可以不安装在主板上而是例如可以通过电路板(例如，柔性电路板)电连接到主板。
控制模块CM可以控制显示设备EA的操作(例如，整体操作)。控制模块CM可以包括微处理器。例如，控制模块CM可以激活或去激活显示面板DP。控制模块CM可以基于从显示面板DP接收的触摸信号来控制另一(其它)模块(例如，图像输入模块IIM和/或声音输入模块AIM等)。
无线通信模块TM可以通过使用例如蓝牙、Wi-Fi、近场通信(NFC)、LTE和/或本领域技术人员已知的任何其它适合种类的无线通信而向另一(其它)终端或装置发送无线信号/从另一(其它)终端或装置接收无线信号。无线通信模块TM可以通过使用常规通信线路而发送/接收语音信号。无线通信模块TM可以包括发送器TM1和接收器TM2，发送器TM1被构造为调制将被发送的信号并发送调制后的信号，接收器TM2被构造为解调接收到的信号。
图像输入模块IIM可以处理图像信号以将图像信号转换为可被显示面板DP使用的图像数据。声音输入模块AIM可以在记录模式或语音识别模式中通过例如麦克风来接收外部声音信号，并且可以将接收到的声音信号转换为电子声音数据。
外部接口IF可以连接到外部充电器、有线/无线数据端口和/或卡插槽(例如，存储器卡插槽或SIM/UIM卡插槽)等，并且可以与外部充电器、有线/无线数据端口和/或卡插座(例如，存储器卡插槽或SIM/UIM卡插槽)等接合。
第二电子模块EM2可以包括声音输出模块(例如，声音输出器件或扬声器)AOM、发光模块(例如，发光器件)LM、光接收模块(例如，光传感器)LRM和相机模块(例如，相机)CMM。第二电子模块EM2的组件(例如，模块)可以安装(例如，直接安装)在主板上，或者可以安装在通过连接件电连接到显示面板DP和/或第一电子模块EM1的附加板上。
声音输出模块AOM可以转换从无线通信模块TM接收的声音数据和/或存储在存储器MM中的声音数据，并且可以将转换后的声音数据输出到外部。
发光模块LM可以产生光，并且可以输出所产生的光。发光模块LM可以输出红外光。发光模块LM可以包括发光二极管(LED)元件。光接收模块LRM可以感测红外光。光接收模块LRM可以在感测到具有适当水平(例如，预定水平)的红外光时被激活。光接收模块LRM可以包括CMOS传感器。在输出发光模块LM中产生的红外光之后，红外光可以被外部物体(例如，用户的手指或脸)反射，并且反射的红外光可以入射到光接收模块LRM。相机模块CMM可以获取外部图像。
图2中示出的电子模块EM可以接收通过模块孔MH提供的外部输入TC，并且/或者可以通过模块孔MH提供输出信号。电子模块EM可以包括第一电子模块EM1和第二电子模块EM2的组件(例如，模块)中的至少一个。例如，电子模块EM可以包括相机、扬声器和/或用于感测光或热的传感器。电子模块EM可以通过模块孔MH感测外部物体，并且/或者可以通过模块孔MH向外部提供声音信号(例如，语音)。在这种情况下，第一电子模块EM1和第二电子模块EM2的其它组件(例如，模块)可以设置在其它位置处。然而，发明构思的实施例不限于此。在另一实施例中，电子模块EM可以包括第一电子模块EM1和第二电子模块EM2的组件(例如，模块)中的至少两个。在一些实施例中，显示设备EA还可以包括设置在电子模块EM与显示面板DP之间的透明构件。透明构件可以包括或可以是光学透明膜，使得通过模块孔MH提供的外部输入TC通过透明构件传输到电子模块EM。透射构件可以粘合到显示面板DP的后表面，或者可以设置在显示面板DP与电子模块EM之间而不需要附加的粘合层。在一些实施例中，显示设备EA的结构可以被各种修改或改变，并且可以不局限于一种实施例。
根据发明构思的一个或更多个实施例，因为显示面板DP包括模块孔MH，所以可以在***区域NAA中省略用于设置电子模块EM的空间。此外，模块孔MH可以被限定在(例如，于其外周周围)被有效区域AA围绕的孔区域HA处(例如，在(例如，于其外周周围)被有效区域AA围绕的孔区域HA中或在(例如，于其外周周围)被有效区域AA围绕的孔区域HA上)，因此，电子模块EM可以与透射区域TA叠置而与边框区域BZA不叠置。结果，可以减小边框区域BZA的面积(或尺寸)，从而实现具有窄边框的显示设备EA。此外，当电子模块EM被容纳在模块孔MH中时，可以实现薄的显示设备EA(例如，具有减小的厚度的显示设备)。
图4是示出显示面板的像素的等效电路图。
参照图4，根据发明构思的实施例的像素PX可以包括多个晶体管T1至T7、存储电容器Cst和发光元件(例如，有机发光二极管)OD。
在一些实施例中，除了发光元件OD之外，像素PX的其它组件(例如，多个晶体管T1至T7和存储电容器Cst)可以被定义为驱动元件。
晶体管T1至T7可以包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、第一发射控制晶体管T5、第二发射控制晶体管T6和旁路晶体管T7。
像素PX可以包括：第一栅极线14，被构造为将第n(其中n为自然数)扫描信号Sn传输到开关晶体管T2和补偿晶体管T3；第二栅极线24，被构造为将第(n-1)扫描信号Sn-1传输到初始化晶体管T4；第三栅极线34，被构造为将第(n+1)扫描信号Sn+1传输到旁路晶体管T7；发射线15，被构造为将发射控制信号En传输到第一发射控制晶体管T5和第二发射控制晶体管T6；数据线16，被构造为传输数据信号Dm；电力线26，被构造为传输电源电压ELVDD；以及初始化电压线22，被构造为传输用于使驱动晶体管T1初始化的初始化电压Vint。
驱动晶体管T1的栅电极G1可以连接到存储电容器Cst的第一电极C1。驱动晶体管T1的源电极S1可以经由第一发射控制晶体管T5连接到电力线26。驱动晶体管T1的漏电极D1可以经由第二发射控制晶体管T6电连接到发光元件OD的阳极。驱动晶体管T1可以通过开关晶体管T2的开关操作而接收数据信号Dm，因此，驱动晶体管T1可以向发光元件OD供应驱动电流Id。
开关晶体管T2的栅电极G2可以连接到第一栅极线14。开关晶体管T2的源电极S2可以连接到数据线16。开关晶体管T2的漏电极D2可以连接到驱动晶体管T1的源电极S1，并且可以经由第一发射控制晶体管T5连接到电力线26。开关晶体管T2可以通过经由第一栅极线14传输的第n扫描信号Sn而导通，以将通过数据线16提供的数据信号Dm传输到驱动晶体管T1的源电极S1。
补偿晶体管T3的栅电极G3可以连接到第一栅极线14。补偿晶体管T3的源电极S3可以连接到驱动晶体管T1的漏电极D1，并且可以经由第二发射控制晶体管T6连接到发光元件OD的阳极。补偿晶体管T3的漏电极D3可以连接到存储电容器Cst的第一电极C1、初始化晶体管T4的源电极S4和驱动晶体管T1的栅电极G1。补偿晶体管T3可以通过经由第一栅极线14提供的第n扫描信号Sn而导通，以使驱动晶体管T1的栅电极G1和漏电极D1彼此连接。换言之，可以通过补偿晶体管T3实现驱动晶体管T1的二极管连接。
初始化晶体管T4的栅电极G4可以连接到第二栅极线24。初始化晶体管T4的漏电极D4可以连接到初始化电压线22。初始化晶体管T4的源电极S4可以连接到存储电容器Cst的第一电极C1、补偿晶体管T3的漏电极D3和驱动晶体管T1的栅电极G1。初始化晶体管T4可以经由通过第二栅极线24提供的第(n-1)扫描信号Sn-1而导通，以将初始化电压Vint传输到驱动晶体管T1的栅电极G1，从而使驱动晶体管T1的栅电极G1的电压初始化。
第一发射控制晶体管T5的栅电极G5可以连接到发射线15。第一发射控制晶体管T5可以连接在电力线26与驱动晶体管T1之间。第一发射控制晶体管T5的源电极S5可以连接到电力线26。第一发射控制晶体管T5的漏电极D5可以连接到驱动晶体管T1的源电极S1和开关晶体管T2的漏电极D2。通过将发射控制信号En施加到第一发射控制晶体管T5的栅电极G5，第一发射控制晶体管T5可以导通，因此，驱动电流Id可以流过发光元件OD。第一发射控制晶体管T5可以确定驱动电流Id流过发光元件OD的时序。
第二发射控制晶体管T6的栅电极G6可以连接到发射线15。第二发射控制晶体管T6可以连接在驱动晶体管T1与发光元件OD之间。第二发射控制晶体管T6的源电极S6可以连接到驱动晶体管T1的漏电极D1和补偿晶体管T3的源电极S3。第二发射控制晶体管T6的漏电极D6可以电连接到发光元件OD的阳极。第一发射控制晶体管T5和第二发射控制晶体管T6可以通过经由发射线15传输的发射控制信号En而导通。通过将发射控制信号En施加到第二发射控制晶体管T6的栅电极G6，第二发射控制晶体管T6可以导通，因此，驱动电流Id可以流过发光元件OD。第二发射控制晶体管T6可以确定驱动电流Id流过发光元件OD的时序。
旁路晶体管T7的栅电极G7可以连接到第三栅极线34。旁路晶体管T7的源电极S7可以连接到发光元件OD的阳极。旁路晶体管T7的漏电极D7可以连接到初始化电压线22。旁路晶体管T7可以通过经由第三栅极线34提供的第(n+1)扫描信号Sn+1而导通，以使发光元件OD的阳极初始化。
存储电容器Cst的第二电极C2可以连接到电力线26。存储电容器Cst的第一电极C1可以连接到驱动晶体管T1的栅电极G1、补偿晶体管T3的漏电极D3和初始化晶体管T4的源电极S4。
发光元件OD的阴极可以接收参考电压ELVSS。发光元件OD可以从驱动晶体管T1接收驱动电流Id以发射光。发光元件OD可以包括发光材料。发光元件OD可以基于发光材料而产生具有颜色的光。例如，从发光元件OD产生的光的颜色可以是红色、绿色、蓝色或白色。
在一些实施例中，像素PX的晶体管的数量和/或连接关系可以被各种修改或改变。
图5是沿着图2的线I-I'截取的剖视图。
在本实施例中，孔区域HA的在模块孔MH外部(例如，并且与模块孔MH相邻)的区域可以被定义为边缘区域LA。边缘区域LA可以是用于确保模块孔MH的边缘的区域。图像IM不会显示在边缘区域LA处(例如，在边缘区域LA中或在边缘区域LA上)。绕过模块孔MH的信号线(例如，信号线SL1和SL2)可以设置在边缘区域LA处(例如，在边缘区域LA中或在边缘区域LA上)。
如图5中所示，显示面板DP可以包括基体基底BS、辅助层BL、像素PX、多个绝缘层10、20、30和40、封装基底ECG以及感测单元220。
基体基底BS可以是绝缘基底。例如，基体基底BS可以包括塑料基底或玻璃基底。辅助层BL可以设置在基体基底BS上以覆盖基体基底BS的前表面。辅助层BL可以包括无机材料。辅助层BL可以包括阻挡层和/或缓冲层。因此，辅助层BL可以防止或基本防止氧和/或湿气通过基体基底BS渗透到像素PX中，并且/或者可以减小基体基底BS的表面能，使得像素PX稳定地形成在基体基底BS上。
像素PX可以设置在有效区域AA处(例如，在有效区域AA中或在有效区域AA上)。在本实施例中，作为示例，示出了包括薄膜晶体管TR和发光元件OD的像素PX。第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30和第四绝缘层40中的每个可以包括有机材料和/或无机材料，并且可以具有单层结构或多层结构。
薄膜晶体管TR可以包括半导体图案SP、控制电极CE、输入电极IE和输出电极OE。半导体图案SP可以设置在辅助层BL上。半导体图案SP可以包括半导体材料。控制电极CE可以利用置于控制电极CE与半导体图案SP之间的第一绝缘层10与半导体图案SP间隔开。
输入电极IE和输出电极OE可以利用置于输入电极IE和输出电极OE与控制电极CE之间的第二绝缘层20与控制电极CE间隔开。薄膜晶体管TR的输入电极IE和输出电极OE可以穿透(例如，延伸贯穿)第一绝缘层10和第二绝缘层20以分别连接到半导体图案SP的一个侧部和另一侧部。
第三绝缘层30可以设置在第二绝缘层20上以覆盖输入电极IE和输出电极OE。在另一实施例中，半导体图案SP在薄膜晶体管TR中可以设置在控制电极CE上。在又一实施例中，半导体图案SP可以设置在输入电极IE和输出电极OE上。在再一实施例中，输入电极IE和输出电极OE可以设置在与半导体图案SP的层相同或基本相同的层上，并且可以连接到(例如，直接连接到)半导体图案SP。根据发明构思的实施例的薄膜晶体管TR可以具有各种适合的结构中的任何一种，而不局限于特定实施例。
发光元件OD可以设置在第三绝缘层30上。发光元件OD可以包括第一电极E1、发射图案EP、控制层EL和第二电极E2。
第一电极E1可以穿透(例如，延伸贯穿)第三绝缘层30以连接到薄膜晶体管TR。在一些实施例中，显示面板DP还可以包括设置在第一电极E1与薄膜晶体管TR之间的连接电极。在这种情况下，第一电极E1可以通过连接电极电连接到薄膜晶体管TR。
第四绝缘层40可以设置在第三绝缘层30上。第四绝缘层40可以包括有机材料和/或无机材料，并且可以具有单层结构或多层结构。可以在第四绝缘层40中限定开口。开口可以暴露第一电极E1的至少一部分。第四绝缘层40可以包括或可以是像素限定层。
发射图案EP可以设置在开口处(例如，在开口中或在开口上)，并且可以设置在被开口暴露的第一电极E1上。发射图案EP可以包括发光材料。例如，发射图案EP可以包括能够发射红光的材料、能够发射绿光的材料和能够发射蓝光的材料中的至少一种。在实施例中，发射图案EP可以包括荧光材料或磷光材料。发射图案EP可以包括有机发光材料或无机发光材料。发射图案EP可以响应于第一电极E1与第二电极E2之间的电势差而发射光。
控制层EL可以设置在第一电极E1与第二电极E2之间。控制层EL可以与发射图案EP相邻设置。控制层EL可以控制电荷的移动以改善发光元件OD的发光效率和/或寿命。控制层EL可以包括空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料和电子注入材料中的至少一种。
在本实施例中，控制层EL设置在发射图案EP与第二电极E2之间。然而，发明构思的实施例不限于此。在另一实施例中，控制层EL可以设置在发射图案EP与第一电极E1之间，或者控制层EL可以包括在第三方向DR3上堆叠且其间置有发射图案EP的多个层。
控制层EL可以具有从有效区域AA延伸到***区域NAA中的任何适合的形状(例如，单一的整体形状)。可以针对多个像素PX共同地设置控制层EL。
第二电极E2可以设置在发射图案EP上。第二电极E2可以与第一电极E1相对。
第二电极E2可以具有设置在有效区域AA和***区域NAA的一部分处(例如，在有效区域AA和***区域NAA的一部分中或在有效区域AA和***区域NAA的一部分上)的任何适合的形状(例如，单一的整体形状)。可以针对多个像素PX共同地设置第二电极E2。设置在像素PX中的每个处(例如，在像素PX中的每个中或在像素PX中的每个上)的发光元件OD可以通过第二电极E2接收公共的参考电压ELVSS(见图4)。
第二电极E2可以不设置在孔区域HA(例如，边缘区域LA)处(例如，在孔区域HA(例如，边缘区域LA)中或在孔区域HA(例如，边缘区域LA)上)。换言之，第二电极E2可以不被模块孔MH暴露。
第二电极E2可以包括透射导电材料或半透射导电材料。例如，第二电极E2可以包括镁(Mg)、银(Ag)、任何其它适合的材料或它们的组合。因此，从发射图案EP产生的光可以通过第二电极E2在第三方向DR3上射出(或容易射出)。然而，发明构思的实施例不限于此。在另一实施例中，第一电极E1可以包括透射导电材料或半透射导电材料，并且发光元件OD可以作为后表面发光型而被驱动。在又一实施例中，发光元件OD可以作为其中光通过前表面和后表面两者射出的双表面发光型而被驱动。
第二电极E2可以包括具有相对高的反射率的材料。因此，在电子模块EM为图3中示出的声音输出模块AOM、发光模块LM、光接收模块LRM或相机模块CMM的情况下，从基体基底BS下面射出的光或朝着基体基底BS下面的区域入射的光会被第二电极E2反射，因此，会降低电子模块EM的性能(例如，会使电子模块EM的性能劣化)。
然而，根据发明构思的一个或更多个实施例，因为在边缘区域LA中未设置第二电极E2，所以可以能够防止或基本防止电子模块EM的性能由于入射到模块孔MH的外周中(例如，入射到模块孔MH的外周上或入射在模块孔MH的外周上)或从模块孔MH的外周射出的光的反射而被劣化。
第二电极E2可以具有大约100埃
Figure BDA0002354792350000181
(例如，大约10nm)或更小的厚度。
显示面板DP还可以包括防沉积图案PD。防沉积图案PD可以设置在孔区域HA处(例如，在孔区域HA中或在孔区域HA上)(例如，可以设置在边缘区域LA中)。防沉积图案PD不设置在有效区域AA处(例如，在有效区域AA中或在有效区域AA上)。防沉积图案PD可以被模块孔MH暴露。防沉积图案PD可以与设置在边缘区域LA处(例如，在边缘区域LA中或在边缘区域LA上)的控制层EL接触。
防沉积图案PD可以包括被用作蓝色有机发光材料的ABH113(ABH113是印度博伊萨尔(Boisar)的太阳精细化学(Sun Fine Chemical)的牌号)等。
防沉积图案PD可以设置在与第二电极E2的层相同或基本相同的层上。防沉积图案PD的厚度可以比第二电极E2的厚度大。防沉积图案PD可以具有大约5μm至大约10μm的厚度。
图6是示出执行检查第二电极是否沉积在形成有防沉积图案的位置处的实验的结果的图。
参照图6，在实验区域XA处(例如，在实验区域XA中或在实验区域XA上)沉积(例如，由太阳精细化学生产的)ABH113，然后使用用于形成网格形状图案的掩模来沉积用于形成第二电极E2(见图5)的镁(Mg)或银(Ag)。这里，(例如，由太阳精细化学生产的)ABH113与Mg/Ag之间的粘合强度非常弱。因此，Mg/Ag不沉积在设置有(例如，由太阳精细化学生产的)ABH113的区域处(例如，在设置有(例如，由太阳精细化学生产的)ABH113的区域中或在设置有(例如，由太阳精细化学生产的)ABH113的区域上)。换言之，认识到的是，当在形成第二电极E2之前形成防沉积图案PD时，用于形成第二电极E2的材料不沉积在形成有防沉积图案PD的位置处。
因此，在发明构思的一个或更多个实施例中，防沉积图案PD可以设置在孔区域HA的边缘区域LA处(例如，在孔区域HA的边缘区域LA中或在孔区域HA的边缘区域LA上)，因此，第二电极E2可以形成在除了孔区域HA之外的有效区域AA处(例如，在除了孔区域HA之外的有效区域AA中或在除了孔区域HA之外的有效区域AA上)。
再次参照图5，封装基底ECG可以包括绝缘材料。例如，封装基底ECG可以包括玻璃基底或塑料基底。根据发明构思的一个或更多个实施例，因为显示面板DP包括封装基底ECG，所以显示面板DP可以相对于外部冲击具有改善的可靠性。
封装基底ECG可以在第三方向DR3上与第二电极E2间隔开一定距离(例如，预定距离)。封装基底ECG与第二电极E2之间的空间GP可以填充有空气或惰性气体。
封装基底ECG可以通过密封构件PSL结合到基体基底BS以密封像素PX。密封构件PSL可以使基体基底BS与设置在基体基底BS上方的封装基底ECG之间保持或基本保持适合距离(例如，预定距离)。
密封构件PSL可以是限定模块孔MH的内表面的组件。密封构件PSL可以包括有机材料(例如，诸如可光固化树脂或光塑性树脂)，或者可以包括无机材料(例如，诸如玻璃料密封剂)。然而，发明构思的实施例不限于此。
密封构件PSL可以与防沉积图案PD接触。
如果省略防沉积图案PD，则第二电极E2会延伸到边缘区域LA中，并且会与密封构件PSL接触。在这种情况下，包括金属的第二电极E2与密封构件PSL之间的粘合强度会是弱的，因此，密封构件PSL不能被稳固地固定。
然而，根据发明构思的一个或更多个实施例，防沉积图案PD可以设置在边缘区域LA处(例如，在边缘区域LA中或在边缘区域LA上)，并且可以与密封构件PSL接触(例如，直接接触)，因此，密封构件PSL可以稳固地粘合到防沉积图案PD。
感测单元220可以设置在封装基底ECG上。感测单元220可以通过电容方法来操作。例如，感测单元220可以基于由在不同方向上延伸且彼此绝缘的两种类型的触摸线所形成的电容器的电容的改变来提取触摸坐标。
感测单元220可以包括触摸绝缘层和多个堆叠的导电层。
模块孔MH可以穿透(例如，延伸贯穿)显示面板DP。在本实施例中，模块孔MH的内表面MHE1可以通过基体基底BS、辅助层BL、第一绝缘层10、第二绝缘层20、控制层EL、防沉积图案PD、密封构件PSL、封装基底ECG和感测单元220的切割端表面(或侧表面)来限定。
图7是示出根据发明构思的另一实施例的显示面板的沿着图2的线I-I'截取的剖视图。
与参照图5描述的显示面板DP相比，图7的显示面板DP-1可以包括封装层ECL而不包括图5的封装基底ECG。在下文中，将主要描述图7的显示面板DP-1与图5的显示面板DP之间的不同之处，并且为了容易且方便描述，可以不重复与图5的显示面板DP的组件相同或基本相同的组件的冗余描述。
显示面板DP-1可以包括封装层ECL。
封装层ECL可以设置在发光元件OD上以封装发光元件OD。封装层ECL可以设置(例如，公共地设置)在多个像素PX上。在一些实施例中，可以在第二电极E2与封装层ECL之间以及防沉积图案PD与封装层ECL之间设置覆盖第二电极E2的盖层。
封装层ECL可以包括在第三方向DR3上堆叠(例如，顺序地堆叠)的第一无机层IOL1、有机层OL和第二无机层IOL2。然而，发明构思的实施例不限于此。在另一实施例中，封装层ECL还可以包括多个无机层和/或多个有机层。
第一无机层IOL1可以覆盖第二电极E2和防沉积图案PD。在图7的实施例中，第一无机层IOL1可以与第二电极E2和防沉积图案PD接触。
第一无机层IOL1可以防止或基本防止外部湿气和/或氧渗透到发光元件OD中。例如，第一无机层IOL1可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或它们的组合。可以通过沉积工艺形成第一无机层IOL1。
有机层OL可以设置在第一无机层IOL1上，并且可以与第一无机层IOL1接触。有机层OL可以在第一无机层IOL1上提供平坦表面。有机层OL可以覆盖第一无机层IOL1的顶表面的弯曲部分和/或存在于第一无机层IOL1上的颗粒，因此，可以能够阻挡第一无机层IOL1的顶表面的状态对形成在有机层OL上的组件的影响。此外，有机层OL可以缓和或减轻与有机层OL接触的层之间的应力。有机层OL可以包括有机材料，并且可以通过溶液工艺(例如，诸如旋涂工艺、狭缝涂覆工艺、喷墨工艺和/或任何其它适合的工艺)来形成。
第二无机层IOL2可以设置在有机层OL上以覆盖有机层OL。第二无机层IOL2可以稳定地形成在有机层OL的顶表面上，有机层OL的顶表面在与第一无机层IOL1的顶表面相比时相对平坦。第二无机层IOL2可以封装或基本封装从有机层OL输出的湿气，以防止或基本防止湿气被提供到外部。例如，第二无机层IOL2可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或它们的组合。可以通过沉积工艺或任何其它适合的工艺形成第二无机层IOL2。
平坦化层PL可以设置在封装层ECL上。平坦化层PL可以覆盖封装层ECL的前表面(例如，非均匀的前表面)，以在有效区域AA处(例如，在有效区域AA中或在有效区域AA上)提供平坦表面。感测单元220可以设置在平坦化层PL上。在本实施例中，模块孔MH的内表面MHE1可以通过基体基底BS、辅助层BL、第一绝缘层10、第二绝缘层20、控制层EL、防沉积图案PD、第一无机层IOL1、第二无机层IOL2、平坦化层PL和感测单元220的切割端表面(或侧表面)来限定。
在根据本实施例的显示面板DP-1中，可以在孔区域HA中形成凹陷图案GV。凹陷图案GV可以从显示面板DP-1的前表面凹陷，并且可以通过去除显示面板DP-1的一些组件的部分来形成。例如，与模块孔MH不同，凹陷图案GV不会穿透(例如，不会延伸贯穿)显示面板DP-1。因此，基体基底BS的与凹陷图案GV叠置的后表面不会因凹陷图案GV而开口(或者不会具有与凹陷图案GV对应的开口)。
在本实施例中，基体基底BS可以具有柔性。例如，基体基底BS可以包括诸如聚酰亚胺的树脂。
凹陷图案GV可以穿透与模块孔MH相邻且设置在封装层ECL下面的组件中的至少一个，同时保留基体基底BS的至少一部分。在本实施例中，凹陷图案GV可以通过形成在辅助层BL中的贯穿区域和形成在基体基底BS中的凹陷区域来形成。贯穿区域和凹陷区域可以彼此连接(例如，并且/或者可以彼此叠置)。凹陷图案GV的内表面可以由可覆盖形成在辅助层BL中的贯穿区域的内表面和形成在基体基底BS中的凹陷区域的内表面的第一无机层IOL1和第二无机层IOL2来形成。在本实施例中，凹陷图案GV的内表面可以由第二无机层IOL2提供。
当在平面图中观看(例如，在与显示设备EA的前表面正交的方向上观看或者在与显示设备EA的前表面平行的平面上观看)时，凹陷图案GV可以围绕模块孔MH(例如，围绕在模块孔MH的外周周围)。凹陷图案GV可以与边缘区域LA叠置。
凹陷图案GV可以具有底切形状。例如，在凹陷图案GV中，辅助层BL的内侧表面(例如，辅助层BL的侧部的边缘)可以从基体基底BS的内侧表面突出。
显示面板DP-1还可以包括设置在凹陷图案GV处(例如，在凹陷图案GV中或在凹陷图案GV上)的有机图案EL-P。有机图案EL-P可以包括与控制层EL的材料相同或基本相同的材料。可选地，有机图案EL-P可以包括与防沉积图案PD的材料相同或基本相同的材料。有机图案EL-P可以具有单层结构或多层结构。
有机图案EL-P可以与控制层EL和防沉积图案PD间隔开，并且可以设置在凹陷图案GV处(例如，在凹陷图案GV中或在凹陷图案GV上)。有机图案EL-P可以被第一无机层IOL1覆盖，因此，有机图案EL-P可以不暴露于外部。
根据发明构思的一个或更多个实施例，凹陷图案GV可以阻挡控制层EL在模块孔MH的侧表面与有效区域AA之间的连续性。控制层EL可以在与凹陷图案GV叠置的区域处(例如，在与凹陷图案GV叠置的区域中或在与凹陷图案GV叠置的区域上)被切断。控制层EL可以是外部污染物(例如，湿气或空气)通过其运动的路径。湿气或空气经由孔区域HA从被模块孔MH暴露的层(例如，控制层EL)移动到像素PX所通过的路径可以被凹陷图案GV阻挡。因此，可以改善其中形成有模块孔MH的显示面板DP-1的可靠性。
在另一实施例中，凹陷图案GV可以在显示面板DP-1的边缘区域LA处(例如，在显示面板DP-1的边缘区域LA中或在显示面板DP-1的边缘区域LA上)设置为多个，并且多个凹陷图案GV可以彼此间隔开。在又一实施例中，凹陷图案GV可以填充有有机层OL的一部分。在再一实施例中，可以从显示面板DP-1省略凹陷图案GV。然而，发明构思不局限于实施例中的任何一种。
图8A至图8E是示出制造根据图5的实施例的显示设备的方法的剖视图。
参照图8A，可以在基体基底BS上形成辅助层BL、薄膜晶体管TR、第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40、第一电极E1和发射图案EP。如本领域技术人员将理解的，可以使用任何适合的工艺来形成层。可以去除第三绝缘层30和第四绝缘层40的位于孔区域HA处的部分以暴露第二绝缘层20。其后，可以在发射图案EP上形成控制层EL。可以在第二绝缘层20和第四绝缘层40上(例如，在绝缘层20和第四绝缘层40上整体地)形成控制层EL。
参照图8B，随后可以在控制层EL上形成防沉积层PD1。可以将防沉积层PD1形成为与孔区域HA叠置。
在示例实施例中，可以使用(例如，由太阳精细化学生产的)ABH113等作为有色的发光材料(例如，蓝色有机发光材料)，并且可以沉积(例如，由太阳精细化学生产的)ABH113等，然后图案化(例如，由太阳精细化学生产的)ABH113等以形成防沉积层PD1。如本领域技术人员将理解的，防沉积层PD1可以具有任何适合的厚度。例如，防沉积层PD1可以具有大约5μm至10μm的厚度。
参照图8C，可以在控制层EL上形成第二电极E2。第二电极E2可以包括透射导电材料或半透射导电材料。例如，第二电极E2可以包括镁(Mg)、银(Ag)或它们的组合。
可以通过沉积(例如，整体地沉积)导电材料来形成第二电极E2。导电材料不沉积在形成有防沉积层PD1的位置处。因此，第二电极E2可以不与在其处(例如，在其中或在其上)形成有防沉积层PD1的孔区域HA叠置。因为形成了第二电极E2，所以可以完成包括第一电极E1、发射图案EP、控制层EL和第二电极E2的发光元件OD。
参照图8D，可以在具有发光元件OD的基体基底BS上设置封装基底ECG。可以通过置于封装基底ECG与基体基底BS之间的密封构件PSL将封装基底ECG结合到具有发光元件OD和防沉积层PD1的基体基底BS。可以通过照射穿过封装基底ECG的激光使密封构件PSL硬化。可以在将封装基底ECG结合到基体基底BS之前将感测单元(例如，传感器)220粘合到封装基底ECG的顶表面。然而，发明构思的实施例不限于此。在另一实施例中，可以在将封装基底ECG结合到基体基底BS之后将感测单元220粘合到封装基底ECG的顶表面。
参照图8E，可以在彼此结合的封装基底ECG和基体基底BS处(例如，在彼此结合的封装基底ECG和基体基底BS中或在彼此结合的封装基底ECG和基体基底BS上)形成模块孔MH。可以通过激光切割工艺来形成模块孔MH。根据图8E的工艺，可以形成防沉积图案PD并且可以形成显示面板DP。
图9是示出根据发明构思的实施例的电子装置的分解透视图。图10A是示意性地示出根据发明构思的实施例的显示面板的平面图。图10B是示意性地示出根据发明构思的实施例的显示面板的平面图。在下文中，将通过相同或基本相同/相似的附图标记来表示与图1至图7的实施例中的组件相同或基本相同/相似的组件，因此，可以不重复与参照图1至图7的实施例描述的组件和特征相同或基本相同/相似的组件和特征的冗余描述。
参照图9，根据本实施例的电子装置EA-A可以包括显示面板DP-A、窗构件WM-A、电子模块(例如，电子组件或电子器件)EM-A和容纳构件(例如，壳体或外壳)BM-A。
与图2的显示面板DP不同，可以从根据本实施例的显示面板DP-A省略物理地穿透(例如，延伸贯穿)显示面板DP的模块孔MH。替代图2的模块孔MH，根据本实施例的显示面板DP-A可以包括与电子模块EM-A叠置的区域，该区域具有比显示面板DP-A的与该区域相邻的其它区域的光透射率大的光透射率。因此，显示面板DP-A可以不被物理地穿透，并且电子模块EM-A可以设置在显示面板DP-A下面。
在图9中，单个电子模块EM-A被示出为设置在电子装置EA-A的顶端部的中心(或中心区域)处。然而，发明构思的实施例不限于此。电子模块EM-A的数量、位置和/或形状可以被各种修改或改变。
分别在图10A和图10B中示意性地示出的显示面板DP1和显示面板DP2是图9的显示面板DP-A的实施例。
参照图10A，根据实施例的显示面板DP1可以包括第一显示区域RA1和第二显示区域RA2。第一显示区域RA1可以围绕第二显示区域RA2的至少一部分(例如，外周部分)。
第二显示区域RA2可以包括第一透射部分LT1和第二透射部分LT2。在实施例中，第一透射部分LT1可以被定义为显示面板DP1的与电子模块EM-A叠置的区域。第二透射部分LT2可以围绕第一透射部分LT1(例如，围绕在第一透射部分LT1的外周周围)。第二透射部分LT2可以与第一显示区域RA1形成边界。
根据发明构思的实施例，显示面板DP1的第二显示区域RA2的光透射率可以比显示面板DP1的第一显示区域RA1的光透射率大。因此，第二显示区域RA2可以包括其处(例如，其中或其上)未设置或省略了显示面板DP1的一些组件的区域。
根据发明构思的实施例，在显示面板DP1中，与电子模块EM-A叠置的第二显示区域RA2的光透射率可以比与第二显示区域RA2相邻的第一显示区域RA1的光透射率大，因此，可以改善电子模块EM-A的性能。
参照图10B，根据实施例的显示面板DP2可以包括第一显示区域RA1-A和第二显示区域RA2-A。第二显示区域RA2-A可以包括第一透射部分LT1-A和第二透射部分LT2-A。第一透射部分LT1-A可以包括第一部分SA1和第二部分SA2。包括在第一透射部分LT1-A中的第一部分SA1和第二部分SA2的数量和/或形状可以被各种地修改，以与设置在显示面板DP-A下面的一个或更多个电子模块EM-A的数量和/或形状对应。在图10B中，第一部分SA1和第二部分SA2具有具备不同尺寸的圆形形状。然而，发明构思的实施例不限于此。在其它实施例中，第一部分SA1和第二部分SA2中的每个可以具有多边形形状、椭圆形形状或任何其它适合的形状。
在本实施例中，第一显示区域RA1-A和第二显示区域RA2-A可以沿着第一方向DR1布置。此外，第二显示区域RA2-A可以具有在第二方向DR2上延伸的条形形状。
图11A是示出根据发明构思的实施例的显示面板的区域的放大平面图。图11B是示出根据发明构思的实施例的显示面板的区域的放大平面图。图12是示出根据发明构思的实施例的显示面板的区域的剖视图。
参照图11A，根据实施例的第二显示区域RA2可以包括可交替布置的发光区域PA和透射区域TZ。发光区域PA和透射区域TZ可以被包括在图10A的第一透射部分LT1、图10B的第一透射部分LT1-A、图10A的第二透射部分LT2和图10B的第二透射部分LT2-A中的每个中。
发光区域PA可以是其中设置有发射图案EP的区域(在下面更详细地描述)，透射区域TZ可以是其中未设置或省略了显示面板DP-A的一些组件的区域。因此，透射区域TZ的光透射率可以比发光区域PA的光透射率大。
在本实施例中，发光区域PA和透射区域TZ可以交替地布置在第二显示区域RA2中。在本实施例中，以栅格形式或矩阵形式布置的两个发光区域PA和两个透射区域TZ可以被定义为单元区域UA1。
因此，在本实施例中，每单元区域UA1的发光区域PA与透射区域TZ的比率可以为50:50。可以通过调节单元区域UA1中的发光区域PA与透射区域TZ的比率来修改每单元区域UA1的透射率。
根据一些实施例，图10A的第一显示区域RA1和图10B的第一显示区域RA1-A可以仅包括发光区域PA。例如，与图10A的第二显示区域RA2和图10B的第二显示区域RA2-A不同，图10A的第一显示区域RA1和图10B的第一显示区域RA1-A可以包括一个或更多个发光区域PA，但不包括透射区域TZ。
参照图11B，根据实施例的第二显示区域RA2-1的发光区域PA中的每个可以被透射区域TZ围绕。例如，在一些实施例中，透射区域TZ中的对应的透射区域TZ可以布置在对应的发光区域PA的外周周围以围绕对应的发光区域PA。发光区域PA和透射区域TZ可以被包括在图10A的第一透射部分LT1、图10B的第一透射部分LT1-A、图10A的第二透射部分LT2和图10B的第二透射部分LT2-A中的每个中。在本实施例中，以栅格形式或矩阵形式布置的一个发光区域PA和三个透射区域TZ可以被定义为单元区域UA2。
在本实施例中，单元区域UA2中的发光区域PA与透射区域TZ的比率可以为25:75。因此，当电子模块EM-A的相机模块CMM(例如，见图3)设置在显示面板DP-A下面时，显示面板DP-A可以包括具有比相邻区域的光透射率大的光透射率的第二显示区域RA2-1，因此，可以改善电子模块EM-A的效率。
参照图12，根据本实施例的显示面板DP-A可以包括基体基底BS、辅助层BL、像素PX、多个绝缘层10、20、30和40、封装层ECL以及感测单元(例如，传感器)220。显示面板DP-A的第二显示区域RA2可以包括发光区域PA和透射区域TZ。透射区域TZ的光透射率可以比发光区域PA的光透射率大。图10A的第一显示区域RA1和图10B的第一显示区域RA1-A可以仅包括发光区域PA。例如，与图12的第二显示区域RA2不同，图10A的第一显示区域RA1和图10B的第一显示区域RA1-A可以包括一个或更多个发光区域PA，但不包括透射区域TZ。
第一电极E1可以设置在发光区域PA处(例如，在发光区域PA中或在发光区域PA上)，并且可以穿透(例如，延伸贯穿)第三绝缘层30以连接到薄膜晶体管TR。设置在透射区域TZ处(例如，在透射区域TZ中或在透射区域TZ上)的第一电极E1'可以与薄膜晶体管TR间隔开。设置在透射区域TZ处(例如，在透射区域TZ中或在透射区域TZ上)的第一电极中的至少一个(例如，E1')可以连接到初始化电压线22，因此，可以被供应有与初始化电压线22的电压相同或基本相同的电压。因此，设置在透射区域TZ中的第一电极(例如，E1')可以被浮置以防止或基本防止第一电极(例如，E1')利用外电流(peripheral current)(例如，与第一电极E1'相邻或在第一电极E1'附近的组件的电流)来充电。与发光区域PA叠置的第一电极E1可以通过被限定在第四绝缘层40中的对应的显示开口D-OP而被暴露。
发射图案EP可以设置在显示开口D-OP处(例如，在显示开口D-OP中或在显示开口D-OP上)。第四绝缘层40可以是像素限定层。在本实施例中，发光区域PA可以被定义为其处(例如，其中或其上)设置有像素PX的发射图案EP的区域。
控制层EL可以设置在第一电极E1与第二电极E2之间。例如，控制层EL可以与发射图案EP相邻设置。控制层EL可以设置在发光区域PA和透射区域TZ两者中。然而，发明构思的实施例不限于此。在另一实施例中，控制层EL可以设置在发光区域PA处(例如，在发光区域PA中或在发光区域PA上)，但不可以设置在透射区域TZ处(例如，在透射区域TZ中或在透射区域TZ上)。
在本实施例中，第二电极E2可以设置在发光区域PA处(例如，在发光区域PA中或在发光区域PA上)，但不可以设置在透射区域TZ处(例如，在透射区域TZ中或在透射区域TZ上)。因此，第二电极E2可以设置在与发光区域PA叠置的第一电极E1上，但不设置在与透射区域TZ叠置的第一电极E1'上。
第二电极E2可以包括具有相对高的反射率的材料。因此，当电子模块EM-A包括图3的声音输出模块AOM、发光模块LM、光接收模块LRM和/或相机模块CMM时，从基体基底BS下面射出的光或朝向基体基底BS下面的区域入射的光会被第二电极E2反射，因此，会使电子模块EM-A的性能劣化。
然而，根据发明构思的一个或更多个实施例，因为在透射区域TZ处(例如，在透射区域TZ中或在透射区域TZ上)未设置第二电极E2，所以可以能够防止或基本防止电子模块EM-A的性能由于入射到第二显示区域RA2或从第二显示区域RA2射出的光的反射而被劣化。
第二电极E2可以具有任何适合的厚度，例如，大约
Figure BDA0002354792350000271
或更小的厚度。
在本实施例中，显示面板DP-A还可以包括防沉积图案PD-A。防沉积图案PD-A可以设置在透射区域TZ处(例如，在透射区域TZ中或在透射区域TZ上)，但不会设置在发光区域PA处(例如，在发光区域PA中或在发光区域PA上)。防沉积图案PD-A可以与设置在透射区域TZ处(例如，在透射区域TZ中或在透射区域TZ上)的控制层EL接触。
防沉积图案PD-A可以包括被用作蓝色有机发光材料的(例如，由太阳精细化学生产的)ABH113等。
防沉积图案PD-A可以设置在与第二电极E2的层相同或基本相同的层上。防沉积图案PD-A可以仅设置在透射区域TZ处(例如，在透射区域TZ中或在透射区域TZ上)。例如，防沉积图案PD-A可以设置在透射区域TZ处(例如，在透射区域TZ中或在透射区域TZ上)，但不设置在发光区域PA处(例如，在发光区域PA中或在发光区域PA上)。因此，防沉积图案PD-A可以设置在与透射区域TZ叠置的第一电极E1'上，而不设置在与发光区域PA叠置的第一电极E1上。
防沉积图案PD-A的厚度可以比第二电极E2的厚度大。例如，防沉积图案PD-A可以具有大约5μm至大约10μm的厚度。
根据本实施例，防沉积图案PD-A可以设置在透射区域TZ处(例如，在透射区域TZ中或在透射区域TZ上)，但不设置在发光区域PA处(例如，在发光区域PA中或发光区域PA上)，因此，第二电极E2可以设置在发光区域PA处(例如，在发光区域PA中或在发光区域PA上)，但不可以设置在透射区域TZ处(例如，在透射区域TZ中或在透射区域TZ上)。结果，因为第二显示区域RA2包括用于提供从发射图案EP产生的光的发光区域PA和具有比发光区域PA的光透射率大的光透射率的透射区域TZ，所以即使电子模块EM-A设置在显示面板DP-A下面(例如，并且被显示面板DP-A覆盖)，也可以改善电子模块EM-A(例如，见图9)的性能和/或显示面板DP-A的可视性。
图13是示出根据发明构思的实施例的显示面板的区域的剖视图。在本实施例中，将通过相同或基本相同/相似的附图标记来表示与图1至图12的实施例中的组件相同或基本相同/相似的组件，因此，可以不重复与参照图1至图12的实施例描述的组件和特征相同或基本相同/相似的组件和特征的冗余描述。
参照图13，根据本实施例的显示面板DP-B可以包括基体基底BS、辅助层BL、像素PX、多个绝缘层10、20、30和40、封装层ECL以及感测单元220。显示面板DP-B的第二显示区域RA2可以包括发光区域PA和透射区域TZ。
在本实施例中，第二电极E2可以设置在发光区域PA处(例如，在发光区域PA中或在发光区域PA上)，但不可以设置在透射区域TZ处(在透射区域TZ中或在透射区域TZ上)。防沉积图案PD-B可以设置在透射区域TZ处(例如，在透射区域TZ中或在透射区域TZ上)。防沉积图案PD-B可以设置在透射区域TZ处(例如，在透射区域TZ中或在透射区域TZ上)，但不可以设置在发光区域PA处(例如，在发光区域PA中或在发光区域PA上)。
在本实施例中，显示面板DP-B可以包括透射开口T-OP。透射开口T-OP可以包括第一开口TO1和第二开口TO2。
第一开口TO1可以穿透(例如，延伸贯穿)与透射区域TZ叠置的第三绝缘层30，并且第二开口TO2可以穿透(例如，延伸贯穿)与透射区域TZ叠置的第四绝缘层40。第一开口TO1可以与第二开口TO2叠置。
在本实施例中，防沉积图案PD-B可以设置在与透射区域TZ叠置的第四绝缘层40上，并且可以设置在透射开口T-OP处(例如，在透射开口T-OP中或在透射开口T-OP上)。例如，在本实施例中，防沉积图案PD-B可以位于第四绝缘层40的与透射区域TZ叠置的部分上，并且可以位于透射区域TZ中的透射开口T-OP上(或位于透射区域TZ中的透射开口T-OP内)。在图13中，控制层EL设置在发光区域PA和透射区域TZ两者处(例如，在发光区域PA和透射区域TZ两者中或在发光区域PA和透射区域TZ两者上)。然而，发明构思的实施例不限于此。在另一实施例中，控制层EL可以仅设置在发光区域PA处(例如，在发光区域PA中或在发光区域PA上)。例如，控制层EL可以设置在发光区域PA处(例如，在发光区域PA中或在发光区域PA上)，但不设置在透射区域TZ处(例如，在透射区域TZ中或在透射区域TZ上)。在这种情况下，防沉积图案PD-B可以覆盖设置在透射区域TZ中的第四绝缘层40和透射开口T-OP。换言之，当不在透射区域TZ处(例如，在透射区域TZ中或在透射区域TZ上)设置控制层EL时，防沉积图案PD-B可以与第四绝缘层40的设置在透射区域TZ处(例如，在透射区域TZ中或在透射区域TZ上)的部分接触，并且可以与透射开口T-OP的与透射区域TZ叠置的内表面接触。然而，发明构思的实施例不限于此。
在根据发明构思的一个或更多个实施例的显示设备中，第二电极可以不设置在边缘区域处(例如，在边缘区域中或在边缘区域上)，因此，可以能够防止或基本防止电子模块的性能由于入射到模块孔的外周或从模块孔的外周射出的光的反射而被劣化。
根据发明构思的一个或更多个实施例，防沉积图案可以设置在边缘区域处(例如，在边缘区域中或在边缘区域上)，并且可以与密封构件接触(例如，直接接触)，因此，可以使密封构件稳固地粘合到防沉积图案。
尽管已经参照示例实施例描述了发明构思，但是对本领域技术人员将清楚的是，在不脱离发明构思的精神和范围的情况下，可以做出各种改变和修改。因此，应理解的是，以上实施例不是限制性的，而是说明性的。因此，发明构思的范围不应被前述描述约束或限制，而是将通过对权利要求的最宽且合理的解释以及它们的等同物来确定发明构思的范围。

Claims (30)

1.一种显示设备，所述显示设备包括：
基体基底，具有前表面、与所述前表面背对的后表面、延伸贯穿所述前表面和所述后表面的模块孔、有效区域、与所述有效区域相邻的***区域以及与所述模块孔相邻的边缘区域；
电路层，位于所述基体基底上，所述电路层包括驱动元件，所述驱动元件包括薄膜晶体管；
显示元件层，包括防沉积图案和发光元件，所述发光元件包括：第一电极，连接到所述薄膜晶体管；发射图案，位于所述第一电极上；以及第二电极，位于所述发射图案上；以及
封装层，位于所述显示元件层上，所述封装层封装所述发光元件，
其中，所述第二电极和所述防沉积图案位于同一层处并且彼此不叠置。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述防沉积图案包括ABH113。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述防沉积图案与所述边缘区域叠置，并且所述第二电极与所述有效区域叠置。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述防沉积图案的厚度比所述第二电极的厚度大。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二电极包括镁、银或它们的组合。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述防沉积图案被所述模块孔暴露。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述封装层包括：
封装基底；以及
密封构件，位于所述封装基底与所述显示元件层之间，所述密封构件与所述边缘区域叠置。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述密封构件与所述防沉积图案接触。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述发光元件还包括位于所述发射图案与所述第二电极之间的控制层，并且
其中，所述第二电极和所述防沉积图案均与所述控制层接触。
10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述封装层包括顺序地堆叠在所述显示元件层上的第一无机层、有机层和第二无机层。
11.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述基体基底具有在平面图中与所述模块孔相邻的凹陷图案，所述凹陷图案与所述边缘区域叠置。
12.根据权利要求11所述的显示设备，所述显示设备还包括：
有机图案，位于所述凹陷图案上，其中，所述有机图案包括ABH113。
13.一种显示设备，所述显示设备包括：
基体基底，具有前表面、与所述前表面背对的后表面、延伸贯穿所述前表面和所述后表面的模块孔、有效区域、与所述有效区域相邻的***区域以及与所述模块孔相邻的边缘区域；
电路层，位于所述基体基底上，所述电路层包括驱动元件，所述驱动元件包括薄膜晶体管；
显示元件层，包括：防沉积图案；以及发光元件，包括连接到所述薄膜晶体管的第一电极、位于所述第一电极上的发射图案和位于所述发射图案上的第二电极；以及
封装层，位于所述显示元件层上，所述封装层封装所述发光元件，
其中，所述防沉积图案与所述边缘区域叠置并包括ABH113，并且
其中，所述第二电极与所述防沉积图案不叠置。
14.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述防沉积图案和所述第二电极位于同一层处。
15.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述第二电极包括镁、银或它们的组合。
16.一种制造显示设备的方法，所述显示设备包括基体基底，所述基体基底具有前表面、与所述前表面背对的后表面、有效区域、与所述有效区域相邻的***区域和与所述有效区域相邻的孔区域，所述方法包括以下步骤：
在所述基体基底上形成第一电极、发射图案和控制层；
在所述控制层上形成防沉积层，所述防沉积层与所述孔区域叠置；
在所述控制层上形成第二电极，所述第二电极与所述有效区域叠置且与所述防沉积层不叠置；
在所述第二电极上形成封装层；以及
形成穿透所述基体基底的模块孔，所述模块孔与所述孔区域叠置。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，形成所述防沉积层的所述步骤包括：
沉积并图案化ABH113。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，形成所述第二电极的所述步骤包括：
在所述控制层上沉积镁或银。
19.一种电子装置，所述电子装置包括：
基体层；
防沉积图案，位于所述基体层上并且包括ABH113；以及
电极图案，位于与所述防沉积图案的层相同的层处并且与所述防沉积图案不叠置，所述电极图案包括金属材料。
20.根据权利要求19所述的电子装置，其中，所述金属材料包括镁、银或它们的组合。
21.一种电子装置，所述电子装置包括：
电子模块；以及
显示面板，包括第一显示区域和与所述第一显示区域相邻的第二显示区域，所述第二显示区域与所述电子模块叠置，并且所述第二显示区域包括：电路层，包括驱动元件，所述驱动元件包括薄膜晶体管；以及显示元件层，包括防沉积图案和一个或更多个发光元件，
其中，所述发光元件包括：第一电极，连接到所述薄膜晶体管；发射图案，位于所述第一电极上；以及第二电极，位于所述发射图案上，
其中，所述防沉积图案位于与所述第二电极的层相同的层处并且所述防沉积图案与所述第二电极彼此不叠置，
其中，所述第二电极与所述第一显示区域和所述第二显示区域叠置，并且
其中，所述防沉积图案与所述第二显示区域叠置。
22.根据权利要求21所述的电子装置，其中，所述防沉积图案包括ABH113。
23.根据权利要求21所述的电子装置，其中，所述防沉积图案的厚度比所述第二电极的厚度大。
24.根据权利要求21所述的电子装置，其中，所述第二电极包括镁、银或它们的组合。
25.根据权利要求21所述的电子装置，其中，所述第二显示区域中的每单元区域的所述发射图案的数量比所述第一显示区域中的每单元区域的所述发射图案的数量少。
26.根据权利要求21所述的电子装置，其中，所述第二显示区域包括：
发光区域，所述发射图案位于所述发光区域处；以及
透射区域，所述防沉积图案位于所述透射区域处。
27.根据权利要求26所述的电子装置，其中，所述第二电极与所述发光区域叠置。
28.根据权利要求27所述的电子装置，其中，所述第二电极位于所述第一电极之中的与所述发光区域叠置的第一电极上，并且
其中，所述防沉积图案位于所述第一电极之中的与所述透射区域叠置的第一电极上。
29.根据权利要求27所述的电子装置，其中，所述第一显示区域和所述第二显示区域沿着第一方向布置，并且所述第二显示区域在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸。
30.根据权利要求21所述的电子装置，其中，所述电子模块包括声音输出模块、发光模块、光接收模块和相机模块中的至少一种。
CN202010004689.0A 2019-01-04 2020-01-03 显示设备、制造显示设备的方法和电子装置 Pending CN111416055A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2019-0001276 2019-01-04
KR20190001276 2019-01-04
KR1020190128710A KR20200085638A (ko) 2019-01-04 2019-10-16 표시 장치, 그 제조 방법, 및 전자 장치
KR10-2019-0128710 2019-10-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111416055A true CN111416055A (zh) 2020-07-14

Family

ID=69105752

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010004689.0A Pending CN111416055A (zh) 2019-01-04 2020-01-03 显示设备、制造显示设备的方法和电子装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11258041B2 (zh)
EP (1) EP3678188A1 (zh)
CN (1) CN111416055A (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220190290A1 (en) * 2019-03-29 2022-06-16 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
KR20200128286A (ko) * 2019-05-02 2020-11-12 삼성디스플레이 주식회사 접을 수 있는 표시 장치
KR20210107216A (ko) * 2020-02-21 2021-09-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102456713A (zh) * 2010-10-28 2012-05-16 三星移动显示器株式会社 有机发光显示装置及其制造方法
US20170031323A1 (en) * 2015-07-29 2017-02-02 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US20170148856A1 (en) * 2015-11-20 2017-05-25 Samsung Display Co., Ltd Organic light-emitting display and method of manufacturing the same
CN107025875A (zh) * 2015-12-02 2017-08-08 三星显示有限公司 显示装置
CN107039493A (zh) * 2015-12-04 2017-08-11 三星显示有限公司 显示设备
TW201839745A (zh) * 2017-09-30 2018-11-01 大陸商雲谷（固安）科技有限公司 顯示屏及顯示裝置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0700065B1 (en) 1994-08-31 2001-09-19 AT&T Corp. Field emission device and method for making same
KR20100013522A (ko) 2008-07-31 2010-02-10 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치의 제조방법
WO2011083410A2 (en) 2010-01-08 2011-07-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of maskless manufacturing of oled devices
CN104115296B (zh) * 2011-11-30 2016-09-14 诺瓦尔德股份有限公司 有机电子器件
KR102293365B1 (ko) 2014-12-18 2021-08-25 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102083646B1 (ko) * 2017-08-11 2020-03-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102663324B1 (ko) * 2018-11-01 2024-05-02 엘지디스플레이 주식회사 표시 영역 내에 관통-홀을 구비한 전계 발광 표시장치
KR20210070667A (ko) * 2019-12-05 2021-06-15 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102456713A (zh) * 2010-10-28 2012-05-16 三星移动显示器株式会社 有机发光显示装置及其制造方法
US20170031323A1 (en) * 2015-07-29 2017-02-02 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US20170148856A1 (en) * 2015-11-20 2017-05-25 Samsung Display Co., Ltd Organic light-emitting display and method of manufacturing the same
CN107025875A (zh) * 2015-12-02 2017-08-08 三星显示有限公司 显示装置
CN107039493A (zh) * 2015-12-04 2017-08-11 三星显示有限公司 显示设备
TW201839745A (zh) * 2017-09-30 2018-11-01 大陸商雲谷（固安）科技有限公司 顯示屏及顯示裝置

Also Published As

Publication number Publication date
US20200220101A1 (en) 2020-07-09
US11258041B2 (en) 2022-02-22
US20220149327A1 (en) 2022-05-12
EP3678188A1 (en) 2020-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3664143B1 (en) Electronic device
US11972708B2 (en) Electronic panel and electronic apparatus including the same
CN111258444B (zh) 电子面板和包括该电子面板的电子装置
CN107346192B (zh) 电子设备和设置在其中的显示模块
US20200328257A1 (en) Electronic apparatus
US11038004B2 (en) Window member and electronic apparatus including the same
US11157118B2 (en) Electronic panel and electronic apparatus having the same
US20220149327A1 (en) Display apparatus, method of manufacturing the same, and electronic device
CN110875365A (zh) 电子设备
US11730043B2 (en) Display device
US11348989B2 (en) Electronic panel and electronic apparatus including the same
CN112840300B (zh) 电子设备
EP3758068B1 (en) Display panel and display device
US20200167041A1 (en) Electronic apparatus
US11569478B2 (en) Flexible display apparatus having improved reliability
US11983345B2 (en) Electronic apparatus and method of driving the same
US20210126080A1 (en) Display panel and display device
US20210126173A1 (en) Electronic apparatus
CN218101267U (zh) 显示装置
KR20200085638A (ko) 표시 장치, 그 제조 방법, 및 전자 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination