CN111308819A - 阵列基板及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种阵列基板及显示面板，该阵列基板包括数据线、薄膜晶体管、源极走线和扫描线，薄膜晶体管包括栅极和源极；源极走线的一端电性连接于源极，源极走线的另一端电性连接于数据线，源极走线包括一预设断开部，预设断开部用于被切割以断开源极和数据线；扫描线与数据线交叉设置，扫描线与预设断开部之间具有第一预设距离，第一预设距离用于在进行修补时防止扫描线和数据线短接。本申请解决了暗点化修补时产生的十字线不良问题，提升了产品良率。

Description

阵列基板及显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
在阵列基板的生产过程中，受生产工艺及外部环境的影响，薄膜晶体管中会存在一些金属碎屑或异物等残留物，导致受该薄膜晶体管驱动的像素在显示时成为亮点，进而使得显示面板的画面显示异常。因此，通常需要对显示异常的像素进行暗点化修补，以改善显示面板的显示质量。
由于薄膜晶体管的源极通过源极走线电性连接于数据线，在暗点化修补时，通常需要对源极走线进行切割，以断开源极与数据线的电性连接。然而，当采用激光切割工艺对源极走线进行切割时，由于源极走线与扫描线之间的线距较窄，导致切割后的扫描线与数据线发生短接，进而产生十字线不良问题，降低了产品良率。
发明内容
本申请提供一种阵列基板及显示面板，以解决暗点化修补时产生的十字线不良问题，提升了产品良率。
本申请提供一种阵列基板，其包括：
数据线；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极和源极；
源极走线，所述源极走线的一端电性连接于所述源极，所述源极走线的另一端电性连接于所述数据线，所述源极走线包括一预设断开部，所述预设断开部用于被切割以断开所述源极和所述数据线；以及
扫描线，所述扫描线与所述数据线交叉设置，所述扫描线与所述预设断开部之间具有第一预设距离，所述第一预设距离用于在进行修补时防止所述扫描线和所述数据线短接。
在本申请所述的阵列基板中，所述阵列基板还包括公共线，所述公共线与所述扫描线平行设置且位于所述源极走线远离所述扫描线的一侧；
所述公共线与所述预设断开部之间具有第二预设距离，所述第二预设距离用于在进行修补时防止所述公共线和所述数据线短接。
在本申请所述的阵列基板中，所述预设断开部位于所述源极走线靠近所述数据线的一侧。
在本申请所述的阵列基板中，所述扫描线包括连接部和弯折部，所述连接部与所述栅极电性连接，所述弯折部连接于所述连接部靠近所述数据线的一侧；
所述弯折部与所述预设断开部之间具有所述第一预设距离。
在本申请所述的阵列基板中，所述弯折部包括一倾斜段和连接于所述倾斜段的水平段，所述倾斜段包括第一端和第二端，所述第一端连接于所述连接部，所述第二端连接于所述水平段；
其中，自所述第一端至所述第二端，所述倾斜段到所述预设断开部的距离递增，所述水平段到所述预设断开部的距离为所述第一预设距离。
在本申请所述的阵列基板中，所述公共线上设置有一凹槽，所述凹槽位于所述公共线靠近所述数据线的一侧；
所述凹槽的底面与所述预设断开部之间具有所述第二预设距离。
在本申请所述的阵列基板中，所述第一预设距离和所述第二预设距离均大于或等于6微米。
在本申请所述的阵列基板中，所述扫描线和所述公共线同层设置。
在本申请所述的阵列基板中，所述阵列基板还包括多个阵列排布的像素电极；
所述薄膜晶体管包括漏极，每一所述漏极一一对应电性连接于一所述像素电极。
本申请还提供一种显示面板，其包括上述的阵列基板。
相较于现有技术中的阵列基板，本申请提供的阵列基板通过在扫描线和源极走线的预设断开部之间设定一预设距离，增加了扫描线和预设断开部之间的空间，进而在暗点化修补过程中对预设断开部进行切割时，避免了扫描线和数据线发生短接，改善了十字线不良问题，提升了产品良率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图2是本申请实施例提供的阵列基板中子像素的结构示意图；
图3是本申请实施例提供的阵列基板的局部结构示意图；
图4是图3中的局部放大结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
需要说明的是，本申请中的阵列基板包括多个阵列排布的子像素，每一子像素均包括像素电极和薄膜晶体管等结构，本申请以下实施例仅以一个子像素为例进行说明，但并不限于此。
另外，本申请附图中子像素的结构仅为示例，用于方便描述本申请以下各实施例，但并不能理解为对本申请的限制。
可以理解的是，本申请中的子像素结构可以为由三个薄膜晶体管驱动的八畴像素结构，也可以为由一个薄膜晶体管驱动的四畴像素结构，或者，还可以为其他像素结构。本申请实施例仅以由三个薄膜晶体管驱动的八畴像素结构为例进行说明，但并不限于此。
请参阅图1至图3。本申请实施例提供的阵列基板100包括数据线10、薄膜晶体管11、源极走线12、扫描线13和公共线14。薄膜晶体管11包括栅极11A和源极11B。源极走线12的一端电性连接于源极11B。源极走线12的另一端电性连接于数据线10。源极走线12包括一预设断开部121。预设断开部121用于被切割以断开源极11B和数据线10。扫描线13与数据线10交叉设置。扫描线13与预设断开部121之间具有第一预设距离13a。第一预设距离13a用于在进行修补时防止扫描线13和数据线10短接。
由此，本申请实施例提供的阵列基板100通过在扫描线13和源极走线12的预设断开部121之间设定第一预设距离13a，增加了扫描线13和预设断开部121之间的空间，进而在暗点化修补过程中对预设断开部121进行切割时，避免了扫描线13和数据线10发生短接，改善了十字线不良问题，提升了产品良率。
需要说明的是，本申请中的子像素100a包括三个薄膜晶体管，本实施例中的薄膜晶体管11仅为其中一个薄膜晶体管，另外两个薄膜晶体管(图中未标识)的结构可以参照现有技术，在此不再赘述。
在本申请实施例中，预设断开部121位于源极走线12靠近数据线10的一侧。预设断开部121的具***置也可以根据实际工艺情况进行设定，本申请对此不作限定。
另外，本实施例中预设断开部121的大小仅为示例，用以方便描述本申请实施例，但不能理解为对本申请的限制。
进一步的，在本申请实施例中，公共线14与扫描线13平行设置且位于源极走线121远离扫描线13的一侧。公共线14与预设断开部121之间具有第二预设距离14a。第二预设距离14a用于在进行修补时防止公共线14和数据线10短接。
上述设置通过在公共线14和源极走线12的预设断开部121之间设定第二预设距离14a，增加了公共线14和预设断开部121之间的空间，进而在暗点化修补过程中对预设断开部121进行切割时，避免了公共线14和数据线10发生短接，进一步改善了十字线不良问题，提升了产品良率。
在本申请实施例中，第一预设距离13a和第二预设距离14a均大于或等于6微米。该设置可以保证预设断开部121在激光切割时分别与扫描线13和公共线14之间具有足够的安全距离，进而防止激光切割对线路产生不良影响，避免了扫描线13和公共线14分别与数据线10发生短接，有效提升了产品良率。
需要说明的是，在本申请中，第一预设距离13a和第二预设距离14a可以相等，也可以不相等，且第一预设距离13a和第二预设距离14a的具体大小根据实际情况进行设定，本申请对此不作限定。
请一并参阅图3和图4。其中，图4为图3中的局部放大结构示意图。
在本申请实施例中，扫描线13包括连接部131和弯折部132。连接部131与栅极11A电性连接。弯折部132连接于连接部131靠近数据线10的一侧。弯折部132与预设断开部121之间具有第一预设距离13a。
当采用激光切割工艺对预设断开部121进行切割时，通过在弯折部132和预设断开部121之间设定第一预设距离13a，使得扫描线13对应于预设断开部121的部分与预设断开部121之间的空间变大，进而在切割时能够保证足够的切割空间，避免切割后剩余的源极走线12部分与扫描线13短接，从而消除了扫描线13和数据线10之间的短接风险。
可以理解的是，在远离数据线10的一侧，扫描线13还包括另一倾斜段和连接于该另一倾斜段的另一连接部(图中未标识)，该另一倾斜段与倾斜段1321对应设置，该另一连接部与连接部131对应设置。上述设置可以避免扫描线13与周侧的线路相接触，进而降低扫描线13与周侧线路之间的短接风险。
需要说明的是，本申请中扫描线周侧线路的具体结构可以参照现有技术，在此不再赘述。
进一步的，弯折部132包括一倾斜段1321和连接于倾斜段1321的水平段1322。倾斜段1321包括第一端132A和第二端132B。第一端132A连接于连接部131。第二端132B连接于水平段1322。其中，自第一端132A至第二端132B，倾斜段1321到预设断开部121的距离递增，水平段1322到预设断开部121的距离为第一预设距离13a。
具体的，在垂直方向上，由于倾斜段1321位于预设断开部121的外侧，因此，在沿靠近预设断开部121的水平方向上，上述设置通过使倾斜段1321到预设断开部121的垂直距离逐渐增加，进而在预设断开部121的外侧预留了一缓冲空间。在该缓冲空间内，使得扫描线13与源极走线12之间的预设距离逐渐增大，该设置不仅可以有效降低因激光切割发生偏移而导致的线路短接风险，还能够保证预设断开部121周侧线路之间的顺利导通。
需要说明的是，本申请对弯折部132的结构不作具体限定，只要保证水平段1322与预设断开部121之间具有第一预设距离13a，均在本申请的保护范围内。
在本申请实施例中，公共线14上设置有一凹槽141。凹槽141位于公共线14靠近数据线10的一侧。凹槽141的底面与预设断开部121之间具有第二预设距离14a。
上述设置通过在公共线14上设置一凹槽141，使得公共线14对应于预设断开部121的部分与预设断开部121之间的空间变大，进而在切割时能够保证足够的切割空间，避免切割后剩余的源极走线12部分与公共线14短接，从而消除了公共线14和数据线10之间的短接风险。
需要说明的是，本申请对凹槽141的截面形状不作具体限制，只要保证凹槽141的底面与预设断开部121之间具有第二预设距离14a，均在本申请的保护范围内。
在本申请实施例中，扫描线13和公共线14同层设置。在一些实施例中，扫描线13和公共线14也可以为异层设置，在此不再赘述。
可以理解的是，阵列基板100还包括多个阵列排布的像素电极15。薄膜晶体管11包括漏极11C。每一漏极11C一一对应电性连接于一像素电极15。另外，本申请中阵列基板100的具体膜层结构可以参照现有技术，在此不再赘述。
本申请实施例提供的阵列基板100通过在扫描线13和源极走线12的预设断开部121之间设定第一预设距离13a，在公共线14和源极走线12的预设断开部121之间设定第二预设距离14a，增加了扫描线13和预设断开部121之间，以及公共线14和预设断开部121之间的空间，进而在暗点化修补过程中对预设断开部121进行切割时，避免了扫描线13和公共线14分别与数据线10发生短接，有效解决了十字线不良问题，提升了产品良率。
本申请还提供一种显示面板，该显示面板包括阵列基板100，该阵列基板100为本申请上述实施例中的阵列基板100。其中，阵列基板100的具体结构可参见前述实施例的描述，在此不再赘述。
相较于现有技术中的阵列基板，本申请提供的阵列基板通过在扫描线和源极走线的预设断开部之间设定第一预设距离，增加了扫描线和预设切割部之间的空间，进而在暗点化修补过程中对预设切割部进行切割时，避免了扫描线和数据线发生短接，改善了十字线不良问题，提升了产品良率。
以上对本申请实施方式提供了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
数据线；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极和源极；
源极走线，所述源极走线的一端电性连接于所述源极，所述源极走线的另一端电性连接于所述数据线，所述源极走线包括一预设断开部，所述预设断开部用于被切割以断开所述源极和所述数据线；以及
扫描线，所述扫描线与所述数据线交叉设置，所述扫描线与所述预设断开部之间具有第一预设距离，所述第一预设距离用于在进行修补时防止所述扫描线和所述数据线短接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括公共线，所述公共线与所述扫描线平行设置且位于所述源极走线远离所述扫描线的一侧；
所述公共线与所述预设断开部之间具有第二预设距离，所述第二预设距离用于在进行修补时防止所述公共线和所述数据线短接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述预设断开部位于所述源极走线靠近所述数据线的一侧。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述扫描线包括连接部和弯折部，所述连接部与所述栅极电性连接，所述弯折部连接于所述连接部靠近所述数据线的一侧；
所述弯折部与所述预设断开部之间具有所述第一预设距离。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述弯折部包括一倾斜段和连接于所述倾斜段的水平段，所述倾斜段包括第一端和第二端，所述第一端连接于所述连接部，所述第二端连接于所述水平段；
其中，自所述第一端至所述第二端，所述倾斜段到所述预设断开部的距离递增，所述水平段到所述预设断开部的距离为所述第一预设距离。
6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述公共线上设置有一凹槽，所述凹槽位于所述公共线靠近所述数据线的一侧；
所述凹槽的底面与所述预设断开部之间具有所述第二预设距离。
7.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一预设距离和所述第二预设距离均大于或等于6微米。
8.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述扫描线和所述公共线同层设置。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括多个阵列排布的像素电极；
所述薄膜晶体管包括漏极，每一所述漏极一一对应电性连接于一所述像素电极。
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的阵列基板。
CN202010157257.3A 2020-03-09 2020-03-09 阵列基板及显示面板 Pending CN111308819A (zh)

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