CN218101267U - 显示装置 - Google Patents

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金�显
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朴浈洙
李宗璨
郑雄喜
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Abstract

提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底，具有开口区域、围绕开口区域的***区域和围绕***区域的显示区域；第一电极，电连接到驱动晶体管；发射层，设置在第一电极上；第二电极，设置在发射层上；以及第一封装无机层，设置在第二电极上，其中，在***区域中，第二电极具有暴露发射层的第一开口，并且第一封装无机层具有暴露所述发射层的第二开口。所述显示装置能够够通过由简化的工艺形成具有底切形状并围绕显示装置的通孔的凹槽来改善可靠性。

Description

显示装置
本申请要求于2021年7月1日提交的第10-2021-0086399号韩国专利申请的优先权和权益，出于所有目的，该韩国专利申请通过引用包含于此，如同在这里充分阐述的一样。
技术领域
实用新型的实施例大体上涉及显示装置，更具体地，涉及包括用于电子模块的通孔的显示装置。
背景技术
显示装置是用于显示图像的装置，并且包括液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器等。显示装置用于诸如移动电话、导航装置、数码相机、电子书、便携式游戏机和各种终端的各种电子装置。
显示装置具有多层结构。例如，显示装置可以具有其中发光元件、触摸传感器等堆叠在基底上的多层结构。可以通过由发光元件产生并穿过多层结构的若干层以发射到显示装置的外部的光来显示图像。
在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于理解实用新型构思的背景，因此，它可以包含不构成现有技术的信息。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了提供一种能够通过由简化的工艺形成具有底切形状并围绕显示装置的通孔的凹槽来改善可靠性的显示装置。
实用新型构思的附加特征将在下面的描述中阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过实用新型构思的实践来获知。
根据实用新型的方面，显示装置包括：基底，具有开口区域、围绕开口区域的***区域和围绕***区域的显示区域；第一电极，电连接到驱动晶体管；发射层，设置在第一电极上；第二电极，设置在发射层上；以及第一封装无机层，设置在第二电极上，其中，在***区域中，第二电极具有暴露射层的第一开口，并且第一封装无机层具有暴露发射层的第二开口。
在剖视图中，第二电极的第一开口可以具有比第一封装无机层的第二开口的宽度大的宽度。
在***区域中，第一封装无机层和第二电极在剖视图中可以具有底切形状。
显示装置还可以包括设置在第一封装无机层上的封装有机层。
封装有机层可以填充第二电极的第一开口和第一封装无机层的第二开口。
封装有机层可以与暴露在***区域中的发射层接触。
显示装置还可以包括设置在第一封装无机层与封装有机层之间的第三封装无机层。
第三封装无机层可以与在***区域中暴露的发射层接触，并且其中，第三封装无机层可以设置在第二电极的第一开口和第一封装无机层的第二开口中。
第一电极和发射层可以从显示区域延伸到***区域。
第二电极可以包括至少两层。
根据实用新型的方面，显示装置包括：基底，具有开口区域、围绕开口区域的***区域和围绕***区域的显示区域；晶体管，设置在基底上；第一电极，电连接到晶体管；发射层，设置在第一电极上；第二电极，设置在发射层上；第一封装无机层、封装有机层和第二封装无机层，设置在第二电极上；以及电子模块，设置在开口区域中，其中，在***区域中，第二电极具有暴露发射层的第一开口，并且第一封装无机层具有暴露发射层的第二开口。
在剖视图中，第二电极的第一开口可以具有比第一封装无机层的第二开口的宽度大的宽度。
在***区域中，第一封装无机层和第二电极在剖视图中可以具有底切形状。
封装有机层可以填充第二电极的第一开口和第一封装无机层的第二开口。
封装有机层可以与暴露在***区域中的发射层接触。
第一电极和发射层可以从显示区域延伸到***区域。
第二电极可以包括至少两层。
第二电极的至少两层可以包括由钼(Mo)形成的层和由铝(Al)形成的层。
显示装置还可以包括设置在第一封装无机层与封装有机层之间的第三封装无机层。
第三封装无机层可以与在***区域中暴露的发射层接触。
第三封装无机层可以设置在第二电极的第一开口和第一封装无机层的第二开口中。
根据实用新型的另一方面，显示装置包括：基底，具有开口区域、围绕开口区域的***区域和围绕***区域的显示区域；晶体管，设置在基底上；第一电极，电连接到晶体管；发射层，设置在第一电极上；第二电极，设置在发射层上；以及第一封装无机层、封装有机层和第二封装无机层，设置在第二电极上，其中，第一电极和发射层从显示区域延伸到***区域，并且第二电极具有在***区域中暴露发射层的第一开口；第一封装无机层具有在***区域中暴露发射层的上表面的第二开口；并且在***区域中，第一封装无机层和第二电极在剖视图中形成底切形状。
在剖视图中，第一开口可以具有比第二开口的宽度大的宽度。
封装有机层可以填充第二电极的第一开口和第一封装无机层的第二开口。
第二电极可以包括至少两层。
显示装置还可以包括设置在第一封装无机层与封装有机层之间的第三封装无机层。
第三封装无机层可以与在***区域中暴露的发射层接触。
第三封装无机层可以设置在第二电极的第一开口和第一封装无机层的第二开口中。
第二电极可以包括铝。
根据本实用新型，可以通过执行简化的蚀刻工艺来简化显示装置的制造工艺。另外，台阶和底切形状仅由形成在第二电极和第一封装无机层中的开口来提供。因此，在上部上形成的封装有机层可以稳定且均匀地形成，而没有气泡缺陷或过多的台阶。因此，可以改善显示装置的可靠性。
将理解的是，前面的一般性描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的实用新型的进一步解释。
附图说明
附图示出了实用新型的例示实施例并且与描述一起用于解释实用新型构思，附图被包括以提供对实用新型的进一步理解，并且附图被包含在本说明书中且构成本说明书的一部分。
图1示出了根据实用新型的原理构造的显示装置的实施例的分解透视图。
图2示出了图1的显示装置的另一实施例的示意性剖视图。
图3示出了图1和图2的显示面板的一些构成元件的俯视平面图。
图4示出了图3的显示面板的代表性像素的电路图。
图5示出了其中图1和图3的区域“A”被放大的俯视平面图。
图6A和图6B分别示出了图3的显示面板的实施例的示出其显示区域和***区域的剖视图。
图7示出了图3的显示面板的另一实施例的示出其显示区域和***区域的剖视图。
图8A、图8B、图8C、图8D和图8E示出了根据实施例的制造图3的显示面板的工艺的剖视图。
图9示出了通过图8A、图8B、图8C、图8D和图8E的制造方法制造的第二电极和第一封装无机层的剖面图像。
具体实施方式
在以下的描述中，为了解释的目的，阐述了许多特定细节，以提供对实用新型的各种实施例和实现方式的透彻理解。如在这里使用的“实施例”和“实现方式”是采用在这里公开的实用新型构思中的一个或更多个的装置或方法的非限制性示例的词。然而，明显的是，可以在没有这些特定细节的情况下或者在具有一个或更多个等同布置的情况下实践各种实施例。在其他情况下，以框图的形式示出了公知的结构和装置，以避免使各种实施例不必要地模糊。此外，各种实施例可以是不同的，但不必是排他性的。例如，在不脱离实用新型构思的情况下，一实施例的特定形状、构造和特性可以在另一实施例中使用或实施。
除非另外说明，否则示出的实施例将被理解为提供可以在实践中实施实用新型构思的一些方式的变化的细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离实用新型构思的情况下，各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中单独地或统一地被称为“元件”)可以另外组合、分离、交换和/或重新布置。
通常在附图中提供交叉影线和/或阴影的使用是为了使相邻元件之间的边界清楚。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在与否都不传达或指示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和/或任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述性目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实施实施例时，可以不同于所描述的顺序来执行特定工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。此外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在居间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在居间元件或层。为此，术语“连接”可以指在具有或不具有居间元件的情况下的物理连接、电连接和/或流体连接。此外，DR1轴、DR2轴和DR3轴不限于直角坐标系的诸如x轴、y轴和z轴的三个轴，而是可以以更广泛的意义来解释。例如，DR1轴、DR2轴和DR3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种/者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如在这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个任何组合和所有组合。
尽管术语“第一”、“第二”等在这里可以用于描述各种类型的元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开来。因此，下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件而不脱离公开的教导。
出于描述的目的，可以在这里使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下面”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“更/较高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语，并由此描述如附图中所示的一个元件与另外的元件的关系。空间相对术语除了包括在附图中描绘的方位之外，还意图包括设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果翻转附图中的设备，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件于是将被定向为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，术语“在……下方”可以包含上方和下方两种方位。此外，设备可以被另外定向(例如，旋转90度或在其他方位处)，并且如此，相应地解释在这里使用的空间相对描述语。
这里使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不意图成为限制。除非上下文另外清楚地指出，否则如在这里使用的单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述/该”意图也包括复数形式。此外，术语“包含”、“包括”和/或其变型当用在本说明书中时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还注意的是，如在这里使用的，术语“基本上”、“大约(约)”和其他类似术语被用作近似术语而不是用作程度术语，并且如此被用来解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
这里，参照作为理想化实施例和/或中间结构的示意性图示的剖视图和/或分解图来描述各种实施例。如此，将预料到例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，这里公开的实施例应不必被解释为局限于具体示出的区域的形状，而是将包括由例如制造引起的形状上的偏差。以这种方式，附图中示出的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，如此不必意图成为限制。
除非另外定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。术语(诸如在通用字典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的背景下的意思一致的意思，而不应以理想化的或过于形式化的含义来进行解释，除非这里明确地如此定义。
此外，贯穿说明书，短语“在平面图中”或“在平面上”指从顶部观看目标部分，并且短语“在剖视图中”或“在剖面上”指观看通过从侧面竖直切割目标部分而形成的剖面。
在下文中，将参照图1和图2描述根据实施例的显示装置。图1示出了根据实施例的显示装置的分解透视图，图2示出了根据实施例的显示装置的示意性剖视图。
参照图1和图2，显示装置1000可以在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面上朝向第三方向DR3显示图像。每个构件的前表面(例如，上表面)和后表面(例如，下表面)通过第三方向DR3划分。由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向是相对概念，因此它们可以改变为其他方向。
如图1中所示，显示装置1000可以包括覆盖窗WU、显示面板DP和壳体构件HM。在实施例中，覆盖窗WU、显示面板DP和壳体构件HM可以组合以形成显示装置1000。
覆盖窗WU可以设置在显示面板DP上以保护显示面板DP。覆盖窗WU可以包括透射区域TA和阻挡区域BA。透射区域TA可以是光学透明区域，并且可以是入射光透射通过其的区域。阻挡区域BA可以是与透射区域TA相比具有相对低的光透射率的区域。阻挡区域BA限定透射区域TA的形状。阻挡区域BA可以围绕透射区域TA。阻挡区域BA可以显示预定的颜色。阻挡区域BA可以与显示面板DP的非显示区域PA叠置，以防止从外部观看非显示区域PA。
覆盖窗WU可以包括第一孔区域HA1和第二孔区域HA2。如稍后更详细地描述的，第一孔区域HA1和第二孔区域HA2中的每个可以与电子模块EM叠置。电子模块EM可以通过接收通过第一孔区域HA1和第二孔区域HA2提供的外部信号来操作。
根据实施例，第一孔区域HA1可以设置在透射区域TA中，第二孔区域HA2可以设置在阻挡区域BA中。然而，这仅是示例性的，第一孔区域HA1和第二孔区域HA2可以设置在相反的区域中。可选地，它们中的全部可以设置在透射区域TA中，或者它们中的全部可以设置在阻挡区域BA中。
在第一孔区域HA1和第二孔区域HA2中的每个中，可以限定从覆盖窗WU的后表面凹入的预定的凹部。凹部可以包括深度小于覆盖窗WU的厚度的凹槽部分或开口区域。
第一孔区域HA1和第二孔区域HA2可以具有不同的形状。第一孔区域HA1在平面图中可以具有圆形形状，第二孔区域HA2在平面图中可以具有椭圆形形状，该椭圆形形状具有沿着第一方向DR1延伸的长轴。然而，实施例不限于第一孔区域HA1和第二孔区域HA2的形状。例如，其尺寸或形状可以不同地改变。
显示面板DP可以是平坦的刚性显示面板，但是实施例不限于此。例如，显示面板DP可以是柔性显示面板。根据实施例的显示面板可以是发光类型显示面板，但是实施例不限于此。例如，显示面板可以是有机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发射层可以包括有机发光材料。量子点发光显示面板的发射层可以包括量子点、量子棒等。在下文中，显示面板将被描述为有机发光显示面板。
可以在显示面板DP的前表面上显示图像。显示面板DP的前表面可以包括显示区域DA和非显示区域PA。可以在显示区域DA中显示图像。非显示区域PA可以围绕显示区域DA。
显示面板DP可以包括设置在显示区域DA中的多个像素PX。像素PX可以响应于电信号而发射光。由像素PX发射的光可以显示图像。包括在一个像素PX中的晶体管和电容器的数量以及它们的连接关系可以不同地改变。
根据实施例的显示面板DP可以包括穿透显示面板DP的开口区域DTA。开口区域DTA可以设置在显示区域DA中。在下文中，将描述其中设置有开口区域DTA的区域“A”。开口区域DTA可以与覆盖窗WU的第一孔区域HA1叠置。多个像素PX中的一些可以被设置为围绕开口区域DTA。因此，即使在与开口区域DTA相邻的区域中也可以显示图像。
显示面板DP可以包括其中设置有多条信号线和垫部的非显示区域PA。显示面板DP的非显示区域PA可以从显示面板DP的显示区域DA延伸。数据驱动器50可以设置在非显示区域PA中。根据实施例，非显示区域PA的垫部可以电连接到包括驱动芯片80的印刷电路板PCB，这将在下面参照图3更详细地描述。
如图2中所示，用于接合显示面板DP和覆盖窗WU的粘合层AD可以设置在显示面板DP与覆盖窗WU之间。例如，在一些实施例中，可以省略粘合层AD。另外，如图2中所示，触摸感测部TU可以设置在显示面板DP与覆盖窗WU之间。为了显示装置1000的触摸屏功能，触摸感测部TU可以设置在显示面板DP上。触摸感测部TU可以一体地形成在显示面板DP上。
触摸感测部TU可以包括各种图案的触摸电极，并且可以形成为电阻膜类型或电容类型。触摸感测部TU可以包括用于感测触摸的触摸感测区域和围绕触摸感测区域的触摸***区域。
电子模块EM可以包括用于操作显示装置1000的各种功能模块。电子模块EM可以通过连接器等电连接到显示面板DP。例如，电子模块EM可以是相机、扬声器或者使用光或热的感测传感器。
电子模块EM可以包括第一电子模块EM1和第二电子模块EM2。第一电子模块EM1可以感测通过开口区域DTA和第一孔区域HA1接收的外部对象。第一电子模块EM1可以接收通过开口区域DTA和第一孔区域HA1传输的外部输入，或者可以通过开口区域DTA和第一孔区域HA1提供输出。
例如，第一电子模块EM1可以是发光模块、光感测模块、拍摄模块等中的至少一个。例如，第一电子模块EM1可以包括用于输出红外线的发光模块、用于感测红外线的CMOS传感器和用于拍摄外部对象的相机模块中的至少一个。
第二电子模块EM2可以通过第二孔区域HA2收集诸如语音的声音信号，或者可以向外部提供诸如经处理的语音的声音信号。例如，第二电子模块EM2可以包括声音输入模块和声音输出模块中的至少一个。声音输入模块可以包括能够接收声音信号的麦克风。声音输出模块可以包括输出声音数据作为声音信号的扬声器。
然而，这是作为示例示出的，电子模块EM可以由单个模块构造，还可以包括更多数量的电子模块，并且可以以各种布置关系布置，但是实施例不限于此。
壳体构件HM可以设置在显示面板DP的下侧处。壳体构件HM可以与覆盖窗WU组合以形成显示装置1000的外观。壳体构件HM可以包含具有相对高刚度的材料。例如，壳体构件HM可以包括由玻璃、塑料和金属制成的多个框架和/或板。壳体构件HM可以提供预定的容纳空间。显示面板DP可以容纳在容纳空间中以防止外部冲击。
在下文中，将参照图3、图4和图5描述根据实施例的显示面板。图3示出了根据实施例的显示面板的一些构成元件的俯视平面图。图4示出了根据实施例的一个像素的电路图。图5示出了其中放大了图1和图3的区域“A”的俯视平面图。
参照图3，显示面板DP可以包括包含显示区域DA和非显示区域PA的基底SUB。非显示区域PA可以沿着显示区域DA的边缘限定。
显示面板DP可以包括多个像素PX。多个像素PX可以在基底SUB上设置在显示区域DA中。像素PX中的每个可以包括发光元件和连接到发光元件的驱动电路。每个像素PX可以发射例如红色、绿色、蓝色或白色光，并且作为示例可以包括有机发光元件(有机发光二极管)。
显示面板DP可以包括多条信号线和垫部PAD。多条信号线可以包括在第一方向DR1上延伸的扫描线SL以及在第二方向DR2上延伸的数据线DL和驱动电压线PL。
扫描驱动器20可以产生通过扫描线SL传输到每个像素PX的扫描信号。根据实施例，扫描驱动器20可以设置在显示区域DA的左侧或右侧处。在图3中，示出了扫描驱动器20设置在基底SUB的两侧处的结构，但是在另一实施例中，扫描驱动器可以仅设置在基底SUB的一侧。
垫部PAD可以设置在显示面板DP的一个端部处，并且可以包括多个端子P1、P2、P3和P4。垫部PAD可以暴露而不被绝缘层覆盖。因此，垫部PAD可以电连接到印刷电路板PCB。垫部PAD可以电连接到印刷电路板PCB的垫部PCB_P。印刷电路板PCB可以将驱动芯片80的信号或电力供应到垫部PAD。
从外部传输的多个图像信号可以转换为多个图像数据信号，并且可以通过端子P1将转换后的信号传输到数据驱动器50。另外，控制器可以接收垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号，并且产生用于控制扫描驱动器20和数据驱动器50的操作的控制信号以通过端子P3和P1将它传输到扫描驱动器20和数据驱动器50中的每个。控制器可以通过端子P2将驱动电压ELVDD传输到驱动电压供应布线60。另外，控制器可以通过端子P4将共电压ELVSS传输到每条共电压供应布线70。
数据驱动器50可以设置在非显示区域PA中，并且可以产生传输到每个像素PX的数据信号。数据驱动器50可以设置在显示面板DP的一侧处，并且例如可以设置在垫部PAD与显示区域DA之间。
驱动电压供应布线60可以设置在非显示区域PA中。例如，驱动电压供应布线60可以设置在数据驱动器50与显示区域DA之间。驱动电压供应布线60可以将驱动电压ELVDD提供到像素PX。驱动电压供应布线60可以在第一方向DR1上设置，并且可以连接到在第二方向DR2上设置的多条驱动电压线PL。
共电压供应布线70可以设置在非显示区域PA中。共电压供应布线70可以具有围绕基底SUB的形状。共电压供应布线70可以将共电压ELVSS传输到包括在像素PX中的发光元件的一个电极(例如，第二电极)。
在下文中，将参照图4描述包括在一个像素PX中的多个晶体管的示例。
如图4中所示，根据实施例的显示装置的一个像素PX可以包括连接到多条布线的晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、存储电容器Cst、升压电容器Cbt以及发光二极管LED。
多条布线可以连接到一个像素PX。多条布线可以包括第一初始化电压线127、第二初始化电压线128、第一扫描信号线151、第二扫描信号线152、初始化控制线153、旁路控制线154、光发射控制线155、数据线171、驱动电压线172和共电压线741。
第一扫描信号线151可以连接到用于产生第一扫描信号GW的栅极驱动器，并且可以将第一扫描信号GW传输到第二晶体管T2。当施加第一扫描信号线151的信号时，第二扫描信号线152可以同时施加有与施加到第一扫描信号线151的电压极性相反的电压。例如，当负电压施加到第一扫描信号线151时，正电压可以施加到第二扫描信号线152。第二扫描信号线152可以将第二扫描信号GC传输到第三晶体管T3。
初始化控制线153可以将初始化控制信号Gi传输到第四晶体管T4。旁路控制线154可以将旁路信号GB传输到第七晶体管T7。旁路控制线154可以包括第一扫描信号线151的前一扫描信号线。光发射控制线155可以将发射控制信号EC传输到第五晶体管T5和第六晶体管T6。
数据线171可以是传输由数据驱动器产生的数据电压DATA的布线，由发光二极管LED发射的光的亮度可以根据施加到像素PX的数据电压DATA而改变。
驱动电压线172可以施加驱动电压ELVDD。第一初始化电压线127可以传输第一初始化电压VINT，第二初始化电压线128可以传输第二初始化电压AINT。共电压线741可以将共电压ELVSS施加到发光二极管LED的阴极电极。在实施例中，施加到驱动电压线172、第一初始化电压线127和第二初始化电压线128以及共电压线741的电压中的每个可以是基本上恒定的电压。
多个晶体管可以包括驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7。多个晶体管可以包括氧化物晶体管和硅晶体管，氧化物晶体管包括氧化物半导体，硅晶体管包括多晶硅半导体。例如，第三晶体管T3和第四晶体管T4可以形成为氧化物晶体管，而驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7可以形成为硅晶体管。然而，实施例不限于此，多个晶体管可以全部形成为硅晶体管。
在以上中，已经描述了一个像素PX包括七个晶体管T1至T7、一个存储电容器Cst和一个升压电容器Cbt，但是实施例不限于此，晶体管的数量、电容器的数量以及它们的连接关系可以不同地改变。
参照图5以及上述附图，显示面板DP可以包括设置在基底上的多条信号线SL和DL以及多个像素PX。多个像素PX中的每个可以连接到多条信号线SL和DL。
图5示例性地示出了多条信号线之中的扫描线SL和数据线DL。然而，这是作为示例示出的，根据实施例的像素PX中的每个可以另外连接到各种信号线，但是实施例不限于此。
包括在显示面板DP中的孔区域HA可以包括开口区域DTA和围绕开口区域DTA的***区域LA。
***区域LA可以是围绕开口区域DTA的***的区域。***区域LA的最小宽度可以被要求为保持基本上恒定的宽度。例如，***区域LA可以包括凹槽GV。将参照图6A更详细地描述凹槽GV。
扫描线SL和数据线DL可以具有半圆形结构或圆形/弯曲形状，可以与***区域LA叠置，并且可以绕过开口区域DTA。多条扫描线SL沿着开口区域DTA的***在水平方向上延伸。这里，多条扫描线SL可以根据信号包括扫描线、发射控制线或初始化电压线等。多条数据线DL沿着开口区域DTA的***在竖直方向上延伸。多条数据线DL可以根据信号包括驱动电压线和驱动低电压线。在一些实施例中，多条扫描线SL和多条数据线DL可以被改变或修改。
在下文中，将参照图6A描述根据实施例的显示区域。图6A示出了显示面板的与显示区域和***区域对应的剖视图。
首先，将参照图6A描述显示区域DA的堆叠结构。
根据实施例的基底SUB可以包括无机绝缘材料(诸如玻璃)或有机绝缘材料(诸如塑料(诸如聚酰亚胺(PI)))。基底SUB可以是单层结构或多层结构。基底SUB可以具有其中包括顺序地堆叠的聚合物树脂的至少一个基体层和至少一个无机层交替地堆叠的结构。
基底SUB可以具有各种程度的柔性。基底SUB可以是刚性基底，或者是可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性基底。
缓冲层BF可以设置在基底SUB上。缓冲层BF可以阻挡杂质从基底SUB传输到缓冲层BF的上层和半导体层ACT，从而防止半导体层ACT的特性劣化并减小半导体层ACT的应力。缓冲层BF可以包括无机绝缘材料(诸如氮化硅或氧化硅)或有机绝缘材料。可选地，可以省略缓冲层BF的一部分或全部。
半导体层ACT可以设置在缓冲层BF上。半导体层ACT可以包括多晶硅和氧化物半导体中的至少一种。半导体层ACT可以包括沟道区C、第一区P和第二区Q。第一区P和第二区Q可以分别设置在沟道区C的两侧处。沟道区C可以包括掺杂有少量杂质的半导体或未掺杂有杂质的半导体，第一区P和第二区Q可以包括与沟道区C相比掺杂有大量杂质的半导体。半导体层ACT可以由氧化物半导体形成，在这种情况下，可以添加单独的钝化层以保护易受外部环境(诸如高温)影响的氧化物半导体材料。
栅极绝缘层GI可以设置在半导体层ACT上。栅极绝缘层GI可以是包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种的单层或多层。
栅电极GE可以设置在栅极绝缘层GI上。栅电极GE可以是其中可以堆叠有包含铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)、钼合金、钛(Ti)和钛合金中的一种的金属膜的单层或多层。栅电极GE可以与半导体层ACT的沟道区C叠置。
第一绝缘层IL1可以设置在栅电极GE和栅极绝缘层GI上。第一绝缘层IL1可以是包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种的单层或多层。
源电极SE和漏电极DE可以设置在第一绝缘层IL1上。源电极SE和漏电极DE可以分别通过形成在第一绝缘层IL1和栅极绝缘层GI中的接触孔连接到半导体层ACT的第一区P和第二区Q。
源电极SE和漏电极DE可以包括铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以具有包括它们的单层结构或多层结构。
第二绝缘层IL2可以设置在第一绝缘层IL1、源电极SE和漏电极DE上。第二绝缘层IL2可以包括诸如通用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物(例如，聚酰亚胺)和硅氧烷类聚合物的有机绝缘材料。
第一电极E1可以设置在第二绝缘层IL2上。第一电极E1可以通过第二绝缘层IL2的接触孔电连接到漏电极DE。
第一电极E1可以包含诸如银(Ag)、锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)或金(Au)的金属，并且也可以包含诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物(TCO)。第一电极E1可以由包括金属材料或透明导电氧化物的单层、或者包括它们的多层形成。例如，第一电极E1可以具有氧化铟锡(ITO)/银(Ag)/氧化铟锡(ITO)的三层结构。第一电极E1也可以从显示区域DA延伸到***区域LA中。
由栅电极GE、半导体层ACT、源电极SE和漏电极DE构造的晶体管可以连接到第一电极E1，以将电流供应到发光元件。
分隔壁IL3可以设置在第二绝缘层IL2和第一电极E1上。例如，间隔件可以设置在分隔壁IL3上。
分隔壁IL3可以与第一电极E1的至少一部分叠置，并且具有限定发光区域的分隔壁开口。分隔壁开口可以具有与第一电极E1的平面形状基本上相似的平面形状。分隔壁开口在平面图中可以具有菱形或类似于菱形的八边形形状，但是实施例不限于此。例如，分隔壁开口可以具有诸如多边形(例如，四边形)或圆形的各种形状。
分隔壁IL3和间隔件可以包括诸如通用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物(例如，聚酰亚胺)和硅氧烷类聚合物的有机绝缘材料。
发射层EML可以设置在与分隔壁开口叠置的第一电极E1上。发射层EML可以包括有机材料和/或无机材料。发射层EML可以产生预定的颜色的光。发射层EML可以通过使用掩模形成为仅设置在分隔壁开口内。
发射层EML可以是包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中的至少一个以及包括电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个的多层膜。
第二电极E2可以设置在发射层EML上。第二电极E2可以包括反射金属或者诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物(TCO)，反射金属包括钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、镍(Ni)、铬(Cr)、锂(Li)或钼(Mo)。
第一电极E1、发射层EML和第二电极E2可以形成发光元件。这里，第一电极E1可以是作为空穴注入电极的阳极，第二电极E2可以是作为电子注入电极的阴极。然而，实施例不限于此，根据发光显示装置的驱动方法，第一电极E1可以是阴极，第二电极E2可以是阳极。
空穴和电子可以分别从第一电极E1和第二电极E2注入到发射层EML中，当作为通过注入的空穴和电子的结合产生的激子从激发态变为基态时，可以发射光。
封装层ENC可以设置在第二电极E2上。封装层ENC不仅可以覆盖并密封发光元件的上表面，而且可以覆盖并密封发光元件的侧表面。由于发光元件非常易受湿气和氧的影响，因此封装层ENC可以密封或封装发光元件以阻止湿气和氧从外部流入。
封装层ENC可以包括多个层，在这种情况下，它可以形成为包括无机层和有机层两者的复合膜，例如，它可以形成为三层。例如，封装层ENC可以通过顺序堆叠第一封装无机层EIL1、封装有机层EOL和第二封装无机层EIL2而形成。
第一封装无机层EIL1可以覆盖第二电极E2。第一封装无机层EIL1可以防止外部湿气或氧渗透到发光元件中。例如，第一封装无机层EIL1可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或其组合。第一封装无机层EIL1可以通过沉积工艺形成。
封装有机层EOL可以设置在第一封装无机层EIL1上，以接触第一封装无机层EIL1。形成在第一封装无机层EIL1的上表面上的弯曲部分或设置在第一封装无机层EIL1上的颗粒可以被封装有机层EOL覆盖。因此，可以阻止或最小化对因第一封装无机层EIL1的上表面的表面状态而对形成在封装有机层EOL上的构成元件的影响。另外，封装有机层EOL可以减小彼此接触的层之间的应力。封装有机层EOL可以包括有机材料，并且可以通过诸如旋涂、狭缝涂覆或喷墨工艺的溶液工艺而形成。
第二封装无机层EIL2可以设置在封装有机层EOL上，以覆盖封装有机层EOL。与第一封装无机层EIL1相比，第二封装无机层EIL2可以稳定地或均匀地形成在相对平坦的表面上。第二封装无机层EIL2可以包封从封装有机层EOL排出的湿气，以防止湿气流出到外部。第二封装无机层EIL2可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或其组合。第二封装无机层EIL2可以通过沉积工艺而形成。
例如，可以进一步包括设置在第二电极E2与封装层ENC之间的盖层。盖层可以包括有机材料。盖层可以保护第二电极E2免受后续工艺(例如，溅射工艺)的影响，并且可以改善发光元件的发光效率。盖层可以具有比第一封装无机层EIL1的折射率大的折射率。
在下文中，将描述设置在开口区域DTA与显示区域DA之间的***区域LA。
从显示区域DA延伸的基底SUB、缓冲层BF、栅极绝缘层GI、第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2和分隔壁IL3可以设置在***区域LA中。另外，从显示区域DA延伸的发射层EML可以设置在***区域LA中。在描述中，示出了其中发射层EML与基底SUB的前表面叠置的实施例，在这种情况下，根据实施例，延伸到***区域LA的发射层EML可以根据实施例包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层中的至少一种。
***区域LA中的第二电极E2和第一封装无机层EIL1中的每个可以包括开口。第二电极E2可以包括第一开口OP-E2，第一封装无机层EIL1可以包括第二开口OP-EIL1。第一开口OP-E2和第二开口OP-EIL1可以彼此叠置，并且可以形成如图5中所示的凹槽GV。凹槽GV可以具有围绕形成在开口区域DTA中的通孔的闭合线形状。凹槽GV可以具有类似于通孔形状的圆形形状。然而，这是示例，凹槽GV可以具有与通孔的形状不同的形状，它可以具有多边形形状、椭圆形形状或包括至少部分曲线的闭合线形状，或者它可以具有包括部分地断开的多个图案的形状。然而，它不限于上述实施例。
第二电极E2可以在第一开口OP-E2中具有断开形状，第一封装无机层EIL1可以在第二开口OP-EIL1中具有断开形状。第一开口OP-E2可以暴露发射层EML的延伸到***区域LA的一部分，第二开口OP-EIL1可以暴露发射层EML的延伸到***区域LA的一部分。
根据实施例，第一开口OP-E2的在剖视图中的宽度W2可以比第二开口OP-EIL1的宽度W1大。例如，第一开口OP-E2和第二开口OP-EIL1在剖视图中可以具有底切形状。第一封装无机层EIL1的形成第二开口OP-EIL1的端部可以具有比第二电极E2的形成第一开口OP-E2的端部突出的突出形状。例如，在平面图中，第一封装无机层EIL1的第二开口OP-EIL1可以具有比第二电极E2的第一开口OP-E2的尺寸(例如，直径)小的尺寸(例如，直径)。例如，第二电极E2的第一开口OP-E2在平面图中可以围绕第一封装无机层EIL1的第二开口OP-EIL1。
封装有机层EOL可以在***区域LA中设置在第一封装无机层EIL1上。封装有机层EOL可以填充第一开口OP-E2和第二开口OP-EIL1。封装有机层EOL可以完全地填充以底切形状形成的第二电极E2的第一开口OP-E2。封装有机层EOL可以通过第一开口OP-E2和第二开口OP-EIL1接触发射层EML。例如，封装有机层EOL可以接触发射层EML和第二电极E2(例如，第二电极E2的侧表面)。例如，封装有机层EOL的一部分可以例如在第三方向DR3上设置在第一封装无机层EIL1的端部与发射层EML之间。例如，封装有机层EOL可以包括覆盖第一封装无机层EIL1的上部和填充第二电极E2的第一开口OP-E2的下部。例如，第一封装无机层EIL1可以例如在第三方向DR3上设置在封装有机层EOL的上部与下部之间。
从显示区域DA延伸到***区域LA的第二封装无机层EIL2可以设置在封装有机层EOL上。
根据实施例，第一电子模块EM1可以设置在设置有通孔的开口区域DTA中。例如，可以进一步包括沿着开口区域DTA的边界设置的封装构件。封装构件可以从由开口区域DTA暴露的基底SUB起覆盖第二封装无机层EIL2的侧表面。封装构件可以包括与密封构件的材料相同的材料。
根据实施例，能够在***区域中部分地去除第二电极和第一封装无机层，并设置底切形状。可以减小用于设置底切结构的区域，设置在底切结构上的封装有机层可以提供平坦的上表面。另外，封装有机层可以稳定且均匀地填充底切结构而没有气泡缺陷。因此，能够提供一种具有改善的可靠性的显示装置。
在下文中，将参照图6B和图7描述根据实施例的显示面板。图6B和图7示出了显示面板的与显示区域和***区域对应的剖视图。为了便于描述，将省略与上述构成元件相同的构成元件的描述。
首先，参照图6B，根据实施例的第二电极E2可以形成为双层。第二电极E2可以包括第2-1电极E2-1和第2-2电极E2-2。
第2-1电极E2-1和第2-2电极E2-2可以包括不同的金属。例如，第2-1电极E2-1和第2-2电极E2-2中的一个可以包括铝(Al)，而其中的另一个可以包括钼(Mo)。包括铝(Al)的层可以被设置为与发射层EML相邻，或者包括钼(Mo)的层可以被设置为与发射层EML相邻。
在制造工艺期间，具有不同金属的第2-1电极E2-1和第2-2电极E2-2可以具有不同的蚀刻率。描述示出了其中第2-1电极E2-1和第2-2电极E2-2具有对齐的端部的形状，但是实施例不限于此。例如，第2-1电极E2-1的端部可以比第2-2电极E2-2的端部突出，或者第2-2电极E2-2的端部可以比第2-1电极E2-1的端部突出。
接下来，参照图7，根据实施例的显示装置还可以包括设置在第一封装无机层EIL1与封装有机层EOL之间的第三封装无机层EIL3。第三封装无机层EIL3可以与基底SUB的前表面叠置。
第三封装无机层EIL3可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或其组合。第三封装无机层EIL3可以通过沉积工艺形成。
第三封装无机层EIL3可以与第一开口OP-E2和第二开口OP-EIL1叠置。第三封装无机层EIL3可以设置在第一开口OP-E2和第二开口OP-EIL1中，并且可以覆盖形成第一开口OP-E2的第二电极E2的端部和形成第二开口OP-EIL1的第一封装无机层EIL1的端部。
第三封装无机层EIL3可以与被第一开口OP-E2和第二开口OP-EIL1暴露的发射层EML接触。例如，第三封装无机层EIL3可以接触发射层EML和第二电极E2(例如，第二电极E2的侧表面)。例如，第三封装无机层EIL3的一部分可以例如在第三方向DR3上设置在第一封装无机层EIL1的端部与发射层EML之间。例如，第三封装无机层EIL3可以包括覆盖第一封装无机层EIL1的上部和填充第二电极E2的第一开口OP-E2的下部。例如，第一封装无机层EIL1可以例如在第三方向DR3上设置在第三封装无机层EIL3的上部与下部之间。
在下文中，将参照图8A、图8B、图8C、图8D和图8E描述根据实施例的显示面板的制造方法。图8A、图8B、图8C、图8D和图8E示出了根据实施例的依据制造工艺的显示面板的剖视图。为了便于描述，将省略与上述构成元件相同的构成元件的描述。
参照图8A，根据实施例，可以在基底SUB上形成缓冲层BF、栅极绝缘层GI、第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2、晶体管Tr、第一电极E1和分隔壁IL3。这可以以各种技术或工艺执行。
然后，如图8B中所示，可以形成发射层EML、第二电极E2和第一封装无机层EIL1，以与基底SUB的整个表面叠置。
接下来，如图8C中所示，可以在第一封装无机层EIL1上形成光敏图案PR。光敏图案PR可以用作用于在第二电极E2和第一封装无机层EIL1中形成开口的掩模。
然后，如图8D中所示，可以通过使用光敏图案PR作为掩模来使第一封装无机层EIL1和第二电极E2图案化。在这种情况下，四甲基氢氧化铵(TMAH)可以用在使用光敏图案PR的蚀刻工艺中，但是实施例不限于此。
通过蚀刻工艺，可以使第二电极E2形成为包括第一开口OP-E2，可以使第一封装无机层EIL1形成为包括第二开口OP-EIL1。特别地，在剖视图中，第一开口OP-E2的宽度可以形成为比第二开口OP-EIL1的宽度大。例如，第一开口OP-E2和第二开口OP-EIL1可以形成为在剖视图中具有底切形状。例如，第二电极E2的第一开口OP-E2在平面图中可以具有比第一封装无机层EIL1的第二开口OP-EIL1的尺寸大的尺寸(例如，直径)。例如，第二电极E2的第一开口OP-E2在平面图中可以围绕第一封装无机层EIL1的第二开口OP-EIL1。
接下来，可以去除光敏图案PR，并且如图8E中所示，可以形成与基底SUB的整个表面叠置的封装有机层EOL和第二封装无机层EIL2。然后，可以形成穿过开口区域DTA的通孔，以提供如图6A中所示的显示面板。
根据实施例，可以通过执行简化的蚀刻工艺来简化显示装置的制造工艺。另外，台阶和底切形状仅由形成在第二电极和第一封装无机层中的开口来提供。因此，在上部上形成的封装有机层可以稳定且均匀地形成，而没有气泡缺陷或过多的台阶。
在下文中，将参照图9描述根据实施例的第二电极和封装无机层的剖面。图9示出了根据实施例制造的第二电极和第一封装无机层的剖面图像。
如图9中所示，当针对形成为与基底的整个表面叠置的第二电极和第一封装无机层通过使用四甲基氢氧化铵(TMAH)执行图案化工艺时，确认在第一封装无机层和第二电极中形成稳定形状的底切。
尽管这里已经描述了某些实施例和实现方式，但是其他实施例和修改通过该描述将是明显的。因此，实用新型构思不限于这种实施例，而是限于所附权利要求以及如对于本领域普通技术人员将明显的各种明显的修改和等同布置的更宽范围。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
基底，具有开口区域、围绕所述开口区域的***区域和围绕所述***区域的显示区域；
第一电极，电连接到驱动晶体管；
发射层，设置在所述第一电极上；
第二电极，设置在所述发射层上；以及
第一封装无机层，设置在所述第二电极上，
其中，在所述***区域中，所述第二电极具有暴露所述发射层的第一开口，并且所述第一封装无机层具有暴露所述发射层的第二开口。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在剖视图中，所述第二电极的所述第一开口具有比所述第一封装无机层的所述第二开口的宽度大的宽度。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在所述***区域中，所述第一封装无机层和所述第二电极在剖视图中具有底切形状。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括设置在所述第一封装无机层上的封装有机层。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述封装有机层填充所述第二电极的所述第一开口和所述第一封装无机层的所述第二开口。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述封装有机层与暴露在所述***区域中的所述发射层接触。
7.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括设置在所述第一封装无机层与所述封装有机层之间的第三封装无机层。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述第三封装无机层与在所述***区域中暴露的所述发射层接触，并且其中，所述第三封装无机层设置在所述第二电极的所述第一开口和所述第一封装无机层的所述第二开口中。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一电极和所述发射层从所述显示区域延伸到所述***区域。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第二电极包括至少两层。
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