CN110957988B - 声波装置 - Google Patents

声波装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110957988B
CN110957988B CN201910897423.0A CN201910897423A CN110957988B CN 110957988 B CN110957988 B CN 110957988B CN 201910897423 A CN201910897423 A CN 201910897423A CN 110957988 B CN110957988 B CN 110957988B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
acoustic wave
metal layer
annular metal
hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910897423.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110957988A (zh
Inventor
畑山和重
柿田直辉
黑柳琢真
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyo Yuden Co Ltd filed Critical Taiyo Yuden Co Ltd
Publication of CN110957988A publication Critical patent/CN110957988A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110957988B publication Critical patent/CN110957988B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0566—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

一种声波装置包括：第一基板，该第一基板具有第一表面和第二表面，所述第二表面是所述第一基板的与所述第一表面相反的表面；声波元件，该声波元件位于所述第一表面上；布线部分，该布线部分通过穿通孔电连接所述声波元件和金属部分，所述金属部分位于所述第二表面上，所述穿通孔穿透所述第一基板；以及密封部分，该密封部分位于所述第一表面上以包围所述声波元件，该密封部分从平面图看与所述穿通孔的至少一部分交叠，并且将所述声波元件密封在气隙中。

Description

声波装置
技术领域
本发明的特定方面涉及声波装置。
背景技术
已知通过在基板的设置有声波元件的上表面上提供密封部分使得密封部分包围声波元件来密封声波元件的方法，如在例如日本专利申请公开No.2007-067617、No.2017-204827和No.2013-115664(下文中，分别被称为专利文献1至3)中公开的。已知通过穿透基板的穿透电极将声波元件与基板的下表面电连接，如在例如专利文献1和2中公开的。
发明内容
根据本发明的一方面，提供了一种声波装置，该声波装置包括：第一基板，该第一基板具有第一表面和第二表面，所述第二表面是所述第一基板的与所述第一表面相反的表面；声波元件，该声波元件位于所述第一表面上；布线部分，该布线部分通过穿通孔电连接所述声波元件和金属部分，所述金属部分位于所述第二表面上，所述穿通孔穿透所述第一基板；以及密封部分，该密封部分位于所述第一表面上以包围所述声波元件，该密封部分从平面图看与所述穿通孔的至少一部分交叠，并且将所述声波元件密封在气隙中。
附图说明
图1A是按照第一实施方式的声波装置的截面图，并且图1B是图1A中的部分A的放大视图；
图2A是声波谐振器12的平面图，并且图2B是声波谐振器22的截面图；
图3是按照第一实施方式的声波装置的电路图；
图4A和图4B是第一实施方式中的基板的平面图；
图5A至图5D是例示按照第一实施方式的制造声波装置的方法的截面图(第一)；
图6A至图6D是例示按照第一实施方式的制造声波装置的方法的截面图(第二)；
图7A至图7D是按照第一实施方式的声波装置的平面图(第一)；
图8A至图8C是按照第一实施方式的声波装置的平面图(第二)；
图9是按照第一实施方式的第一变形形式的声波装置的穿透电极附近的平面图；
图10A是沿着图9中的线A-A截取的截面图，并且图10B是沿着图9中的线B-B截取的截面图；
图11是按照第一实施方式的第二变形形式的声波装置的截面图；
图12是按照第一实施方式的第三变形形式的声波装置的截面图；以及
图13A和图13B是第一比较例中的基板的平面图。
具体实施方式
当声波元件与基板的下表面通过穿透基板的穿通孔电连接时，声波装置的尺寸增大。
下文中，将参照附图给出对本公开的实施方式的描述。
第一实施方式
图1A是按照第一实施方式的声波装置的截面图，并且图1B是图1A中的部分A的放大视图。如图1A和图1B中例示的，基板10具有支承基板10a和压电基板11。压电基板11被结合在支承基板10a的上表面上。支承基板10a是例如蓝宝石基板、氧化铝基板、尖晶石基板、石英基板、晶体基板或硅基板，并且是单晶基板、多晶基板或烧结体基板。压电基板11例如是钽酸锂基板或铌酸锂基板，并且是单晶基板。压电基板11的厚度例如为0.5μm至30μm。
端子14和14a位于基板10的下表面上。端子14和14a由诸如但不限于金层或铜层这样的金属层形成。声波谐振器12和布线13位于基板10的上表面上。声波谐振器12与布线13电连接。这里，“电连接”意指两个点被连接成设计的交流电路。交流电路中的意外电磁耦合和意外静电耦合不被包括在“电连接”中。布线13由诸如但不限于铝层或铜层这样的金属层形成。支承基板10a的上表面周缘中的压电基板11被去除。环形金属层37位于去除了压电基板11的区域中。环形金属层37的宽度D1为例如50μm至200μm。
在环形金属层37中形成孔54，并且压电基板11a位于孔54中。孔54的直径D2为例如10μm至100μm。在压电基板11a中形成孔56，并且金属层37a位于孔56中。压电基板11的宽度D3为例如5μm至50μm。环形金属层37和金属层37a通过压电基板11a彼此绝缘。压电基板11和11a由相同材料制成。压电基板11a和压电基板11可以是由不同材料制成的绝缘层。绝缘层的厚度为例如5μm至50μm。
环形金属层37和金属层37a是诸如但不限于铜层、金层、银层、钨层、镍层或钼层这样的金属层。穿透电极15和15a穿透支承基板10a。穿透电极15电连接端子14和金属层37a。穿透电极15a电连接端子14a和环形金属层37。穿透电极15和15a由诸如但不限于铜层、金层、银层或钨层这样的金属层形成。穿透电极15和15a的直径D4为例如10μm至80μm。
绝缘膜17作为声波谐振器12的保护膜位于声波谐振器12上。绝缘膜17a位于压电基板11和压电基板11a之间的环形金属层37上。绝缘膜17和17a是例如硅氧化物膜、硅氮化物膜或铝氧化物膜。绝缘膜17和17a的厚度为例如0.02μm至1μm。布线16位于布线13上。布线16电连接金属层37a和布线13，并且通过绝缘膜17a与环形金属层37绝缘。布线16由诸如但不限于金层、银层、铜层或铝层这样的金属层形成。可以在金层、银层、铜层或铝层下方提供粘合层或诸如但不限于钛层这样的阻挡层。
绝缘膜32位于布线16上。绝缘膜32是诸如但不限于硅氧化物膜、硅氮化物膜或铝氧化物膜这样的无机绝缘膜或诸如但不限于聚酰亚胺树脂膜、环氧树脂膜或酚醛清漆树脂膜这样的树脂膜。绝缘膜32的厚度为例如0.1μm至10μm。结合层34位于绝缘膜32上。结合层34位于支承基板10a的周缘中，以便与环形金属层37交叠。结合层34和金属层37a通过绝缘膜32彼此绝缘。在未设置金属层37a和压电基板11a的区域中，结合层34电连接到环形金属层37。结合层34包括膜厚度为0.5μm至5μm的诸如但不限于镍层、钨层或钼层这样的金属层以及位于金属层上并且厚度为0.03μm至0.1μm的金层。金层是与作为密封部分30的焊料结合的层，并且镍层、钨层或钼层是防扩散层。
声波谐振器22和布线26位于基板20的下表面上。基板20是例如硅基板、诸如但不限于玻璃基板这样的绝缘基板或半导体基板。布线26由诸如但不限于铜层、铝层或金层这样的金属层形成。基板20通过凸块28倒装芯片式安装(面朝下安装)在基板10上。凸块28是诸如但不限于金凸块、焊料凸块或铜凸块这样的金属凸块。凸块28结合布线16和26。
密封部分30位于基板10上，以便包围基板20。密封部分30由诸如但不限于焊料的金属材料制成。密封部分30结合至结合层34。平坦封盖36位于基板20的上表面和密封部分30的上表面上。封盖36是例如金属板或绝缘板。保护膜38被定位成覆盖封盖36和密封部分30。保护膜38是金属膜或绝缘膜。
声波谐振器12隔着气隙25面对基板20，并且声波谐振器22隔着气隙25面对基板10。气隙25由密封部分30、基板10、基板20和封盖36密封。凸块28被气隙25包围。
端子14通过穿透电极15、金属层37a和布线16和13电连接到声波谐振器12。此外，端子14通过凸块28和布线26电连接到声波谐振器22。端子14通过绝缘膜17a和32与环形金属层37和结合层34绝缘。端子14a通过穿透电极15a、环形金属层37和结合层34电连接到密封部分30。当向端子14a供应地电位时，环形金属层37、结合层34和密封部分30具有地电位，并且用作屏蔽件。
图2A是声波谐振器12的平面图，并且图2B是声波谐振器22的截面图。如图2A中例示的，声波谐振器12是表面声波谐振器。指状组合型换能器(interdigital，IDT)42和反射器41形成在压电基板11上。IDT 42包括彼此面对的一对梳形电极42d。梳形电极42d具有多个电极指42a和连接电极指42a的汇流条42c。反射器41位于IDT 42的两侧。IDT 42激励压电基板11上的表面声波。可以在IDT42和反射器41上提供用作温度补偿膜的诸如但不限于硅氧化物膜这样的绝缘膜。
如图2B中例示的，声波谐振器22是压电薄膜谐振器。压电膜46位于基板20上。下电极45和上电极47隔着压电膜46彼此面对。在下电极45和基板20之间形成气隙49。在下电极45和上电极47隔着压电膜46彼此面对的区域是以厚度延伸模式激励声波的谐振区域48。下电极45和上电极47由诸如但不限于钌膜这样的金属膜形成，并且压电膜46例如是铝氮化物膜。声波谐振器22可以是诸如图2A中例示的表面声波谐振器这样的表面声波谐振器。
图3是按照第一实施方式的声波装置的电路图。声波装置是双工器，并且发送滤波器60连接在公共端子Ant和发送端子Tx之间。接收滤波器62连接在公共端子Ant和接收端子Rx之间。公共端子Ant、发送端子Tx、接收端子Rx和接地端子独立地由图1A中的端子14形成。发送滤波器60的通带和接收滤波器62的通带不交叠。发送滤波器60向公共端子Ant发送输入至发送端子Tx的高频信号当中的发送频带中的信号，并且抑制其它频带中的信号。接收滤波器62向接收端子Rx发送输入至公共端子Ant的高频信号当中的接收频带中的信号，并且抑制其他频带中的信号。
图4A和图4B是第一实施方式中的基板的平面图。图4A是基板10的平面图，并且用虚线指示位于基板10的下表面上的公共端子Ant、发送端子Tx、接收端子Rx和接地端子G。图4B是从上方透视地观察基板20的平面图。如图4A中例示的，多个声波谐振器12、布线16和环形金属层37位于基板10上。声波谐振器12包括串联谐振器S11和S12以及并联谐振器P11。凸块28位于布线16上。环形金属层37位于基板10的周缘中，以便包围声波谐振器12。
压电基板11a位于环形金属层37上，并且金属层37a位于压电基板11a中。布线16连接在声波谐振器12之间，连接声波谐振器12和凸块28，并且连接声波谐振器12和金属层37a。多个金属层37a通过穿透电极15联接到位于基板10的下表面上的公共端子Ant、发送端子Tx、接收端子Rx和接地端子G。串联谐振器S11和S12串联连接在公共端子Ant和发送端子Tx之间。并联谐振器P11并联连接在公共端子Ant和发送端子Tx之间。并联谐振器P11联接到接地端子G。串联谐振器S11和S12以及并联谐振器P11形成发送滤波器60。
如图4B中例示的，多个声波谐振器22和布线26位于基板20(图1A中的下表面)上。声波谐振器22包括串联谐振器S21和S22以及并联谐振器P21。布线26连接在声波谐振器22之间，并且连接声波谐振器22和凸块28。凸块28结合到布线26。多个凸块28连接到公共端子Ant、接收端子Rx和接地端子G。串联谐振器S21和S22串联连接在公共端子Ant和接收端子Rx之间。并联谐振器P21并联连接在公共端子Ant和接收端子Rx之间。并联谐振器P21联接到接地端子G。串联谐振器S21和S22以及并联谐振器P21形成接收滤波器62。
可以自由地选择发送滤波器60和接收滤波器62中的每个中的串联谐振器的数目和并联谐振器的数目。
图5A至图6D是例示按照第一实施方式的制造声波装置的方法的截面图。图7A至图8C是按照第一实施方式的声波装置的平面图。
如图5A和图7A中例示的，压电基板11被结合至支承基板10a的上表面。通过例如表面活化结合(surface activated bonding)而结合压电基板11。在表面活化结合时，使用离子束、中性束(neutralized beam)或等离子体使支承基板10a的上表面和压电基板11的下表面活化。此后，结合支承基板10a的上表面和压电基板11的下表面。通过这个过程，直接结合支承基板10a和压电基板11。在支承基板10a和压电基板11之间形成厚度为10nm或更小的非晶层。与压电基板11相比，非晶层非常薄。因此，实际上直接结合支承基板10a和压电基板11。
去除区域50a和50b中的压电基板11。区域50b是支承基板10a的周缘区域。压电基板11a在区域50b中保持环形。区域50a位于压电基板11a中。使用图案化的光致抗蚀剂作为掩模层，通过例如喷砂、湿刻蚀或干刻蚀去除压电基板11。可以不必使用掩模层，并且可以使用激光烧蚀方法。
如图5B和图7B中例示的，在区域50a中的支承基板10a中形成孔52。在区域50b中的支承基板10a中形成孔52a。通过例如激光烧蚀或干刻蚀形成孔52和52a。
如图5C和图7C中例示的，区域50a和50b以及孔52和52a被填充有导电材料。该过程在孔52中形成穿透电极15，在孔52a中形成穿透电极15a，在区域50a中形成金属层37a并且在区域50b中形成环形金属层37。通过例如电解电镀、非电解电镀、真空印刷、溅射、真空蒸发或化学气相沉积(CVD)进行导电材料的填充。
如图5D和图7D中例示的，具有IDT和反射器的声波谐振器12和布线13形成在压电基板11上。绝缘膜17形成在声波谐振器12上，并且绝缘膜17a形成在压电基板11a附近的环形金属层37上。通过例如溅射、真空蒸发或CVD形成绝缘膜17和17a，然后通过刻蚀对其进行图案化。当使绝缘膜17和17a的厚度不同时，可以单独地形成绝缘膜17和17a。在绝缘膜17a中形成暴露金属层37a的上表面的孔53。
如图6A和图8A中例示的，布线16形成在绝缘膜17a上。布线16通过孔53电连接到金属层37a，并且与环形金属层37绝缘。通过例如真空蒸发或溅射形成布线16，然后通过刻蚀或剥离(liftoff)对其进行图案化。
如图6B和图8B中例示的，绝缘膜32形成在布线16上。通过例如溅射、真空蒸发或CVD形成绝缘膜32，然后通过刻蚀对其进行图案化。当绝缘膜32由树脂制成时，可以施用感光树脂，然后通过曝光和显影对其进行图案化。
如图6C和图8C中例示的，结合层34形成在绝缘膜32和环形金属层37上。结合层34电连接到环形金属层37，并且通过绝缘膜32与布线16绝缘。通过例如真空蒸发或溅射形成结合层34，然后通过刻蚀或剥离对其进行图案化。可以通过电解电镀或非电解电镀形成结合层34。
如图6D中例示的，支承基板10a的下表面被抛光或研磨。该过程使穿透电极15和15a暴露。与穿透电极15和15a分别电连接的端子14和14a形成在支承基板10a的下表面上。此后，使用凸块28以倒装芯片式安装基板20。形成密封部分30和封盖36。声波装置被分成独立的声波装置，然后通过电镀形成保护膜38。
第一实施方式的第一变形形式
图9是按照第一实施方式的第一变形形式的声波装置的穿透电极附近的平面图，图10A是沿着图9中的线A-A截取的截面图，并且图10B是沿着图9中的线B-B截取的截面图。如图9至图10B中例示的，金属层37a位于比第一实施方式的金属层37a更往里的位置。压电基板11a联接到压电基板11。环形金属层37和压电基板11a都不位于金属层37a和压电基板11之间。其它结构与第一实施方式的其它结构相同，因此省略对其的描述。如在第一实施方式的第一变形形式中，如果金属层37a的至少一部分和/或穿透电极15的至少一部分与密封部分30结合到结合层34的区域交叠就足够了。
第一实施方式的第二变形形式
图11是按照第一实施方式的第二变形形式的声波装置的截面图。如图11中例示的，未提供基板20。封盖36不是平板，并且周缘部分位于比中心部分低的位置。没有提供保护膜38。封盖36包括金属板36c和位于金属板36c的下表面上的绝缘膜36d。金属板36c是例如科瓦铁镍钴合金(kovar)板或铁镍合金板。绝缘膜36d是例如硅氧化物膜。
绝缘膜36d形成在金属板36c的下表面上。去除金属板36c的周缘中的绝缘膜36d。其它结构和制造方法的其它步骤与第一实施方式的相同，因此省略对其的描述。如在第一实施方式的第二变形形式中一样，可以不一定提供基板20。
第一实施方式的第三变形形式
图12是按照第一实施方式的第三变形形式的声波装置的截面图。如图12中例示的，未提供基板20。密封部分30a由树脂制成。绝缘膜32和结合层34都不位于布线16上。封盖36包括绝缘板36a和位于绝缘板36a的下表面上的导电膜36b。绝缘板36a是例如蓝宝石基板、铝氧化物基板、钽酸锂基板、铌酸锂基板或硅基板。导电膜36b是诸如但不限于钛膜这样的粘合膜。
通过例如溅射，在绝缘板36a的下表面上形成导电膜36b。将成为密封部分30a的树脂形成在封盖36的下表面上。通过例如施用感光树脂然后对感光树脂进行曝光和显影来形成树脂。在临时烘烤之后，将密封部分30a附接到基板10上，然后进行烘烤。此后，通过溅射形成镍膜作为保护膜38。其它结构和制造方法的其它步骤与第一实施方式的其它结构相同，因此省略对其的描述。
如在第一实施方式的第三变形形式中一样，密封部分30a可以由树脂制成。由于密封部分30a由树脂制成，因此可以省略结合层34。另外，由于密封部分30a由绝缘材料制成，因此可以省略绝缘膜32。当如第一实施方式中一样提供基板20时，密封部分可以由树脂制成。
第一比较例
图13A和图13B是第一比较例中的基板的平面图。图13A是基板10的平面图，并且图13B是从上方透视地观察基板20的平面图。如图13A和图13B中例示的，在第一比较例中，穿透电极15不与基板10的周缘中的密封部分交叠。因此，基板10和20的面积因穿透电极15和焊盘的面积而增大。另外，用于发送端子Tx和接收端子Rx的穿透电极15之间的距离L1短。因此，发送端子Tx和接收端子Rx之间的隔离特性劣化。例如，在接收频带中输入到发送端子Tx的信号泄漏到接收端子Rx。
在第一实施方式及其变形形式中，如图1A和图1B中例示的，声波谐振器12(声波元件)位于基板10(第一基板)的上表面(第一表面)上。布线16、金属层37a和穿透电极15形成布线部分，布线部分通过穿透基板10的穿通孔(其中形成有穿透电极15和金属层37a的穿通孔)电连接位于基板10的下表面(与第一表面相反的第二表面)上的端子14a(金属部分)和声波谐振器12。密封部分30位于基板10的上表面上以包围声波谐振器12，从平面图看与穿通孔(即，穿透电极15和金属层37a)的至少一部分交叠，并且将声波谐振器12密封在气隙25中。如上所述，由于密封部分30与穿通孔交叠，因此基板10的面积减小。因此，声波装置的尺寸减小。
由于穿透电极15和15a可以位于密封部分30所在的基板10的周缘中，因此穿透电极15和15a的数目可以增加。
如在第一实施方式及其第一变形形式和第二变形形式中一样，当密封部分30是金属密封部分时，绝缘膜32(第一绝缘膜)位于密封部分30和布线16之间，并且使密封部分30与布线16彼此绝缘。因此，使用布线部分作为信号布线。
基板10包括支承基板10a和结合在支承基板10a上的压电基板11。环形金属层37包围声波谐振器12，环形金属层37在支承基板10a上位于去除了压电基板11的区域中，并且与密封部分30结合。穿通孔穿透环形金属层37。压电基板11a位于穿通孔(即，金属层37a)和环形金属层37之间。即使在提供环形金属层37时，该结构也允许布线部分与环形金属层37彼此绝缘。
如在第一实施方式及其第二变形形式中一样，环形金属层37定位成从平面图看包围穿通孔(即，金属层37a)，而压电基板11a从平面图看位于环形金属层37和穿通孔之间。布线16和环形金属层37在基板10的厚度方向上交叠。绝缘膜17a(第二绝缘膜)在布线16与环形金属层37的交叠区域中位于布线16和环形金属层37之间，并且使布线16与环形金属层37彼此绝缘。即使在布线16与环形金属层37交叠时，该结构也允许布线16与环形金属层37彼此绝缘。
穿透电极15a穿透支承基板10a，并且电连接环形金属层37和支承基板10a的下表面。密封部分30电连接合到环形金属层37。该结构允许地电位通过穿透电极15a供应到密封部分30。由于布线16和金属层37a被密封部分30和环形金属层37覆盖，因此布线16和其它布线之间以及金属层37a和其它布线之间的联接区域减小。
密封部分30是焊料密封部分。结合层34位于绝缘膜32和环形金属层37上，结合层34没有设置绝缘膜32的区域中与环形金属层37电连接，并且与密封部分30结合。密封部分30和结合层34的结合区域在基板10的厚度方向上与金属层37a的至少一部分交叠。因此，由焊料制成的密封部分30可以结合在基板10上。
如在第一实施方式及其第一变形形式中，基板20(第二基板)隔着气隙25面对基板10。密封部分30被定位成包围基板20。封盖36位于密封部分30和基板20上。这种结构允许基板20被封盖36和密封部分密封。
如图3至图4B中例示的，发送滤波器60(第一滤波器)电连接在公共端子Ant和发送端子Tx(第一端子)之间。接收滤波器62(第二滤波器)电连接在公共端子Ant和接收端子Rx(第二端子)之间。发送滤波器60和接收滤波器62中的至少一个包括声波谐振器12。如上所述，声波装置可以被配置成多路复用器。已经描述了发送滤波器60和接收滤波器62是梯型滤波器的情况，但是发送滤波器60和/或接收滤波器62可以是多模型滤波器。已经描述了第一滤波器和第二滤波器是发送滤波器和接收滤波器的情况，但是第一滤波器和第二滤波器都可以是发送滤波器或都可以是接收滤波器。已经描述了多路复用器是双工器的情况，但是多路复用器可以是三工器或四工器。
发送端子Tx和接收端子Rx位于基板10的下表面上。如图4A中例示的，穿通孔(金属层37a)包括联接到发送端子Tx的第一穿通孔和联接到接收端子Rx的第二穿通孔。第一穿通孔位于基板10的一对侧部分中的第一侧部分中，这对侧部分彼此面对。第二穿通孔位于该对侧部分中的第二侧部分中。该结构增加了发送端子Tx和接收端子Rx之间的距离。因此，隔离特性得以改善。
封盖36位于密封部分30上。封盖36和密封部分30将声波谐振器12密封在气隙25中。可以不是必须提供封盖36，并且可以通过密封部分30将声波谐振器12密封在气隙25中。
虽然已经详细描述了本发明的实施方式，但是要理解，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可对其进行各种改变、替换和更改。

Claims (8)

1.一种声波装置，该声波装置包括：
第一基板，该第一基板具有第一表面和第二表面，所述第二表面是所述第一基板的与所述第一表面相反的表面；
声波元件，该声波元件位于所述第一表面上；
布线部分，该布线部分通过穿通孔将所述声波元件和金属部分电连接，所述金属部分位于所述第二表面上，所述穿通孔穿透所述第一基板；
金属密封部分，该密封部分位于所述第一表面上以便包围所述声波元件，该密封部分从平面图看与所述穿通孔的至少一部分交叠，并且将所述声波元件密封在气隙中；以及
第一绝缘膜，该第一绝缘膜位于所述金属密封部分和所述布线部分之间，并且使所述金属密封部分和所述布线部分彼此绝缘，
其中，
所述第一基板包括具有所述第二表面的支承基板和具有所述第一表面的压电基板，所述压电基板结合在所述支承基板上，
所述声波装置还包括环形金属层，所述环形金属层包围所述声波元件并且在所述支承基板上位于去除了所述压电基板的区域中，所述金属密封部分结合到所述环形金属层，
所述穿通孔穿透所述环形金属层，并且
所述压电基板位于所述穿通孔和所述环形金属层之间。
2.根据权利要求1所述的声波装置，其中，
所述环形金属层被定位成从平面图看包围所述穿通孔，并且从平面图看所述压电基板位于所述环形金属层和所述穿通孔之间，
所述布线部分和所述环形金属层在所述第一基板的厚度方向上交叠，并且
所述声波装置还包括第二绝缘膜，所述第二绝缘膜在所述布线部分和所述环形金属层的交叠区域中位于所述布线部分和所述环形金属层之间，所述第二绝缘膜使所述布线部分与所述环形金属层彼此绝缘。
3.根据权利要求1或2所述的声波装置，该声波装置还包括：
穿透电极，该穿透电极穿透所述支承基板，并且将所述环形金属层和所述第二表面电连接，
其中，所述金属密封部分电连接到所述环形金属层。
4.根据权利要求1或2所述的声波装置，该声波装置还包括：
结合层，该结合层位于所述第一绝缘膜和所述环形金属层上，该结合层在没有设置所述第一绝缘膜的区域中与所述环形金属层电连接，所述结合层与所述密封部分结合，其中，
所述金属密封部分是焊料密封部分，并且
所述金属密封部分和所述结合层结合的区域在所述第一基板的厚度方向上与所述穿通孔的至少一部分交叠。
5.根据权利要求1或2所述的声波装置，所述声波装置还包括：
第二基板，该第二基板隔着所述气隙面对所述第一基板，
其中，所述金属密封部分被设置成包围所述第二基板。
6.根据权利要求1或2所述的声波装置，所述声波装置还包括：
第一滤波器，该第一滤波器电连接在公共端子和第一端子之间；以及
第二滤波器，该第二滤波器电连接在所述公共端子和第二端子之间，其中，
所述第一滤波器和所述第二滤波器中的至少一个包括所述声波元件，并且
所述公共端子、所述第一端子和所述第二端子中的每一个都是所述金属部分。
7.根据权利要求6所述的声波装置，其中，
所述第一端子和所述第二端子位于所述第二表面上，
所述穿通孔包括联接到所述第一端子的第一穿通孔和联接到所述第二端子的第二穿通孔，
所述第一穿通孔位于所述第一基板的一对侧部分中的第一侧部分中，所述一对侧部分彼此面对，并且
所述第二穿通孔位于所述一对侧部分中的第二侧部分中。
8.根据权利要求1或2所述的声波装置，所述声波装置还包括：
封盖，该封盖位于所述金属密封部分上，所述封盖和所述密封部分将所述声波元件密封在所述气隙中。
CN201910897423.0A 2018-09-26 2019-09-23 声波装置 Active CN110957988B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-180847 2018-09-26
JP2018180847A JP7231368B2 (ja) 2018-09-26 2018-09-26 弾性波デバイス

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110957988A CN110957988A (zh) 2020-04-03
CN110957988B true CN110957988B (zh) 2023-09-26

Family

ID=69885054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910897423.0A Active CN110957988B (zh) 2018-09-26 2019-09-23 声波装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11050408B2 (zh)
JP (1) JP7231368B2 (zh)
CN (1) CN110957988B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022123892A1 (ja) * 2020-12-07 2022-06-16 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1741379A (zh) * 2004-08-26 2006-03-01 京瓷株式会社 声表面波元件、声表面波装置以及通信装置
CN103378816A (zh) * 2012-04-27 2013-10-30 精工爱普生株式会社 基底基板、电子器件以及基底基板的制造方法
CN105827213A (zh) * 2015-01-27 2016-08-03 珠海越亚封装基板技术股份有限公司 薄膜体声波共振器滤波器的制造方法
WO2017132183A1 (en) * 2016-01-28 2017-08-03 Qorvo Us, Inc. Surface acoustic wave device having a piezoelectric layer on a quartz substrate and methods of manufacturing thereof
CN107204750A (zh) * 2016-03-18 2017-09-26 太阳诱电株式会社 声波器件
WO2017179300A1 (ja) * 2016-04-14 2017-10-19 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
CN107437928A (zh) * 2016-05-26 2017-12-05 太阳诱电株式会社 声波装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10238523B4 (de) * 2002-08-22 2014-10-02 Epcos Ag Verkapseltes elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
US7307369B2 (en) * 2004-08-26 2007-12-11 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device, surface acoustic wave apparatus, and communications equipment
JP4760222B2 (ja) * 2005-08-26 2011-08-31 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波デバイス
JP2007067617A (ja) 2005-08-30 2007-03-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 共用器及びそれを用いた通信機器
JP2012182604A (ja) * 2011-03-01 2012-09-20 Panasonic Corp 弾性波フィルタ部品
JP5873311B2 (ja) 2011-11-29 2016-03-01 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス及び多層基板
US9099982B2 (en) * 2012-01-25 2015-08-04 International Business Machines Corporation Method of manufacturing switching filters and design structures
WO2015098679A1 (ja) * 2013-12-27 2015-07-02 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
JP6509147B2 (ja) * 2016-02-29 2019-05-08 太陽誘電株式会社 電子デバイス
JP6454299B2 (ja) * 2016-05-13 2019-01-16 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
JP6534366B2 (ja) * 2016-06-07 2019-06-26 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
CN109314500A (zh) * 2016-06-09 2019-02-05 株式会社村田制作所 弹性波装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1741379A (zh) * 2004-08-26 2006-03-01 京瓷株式会社 声表面波元件、声表面波装置以及通信装置
CN103378816A (zh) * 2012-04-27 2013-10-30 精工爱普生株式会社 基底基板、电子器件以及基底基板的制造方法
CN105827213A (zh) * 2015-01-27 2016-08-03 珠海越亚封装基板技术股份有限公司 薄膜体声波共振器滤波器的制造方法
WO2017132183A1 (en) * 2016-01-28 2017-08-03 Qorvo Us, Inc. Surface acoustic wave device having a piezoelectric layer on a quartz substrate and methods of manufacturing thereof
CN107204750A (zh) * 2016-03-18 2017-09-26 太阳诱电株式会社 声波器件
WO2017179300A1 (ja) * 2016-04-14 2017-10-19 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
CN107437928A (zh) * 2016-05-26 2017-12-05 太阳诱电株式会社 声波装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN110957988A (zh) 2020-04-03
JP2020053812A (ja) 2020-04-02
JP7231368B2 (ja) 2023-03-01
US11050408B2 (en) 2021-06-29
US20200099361A1 (en) 2020-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10250219B2 (en) Acoustic wave device
US10090825B2 (en) Acoustic wave device
JP6934324B2 (ja) 弾性波デバイス
CN100539413C (zh) 弹性表面波元件、弹性表面波装置以及通信装置
JP2004254325A (ja) フィルムバルク弾性波共振器を有するデュプレクサフィルタ及びその半導体パッケージ
JPH0799420A (ja) 弾性表面波素子実装回路
KR102062185B1 (ko) 전자 부품 및 그 제조 방법
JP2019004264A (ja) 弾性波デバイス
US20220140224A1 (en) Acoustic wave device and communication module
JP6653646B2 (ja) 電子部品およびその製造方法
JP2019021998A (ja) 電子部品
JP6909060B2 (ja) 電子部品
CN110957988B (zh) 声波装置
JP2022044314A (ja) 弾性波デバイス
JP7426196B2 (ja) 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ及びマルチプレクサ
JP7340344B2 (ja) 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ
US20220416757A1 (en) Acoustic wave device, filter and multiplexer
JP7406341B2 (ja) 電子部品、フィルタおよびマルチプレクサ
WO2023162597A1 (ja) 弾性波フィルタ装置
JP2021034746A (ja) 電子デバイスおよびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ
JP2022137818A (ja) 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタおよびマルチプレクサ
JP2023004743A (ja) 電子部品
JP2022180292A (ja) 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール
JP2024003642A (ja) 電子部品およびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ
JP2023174103A (ja) 電子部品およびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant