CN111257327A - 图形缺陷检测方法及检测*** - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用于集成电路版图的图形缺陷检测方法，包括获取每个产品的每层光罩的设计图形数据；在缺陷扫描时，将扫描图像图形数据与设计图形数据实时对比；若某晶粒出现预设图形缺陷，则以该晶粒为中心按预设规则拍摄与该晶粒相邻的多个晶粒目标图形图像；将所述多个晶粒目标图形作为图形异常点图像。本发明公开了一种用于集成电路版图图形缺陷检测图形缺陷检测***。本发明能快速、准确、自动检测集成电路版图图形缺陷异常点能提高异常点检测效率，进而提高生产效率。

Description

图形缺陷检测方法及检测***
技术领域
本发明涉及集成电路领域，特别是涉及一种集成电路生产中用于监控版图图形缺陷的图形缺陷检测方法。本发明还还涉及一种集成电路生产中用于监控版图图形缺陷的图形缺陷检测***。
背景技术
在大型集成电路晶圆生产过程中，随着产品的多元化，每个产品都需要有站点去监控缺陷状况，以防止因扫描站点的缺失导致大量晶圆遭受相同缺陷，从而导致产品良率的下降。随着晶体管几何尺寸的降低，缺陷造成的良率损失率不断上升，且对良率有影响的缺陷尺寸越来越小，因此对光学扫描程式和电子束扫描程式的精度要求也越来越高。
常用的图形检测缺陷的流程是，先用光学扫描机台将异常点抽取sampling出来，常用的光学扫描手段有亮场和暗场扫描，然后再经过电子束扫描机台观察抽取sampling出来的缺陷形貌；现有图形检测缺陷方案针对微粒particle、图形缺失或增加这类缺陷电子扫描机台比较容易分辨，但针对图形偏移pattern shift或者图像缩小shrink缺陷，光学扫描机台虽然很容易抽取sampling出来。可是在电子束扫描时很难区分出异常点，参考图1-图4所示，很容易会被误认为是前层或者干扰信号，只有通过人为进行左右对比拍摄或者等良率的图像map反馈，发现有跟亮场或者暗场扫描相同图像map，才能发现此类缺陷。由于不能第一时间发现问题，所以无法减少缺陷对于产品的影响。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
本发明要解决的技术问题是提供一种能快速、准确、自动检测集成电路版图图形缺陷异常点的图形缺陷检测方法。
本发明要解决的另一技术问题是提供一种能快速、准确、自动检测集成电路版图图形缺陷异常点的图形缺陷检测方法。
为解决上述技术问题，本发明提供的用于集成电路版图图形缺陷检测的图形缺陷检测方法，包括以下步骤：
S1，获取每个产品的每层光罩的设计图形数据；
可选择的，设计图形数据采用集成电路版图设计中最常用的图形数据描述语言文件格式gds文件或tdb文件；
S2，在缺陷扫描时，将扫描图像图形数据与设计图形数据实时对比；
可选择的，实时数据对比可通过电子扫描机台利用软件编程(例如，脚本文件)实现；
S3，若某晶粒出现预设图形缺陷，则以该晶粒为中心按预设规则拍摄与该晶粒相邻的多个晶粒目标图形图像；
可选择的，所述预设图形缺陷包括但不限于是图形偏移和或图形缩小。
S4，将所述多个晶粒目标图形作为图形异常点图像。
可选择的，所述预设规则包括；
当目标晶粒图形与标准晶粒图形尺寸相差大于10％时，以目标晶粒为中心上下左右每隔10个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取五次图像；
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差为5-10％时，以目标晶粒为中心，上下左右每隔8个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取五次图像；
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差2-5％时，以目标晶粒为中心，上下左右每隔5个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取五次图像；
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差1-2％时，以目标晶粒为中心，上下左右每隔3个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取十次图像；
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差小于1％时，以目标晶粒为中心，上下左右每隔1个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取十次图像。
可选择的，所述标准晶粒为图形坐标为[0,0]的晶粒。
本发明提供的用于集成电路版图图形缺陷检测的图形缺陷检测***，包括：
导入模块，其适用于获取每个产品的每层光罩的设计图形数据导入电子束扫描机台端；
可选择的，导入模块导入的设计图形数据是gds文件或tdb文件；
对比模块，其适用于将扫描图像图形数据与设计图形数据实时对比；
拍摄模块，其适用于以出现预设图形缺陷晶粒为中心，按预设规则拍摄与该晶粒相邻的多个晶粒目标图形图像，将所述多个晶粒目标图形作为图形异常点图像。
可选择的，所述预设图形缺陷包括但不限于是图形偏移和或图形缩小；
可选择的，所述预设规则包括；
当目标晶粒图形与标准晶粒图形尺寸相差大于10％时，以目标晶粒为中心上下左右每隔10个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取五次图像；
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差为5-10％时，以目标晶粒为中心，上下左右每隔8个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取五次图像；
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差2-5％时，以目标晶粒为中心，上下左右每隔5个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取五次图像；
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差1-2％时，以目标晶粒为中心，上下左右每隔3个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取十次图像；
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差小于1％时，以目标晶粒为中心，上下左右每隔1个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取十次图像。
可选择的，所述标准晶粒为图形坐标为[0,0]的晶粒。
本发明的技术原理为，在电子束扫描机台端中导入每个产品的每层光罩的GDS，当缺陷检测defect review时，图像image上的图形pattern与GDS文件图形进行实时对比，如果发现存在图形偏移pattern shift或者图形缩小shrink问题，根据图形偏移patternshift或者图形缩小shrink尺寸的程度(例如，百分比)针对左右晶粒die进行image拍摄，不需要人为进行判断，并对机台进行暂停然后进行左右对比晶粒die拍摄。本发明能实现快速、准确、自动检测集成电路版图图形缺陷异常点，能提高异常点检测效率，进而提高生产效率。
附图说明
本发明附图旨在示出根据本发明的特定示例性实施例中所使用的方法、结构和/或材料的一般特性，对说明书中的描述进行补充。然而，本发明附图是未按比例绘制的示意图，因而可能未能够准确反映任何所给出的实施例的精确结构或性能特点，本发明附图不应当被解释为限定或限制由根据本发明的示例性实施例所涵盖的数值或属性的范围。下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是正常版图图形局部示意图，其A处列作为对比图形与图2中B处对比，无法看出异常点。
图2是缺陷版图图形局部示意图。
图3是正常版图图形扩大范围示意图。
图4是缺陷版图图形扩大范围示意图，由图4中D处与图3中C处对比可知，图4中D处出现图形缩小异常点。
图5是本发明预设规则拍摄异常点示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容充分地了解本发明的其他优点与技术效果。本发明还可以通过不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点加以应用，在没有背离发明总的设计思路下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。本发明下述示例性实施例可以多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的具体实施例。应当理解的是，提供这些实施例是为了使得本发明的公开彻底且完整，并且将这些示例性具体实施例的技术方案充分传达给本领域技术人员。
本发明提供的用于集成电路版图图形缺陷检测的图形缺陷检测方法第一实施例，包括以下步骤：
S1，获取每个产品的每层光罩的设计图形数据；
S2，在缺陷扫描时，将扫描图像图形数据与设计图形数据实时对比；
S3，若某晶粒出现预设图形缺陷，则以该晶粒为中心按预设规则拍摄与该晶粒相邻的多个晶粒目标图形图像；
S4，将所述多个晶粒目标图形作为图形异常点图像。
本发明第一实施例可以根据图形偏移或者图形缩小尺寸的程度(例如，百分比)针对左右晶粒进行拍摄，不需要人为进行判断，并对机台进行暂停然后进行左右对比晶粒拍摄。本发明能实现快速、准确、自动检测集成电路版图图形缺陷异常点，能提高生产效率。
本发明提供的用于集成电路版图图形缺陷检测的图形缺陷检测方法第二实施例，包括以下步骤：
S1，获取每个产品的每层光罩的gds文件或tdb文件；
S2，在缺陷扫描时，将扫描图像图形数据与设计图形数据实时对比；
S3，若某晶粒出现图形偏移和或图形缩小，则以该晶粒为中心按预设规则拍摄与该晶粒相邻的多个晶粒目标图形图像；
S4，参考图5所示，将所述多个晶粒目标图形作为图形异常点图像。
所述预设规则包括；
当目标晶粒图形与标准晶粒图形尺寸相差大于10％时，以目标晶粒为中心上下左右每隔10个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取五次图像；
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差为5-10％时，以目标晶粒为中心，上下左右每隔8个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取五次图像；
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差2-5％时，以目标晶粒为中心，上下左右每隔5个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取五次图像；
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差1-2％时，以目标晶粒为中心，上下左右每隔3个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取十次图像；
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差小于1％时，以目标晶粒为中心，上下左右每隔1个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取十次图像。
其中，所述标准晶粒为图形坐标为[0,0]的晶粒。
本发明提供的用于集成电路版图图形缺陷检测的图形缺陷检测***第一实施例，包括：
导入模块，其适用于获取每个产品的每层光罩的设计图形数据导入电子束扫描机台端；
对比模块，其适用于将扫描图像图形数据与设计图形数据实时对比；
拍摄模块，其适用于以出现预设图形缺陷晶粒为中心，按预设规则拍摄与该晶粒相邻的多个晶粒目标图形图像，将所述多个晶粒目标图形作为图形异常点图像。
本发明提供的用于集成电路版图图形缺陷检测的图形缺陷检测***第二实施例，包括：
导入模块，其适用于获取每个产品的每层光罩的gds文件或tdb文件；导入电子束扫描机台端；
对比模块，其适用于将扫描图像图形数据与设计图形数据实时对比；
拍摄模块，其适用于以出现图形偏移和或图形缩小晶粒为中心，按预设规则拍摄与该晶粒相邻的多个晶粒目标图形图像，将所述多个晶粒目标图形作为图形异常点图像。
所述预设规则包括；
当目标晶粒图形与标准晶粒图形尺寸相差大于10％时，以目标晶粒为中心上下左右每隔10个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取五次图像；
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差为5-10％时，以目标晶粒为中心，上下左右每隔8个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取五次图像；
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差2-5％时，以目标晶粒为中心，上下左右每隔5个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取五次图像；
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差1-2％时，以目标晶粒为中心，上下左右每隔3个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取十次图像；
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差小于1％时，以目标晶粒为中心，上下左右每隔1个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取十次图像。
其中，所述标准晶粒为图形坐标为[0,0]的晶粒。
除非另有定义，否则这里所使用的全部术语(包括技术术语和科学术语)都具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确定义，否则诸如在通用字典中定义的术语这类术语应当被解释为具有与它们在相关领域语境中的意思相一致的意思，而不以理想的或过于正式的含义加以解释。
以上通过具体实施方式和实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种图形缺陷检测方法，其用于集成电路版图图形缺陷检测，其特征在于，包括以下步骤：
S1，获取每个产品的每层光罩的设计图形数据；
S2，在缺陷扫描时，将扫描图像图形数据与设计图形数据实时对比；
S3，若某晶粒出现预设图形缺陷，则以该晶粒为中心按预设规则拍摄与该晶粒相邻的多个晶粒目标图形图像；
S4，将所述多个晶粒目标图形作为图形异常点图像。
2.如权利要求1所述的图形缺陷检测方法，其特征在于：所述设计图形数据是gds文件或tdb文件。
3.如权利要求1所述的图形缺陷检测方法，其特征在于：所述预设图形缺陷是图形偏移和或图形缩小。
4.如权利要求1所述的图形缺陷检测方法，其特征在于：所述预设规则包括
当目标晶粒图形与标准晶粒图形尺寸相差大于10％时，以目标晶粒为中心上下左右每隔10个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取五次图像；
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差为5-10％时，以目标晶粒为中心，上下左右每隔8个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取五次图像；
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差2-5％时，以目标晶粒为中心，上下左右每隔5个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取五次图像；
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差1-2％时，以目标晶粒为中心，上下左右每隔3个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取十次图像；
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差小于1％时，以目标晶粒为中心，上下左右每隔1个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取十次图像。
5.如权利要求4所述的图形缺陷检测方法，其特征在于：所述标准晶粒为图形坐标为[0,0]的晶粒。
6.一种图形缺陷检测***，其用于电子束扫描机台端集成电路版图图形缺陷检测，其特征在于，包括：
导入模块，其适用于获取每个产品的每层光罩的设计图形数据导入电子束扫描机台端；
对比模块，其适用于将扫描图像图形数据与设计图形数据实时对比；
拍摄模块，其适用于以出现预设图形缺陷晶粒为中心，按预设规则拍摄与该晶粒相邻的多个晶粒目标图形图像，将所述多个晶粒目标图形作为图形异常点图像。
7.如权利要求6所述的图形缺陷检测***，其特征在于：导入模块导入的设计图形数据是gds文件或tdb文件。
8.如权利要求6所述的图形缺陷检测***，其特征在于：所述预设图形缺陷是图形偏移和或图形缩小。
9.如权利要求6所述的图形缺陷检测***，其特征在于，所述预设规则包括：
当目标晶粒图形与标准晶粒图形尺寸相差大于10％时，以目标晶粒为中心上下左右每隔10个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取五次图像；
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差为5-10％时，以目标晶粒为中心，上下左右每隔8个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取五次图像；
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差2-5％时，以目标晶粒为中心，上下左右每隔5个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取五次图像；
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差1-2％时，以目标晶粒为中心，上下左右每隔3个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取十次图像；
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差小于1％时，以目标晶粒为中心，上下左右每隔1个晶粒抓取目标图形的图像，连续抓取十次图像。
10.如权利要求9所述的图形缺陷检测***，其特征在于：所述标准晶粒为图形坐标为[0,0]的晶粒。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112557884A (zh) * 2020-11-18 2021-03-26 上海华力集成电路制造有限公司 弱点缺陷检测方法
WO2024045294A1 (zh) * 2022-08-31 2024-03-07 东方晶源微电子科技（北京）有限公司 基于设计版图的扫描电子显微镜图像缺陷检测方法、装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101210932A (zh) * 2006-12-27 2008-07-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种可提高缺陷检验可靠性的方法
JP2010156703A (ja) * 2010-02-10 2010-07-15 Negevtech Ltd ウェーハ欠陥の高速オンライン電気光学的検出のための方法及びシステム
CN102023161A (zh) * 2009-09-09 2011-04-20 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 获取缺陷图像的方法
CN102881609A (zh) * 2012-09-17 2013-01-16 上海华力微电子有限公司 检测mpw产品重复缺陷和设计弱点的方法
TW201346986A (zh) * 2012-05-04 2013-11-16 Taiwan Semiconductor Mfg 疊對量測及缺陷檢驗方法及裝置
CN106019118A (zh) * 2016-05-18 2016-10-12 上海华虹宏力半导体制造有限公司 功率mos失效位置的判定方法
US20170337673A1 (en) * 2016-05-17 2017-11-23 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for automatic correction of drift between inspection and design for massive pattern searching
CN108122801A (zh) * 2017-12-12 2018-06-05 武汉新芯集成电路制造有限公司 晶圆标记方法及晶圆标记***
CN109698139A (zh) * 2018-12-27 2019-04-30 上海华力微电子有限公司 晶圆缺陷光学照片实时采集***及采集方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101210932A (zh) * 2006-12-27 2008-07-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种可提高缺陷检验可靠性的方法
CN102023161A (zh) * 2009-09-09 2011-04-20 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 获取缺陷图像的方法
JP2010156703A (ja) * 2010-02-10 2010-07-15 Negevtech Ltd ウェーハ欠陥の高速オンライン電気光学的検出のための方法及びシステム
TW201346986A (zh) * 2012-05-04 2013-11-16 Taiwan Semiconductor Mfg 疊對量測及缺陷檢驗方法及裝置
CN102881609A (zh) * 2012-09-17 2013-01-16 上海华力微电子有限公司 检测mpw产品重复缺陷和设计弱点的方法
US20170337673A1 (en) * 2016-05-17 2017-11-23 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for automatic correction of drift between inspection and design for massive pattern searching
CN106019118A (zh) * 2016-05-18 2016-10-12 上海华虹宏力半导体制造有限公司 功率mos失效位置的判定方法
CN108122801A (zh) * 2017-12-12 2018-06-05 武汉新芯集成电路制造有限公司 晶圆标记方法及晶圆标记***
CN109698139A (zh) * 2018-12-27 2019-04-30 上海华力微电子有限公司 晶圆缺陷光学照片实时采集***及采集方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112557884A (zh) * 2020-11-18 2021-03-26 上海华力集成电路制造有限公司 弱点缺陷检测方法
WO2024045294A1 (zh) * 2022-08-31 2024-03-07 东方晶源微电子科技（北京）有限公司 基于设计版图的扫描电子显微镜图像缺陷检测方法、装置

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