JP7480715B2

JP7480715B2 - 半導体装置

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Publication number: JP7480715B2
Application number: JP2021006576A
Authority: JP
Inventors: 秀俊石橋
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2021-01-19
Filing date: 2021-01-19
Publication date: 2024-05-10
Anticipated expiration: 2041-01-19
Also published as: JP2022110873A

Description

本開示は、半導体装置に関する。

特許文献１には、半導体チップと、半導体チップの上面に一端の下面が接続される外部端子であるリード電極と、半導体チップの下面側に配置される冷却機構と、放熱機構とを備えた半導体装置が開示されている。放熱機構は、リード電極の一端よりも他端側の下面と冷却機構との間に熱的に結合して配置され、かつ、少なくとも１つの絶縁層を含む。

特許第６５９０９５２号公報

特許文献１の半導体装置では、リード電極の下に放熱機構として放熱ブロックを設け、半導体チップおよびリード電極を放熱させている。このような構造では、放熱ブロックを基板上にリード電極とは別に配置する必要がある。このため、放熱ブロックの位置決めが困難となり、製造が容易にできないおそれがあった。

本開示は、上述の課題を解決するためになされたもので、リード電極を容易に放熱させることができる半導体装置を得ることを目的とする。

本開示に係る半導体装置は、絶縁層と、前記絶縁層の上面に設けられた第１導体パタンと、前記絶縁層の上面と反対側の裏面に設けられた裏面パタンと、前記第１導体パタンに接合された半導体チップと、前記裏面パタンに接合されたベース板と、前記ベース板の上において前記絶縁層及び前記半導体チップを囲むケースと、前記ケースの内部を絶縁封止する封止樹脂と、前記半導体チップの上面に接合され、前記ケースの外部まで延びる電極部と、前記絶縁層の上面に設けられた放熱パタンと、を備え、前記電極部には、前記半導体チップに接合された部分と前記ケースの外部に露出した部分との間に、前記放熱パタンと接合された接合部が設けられ、前記接合部は、前記電極部のうち前記半導体チップの制御電極に接合された部分と前記ケースの外部に露出した部分との間に設けられる。

本開示に係る半導体装置では、放熱パタンを用いて、電極部から放熱パタンに放熱させることができる。従って、電極部を容易に放熱させることができる

実施の形態１に係る半導体装置の平面図である。実施の形態１に係る半導体装置の断面図である。熱の伝わり方を説明する図である。実施の形態２に係る半導体装置の断面図である。実施の形態３に係る半導体装置の断面図である。実施の形態３に係る屈曲部を別の方向から見た図である。実施の形態４に係る半導体装置の断面図である。実施の形態５に係る半導体装置の断面図である。実施の形態６に係る半導体装置の平面図である。実施の形態６に係る半導体装置の断面図である。実施の形態７に係る半導体装置の断面図である。実施の形態８に係る半導体装置の断面図である。実施の形態９に係る半導体装置の断面図である。

各本実施の形態に係る半導体装置について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る半導体装置１００の平面図である。図２は、実施の形態１に係る半導体装置１００の断面図である。図２は、図１をＡ－Ａ直線で切断することで得られる断面図である。以下では、半導体装置１００がＩＧＢＴ（ＩｎｓｕｌａｔｅｄＧａｔｅＢｉｐｏｌａｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）とＦＷＤｉ（ＦｒｅｅＷｈｅｅｌｉｎｇＤｉｏｄｅ）を１つずつ備える１ｉｎ１パッケージである例について説明する。これに限らず、半導体装置１００は半導体チップを少なくとも１つ備えれば良い。半導体装置１００は、例えば大電流の制御に用いられる。

半導体装置１００は絶縁基板５を備える。絶縁基板５は、絶縁層１と、絶縁層１の上面に設けられた導体パタン２および放熱パタン４と、絶縁層１の上面と反対側の裏面に設けられた裏面パタン３を有する。導体パタン２は回路パタンである。放熱パタン４と導体パタン２は独立している。

絶縁層１は薄板状である。絶縁層１は、例えばＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３等のセラミックから形成される。絶縁層１は、セラミックフィラー入りのエポキシ樹脂等の有機絶縁材料から形成されても良い。絶縁基板５は、絶縁層１を金属で上下から挟みこみ、熱プレスすることで製造される。絶縁層１の上下に貼りつけられた金属をエッチング法等で加工することにより、導体パタン２、裏面パタン３および放熱パタン４が形成される。この際、必要な絶縁距離が確保される。パタンの材料としては、一般に銅またはアルミが用いられる。

裏面パタン３は、はんだ６でベース板７に接合される。なお、本実施の形態および他の実施の形態において、はんだ接合は他の金属接合で代替されても良い。金属接合には、例えばＡｇ焼結接合等の熱伝導率が高い接合方法が含まれる。ベース板７には、Ｃｕ、Ａｌ、ＡｌＳｉＣ等の熱伝導率の高い材料が使用されることが望ましい。ベース板７の材料は、ベース板７の反り等の設計要件により選択するのが望ましい。

導体パタン２には、半導体チップ８、１０が接合される。半導体チップ８は、例えばＩＧＢＴチップであり、はんだ９で導体パタン２上に接合される。半導体チップ１０は、例えばＦｗＤｉチップであり、はんだ１１で導体パタン２上に接合される。半導体チップ８、１０は、ＲＣ（Ｒｅｖｅｒｓｅ－Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ）－ＩＧＢＴチップであっても良い。

半導体チップ８、１０の上面には、電極部１８が接合される。電極部１８はパッケージの外部まで延びる。電極部１８はパタンおよびワイヤを介さずにパッケージの外部に至る。本実施の形態では、パッケージはケース１６から構成される。半導体チップ８は、はんだ１２で電極部１８と接合される。半導体チップ１０は、はんだ１３で電極部１８と接合される。

電極部１８は、パッケージの外部に露出した部分である露出部１８ａを有する。露出部１８ａは、ケース１６の上面から突出する。電極部１８には、半導体チップ８、１０に接合された部分１８ｂと露出部１８ａとの間に、放熱パタン４と接合された接合部１８ｃが設けられる。接合部１８ｃは、はんだ１４により放熱パタン４と接続される。

また、導体パタン２は電極部１７と接合され、電極部１７と電気的に接続されている。電極部１７は、パッケージの外部に露出した部分である露出部１７ａを有する。露出部１７ａはケース１６から突出する。電極部１７と導体パタン２の接合には、はんだ等による金属接合または超音波金属接合等が用いられる。

本実施の形態の電極部１８は、１つの導電性部材から形成される。電極部１８は例えば平板状の導体である。これに限らず、電極部１８のうち半導体チップ８、１０に接合された部分１８ｂと、露出部１８ａとは、電気的および熱的に接合されていれば別部品であっても良い。電極部１７についても同様である。

半導体チップ８は図示しない制御電極を有する。制御電極には、外部と接続される信号用電極が電気的に接続される。半導体チップ８は、制御電極と信号用電極を介して、外部からの制御を受ける。これにより、電極部１７から半導体チップ８を通り電極部１８へ流れる電流が制御される。

電極部１８と電極部１７はケース１６に固定されている。ケース１６の内部は封止樹脂１５により絶縁封止される。これにより、ケース１６内部の絶縁性が保たれる。封止樹脂１５は、例えばシリコーンゲルである。封止樹脂１５はエポキシ等の熱硬化性樹脂であっても良い。封止樹脂１５は、要求される設計要件により選択することができる。

本実施の形態の半導体装置１００のように、ワイヤボンディングに代えて、半導体チップ上にリードフレームがはんだ等で接合された構造が採用されることがある。この構造によれば、半導体装置１００の小型化および長寿命化が可能となる。半導体チップ上にリードフレームが直接接合される構造では、パッケージの外側に突出した外部接続用の端子に半導体チップの熱が伝わり、端子が高温となる可能性がある。

本実施の形態では平面視において、半導体チップ１０から露出部１８ａまでの距離Ｌ２より、露出部１８ａから放熱パタン４までの距離Ｌ１が短い。つまりＬ２＞Ｌ１となる。図３は、熱の伝わり方を説明する図である。本実施の形態では、半導体チップ８、１０が発する熱が露出部１８ａに伝わる途中で、熱を放熱パタン４に伝えることができる。さらに、放熱パタン４に伝わった熱を、絶縁基板５、ベース板７、および、ベース板７の下にサーマールインターフェイスマテリアルを介して取り付けられた図示しない放熱フィンに逃がすことができる。従って、露出部１８ａの温度の上昇を抑制することができる。

また、絶縁基板５に放熱パタン４が設けられていない場合、例えば電極部１８と絶縁層１とを放熱ブロック等を介して接続して、電極部１８を放熱させることが考えられる。このような構造では、放熱ブロックを電極部１８、絶縁基板５とは別に配置する工程が必要となる。また、絶縁層１として絶縁シートを用いる場合、絶縁層１に放熱ブロックを配置することが、絶縁シートを硬化させるプロセスに影響を及ぼす可能性がある。また、放熱ブロックを配置するための領域を絶縁層１上に確保できないおそれがある。さらに、絶縁距離の確保を考慮すると、放熱ブロックの位置決めが容易ではない可能性がある。従って、半導体装置の製造が困難となる可能性がある。

これに対し、本実施の形態では、絶縁基板５と一体化された状態で放熱パタン４が設けられる。このため、放熱パタン４と電極部１８を熱的に接続して、半導体チップ８、１０および電極部１８を容易に放熱させることができる。特に本実施の形態では、放熱パタン４と電極部１８をはんだ１４で接合すれば良く、組立が容易となる。また、放熱ブロックが不要であり、材料費を抑制できる。

また、放熱パタン４と電極部１８を放熱ブロック等を介して接続する場合にも、予め絶縁基板５に設けられた放熱パタン４上に放熱ブロックを設ければ良い。このため、放熱ブロックの位置決めを容易に実施できる。従って、半導体チップ８、１０および電極部１８を容易に放熱させることができる。

また、放熱パタン４は絶縁基板５の一部として設けられる。この場合、放熱パタン４を高精度で形成できる。従って、絶縁基板５の絶縁性を安定化させることができる。

絶縁基板５、はんだ６、ベース板７の構成は、必要な絶縁性能と放熱性能が確保されれば、変更されても良い。例えばはんだ６およびベース板７は設けられなくても良い。この場合、裏面パタン３が、ベース板７が設けられる領域まで拡張され、図示しない放熱フィンと接触しても良い。つまり、裏面パタン３、はんだ６およびベース板７が１つの導体部を構成しても良い。

また、電極部１８の接合部１８ｃと放熱パタン４は、はんだ接合またはＡｇ焼結接合等により、接合材によって接合される。これに限らず、接合部１８ｃと放熱パタン４は直接接合されても良い。直接接合は例えば超音波接合により実施できる。

また、半導体チップ８、１０はワイドバンドギャップ半導体によって形成されても良い。ワイドバンドギャップ半導体は、例えば炭化珪素、窒化ガリウム系材料またはダイヤモンドである。本実施の形態によれば、ワイドバンドギャップ半導体により形成された半導体装置１００が高温動作する場合にも、半導体チップ８、１０および電極部１８を容易に放熱させることができる。

これらの変形は、以下の実施の形態に係る半導体装置について適宜応用することができる。なお、以下の実施の形態に係る半導体装置については実施の形態１との共通点が多いので、実施の形態１との相違点を中心に説明する。

実施の形態２．
図４は、実施の形態２に係る半導体装置２００の断面図である。図２では、半導体装置２００のうち放熱パタン４の近傍のみが示されている。半導体チップ８、１０の上面に接合される電極部２１８は、放熱パタン４に向かって突出する凸部２１８ｄを有する。電極部２１８のうち放熱パタン４との接合部は、凸部２１８ｄに設けられる。凸部２１８ｄは、例えば電極部２１８が折り曲げられることで形成されている。

本実施の形態では凸部２１８ｄにより、放熱パタン４と電極部２１８との距離を縮めることができる。従って、熱抵抗を低減させ、放熱効率を向上させることができる。また、電極部２１８は、凸部２１８ｄと放熱パタン４とが接触するように設計されても良い。この場合、超音波接合などの直接接合方式を用いて、凸部２１８ｄと放熱パタン４とを接合できる。

実施の形態３．
図５は、実施の形態３に係る半導体装置３００の断面図である。半導体装置３００の電極部３１８は、主部１１８と、屈曲部３１９とを有する。主部１１８は、半導体チップ８、１０に接合され、パッケージの外部まで延びる。屈曲部３１９は、主部１１８のうち半導体チップ８、１０に接合された部分と、パッケージの外部に露出した部分との間で、主部１１８から分岐する。

図６は、実施の形態３に係る屈曲部３１９を別の方向から見た図である。屈曲部３１９は、放熱パタン４に向かって下方に屈曲する。屈曲部３１９のうち主部１１８と反対側の端部３１９ａは、放熱パタン４に沿って延びる。電極部３１８において放熱パタン４との接合部は、屈曲部３１９の端部３１９ａに設けられる。

本実施の形態では屈曲部３１９が設けられることで、放熱パタン４と電極部３１８との距離を縮めることができる。従って、熱抵抗を低減させ、放熱効率を向上させることができる。屈曲部３１９は、電極部３１８の一部を折り曲げて形成されても良い。屈曲部３１９を折り曲げて形成することで、端部３１９ａの位置および高さを調節できる。従って、放熱パタン４の位置および厚さの自由度を向上できる。

電極部３１８は、端部３１９ａと放熱パタン４とが接触するように設計されても良い。この場合、超音波接合などの直接接合方式を用いて、凸部２１８ｄと放熱パタン４とを接合できる。超音波接合ツール等がパッケージに入らない場合には、はんだ接合等で端部３１９ａと放熱パタン４とを接合しても良い。

実施の形態４．
図７は、実施の形態４に係る半導体装置４００の断面図である。半導体装置４００の電極部４１８は、主部１１８と、導体ブロック４２０とを有する。主部１１８は、半導体チップ８、１０に接合され、パッケージの外部まで延びる。導体ブロック４２０は、主部１１８と放熱パタン４との間に接合される。電極部４１８において放熱パタン４との接合部は、導体ブロック４２０に設けられる。導体ブロック４２０と主部１１８とは、はんだ４２１で接合される。導体ブロック４２０と放熱パタン４とは、はんだ４２２で接合される。本実施の形態では、導体ブロック４２０により電極部４１８と放熱パタン４との間の熱抵抗を低減させ、放熱効率を向上させることができる。

実施の形態５．
図８は、実施の形態５に係る半導体装置５００の断面図である。半導体装置５００の電極部５１８は、主部１１８と、金属ピン５２３とを有する。主部１１８は、半導体チップ８、１０に接合され、パッケージの外部まで延びる。主部１１８には貫通孔１１８ａが形成される。貫通孔１１８ａには、金属ピン５２３が挿入されている。金属ピン２３は例えば円柱状である。金属ピン５２３は、貫通孔１１８ａにおいて主部１１８とはんだ５２４で接合される。また、金属ピン５２３と放熱パタン４は、はんだ５２５で接合される。電極部５１８において放熱パタン４との接合部は、金属ピン５２３に設けられる。

本実施の形態では、金属ピン５２３により電極部５１８と放熱パタン４との間の熱抵抗を低減させ、放熱効率を向上させることができる。また、貫通孔１１８ａによって、はんだ付けのリフロー時に金属ピン５２３の位置決めができる。従って、安定した製造が可能となり、精度よく組立ができる。これにより、放熱パタン４を縮小することができる。

実施の形態６．
図９は、実施の形態６に係る半導体装置６００の平面図である。図１０は、実施の形態６に係る半導体装置６００の断面図である。図１０は、図９を一点鎖線Ｂ－Ｂで切断することで得られる断面図である。半導体装置６００は絶縁基板６０５を備える。絶縁基板６０５は、絶縁層１と、絶縁層１の上面に設けられた導体パタン２および放熱パタン４、６０４と、絶縁層１の上面と反対側の裏面に設けられた導体部６０３を有する。放熱パタン４、６０４と導体パタン２は独立している。放熱パタン４、６０４と導体パタン２は絶縁層１と接合され、絶縁層１はベース板である導体部６０３と接合される。

導体パタン２には、半導体チップ６３５が接合される。半導体チップ６３５は、例えばＲＣ－ＩＧＢＴチップである。半導体チップ６３５の上面には、電極部６４０が接合される。電極部６４０は、プリント基板６３６と、パッケージの外部まで延びる外部接続部６１７、６１８、６３１を有する。外部接続部６１７、６１８、６３１の端部には、それぞれケース１６から突出した露出部１７ａ、１８ａ、６３１ａが形成される。

プリント基板６３６は、絶縁層６２６と、絶縁層６２６の上面に設けられた導体パタン６２７と、絶縁層６２６の裏面に設けられた導体パタン６２８、６３０を有する。導体パタン６２７は外部接続部６１７と接合される。導体パタン６２７と外部接続部６１７は、はんだ等の接合材によって接合されても良く、直接接合されても良い。

プリント基板６３６にはスルーホール６２９が形成される。スルーホール６２９は絶縁層６２６を貫通する。導体パタン６２７はスルーホール６２９を介して、絶縁層６２６の裏面に設けられたランド６２９ａと接続される。ランド６２９ａは、はんだ６３４を介して、導体パタン２と接合される。

導体パタン６２８は、半導体チップ６３５の上面にはんだ１３により電気的に接合される。また、導体パタン６２８は外部接続部６１８と接合されている。導体パタン６２８と外部接続部６１８は、はんだ等の接合材によって接合されても良く、直接接合されても良い。

導体パタン６２８は、外部接続部６１８との接合部と半導体チップ６３５との接合部の間で、はんだ１４によって放熱パタン４へ接合されている。このように、電極部６４０において放熱パタン４との接合部は、導体パタン６２８に設けられる。

導体パタン６２７、６２８は例えば銅板から形成される。導体パタン６２７、６２８の厚さは、大電流を流すために例えば３５μｍ以上であることが望ましい。また、スルーホール６２９は、絶縁層６２６の貫通孔に例えばＣｕめっきを施すことにより形成される。Ｃｕめっきは例えば１５μｍ以上であることが望ましい。

本実施の形態では、半導体チップ６３５が発した熱が露出部１７ａ、１８ａに伝わる前に、熱を放熱パタン４へ逃がすことができる。従って、露出部１７ａ、１８ａの温度の上昇を抑制することができる。また、プリント基板６３６を用いることで、実施の形態１よりも半導体装置６００を小型化することが可能となる。また、絶縁層６２６の上面と裏面とで電流の流れる方向が反対となるように、プリント基板６３６を平行平板化しても良い。これにより、磁界による打消し効果が発生し、インダクタンスＬｓを低減できる。従って、半導体装置６００の性能を向上でき、高周波動作等が可能となる。

また、導体パタン６３０は信号用パタンである。導体パタン６３０は、外部接続部６３１と接合される。導体パタン６３０と外部接続部６３１は、はんだ等の接合材によって接合されても良く、直接接合されても良い。導体パタン６３０は、半導体チップ６３５の制御電極とはんだ６３２で接合される。半導体チップ６３５は、外部接続部６３１、制御電極を介して入力された信号により、オンオフが制御される。

電極部６４０のうち、半導体チップ６３５の制御電極に接合された部分と、露出部６３１ａとの間には、放熱パタン６０４との接合部が設けられる。導体パタン６３０は、はんだ６３３にて放熱パタン６０４と接合される。導体パタン６３０と放熱パタン６０４は、はんだ等の接合材によって接合されても良く、直接接合されても良い。本実施の形態では、信号用電極である外部接続部６３１の温度の上昇を抑制できる。

実施の形態７．
図１１は、実施の形態７に係る半導体装置７００の断面図である。半導体装置７００の電極部７４０は、導体パタン６２８と放熱パタン４との間に接合された導体ブロック４２０を有する。導体ブロック４２０には、放熱パタン４との接合部が設けられる。導体ブロック４２０と導体パタン６２８とは、はんだ４２１で接合される。導体ブロック４２０と放熱パタン４とは、はんだ４２２で接合される。本実施の形態では、導体ブロック４２０により電極部６４０と放熱パタン４との間の熱抵抗を低減させ、放熱効率を向上させることができる。

実施の形態８．
図１２は、実施の形態８に係る半導体装置８００の断面図である。半導体装置８００の電極部８４０は、プリント基板８３６を有する。プリント基板８３６は、スルーホール８２９を有する。スルーホール８２９は導体パタン６２８と接続されている。電極部８４０は、スルーホール８２９に挿入され、スルーホール８２９と接合された金属ピン５２３を有する。金属ピン５２３は、スルーホール８２９とはんだ５２４で接合される。また、金属ピン５２３と放熱パタン４は、はんだ５２５で接合される。このように、電極部８４０において放熱パタン４との接合部は、金属ピン５２３に設けられる。

本実施の形態では、金属ピン５２３により電極部８４０と放熱パタン４との間の熱抵抗を低減させ、放熱効率を向上させることができる。また、スルーホール８２９によって、金属ピン５２３位置決めができる。従って、精度よく組立ができる。これにより、放熱パタン４を縮小することができる。

実施の形態９．
図１３は、実施の形態９に係る半導体装置９００の断面図である。半導体装置９００では、絶縁基板９０５に半導体チップ６３５の制御電極と電気的に接続された放熱パタン６０４が設けられる。実施の形態６では、プリント基板６３６の導体パタン６３０に、半導体チップ６３５の制御電極、放熱パタン６０４および外部接続部６３１が接合された。これに対し本実施の形態では、半導体チップ６３５の制御電極パットと放熱パタン６０４はワイヤ９４０で接続される。また、放熱パタン６０４と外部接続部６３１はワイヤ９４０で接続される。ワイヤ９４０は、例えばアルミワイヤである。

なお、各実施の形態で説明した技術的特徴は適宜に組み合わせて用いても良い。

１絶縁層、２導体パタン、３裏面パタン、４放熱パタン、５絶縁基板、７ベース板、８、１０半導体チップ、１５封止樹脂、１６ケース、１７電極部、１７ａ露出部、１８電極部、１８ａ露出部、１８ｂ半導体チップに接合された部分部分、１８ｃ接合部、２３金属ピン、１００半導体装置、１１８主部、１１８ａ貫通孔、２００半導体装置、２１８電極部、２１８ｄ凸部、３００半導体装置、３１８電極部、３１９屈曲部、３１９ａ端部、４００半導体装置、４１８電極部、４２０導体ブロック、５００半導体装置、５１８電極部、５２３金属ピン、６００半導体装置、６０３導体部、６０４放熱パタン、６０５絶縁基板、６１７外部接続部、６１８外部接続部、６２６絶縁層、６２７導体パタン、６２８導体パタン、６２９スルーホール、６２９ａランド、６３０導体パタン、６３１外部接続部、６３１ａ露出部、６３５半導体チップ、６３６プリント基板、６４０電極部、７００半導体装置、７４０電極部、８００半導体装置、８２９スルーホール、８３６プリント基板、８４０電極部、９００半導体装置、９０５絶縁基板、９４０ワイヤ

Claims

絶縁層と、
前記絶縁層の上面に設けられた第１導体パタンと、
前記絶縁層の上面と反対側の裏面に設けられた裏面パタンと、
前記第１導体パタンに接合された半導体チップと、
前記裏面パタンに接合されたベース板と、
前記ベース板の上において前記絶縁層及び前記半導体チップを囲むケースと、
前記ケースの内部を絶縁封止する封止樹脂と、
前記半導体チップの上面に接合され、前記ケースの外部まで延びる電極部と、
前記絶縁層の上面に設けられた放熱パタンと、
を備え、
前記電極部には、前記半導体チップに接合された部分と前記ケースの外部に露出した部分との間に、前記放熱パタンと接合された接合部が設けられ、
前記接合部は、前記電極部のうち前記半導体チップの制御電極に接合された部分と前記ケースの外部に露出した部分との間に設けられることを特徴とする半導体装置。
前記接合部と前記放熱パタンは接合材によって接合されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
前記接合部と前記放熱パタンは直接接合されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
前記電極部は、前記放熱パタンに向かって突出する凸部を有し、
前記接合部は、前記凸部に設けられることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の半導体装置。
前記電極部は、
前記半導体チップに接合され前記ケースの外部まで延びる主部と、
前記半導体チップに接合された部分と前記ケースの外部に露出した部分との間で前記主部から分岐し、前記放熱パタンに向かって屈曲し、前記主部と反対側の端部が前記放熱パタンに沿って延びる屈曲部と、
を有し、
前記接合部は、前記屈曲部の前記主部と反対側の端部に設けられることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の半導体装置。
前記電極部は、貫通孔が形成され、前記貫通孔に挿入された金属ピンを有し、
前記接合部は、前記金属ピンに設けられることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の半導体装置。
前記電極部は、前記半導体チップの上面に接合された第２導体パタンを有するプリント基板と、前記第２導体パタンと接合され前記ケースの外部まで延びる外部接続部を有することを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の半導体装置。
前記接合部は、前記第２導体パタンに設けられることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
前記電極部は、前記第２導体パタンと前記放熱パタンとの間に接合され、前記接合部が設けられる導体ブロックを有することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
前記プリント基板は、前記第２導体パタンと接続されたスルーホールを有し、
前記電極部は、前記スルーホールに挿入された金属ピンを有し、
前記接合部は、前記金属ピンに設けられることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
前記半導体チップはワイドバンドギャップ半導体によって形成されていることを特徴とする請求項１から１０の何れか１項に記載の半導体装置。
前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料またはダイヤモンドであることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。