CN111028767B - 像素电路及驱动方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种像素电路及驱动方法，包括开关晶体管、驱动晶体管、存储电容、发光器件及复位模块；开关晶体管用于在数据信号写入及发光阶段将数据信号写入至驱动晶体管的栅极，驱动晶体管根据数据信号驱动发光器件发光；复位模块用于在复位信号写入及复位阶段根据复位控制信号将复位信号输出至驱动晶体管的栅极，以中和驱动晶体管在数据信号写入及发光阶段所受的偏压应力，抑制阈值电压的进一步漂移，保证发光器件发光亮度的稳定性。

Description

像素电路及驱动方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素电路及驱动方法。
背景技术
次毫米发光二极管(Mini Light-Emitting Diode，Mini-LED)作为显示装置背光源的研究方兴未艾，其显示效果可与有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)相媲美，并且具有极大的成本优势。
如图1A所示，其为传统Mini-LED像素电路的电路图，图1A所示像素电路由开关薄膜晶体管T1、驱动薄膜晶体管T2以及一个存储电容Cst构成，开关薄膜晶体管T1的栅极连接扫描线，开关薄膜晶体管T1第一极连接数据线，开关薄膜晶体管T1的第二极与驱动薄膜晶体管T2的栅极连接；发光器件Mini-LED的一极接直流高电源VDD，发光器件Mini-LED的另一极与驱动薄膜晶体管T2的第一极连接，驱动薄膜晶体管T2的第二极与直流低电源VSS连接；存储电容Cst的一端连接驱动薄膜晶体管T2的栅极，存储电容Cst的另一端连接驱动薄膜晶体管T2的第二极。
图1B为图1A提供的像素电路的工作时序图。其中，扫描信号Scan(n)为脉宽为H的交流电；数据信号Data(n)为脉宽小于H的交流电；Data_H表示高电位；Data_L表示低电位；G(n)为重要节点波形，虚线表示理想工作状态下的工作时序图，实线表示实际工作状态下的工作时序图。其工作原理如下：在一个刷新周期(1frame)内，当Scan(n)为高电位时，开关薄膜晶体管T1打开，Data(n)的高电位Data_H被写入至驱动薄膜晶体管T2的栅极，G(n)为高电位Data_H。当Scan(n)为低电位时，开关薄膜晶体管T1关闭，G(n)一直维持高电位Data_H。
对于图1A中驱动薄膜晶体管T2，其栅极电压会长期受到Data_H正向偏压的应力(PBTS)，驱动薄膜晶体管T2的亚阈值摆幅(Vth)会正向漂移，导致流经驱动薄膜晶体管T2的电流下降，促使发光器件Mini-LED的亮度降低。为了保证亮度的稳定性，Mini-LED必须解决驱动薄膜晶体管T2受正向偏压导致Vth漂移的问题。
发明内容
本申请实施例提供一种像素电路及驱动方法，可以中和驱动晶体管在数据信号写入及发光阶段时受到的偏压应力，抑制阈值电压的漂移，保证发光器件发光的稳定性。
本申请实施例提供一种像素电路，包括：发光器件、驱动晶体管、开关晶体管、存储电容以及复位模块；
所述发光器件的一极接入第一公共电压端，所述发光器件的另一极与所述驱动晶体管的第一极连接；
所述开关晶体管的栅极连接扫描线，所述开关晶体管的第一极连接数据线，所述开关晶体管用于在数据信号写入及发光阶段将数据信号写入至所述驱动晶体管的栅极；
所述驱动晶体管的第二极接入第二公共电压端，所述驱动晶体管的栅极连接所述开关晶体管的第二极，所述驱动晶体管用于在数据信号写入及发光阶段根据所述数据信号驱动所述发光器件发光；
所述存储电容的一端连接所述驱动晶体管的栅极，所述存储电容的另一端连接所述第二公共电压端；
所述复位模块接入复位控制信号和复位信号，并与所述驱动晶体管的栅极连接，所述复位模块用于在复位信号写入及复位阶段根据所述复位控制信号将所述复位信号输出至所述驱动晶体管的栅极，以使所述驱动晶体管的栅极为预定复位电位，所述预定复位电位与在数据信号写入及发光阶段写入所述驱动晶体管栅极的电位大小相同，极性相反。
在一些实施例中，所述复位模块包括：
第一晶体管，所述第一晶体管的栅极接入所述复位控制信号，所述第一晶体管的第一极接入所述复位信号，所述第一晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极连接。
在一些实施例中，所述复位模块还包括：
第二晶体管，所述第二晶体管的栅极连接所述数据线，所述第二晶体管的第一极接入所述复位信号，所述第二晶体管的第二极与所述第一晶体管的第一极连接。
在一些实施例中，所述复位模块还包括反相器，所述反相器的输入端连接所述数据线，所述反相器的输出端连接所述第二晶体管的第一极，所述反相器用于根据所述数据线输入的所述数据信号，以输出所述复位信号。
在一些实施例中，所述反相器包括负载晶体管和输入晶体管，
所述负载晶体管的第一极与所述负载晶体管的栅极连接，并接入一高电平信号，所述负载晶体管的第二极与所述输入晶体管的第一极、所述第二晶体管的第一极连接；
所述输入晶体管的栅极连接所述数据线，所述输入晶体管的第二极接入所述复位信号。
在一些实施例中，所述数据信号写入及发光阶段包括数据信号写入阶段及发光阶段，所述复位信号为一恒定信号，所述复位信号为数据信号写入阶段时所述数据信号的负2倍。
在一些实施例中，所述数据信号写入及发光阶段对应的时长等于所述复位信号写入及复位阶段对应的时长。
在一些实施例中，所述发光器件为发光二极管。
在一些实施例中，所述发光二极管为次毫米发光二极管(Mini-LED)、微型发光二极管(Micro-LED)或有机发光二极管(OLED)。
本申请实施例还提供一种像素驱动方法，用于驱动所述像素电路，所述像素驱动方法包括：
在数据信号写入和发光阶段，所述扫描线载入的扫描信号控制所述开关晶体管先导通，以将所述数据线载入的数据信号写入至所述驱动晶体管的栅极，所述存储电容维持所述驱动晶体管的栅极为预定电位，所述驱动晶体管驱动所述发光器件发光；
在复位信号写入及复位阶段，所述复位模块根据复位控制信号将所述复位信号输出至所述驱动晶体管的栅极，所述存储电容维持所述驱动晶体管的栅极为预定复位电位，以中和所述驱动晶体管在所述数据信号写入及发光阶段所受的偏压应力。
在一些实施例中，所述扫描信号和所述数据信号的频率、相位相同，所述扫描信号和所述数据信号有效时的脉宽相等，所述脉宽为0.8μs～15μs。
本申请实施例提供的像素电路及驱动方法，包括开关晶体管、驱动晶体管、存储电容、发光器件及复位模块；开关晶体管用于在数据信号写入及发光阶段将数据信号写入至驱动晶体管的栅极，驱动晶体管根据数据信号驱动发光器件发光；复位模块用于在复位信号写入及复位阶段根据复位控制信号将复位信号输出至驱动晶体管的栅极，以中和驱动晶体管在数据信号写入及发光阶段所受的偏压应力。本申请实施例通过设置复位模块，使得驱动晶体管在数据信号写入及发光阶段所受的偏压应力得到中和，抑制了阈值电压的进一步漂移，保证了发光器件发光亮度的稳定性。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1A为传统Mini-LED像素电路的电路图；
图1B为图1A提供的像素电路的工作时序图；
图2A为本申请实施例提供的第一种像素电路结构示意图；
图2B为本申请一具体实施例提供的第一种像素电路的电路图；
图2C为图2B提供的第一种像素电路的工作时序图；
图3A为本申请实施例提供的第二种像素电路结构示意图；
图3B为本申请一具体实施例提供的第二种像素电路的电路图；
图3C为图3B提供的第二种像素电路的工作时序图；
图4A为本申请实施例提供的第三种像素电路结构示意图；
图4B为本申请一具体实施例提供的第三种像素电路的电路图；
图4C为图4B提供的第三种像素电路的工作时序图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
具体的，请参阅图2A，其为本申请实施例提供的第一种像素电路结构示意图，所述像素电路包括：发光器件LED、驱动晶体管T5、开关晶体管T6、存储电容Cst以及复位模块；
所述发光器件LED的一极接入第一公共电压端VDD，所述发光器件LED的另一极与所述驱动晶体管T5的第一极连接；
所述开关晶体管T6的栅极连接扫描线Scan(n)，所述开关晶体管T6的第一极连接数据线Data(n)，所述开关晶体管T6用于在数据信号写入及发光阶段将数据信号写入至所述驱动晶体管T5的栅极；
所述驱动晶体管T5的第二极接入第二公共电压端VSS，所述驱动晶体管T5的栅极连接所述开关晶体管T6的第二极，所述驱动晶体管T5用于在数据信号写入及发光阶段根据所述数据信号驱动所述发光器件LED发光；
所述存储电容Cst的一端连接所述驱动晶体管T5的栅极，所述存储电容Cst的另一端连接所述第二公共电压端VSS；
所述复位模块接入复位控制信号Discharge(n)和复位信号DCL，并与所述驱动晶体管T5的栅极连接，所述复位模块用于在复位信号写入及复位阶段根据所述复位控制信号Discharge(n)将所述复位信号DCL输出至所述驱动晶体管T5的栅极，以使所述驱动晶体管T5的栅极为预定复位电位，所述预定复位电位与在数据信号写入及发光阶段写入所述驱动晶体管T5栅极的电位大小相同，极性相反。
本申请实施例提供的像素电路，通过所述复位模块中和所述驱动晶体管T5在数据信号写入及发光阶段所受的偏压应力，以抑制阈值电压的进一步漂移，保证发光器件发光亮度的稳定性。
所述第一公共电压端VDD为直流高电源，所述第二公共电压端VSS为直流低电源。
所述发光器件LED为发光二极管，具体地，所述发光二极管为次毫米发光二极管(Mini-LED)、微型发光二极管(Micro-LED)或有机发光二极管(OLED)。
在本申请实施例中，多个所述发光器件LED采用共阳极接法，具体地，参照图2A，所述发光器件LED与所述第一公共电压端VDD连接的一极为阳极，所述发光器件LED与所述驱动晶体管T5的第一极连接的一极为阴极。
此外，多个所述发光器件LED还可采用共阴极接法，具体地，所述发光器件的阳极与所述驱动晶体管T5的第二极连接，所述发光器件LED的阴极与所述第二公共电压端VSS连接。由于多个所述发光器件LED采用共阴极接法与采用共阳极接法相似，本申请实施例中不再予以赘述。
本申请实施例中所采用的晶体管包括薄膜晶体管、场效应晶体管；为区分晶体管中除栅极以外的源极与漏极，本申请的第一极可以为漏极或源极的一者，相应地，第二极为源极或漏极中的一者。
本申请实施例还提供一种像素驱动方法，用于驱动所述像素电路，所述像素驱动方法包括：
在数据信号写入和发光阶段，所述扫描线Scan(n)载入的扫描信号控制所述开关晶体管T6先导通，以将所述数据线Data(n)载入的数据信号写入至所述驱动晶体管T5的栅极，所述存储电容Cst维持所述驱动晶体管T5的栅极为预定电位，所述驱动晶体管T5驱动所述发光器件LED发光；
在复位信号写入及复位阶段，所述复位模块根据复位控制信号Discharge(n)将所述复位信号DCL输出至所述驱动晶体管T5的栅极，所述存储电容Cst维持所述驱动晶体管T5的栅极为预定复位电位，以中和所述驱动晶体管T5在所述数据信号写入及发光阶段所受的偏压应力。
请参阅图2B，其为本申请一具体实施例提供的第一种像素电路的电路图；所述复位模块包括第一晶体管T1，所述第一晶体管T1的栅极接入所述复位控制信号Discharge(n)，所述第一晶体管T1的第一极接入所述复位信号DCL，所述第一晶体管T1的第二极与所述驱动晶体管T5的栅极连接。
请参阅图2C，其为图2B提供的第一种像素电路的工作时序图，在每一刷新周期(1frame)内，包括两个阶段，分别为数据信号写入及发光阶段和复位信号写入及复位阶段；
第一阶段：所述数据信号写入及发光阶段包括数据信号写入阶段S1和发光阶段S2，即：
数据信号写入阶段S1：当所述扫描线Scan(n)上的扫描信号为高电平，所述开关晶体管T6导通，所述驱动晶体管的T5的栅极通过所述数据线Data(n)写入数据信号Data_H，即所述节点G(n)写入所述数据信号Data_H；但由于所述存储电容Cst的存在，所述节点G(n)的电位需经过一段时间才能达到Data_H；具体地，所述存储电容Cst通过所述数据线Data(n)上的所述数据信号Data_H进行充电，所述节点G(n)的电位不断升高至预定电位Data_H；所述驱动晶体管T5的栅极与第二极间的电压大于所述驱动晶体管T5的阈值电压时，所述驱动晶体管T5打开，驱动所述发光器件LED发光；
发光阶段S2：当所述扫描线Scan(n)上的扫描信号为低电平时，所述开关晶体管T6截止，所述存储电容Cst停止充电，所述驱动晶体管T5利用所述存储电容Cst维持导通，所述发光器件LED持续发光，所述驱动晶体管T5的栅极受到正向偏压应力。
所述复位控制信号Discharge(n)在数据信号写入阶段S1及发光阶段S2均为低电平，所述第一晶体管T1截止，节点DB(n)的电位写入复位信号DCL。
其中，所述复位信号DCL为一恒定信号，所述复位信号DCL为数据信号写入阶段时所述数据信号的负2倍，即DCL＝-2Data_H。
第二阶段：所述复位信号写入及复位阶段包括复位信号写入阶段S3和复位阶段S4，即：
复位信号写入阶段S3：当所述复位控制信号Discharge(n)为高电平时，所述扫描线Scan(n)上的扫描信号为低电平，所述开关晶体管T6保持截止，所述第一晶体管T1导通，所述驱动晶体管T5的栅极写入所述复位信号DCL，即所述节点G(n)写入所述复位信号DCL，但由于所述存储电容Cst的存在，所述节点G(n)的电位需经过一段时间才能达到预定复位电位-Data_H；具体地，所述存储电容Cst通过所述复位信号DCL进行充电，所述节点G(n)的电位由所述预定电位Data_H逐渐变为预定复位电位-Data_H，即G(n)＝-2Data_H+Data_H＝-Data_H；所述驱动晶体管T5的栅极与第二极间的电压小于所述驱动晶体管T5的阈值电压时，所述驱动晶体管T5截止，所述发光器件LED停止发光。
复位阶段S4：当所述复位控制信号Discharge(n)为低电平时，所述第一晶体管T1截止，所述存储电容Cst停止充电，所述存储电容Cst维持所述驱动晶体管T5的栅极为预定复位电位-Data_H，此时，所述驱动晶体管T5的栅极受到负向偏压应力，直至下一刷新周期所述扫描线Scan(n)上的扫描信号为高电平时截止。
为使所述驱动晶体管T5在复位信号写入及复位阶段所受的负向偏压应力能够完全中和所述驱动晶体管T5数据信号写入及发光阶段受到的正向偏压应力，所述数据信号写入及发光阶段对应的时长等于所述复位信号写入及复位阶段对应的时长，即所述数据信号写入及发光阶段对应的时长为1/2frame；所述复位信号写入及复位阶段对应的时长为1/2frame。
具体地，所述复位控制信号Discharge(n)与所述扫描信号的频率相同，所述复位控制信号Discharge(n)的相位滞后所述扫描信号的相位180°。
为避免在所述复位信号写入及复位阶段时，所述发光器件LED停止发光对显示效果产生影响，所述扫描信号的频率为120Hz或240Hz。所述扫描信号和所述数据信号的频率、相位相同，所述扫描信号和所述数据信号有效时的脉宽H相等，所述脉宽H为0.8μs～15μs。
请参阅图3A，其为本申请实施例提供的第二种像素电路结构示意图，所述复位模块利用所述数据线Data(n)载入的数据信号锁定所述复位信号DCL，以避免所述复位信号DCL出现变动，影响像素电路的正常工作。
请参阅图3B，其为本申请一具体实施例提供的第二种像素电路的电路图，所述复位模块还包括第二晶体管T2，所述第二晶体管T2的栅极连接所述数据线Data(n)，所述第二晶体管T2的第一极接入所述复位信号DCL，所述第二晶体管T2的第二极与所述第一晶体管T1的第一极连接。
请参阅图3C，其为图3B提供的第二种像素电路的工作时序图，在每一刷新周期(1frame)内，包括两个阶段，分别为数据信号写入及发光阶段和复位信号写入及复位阶段；
第一阶段：所述数据信号写入及发光阶段包括数据信号写入阶段S1和发光阶段S2，即：
数据信号写入阶段S1：当所述扫描线Scan(n)上的扫描信号为高电平，所述数据线Data(n)上的数据信号为高电平Data_H时，所述开关晶体管T6与所述第二晶体管T2导通，所述第一晶体管T1的第一极写入所述复位信号DCL，即节点DB(n)电位为-2Data_H；所述存储电容Cst通过所述数据线Data(n)上的所述数据信号Data_H进行充电，所述节点G(n)的电位不断升高至预定电位Data_H；所述驱动晶体管T5的栅极与第二极间的电压大于所述驱动晶体管T5的阈值电压时，所述驱动晶体管T5打开，驱动所述发光器件LED发光；
发光阶段S2：当所述扫描线Scan(n)上的扫描信号为低电平，所述数据线Data(n)上的数据信号为低电平Data_L时，所述开关晶体管T6与所述第二晶体管T2截止，所述存储电容Cst停止充电，所述驱动晶体管T5利用所述存储电容Cst维持导通，所述发光器件LED持续发光，所述驱动晶体管T5的栅极受到正向偏压应力。
所述复位控制信号Discharge(n)在数据信号写入阶段S1及发光阶段S2均为低电平，所述第一晶体管T1截止，所述节点DB(n)电位维持-2Data_H。
第二阶段：所述复位信号写入及复位阶段包括复位信号写入阶段S3和复位阶段S4，即：
复位信号写入阶段S3：当所述复位控制信号Discharge(n)为高电平时，所述扫描线Scan(n)上的扫描信号为低电平，所述数据线Data(n)上的数据信号为低电平Data_L，所述开关晶体管T6和所述第二晶体管T2保持截止，所述第一晶体管T1导通；所述节点DB(n)的电位与所述节点G(n)的电位中和，逐渐变为预定复位电位-Data_H；即所述节点DB(n)的电位由-2Data_H逐渐变为所述预定复位电位-Data_H，所述节点G(n)的电位由所述预定电位Data_H逐渐变为至预定复位电位-Data_H，即G(n)＝-2Data_H+Data_H＝-Data_H；所述驱动晶体管T5的栅极与第二极间的电压小于所述驱动晶体管T5的阈值电压时，所述驱动晶体管T5截止，所述发光器件LED停止发光。
复位阶段S4：当所述复位控制信号Discharge(n)为低电平时，所述第一晶体管T1截止，所述存储电容Cst维持所述驱动晶体管T5的栅极为预定复位电位-Data_H，此时，所述驱动晶体管T5的栅极受到负向偏压应力，直至下一刷新周期所述扫描线Scan(n)上的扫描信号为高电平时截止。
所述第二晶体管T2可利用所述数据线Data(n)上的数据信号控制所述第一晶体管T1的第一极预先写入所述复位信号DCL，以使所述第一晶体管T1的第一极的电位保持恒定，增加对像素电路的可控性。
请参阅图4A，其为本申请一具体实施例提供的第三种像素电路结构示意图，所述复位模块还包括反相器，所述反相器的输入端连接所述数据线Data(n)，所述反相器的输出端连接所述第二晶体管T2的第一极，所述反相器用于根据所述数据线Data(n)输入的所述数据信号，以输出复位信号DCL。
请参阅图4B，其为本申请一具体实施例提供的第三种像素电路的电路图，所述反相器包括负载晶体管T3和输入晶体管T4；
所述负载晶体管T3的第一极与所述负载晶体管T4的栅极连接，并接入一高电平信号DCH，所述负载晶体管T3的第二极与所述输入晶体管T4的第一极、所述第二晶体管T2的第一极连接。
所述输入晶体管T4的栅极连接所述数据线Data(n)，所述输入晶体管T4的第二极接入所述复位信号DCL。
请参阅图4C，其为图4B提供的第三种像素电路的工作时序图，在每一刷新周期(1frame)内，包括两个阶段，分别为数据信号写入及发光阶段和复位信号写入及复位阶段；
第一阶段：所述数据信号写入及发光阶段包括数据信号写入阶段S1和发光阶段S2，即：
数据信号写入阶段S1：当所述扫描线Scan(n)上的扫描信号为高电平，所述数据线Data(n)上的数据信号为高电平Data_H时，所述开关晶体管T6、所述第二晶体管T2以及所述输入晶体管T4导通，所述第一晶体管T1的第一极写入所述复位信号DCL，即节点DB(n)电位为-2Data_H；所述存储电容Cst通过所述数据线Data(n)上的所述数据信号Data_H进行充电，所述节点G(n)的电位不断升高至预定电位Data_H；所述驱动晶体管的T5的栅极与第二极间的电压的大于所述驱动晶体管T5的阈值电压时，所述驱动晶体管T5打开，驱动所述发光器件LED发光；
发光阶段S2：当所述扫描线Scan(n)上的扫描信号为低电平，所述数据线Data(n)上的数据信号为低电平Data_L时，所述开关晶体管T6、所述第二晶体管T2以及所述输入晶体管T4截止，所述负载晶体管T3导通，所述第二晶体管T2的第一极写入高电平信号DCH，所述节点DB(n)电位维持-2Data_H；所述存储电容Cst停止充电，所述驱动晶体管T5利用所述存储电容Cst维持导通，所述发光器件LED持续发光，所述驱动晶体管T5的栅极受到正向偏压应力。所述高电平信号DCH为发光阶段时所述数据信号的负2倍，即DCH＝-2Data_L。
所述复位控制信号Discharge(n)在数据信号写入阶段S1及发光阶段S2均为低电平，所述第一晶体管T1截止，所述节点DB(n)电位维持-2Data_H。
第二阶段：所述复位信号写入及复位阶段包括复位信号写入阶段S3和复位阶段S4，即：
复位信号写入阶段S3：当所述复位控制信号Discharge(n)为高电平时，所述扫描线Scan(n)上的扫描信号为低电平，所述数据线Data(n)上的数据信号为低电平Data_L，所述开关晶体管T6、第二晶体管T2以及输入晶体管T4保持截止，所述第一晶体管T1导通，所述节点DB(n)的电位与所述节点G(n)的电位中和，逐渐变为预定复位电位-Data_H；即所述节点DB(n)的电位由-2Data_H逐渐变为所述预定复位电位-Data_H，所述节点G(n)的电位由所述预定电位Data_H逐渐变为至预定复位电位-Data_H，即G(n)＝-2Data_H+Data_H＝-Data_H；所述驱动晶体管T5的栅极与第二极间的电压小于所述驱动晶体管T5的阈值电压时，所述驱动晶体管T5截止，所述发光器件LED停止发光。
复位阶段S4：当所述复位控制信号Discharge(n)为低电平时，所述第一晶体管T1截止，所述存储电容Cst维持所述驱动晶体管T5的栅极为预定复位电位-Data_H，此时，所述驱动晶体管T5的栅极受到负向偏压应力，直至下一刷新周期所述扫描线Scan(n)上的扫描信号为高电平时截止。
所述反相器可输出与所述数据信号相位相反的信号，以保证写入所述第一晶体管T1的第一极的信号始终与所述驱动晶体管T5在数据信号写入及发光阶段写入的数据信号相位相反，保证所述驱动晶体管T5在复位信号写入及复位阶段所受的偏压应力与所述驱动晶体管T5在数据信号写入及发光阶段所受的偏压应力相反，以抑制阈值电压的漂移，保证发光的稳定性。
请参阅图2C，图3C，图4C，理想状态下，DB(n)与G(n)的工作时序如虚线所示，但在实际工作时，由于存在存储电容Cst，因此DB(n)与G(n)的实际工作时序如实线所示。
在本申请实施例中的像素电路中，均采用N型晶体管进行说明，本领域的相关技术人员也可将N型晶体管替换为P型晶体管，相应的将信号的相位进行反相就可获得分析结果，即N型晶体管替换为P型晶体管时，将各信号为高电平时的状态替换为低电平时的状态，将各信号为低电平时的状态替换为高电平时的状态，即可实现抑制阈值电压的漂移，提高发光稳定性的功能，因此，本申请实施例在此不再对采用P型晶体管的像素电路及其驱动方法进行赘述。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的像素电路及其驱动方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (8)

1.一种像素电路，其特征在于，包括：发光器件、驱动晶体管、开关晶体管、存储电容以及复位模块；
所述发光器件的一极接入第一公共电压端，所述发光器件的另一极与所述驱动晶体管的第一极连接；
所述开关晶体管的栅极连接扫描线，所述开关晶体管的第一极连接数据线，所述开关晶体管用于在数据信号写入及发光阶段将数据信号写入至所述驱动晶体管的栅极；
所述驱动晶体管的第二极接入第二公共电压端，所述驱动晶体管的栅极连接所述开关晶体管的第二极，所述驱动晶体管用于在数据信号写入及发光阶段根据所述数据信号驱动所述发光器件发光；
所述存储电容的一端连接所述驱动晶体管的栅极，所述存储电容的另一端连接所述第二公共电压端；
所述复位模块接入复位控制信号和复位信号，并与所述驱动晶体管的栅极连接，所述复位模块用于在复位信号写入及复位阶段根据所述复位控制信号将所述复位信号输出至所述驱动晶体管的栅极，以使所述驱动晶体管的栅极为预定复位电位，所述预定复位电位与在数据信号写入及发光阶段写入所述驱动晶体管栅极的电位大小相同，极性相反；
其中，所述复位模块包括第一晶体管和第二晶体管；
所述第一晶体管的栅极接入所述复位控制信号，所述第一晶体管的第一极接入所述复位信号，所述第一晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极连接；
所述第二晶体管的栅极连接所述数据线，所述第二晶体管的第一极接入所述复位信号，所述第二晶体管的第二极与所述第一晶体管的第一极连接。
2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述复位模块还包括反相器，所述反相器的输入端连接所述数据线，所述反相器的输出端连接所述第二晶体管的第一极，所述反相器用于根据所述数据线输入的所述数据信号，以输出所述复位信号。
3.根据权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述反相器包括负载晶体管和输入晶体管，
所述负载晶体管的第一极与所述负载晶体管的栅极连接，并接入一高电平信号，所述负载晶体管的第二极与所述输入晶体管的第一极、所述第二晶体管的第一极连接；
所述输入晶体管的栅极连接所述数据线，所述输入晶体管的第二极接入所述复位信号。
4.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述数据信号写入及发光阶段包括数据信号写入阶段及发光阶段，所述复位信号为一恒定信号，所述复位信号为数据信号写入阶段时所述数据信号的负2倍。
5.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述数据信号写入及发光阶段对应的时长等于所述复位信号写入及复位阶段对应的时长。
6.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述发光器件为发光二极管。
7.一种像素驱动方法，用于驱动如权利要求1～6任一项所述的像素电路，其特征在于，所述像素驱动方法包括：
在数据信号写入和发光阶段，所述扫描线载入的扫描信号控制所述开关晶体管先导通，以将所述数据线载入的数据信号写入至所述驱动晶体管的栅极，所述存储电容维持所述驱动晶体管的栅极为预定电位，所述驱动晶体管驱动所述发光器件发光；
在复位信号写入及复位阶段，所述复位模块根据复位控制信号将所述复位信号输出至所述驱动晶体管的栅极，所述存储电容维持所述驱动晶体管的栅极为预定复位电位，以中和所述驱动晶体管在所述数据信号写入及发光阶段所受的偏压应力。
8.根据权利要求7所述的像素驱动方法，其特征在于，所述扫描信号和所述数据信号的频率、相位相同，所述扫描信号和所述数据信号有效时的脉宽相等，所述脉宽为0.8μs～15μs。
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