CN111164341A - 阀装置、调整信息生成方法、流量调整方法、流体控制装置、流量控制方法、半导体制造装置和半导体制造方法 - Google Patents

阀装置、调整信息生成方法、流量调整方法、流体控制装置、流量控制方法、半导体制造装置和半导体制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111164341A
CN111164341A CN201880062421.3A CN201880062421A CN111164341A CN 111164341 A CN111164341 A CN 111164341A CN 201880062421 A CN201880062421 A CN 201880062421A CN 111164341 A CN111164341 A CN 111164341A
Authority
CN
China
Prior art keywords
adjustment
valve
flow rate
adjustment information
valve device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201880062421.3A
Other languages
English (en)
Inventor
近藤研太
吉田俊英
佐藤秀信
中田知宏
篠原努
滝本昌彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujikin Inc
Original Assignee
Fujikin Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujikin Inc filed Critical Fujikin Inc
Publication of CN111164341A publication Critical patent/CN111164341A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16KVALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K7/00Diaphragm valves or cut-off apparatus, e.g. with a member deformed, but not moved bodily, to close the passage ; Pinch valves
    • F16K7/12Diaphragm valves or cut-off apparatus, e.g. with a member deformed, but not moved bodily, to close the passage ; Pinch valves with flat, dished, or bowl-shaped diaphragm
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52Controlling or regulating the coating process
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16KVALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K31/00Actuating devices; Operating means; Releasing devices
    • F16K31/004Actuating devices; Operating means; Releasing devices actuated by piezoelectric means
    • F16K31/007Piezoelectric stacks
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16KVALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K31/00Actuating devices; Operating means; Releasing devices
    • F16K31/12Actuating devices; Operating means; Releasing devices actuated by fluid
    • F16K31/122Actuating devices; Operating means; Releasing devices actuated by fluid the fluid acting on a piston
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16KVALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K37/00Special means in or on valves or other cut-off apparatus for indicating or recording operation thereof, or for enabling an alarm to be given
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16KVALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K7/00Diaphragm valves or cut-off apparatus, e.g. with a member deformed, but not moved bodily, to close the passage ; Pinch valves
    • F16K7/12Diaphragm valves or cut-off apparatus, e.g. with a member deformed, but not moved bodily, to close the passage ; Pinch valves with flat, dished, or bowl-shaped diaphragm
    • F16K7/14Diaphragm valves or cut-off apparatus, e.g. with a member deformed, but not moved bodily, to close the passage ; Pinch valves with flat, dished, or bowl-shaped diaphragm arranged to be deformed against a flat seat
    • F16K7/16Diaphragm valves or cut-off apparatus, e.g. with a member deformed, but not moved bodily, to close the passage ; Pinch valves with flat, dished, or bowl-shaped diaphragm arranged to be deformed against a flat seat the diaphragm being mechanically actuated, e.g. by screw-spindle or cam
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F11/00Apparatus requiring external operation adapted at each repeated and identical operation to measure and separate a predetermined volume of fluid or fluent solid material from a supply or container, without regard to weight, and to deliver it
    • G01F11/006Details or accessories
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F15/00Details of, or accessories for, apparatus of groups G01F1/00 - G01F13/00 insofar as such details or appliances are not adapted to particular types of such apparatus
    • G01F15/005Valves
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F15/00Details of, or accessories for, apparatus of groups G01F1/00 - G01F13/00 insofar as such details or appliances are not adapted to particular types of such apparatus
    • G01F15/06Indicating or recording devices
    • G01F15/065Indicating or recording devices with transmission devices, e.g. mechanical
    • G01F15/066Indicating or recording devices with transmission devices, e.g. mechanical involving magnetic transmission devices
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D7/00Control of flow
    • G05D7/06Control of flow characterised by the use of electric means
    • G05D7/0617Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
    • G05D7/0629Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
    • G05D7/0635Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16KVALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K31/00Actuating devices; Operating means; Releasing devices
    • F16K31/02Actuating devices; Operating means; Releasing devices electric; magnetic
    • F16K31/04Actuating devices; Operating means; Releasing devices electric; magnetic using a motor
    • F16K31/047Actuating devices; Operating means; Releasing devices electric; magnetic using a motor characterised by mechanical means between the motor and the valve, e.g. lost motion means reducing backlash, clutches, brakes or return means
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16KVALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K31/00Actuating devices; Operating means; Releasing devices
    • F16K31/44Mechanical actuating means
    • F16K31/48Mechanical actuating means actuated by mechanical timing-device, e.g. with dash-pot

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Flow Control (AREA)
  • Fluid-Driven Valves (AREA)
  • Electrically Driven Valve-Operating Means (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供一种不使用外部传感器或者使用尽可能少量的外部传感器,就能够精密地调整由经时、经年等引起的流量变动的阀装置。该阀装置具有:调整用驱动器(100),其用于调整定位于开位置的操作构件的位置;通信部(210),其从装置外部接收与由阀芯引起的流路的开度调整相关的调整信息;以及控制部(220),其基于该调整信息驱动调整用驱动器(100)而调整操作构件的位置。

Description

阀装置、调整信息生成方法、流量调整方法、流体控制装置、流 量控制方法、半导体制造装置和半导体制造方法
技术领域
本发明涉及一种阀装置、该阀装置的调整信息生成方法、流量调整方法、流体控制装置、流量控制方法、半导体制造装置和半导体制造方法。
背景技术
在半导体制造工艺中,使用称作集成化气体***的流体控制装置,以向处理腔室供给准确地计量了的处理气体,该集成化气体***集成有开闭阀、调节器、质量流量控制器等各种流体控制设备。将该集成化气体***收纳于盒而成的装置称作气体盒。
通常,向处理腔室直接供给从上述的气体盒输出的处理气体,但在利用原子层沉积法(ALD:Atomic Layer Deposition法)在基板沉积膜的工艺中,为了稳定地供给处理气体,这样进行:在作为缓冲器的罐暂时地储存从气体盒供给的处理气体,高频率地使设于紧靠处理腔室的附近的阀开闭,向真空气氛的处理腔室供给来自罐的处理气体。另外,作为设于紧靠处理腔室的附近的阀,参照例如专利文献1、2。
ALD法是化学气相沉积法的一种,是这样的方法:在温度、时间等成膜条件下,使两种以上的处理气体在基板表面上交替地每次流动一种,与基板表面上原子进行反应,每次沉积单层的膜,能够对于每个单原子层进行控制,因此能够形成均匀的膜厚,对于膜质而言,也能够非常地致密地生成膜。
利用ALD法的半导体制造工艺需要精密地调整处理气体的流量,并且由于基板的大口径化等,也需要一定程度地确保处理气体的流量。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2007-64333号公报
专利文献2:日本特开2016-121776号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而,在气动式阀中,难以利用气压调整、机械调整来精密地调整流量。另外,在利用ALD法的半导体制造工艺中,处理腔室周边为高温,因此阀易于受到温度的影响。此外,以高频率开闭阀,因此易于产生阀的经时、经年变化,流量调整作业需要庞大的工时。
另外,为了使用传感器对于每个阀装置检测阀开度的由经时、经年引起的变化,还存在需要确保设置传感器的空间、阀装置的小型化变得困难、阀装置的成本变高等问题。
本发明的一目的在于,提供一种不使用外部传感器或者使用尽可能少量的外部传感器,就能够精密地调整由经时、经年等引起的流量变动的阀装置。
本发明的另一目的在于,提供一种能够大幅地削减流量调整工时的阀装置。
本发明的又一目的在于,提供一种使用了上述的阀装置的流量调整方法、流体控制装置、半导体制造装置和半导体制造方法。
本发明的又一目的在于,提供一种生成用于上述的阀装置的调整信息的方法和装置。
用于解决问题的方案
本发明的阀装置具有:
阀体,其划定流路;
阀芯,其设为能够对所述阀体的流路进行开闭;
操作构件,其设为能够在使所述阀芯关闭流路的闭位置和使所述阀芯开放流路的开位置之间移动,而操作所述阀芯;
调整用驱动器,其用于调整定位于所述开位置的所述操作构件的位置;
通信部,其从装置外部接收与由所述阀芯引起的流路的开度调整相关的调整信息;以及
控制部,其基于所述调整信息,驱动所述调整用驱动器而控制所述操作构件的位置。
优选的是,所述调整信息包括用于指定开度调整量的信息。
更优选的是,所述调整信息包括用于指定实施所述开度调整的时刻的信息。
本发明的调整信息生成方法是生成用于上述的阀装置的所述调整信息的阀装置的调整信息生成方法,其中,
存储针对多个测量用的阀装置的、测量对机械特性的经时变化造成影响的环境因素和流量变化而得到的测量信息,
使用存储的所述测量信息,生成与所述阀装置的阀芯的开度调整相关的调整信息。
本发明的调整信息生成装置是生成用于上述的阀装置的所述调整信息的调整信息生成装置,其中,
该调整信息生成装置具有:
存储部,其存储针对多个测量用的阀装置的、测量对机械特性的经时变化造成影响的环境因素和流量变化而得到的测量信息;及
生成部,其使用存储于所述存储装置的所述测量信息,生成与所述阀装置的阀芯的开度调整相关的调整信息。
本发明的流量调整方法是上述的阀装置的流量调整方法,其中,
从装置外部接收与由所述阀芯引起的流路的开度调整相关的调整信息,
基于接收到的所述调整信息,驱动所述调整用驱动器而调整所述操作构件的位置。
本发明的流体控制装置是从上游侧朝向下游侧排列有多个流体设备而成的流体控制装置,所述多个流体设备包括上述的阀装置。
本发明的流量控制方法是使用上述的阀装置来控制流体的流量的流量控制方法。
本发明的半导体制造方法在需要如下的处理工序的半导体装置的制造工艺中,该处理工序为在密闭的腔室内的基于工艺气体的处理工序,将上述的阀装置用于所述工艺气体的流量控制。
本发明的半导体制造装置具有向处理腔室供给工艺气体的流体控制装置,
所述流体控制装置包括多个流体设备,
所述流体设备包括上述的阀装置。
发明的效果
采用本发明,利用从装置外部通过通信部带来的调整信息对调整用驱动器进行驱动控制,从而能够省略用于检测流量等的外部传感器,并且能够大幅地削减流量调整工时。
采用本发明,通过通信部向调整驱动器提供指令,从而能够进行流量调整和流量控制,因此也能够利用调整用驱动器实时地进行流量控制。
采用本发明,通过通信部向调整驱动器提供调整信息,从而能够根据被称作所谓的大数据的从其他的阀装置得到的多种多样的测量数据,形成最优的调整信息,最优地控制调整用驱动器。
采用本发明,能够更精密地控制向处理腔室供给的工艺气体,因此能够稳定地在基板上形成高品质的膜。
附图说明
图1是本发明的一实施方式的阀装置的纵剖视图。
图2是处于闭状态的图1的阀装置的主要部分的放大剖视图。
图3是表示压电驱动器的动作的说明图。
图4是处于开状态的图1的阀装置的纵剖视图。
图5是图4的阀装置的主要部分的放大剖视图。
图6A是用于对图4的阀装置的流量调整时(流量减少时)的状态进行说明的主要部分的放大剖视图。
图6B是用于对图4的阀装置的流量调整时(流量增加时)的状态进行说明的主要部分的放大剖视图。
图7是图1的阀装置的功能块图。
图8是图1的阀装置与网络连接的示意图。
图9是表示本发明的一实施方式的阀装置应用于半导体制造工艺的应用例的概略图。
图10是表示使用本实施方式的阀装置的流体控制装置的一例的立体图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式进行说明。其中,在本说明书和附图中,功能实质上同样的结构要素使用相同的附图标记,从而省略重复了的说明。
图1是表示本发明的一实施方式的阀装置的结构的图,表示阀全闭时的状态,图2是图1的主要部分的放大剖视图,图3是用于对作为调整用驱动器的压电驱动器的动作进行说明的图。另外,在以下的说明中上方向记作开方向A1,下方向记作闭方向A2。
在图1中,附图标记1表示阀装置,附图标记10表示阀体,附图标记20表示作为阀芯的隔膜,附图标记38表示隔膜按压件,附图标记30表示阀盖,附图标记40表示操作构件,附图标记50表示外壳,附图标记60表示主驱动器,附图标记70表示调整体,附图标记80表示驱动器按压件,附图标记90表示螺旋弹簧,附图标记100表示作为调整用驱动器的压电驱动器,附图标记110表示驱动器支承件,附图标记120表示作为弹性构件的盘簧,附图标记OR表示作为密封构件的O形密封圈。
阀体10由不锈钢形成,具有块状的阀体主体10a和自阀体主体10a的侧方分别突出的连接部10b、10c,该阀体10划定流路12、13。流路12、13的一端分别在连接部10b、10c的端面开口,另一端与上方开放的凹状的阀室14连通。在阀室14的底面的设于流路12的另一端侧的开口周缘的安装槽嵌合固定有合成树脂(PFA、PA、PI、PCTFE等)制的阀座15。另外,在本实施方式中,如从图2可知,利用嵌塞加工来使阀座15固定于安装槽内。
隔膜20是以能够开闭阀体10的流路12、13的方式设置的阀芯,配置于阀座15的上方,保持阀室14的气密,并且其中央部上下移动来相对于阀座15落位、离位,从而开闭流路12、13。在本实施方式中,隔膜20通过使特殊不锈钢等金属制薄板和镍钴合金薄板的中央部向上方鼓出而将向上凸出的圆弧状设为自然状态的球壳状。3张该特殊不锈钢薄板和1张镍钴合金薄板层叠而构成隔膜20。
隔膜20的周缘部载置于阀室14的内周面的突出部上,通过向阀体10的螺纹部16拧入阀盖30的***于阀室14内的下端部,借助不锈钢合金制的按压转接器25向阀体10的所述突出部侧按压该隔膜20,将该隔膜20以气密状态夹持固定。另外,镍钴合金薄膜配置于接触气体侧。
另外,隔膜也能够使用其他的结构。
操作构件40是用于操作隔膜20以使隔膜20开闭流路12、13的构件,形成为大致圆筒状,下端侧由封闭部48封闭,上端侧开口,该操作构件40与阀盖30的内周面和形成于外壳50内的筒状部51的内周面嵌合,被支承为沿上下方向移动自如。另外,图1和图2所示的附图标记A1、A2是操作构件40的开闭方向,附图标记A1表示开方向,附图标记A2表示闭方向。在本实施方式中,相对于阀体10而言,上方是开方向A1,下方是闭方向A2,但本发明并不限定于此。
在操作构件40的下端面安装有与隔膜20的中央部上表面抵接的聚酰亚胺等合成树脂制的隔膜按压件38。
在形成于操作构件40的外周面的凸缘部45的上表面与外壳的顶面之间设有螺旋弹簧90,操作构件40始终被螺旋弹簧90朝向闭方向A2施力。因此,如图2所示,在主驱动器60未工作的状态下,隔膜20被按压于阀座15,流路12、13之间成为关闭了的状态。
其中,凸缘部45既可以是与操作构件40一体的,也可以独立。
螺旋弹簧90收纳于在外壳50的内周面和筒状部51之间形成的保持部52。在本实施方式中,使用螺旋弹簧90,但并不限定于此,也能够使用盘簧、板簧等其他种类的弹簧。
外壳50的下端部内周拧入在阀盖30的上端部外周形成的螺纹部36,从而外壳50固定于阀盖30。另外,在阀盖30上端面和外壳50之间固定有环状的隔板63。
在操作构件40的外周面与外壳50及阀盖30之间形成有由隔板63上下划分开的缸室C1、C2。
在上侧的缸室C1嵌合***有形成为环状的活塞61,在下侧的缸室C2嵌合***有形成为环状的活塞62。这些缸室C1、C2和活塞61、62构成使操作构件40向开方向A1移动的主驱动器60。主驱动器60使用两个活塞61、62来增加压力的作用面积,从而能够增加由操作气体产生的力。
缸室C1的活塞61的上侧的空间经由通气路径53与大气相连。缸室C2的活塞62的上侧的空间经由通气路径h1与大气相连。
缸室C1、C2的活塞61、62的下侧的空间被供给高压的操作气体,因此由O形密封圈OR保持气密。这些空间分别与形成于操作构件40的流通路径41、42连通。流通路径41、42与形成于操作构件40的内周面和压电驱动器100的壳主体101的外周面之间的流通路径Ch连通,该流通路径Ch与由操作构件40的上端面、外壳50的筒状部51和调整体70的下端面形成的空间SP连通。于是,形成于环状的驱动器按压件80的流通路径81将空间SP与贯通调整体70的中心部的流通路径71连接起来。调整体70的流通路径71经由管接头150与管160连通。
在压电驱动器100的图3所示的圆筒状的壳主体101内置有未图示的层叠的压电元件。壳主体101为不锈钢合金等金属制,半球状的顶端部102侧的端面和基端部103侧的端面封闭。对层叠的压电元件施加电压来使其伸长,从而壳主体101的顶端部102侧的端面弹性变形,半球状的顶端部102在长度方向上位移。在层叠的压电元件的最大行程为2d时,通过预先施加使压电驱动器100的伸长量为d的预定电压V0,从而使压电驱动器100的全长为L0。于是,若施加高于预定电压V0的电压,则压电驱动器100的全长最大为L0+d,若施加低于预定电压V0的电压(包括无电压),则压电驱动器100的全长最小为L0-d。因此,能够在开闭方向A1、A2上使自顶端部102至基端部103的全长伸缩。另外,在本实施方式中,压电驱动器100的顶端部102设为半球状,但并不限定于此,顶端部也可以是平坦面。
如图1所示,对压电驱动器100的供电由配线105进行。配线105通过调整体70的流通路径71和管接头150引入管160,自管160的中途向外部引出。
压电驱动器100的基端部103的开闭方向上的位置隔着驱动器按压件80被调整体70的下端面限定。调整体70的设于调整体70的外周面的螺纹部拧入在外壳50的上部形成的螺纹孔56,通过调整调整体70的开闭方向A1、A2上的位置,从而能够调整压电驱动器100的开闭方向A1、A2上的位置。
如图2所示,压电驱动器100的顶端部102与形成于圆盘状的驱动器支承件110的上表面的圆锥面状的支承面110a抵接。驱动器支承件110能够沿开闭方向A1、A2移动。
在驱动器支承件110的下表面与操作构件40的封闭部48的上表面之间设有作为弹性构件的盘簧120。在图2所示的状态下,盘簧120已经一定程度地压缩并弹性变形,在该盘簧120的恢复力的作用下,驱动器支承件110始终被朝向开方向A1施力。由此,压电驱动器100也始终被朝向开方向A1施力,成为基端部103的上表面被按压于驱动器按压件80的状态。由此,压电驱动器100相对于阀体10配置于预定的位置。压电驱动器100未与任何构件相连结,因此能够相对于操作构件40在开闭方向A1、A2上相对地移动。
盘簧120的个数、朝向能够根据条件适当地变更。另外,除盘簧120以外也能够使用螺旋弹簧、板簧等其他弹性构件,但若使用盘簧,则存在易于调整弹簧刚性、行程等这样的优点。
如图2所示,在隔膜20与阀座15抵接而阀关闭的状态下,在驱动器支承件110的下表面侧的限制面110t和操作构件40的封闭部48的上表面侧的抵接面40t之间形成有间隙。该间隙的距离相当于隔膜20的上升量Lf。上升量Lf限定阀的开度即流量。上升量Lf能够通过调整上述的调整体70的开闭方向A1、A2的位置来变更。图2所示的状态的操作构件40在以抵接面40t为基准时位于闭位置CP。若该抵接面40t移动至与驱动器支承件110的限制面110t抵接的位置即开位置OP,则隔膜20与阀座15分开上升量Lf。
接着,参照图4~图6B对上述结构的阀装置1的动作进行说明。
如图4所示,若通过管160向阀装置1内供给预定压力的操作气体G,则沿开方向A1向上推的推力自活塞61、62作用于操作构件40。操作气体G的压力被设定为足以克服自螺旋弹簧90和盘簧120作用于操作构件40的闭方向A2的施力而使操作构件40向开方向A1移动的值。若供给这样的操作气体G,则如图5所示,操作构件40一边进一步压缩盘簧120,一边向开方向A1移动,操作构件40的抵接面40t与驱动器支承件110的限制面110t抵接,驱动器支承件110自操作构件40受到朝向开方向A1的力。该力经由压电驱动器100的顶端部102作为在开闭方向A1、A2上压缩压电驱动器100的力发挥作用,但压电驱动器100具有抵抗该力的充分的刚性。因此,作用于操作构件40的开方向A1的力被压电驱动器100的顶端部102承受,操作构件40的A1方向的移动被限制于开位置OP。在该状态下,隔膜20与阀座15分开上述的上升量Lf。
在欲调整自图5所示的状态的阀装置1的流路13输出、供给的流体的流量的情况下,使压电驱动器100工作。
图6A和图6B的中心线Ct的左侧表示图5所示的状态,中心线Ct的右侧表示调整了操作构件40的开闭方向A1、A2的位置后的状态。
在向减少流体的流量的方向调整的情况下,如图6A所示,使压电驱动器100伸长,使操作构件40向闭方向A2移动。由此,隔膜20与阀座15之间的距离即调整后的上升量Lf-小于调整前的上升量Lf。
在向增加流体的流量的方向调整的情况下,如图6B所示,使压电驱动器100缩短,使操作构件40向开方向A1移动。由此,隔膜20与阀座15之间的距离、即调整后的上升量Lf+大于调整前的上升量Lf。
在本实施方式中,隔膜20的上升量的最大值为100μm~200μm左右,利用压电驱动器100调整的调整量为±20μm左右。
即,压电驱动器100的行程无法覆盖隔膜20的上升量,但通过同时使用利用操作气体G动作的主驱动器60和压电驱动器100,从而能够通过行程相对较长的主驱动器60确保阀装置1供给的流量,并且通过行程相对较短的压电驱动器100精密地进行流量调整,无需利用调整体70等手动地进行流量调整,因此大幅地削减流量调整工时。
采用本实施方式,仅通过变化施加于压电驱动器100的电压,就能够进行精密的流量调整,因此能够立刻执行流量调整,并且也能够实时地进行流量控制。
流量自动调整
在上述实施方式中,在调整流量时,前提是流量调整量(上升量)是预先已知的。
然而,构成阀装置1的隔膜20、盘簧120、螺旋弹簧90等结构要素的机械特性根据阀装置1的开闭频率、工作时间发生变化。例如,若将隔膜20的初始阶段的恢复力和长时间使用后的恢复力相比较,则初始阶段的恢复力较大。因此,若长时间重复阀装置1的开闭动作,则会由于如上所述的结构要素的机械特性的变化,逐渐偏离预先设定了的流量。
在进行小型化、集成化的阀装置中,设置用于监控流量的变动的外部传感器等是不实用的,装置的成本也较高。
图7是本实施方式的阀装置1的主驱动器60和压电驱动器100的驱动控制***的功能块图。
主驱动器60和压电驱动器100的驱动控制***具有通信部210和控制部220。
通信部210形成为能够通过有线或者无线与LAN(Local Area Network,局域网)等网络线路连接,能够在与阀装置1的外部之间进行各种数据的交接。通过通信部210接收的信息包括调整隔膜20的开度(上升量)的调整信息。该调整信息包括:表示隔膜20的上升量的数据、实施隔膜20的开度调整的时刻信号。数据的内容是用于指定隔膜20的上升量、上升量的调整时刻的信息即可。
控制部220包括:例如微处理器、存储器、放大器等硬件和所需的软件,该控制部220接收来自通信部210的信息,对主驱动器60和压电驱动器100进行驱动控制。
如图7所示,从网络线路通过通信部210赋予调整隔膜20的开度(上升量)的调整信息,基于该信息,使控制部220对压电驱动器100进行驱动控制,从而能够实现流量调整的自动化。在此重要的是,取得能够高精度地调整隔膜20的开度(上升量)的调整信息。
作为对阀装置1的机械特性发生变化、偏离预先设定了的流量的现象产生影响的因素,能够列举出:通过流路的内部流体的压力、内部流体的物理性质(气体种类)、内部流体的温度、驱动主驱动器60的驱动流体的压力、隔膜20的开闭次数、开闭频率等。此外,在多个阀装置1之间,存在由于机械加工时的加工公差等产生的个体差异,预想到该个体差异也是对阀装置1的机械特性的经时变化造成影响的因素。
作为取得能够调整隔膜20的开度(上升量)并使其恢复为初始值或者基准值的调整信息的方法的一例,例如,如图8所示,针对与阀装置1规格相同的多个测量用的阀装置1m0~1mn,测量对如上所述的机械特性的经时变化造成影响的环境因素和流量变化,将测量信息MDT存入数据库900,形成所谓的大数据。另外,测量用的阀装置1m0~1mn既可以设置于彼此靠近的场所,也可以设置于彼此远离的场所。另外,测量既可以同时地在相同的场所实施,也可以在不同的时间不同的场所实施。实施测量至阀的开闭耐久次数(例如1000万次)即可。测量用阀装置1m0~1mn的测量条件既可以各不相同,也可以在同样的测量条件下实施测量。
随着时间的经过在数据库900存储有巨大的数据。
数据库900使用存储了的数据生成与对于阀装置1而言最优的隔膜20的开度调整相关的调整信息CDT。
预先在数据库900登记与阀装置1的制造时、制造出厂时的隔膜20的上升量(开度)的初始值或者基准值相关的信息等,数据库900生成用于恢复至上升量(开度)的初始值或者基准值的调整信息(调整量)。与隔膜20的上升量(开度)的初始值或者基准值相关的信息也可以登记于除数据库900以外的任何场所,也能够预先存储于阀装置1的存储器。在该情况下,数据库900通过网络访问阀装置1的存储器,取得与上升量(开度)的初始值或者基准值相关的数据。
数据库900生成对从隔膜20的上升量(开度)的初始值或者基准值偏离的偏离量进行校正的调整信息CDT。
从调整信息CDT得到进一步最优的隔膜20的开度调整量、调整时刻。
另外,上述的调整信息CDT的取得方法是一例,若是能够取得对于阀装置1的开度调整而言优选的数据的方法,则能够采用所有的方法。在本实施方式中,例示了测量用的阀装置1m0~1mn与应调整的阀装置1彼此分开的情况,但也能够将环境因素、流量的测量装置设置于应调整的阀装置1。
接着,参照图9,对上述的阀装置1的应用例进行说明。
图9所示的***是用于执行基于ALD法的半导体制造工艺的半导体制造装置1000,附图标记300表示工艺气体供给源,附图标记400表示气体盒,附图标记500表示罐,附图标记600表示网络,附图标记700表示处理腔室,附图标记800表示排气泵。
在基于ALD法的半导体制造工艺中,需要精密地调整处理气体的流量,并且由于基板的大口径化,也需要一定程度地确保处理气体的流量。
气体盒400是为了向处理腔室700供给精确地计量了的工艺气体而将开闭阀、调节器、质量流量控制器等各种流体控制设备集成化并收纳于盒而成的集成化气体***(流体控制装置)。
罐500作为暂时地储存从气体盒400供给的处理气体的缓冲器发挥作用。
处理腔室700提供用于利用ALD法在基板形成膜的密闭处理空间。
排气泵800用于对处理腔室700内抽真空。
采用如上所述的***结构,如果经由网络600对阀装置1发送用于进行流量调整的指令、信息,则能够进行处理气体的初始调整。
另外,即使是在处理腔室700内执行成膜工艺的中途,也能够进行处理气体的流量调整,能够实时地使处理气体流量最优化。
在上述应用例中,例示了将阀装置1用于基于ALD法的半导体制造工艺的情况,但并不限定于此,本发明能够应用于需要精密的流量调整的所有对象。
在上述实施方式中,作为主驱动器使用了利用气压工作的内置于缸室的活塞,但本发明并不限定于此,能够根据控制对象选择各种最优的驱动器。
在上述实施方式中,作为调整用驱动器使用了压电驱动器,但并不限定于此,能够采用步进马达等马达和将旋转运动转换为直线运动的滚珠丝杠、螺母等机构,能够采用电磁线圈、由于温度变化伸缩的热敏驱动器等各种驱动器。另外,从以下等方面而言,优选压电驱动器100作为本发明的调整用驱动器,即:热量的释放较少,具有一百几十度的耐热性,不仅在初始调整时而且在流体控制时也能够始终工作,在伸缩时松动(日文:バックラッシ)等非线形特性较少因此定位精度非常高,能够支承比较大的压缩负荷。另外,如果利用调整体70预先精度良好地通过机械手段调整操作构件40的开位置OP,则通过由压电驱动器100承担之后的操作构件40的位置的高精度的控制,从而能够尽可能减小压电驱动器100的最大行程(压电驱动器能够小型化),并且能够进行对操作构件40的位置的高精度的微调整和高精度的位置控制。
在上述实施方式中,举例了所谓的常闭型的阀为例子,但本发明并不限定于此,也能够应用于常开型的阀。在该情况下,例如,由调整用驱动器进行阀芯的开度调整即可。
在上述实施方式中,采用了由压电驱动器100支承(承受)作用于操作构件40的力的结构,但本发明并不限定于此,也能够是如下这样的结构:不是通过机械手段进行操作构件40的开位置OP处的定位并支承作用于操作构件40的力,而时利用调整用驱动器仅执行操作构件40的开闭方向的位置调整。
在上述实施方式中,例示了隔膜作为阀芯,但本发明并不限定于此,也能够采用其他种类的阀芯。
参照图10,对应用本发明的阀装置的流体控制装置的一例进行说明。
在图10所示的流体控制装置设有沿着宽度方向W1、W2排列、沿长度方向G1、G2延伸的金属制的底板BS。另外,附图标记W1表示正面侧的方向,附图标记W2表示背面侧的方向,附图标记G1表示上游侧的方向,附图标记G2表示下游侧的方向。在底板BS,隔着多个流路块992设置有各种流体设备991A~991E,利用多个流路块992分别形成供流体自上游侧G1朝向下游侧G2流通的未图示的流路。
在此,“流体设备”是控制流体的流动的流体控制装置所使用的设备,包括划定流体流路的主体,并具有至少两个在该主体的表面开口的流路口。具体而言,该流体设备包含开闭阀(二通阀)991A、调节器991B、压力计991C、开闭阀(三通阀)991D、质量流量控制器991E等,但并不限定于此。另外,导入管993与上述的未图示的流路的上游侧的流路口连接。
本发明能够应用于上述的开闭阀991A、开闭阀991D、调节器991B等各种阀装置。
在上述实施方式中,例示了数据库900作为调整信息生成装置,但并不限定于此,也能够是,在数据库900存储测量数据,调整信息的生成由另外的计算机进行。
附图标记说明
1、阀装置;1m0、测量用阀装置;10、阀体;10a、阀体主体;10b、连接部;10c、连接部;12、流路;13、流路;14、阀室;15、阀座;16、螺纹部;20、隔膜;25、按压转接器;30、阀盖;36、螺纹部;38、隔膜按压件;40、操作构件;40t、抵接面;41、流通路径;42、流通路径;45、凸缘部;48、封闭部;50、外壳;51、筒状部;52、保持部;53、通气路径;56、螺纹孔;60、主驱动器;61、活塞;62、活塞;63、隔板;70、调整体;71、流通路径;80、驱动器按压件;81、流通路径;90、螺旋弹簧;100、压电驱动器;101、壳主体;102、顶端部;103、基端部;105、配线;110、驱动器支承件;110a、支承面;110t、限制面;120、盘簧;150、管接头;160、管;210、通信部;220、控制部;400、气体盒;500、罐;600、网络;700、处理腔室;800、排气泵;900、数据库;991A、开闭阀;991B、调节器;991C、压力计;991D、开闭阀;991E、质量流量控制器;992、流路块;993、导入管;1000、半导体制造装置;A1、开方向;A2、闭方向;BS、底板;C1、缸室;C2、缸室;CDT、调整信息;CP、闭位置;Ch、流通路径;Ct、中心线;G、操作气体;G1、长度方向(上游侧);G2、长度方向(下游侧);Lf+、Lf-、调整后的上升量;MDT、测量信息;OP、开位置;OR、O形密封圈;SP、空间;V0、预定电压;W1、W2、宽度方向;h1、通气路径。

Claims (13)

1.一种阀装置,其具有:
阀体,其划定流路;
阀芯,其设为能够对所述阀体的流路进行开闭;
操作构件,其设为能够在使所述阀芯关闭流路的闭位置和使所述阀芯开放流路的开位置之间移动,而操作所述阀芯;
调整用驱动器,其用于调整定位于所述开位置的所述操作构件的位置;
通信部,其从装置外部接收与由所述阀芯引起的流路的开度调整相关的调整信息;以及
控制部,其基于所述调整信息,驱动所述调整用驱动器而控制所述操作构件的位置。
2.根据权利要求1所述的阀装置,其中,
所述调整信息包括用于指定开度调整量的信息。
3.根据权利要求1或2所述的阀装置,其中,
所述调整信息包括用于指定实施所述开度调整的时刻的信息。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的阀装置,其中,
该阀装置具有:
主驱动器,其使所述操作构件向所述开位置或者所述闭位置移动;以及
弹簧机构,其使所述操作构件向所述开位置和所述闭位置中的另一者移动,
所述调整用驱动器调整利用所述主驱动器或者所述弹簧机构定位于所述开位置的所述操作构件的位置。
5.一种调整信息生成方法,其是生成用于权利要求1~4中任一项所述的阀装置的所述调整信息的调整信息生成方法,其中,
存储针对多个测量用的阀装置的、测量对机械特性的经时变化造成影响的环境因素和流量变化而得到的测量信息,
使用存储的所述测量信息,生成与所述阀装置的阀芯的开度调整相关的调整信息。
6.根据权利要求5所述的调整信息生成方法,其中,
参照与所述流路的开度的初始值或者基准值相关的信息,生成所述调整信息。
7.一种调整信息生成装置,其是生成用于权利要求1~4中任一项所述的阀装置的所述调整信息的调整信息生成装置,其中,
该调整信息生成装置具有:
存储部,其存储针对多个测量用的阀装置的、测量对机械特性的经时变化造成影响的环境因素和流量变化而得到的测量信息;及
生成部,其使用存储于所述存储装置的所述测量信息,生成与所述阀装置的阀芯的开度调整相关的调整信息。
8.根据权利要求7所述的调整信息生成装置,其中,
所述生成部参照与所述流路的开度的初始值或者基准值相关的信息,生成所述调整信息。
9.一种流量调整方法,其是权利要求1~4中任一项所述的阀装置的流量调整方法,其中,
从装置外部接收与由所述阀芯引起的流路的开度调整相关的调整信息,
基于接收到的所述调整信息,驱动所述调整用驱动器而调整所述操作构件的位置。
10.一种流体控制装置,其是从上游侧朝向下游侧排列有多个流体设备而成的流体控制装置,其中
所述多个流体设备包括权利要求1~4中任一项所述的阀装置。
11.一种流量控制方法,其使用权利要求1~4中任一项所述的阀装置,控制流体的流量。
12.一种半导体制造方法,其在需要如下的处理工序的半导体装置的制造工艺中,该处理工序为在密闭的腔室内的基于工艺气体的处理工序,将权利要求1~4中任一项所述的阀装置用于所述工艺气体的流量控制。
13.一种半导体制造装置,其具有向处理腔室供给工艺气体的流体控制装置,
所述流体控制装置包括多个流体设备,
所述流体设备包括权利要求1~4中任一项所述的阀装置。
CN201880062421.3A 2017-09-25 2018-09-11 阀装置、调整信息生成方法、流量调整方法、流体控制装置、流量控制方法、半导体制造装置和半导体制造方法 Pending CN111164341A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-183556 2017-09-25
JP2017183556 2017-09-25
PCT/JP2018/033583 WO2019059040A1 (ja) 2017-09-25 2018-09-11 バルブ装置、調整情報生成方法、流量調整方法、流体制御装置、流量制御方法、半導体製造装置および半導体製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111164341A true CN111164341A (zh) 2020-05-15

Family

ID=65809699

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880062421.3A Pending CN111164341A (zh) 2017-09-25 2018-09-11 阀装置、调整信息生成方法、流量调整方法、流体控制装置、流量控制方法、半导体制造装置和半导体制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11512993B2 (zh)
JP (1) JP7174430B2 (zh)
KR (1) KR102259108B1 (zh)
CN (1) CN111164341A (zh)
TW (1) TWI683069B (zh)
WO (1) WO2019059040A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109952459B (zh) 2016-11-08 2021-02-26 株式会社富士金 阀装置、使用该阀装置的流量控制方法和半导体制造方法
KR102304548B1 (ko) * 2017-11-24 2021-09-27 가부시키가이샤 후지킨 밸브장치 및 그 제어장치를 사용한 제어방법, 유체 제어장치 및 반도체 제조장치
KR102542263B1 (ko) * 2019-01-31 2023-06-13 가부시키가이샤 후지킨 밸브장치, 이 밸브장치를 사용한 유량 제어방법, 유체 제어장치, 반도체 제조방법, 및 반도체 제조장치
WO2023238096A1 (en) * 2022-06-09 2023-12-14 Uster S.R.L. Microdosing valve

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1172304A (zh) * 1996-06-28 1998-02-04 松下电器产业株式会社 调整信息生成装置和由调整装置所组成的程序开发***
CN1274051A (zh) * 1999-05-18 2000-11-22 曾祥炜 流体控制清管式复套阀
CN1751200A (zh) * 2003-03-07 2006-03-22 喜开理株式会社 流量控制阀
CN101280857A (zh) * 2008-05-15 2008-10-08 王扬平 一种衡压补水阀
JP2010007751A (ja) * 2008-06-26 2010-01-14 Ckd Corp 真空弁
CN203627989U (zh) * 2014-01-07 2014-06-04 温州市捷宇阀门制造有限公司 一种先导截止阀

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5911238A (en) * 1996-10-04 1999-06-15 Emerson Electric Co. Thermal mass flowmeter and mass flow controller, flowmetering system and method
US6539968B1 (en) * 2000-09-20 2003-04-01 Fugasity Corporation Fluid flow controller and method of operation
JP4118702B2 (ja) 2003-02-24 2008-07-16 西部電機株式会社 インテリジェント型バルブアクチュエータ
US9383758B2 (en) * 2005-06-27 2016-07-05 Fujikin Incorporated Flow rate range variable type flow rate control apparatus
JP5054904B2 (ja) 2005-08-30 2012-10-24 株式会社フジキン ダイレクトタッチ型メタルダイヤフラム弁
KR100812560B1 (ko) * 2005-09-07 2008-03-13 씨케이디 가부시키 가이샤 유량 제어 밸브
JP2008008356A (ja) 2006-06-28 2008-01-17 Noiberuku Kk 圧電駆動装置、バルブおよびブレーキ装置
JP2008169904A (ja) 2007-01-11 2008-07-24 Chugoku Electric Power Co Inc:The 流量調節弁の流量検出システム
JP5150628B2 (ja) * 2007-05-31 2013-02-20 東京エレクトロン株式会社 流体制御装置
JP5054500B2 (ja) * 2007-12-11 2012-10-24 株式会社フジキン 圧力制御式流量基準器
US8594852B2 (en) * 2010-02-22 2013-11-26 Eaton Corporation Device and method for controlling a fluid actuator
US9188989B1 (en) * 2011-08-20 2015-11-17 Daniel T. Mudd Flow node to deliver process gas using a remote pressure measurement device
US9797520B2 (en) * 2012-02-03 2017-10-24 Hitachi Metals, Ltd. Flow control apparatus and program
JP5775110B2 (ja) * 2013-03-26 2015-09-09 株式会社フジキン 流量制御装置用の流量制御弁
JP6186275B2 (ja) 2013-12-27 2017-08-23 株式会社フジキン 流体制御装置
JP6491878B2 (ja) 2014-12-25 2019-03-27 株式会社フジキン 流体制御器
US10679880B2 (en) * 2016-09-27 2020-06-09 Ichor Systems, Inc. Method of achieving improved transient response in apparatus for controlling flow and system for accomplishing same
US11209298B2 (en) * 2018-04-27 2021-12-28 Hitachi Metals, Ltd. Thermal mass flow sensor with improved accuracy

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1172304A (zh) * 1996-06-28 1998-02-04 松下电器产业株式会社 调整信息生成装置和由调整装置所组成的程序开发***
CN1274051A (zh) * 1999-05-18 2000-11-22 曾祥炜 流体控制清管式复套阀
CN1751200A (zh) * 2003-03-07 2006-03-22 喜开理株式会社 流量控制阀
CN101280857A (zh) * 2008-05-15 2008-10-08 王扬平 一种衡压补水阀
JP2010007751A (ja) * 2008-06-26 2010-01-14 Ckd Corp 真空弁
CN203627989U (zh) * 2014-01-07 2014-06-04 温州市捷宇阀门制造有限公司 一种先导截止阀

Also Published As

Publication number Publication date
US11512993B2 (en) 2022-11-29
TWI683069B (zh) 2020-01-21
KR102259108B1 (ko) 2021-06-01
TW201923269A (zh) 2019-06-16
KR20200030538A (ko) 2020-03-20
WO2019059040A1 (ja) 2019-03-28
JP7174430B2 (ja) 2022-11-17
US20200278234A1 (en) 2020-09-03
JPWO2019059040A1 (ja) 2020-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109952459B (zh) 阀装置、使用该阀装置的流量控制方法和半导体制造方法
CN111164341A (zh) 阀装置、调整信息生成方法、流量调整方法、流体控制装置、流量控制方法、半导体制造装置和半导体制造方法
US11506290B2 (en) Valve apparatus, flow rate adjusting method, fluid control apparatus, flow rate control method, semiconductor manufacturing apparatus, and semiconductor manufacturing method
TWI701403B (zh) 閥裝置、使用此閥裝置的流量控制方法及半導體製造方法
US11242934B2 (en) Valve device
US11174949B2 (en) Actuator and valve device using the same
US20220082176A1 (en) Valve device, flow control method, fluid control device, semiconductor manufacturing method, and semiconductor manufacturing apparatus
US11187346B2 (en) Valve device, its control device, control methods using the same, fluid control device and semiconductor manufacturing apparatus
US11598430B2 (en) Valve device, flow rate control method, fluid control device, semiconductor manufacturing method, and semiconductor manufacturing apparatus using the valve device
JP2020122539A (ja) バルブ装置、このバルブ装置を用いた流量制御方法、半導体製造方法、および半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20200515

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication