CN111341766B - 一种mini LED主板制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种mini LED主板制作方法，包括以下步骤：S1.准备双面覆铜板；S2.钻孔；S3.镀铜；S4.填孔；S5.电路制作；S6.阻焊文字；S7.制备金属层:在双面覆铜板的LED面通过物理气相沉积方式形成金属层；S8.光刻；S9.表面处理、成型、测试。本发明PCB采用物理气相沉积（PVD）在主板LED面沉积一层超薄金属层，然后采用光刻工艺制作精细线路，实现极限能力20/20um左右线宽线距，使得LED灯节距在0.1‑0.4mm。本发明突破了mini LED显示屏目前的生产能力，达到更高的清晰度。
Description
技术领域
本发明属于PCB加工方法领域，具体涉及一种mini LED 主板制作方法。
背景技术
mini LED就是“小LED灯珠”——这个小，是和普通的LED灯泡相比的小。但是请注意，它的每一个发光单元（或者说每一个“灯泡”）都还是没有小到能当屏幕像素使用的程度，因此当我们说到“mini LED屏幕”时，这其实是个错误的表述，因为mini LED本身是不能做屏幕面板使用的，它的真正用途其实是用于液晶屏幕的背光模组。
与传统的侧面背光或者老式的直下式背光相比，mini LED的优点和缺点都非常明显。首先优点是因为每一个背光“灯泡”都更小，所以能够实现更精密的动态背光效果，在有效提高屏幕亮度和对比度的同时，还能抑制传统大灯泡动态背光在屏幕亮暗区域之间造成的眩光现象。而缺点则主要是高密度的LED背光模组所导致的高能耗、高发热、高成本，以及本质上依然还是液晶显示所导致的整块屏幕厚重问题了。
目前，主流mini LED主板均采用常规PCB的加工工艺，但是现有技术的LED 主板PCB难以做到灯间距0.6mm以下。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种mini LED 主板制作方法，本发明最外层采用PVD的方式制作，在主板LED面沉积一层精细线路，实现生产间距0.5mm以下的mini LED显示屏。
本发明突破了mini LED显示屏目前的生产能力，达到更高的清晰度。
本发明的技术方案为：
一种mini LED 主板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.准备双面覆铜板，将线路板通过内层、压合、镭射工艺，制备获得双面覆铜板；
S2.钻孔：对所述双面覆铜板进行钻孔，确保所钻的钻孔贯穿所述双面覆铜板的两层铜箔；
S3.镀铜：对所述双面覆铜板的钻孔孔壁进行镀铜，以使位于所述钻孔孔壁的镀铜层连接所述双面覆铜板两面的铜箔，以使所述双面覆铜板两面的铜箔形成电连接；
S4.填孔：用黑色树脂或黑色油墨将所述钻孔填满；
S5.电路制作：在双面覆铜板的两面分别制作正、反面电路，并在所述电路设置电路焊盘；
S6.阻焊文字制作：用黑色阻焊油墨将所述双面覆铜板的IC面涂覆，用黑色阻焊油墨将所述双面覆铜板的顶面边缘涂覆，以保护电路；在阻焊表面印文字，烘干后采用蓝胶保护文字表面；
S7.制备金属层：在双面覆铜板的LED面通过物理气相沉积方式形成金属层；
S8.光刻：采用光刻胶涂覆，光刻处理；采用光刻工艺制作精细线路，实现极限能力20/20um左右线宽线距。
S9.表面处理、成型、测试。
进一步的，所述步骤S7中，具体步骤为：采用物理气相沉积方式在所述双面覆铜板的LED面表面形成金属层；对沉积所述金属层后的所述双面覆铜板进行退火处理，得到结晶态金属氧化物薄膜。
进一步的，所述退火处理的温度为700℃-800℃，保温时间为1min-3min，退火气氛为氧气或者氧气与氮气的混合气体。
进一步的，所述退火处理中，退火气氛的气体通入流量为31标准升/分钟-45标准升/分钟。
进一步的，所述金属层的材料为Ni、Al、Ti、Mg及Ag中的任意一种。
进一步的，所述金属层的材料为Ni。
进一步的，所述金属层的厚度为1um-10um。
进一步的，步骤S9中，成型工艺包括：通过黑色树脂将异向导电胶贴附在需要贴装miniled芯片的电路焊盘；将miniled芯片转移至相应的所述电路焊盘，并将所述miniled芯片粘合在所述异向导电胶的表面；将所述miniled芯片与所述电路焊盘通过回流焊接的方式焊接在一起，回流焊接后，所述异向导电胶制作步骤所用到的黑色树脂熔化，并因表面张力包裹所述miniled芯片的侧面，而所述异向导电胶在所述miniled芯片的底部受热熔化，以将所述miniled芯片的底部焊盘与所述基板的焊盘导通焊接。
进一步的，所述miniled芯片的间距为0.1-0.4mm。
本发明PCB采用物理气相沉积（PVD）在主板LED面沉积一层超薄金属层，然后采用光刻工艺制作精细线路，实现极限能力20/20um左右线宽线距，使得LED灯间距在0.1-0.4mm。本发明突破了mini LED显示屏目前的生产能力，达到更高的清晰度。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施方式，对本发明进行进一步的详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用以解释本发明，并不限定本发明的保护范围。
实施例1
一种mini LED 主板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.准备双面覆铜板，将线路板通过内层、压合、镭射工艺，制备获得双面覆铜板；
S2.钻孔：对所述双面覆铜板进行钻孔，确保所钻的钻孔贯穿所述双面覆铜板的两层铜箔；
S3.镀铜：对所述双面覆铜板的钻孔孔壁进行镀铜，以使位于所述钻孔孔壁的镀铜层连接所述双面覆铜板两面的铜箔，以使所述双面覆铜板两面的铜箔形成电连接；
S4.填孔：用黑色树脂或黑色油墨将所述钻孔填满；
S5.电路制作：在双面覆铜板的两面分别制作正、反面电路，并在所述电路设置电路焊盘；
S6.阻焊文字制作：用黑色阻焊油墨将所述双面覆铜板的IC面涂覆，用黑色阻焊油墨将所述双面覆铜板的顶面边缘涂覆，以保护电路；在阻焊表面印文字，烘干后采用蓝胶保护文字表面；
S7.制备金属层：在双面覆铜板的LED面通过物理气相沉积方式形成金属层；
S8.光刻：采用光刻胶涂覆，光刻处理；采用光刻工艺制作精细线路，实现极限能力20/20um左右线宽线距。
S9.表面处理、成型、测试。
进一步的，所述步骤S7中，具体步骤为：采用物理气相沉积方式在所述双面覆铜板的LED面表面形成金属层；对沉积所述金属层后的所述双面覆铜板进行退火处理，得到结晶态金属氧化物薄膜。
进一步的，所述退火处理的温度为750℃，保温时间为2min，退火气氛为氧气与氮气的混合气体。
进一步的，所述退火处理中，退火气氛的气体通入流量为36标准升/分钟。
进一步的，所述金属层的材料为Ni。
进一步的，所述金属层的厚度为5um。
进一步的，步骤S9中，成型工艺包括：通过黑色树脂将异向导电胶贴附在需要贴装miniled芯片的电路焊盘；将miniled芯片转移至相应的所述电路焊盘，并将所述miniled芯片粘合在所述异向导电胶的表面；将所述miniled芯片与所述电路焊盘通过回流焊接的方式焊接在一起，回流焊接后，所述异向导电胶制作步骤所用到的黑色树脂熔化，并因表面张力包裹所述miniled芯片的侧面，而所述异向导电胶在所述miniled芯片的底部受热熔化，以将所述miniled芯片的底部焊盘与所述基板的焊盘导通焊接。
进一步的，所述miniled芯片的间距为0.1mm。
实施例2
一种mini LED 主板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.准备双面覆铜板，将线路板通过内层、压合、镭射工艺，制备获得双面覆铜板；
S2.钻孔：对所述双面覆铜板进行钻孔，确保所钻的钻孔贯穿所述双面覆铜板的两层铜箔；
S3.镀铜：对所述双面覆铜板的钻孔孔壁进行镀铜，以使位于所述钻孔孔壁的镀铜层连接所述双面覆铜板两面的铜箔，以使所述双面覆铜板两面的铜箔形成电连接；
S4.填孔：用黑色树脂或黑色油墨将所述钻孔填满；
S5.电路制作：在双面覆铜板的两面分别制作正、反面电路，并在所述电路设置电路焊盘；
S6.阻焊文字制作：用黑色阻焊油墨将所述双面覆铜板的IC面涂覆，用黑色阻焊油墨将所述双面覆铜板的顶面边缘涂覆，以保护电路；在阻焊表面印文字，烘干后采用蓝胶保护文字表面；
S7.制备金属层：在双面覆铜板的LED面通过物理气相沉积方式形成金属层；
S8.光刻：采用光刻胶涂覆，光刻处理；采用光刻工艺制作精细线路，实现极限能力20/20um左右线宽线距。
S9.表面处理、成型、测试。
进一步的，所述步骤S7中，具体步骤为：采用物理气相沉积方式在所述双面覆铜板的LED面表面形成金属层；对沉积所述金属层后的所述双面覆铜板进行退火处理，得到结晶态金属氧化物薄膜。
进一步的，所述退火处理的温度为700℃，保温时间为3min，退火气氛为氧气。
进一步的，所述退火处理中，退火气氛的气体通入流量为45标准升/分钟。
进一步的，所述金属层的材料为Al。
进一步的，所述金属层的厚度为8um。
进一步的，步骤S9中，成型工艺包括：通过黑色树脂将异向导电胶贴附在需要贴装miniled芯片的电路焊盘；将miniled芯片转移至相应的所述电路焊盘，并将所述miniled芯片粘合在所述异向导电胶的表面；将所述miniled芯片与所述电路焊盘通过回流焊接的方式焊接在一起，回流焊接后，所述异向导电胶制作步骤所用到的黑色树脂熔化，并因表面张力包裹所述miniled芯片的侧面，而所述异向导电胶在所述miniled芯片的底部受热熔化，以将所述miniled芯片的底部焊盘与所述基板的焊盘导通焊接。
进一步的，所述miniled芯片的间距为0.4mm。
实施例3
一种mini LED 主板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.准备双面覆铜板，将线路板通过内层、压合、镭射工艺，制备获得双面覆铜板；
S2.钻孔：对所述双面覆铜板进行钻孔，确保所钻的钻孔贯穿所述双面覆铜板的两层铜箔；
S3.镀铜：对所述双面覆铜板的钻孔孔壁进行镀铜，以使位于所述钻孔孔壁的镀铜层连接所述双面覆铜板两面的铜箔，以使所述双面覆铜板两面的铜箔形成电连接；
S4.填孔：用黑色树脂或黑色油墨将所述钻孔填满；
S5.电路制作：在双面覆铜板的两面分别制作正、反面电路，并在所述电路设置电路焊盘；
S6.阻焊文字制作：用黑色阻焊油墨将所述双面覆铜板的IC面涂覆，用黑色阻焊油墨将所述双面覆铜板的顶面边缘涂覆，以保护电路；在阻焊表面印文字，烘干后采用蓝胶保护文字表面；
S7.制备金属层：在双面覆铜板的LED面通过物理气相沉积方式形成金属层；
S8.光刻：采用光刻胶涂覆，光刻处理；采用光刻工艺制作精细线路，实现极限能力20/20um左右线宽线距。
S9.表面处理、成型、测试。
进一步的，所述步骤S7中，具体步骤为：采用物理气相沉积方式在所述双面覆铜板的LED面表面形成金属层；对沉积所述金属层后的所述双面覆铜板进行退火处理，得到结晶态金属氧化物薄膜。
进一步的，所述退火处理的温度为800℃，保温时间为1min，退火气氛为氧气与氮气的混合气体。
进一步的，所述退火处理中，退火气氛的气体通入流量为45标准升/分钟。
进一步的，所述金属层的材料为Ti。
进一步的，所述金属层的厚度为3um。
进一步的，步骤S9中，成型工艺包括：通过黑色树脂将异向导电胶贴附在需要贴装miniled芯片的电路焊盘；将miniled芯片转移至相应的所述电路焊盘，并将所述miniled芯片粘合在所述异向导电胶的表面；将所述miniled芯片与所述电路焊盘通过回流焊接的方式焊接在一起，回流焊接后，所述异向导电胶制作步骤所用到的黑色树脂熔化，并因表面张力包裹所述miniled芯片的侧面，而所述异向导电胶在所述miniled芯片的底部受热熔化，以将所述miniled芯片的底部焊盘与所述基板的焊盘导通焊接。
进一步的，所述miniled芯片的间距为0.2mm。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。需注意的是，本发明中所未详细描述的技术特征，均可以通过本领域任一现有技术实现。
Claims (1)
1.一种mini LED主板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.准备双面覆铜板，将线路板通过内层、压合、镭射工艺，制备获得双面覆铜板；
S2.钻孔：对所述双面覆铜板进行钻孔，确保所钻的钻孔贯穿所述双面覆铜板的两层铜箔；
S3.镀铜：对所述双面覆铜板的钻孔孔壁进行镀铜，以使位于所述钻孔孔壁的镀铜层连接所述双面覆铜板两面的铜箔，以使所述双面覆铜板两面的铜箔形成电连接；
S4.填孔：用黑色树脂或黑色油墨将所述钻孔填满；
S5.电路制作：在双面覆铜板的两面分别制作正、反面电路，并在所述电路设置电路焊盘；
S6.阻焊文字制作：用黑色阻焊油墨将所述双面覆铜板的IC面涂覆，用黑色阻焊油墨将所述双面覆铜板的顶面边缘涂覆，以保护电路；在阻焊表面印文字，烘干后采用蓝胶保护文字表面；
S7.制备金属层：在双面覆铜板的LED面通过物理气相沉积方式形成金属层；
S8.光刻：采用光刻胶涂覆，光刻处理；
S9.表面处理、成型、测试；
所述步骤S7中，具体步骤为：采用物理气相沉积方式在所述双面覆铜板的LED面表面形成金属层；对沉积所述金属层后的所述双面覆铜板进行退火处理，得到结晶态金属氧化物薄膜；
所述退火处理的温度为700℃-800℃，保温时间为1min-3min，退火气氛为氧气或者氧气与氮气的混合气体；
所述退火处理中，退火气氛的气体通入流量为31标准升/分钟-45标准升/分钟；
所述金属层的材料为Ni；
所述金属层的厚度为1um-10um；
步骤S9中，成型工艺包括：通过黑色树脂将异向导电胶贴附在需要贴装mini LED芯片的电路焊盘；将mini LED芯片转移至相应的所述电路焊盘，并将所述mini LED芯片粘合在所述异向导电胶的表面；将所述mini LED芯片与所述电路焊盘通过回流焊接的方式焊接在一起，回流焊接后，所述异向导电胶制作步骤所用到的黑色树脂熔化，并因表面张力包裹所述mini LED芯片的侧面，而所述异向导电胶在所述mini LED芯片的底部受热熔化，以将所述mini LED芯片的底部焊盘与基板的焊盘导通焊接；
所述mini LED芯片的间距为0.1-0.4mm。
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| CN112739012A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-04-30 | 惠州市盈帆实业有限公司 | 一种Mini LED板的制作方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107949164A (zh) * | 2017-11-27 | 2018-04-20 | 深圳光韵达激光应用技术有限公司 | 一种具有较高速率的电路基板线圈线路蚀刻工艺 |
| WO2018072345A1 (zh) * | 2016-10-19 | 2018-04-26 | 武汉华星光电技术有限公司 | 微发光二极管及其制造方法和显示器 |
| CN110420776A (zh) * | 2019-08-06 | 2019-11-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜组件及Mini LED背光模组的制作方法 |
| CN110620127A (zh) * | 2018-06-19 | 2019-12-27 | 青岛海信电器股份有限公司 | 一种显示装置及单色微型发光二极管的制作方法 |
| CN110635016A (zh) * | 2019-08-09 | 2019-12-31 | 惠州市志金电子科技有限公司 | 一种miniled基板封装方法 |
| CN110691470A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-01-14 | 江苏上达电子有限公司 | 一种精细线路的cof制造方法 |
| CN110767795A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-02-07 | 华引芯（武汉）科技有限公司 | 一种微型led发光器件及其制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101006357B1 (ko) * | 2008-10-21 | 2011-01-10 | 주식회사 케이엠더블유 | 멀티칩 엘이디 패키지 |
| TW201917811A (zh) * | 2017-06-26 | 2019-05-01 | 美商特索羅科學有限公司 | 發光二極體質量傳遞設備及製造方法 |
| US10937992B2 (en) * | 2017-10-30 | 2021-03-02 | Gio Optoelectronics Corp. | Light emitting device, manufacturing method thereof and display device using the same |
-
2020
- 2020-02-27 CN CN202010124562.2A patent/CN111341766B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018072345A1 (zh) * | 2016-10-19 | 2018-04-26 | 武汉华星光电技术有限公司 | 微发光二极管及其制造方法和显示器 |
| CN107949164A (zh) * | 2017-11-27 | 2018-04-20 | 深圳光韵达激光应用技术有限公司 | 一种具有较高速率的电路基板线圈线路蚀刻工艺 |
| CN110620127A (zh) * | 2018-06-19 | 2019-12-27 | 青岛海信电器股份有限公司 | 一种显示装置及单色微型发光二极管的制作方法 |
| CN110420776A (zh) * | 2019-08-06 | 2019-11-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜组件及Mini LED背光模组的制作方法 |
| CN110635016A (zh) * | 2019-08-09 | 2019-12-31 | 惠州市志金电子科技有限公司 | 一种miniled基板封装方法 |
| CN110691470A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-01-14 | 江苏上达电子有限公司 | 一种精细线路的cof制造方法 |
| CN110767795A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-02-07 | 华引芯（武汉）科技有限公司 | 一种微型led发光器件及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 片式减成法30μm/25μm(线宽/间距)COF精细线路的制作;刘尊奇;张胜涛;何为;莫芸绮;周国云;倪乾峰;金轶;何波;陈浪;王淞;林均秀;;印制电路信息(第08期);全文 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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