CN111341709B - 基片传输方法、控制模块和基片传输*** - Google Patents

基片传输方法、控制模块和基片传输*** Download PDF

Info

Publication number
CN111341709B
CN111341709B CN201811550042.7A CN201811550042A CN111341709B CN 111341709 B CN111341709 B CN 111341709B CN 201811550042 A CN201811550042 A CN 201811550042A CN 111341709 B CN111341709 B CN 111341709B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
transmission
speed
transfer
module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811550042.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111341709A (zh
Inventor
王凯
张云鹏
慕晓航
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Original Assignee
Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd filed Critical Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Priority to CN201811550042.7A priority Critical patent/CN111341709B/zh
Publication of CN111341709A publication Critical patent/CN111341709A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111341709B publication Critical patent/CN111341709B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明提供一种基片传输方法，用于依次传输多个容纳有基片的基片箱，其中，所述基片传输方法包括：以第一传输速度依次将前M个容纳有待处理基片的基片箱从承载架传递至预备区域；以第二传输速度依次将其余容纳有待处理基片的基片箱从所述承载架传递至所述预备区域；以第三传输速度依次将所述预备区域中的第1个容纳有已处理基片的基片箱至第L‑N个容纳有已处理基片的基片箱传送至所述承载架；以第四传输速度依次将所述预备区域中的后N个容纳有已处理基片的基片箱传送至所述承载架。本发明还提供一种基片传输装置的控制模块和一种基片传输***。利用所述基片传输方法可以有效提高基片传输的速率。

Description

基片传输方法、控制模块和基片传输***
技术领域
本发明涉及微电子加工领域，具体地，涉及一种基片传输方法、
一种用于基片传输装置的控制模块和一种包括该控制模块的基片传输***。
背景技术
在加工微电子产品的过程中，通常需要将基片从一个位置转移至另一个位置。例如，基片在机台内的传输过程如下：基片存储盒进入机台的转存区暂存，利用存储盒机械手将基片从基片存储盒中传输到真空准备区(load lock)，然后利用基片机械手将基片从基片存储盒内取出，并放置在石英舟上，石英舟上升进入管道中进行工艺，工艺结束后，石英舟降回原位，利用基片机械手将基片从石英舟上传输至基片存储盒内。最后，在利用存储盒机械手将基片存储盒移动至转存区存储。
为了提高基片的传输效率，可以提高基片箱机械手的运行速度。但是，实践证明，通过提高所有基片箱机械手的传输速度，整体时间仅仅缩短了19s。
因此，如何有效地提高传输效率成为本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基片传输方法、一种用于基片传输装置的控制模块和一种包括该控制模块的基片传输***。利用所述基片传输方法传输基片既可以提高基片传输的效率。
为了实现上述目的，作为本发明的一个方面，提供一种基片传输方法，用于依次传输多个容纳有基片的基片箱，其中，所述基片传输方法包括：
以第一传输速度依次将前M个容纳有待处理基片的基片箱从承载架传递至预备区域；
以第二传输速度依次将其余容纳有待处理基片的基片箱从所述承载架传递至所述预备区域；
其中，在传递过程中，一旦容纳有待处理基片的基片箱被传递至所述预备区域，将所述预备区域中的该容纳有待处理基片的基片箱中的待处理基片传输至石英舟进行处理，并将已处理基片放入所述预备区域中的空基片箱中；
以第三传输速度依次将所述预备区域中的第1个容纳有已处理基片的基片箱至第L-N个容纳有已处理基片的基片箱传送至所述承载架；
以第四传输速度依次将所述预备区域中的后N个容纳有已处理基片的基片箱传送至所述承载架，其中，
所述第一传输速度大于所述第二传输速度；和/或，所述第四传输速度大于所述第三传输速度；M和N均为正整数，且M＜L，N＜L，L为基片箱的总数。
优选地，利用基片箱传输模块传输所述基片箱时：
所述第一传输速度为所述基片箱传输模块最大传输速度的50％至80％；所述第二传输速度为所述基片箱传输模块最大传输速度的40％至50％；所述第四传输速度为所述基片箱传输模块的最大传输速度的50％至80％；所述第三传输速度为所述基片箱传输模块的最大传输速度的40％至50％。
优选地，将所述待处理基片传输至所述石英舟进行处理的步骤具体包括：依次进行的多个加速传输子阶段、平稳传输子阶段和多个减速传输子阶段，其中，
在所述多个加速传输子阶段中，第一个加速传输子阶段的加速度最小；
在所述多个减速传输子阶段中，最后一个减速传输子阶段的加速度最大。
优选地，利用基片机械手传输所述基片，在传输所述基片的过程中，检测所述基片在所述基片机械手上的位移，当当前基片在所述基片机械手上的位移超过预设阈值时，降低传输下一片基片时加速传输子阶段的加速度。
作为本发明的第二个方面，提供一种用于基片传输装置的控制模块，所述基片传输装置包括基片箱传输模块和基片传输模块，所述控制模块用于控制基片传输装置依次传输多个容纳有基片的基片箱，其特征在于，所述控制模块包括基片箱传输控制单元和基片传输控制单元，
所述基片箱传输控制单元用于控制所述基片箱传输模块以第一传输速度依次将前M个容纳有待处理基片的基片箱从承载架传递至预备区域、以第二传输速度依次将其余容纳有待处理基片的基片箱从所述承载架传递至所述预备区域、以第三传输速度依次将所述预备区域中的第1个容纳有已处理基片的基片箱至第L-N个容纳有已处理基片的基片箱传送至所述承载架、以第四传输速度依次将所述预备区域中的后N个容纳有已处理基片的基片箱传送至所述承载架；
所述基片传输控制单元用于控制基片传输模块将预备区中的容纳有待处理基片的基片箱中的待处理基片传输至石英舟进行处理，并控制所述基片传输模块将已处理基片放入所述预备区域中的空基片箱中；
其中，所述第一传输速度大于所述第二传输速度；和/或，所述第四传输速度大于所述第三传输速度；M和N均为正整数，且M＜L，N＜L，L为基片箱的总数。
优选地，所述第一传输速度为所述基片箱传输模块的最大传输速度的50％至80％；所述第二传输速度为所述基片箱传输模块的最大传输速度的40％至50％；
所述第四传输速度为所述基片箱传输模块的最大传输速度的50％至80％；所述第三传输速度为所述基片箱传输模块的最大传输速度的40％至50％。
优选地，所述基片传输控制单元用于控制所述基片传输模块在传送每片基片时按照依次进行的多个加速传输子阶段、平稳传输子阶段和多个减速传输子阶段进行传输，其中，
在所述多个加速传输子阶段中，第一个加速传输子阶段的加速度最小；
在所述多个减速传输子阶段中，最后一个减速传输子阶段的加速度最大。
优选地，所述基片传输模块包括基片机械手，所述基片传输控制单元用于在接收到当前基片在所述基片机械手上的位移超过预设阈值的触发信号时，控制所述基片传输模块降低传输下一片基片时加速传输子阶段的加速度。
作为本发明的第三个方面，提供一种基片传输***，包括基片传输装置和本发明所提供的上述控制模块，其中，所述基片传输装置包括基片箱传输模块和基片传输模块。
优选地，所述基片传输***还包括基片检测单元，所述基片检测单元包括反射式光线传感器和触发信号生成单元，所述反射式光线传感器设置在基片传输机械手上，所述触发信号单元用于接收所述反射式光线传感器的读数，且在所述反射式光线传感器的读数发生变化时生成触发信号。
在本发明所提供的基片传输方法中，传输前M个基片箱的传输速度被提高，确保第一个基片箱的传输速度被提高；和/或传输后N个基片箱的传输速度被提高，确保最后一个基片箱的传输速度被提高。由此可知，利用本发明所提供的基片传输方法可以实现整体提高基片传输效率。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是本发明所提供的基片传输方法的流程图；
图2是将基片箱从承载架上转移至准备区的示意图；
图3是将基片从准备区转移至石英舟的示意图；
图4是转移基片时，基片传输机械手的动作示意图；
图5是传输基片时的一种加速曲线；
图6是传输基片时的另一种加速曲线；
图7是本发明所提供的基片传输模块的示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
作为本发明的一个方面，提供一种基片传输方法，其中，基片传输方法用于依次传输多个容纳有基片的基片箱，如图1所示，基片传输方法都包括：
在步骤S110中，以第一传输速度依次将前M个容纳有待处理基片的基片箱从承载架传递至预备区域；
在步骤S120中，以第二传输速度依次将其余容纳有待处理基片的基片箱从承载架传递至预备区域；
其中，在传递过程中，一旦容纳有待处理基片的基片箱被传递至预备区域，将预备区域中的该容纳有待处理基片的基片箱中的待处理基片传输至石英舟进行处理，并将已处理基片放入预备区域中的空基片箱中；
在步骤S130中，以第三传输速度依次将预备区域中的第1个容纳有已处理基片的基片箱至第L-N个容纳有已处理基片的基片箱传送至承载架；
在步骤S140中，以第四传输速度依次将预备区域中的后N个容纳有已处理基片的基片箱传送至承载架。
在基片传输方法中，第一传输速度大于第二传输速度；和/或，第四传输速度大于第三传输速度；M和N均为正整数，且M＜L，N＜L，L为基片箱的总数。
需要指出的是，当将待处理的基片设置在石英舟中之后，需要将石英舟上升至工艺腔中进行工艺，工艺结束后，将石英舟降低回原位，然后再执行步骤S130。
图2中所示的是步骤S110的情景示意图。预备区域100包括两个预备子区域，即预备子区域110和预备子区域120。
将第一个容纳有待处理基片的基片箱传输至预备子区域110中之后，如图2所示，利用机械手200将承载架的第一存储腔310(该承载架包括第一存储腔310、第二存储腔320、第三存储腔330、…第N存储腔3N0)中的第一个容纳有待处理基片的基片箱中的待处理的基片传递至预备子区域110，与此同时，将第二个容纳有待处理基片的基片箱从第二存储腔320中传递至预备子区域120中。随后依次将第一个基片箱中各片待处理基片均传输到石英舟400中，如图3所示。在将第一个基片箱中的待处理基片均传输到石英舟400中之后，再将第二个基片箱中的基片传输至石英舟400中。换言之，在将转移第一个基片箱中的待处理基片时，第二个基片箱在等待。由此可知，依次将所有基片箱转移至预备区域中时，提升传输效率的关键点在于第一个基片箱的传输速度是否被提高。只要第一个基片箱的传输速度被提高了，那么，整个基片传输方法所需的时间即可被缩短。
同样地，利用机械手500将石英舟400中的基片传输到预备子区域110中的空的基片箱中之后，将该基片箱转移至承载架上。在将容纳有已处理基片的基片箱转移至承载架之后，还需要将石英舟400中的基片转移至预备子区域120中的空的基片箱中。由此可知，依次将所有基片箱转移至承载架上时，提升传输效率的关键点在于最后一个基片箱的传输速度是否被提高。只要最后一个基片箱的传输速度被提高了，那么，整个基片传输方法所需要的时间即可被缩短。
在本发明所提供的基片传输方法中，传输前M个基片箱的速度被提高(即，被提高至第一传输速度)，确保第一个基片箱的传输速度被提高；和/或传输后N个基片箱的传输速度被提高(即，被提高至第四传输速度)，确保最后一个基片箱的传输速度被提高。由此可知，利用本发明所提供的基片传输方法可以实现整体提高基片传输效率。
在本发明中，对M和N的具体数值不做特殊的限定，为了节约能耗，作为一种优选实施方式，M和N均为1。
在本发明所提供的基片传输方法中，利用基片箱传输装置传输基片箱。
相应地，第一传输速度为基片箱传输模块最大传输速度的50％至80％；第二传输速度为基片箱传输模块最大传输速度的40％至50％；第四传输速度为基片箱传输模块的最大传输速度的50％至80％；第三传输速度为基片箱传输模块的最大传输速度的40％至50％。
传输基片的步骤包括两个种情况：将待处理基片从基片箱中传输至石英舟中；将石英舟中的已处理基片传输至基片箱中。无论哪种情况，基片的移动速度均是先加速、再平稳、再减速。
如图5中所示，首先，在加速阶段t12对基片进行加速，当基片的速度达到稳定速度V0后，在稳定运行阶段t12传输基片，当基片即将被传输到目标位置(当基片为待处理的基片时，该目标位置是石英舟；当基片为已处理基片时，该目标位置是基片箱)时，进入减速阶段t13，开始对基片进行减速。
为了避免在基片传输的过程中基片从机械手上位移过大甚至脱落，优选地对于每片基片而言，将待处理基片传输至石英舟进行处理的步骤具体包括：依次进行的多个加速传输子阶段、平稳传输子阶段和多个减速传输子阶段。
其中，在多个加速传输子阶段中，第一个加速传输子阶段的加速度最小；在多个减速传输子阶段中，最后一个减速传输子阶段的加速度最大。
容易理解的是，第一个加速传输子阶段的加速度最大，也就是说，该加速传输子阶段中，基片相对较为缓慢的加速，因基片惯性导致的基片与基片传输模块之间的相对移动较小甚至没有相对移动。当基片速度提升到一定程度后，可以以较大的加速度对基片进行加速，直至加速至速度V0，将基片的速度保持在V0，继续向目标位置传输基片。即将到达目标位置时，对基片进行减速。同样地，为了防止突然减速的惯性过大，优选地，第一个减速子阶段的加速度较大(加速度为负值)，从而可以相对较为缓慢第减速。
综上，按照上述规则控制基片传输过程中的速度可以防止传输基片的过程中发生掉片现象。
作为一种具体实施方式，如图6所示，在传输每片基片时都包括三个加速传输子阶段(分别为第一个加速子阶段t21、第二个加速子阶段t22和第三个加速子阶段t23)和三个减速传输子阶段(分别为第一个减速子阶段t25、第二个减速子阶段t26和第三个减速子阶段t27)。容易理解的是，在第三个加速子阶段t23与第一个减速子阶段t25之间的阶段为匀速阶段t24。
如图所示，第二个加速传输子阶段t22的加速度大于第三个加速传输子阶段t23的加速度，并且，第二个减速传输子阶段t26的加速度小于第三个减速传输子阶段t26的加速度。
作为本发明的一种实施方式，利用基片机械手传输基片。可以利用以下指令实现图6中的速度曲线：
GET_Speed_Setup(Step1,Step2,Step3,Step4,Step5)
PUT_Speed_Setup(Step1,Step2,Step3,Step4,Step5)
GET_Acceleration_Step1(a1,a2,a3)
GET_Acceleration_Step2(a1,a2,a3)
GET_Acceleration_Step3(a1,a2,a3)
GET_Acceleration_Step4(a1,a2,a3)
GET_Acceleration_Step5(a1,a2,a3)
PUT_Acceleration_Step1(a1,a2,a3)
PUT_Acceleration_Step2(a1,a2,a3)
PUT_Acceleration_Step3(a1,a2,a3)
PUT_Acceleration_Step4(a1,a2,a3)
PUT_Acceleration_Step5(a1,a2,a3)
其中，函数Acceleration中的设定的参数a1、a2、a3分别代表速度曲线中的三个加速子阶段，以及速度曲线中的三个减速子阶段。函数Speed中设定的参数Step1、Step2、Step3、Step4、Step5分别代表各Step的速度设定百分比。
其中，Step1为Z轴运动到目标高度时的速度设定百分比，Step2为θ轴旋转到目标方向时的速度设定百分比，Step3为R轴伸出到目标位置时的速度设定百分比，Step4为Z轴上抬时的速度设定百分比，Step5为手臂回缩时的速度设定百分比。
在传输基片的过程中，检测基片在基片机械手上的位移，当当前基片在基片机械手上的位移超过预设阈值时，降低传输下一片基片时加速传输子阶段的加速度。
通过利用专用设备对基片表面的划痕和颗粒进行检测可以间接判断基片是否在运输基片的基片机械手上发生过大滑动，如果发生了较大滑动，说明基片机械手的运行速度过快，需要降低机械手的运行速度。
作为一种优选的实施方式，本发明提供一种快速的粗测基片是否在机械手上发生滑动的方法。
具体地，在基片机械手上设置两个反射式光纤传感器，当反射式光线传感器的输出值发生变化时，表明基片在传输过程中发生的滑移，此时可以降低基片机械手的运行速度。
图4中所示的是基片机械手在传递基片时的示意图。在传递基片时，基片机械手的叉部(fork)移动至基片下方，然后基片机械手的Z轴升起，θ轴旋转，使得基片朝向目标位置，随后R轴伸长，使得基片到达目标位置上方，随后Z轴下降，将基片设置在目标位置。相应地，基片机械手上有片时Z轴升降速度小于Z轴最大速度时的38％，θ轴旋转速度小于θ轴最大旋转速度的30％，R轴伸缩速度小于R轴最大伸缩速度的30％，加减速小于最大加减速的50％时，Wafer无滑移。所以通过测试数据进行如下优化设定：
GET_Speed_Setup(70％,70％,50％,35％，30％)
PUT_Speed_Setup(35％,30％,30％,35％，70％)
GET_Acceleration_Step1(30％，80％,30％)
GET_Acceleration_Step2(25％,50％,25％)
GET_Acceleration_Step3(30％,80％,30％)
GET_Acceleration_Step4(20％，30％,20％)
GET_Acceleration_Step5(20％，30％,20％)
PUT_Acceleration_Step1(20％，30％,20％)
PUT_Acceleration_Step2(20％，30％,20％)
PUT_Acceleration_Step3(20％，30％,20％)
PUT_Acceleration_Step4(20％，30％,20％)
PUT_Acceleration_Step5(20％，50％,20％)。
作为本发明的第二个方面，提供一种用于基片传输装置的控制模块，基片传输装置包括基片箱传输模块730和基片传输模块740，控制模块用于控制基片箱传输装置依次传输多个容纳有基片的基片箱，如图7所示，其中，控制模块包括基片箱传输控制单元710和基片传输控制单元720。
基片箱传输控制单元710用于控制基片箱传输模块730以以第一传输速度依次将前M个容纳有待处理基片的基片箱从承载架传递至预备区域、以第二传输速度依次将其余容纳有待处理基片的基片箱从承载架传递至预备区域、以第三传输速度依次将预备区域中的第1个容纳有已处理基片的基片箱至第L-N个容纳有已处理基片的基片箱传送至承载架、以第四传输速度依次将预备区域中的后N个容纳有已处理基片的基片箱传送至承载架。
基片传输控制单元720用于控制基片传输模块740将预备区中的容纳有待处理基片的基片箱中的待处理基片传输至石英舟进行处理，并控制基片传输模块将已处理基片放入预备区域中的空基片箱中。
其中，第一传输速度大于第二传输速度；和/或，第四传输速度大于第三传输速度；M和N均为正整数，且M＜L，N＜L，L为基片箱的总数。
本发明所提供的控制方法用于控制基片箱传输模块730和基片传输模块740执行本发明所提供的上述基片传输方法，上文中已经详细描述了基片传输方法的工作原理和有益效果，这里不再赘述。
优选地，如上文中，第一传输速度为基片箱传输模块的最大传输速度的50％至80％；第二传输速度为基片箱传输模块的最大传输速度的40％至50％；第四传输速度为基片箱传输模块的最大传输速度的50％至80％；第三传输速度为基片箱传输模块的最大传输速度的40％至50％。
基片箱传输模块710还设置为控制基片箱传输模块730在传输后N个容纳有已处理基片的基片箱时，第二传输速度为基片箱传输模块最大传输速度的50％至80％，在传输其余容纳有已处理基片的基片箱时，第二传输速度为基片箱传输装置730最大传输速度的40％至50％。
优选地，基片传输控制单元720用于控制基片传输模块740在传送每片基片时按照依次进行的多个加速传输子阶段、平稳传输子阶段和多个减速传输子阶段进行传输。
其中，在多个加速传输子阶段中，第一个加速传输子阶段的加速度最小，在多个减速传输子阶段中，最后一个减速传输子阶段的加速度最大。
优选地，基片传输控制单元用于控制基片传输模块在传送每片基片时按照依次进行的三个加速传输子阶段、平稳传输子阶段和三个减速传输子阶段进行传输。
其中，第二个加速传输子阶段的加速度大于第三个加速传输子阶段的加速度，第二个减速传输子阶段的加速度小于第三个减速传输子阶段的加速度。
优选地，基片传输模块包括基片机械手，基片传输控制单元用于在接收到当前基片在基片机械手上的位移超过预设阈值的触发信号时，控制基片传输模块降低传输下一片基片时加速传输子阶段的加速度。
作为本发明的第三个方面，提供一种基片传输***，如图7所示，基片传输***包括基片传输装置和本发明所提供的上述控制模块，其中，基片传输装置包括基片箱传输装置730和基片传输模块740。
优选地，基片传输***还包括基片检测单元750(具体地，基片检测单元750为基片传输装置的一部分)，该基片检测单元730包括反射式光线传感器和触发信号生成单元，反射式光线传感器设置在基片传输机械手上，触发信号单元用于接收反射式光线传感器的读数，且在反射式光线传感器的读数发生变化时生成触发信号。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种基片传输方法，用于依次传输多个容纳有基片的基片箱，其特征在于，所述基片传输方法包括：
以第一传输速度依次将前M个容纳有待处理基片的基片箱从承载架传递至预备区域；
以第二传输速度依次将其余容纳有待处理基片的基片箱从所述承载架传递至所述预备区域；
其中，在传递过程中，一旦容纳有待处理基片的基片箱被传递至所述预备区域，将所述预备区域中的该容纳有待处理基片的基片箱中的待处理基片传输至石英舟进行处理，并将已处理基片放入所述预备区域中的空基片箱中；
以第三传输速度依次将所述预备区域中的第1个容纳有已处理基片的基片箱至第L-N个容纳有已处理基片的基片箱传送至所述承载架；
以第四传输速度依次将所述预备区域中的后N个容纳有已处理基片的基片箱传送至所述承载架，其中，
所述第一传输速度大于所述第二传输速度；和/或，所述第四传输速度大于所述第三传输速度；M和N均为正整数，且M＜L，N＜L，L为基片箱的总数。
2.根据权利要求1所述的基片传输方法，其特征在于，利用基片箱传输模块传输所述基片箱时：
所述第一传输速度为所述基片箱传输模块最大传输速度的50％至80％；所述第二传输速度为所述基片箱传输模块最大传输速度的40％至50％；所述第四传输速度为所述基片箱传输模块的最大传输速度的50％至80％；所述第三传输速度为所述基片箱传输模块的最大传输速度的40％至50％。
3.根据权利要求1或2所述的基片传输方法，其特征在于，将所述待处理基片传输至所述石英舟进行处理的步骤具体包括：依次进行的多个加速传输子阶段、平稳传输子阶段和多个减速传输子阶段，其中，
在所述多个加速传输子阶段中，第一个加速传输子阶段的加速度最小；
在所述多个减速传输子阶段中，最后一个减速传输子阶段的加速度最大。
4.根据权利要求3所述的基片传输方法，其特征在于，利用基片机械手传输所述基片，在传输所述基片的过程中，检测所述基片在所述基片机械手上的位移，当当前基片在所述基片机械手上的位移超过预设阈值时，降低传输下一片基片时加速传输子阶段的加速度。
5.一种用于基片传输装置的控制模块，所述基片传输装置包括基片箱传输模块和基片传输模块，所述控制模块用于控制基片传输装置依次传输多个容纳有基片的基片箱，其特征在于，所述控制模块包括基片箱传输控制单元和基片传输控制单元，
所述基片箱传输控制单元用于控制所述基片箱传输模块以第一传输速度依次将前M个容纳有待处理基片的基片箱从承载架传递至预备区域、以第二传输速度依次将其余容纳有待处理基片的基片箱从所述承载架传递至所述预备区域、以第三传输速度依次将所述预备区域中的第1个容纳有已处理基片的基片箱至第L-N个容纳有已处理基片的基片箱传送至所述承载架、以第四传输速度依次将所述预备区域中的后N个容纳有已处理基片的基片箱传送至所述承载架；
所述基片传输控制单元用于控制基片传输模块将预备区中的容纳有待处理基片的基片箱中的待处理基片传输至石英舟进行处理，并控制所述基片传输模块将已处理基片放入所述预备区域中的空基片箱中；
其中，所述第一传输速度大于所述第二传输速度；和/或，所述第四传输速度大于所述第三传输速度；M和N均为正整数，且M＜L，N＜L，L为基片箱的总数。
6.根据权利要求5所述的控制模块，其特征在于，所述第一传输速度为所述基片箱传输模块的最大传输速度的50％至80％；所述第二传输速度为所述基片箱传输模块的最大传输速度的40％至50％；
所述第四传输速度为所述基片箱传输模块的最大传输速度的50％至80％；所述第三传输速度为所述基片箱传输模块的最大传输速度的40％至50％。
7.根据权利要求6所述的控制模块，其特征在于，所述基片传输控制单元用于控制所述基片传输模块在传送每片基片时按照依次进行的多个加速传输子阶段、平稳传输子阶段和多个减速传输子阶段进行传输，其中，
在所述多个加速传输子阶段中，第一个加速传输子阶段的加速度最小；
在所述多个减速传输子阶段中，最后一个减速传输子阶段的加速度最大。
8.根据权利要求7所述的控制模块，其特征在于，所述基片传输模块包括基片机械手，所述基片传输控制单元用于在接收到当前基片在所述基片机械手上的位移超过预设阈值的触发信号时，控制所述基片传输模块降低传输下一片基片时加速传输子阶段的加速度。
9.一种基片传输***，其特征在于，包括基片传输装置和权利要求5至8中任意一项所述的控制模块，其中，所述基片传输装置包括基片箱传输模块和基片传输模块。
10.根据权利要求9所述的基片传输***，其特征在于，所述控制模块为权利要求8所述的控制模块，所述基片传输***还包括基片检测单元，所述基片检测单元包括反射式光线传感器和触发信号生成单元，所述反射式光线传感器设置在基片传输机械手上，所述触发信号单元用于接收所述反射式光线传感器的读数，且在所述反射式光线传感器的读数发生变化时生成触发信号。
CN201811550042.7A 2018-12-18 2018-12-18 基片传输方法、控制模块和基片传输*** Active CN111341709B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811550042.7A CN111341709B (zh) 2018-12-18 2018-12-18 基片传输方法、控制模块和基片传输***

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811550042.7A CN111341709B (zh) 2018-12-18 2018-12-18 基片传输方法、控制模块和基片传输***

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111341709A CN111341709A (zh) 2020-06-26
CN111341709B true CN111341709B (zh) 2022-10-21

Family

ID=71181340

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811550042.7A Active CN111341709B (zh) 2018-12-18 2018-12-18 基片传输方法、控制模块和基片传输***

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111341709B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0655471A (ja) * 1992-07-31 1994-03-01 Sony Corp ワーク移載ロボットの動作制御方法
CN101533795A (zh) * 2008-03-12 2009-09-16 大日本网屏制造株式会社 基板搬运装置及基板处理装置
CN102138209A (zh) * 2008-08-28 2011-07-27 细美事有限公司 调节传送构件的速度的方法、使用该方法传送基板的方法以及基板处理设备
KR20140003770A (ko) * 2012-06-28 2014-01-10 주식회사 원익아이피에스 버퍼 챔버 및 이를 이용한 대상물의 이송 방법
CN106444645A (zh) * 2016-08-17 2017-02-22 义乌朝晖智能科技有限公司 一种基于嵌入式裁床控制器的多轴联动运动控制方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0655471A (ja) * 1992-07-31 1994-03-01 Sony Corp ワーク移載ロボットの動作制御方法
CN101533795A (zh) * 2008-03-12 2009-09-16 大日本网屏制造株式会社 基板搬运装置及基板处理装置
CN102138209A (zh) * 2008-08-28 2011-07-27 细美事有限公司 调节传送构件的速度的方法、使用该方法传送基板的方法以及基板处理设备
KR20140003770A (ko) * 2012-06-28 2014-01-10 주식회사 원익아이피에스 버퍼 챔버 및 이를 이용한 대상물의 이송 방법
CN106444645A (zh) * 2016-08-17 2017-02-22 义乌朝晖智能科技有限公司 一种基于嵌入式裁床控制器的多轴联动运动控制方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111341709A (zh) 2020-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101666227B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
KR101423377B1 (ko) 제어 장치, 기판 처리 방법, 기판 처리 시스템, 기판 처리 시스템의 운용 방법, 로드 포트 제어 장치 및 그것을 구비한 기판 처리 시스템
JP2008222346A (ja) 懸垂式軌道搬送台車及び搬送システム
CN110690139B (zh) 基板处理***、基板搬送方法以及存储介质
JP2009507743A (ja) バンド間搬送モジュール用の方法及び装置
JP2011140366A (ja) 搬送車システム
JP5689096B2 (ja) 基板搬送装置及び基板搬送方法並びに基板搬送用記憶媒体
KR101752507B1 (ko) 기판 반송 장치, 기판 반송 방법 및 기억 매체
CN103101704A (zh) 自动派工方法
CN111341709B (zh) 基片传输方法、控制模块和基片传输***
JP2001196439A (ja) 製品の製造管理方法及び製造管理システム
JP2005052919A (ja) ワーク搬送装置の加速度制御方法
US10571927B2 (en) Transport system and transport method
US8831765B2 (en) Method for operating an automatic handling system applied to many wafer processing apparatuses
US8118535B2 (en) Pod swapping internal to tool run time
TWI483336B (zh) Processing device
KR20080023849A (ko) 웨이퍼 이송 로봇을 구비하는 반도체 제조 설비 및 그의제어 방법
KR102198732B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록매체
TW201422501A (zh) 晶圓承載裝置及其應用
US9145271B2 (en) Optimization of conveyor belts used for workpiece processing
KR101992825B1 (ko) 기판 처리 장치의 에이징 기판 교체 방법
JP4278460B2 (ja) ワーク搬送システムの制御方法
KR100517913B1 (ko) 웨이퍼 카세트의 자동 반송시스템 및 방법
CN112744586B (zh) 一种玻璃基板的搬运控制方法及控制***
KR102239000B1 (ko) 호이스트 모듈의 구동 방법 및 이를 수행하기 위한 호이스트 구동 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant