CN111117623A - 一种酸性刻蚀辅助剂及其制备方法 - Google Patents

一种酸性刻蚀辅助剂及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111117623A
CN111117623A CN201911386203.8A CN201911386203A CN111117623A CN 111117623 A CN111117623 A CN 111117623A CN 201911386203 A CN201911386203 A CN 201911386203A CN 111117623 A CN111117623 A CN 111117623A
Authority
CN
China
Prior art keywords
acidic etching
acid
auxiliary agent
aid according
etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201911386203.8A
Other languages
English (en)
Inventor
张红利
王池
曹瑞
袁震芹
李锋清
张帅
李雪芬
樊宝安
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan Fengfan Electrochemical Technology Co ltd
Original Assignee
Wuhan Fengfan Electrochemical Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan Fengfan Electrochemical Technology Co ltd filed Critical Wuhan Fengfan Electrochemical Technology Co ltd
Priority to CN201911386203.8A priority Critical patent/CN111117623A/zh
Publication of CN111117623A publication Critical patent/CN111117623A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/08Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

本发明提出了一种酸性刻蚀辅助剂及其制备方法,所述酸洗刻蚀辅助剂按质量百分比为100%计,包括:聚醚2‑7%、表面活性剂5‑20%、渗透剂0.5‑5%、螯合剂0.1‑2%、pH值稳定剂0.1‑2%、消泡剂1‑10%和余量的水,所述制备方法包括,向水中加入聚醚、表面活性剂、渗透剂、螯合剂、消泡剂以及pH值稳定剂,搅拌均匀既得到酸性刻蚀辅助剂。本发明所制备的酸刻蚀辅助剂能够减少氢氟酸和硝酸的用量,同时在一定程度上提高刻蚀效率,具有良好的应用前景。

Description

一种酸性刻蚀辅助剂及其制备方法
技术领域
本发明涉及刻蚀技术领域,尤其涉及一种酸性刻蚀辅助剂及制备方法。
背景技术
随着全球太阳能和微电子行业的飞速发展,对硅片的需求快速增长,时刻是电池片的前段工艺必不可少的处理工艺,同时也是对环境造成污染最多的环节,如何有效降低酸性刻蚀液中的硝酸和氢氟酸的浓度成为目前光伏行业所面临最紧迫的问题。因此开发一款优质的酸性刻蚀辅助剂成为比较好的解决办法之一,优质的酸性刻蚀辅助剂不仅可以降低酸的用量,同时还可以提高刻蚀的效率。
目前大家所使用的酸性刻蚀液是硝酸和氢氟酸的组合,由于在电池片背面抛光的需求,所以氢氟酸和硝酸的浓度都很高,但是由于酸的浓度高了以后导致了硝酸和氢氟酸的废水的处理变的困难,同时也会提高生产成本。
发明内容
有鉴于此,本发明提出了一种能够降低酸性刻蚀液中酸的用量,同时效率还能够得到小幅度提升的酸性刻蚀辅助剂及其制备方法。
本发明的技术方案是这样实现的:本发明提供了一种酸性刻蚀辅助剂,按质量百分比为100%计,包括如下组分:
Figure BDA0002343698870000011
Figure BDA0002343698870000021
在以上技术方案的基础上,优选的,所述聚醚为聚氧乙烯-聚氧丙烯嵌段共聚物。
在以上技术方案的基础上,优选的,所述表面活性剂为醇类非离子表面活性剂。
在以上技术方案的基础上,优选的,所述醇类非离子表面活性剂为失水山梨醇酯。
更进一步优选的,所述渗透剂为脂肪醇聚氧乙烯醚或烷基酚聚氧乙烯醚。
在以上技术方案的基础上,优选的,所述螯合剂为乙二胺四乙酸。
在以上技术方案的基础上,优选的,所述pH值稳定剂为胺万达。
在以上技术方案的基础上,优选的,所述消泡剂为消泡剂硅油。
在以上技术方案的基础上,优选的,所述水为去离子水,其电阻≤1.0MΩ。
本方案还提供酸性刻蚀辅助剂的制备犯法,包括如下步骤:向去离子水中加入聚醚、表面活性剂、渗透剂、螯合剂、消泡剂以及pH值稳定剂,搅拌均匀既得到酸性刻蚀辅助剂。
本发明的酸性刻蚀辅助剂及其制备方法相对于现有技术具有以下有益效果:
(1)本发明的酸性刻蚀辅助剂能够有效提高酸性刻蚀液的刻蚀效率,在一定程度上降低酸性刻蚀液中硝酸和氢氟酸的浓度,同时还能够保持良好的刻蚀效果;
(2)本发明的酸性刻蚀辅助剂中添加的聚醚和表面活性剂能够降低刻蚀液的表面张力,从而使差生的气体快速脱离硅片表面,使其表面平整,渗透剂也能够让添加剂均匀地分散在硅片的表面,消泡剂也能够消除在反应过程中产生的气泡,防止气泡附着在硅片表面,难以清洗;
(3)发明人发现,经过以上配方复配得到的辅助剂不仅能够节省酸的用量,同时还由于其背场的反射率更高,相比一般添加剂能够提升刻蚀效率。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式,对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施方式,而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式,都属于本发明保护的范围。
实施例1
称取913g去离子水,向水中添加20g聚氧乙烯-聚氧丙烯嵌段共聚物、50g失水山梨醇酯、5g脂肪醇聚氧乙烯醚、1g乙二胺四乙酸、1g胺万达、10g消泡剂硅油,搅拌5min得到酸性刻蚀辅助剂。
实施例2
称取540g去离子水,向水中添加70g聚氧乙烯-聚氧丙烯嵌段共聚物、200g失水山梨醇酯、50g脂肪醇聚氧乙烯醚、20g乙二胺四乙酸、20g胺万达、100g消泡剂硅油,搅拌5min得到酸性刻蚀辅助剂。
实施例3
称取820g去离子水,向水中添加30g聚氧乙烯-聚氧丙烯嵌段共聚物、100g失水山梨醇酯、10g烷基酚聚氧乙烯醚、5g乙二胺四乙酸、5g胺万达、30g消泡剂硅油,搅拌5min得到酸性刻蚀辅助剂。
实施例4
称取700g去离子水,向水中添加50g聚氧乙烯-聚氧丙烯嵌段共聚物、150g失水山梨醇酯、20g烷基酚聚氧乙烯醚、10g乙二胺四乙酸、10g胺万达、60g消泡剂硅油,搅拌5min得到酸性刻蚀辅助剂。
实施例5
称取660g去离子水,向水中添加60g聚氧乙烯-聚氧丙烯嵌段共聚物、130g失水山梨醇酯、30g烷基酚聚氧乙烯醚、15g乙二胺四乙酸、15g胺万达、90g消泡剂硅油,搅拌5min得到酸性刻蚀辅助剂。
将以上实施例1-5所制备的酸性蚀刻辅助剂分别与浓度为68%的硝酸和浓度为49%的氢氟酸按照质量比为0.5:4:2进行复配,形成酸性刻蚀液,采用实施例1-5对应的刻蚀液,以及由68%的硝酸和浓度为49%的氢氟酸按照质量比为4:2复配而成的对照组1刻蚀液,和由68%的硝酸和浓度为49%的氢氟酸按照质量比为4:2.5复配而成的对照组2刻蚀液,分别对制绒后的同一批硅片进行刻蚀处理,刻蚀处理的时间为60s,对处理过程以及处理后的硅片就那些对应的检测,数据如下表所示:
组别 外观 反射率 减重量
实施例1 正常 31.2% 0.296g
实施例2 正常 30.8% 0.301g
实施例3 正常 31.11% 0.298g
实施例4 正常 29.89% 0.308g
实施例5 正常 30.18% 0.287g
对照组1 正常 30.22% 0.286g
对照组2 正常 30.18% 0.288g
以上数据可以看出,使用本发明的辅助剂后,在使用更低浓度的硝酸和氢氟酸的情况下,刻蚀的效果与常规的刻蚀液效率相当,且可是效果依然良好,因此本发明的酸性刻蚀辅助剂能够大幅度降低酸液用量,同时相比常规的混酸刻蚀液而言,刻蚀减重更快,刻蚀效率更高。
以上所述仅为本发明的较佳实施方式而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种酸性刻蚀辅助剂,其特征在于,按质量百分比为100%计,包括如下组分:
Figure FDA0002343698860000011
2.如权利要求1所述的酸性刻蚀辅助剂,其特征在于,所述聚醚为聚氧乙烯-聚氧丙烯嵌段共聚物。
3.如权利要求1所述的酸性刻蚀辅助剂,其特征在于,所述表面活性剂为醇类非离子表面活性剂。
4.如权利要求3所述的酸性刻蚀辅助剂,其特征在于,所述醇类非离子表面活性剂为失水山梨醇酯。
5.如权利要求1所述的酸性刻蚀辅助剂,其特征在于,所述渗透剂为脂肪醇聚氧乙烯醚或烷基酚聚氧乙烯醚。
6.如权利要求1所述的酸性刻蚀辅助剂,其特征在于,所述螯合剂为乙二胺四乙酸。
7.如权利要求1所述的酸性刻蚀辅助剂,其特征在于,所述pH值稳定剂为胺万达。
8.如权利要求1所述的酸性刻蚀辅助剂,其特征在于,所述消泡剂为消泡剂硅油。
9.如权利要求1所述的酸性刻蚀辅助剂,其特征在于,所述水为去离子水,其电阻≤1.0MΩ。
10.酸性刻蚀辅助剂的制备方法,其特征在于,包括:向去离子水中加入聚醚、表面活性剂、渗透剂、螯合剂、消泡剂以及pH值稳定剂,搅拌均匀既得到酸性刻蚀辅助剂。
CN201911386203.8A 2019-12-29 2019-12-29 一种酸性刻蚀辅助剂及其制备方法 Pending CN111117623A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911386203.8A CN111117623A (zh) 2019-12-29 2019-12-29 一种酸性刻蚀辅助剂及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911386203.8A CN111117623A (zh) 2019-12-29 2019-12-29 一种酸性刻蚀辅助剂及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111117623A true CN111117623A (zh) 2020-05-08

Family

ID=70504177

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911386203.8A Pending CN111117623A (zh) 2019-12-29 2019-12-29 一种酸性刻蚀辅助剂及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111117623A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112662401A (zh) * 2020-11-25 2021-04-16 重庆臻宝实业有限公司 一种低电阻硅产品的蚀刻液及其蚀刻方法
CN114573931A (zh) * 2022-03-04 2022-06-03 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 用于光学元件表面损伤坑修复的胶体的制备及应用

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1847381A (zh) * 2006-04-30 2006-10-18 北京市航天焊接材料厂 多功能环保清洗剂及其制备方法
CN102479698A (zh) * 2010-11-24 2012-05-30 气体产品与化学公司 用于硅片制绒的组合物和方法
CN104498951A (zh) * 2014-12-11 2015-04-08 深圳新宙邦科技股份有限公司 一种双氧水系铜钼合金膜用蚀刻液
CN104562011A (zh) * 2013-10-09 2015-04-29 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 多晶硅片的制绒辅助剂及制绒工艺
CN105304734A (zh) * 2015-11-03 2016-02-03 苏州旭环光伏科技有限公司 一种多晶硅片制绒辅助剂及其应用方法
CN107793037A (zh) * 2017-09-14 2018-03-13 合肥惠科金扬科技有限公司 一种用于amoled基板玻璃减薄蚀刻液添加剂
CN107902914A (zh) * 2017-12-14 2018-04-13 天津美泰真空技术有限公司 一种玻璃基板薄化工艺蚀刻液
CN108193280A (zh) * 2017-12-11 2018-06-22 杭州飞鹿新能源科技有限公司 金刚线多晶硅片酸性制绒液的添加剂及其应用
CN109439425A (zh) * 2018-12-18 2019-03-08 武汉风帆电化科技股份有限公司 一种金刚线冷却切割液及其制备方法
CN109536963A (zh) * 2019-01-30 2019-03-29 上海镁印科技有限公司 一种氨基甲酸酯类化合物在镁合金蚀刻添加剂中的应用
CN110396725A (zh) * 2019-07-10 2019-11-01 天津爱旭太阳能科技有限公司 一种单晶硅片的制绒添加剂及其应用

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1847381A (zh) * 2006-04-30 2006-10-18 北京市航天焊接材料厂 多功能环保清洗剂及其制备方法
CN102479698A (zh) * 2010-11-24 2012-05-30 气体产品与化学公司 用于硅片制绒的组合物和方法
CN104562011A (zh) * 2013-10-09 2015-04-29 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 多晶硅片的制绒辅助剂及制绒工艺
CN104498951A (zh) * 2014-12-11 2015-04-08 深圳新宙邦科技股份有限公司 一种双氧水系铜钼合金膜用蚀刻液
CN105304734A (zh) * 2015-11-03 2016-02-03 苏州旭环光伏科技有限公司 一种多晶硅片制绒辅助剂及其应用方法
CN107793037A (zh) * 2017-09-14 2018-03-13 合肥惠科金扬科技有限公司 一种用于amoled基板玻璃减薄蚀刻液添加剂
CN108193280A (zh) * 2017-12-11 2018-06-22 杭州飞鹿新能源科技有限公司 金刚线多晶硅片酸性制绒液的添加剂及其应用
CN107902914A (zh) * 2017-12-14 2018-04-13 天津美泰真空技术有限公司 一种玻璃基板薄化工艺蚀刻液
CN109439425A (zh) * 2018-12-18 2019-03-08 武汉风帆电化科技股份有限公司 一种金刚线冷却切割液及其制备方法
CN109536963A (zh) * 2019-01-30 2019-03-29 上海镁印科技有限公司 一种氨基甲酸酯类化合物在镁合金蚀刻添加剂中的应用
CN110396725A (zh) * 2019-07-10 2019-11-01 天津爱旭太阳能科技有限公司 一种单晶硅片的制绒添加剂及其应用

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112662401A (zh) * 2020-11-25 2021-04-16 重庆臻宝实业有限公司 一种低电阻硅产品的蚀刻液及其蚀刻方法
CN114573931A (zh) * 2022-03-04 2022-06-03 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 用于光学元件表面损伤坑修复的胶体的制备及应用
CN114573931B (zh) * 2022-03-04 2023-05-09 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 用于光学元件表面损伤坑修复的胶体的制备及应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2458622A2 (en) Compositions and methods for texturing of silicon wafers
CN110004449A (zh) 稳定型化学机械抛光后清洗液、其制备方法和应用
CN111117623A (zh) 一种酸性刻蚀辅助剂及其制备方法
CN110499509A (zh) 用于晶圆级封装的铜种子蚀刻液
CN113136144A (zh) 一种用于晶硅片快速碱抛光的抛光剂及其应用方法
CN101912855B (zh) 蓝宝石衬底材料抛光后表面洁净方法
CN114317135B (zh) 一种太阳能硅片制绒后的清洗剂及其清洗工艺
CN107686776A (zh) 太阳能级硅切片清洗剂及其制备方法
CN114292708A (zh) 用于太阳能电池制绒前清洗的硅片清洗剂及使用方法
CN112940875A (zh) 太阳能电池硅片清洗剂和太阳能电池硅片清洗方法
CN110524398A (zh) 一种用于晶体硅酸性抛光的添加剂及酸性抛光方法
CN114316804A (zh) 一种改善单晶硅碱抛光外观问题的添加剂及其抛光工艺
CN110591832A (zh) 一种高效环保无污染硅片清洗剂及其制备方法
CN104388091B (zh) 缓冲氧化腐蚀液制备方法
CN109713086B (zh) 一种非金属黑硅制绒液以及利用该制绒液进行制绒的方法
CN115260912B (zh) 用于降低硅片表面腐蚀的抛光液及其制备和使用方法
CN105970225A (zh) 一种铝蚀刻剂及其制备方法
CN102839427A (zh) 单晶硅片制绒无醇添加剂及其使用方法
CN112745990A (zh) 一种无磷双组份清洗剂及其制备方法和应用
CN115820132A (zh) 一种链式碱抛光工艺添加剂及其应用
CN107858757A (zh) 金刚线切割多晶硅片专用酸制绒添加剂及其使用方法
CN110922897B (zh) 一种用于硅化合物的低雾值无损伤抛光液及其制备方法
CN115418169A (zh) 一种sic晶圆cmp抛光用二氧化硅抛光液及其制备方法
CN113544248B (zh) 半导体晶片清洗液组合物及利用其的清洗方法
CN102230228B (zh) 单晶硅太阳能电池表面处理用制绒剂及使用方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200508