CN111052352A - 多连片式布线基板、电子部件收纳用封装件、电子装置以及电子模块 - Google Patents

多连片式布线基板、电子部件收纳用封装件、电子装置以及电子模块 Download PDF

Info

Publication number
CN111052352A
CN111052352A CN201880057128.8A CN201880057128A CN111052352A CN 111052352 A CN111052352 A CN 111052352A CN 201880057128 A CN201880057128 A CN 201880057128A CN 111052352 A CN111052352 A CN 111052352A
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductor
main surface
insulating layer
substrate
electronic component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201880057128.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111052352B (zh
Inventor
鬼塚善友
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of CN111052352A publication Critical patent/CN111052352A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111052352B publication Critical patent/CN111052352B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49805—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers the leads being also applied on the sidewalls or the bottom of the substrate, e.g. leadless packages for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
    • H03H9/0561—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement consisting of a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
    • H01L21/4807—Ceramic parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/486—Via connections through the substrate with or without pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0504—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices
    • H03H9/0509—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of adhesive elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/19—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/0026—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation
    • H05K3/0029—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of inorganic insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0044—Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
    • H05K3/0052—Depaneling, i.e. dividing a panel into circuit boards; Working of the edges of circuit boards
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
    • H03H9/1021—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10015—Non-printed capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10022—Non-printed resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/1003—Non-printed inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10083—Electromechanical or electro-acoustic component, e.g. microphone
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10098—Components for radio transmission, e.g. radio frequency identification [RFID] tag, printed or non-printed antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
    • H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

多连片式布线基板具备包含具有第1主面的第1绝缘层以及具有第2主面的第2绝缘层且多个布线基板区域以纵横排列的母基板，在母基板配置分割槽和在分割槽所处的部分沿厚度方向将母基板贯通的贯通孔，该分割槽沿着布线基板区域的边界而相对地分别位于第1主面以及第2主面，贯通孔包含内表面导体所处的第1贯通孔以及位于第2绝缘层的第2贯通孔，内表面导体被配置为：在纵剖视时，厚度从第1绝缘层的厚度方向上的位于内表面导体的中央部的厚部至第1绝缘层与第2绝缘层的边界侧以及位于第1主面侧的薄部而逐渐变小，配置倾斜部，使得厚度从分割槽与内表面导体的边界至内表面导体的内表面而逐渐变大。

Description

多连片式布线基板、电子部件收纳用封装件、电子装置以及电 子模块
技术领域
本发明涉及具有电子部件的搭载部的多个布线基板区域以纵横的排列排列在母基板的多连片式布线基板、电子部件收纳用封装件、电子装置、以及电子模块。
背景技术
以往，为了收容半导体元件、声表面波元件等电子部件而使用的电子部件收纳用封装件通常以从大面积的母基板同时集成地得到多个布线基板的、所谓的多连片式布线基板的方式制作。多连片式布线基板例如在母基板纵横地排列有分别成为单片的电子部件收纳用封装件的多个布线基板区域。分割槽沿着布线基板区域的边界而位于母基板的上表面等的主面。通过隔着上述分割槽对母基板施加弯曲应力而使母基板断裂，从而分割为单片的布线基板。
近年来，各个布线基板逐渐变小，在排列有上述那样的布线基板区域的多连片式布线基板中，提出了利用位置精度优异的激光设置分割槽的方法(例如，参照日本特开2003-249589号公报。)。
发明内容
本公开的多连片式布线基板具备多个布线基板区域以纵横排列的母基板，该母基板具有外部连接导体所处的第1主面以及与该第1主面相对的第2主面且包含具有所述第1主面的第1绝缘层以及具有所述第2主面的第2绝缘层，在该母基板配置分割槽和在该分割槽所处的部分沿厚度方向将所述母基板贯通的贯通孔，该分割槽沿着所述布线基板区域的边界而相对地分别位于所述第1主面以及所述第2主面，该贯通孔包含：位于所述第1绝缘层的第1贯通孔以及位于所述第2绝缘层的第2贯通孔，且与所述外部连接导体连接的内表面导***于所述第1贯通孔，所述内表面导体被配置为：在纵剖视时，厚度从所述第1绝缘层的厚度方向的位于所述内表面导体的中央部的厚部至位于所述第1绝缘层与所述第2绝缘层的边界侧以及所述第1主面侧的薄部而逐渐变小，配置倾斜部，使得厚度从所述分割槽与所述内表面导体的边界至所述内表面导体的内表面而逐渐变大。
本公开的电子部件收纳用封装件具备：包含绝缘基板，具备第1主面及与该第1主面相对的第2主面、位于所述第1主面与所述第2主面之间且搭载有电子部件的搭载部、以及连接有所述电子部件的连接导体所处的第3主面，在所述绝缘基板的外缘具备从所述第1主面配置到所述第2主面的切口部，在所述第1主面，具备位于所述绝缘基板的多个外部连接导体，在所述绝缘基板的侧面具备切断面以及断裂面，该电子部件收纳用封装件包含位于所述切口部的一部分、与所述外部连接导体连接并具有所述断裂面的侧面导体，在纵剖视时，所述侧面导体被配置为：厚度从所述绝缘基板的厚度方向的位于所述侧面导体的中央部的厚部至位于所述第3主面侧以及所述第1主面侧的薄部而逐渐变小，配置倾斜部，使得厚度从所述绝缘基板的所述切断面与所述侧面导体的边界至所述侧面导体的内表面而逐渐变大。
本公开的电子装置具有上述的电子部件收纳用封装件和被搭载在该电子部件收纳用封装件的电子部件。
本公开的电子模块具有上述电子装置、和连接有该电子装置的模块用基板。
附图说明
图1的(a)是表示实施方式中的多连片式布线基板的一部分的俯视图，(b)是(a)的X-X’线处的剖面透视图。
图2的(a)是表示实施方式中的多连片式布线基板的背面以及纵剖面的主要部位立体图，(b)是(a)的纵剖视图。
图3是与图2的(b)所示的多连片式布线基板的Y-Y’线对应的部分的主要部位剖视图。
图4的(a)是表示实施方式的其他例子中的多连片式布线基板的一部分的俯视图，(b)是(a)的Z-Z’线处的剖面透视图。
图5是表示实施方式的其他例子中的多连片式布线基板的背面以及纵剖面的主要部位立体图。
图6的(a)～(b)是表示实施方式的其他例子中的多连片式布线基板的制造方法的纵剖视图。
图7的(c)～(d)是表示继图6的(b)之后的实施方式的其他例子中的多连片式布线基板的制造方法的纵剖视图。
图8的(a)是表示实施方式的电子部件收纳用封装件的俯视图，(b)是(a)的主要部位侧视图。
图9是表示实施方式的电子部件收纳用封装件的背面以及侧面的立体图。
图10是表示实施方式的其他例子中的电子部件收纳用封装件的主要部位侧视图。
具体实施方式
一边参照附图，一边对本公开的实施方式中的多连片式布线基板以及成为电子部件收纳用封装件的布线基板等进行说明。另外，在图1～图10中，对相同位置标注相同的符号。
排列于母基板101的布线基板200具有包含凹状的搭载部109的第3主面117，在搭载部109中收容有电子部件204。布线基板200具有成为基部的第1绝缘层106a和层叠于基部上的成为框部的第2绝缘层107a。框状金属化层105位于第2主面107的框部，通过钎料将由金属构成的盖体接合于框状金属化层105。另外，在金属框体与框状金属化层105接合的情况下，成为进一步在金属框体上接合有盖体的构造。此外，布线基板200具有连接有电子部件204的连接导体113、外部连接导体104以及内表面导体111等。电子部件204通过接合材料205等与位于布线基板200的搭载部109的连接导体113接合，成为电子装置300。
上述的布线基板200以从大面积的母基板101同时集成地得到多个布线基板区域102的、所谓的多连片式布线基板的方式制作。多连片式布线基板例如在由氧化铝质烧结体构成的母基板101纵横地排列有多个布线基板区域102。如图1所示，母基板101是在外周排列有贯通孔110所处的布线基板区域102而成的。此外，在位于各布线基板区域102的外周的贯通孔110中，内表面导体111位于贯通孔110的内表面的一部分，这些内表面导体111以及未图示的连接导体具有将相邻的布线基板区域102的布线导体彼此电连接的功能。在图1中，示出了贯通孔110位于各布线基板区域102的四角的构造。另外，贯通孔110的位置也可以位于各布线基板区域102的四角以外的例如长边侧的中央部、短边侧。通过位于贯通孔110的内表面导体111、连接导体等，相邻的布线基板区域102间的连接导体113、外部连接导体104被连接，母基板101的各布线导体被一体地连接。而且，例如，通过导出到位于母基板101的工艺余量区域103的外缘部的镀敷用导体，从镀敷用导体供给电力，通过电镀在外部连接导体104等覆盖有金属层。
母基板101例如由氧化铝质烧结体、玻璃陶瓷烧结体、氮化铝质烧结体、碳化硅质烧结体、氮化硅质烧结体、莫来石质烧结体等陶瓷烧结体形成。母基板101通过层叠多个陶瓷绝缘层而形成有层叠体，并将层叠体一体烧成而制作。即，如果是在母基板101由氧化铝质烧结体构成的情况下，则如下制作。首先，在包含氧化铝以及氧化硅等玻璃成分的原料粉末中添加适当的有机溶剂以及粘合剂而成型为片状，制作多个陶瓷生片。接下来，对多个陶瓷生片的一部分实施冲裁加工而成型为设置有多个框部的陶瓷生片后，在未实施冲裁加工的平板状的陶瓷生片上，层叠形成有多个框部的陶瓷生片而形成有层叠体。然后，如果将层叠体一体烧成，则能够制作纵横地排列形成有布线基板区域102的母基板101，其中布线基板区域是将多个陶瓷绝缘层层叠而成。在上述情况下，实施了冲裁加工的陶瓷生片是成为框部的第2绝缘层107a，未实施冲裁加工的陶瓷生片是成为基部的第1绝缘层106a。
成为电子部件收纳用封装件的布线基板200在其上表面的中央部具有电子部件204的搭载部109。基部以及框部作为用于保护收容于搭载部109的电子部件204的容器发挥作用。作为收容于搭载部109的电子部件204，可以举出晶体振动元件等压电振动元件、声表面波元件、半导体元件(IC)、电容元件、电感元件、电阻器等各种电子部件。
布线基板200例如在电子部件204为晶体振动元件、电子装置300为晶体器件的情况下，在移动电话、智能手机等通信设备、计算机、IC卡等信息设备等电子设备中，作为成为频率、时间的基准的振荡器用的封装件来使用，电子装置300被用作为振荡器。收容于搭载部109的电子部件204例如通过导电性粘合剂等接合材料205与位于第3主面117的连接导体113电连接。
布线基板200是将以所谓的多连片的方式制作的基板分割为单片而得到的。例如，在层叠多个陶瓷绝缘层而成的母基板101以纵横的排列排列有具有搭载部109的多个布线基板区域102。在母基板101的上表面，沿着布线基板区域102的边界通过激光形成有分割槽108，基本构成例如图1的(a)、(b)等所示的多连片式布线基板。上述的母基板101沿着布线基板区域102的分割槽108被分割，制作成为电子部件收纳用封装件的布线基板200。
此外，为了分割母基板101，沿着布线基板区域102的边界，在母基板101的第1主面106通过激光形成有第1分割槽108a。而且，在第1贯通孔110a的内表面设置有比设置于第1主面106的第1分割槽108a的深度大的部分。这是因为，在沿着布线基板区域102的边界通过激光形成分割槽108时，贯通孔110横跨布线基板区域102的边界、或者布线基板区域102与工艺余量区域103的边界而设置，通过对设置于第1贯通孔110a的内表面的一部分的内表面导体111也照射激光，从而分割槽108设置得比其他部分深，在母基板101的厚度方向上，如图1的(b)以及图2等所示，形成为越靠近内表面导体111的内表面，则第1分割槽108a的深度越大。此外，沿着布线基板区域102的边界，在母基板101的第2主面107也通过激光形成有第2分割槽108b。第2分割槽108b也与第1分割槽108a同样地在第2贯通孔110b的内表面设置有比设置于第2主面107的第2分割槽108b的深度大的部分。另外，在图1、2等中，将第1分割槽108a、第2分割槽108b的深度变化的区域表示为直线状，但也可以调整基于激光的分割槽108的加工条件而设置成曲线状。另外，在贯通孔110内，内表面导体111的内表面表示未通过激光设置第1分割槽108a的、内表面导体111在贯通孔110的内侧露出的表面(露出部)。另外，在通过激光设置有第1分割槽108a之前、在内表面导体111露出到贯通孔110的内侧的表面(露出部)，为了方便，也设为内表面导体111的内表面。
分割槽108例如由第1主面106侧的第1分割槽108a以及位于与第1分割槽108a相对的第2主面107侧的第2分割槽108b两侧的分割槽108构成，在母基板101的布线基板区域102之间、以及布线基板区域102与工艺余量区域103之间设置成格子状。然后，在形成有各个分割槽108的部分(布线基板区域102的边界等)对母基板101施加应力而使母基板101在厚度方向上弯曲，由此母基板101被分割为单片的布线基板200。
在布线基板200的内部以及表面，连接导体113等的布线导体从搭载部109的底部(第3主面117)等配置到布线基板200的下表面(第1主面106)。这些布线导体中的位于布线基板200的第1主面106的部位例如是外部连接导体104。布线导体中的位于布线基板200的内部的布线导体是贯通导体(所谓的过孔导体等)、位于用于连接电子部件204的连接导体113的不露出的部位的布线导体等。通过使搭载于搭载部109的电子部件204与连接导体113电连接，电子部件204经由连接导体113、布线导体以及外部连接导体104等与外部的电气电路电连接。
这些布线导体等例如由铜、银、钯、金、铂、钨、钼、锰等金属材料、或者包含它们的合金构成。布线导体等例如如果是作为高熔点金属的钼构成的情况，则能够在成为布线基板200的陶瓷生片上以规定图案涂敷在钼的粉末中添加有机溶剂以及粘合剂而制作的金属化糊膏，并通过同时烧成来形成。
在上述的多连片式布线基板(母基板101)中，在各个布线基板区域102的下表面(第1主面106侧)的四角，形成有在分割后成为布线基板200的外部连接导体104的金属化导体层。外部连接导体104例如其外周与位于贯通孔110的内表面导体111相接。外部连接导体104例如由钨、钼等金属构成，在例如外部连接导体104由钼的金属化导体层构成的情况下，能够通过在成为陶瓷绝缘层的基部的陶瓷生片的下表面以规定图案印刷钼的粉末中添加有机溶剂、粘合剂等而制作的金属化糊膏来形成。金属化糊膏例如通过丝网印刷法等形成，使得烧成后的外部连接导体104的厚度为7～15μm左右。
此外，也可以在位于第1主面106的框状金属化层105的上表面还通过钎料接合金属框体。金属框体的接合可以在多连片式布线基板的状态下进行，也可以在单片的电子部件收纳用封装件(布线基板200)的状态下进行。在考虑到生产率的情况下，在多连片的状态下进行上述接合。然后，在由金属构成的盖体与金属框体接合，电子部件204被搭载部109密封。在上述实施方式的例子中，在框状金属化层105、连接导体113、外部连接导体104等露出的表面依次覆盖有镍镀层、金镀层等金属层。而且，例如镍镀层形成为1.0～20μm左右、金镀层形成为0.1～1.0μm左右。通过这些镀层，露出的各布线导体的表面被金属层覆盖，因此成为耐腐蚀性优异、焊料以及钎料等的润湿性良好的布线导体。
本公开的实施方式中的多连片式布线基板具备多个布线基板区域102纵横地排列而成的母基板101，该母基板具有外部连接导体104所处的第1主面106以及与第1主面106相对的第2主面107且包含具有第1主面106的第1绝缘层106a、以及具有第2主面107的第2绝缘层107a，沿着布线基板区域102的边界，在母基板101上，配置相对地分别位于第1主面106以及第2主面107的分割槽108、和在分割槽108所处的部分沿厚度方向将母基板101贯通的贯通孔110，贯通孔110包含位于第1绝缘层106a且配置与外部连接导体104连接的内表面导体111的第1贯通孔110a、以及位于第2绝缘层107a的第2贯通孔110b，内表面导体111配置为：在纵剖视时厚度从第1绝缘层106a的厚度方向上的位于内表面导体111的中央部的厚部到位于第1绝缘层106a与第2绝缘层107a的边界侧以及第1主面106侧的薄部而逐渐变小，倾斜部115配置为厚度从分割槽108与内表面导体111的边界到内表面导体111的内表面而逐渐变大。
根据上述结构，在排列在母基板101的多个布线基板区域102的边界通过激光设置分割槽108时，即使通过激光的移动向内表面导体111照射激光，也会对位于内表面导体111的中央部的厚部照射激光，在内表面导体111中，难以向与激光的照射面相对的一侧照射激光(内表面导体111的厚部作为激光的遮挡部发挥作用)，能够抑制内表面导体111的切断、或者抑制由内表面导体111的截面积变小引起的导通电阻的劣化。
而且，通过使内表面导体111的内表面相对于从上侧向下侧铅垂地照射的激光倾斜，激光向内表面导体111照射的面积变大。即，在内表面导体111的内表面，不仅在深度方向上进行基于激光的槽加工，在宽度方向上也容易进行基于激光的槽加工，从分割槽108与内表面导体111的边界到内表面导体111的内表面进行倒角而设置倾斜部115。由此，在电镀时分割槽108的底部(108aa、108ba)在水平方向上相对的内表面导体111彼此分离，从而抑制电镀引起的内表面导体111之间的连接。而且，母基板101的分割性变得良好，能够抑制分割后的布线基板200的内表面导体111的剥离。
如上所述，内表面导体111为了在纵剖视时形成为以下构造，即：从位于第1绝缘层106a的厚度方向上的内表面导体111的中央部的厚部到位于第1绝缘层106a与第2绝缘层107a的边界侧以及第1主面106侧的薄部，使厚度逐渐变小，例如，能够在成为第1绝缘层106a的陶瓷生片的规定的位置设置贯通孔110后将陶瓷生片载置于印刷工作台，以使得贯通孔110与设置于印刷工作台的吸引孔一致，然后，在陶瓷生片的贯通孔110的上部配置形成于丝网印刷用的印版的开口孔和陶瓷生片的贯通孔110并使钨、钼等金属化糊膏流入贯通孔110，一边从印刷工作台的吸引孔吸引除去金属化糊膏的一部分而形成。这是利用所使用的金属化糊膏利用其粘性在印刷后在被印刷物的中央部容易变厚的特性。
在上述中，通过调整所使用的金属化糊膏的粘度，能够使金属化糊膏覆盖于贯通孔110的内表面、以使得陶瓷生片的纵剖视时的中央部成为厚部。例如，为了使在印刷后覆盖于贯通孔110的内表面的金属化层(成为内表面导体111的金属层)的厚度成为厚部和薄部各自为5～20μm左右，使用粘度比形成其他布线导体的金属化糊膏高的金属化即可。然后，与上述同样地，通过层叠在规定的位置设置有贯通孔110的成为第2绝缘层107a的陶瓷生片、和成为第1绝缘层106a的陶瓷生片并进行烧成，从而能够制作图1的(a)、(b)的所示的母基板101，即内表面导体111不位于第2绝缘层107a的贯通孔110，在纵剖视时，厚度从位于第1绝缘层106a的厚度方向上的内表面导体111的中央部的厚部到位于第1绝缘层106a与第2绝缘层107a的边界侧以及第1主面106侧的薄部逐渐变小地配置的内表面导体111位于第1绝缘层106a的贯通孔110。另外，形成内表面导体111的方法并不限定于上述方法。
此外，在本公开的实施方式中的多连片式布线基板中，分割槽108包含位于第1主面106侧的第1分割槽108a和位于第2主面107侧的第2分割槽108b，内表面导体111的内表面处的第1分割槽108a的底部108aa的宽度比第2分割槽108b的底部108ba的宽度大。根据上述结构，在对排列在母基板101上的多个布线基板区域102的露出的布线导体设置电镀时，抑制在内表面导体111中设置的第1分割槽108a的底部108aa的内表面导体111的两端由镀膜连接。进而，在分割母基板101时，龟裂容易从第2分割槽108b的底部108ba向第1分割槽108a的底部108aa发展，能够容易地进行母基板101的分割，能够抑制分割后的布线基板200中的毛刺、缺口以及分割时的应力发挥作用而引起的内表面导体111的剥离。
即，如图2所示，内表面导体111并未位于第2分割槽108b的底部108ba，该第2分割槽108b位于第2贯通孔110b侧，因此，对于为了设置第2分割槽108b而从第2主面107侧向第1主面106侧铅垂地照射的激光，激光照射于贯通孔110的陶瓷露出的内表面的一部分而形成深槽部116，但在俯视时，看不见贯通孔110的陶瓷露出的内表面，难以进行利用激光向宽度方向的槽加工。
然而，内表面导体111配置于位于第1贯通孔110a侧的第1分割槽108a的底部108aa，为了设置第1分割槽108a，相对于从第1主面106侧向第2主面107侧铅垂地照射的激光，通过具有薄部和厚部的内表面导体111的内表面的倾斜从薄部到厚部逐渐变大地变化，激光向内表面导体111照射的面积从薄部到厚部逐渐变小地变化，在内表面导体111的厚部的内表面，不仅在深度方向上，在宽度方向上也容易进行利用激光的槽加工，将倾斜部115倒角并从分割槽108与内表面导体111的边界设置到内表面导体111的内表面。因此，如图2所示，第1分割槽108a的底部108aa的宽度比第2分割槽108b的底部108ba的宽度大。
此外，在形成第1分割槽108a时，内表面导体111的内表面倾斜，从而内表面导体111的厚部作为激光的遮挡部发挥作用，在宽度方向上也容易进行利用激光的槽加工，因此能够抑制激光对深度方向的槽加工。即，在与激光的照射面相反的一侧，在内表面导体111的深度方向上未进行槽加工的区域较多地残留，因此能够使形成第1分割槽108a后的内表面导体111的截面积比较大。因此，能够更有效地抑制内表面导体111的断线以及导通电阻变高。
此外，本公开的实施方式中的多连片式布线基板的倾斜部115从第1主面106侧到第1分割槽108a的底部108aa，宽度逐渐变大。根据上述的结构，在分割母基板101时，龟裂容易从第2分割槽108b的底部108ba向第1分割槽108a的底部108aa发展，能够更有效地进行母基板101的分割，能够更有效地抑制分割后的布线基板200中的毛刺、缺口以及分割时的应力作用而引起的内表面导体111的剥离。
即，如图2所示，在第1主面106的附近、从第1主面106侧照射激光的情况下，由于成为内表面导体111的金属化层的厚度小，内表面导体111的薄部中的内表面的倾斜小，因此激光向内表面导体111照射的面积变大，在深度方向上容易通过激光形成槽，但金属化层的厚度小，难以设置倾斜部115。针对于此，在第1分割槽108a的底部108aa的附近，内表面导体111的厚部的内表面的倾斜变大，因此激光难以被照射，进而厚部作为遮挡部发挥作用，因此难以通过激光在深度方向上形成有槽。但是，由于成为内表面导体111的金属化层的厚度大，激光的能量容易被内表面导体111吸收，因此容易通过激光在宽度方向上形成槽，容易设置倾斜部115。由此，能够有效地使倾斜部115配置为宽度从第1主面106侧到第1分割槽108a的底部108aa而逐渐变大。
与此相对，如图2所示，内表面导体111并未配置于位于第2主面107侧的第2绝缘层107a的贯通孔110，在从第2主面107侧照射激光的情况下，激光的能量难以被第2绝缘层107a吸收，因此难以进行向宽度方向的利用激光的槽加工，容易进行向深度方向(激光的照射方向)的槽加工。因此，如图2所示，形成有第2分割槽108b以及深槽部116。由此，在分割母基板101时，龟裂容易从第2分割槽108b的底部108ba向第1分割槽108a的底部108aa发展。另外，照射的激光容易被构成内表面导体111的钨、钼等金属吸收，与此相对，在第2贯通孔110b那样的陶瓷露出的区域不包含钨、钼等金属(除金属氧化物以外)，激光的能量难以被吸收，倾斜部115存在内表面导体111的厚度越大则宽度越大的倾向，内表面导体111的厚度与内表面导体111的内表面的倾斜的大小相比对倾斜部115的宽度的影响大。
在图2的(b)中的Y-Y’线的俯视剖视中，将从第1主面106侧配置到第1分割槽108a的底部108aa的图2所示的倾斜部115表示在图3中。如图3所示，沿着排列在母基板101的布线基板区域102的边界而从第1主面106侧起配置第1分割槽108a，并配置为超过Y-Y’线的俯视剖视中的绝缘层的深度。沿厚度方向贯通母基板101的贯通孔110位于第1分割槽108a所处的部分，内表面导体111位于贯通孔110的内表面。在Y-Y’线的俯视剖视中，第1分割槽108a也位于内表面导体111。另外，内表面导体111配置为：在纵剖视时，厚度从第1绝缘层106a的厚度方向上的位于内表面导体111的中央部的厚部到位于第1绝缘层106a与第2绝缘层107a的边界侧以及第1主面106侧的薄部而逐渐变小，但在Y-Y’线的俯视剖视中，遍及贯通孔110的整周上以大致相同的厚度进行配置。
如图3所示，倾斜部115在第1分割槽108a的延长线上从第1绝缘层106a和内表面导体111的边界到内表面导体111的内表面被倒角成凸状。而且，在与图2的(b)中的Y-Y’线的俯视剖视相比更靠第1主面106侧，倾斜部115在第1分割槽108a的延长线上从第1绝缘层106a和内表面导体111的边界到内表面导体111的内表面被倒角为宽度比Y-Y’线的俯视剖视下的倾斜部115小的凸状。进而，在与图2的(b)中的Y-Y’线的俯视剖视相比更靠第2主面107侧，倾斜部115在第1分割槽108a的延长线上从第1绝缘层106a和内表面导体111的边界到内表面导体111的内表面被倒角为宽度比Y-Y’线的俯视剖视下的倾斜部115大的凸状。
如上所述，在母基板101中，倾斜部115从第1主面106侧至第1分割槽108a的底部108aa，宽度逐渐增大，第1分割槽108a越深则第1分割槽108a的底部108aa中的水平方向相对的内表面导体111越接近，但在第1分割槽108a的底部108aa附近，由于倾斜部115，成为内表面导体111的金属化层的厚度变小，越接近内表面导体111的内表面，则越成为相对于第1分割槽108a而在水平方向上相对的内表面导体111分离的构造，因此能够更有效地抑制分割母基板101，分割后的布线基板200的毛刺、缺口以及内表面导体111的分割时的应力发挥作用而引起的剥离。
本公开的实施方式中的电子部件收纳用封装件(布线基板200)包含绝缘基板201，具备第1主面106及与第1主面106相对的第2主面107、位于第1主面106与第2主面107之间并搭载有电子部件204的搭载部109、以及连接有电子部件204的连接导体113所处的第3主面117，在绝缘基板201的外缘，切口部114从第1主面106配置到第2主面107，在第1主面106，具备位于绝缘基板201的多个外部连接导体104，在绝缘基板201的侧面具备切断面(分割槽108所处的面)以及断裂面112，该封装件包括位于切口部114的一部分、与外部连接导体104连接并具有断裂面112的侧面导体206，在纵剖视时，侧面导体206配置为厚度从绝缘基板201的厚度方向上的位于侧面导体206的中央部的厚部到位于第3主面117侧以及第1主面106侧的薄部而逐渐变小，倾斜部115配置为厚度从绝缘基板201的切断面与侧面导体206的边界到侧面导体206的内表面而逐渐变大。根据上述的结构，成为侧面导体206的角部被倒角成倾斜部115的构造，能够将侧面导体206牢固地设置于切口部114的内侧面，抑制侧面导体206从切口部114的剥离。另外，在切口部114内，侧面导体206的内表面表示未设置有切断面的、侧面导体206在切口部114的内侧露出的表面。
作为本公开的实施方式中的、成为电子部件收纳用封装件的布线基板200的一例，在图8中示出布线基板200的俯视图，此外在图9中示出从布线基板200的短边侧观察的背面立体图。在图8中，示出了布线基板200包含绝缘基板201，且表示第1主面106以及第1主面106相对的第2主面107、位于第1主面106与第2主面107之间且搭载有电子部件204的搭载部109、以及连接有电子部件204的连接导体113所处的第3主面117。而且，一对连接导体113沿着短边侧而位于配置在绝缘基板201的第3主面117的搭载部109。在一对连接导体113通过导电性粘合剂等接合材料205连接并收容晶体振动元件、半导体元件等电子部件204(例如晶体振动元件)后，对于搭载部109而言，在框部(第2主面107)的上表面，在俯视时配置成包围搭载部109的框状金属化层105上，盖体通过钎料等接合而被气密密封。
即，在盖体的下表面预先一体化地设置有钎料，在框状金属化层105上载置由金属构成的盖体并进行热处理，从而盖体被接合，搭载部109被气密密封。另外，也可以是采用了如下方法的布线基板200，即在绝缘基板201的上表面预先通过钎焊等方法接合的金属框体载置由金属构成的盖体，使缝焊机的一对辊电极一边与盖体的外周缘接触一边转动，在辊电极间流过用于焊接的大电流，利用电阻发热，使辊电极与盖体的接触部成为高温，从而将盖体缝焊在金属框体上，由此进行气密密封。
此外，在图9中示出从布线基板200的短边侧观察的背面立体图，在绝缘基板201的外缘，具备从第1主面106配置到第2主面107的切口部114，在第1主面106具备位于绝缘基板201的多个外部连接导体104，在绝缘基板201的侧面具备切断面以及断裂面112。而且，包括位于切口部114的一部分、与外部连接导体104连接且具有断裂面112的侧面导体206，在纵剖视时，侧面导体206配置为：厚度从绝缘基板201的厚度方向上的位于侧面导体206的中央部的厚部至位于第3主面117侧以及第1主面106侧的薄部而逐渐变小，倾斜部115配置为：厚度从绝缘基板201的切断面与侧面导体206的边界到侧面导体206的内表面而逐渐变大。
如图3所示，侧面导体206(内表面导体111)的角部被倒角成倾斜部115的构造。进而，如图9所示，在纵剖视时，侧面导体206配置为：厚度从绝缘基板201的厚度方向上的位于侧面导体206的中央部的厚部至位于第3主面117侧以及第1主面106侧的薄部而逐渐变小。即，位于绝缘基板201的四角的切口部114的侧面导体206能够通过其厚部来增强作为金属化层的侧面导体206本身的强度。因此，在将母基板101分割为各布线基板区域102时，相邻的布线基板区域102被向两侧拉伸而产生的侧面导体206的剥离得到抑制，在切口部114的内表面牢固地设置侧面导体206。另外，在分割母基板101时，薄部位于成为侧面导体206的内表面导体111的厚度方向的第1主面侧106，但薄部如图2所示已经通过激光而非接触地进行了槽加工，因此即使薄部的金属化层本身的强度弱也难以剥离。此外，位于比位于内表面导体111的第1分割槽108a的底部108aa靠第2主面107侧的倾斜部115配置成分割方向上的内表面导体的厚部的一部分变薄，因此在通过倾斜部115分割母基板101时，龟裂容易从第2分割槽108b的底部108ba向第1分割槽108a的底部108aa发展，能够容易地进行母基板101的分割，能够提供抑制了分割后的毛刺、缺口的布线基板。
此外，如图8的(b)所示，本公开的实施方式中的电子部件收纳用封装件在纵剖视时，切断面包含：第1切断面207a，位于第1主面106侧，在断裂面112侧的缘部具有第1曲部207aa；以及第2切断面207b，位于第2主面107侧，在断裂面112侧的缘部具有第2曲部207ba，侧面导体206的内表面处的第1切断面207a的第1曲部207aa的宽度比第2切断面207b的第2曲部207ba的宽度大。根据上述的结构，在分割包含电子部件收纳用封装件的母基板101时，龟裂容易从第2分割槽108b的底部108ba向第1分割槽108a的底部108aa发展，能够容易地进行母基板101的分割，能够抑制母基板101的分割后的电子部件收纳用封装件中的毛刺、缺口以及分割母基板101时的应力发挥作用而引起的侧面导体206(内表面导体111)的剥离。另外，第1切断面207a与第1分割槽108a对应，第1曲部207aa与第1分割槽108a的底部108aa对应，第2切断面207b与第2分割槽108b对应，第2曲部207ba与第2分割槽108b的底部108ba对应，深切断面208与深槽部116对应。
此外，在本公开的实施方式中的电子部件收纳用封装件中，对于倾斜部115而言，从第1主面106侧至第1切断面207a的第1曲部207aa，宽度逐渐大。根据上述的结构，在分割包含电子部件收纳用封装件的母基板101时，龟裂容易从第2分割槽108b的底部108ba向第1分割槽108a的底部108aa发展，能够更有效地进行分割母基板101，能够更有效地抑制分割后的布线基板200中的毛刺、缺口以及分割时的应力发挥作用而引起的侧面导体206(内表面导体111)的剥离。
另外，在本公开的电子部件收纳用封装件(布线基板200)中，如图1、图2的母基板101所示，不仅是使位于第1绝缘层106a的成为切口部114的第1贯通孔110a的直径与位于第2绝缘层107a的成为切口部114的第2贯通孔110b的直径相同的构造，如图4的(a)以及(b)、或者图5的母基板101所示那样，也可以通过以下构造来制作：位于第1绝缘层106a的成为切口部114的第1贯通孔110a的直径比位于第2绝缘层107a的成为切口部114的第2贯通孔110b的直径大。根据上述的结构，如图5所示，成为侧面导体206的内表面导体111所处的切口部114的内表面变大，内表面导体111与位于第1主面106的外部连接导体104连接的宽度变大。其结果是，如图10的主要部位侧面视所示，在分割母基板101之后得到的布线基板200中，能够实现良好地进行侧面导体206与位于第1主面106的外部连接导体104的连接的构造。
在此，在图5所示的母基板101中，关于图5的α-α’线处的激光的分割槽108的形成方法，以图6的(a)～(b)、以及图7的(c)～(d)为基础，进行详细地说明。另外，在图6的(a)～(b)、图7的(c)～(d)中，为了方便，省略外部连接导体104、框状金属化层105。
图6的(a)表示通过激光210在母基板101(烧成前的陶瓷生片层叠体)的第1主面106侧形成第1分割槽108a的状态。通过沿着母基板101的多个布线基板区域102、或者多个布线基板区域102与工艺余量区域103的边界扫描的激光210，在母基板101的第1绝缘层106a的深度方向以相同的深度形成第1分割槽108a，并且朝向设置有贯通孔110的区域进行槽加工。
接着，如图6的(b)所示，在成为切口部114的贯通孔110的附近，激光210也照射到在贯通孔110的内表面露出的内表面导体111，因此以大于第1绝缘层106a的深度方向的深度形成有第1分割槽108a。在上述中，内表面导体111的内表面相对于从上侧向下侧铅垂地照射的激光210倾斜，由此，激光210向内表面导体111照射的面积变大。换句话说，在内表面导体111的内表面，不仅在深度方向上进行基于激光的槽加工，在宽度方向上也容易进行基于激光的槽加工，倾斜部115被倒角地从分割槽108与内表面导体111的边界配置到内表面导体111的内表面。
接着，如图7的(c)、(d)所示，一边扫描一边在内表面导体111形成切断面(内表面导体111中的第1分割槽108a的延长部)的激光210也照射到在第2绝缘层107a的贯通孔110的内部露出的第1绝缘层106a侧的一部分的部分，因此通过来自第1主面106侧的激光210也在第2绝缘层107a形成有阶梯部的分割槽108c。通过上述的激光210的扫描，如图7的(d)所示，切断面位于内表面导体111的第1主面106侧，此外，未设置切断面的区域(分割后成为内表面导体111的断裂面的区域)位于内表面导体111的第2主面107侧。另外，阶梯部的分割槽108c在分割母基板101后成为电子部件收纳用封装件中的阶梯部的切断面207c。
进而，已知如下内容，在第2绝缘层107a的第1绝缘层106a侧，分割槽的非形成区域211位于内表面导体111的下侧。通过配置分割槽的非形成区域211，内表面导体111的厚部作为遮挡部发挥作用，具有内表面导体111的未设置有切断面的区域。如上所述，通过图6～图7所示的基于激光的分割槽108的形成方法，能够制作如图5所示的母基板101。另外，作为图7的(d)的下一分割槽的形成工序，激光210从贯通孔110向内表面导体111、以及第1绝缘层106a进一步扫描而形成有第1分割槽108a，但在与上述说明的图6～图7相反的工序中形成第1分割槽108a。而且，所形成的第1分割槽108a被配置为相对于贯通孔110的中央的两侧的形状大致对称。
在本实施例中，示出了图5所示的母基板101中的基于激光210的槽加工，但图2所示的母基板101中的基于激光210的槽加工也以同样的工序进行。在上述中，由于是设置于第1绝缘层106a的成为切口部114的第1贯通孔110a的直径与设置于第2绝缘层107a的成为切口部114的第2贯通孔110b的直径相同的构造，因此，分割槽的非形成区域211不位于内表面导体111的下侧。另外，基于激光210对母基板101进行的槽加工是烧成前的陶瓷生片层叠体，但也可以是烧成后的镀敷工序前的母基板101。
通过上述的分割槽的形成方法，内表面导体111中的切断面不存在的区域的截面积变大，由此抑制了内表面导体111被激光210切断，或者内表面导体111的截面积变小引起的导通电阻的劣化。因此，能够提供一种布线基板200，其具有通过电镀在露出到布线基板区域102的布线导体良好地覆盖镍镀层、金镀层等金属层的布线导体。
本公开的实施方式中的电子装置300具有上述所记载的电子部件收纳用封装件(布线基板200)和搭载于电子部件收纳用封装件的电子部件204。根据上述的结构，即使电子部件收纳用封装件小型化，侧面导体206也牢固地设置于切口部114的内侧面，能够提供基于电镀的金属层向各布线导体的覆盖性以及与电子部件204的连接可靠性优异的装置。
在成为构成电子装置300的电子部件收纳用封装件的布线基板200中，在通过激光而在排列于母基板101的多个布线基板区域102的边界设置分割槽108时，即使通过激光210的移动而向内表面导体111照射激光，也会对设置在内表面导体111的中央部的厚部照射激光，在内表面导体111中，激光难以照射到与激光的照射面相对的一侧(内表面导体111的厚部作为激光的遮挡部发挥作用)，抑制内表面导体111被切断，或者抑制因内表面导体111的截面积变小而导致导通电阻的劣化。由此，制作具有通过电镀在露出到布线基板区域102的布线导体良好覆盖镍镀层、金镀层等金属层的布线导体的布线基板200。
若使用上述的布线基板200，则即使成为电子部件收纳用封装件的布线基板200小型化，也能够经由位于成为布线基板200的布线基板区域102的四角的贯通孔110的周围的内表面导体111而高效地连接各布线基板区域102间，由于通过电镀在各布线基板区域102露出的布线导体良好地覆盖镍镀层、金镀层等金属层，因此能够提供提高了连接导体113与电子部件204的连接可靠性、以及外部连接导体104与外部电气电路的连接可靠性的电子装置300。
进而，在收纳于用来输送电子装置300的托盘等时，对于电子装置300所包含的布线基板200而言，由于将倾斜部115配置为厚度从绝缘基板201的切断面与侧面导体206的边界至侧面导体206的内表面而逐渐变大，故布线基板200的第1主面106侧的侧面导体206的两端角部难以成为尖锐的端部，因此即使托盘由柔软的材质构成，布线基板200也难以挂在托盘的内侧面等，收纳于用来输送布线基板200的托盘等时的收纳性更加有效。进而，在输送时布线基板200的侧面导体206的两端角部与托盘的内侧面接触，还能够抑制因托盘的一部分被切削而产生的粉尘。
本公开的实施方式中的电子模块400具有上述所记载的电子装置300和连接有电子装置300的模块用基板401。根据上述的结构，通过使用上述电子装置300，即使电子部件收纳用封装件小型化，侧面导体206也牢固地设置于切口部114的内侧面，能够提供搭载有基于电镀的向各布线导体的金属层的覆盖性以及与电子部件204的连接可靠性优异的电子装置300的、动作可靠性优异的电子模块400。
换句话说，布线基板200在绝缘基板201的外缘，具备从第1主面106配置到第2主面107的切口部114，在第1主面106，具备位于绝缘基板201的多个外部连接导体104，在绝缘基板201的侧面具备切断面以及断裂面112，位于切口部114的一部分、与外部连接导体104连接并包含具有断裂面的侧面导体206，在纵剖视时，侧面导体206配置倾斜部115使得厚度从绝缘基板201的厚度方向上的位于侧面导体206的中央部的厚部至位于第3主面117侧以及第1主面106侧的薄部而逐渐变小，由此能够利用厚部增强作为金属化层的侧面导体206本身的强度。
此外，由于薄部已经通过激光以非接触被槽加工，因此即使薄部的金属化层本身的强度弱，也难以剥离。此外，由于设置得比位于侧面导体206的切断面(第1分割槽108a的痕迹)的第1曲部207aa更靠第2主面107侧的倾斜部115的一部分位于分割方向上的侧面导体206的厚部的一部分变薄的位置，因此在通过位于比第1曲部207aa更靠第2主面107侧的倾斜部115的一部分分割母基板101时，由于龟裂容易从第2分割槽108b的底部108ba向第1分割槽108a的底部108aa发展，能够容易地进行母基板101的分割，因此能够制造使用分割后的毛刺、缺口得以抑制的布线基板200的电子装置300。因此，通过作为电子装置300的外形尺寸精度优异、且抑制了侧面导体206的剥离的电子装置300，能够提供安装可靠性、电特性优异的电子装置300被搭载于模块用基板401的、动作可靠性优异的电子模块400。
另外，本公开的多连片式布线基板(母基板101)、电子部件收纳用封装件(布线基板200)等并不限定于以上的实施方式的例子，在不脱离本公开的主旨的范围内可以进行各种变更。例如，在上述实施方式的例子中，多连片式布线基板是在由第1绝缘层106a和第2绝缘层107a这两层构成的层叠体上排列有凹状的搭载部所处的布线基板区域102的母基板101，但也可以是排列有不包含凹部的、在上表面具有搭载部的平板状的布线基板的母基板。此外，也可以由两层以上第1绝缘层106a、以及第2绝缘层107a构成，制成三层以上的层叠体。进而，将位于排列于母基板101的布线基板区域102的四角的贯通孔110的形状设为圆形状，但也可以将贯通孔110的形状设为椭圆状、长孔状，在上述的情况下，分割后的布线基板200的切口部114的形状也可以为椭圆状、将长孔状4分割后的构造。

Claims (8)

1.一种多连片式布线基板，其特征在于，
具备多个布线基板区域以纵横排列而成的母基板，该母基板具有外部连接导体所处的第1主面以及与该第1主面相对的第2主面，包含具有所述第1主面的第1绝缘层以及具有所述第2主面的第2绝缘层，
在该母基板配置分割槽和在该分割槽所处的部分沿厚度方向将所述母基板贯通的贯通孔，该分割槽沿着所述布线基板区域的边界而相对地分别位于所述第1主面以及所述第2主面，
该贯通孔包含位于所述第1绝缘层的第1贯通孔以及位于所述第2绝缘层的第2贯通孔，与所述外部连接导体连接的内表面导***于该第1贯通孔，
所述内表面导体被配置为：在纵剖视时，厚度从所述第1绝缘层的厚度方向的位于所述内表面导体的中央部的厚部至位于所述第1绝缘层与所述第2绝缘层的边界侧以及所述第1主面侧的薄部而逐渐变小，
配置倾斜部，使得厚度从所述分割槽与所述内表面导体的边界至所述内表面导体的内表面而逐渐变大。
2.根据权利要求1所述的多连片式布线基板，其特征在于，
所述分割槽包含位于所述第1主面侧的第1分割槽和位于所述第2主面侧的第2分割槽，
所述内表面导体的内表面处的所述第1分割槽的底部的宽度大于所述第2分割槽的底部的宽度。
3.根据权利要求2所述的多连片式布线基板，其特征在于，
所述倾斜部的宽度从所述第1主面侧至所述第1分割槽的底部而逐渐变大。
4.一种电子部件收纳用封装件，其特征在于，
包含绝缘基板，具备：第1主面及与该第1主面相对的第2主面、位于所述第1主面与所述第2主面之间且搭载有电子部件的搭载部、以及连接有所述电子部件的连接导体所处的第3主面，
在所述绝缘基板的外缘具备从所述第1主面配置到所述第2主面的切口部，
在所述第1主面，具备位于所述绝缘基板的多个外部连接导体，
在所述绝缘基板的侧面具备切断面及断裂面，
所述电子部件收纳用封装件包含位于所述切口部的一部分、与所述外部连接导体连接且具有所述断裂面的侧面导体，
在纵剖视时，所述侧面导体被配置为：厚度从所述绝缘基板的厚度方向的位于所述侧面导体的中央部的厚部至位于所述第3主面侧以及所述第1主面侧的薄部而逐渐变小，
配置倾斜部，使得厚度从所述绝缘基板的所述切断面与所述侧面导体的边界至所述侧面导体的内表面而逐渐变大。
5.根据权利要求4所述的电子部件收纳用封装件，其特征在于，
在纵剖视时，所述切断面包含：第1切断面，位于所述第1主面侧，且在所述断裂面侧的缘部具有第1曲部；以及第2切断面，位于所述第2主面侧，在所述断裂面侧的缘部具有第2曲部，
所述侧面导体的内表面处的所述第1切断面的所述第1曲部的宽度大于所述第2切断面的所述第2曲部的宽度。
6.根据权利要求5所述的电子部件收纳用封装件，其特征在于，
所述倾斜部的宽度从所述第1主面侧至所述第1切断面的所述第1曲部而逐渐变大。
7.一种电子装置，其特征在于，具有：
权利要求4至权利要求6中的任一项所述的电子部件收纳用封装件；以及
被搭载在该电子部件收纳用封装件的电子部件。
8.一种电子模块，其特征在于，具有：
权利要求7所述的电子装置；以及
连接有该电子装置的模块用基板。
CN201880057128.8A 2017-09-27 2018-09-26 多连片式布线基板、电子部件收纳用封装件、电子装置以及电子模块 Active CN111052352B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-186552 2017-09-27
JP2017186552 2017-09-27
PCT/JP2018/035662 WO2019065724A1 (ja) 2017-09-27 2018-09-26 多数個取り配線基板、電子部品収納用パッケージ、電子装置、および電子モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111052352A true CN111052352A (zh) 2020-04-21
CN111052352B CN111052352B (zh) 2023-02-28

Family

ID=65902458

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880057128.8A Active CN111052352B (zh) 2017-09-27 2018-09-26 多连片式布线基板、电子部件收纳用封装件、电子装置以及电子模块

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11264967B2 (zh)
JP (1) JP6889269B2 (zh)
CN (1) CN111052352B (zh)
WO (1) WO2019065724A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4068347A4 (en) * 2019-11-26 2024-01-03 Kyocera Corporation HOUSING INTENDED TO RECEIVE AN ELECTRONIC COMPONENT, ELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC MODULE

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006066648A (ja) * 2004-08-26 2006-03-09 Kyocera Corp 多数個取り配線基板、電子部品収納用パッケージおよび電子装置
JP2008187198A (ja) * 2008-04-14 2008-08-14 Kyocera Corp 多数個取り配線基板、配線基板、ならびに多数個取り配線基板および配線基板の製造方法
JP2012227299A (ja) * 2011-04-19 2012-11-15 Ngk Spark Plug Co Ltd セラミック配線基板、多数個取りセラミック配線基板、およびその製造方法
JP2014027219A (ja) * 2012-07-30 2014-02-06 Kyocera Corp 多数個取り配線基板、配線基板および多数個取り配線基板の製造方法
JP2016174085A (ja) * 2015-03-17 2016-09-29 京セラ株式会社 電子部品収納用パッケージおよびその製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003249589A (ja) 2002-02-25 2003-09-05 Kyocera Corp 多数個取り配線基板
US9215802B2 (en) * 2011-12-27 2015-12-15 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wiring substrate and multi-piece wiring substrate

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006066648A (ja) * 2004-08-26 2006-03-09 Kyocera Corp 多数個取り配線基板、電子部品収納用パッケージおよび電子装置
JP2008187198A (ja) * 2008-04-14 2008-08-14 Kyocera Corp 多数個取り配線基板、配線基板、ならびに多数個取り配線基板および配線基板の製造方法
JP2012227299A (ja) * 2011-04-19 2012-11-15 Ngk Spark Plug Co Ltd セラミック配線基板、多数個取りセラミック配線基板、およびその製造方法
JP2014027219A (ja) * 2012-07-30 2014-02-06 Kyocera Corp 多数個取り配線基板、配線基板および多数個取り配線基板の製造方法
JP2016174085A (ja) * 2015-03-17 2016-09-29 京セラ株式会社 電子部品収納用パッケージおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11264967B2 (en) 2022-03-01
JP6889269B2 (ja) 2021-06-18
CN111052352B (zh) 2023-02-28
WO2019065724A1 (ja) 2019-04-04
US20200287517A1 (en) 2020-09-10
JPWO2019065724A1 (ja) 2020-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109392245B (zh) 电子部件收纳用封装体、多连片布线基板、电子装置以及电子模块
JP6337142B2 (ja) 電子部品収納用パッケージ、多数個取り配線基板および電子部品収納用パッケージの製造方法
US10945338B2 (en) Wiring substrate
CN110612780B (zh) 多连配线基板、电子部件收纳用封装件以及电子装置
JP6317115B2 (ja) 多数個取り配線基板、配線基板および多数個取り配線基板の製造方法
CN111052352B (zh) 多连片式布线基板、电子部件收纳用封装件、电子装置以及电子模块
EP4068347A1 (en) Package for housing electronic component, electronic device, and electronic module
CN110832773B (zh) 电子部件收纳用封装、电子装置以及电子模块
JP2004343072A (ja) 多数個取り配線基板
JP6725333B2 (ja) 多数個取り配線基板および配線基板
JP2003017816A (ja) 多数個取り配線基板
JP2004221514A (ja) 多数個取り配線基板
JP6933747B2 (ja) 配線基板および電子装置
JP5383545B2 (ja) 多数個取り配線基板および配線基板
JP4511335B2 (ja) 多数個取り配線基板および電子装置
JP6374279B2 (ja) 多数個取り配線基板、配線基板および多数個取り配線基板の製造方法
JP2018166225A (ja) 配線基板および電子装置
JP2005285866A (ja) 多数個取り配線基板
JP2006332409A (ja) 電子部品収納用パッケージ、電子装置および電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant