CN111341822B - 显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示技术领域，提出一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置。该显示基板包括衬底基板，薄膜晶体管设于衬底基板之上；钝化层设于薄膜晶体管之上，其上设置有通孔；保护层组设于钝化层之上，其上设置有过孔，过孔的孔壁与钝化层之间的距离沿过孔的径向增大；平坦化层设于保护层组之上，其上设置有第三过孔，第三过孔的孔壁与钝化层之间的距离沿第三过孔的径向增大，第三过孔在衬底基板上的正投影在过孔在衬底基板上的正投影之内，或与过孔在衬底基板上的正投影重合；第一电极层设于平坦化层之上，第一电极层通过第三过孔、过孔和通孔与薄膜晶体管的源漏极连接。该显示基板的第三过孔具有斜度，避免第一电极搭接断线或搭接不良。

Description

显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及显示基板的制备方法、安装有该显示基板的显示面板和安装有该显示面板的显示装置。

背景技术

目前，随着科技的发展对显示装置的要求越来越高，在OLED(OrganicLight-Emitting Diode，有机电激光显示)技术中对背板的平坦度要求极高，SOG(spin on glasscoating，旋转涂布玻璃)为半导体制程上主要的局部性平坦化技术，其平坦化效果极好，从而应用于OLED中。通过SOG形成平坦化层，但是由于SOG的材料在干刻过程中，刻蚀速率快，使得孔壁坡度角较陡，几乎达到垂直，使后续的电极搭接存在断线或者搭接不良风险。

因此，有必要研究一种新的显示基板及显示基板的制备方法、安装有该显示基板的显示面板和安装有该显示面板的显示装置。

所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术的孔壁坡度角较陡的不足，提供一种孔壁坡度角较缓的显示基板及显示基板的制备方法、安装有该显示基板的显示面板和安装有该显示面板的显示装置。

本发明的额外方面和优点将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中变得显然，或者可以通过本发明的实践而习得。

根据本公开的一个方面，提供一种显示基板，包括：

衬底基板；

薄膜晶体管，设于所述衬底基板之上；

钝化层，设于所述薄膜晶体管的背离所述衬底基板的一面，所述钝化层上设置有通孔；

保护层组，设于所述钝化层的背离所述衬底基板的一面，所述保护层组上设置有过孔，所述过孔的孔壁与所述钝化层之间的距离沿所述过孔的径向增大；

平坦化层，设于所述保护层组的背离所述衬底基板的一面，所述平坦化层上设置有第三过孔，所述第三过孔的孔壁与所述钝化层之间的距离沿所述第三过孔的径向增大，所述第三过孔在所述衬底基板上的正投影在所述过孔在所述衬底基板上的正投影之内，或所述第三过孔在所述衬底基板上的正投影与所述过孔在所述衬底基板上的正投影重合；

第一电极层，设于所述平坦化层的背离所述衬底基板的一面，所述第一电极层通过所述第三过孔、所述过孔和所述通孔与所述薄膜晶体管的源漏极连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述保护层组包括：

第一保护层，设于所述钝化层的背离所述衬底基板的一面，其上设置有第一过孔，所述第一过孔的孔壁与所述钝化层之间的距离沿所述第一过孔的径向增大；

第二保护层，设于所述第一保护层的背离所述衬底基板的一面，所述第一保护层在所述衬底基板上的正投影位于所述第二保护层在所述衬底基板上的正投影之内，所述第二保护层上设置有第二过孔，第二过孔在所述衬底基板上的正投影位于所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影之内，所述第二过孔的孔壁与所述钝化层之间的距离沿所述第二过孔的径向增大。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一保护层包括：

第一环面，与所述钝化层贴合；

第二环面，与所述第一环面相对设置，且与所述第一环面连接，所述第二环面设置为向背离所述衬底基板的一面突出的圆弧面。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一保护层的材质为有机材料，所述第二保护层的材质为铟镓锌氧化物、铟锡氧化物、氧化铟锌中的一种或多种，所述平坦化层的材质为介电材料。

在本公开的一种示例性实施例中，所述平坦化层的厚度大于或等于所述保护层组的最厚处的厚度。

在本公开的一种示例性实施例中，所述显示基板还包括：

发光层，设于所述第一电极层的背离所述衬底基板的一面；

第二电极层，设于所述发光层的背离所述衬底基板的一面。

根据本公开的一个方面，提供一种显示基板的制备方法，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板之上形成薄膜晶体管；

在所述薄膜晶体管的背离所述衬底基板的一面形成钝化层，并对所述钝化层进行图案化处理以形成通孔；

在所述钝化层的背离所述衬底基板的一面形成保护层组，并对所述保护层组进行图案化处理以形成过孔，所述过孔的孔壁与所述钝化层之间的距离沿所述过孔的径向增大；

在所述保护层组的背离所述衬底基板的一面形成平坦化层，并对所述平坦化层进行图案化处理以形成第三过孔，所述第三过孔的孔壁与所述钝化层之间的距离沿所述第三过孔的径向增大，所述第三过孔在所述衬底基板上的正投影在所述过孔在所述衬底基板上的正投影之内，或所述第三过孔在所述衬底基板上的正投影与所述过孔在所述衬底基板上的正投影重合；

在所述平坦化层的背离所述衬底基板的一面形成第一电极层，所述第一电极层通过所述第三过孔、所述过孔和所述通孔与所述薄膜晶体管的源漏极连接。

在本公开的一种示例性实施例中，在所述钝化层的背离所述衬底基板的一面形成保护层组，并对所述保护层组进行图案化处理以形成过孔，包括：

在所述钝化层的背离所述衬底基板的一面形成第一保护层，并对所述第一保护层进行图案化处理以形成第一过孔，所述第一过孔的孔壁与所述钝化层之间的距离沿所述第一过孔的径向增大；

在所述第一保护层的背离所述衬底基板的一面形成第二保护层，并对所述第二保护层进行图案化处理以形成第二过孔，所述第一保护层在所述衬底基板上的正投影位于所述第二保护层在所述衬底基板上的正投影之内，第二过孔在所述衬底基板上的正投影位于所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影之内，所述第二过孔的孔壁与所述钝化层之间的距离沿所述第二过孔的径向增大。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一保护层和所述第二保护层的图案化处理为光刻，所述平坦化层的图案化处理为干刻；所述第一保护层的材质为有机材料，所述第二保护层的材质为铟镓锌氧化物、铟锡氧化物或氧化铟锌，所述平坦化层的材质为介电材料。

根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，包括上述任意一项所述的显示基板。

根据本公开的一个方面，提供一种显示装置，包括上述任意一项所述的显示面板。

由上述技术方案可知，本发明具备以下优点和积极效果中的至少之一：

本发明的显示基板，在钝化层的背离衬底基板的一面设置有保护层组，保护层组上设置有过孔，过孔的孔壁与钝化层之间的距离沿过孔的径向增大，使过孔的孔壁具有一定的斜度；在保护层组的背离衬底基板的一面设置有平坦化层，平坦化层上设置有第三过孔，第三过孔的孔壁与钝化层之间的距离沿第三过孔的径向增大，且第三过孔在衬底基板上的正投影在过孔在衬底基板上的正投影之内，或第三过孔在所述衬底基板上的正投影与过孔在所述衬底基板上的正投影重合，使第三过孔的孔壁具有一定的斜度。在形成第三过孔的过程中，由于有保护层组的保护，使平坦化层上的第三过孔的孔壁具有一定的斜度，从而避免后续的第一电极搭接存在断线或者搭接不良风险。

附图说明

通过参照附图详细描述其示例实施方式，本发明的上述和其它特征及优点将变得更加明显。

图1是本发明显示基板一示例实施方式的结构示意图；

图2是本发明显示基板的制备方法一示例实施方式的流程示意框图；

图3是图1中的显示基板形成层间介电层后的结构示意图；

图4是在图3的基础上形成通过孔后的结构示意图；

图5是在图4的基础上形成源漏极的结构示意图；

图6是在图5的基础上形成钝化层的结构示意图；

图7是在图6的基础上形成第一保护层的结构示意图；

图8是在图7的基础上形成第二保护层的结构示意图；

图9是在图8的基础上形成平坦化材料层的结构示意图；

图10是在图9的基础上形成平坦化层的结构示意图；

图11是在图10的基础上形成第一电极层的结构示意图。

图中主要元件附图标记说明如下：

1、衬底基板；2、遮光层；3、缓冲层；

41、有源层；42、栅绝缘层；43、栅极；44、层间介电层；45、源漏极；46、通过孔；

5、钝化层；

61、第一保护层；62、第二保护层；63、第一过孔；64、第二过孔；

71、平坦化材料层；72、平坦化层；73、第三过孔；

8、第一电极层；9、发光层。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。

本发明首先提供了一种显示基板，参照图1所示的本发明显示基板一示例实施方式的结构示意图；该显示基板可以包括衬底基板1、薄膜晶体管、钝化层5、保护层组以及平坦化层72；薄膜晶体管设于所述衬底基板1之上；钝化层5设于所述薄膜晶体管的背离所述衬底基板1的一面，其上设置有通孔；保护层组设于所述钝化层5的背离所述衬底基板1的一面，其上设置有过孔，所述过孔的孔壁与所述钝化层5之间的距离沿所述过孔的径向增大；平坦化层72设于所述保护层组的背离所述衬底基板1的一面，所述平坦化层72上设置有第三过孔73，所述第三过孔73在所述衬底基板1上的正投影与所述过孔在所述衬底基板1上的正投影一致。

平坦化层设置在保护层组的背离衬底基板的一面，而且第三过孔73的位置与过孔的位置一致。保护层组上的过孔的孔壁具有一定的斜度，使得在平坦化层上形成第三过孔73时，保护层组能够避免被刻蚀从而形成平坦化层的支撑，使平坦化层上的第三过孔73的孔壁也具有一定的斜度，从而避免后续的电极搭接存在断线或者搭接不良风险。

在本示例实施方式中，衬底基板1可以为玻璃基板，也可以为柔性基板。

在本示例实施方式中，在衬底基板1之上设置有遮光层2，在遮光层2的背离衬底基板1的一面设置有缓冲层3。在缓冲层3的背离衬底基板1的一面设置有薄膜晶体管，薄膜晶体管的具体结构包括：设置在缓冲层3的背离衬底基板1的一面的有源层41，在有源层41的背离衬底基板1的一面设置有栅绝缘层42，在栅绝缘层42的背离衬底基板1的一面设置有栅极43，在栅极43的背离衬底基板1的一面设置有层间介电层44，在层间介电层44上设置有通过孔46。在层间介电层44的背离衬底基板1的一面设置有源漏极45，源漏极45通过层间介电层44上的通过孔46与有源层41连接。在源漏极45的背离衬底基板1的一面设置有钝化层5。

需要说明的是，上述薄膜晶体管是顶栅型薄膜晶体管。在本发明的其他示例实施方式中，薄膜晶体管也可以是底栅型薄膜晶体管，底栅型薄膜晶体管的结构为现有技术，在此就不再赘述。

请继续参照图1所示，在钝化层5的背离衬底基板1的一面设置有第一保护层61，在第一保护层61上设置有第一过孔63，第一过孔的孔壁与钝化层之间的距离沿第一过孔的径向增大，即第一过孔的孔壁具有一定的斜度，第一过孔为喇叭口。第一保护层61的材质为有机材料，具体可以为像素界定层的材质或酚醛树脂类材料等等。第一保护层61可以包括第一环面和第二环面；第一环面与钝化层5贴合；第一环面为平面。第二环面与第一环面相对设置，且第二环面的外环边沿与第一环面的外环边沿连接，第二环面的内环边沿与第一环面的内环边沿连接；第二环面设置为向背离衬底基板1的一面突出的圆弧面。也就是说，第一保护层61的与衬底基板1垂直的截面形状为两个少半圆，两个少半圆之间的空间为形成的第一过孔63。

另外，第一保护层61的结构不限于上述描述，例如第一保护层61的与衬底基板1垂直的截面形状还可以为梯形、三角形等等，只要使形成第一过孔63的孔壁的一侧为斜边不是直角边即可。

在第一保护层61的背离衬底基板1的一面设置有第二保护层62，第二保护层62将第一保护层61完全覆盖，使第一保护层61在衬底基板1上的正投影大于第二保护层62在衬底基板1上的正投影，从而第一保护层61在衬底基板1上的正投影位于第二保护层62在衬底基板1上的正投影之内。第二保护层62上设置有第二过孔64，第二过孔的孔壁与钝化层之间的距离沿第二过孔的径向增大，即第二过孔的孔壁具有一定的斜度，第二过孔为喇叭口。由于第二保护层62的厚度基本一致，使得第二过孔的形状与第一过孔的形状基本一致。又由于第二保护层62将第一保护层61完全覆盖，而且第二保护层62是有厚度的，因此，第二过孔64的径向尺寸(圆孔时为直径)小于第一过孔63的径向尺寸(圆孔时为直径)，从而使第二过孔64在衬底基板1上的正投影位于第一过孔63在所述衬底基板1上的正投影之内。第二保护层62的材质可以为IGZO(indium gallium zinc oxide，铟镓锌氧化物)、ITO(铟锡氧化物)或IZO(氧化铟锌)等等，还可以是其中两种或多种的混合物。

另外在本发明的其他示例实施方式中，保护层组也可以仅包括一层保护层，也可以设置三层或更多层的保护层，只要保护层形成的过孔的孔壁具有较缓的坡度即可。

在本示例实施方式中，在第二保护层62的背离衬底基板1的一面设置有平坦化层72。平坦化层72的材质为介电材料。平坦化层72的厚度与保护层组最厚处的厚度相等。在本示例实施方式中，平坦化层72的厚度与第一保护层61最厚处的厚度和第二保护层62最厚处的厚度之和相等，使得涂覆平坦化层72后显示基板为一个平面。平坦化层72上设置有第三过孔73，第三过孔73在衬底基板1上的正投影与第二过孔64在所述衬底基板1上的正投影重合。当然，平坦化层72的厚度也可以大于保护层组厚度，即平坦化层72的厚度大于第一保护层61的厚度和第二保护层62的厚度之和。而且，第三过孔73在衬底基板1上的正投影也可以在第二过孔64在所述衬底基板1上的正投影之内，即第三过孔73的径向尺寸小于第二过孔64的径向尺寸。

在本示例实施方式中，在平坦化层72的背离衬底基板1的一面设置有第一电极层8，第一电极层8可以为阳极。第一电极层8通过第三过孔73、第二过孔64、第一过孔63和通孔与源漏极45连接。在第一电极层8的背离衬底基板1的一面设置有发光层9，在发光层9的背离衬底基板1的一面设置有第二电极层，第二电极层可以为阴极。

另外，需要说明的是，上述显示基板的结构是顶发射型，当然，在本发明的其他示例实施方式中，显示基板也可以是底发射型的。

进一步的，本发明还提供了一种显示基板的制备方法，参照图2所示的本发明显示基板的制备方法一示例实施方式的流程示意框图，该制备方法可以包括以下步骤：

步骤S10，提供一衬底基板1。

步骤S20，在所述衬底基板1之上形成薄膜晶体管。

步骤S30，在所述薄膜晶体管的背离所述衬底基板1的一面形成钝化层5，并对所述钝化层5进行图案化处理以形成通孔。

步骤S40，在所述钝化层5的背离所述衬底基板1的一面形成保护层组，并对所述第一保护层61进行图案化处理以形成过孔，所述过孔的孔壁与所述钝化层5之间的距离沿所述过孔的径向增大。

步骤S50，在所述第二保护层62的背离所述衬底基板1的一面形成平坦化层72，并对所述平坦化层72进行图案化处理以形成第三过孔73，所述第三过孔73的孔壁与所述钝化层5之间的距离沿所述第三过孔73的径向增大，所述第三过孔73在所述衬底基板1上的正投影在所述过孔在所述衬底基板1上的正投影之内，或所述第三过孔73在所述衬底基板1上的正投影与所述第二过孔64在所述衬底基板1上的正投影重合。

步骤S60，在所述平坦化层的背离所述衬底基板的一面形成第一电极层，所述第一电极层通过所述第三过孔73、所述过孔和所述通孔与所述薄膜晶体管的源漏极连接。

下面对显示基板的制备方法的各个步骤进行详细说明。

提供一衬底基板1，衬底基板1可以为玻璃基板，也可以为柔性基板。

参照图3所示，在衬底基板1之上形成遮光层2，在遮光层2的背离衬底基板1的一面形成缓冲层3。在缓冲层3的背离衬底基板1的一面形成有源层41，在有源层41的背离衬底基板1的一面形成栅绝缘层42，在栅绝缘层42的背离衬底基板1的一面形成栅极43，在栅极43的背离衬底基板1的一面形成层间介电层44。

参照图4所示，并对层间介电层44进行图案化处理形成通过孔46。

参照图5所示，在层间介电层44的背离衬底基板1的一面形成源漏极45，源漏极45通过层间介电层44上的通过孔46与有源层41连接。

参照图6所示，在源漏极45的背离衬底基板1的一面形成钝化层5。

参照图7所示，在钝化层5的背离衬底基板1的一面沉积第一保护材料层，并对第一保护材料层进行光刻以形成第一保护层61和第一过孔63。第一保护层61可以包括第一环面和第二环面；第一环面与钝化层5贴合；第一环面为平面。第二环面与第一环面相对设置，且第二环面与第一环面连接，第二环面设置为向背离衬底基板1的一面突出的圆弧面。也就是说，第一保护层61的与衬底基板1垂直的截面形状为两个少半圆，两个少半圆之间的空间为形成的第一过孔63。

参照图8所示，在第一保护层61的背离衬底基板1的一面沉积第二保护材料层，并对第二保护材料层进行光刻以形成第二保护层62和第二过孔64。第二保护层62将第一保护层61完全覆盖，使第一保护层61在衬底基板1上的正投影大于第二保护层62在衬底基板1上的正投影，从而第一保护层61在衬底基板1上的正投影位于第二保护层62在衬底基板1上的正投影之内。由于第二保护层62将第一保护层61完全覆盖，而且第二保护层62是有厚度的，因此，第二过孔64的直径小于第一过孔63的直径，从而使第二过孔64在衬底基板1上的正投影位于第一过孔63在所述衬底基板1上的正投影之内。第二保护层62的材质可以为IGZO(indium gallium zinc oxide，铟镓锌氧化物)、ITO(铟锡氧化物)或IZO(氧化铟锌)等等。第二保护层62能够在后续工序中平坦化层72进行干刻时对第一保护层61进行保护。

参照图9所示，在第二保护层62和钝化层5的背离衬底基板1的一面旋转涂布含有介电材料的液态溶剂，之后，再经过热处理，去除溶剂形成平坦化材料层71。平坦化材料层71的材质为介电材料(近似二氧化硅SiO2)。

参照图10所示，对涂覆平坦化材料层71进行干刻以形成平坦化层72和第三过孔73，第三过孔73在衬底基板1上的正投影与过孔在所述衬底基板1上的正投影重合。平坦化层72的厚度与保护层组最厚处的厚度相等。在本示例实施方式中，平坦化层72的厚度与第一保护层61的最厚处的厚度和第二保护层62的最厚处的厚度之和相等，使得涂覆平坦化材料层71后显示基板为一个平面。当然，平坦化层72的厚度也可以大于保护层组厚度，即平坦化层72的厚度大于第一保护层61的厚度和第二保护层62的厚度之和。而且，第三过孔73在衬底基板1上的正投影也可以在第二过孔64在所述衬底基板1上的正投影之内，即第三过孔73的径向尺寸小于第二过孔64的径向尺寸。

参照图11所示，在平坦化层72的背离衬底基板1的一面形成第一电极层8，第一电极层8可以为阳极。第一电极层8通过第三过孔73、第二过孔64、第一过孔63和通孔与源漏极45连接。参照图1所示，在第一电极层8的背离衬底基板1的一面形成发光层9，在发光层9的背离衬底基板1的一面形成第二电极层，第二电极层可以为阴极。

进一步的，本发明还提供了一种显示面板，该显示面板包括上述所述的显示基板。显示基板的具体结构上述已经进行了详细说明，因此，此处不再赘述。

与现有技术相比，本发明实施例提供的显示面板的有益效果与上述实施例提供的显示基板的有益效果相同，在此不做赘述。

进一步的，本发明还提供了一种显示装置，该显示装置包上述所述的显示面板。而该显示装置的具体类型不受特别的限制，本领域常用的显示装置类型均可，具体例如液晶显示器、OLED显示器、手机等移动装置、手表等可穿戴设备、VR装置等等，本领域技术人员可根据该显示设备的具体用途进行相应地选择，在此不再赘述。

需要说明的是，该显示装置除了显示面板以外，还包括其他必要的部件和组成，以显示器为例，具体例如外壳、电路板、电源线，等等，本领域技术人员可根据该显示装置的具体使用要求进行相应地补充，在此不再赘述。

与现有技术相比，本发明实施例提供的显示装置的有益效果与上述实施例提供的显示基板的有益效果相同，在此不做赘述。

上述所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中，如有可能，各实施例中所讨论的特征是可互换的。在上面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本发明的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本发明的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组件、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本发明的各方面。

虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。其他相对性的用语，例如“高”“低”“顶”“底”等也作具有类似含义。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。

本说明书中，用语“一个”、“一”、“该”和“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包含”、“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。

应可理解的是，本发明不将其应用限制到本说明书提出的部件的详细结构和布置方式。本发明能够具有其他实施方式，并且能够以多种方式实现并且执行。前述变形形式和修改形式落在本发明的范围内。应可理解的是，本说明书公开和限定的本发明延伸到文中和/或附图中提到或明显的两个或两个以上单独特征的所有可替代组合。所有这些不同的组合构成本发明的多个可替代方面。本说明书所述的实施方式说明了已知用于实现本发明的最佳方式，并且将使本领域技术人员能够利用本发明。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

薄膜晶体管，设于所述衬底基板之上；

钝化层，设于所述薄膜晶体管的背离所述衬底基板的一面，所述钝化层上设置有通孔；

保护层组，设于所述钝化层的背离所述衬底基板的一面，所述保护层组上设置有过孔，所述过孔的孔壁与所述钝化层之间的距离沿所述过孔的径向增大，所述保护层组包括：第一保护层，设于所述钝化层的背离所述衬底基板的一面，其上设置有第一过孔，所述第一过孔的孔壁与所述钝化层之间的距离沿所述第一过孔的径向增大；所述第一保护层包括第一环面和第二环面，所述第一环面与所述钝化层贴合；所述第二环面与所述第一环面相对设置，且与所述第一环面连接，所述第二环面设置为向背离所述衬底基板的一面突出的圆弧面；

平坦化层，设于所述保护层组的背离所述衬底基板的一面，所述平坦化层上设置有第三过孔，所述第三过孔的孔壁与所述钝化层之间的距离沿所述第三过孔的径向增大，所述第三过孔在所述衬底基板上的正投影在所述过孔在所述衬底基板上的正投影之内，或所述第三过孔在所述衬底基板上的正投影与所述过孔在所述衬底基板上的正投影重合；

第一电极层，设于所述平坦化层的背离所述衬底基板的一面，所述第一电极层通过所述第三过孔、所述过孔和所述通孔与所述薄膜晶体管的源漏极连接。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述保护层组还包括：

第二保护层，设于所述第一保护层的背离所述衬底基板的一面，所述第一保护层在所述衬底基板上的正投影位于所述第二保护层在所述衬底基板上的正投影之内，所述第二保护层上设置有第二过孔，第二过孔在所述衬底基板上的正投影位于所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影之内，所述第二过孔的孔壁与所述钝化层之间的距离沿所述第二过孔的径向增大。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一保护层的材质为有机材料，所述第二保护层的材质为铟镓锌氧化物、铟锡氧化物、氧化铟锌中的一种或多种，所述平坦化层的材质为介电材料。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述平坦化层的厚度大于或等于所述保护层组的最厚处的厚度。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：

发光层，设于所述第一电极层的背离所述衬底基板的一面；

第二电极层，设于所述发光层的背离所述衬底基板的一面。

6.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板之上形成薄膜晶体管；

在所述薄膜晶体管的背离所述衬底基板的一面形成钝化层，并对所述钝化层进行图案化处理以形成通孔；

在所述钝化层的背离所述衬底基板的一面形成保护层组，并对所述保护层组进行图案化处理以形成过孔，所述过孔的孔壁与所述钝化层之间的距离沿所述过孔的径向增大；

在所述保护层组的背离所述衬底基板的一面形成平坦化层，并对所述平坦化层进行图案化处理以形成第三过孔，所述第三过孔的孔壁与所述钝化层之间的距离沿所述第三过孔的径向增大，所述第三过孔在所述衬底基板上的正投影在所述过孔在所述衬底基板上的正投影之内，或所述第三过孔在所述衬底基板上的正投影与所述过孔在所述衬底基板上的正投影重合；

在所述平坦化层的背离所述衬底基板的一面形成第一电极层，所述第一电极层通过所述第三过孔、所述过孔和所述通孔与所述薄膜晶体管的源漏极连接；

其中，在所述钝化层的背离所述衬底基板的一面形成保护层组，并对所述保护层组进行图案化处理以形成过孔，包括：

在所述钝化层的背离所述衬底基板的一面形成第一保护层，并对所述第一保护层进行图案化处理以形成第一过孔，所述第一过孔的孔壁与所述钝化层之间的距离沿所述第一过孔的径向增大；所述第一保护层包括第一环面和第二环面，所述第一环面与所述钝化层贴合；所述第二环面与所述第一环面相对设置，且与所述第一环面连接，所述第二环面设置为向背离所述衬底基板的一面突出的圆弧面。

7.根据权利要求6所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在所述钝化层的背离所述衬底基板的一面形成保护层组，并对所述保护层组进行图案化处理以形成过孔，还包括：

在所述第一保护层的背离所述衬底基板的一面形成第二保护层，并对所述第二保护层进行图案化处理以形成第二过孔，所述第一保护层在所述衬底基板上的正投影位于所述第二保护层在所述衬底基板上的正投影之内，第二过孔在所述衬底基板上的正投影位于所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影之内，所述第二过孔的孔壁与所述钝化层之间的距离沿所述第二过孔的径向增大。

8.根据权利要求7所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述第一保护层和所述第二保护层的图案化处理为光刻，所述平坦化层的图案化处理为干刻；所述第一保护层的材质为有机材料，所述第二保护层的材质为铟镓锌氧化物、铟锡氧化物或氧化铟锌，所述平坦化层的材质为介电材料。

9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1～5任意一项所述的显示基板。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的显示面板。

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