CN110858599B - 像素阵列封装结构及显示面板 - Google Patents

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Abstract

一种像素阵列封装结构及显示面板。像素阵列封装结构包含基板、像素阵列、反射层、吸光层以及透光层。像素阵列设置于基板上。像素阵列包含多个发光二极管芯片。这些发光二极管芯片包含至少一红光二极管芯片、至少一绿光二极管芯片、至少一蓝光二极管芯片及其组合。反射层设置于基板上并位于任两相邻的发光二极管芯片之间。吸光层位于反射层上方并环绕像素阵列。透光层设置于像素阵列、反射层及吸光层上。透光层具有一上表面及与其相对的一下表面。下表面接触像素阵列且上表面具有一粗糙度为0.005至0.1mm。本发明提供的多个实施方式可以在不损失对比度的情况下，增加发光二极管芯片的出光亮度。

Description

像素阵列封装结构及显示面板
技术领域
本发明是关于一种像素阵列封装结构及显示面板。
背景技术
随着显示科技日新月异的进步，除了传统的液晶显示面板外，更有显示面板是直接采用三原色发光二极管(RGB Light Emitting Diode，RGB LED)同时做为显示像素及发光源。由于发光二极管具有低耗电的优点，故采用发光二极管的显示面板可有效节省传统液晶面板所需耗费的电力，可帮助节能减碳及环境保护，可望成为显示技术领域的新宠儿。三原色显示(RGB display)因受限于平面装配装置(Surface Mounted Devices)封装的制程极限而无法达到小间距(pitch)作业。然而，现今的显示器迈向基板上芯片(Chip OnBoard)封装制程发展，因此，次毫米发光二极管(mini LED)和微型发光二极管(micro LED)皆可达到小间距作业。
在三原色显示的技术中，除了色彩鲜艳度之外，尚有一指标决定了画面的鲜明度，就是对比度。在小间距中增加对比度的方式中，除了基板本身采用黑色的板材外，便是在封装胶体中增加吸光粒子。吸光粒子除了可以降低发光二极管侧向光之间的影响，也可以吸收来自外界的光源，以增加对比度，然而也造成正向光的出光降低问题。
此外，现有的大型显示面板拼接技术，是把多个小型的显示面板相互堆叠组装以形成一大型的显示面板，由于显示面板的边框以及各个显示器之间存有缝隙，故于大型显示面板显示时会产生画面切割不连续的问题，进而影响显示的品质。为改善上述问题，而发展出窄边框的显示面板，以缩小各显示器间于拼接时的缝隙。然而，纵使采用现有最窄边框的显示面板，为避免各显示面板相互挤压而造成伤害，仍须保留一定的安全距离，故大型显示面板仍会有拼接缝的产生。
发明内容
有鉴于此，本发明的一目的在于提出一种可解决上述问题的像素阵列封装结构及显示面板。
为了达到上述目的，本发明的一态样是提供一种像素阵列封装结构，其包含基板、像素阵列、反射层、吸光层以及透光层。像素阵列设置于基板上。像素阵列包含多个发光二极管芯片。这些发光二极管芯片包含至少一红光二极管芯片、至少一绿光二极管芯片、至少一蓝光二极管芯片及其组合。反射层设置于基板上并位于任两相邻的发光二极管芯片之间。吸光层位于反射层上方并环绕像素阵列。透光层设置于像素阵列、反射层及吸光层上。透光层具有一上表面及与其相对的一下表面。下表面接触像素阵列且上表面具有一表面粗糙度(surface roughness)为0.005至0.1mm。
根据本发明一实施方式，此像素阵列封装结构还包含一抗外界光材料设置于透光层上。
根据本发明一实施方式，此抗外界光材料为偏光片。
根据本发明一实施方式，反射层由胶体材料及无机粒子的混合物所组成，其中无机粒子包含二氧化钛、氮化硼、二氧化硅、硫酸钡或氧化铝。
根据本发明一实施方式，吸光层的下表面与像素阵列的上表面实质上齐平。
根据本发明一实施方式，吸光层的上表面与像素阵列的上表面实质上齐平。
根据本发明一实施方式，吸光层由胶体材料及无机材料所组成或由胶体材料及有机材料所组成。
根据本发明一实施方式，无机材料为碳粉或钙钛矿。
根据本发明一实施方式，碳粉的比表面积(specific surface area)为50-70m2/g。
本发明的另一态样是提供一种像素阵列封装结构，其包含基板、像素阵列、反射层、透光层以及吸光层。像素阵列设置于基板上。像素阵列包含多个发光二极管芯片。这些发光二极管芯片包含至少一红光二极管芯片、至少一绿光二极管芯片、至少一蓝光二极管芯片及其组合。反射层设置于基板上并位于任两相邻的发光二极管芯片之间。透光层位于像素阵列上。透光层具有一上表面及与其相对的一下表面。下表面接触像素阵列且上表面具有一表面粗糙度为0.005至0.1mm。吸光层位于反射层上方并环绕透光层。透光层的上表面与吸光层的上表面实质上齐平。
根据本发明一实施方式，吸光层的下表面与像素阵列的上表面实质上齐平。
根据本发明一实施方式，吸光层由胶体材料及无机材料所组成或由胶体材料及有机材料所组成。
根据本发明一实施方式，无机材料为碳粉或钙钛矿。
根据本发明一实施方式，碳粉的比表面积为50-70m2/g。
根据本发明一实施方式，透光层覆盖部分的反射层。
本发明的又一态样是提供一种显示面板，其包含多个子显示面板。任两相邻的这些子显示面板之间具有一拼接缝，其中各个子显示面板包含多个如上所述的任一项所述的像素阵列封装结构。
本发明提供的多个实施方式可以在不损失对比度的情况下，增加发光二极管芯片的出光亮度。
本发明提供的一些实施方式可以使观看者在视觉上感受到无缝拼接显示面板的视觉效果。
附图说明
为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下：
图1A为本发明一实施方式的像素阵列封装结构的显微镜上视照片；
图1B为图1A中区域R1的局部放大示意图；
图1C和图1D分别为沿图1B中线段A-A’和线段B-B’的剖面示意图；
图2、图3、图4和图5绘示本发明的多个实施方式的像素阵列封装结构的上视图；
图6A和图6B为本发明的另一实施方式的根据图1B中线段A-A’和线段B-B’的剖面示意图；
图7A和图7B为本发明的又一实施方式的根据图1B中线段A-A’和线段B-B’的剖面示意图；
图8绘示本发明的一变化实施方式的像素阵列封装结构的上视图；
图9A为本发明一实施方式的像素阵列封装结构的显微镜上视照片；
图9B为图9A中区域R2的局部放大图；
图9C为沿图9B中线段A-A’的剖面示意图；
图10A为本发明一实施方式的像素阵列封装结构的上视示意图；
图10B为沿图10A中线段A-A’的剖面示意图；
图11为本发明像素阵列结构与习知像素阵列结构的亮度比较图；
图12绘示本发明一实施方式的显示面板的上视图；
图13绘示图12的局部放大图。
具体实施方式
为了使本揭示内容的叙述更加详尽与完备，下文针对了本发明的实施态样与具体实施例提出了说明性的描述；但这并非实施或运用本发明具体实施例的唯一形式。以下所揭露的各实施例，在有益的情形下可相互组合或取代，也可在一实施例中附加其他的实施例，而无须进一步的记载或说明。
在以下描述中，将详细叙述许多特定细节以使读者能够充分理解以下的实施例。然而，可在无此等特定细节的情况下实践本发明的实施例。在其他情况下，为简化附图，熟知的结构与装置仅示意性地绘示于图中。
本发明的一态样是提供一种像素阵列封装结构。图1A为本发明一实施方式的像素阵列封装结构的显微镜上视照片。图1B为图1A中区域R1的局部放大示意图。图1C和图1D分别为沿图1B中线段A-A’和线段B-B’的剖面示意图。
请同时参照图1B、图1C和图1D，像素阵列封装结构10包含基板110、像素阵列120、反射层130、吸光层140以及透光层150。像素阵列120设置于基板110上。具体来说，像素阵列120包含多个发光二极管芯片122、124和126。在本发明的多个实施例中，基板110可以为白底基板或黑底基板。在一些实施例中，基板110可包含散热基板、导电基板或绝缘基板。在一些实施例中，基板110上具有电路层，用以电性连接这些发光二极管芯片122、124和126。这些发光二极管芯片包含至少一红光二极管芯片122、至少一绿光二极管芯片124、至少一蓝光二极管芯片126及其组合。
可以理解的是，红光二极管芯片122是放射出红光。在一些其他的实施例中，红光二极管芯片122也可以包含利用蓝光二极管芯片126所发出的蓝光激发一波长转换层(图未示)而放射出红光。在多个实例中，此波长转换层可以包含一种或多种的红色荧光粉(Phosphor)、红色量子点(quantum dots)或其混合物。红色荧光粉可以为用于发光二极管(LED)的任何合适的荧光粉，其被蓝光激发后可以放射出红色荧光(fluorescence)。举例来说，红色荧光粉材料可包含氮化物、氟化物及/或锰(Mn4+)掺杂的氟化物荧光粉，例如：A2[MF6]：Mn4+，其中A为Li+、Na+、K+、Rb+、Cs+和/或NH4 +，且M为Ge、Si、Sn、Ti或Zr。
可以理解的是，绿光二极管芯片124是放射出绿光。在一些其他的实施例中，绿光二极管芯片124可以包含利用蓝光二极管芯片126所发出的蓝光激发一波长转换层(图未示)而放射出绿光。在多个实例中，此波长转换层可以包含一种或多种的绿色荧光粉、绿色量子点(quantum dots)或其混合物。绿色荧光粉可以为用于发光二极管(LED)的任何合适的荧光粉，其被蓝光激发后可以放射出绿色荧光(fluorescence)。举例来说，绿色荧光粉可以为硅酸盐、LuYAG及/或B-SiAlON，而绿色量子点可以为CdSe、CdS、CdTe、SlnP、InN、AlInN、InGaN、AlGaInN及/或CuInGaSe。又例如，绿色量子点可为绿色全无机钙钛矿量子点，其化学通式为CsPb(Br1-bIb)3且0≤b<0.5时。
本发明是利用这些发光二极管芯片122、124和126作不同的搭配组合，使三原色光(红光、绿光和蓝光)能混合出白光。举例来说，如图1B所示，像素阵列封装结构10包含一个红光二极管芯片122、一个绿光二极管芯片124和一个蓝光二极管芯片126，以3列1行的矩阵形式排列。此外，像素阵列封装结构10亦可包含一个红光二极管芯片122、一个绿光二极管芯片124和一个蓝光二极管芯片126并排列如图2所示。
另举例来说，如图3所示，像素阵列封装结构10包含两个红光二极管芯片122、一个绿光二极管芯片124和一个蓝光二极管芯片126，以2列2行的矩阵形式排列。这种设计可以提高像素阵列封装结构10的色域(NTSC或BT.2020(Rec.2020))。在一实施例中，这两个红光二极管芯片122可以分别具有不同的波段，以让红光的显色效果更好。在另一实施例中，这两个红光二极管芯片122可以具有相同的波段但有不同的亮度阶，以在亮度上做更好的调变。
再举例来说，如图4所示，像素阵列封装结构10包含一个红光二极管芯片122、两个绿光二极管芯片124和一个蓝光二极管芯片126，以2列2行的矩阵形式排列。这种设计可以提升像素阵列封装结构10整体的亮度。
又举例来说，如图5所示，像素阵列封装结构10包含一个红光二极管芯片122、一个绿光二极管芯片124、一个蓝光二极管芯片126和一个白光二极管芯片128，以2列2行的矩阵形式排列。由于这种设计增加了白色子像素，因此在使用相同功率的背光模组时，能够提升显示亮度。换句话说，如果要输出相同的亮度，这种设计的功耗会更低。
一般来说，若这些发光二极管芯片122、124和126的晶粒尺寸约在100微米至300微米(例如，150微米)的发光二极管可以称为次毫米发光二极管(mini LED)。若这些发光二极管芯片122、124和126的晶粒尺寸小于100微米的发光二极管可以称为微型发光二极管(micro LED)。在应用上，次毫米发光二极管可应用于手机、电视、车用面板及电竞笔记型电脑等产品上，而微型发光二极管可应用在穿戴式的手表、手机、车用显示器、扩增实境/虚拟实境、显示幕及电视等领域。
请回到图1C和图1D，反射层130设置于基板110上并位于任两相邻的多个发光二极管芯片122、124和126之间。一般来说，每个发光二极管芯片122、124或126的发光角度为约120度至150度。为了避免发光二极管芯片122、124和126所放射出来的光线相互干扰或吸收，本发明将反射层130设置在任两相邻的发光二极管芯片之间。这样的设计，还可以进一步增进像素阵列封装结构10的发光效率。在一些实施例中，反射层130是由胶体材料及无机粒子的混合物所组成。举例来说，无机粒子可包含二氧化钛(TiO2)、氮化硼(BN)、二氧化硅(SiO2)、硫酸钡(BaSO4)或氧化铝(Al2O3)。胶体材料可包含聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、丙烯基二甘醇碳酸酯(CR-39)、聚苯乙烯(PS)、环氧树脂(epoxy)、聚酰胺(polyamide)、丙烯酸酯(acrylate)或硅胶。在一实施例中，无机粒子的平均粒径(D50)是小于20um。
应注意，反射层130的光线反射率取决于胶体材料中的无机粒子的浓度与特性，当无机粒子的浓度越高，反射层130的光线反射率也越高，而当无机粒子本身的光线反射率越高，反射层130的光线反射率也越高。在本发明的一些实施例中，反射层130的光线反射率应至少大于其光线吸收率。换句话说，被反射层130所反射的光线能量应比被反射层130所吸收的光线能量高，如此方有助于提升像素阵列封装结构10的发光效率，且能避免反射层130因吸收光线能量而温度上升，因而导致像素阵列封装结构10的发光效率受温度影响而衰减。另外，在一些较佳的实施例中，反射层130的光线反射率应大于约90％，以尽可能反射发光二极管芯片122、124或126所发射的光线，并避免光线被反射层130所吸收，而降低像素阵列封装结构10的发光效率。
如图1C和图1D所示，在一些实施例中，反射层130的上表面130a与像素阵列120的上表面实质上齐平。在多个实施方式中，反射层130可以通过封胶(molding)、灌胶(glue-filling)或其他合适的制程形成在基板110上并填充于任两相邻的多个发光二极管芯片122、124和126之间。
请同时参阅图1B、图1C和图1D，吸光层140位于反射层130上方并环绕像素阵列120。在一实施例中，吸光层140的下表面140b与像素阵列120的上表面120a实质上齐平。在一些实施例中，吸光层140可以覆盖位于像素阵列120***的反射层130的一部分。在其他实施例中，吸光层140也可以完全覆盖位于像素阵列120***的反射层130。在一实例中，吸光层140由胶体材料及无机材料所组成。举例来说，胶体材料可包含聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、丙烯基二甘醇碳酸酯(CR-39)、聚苯乙烯(PS)、环氧树脂(epoxy)、聚酰胺(polyamide)、丙烯酸酯(acrylate)或硅胶。此外，在一些实施例中，无机材料可以为碳粉或钙钛矿等。在多个实例中，碳粉的比表面积为50-70m2/g，例如可为52m2/g、54m2/g、56m2/g、58m2/g、60m2/g、62m2/g、64m2/g、66m2/g或68m2/g。在另一实例中，吸光层140亦可由胶体材料及有机材料所组成。举例来说，有机材料可包含添加黑色颜料或染料的聚酰亚胺(Polyimide)树脂、聚乙烯醇(Poly-vinyl Alcohol)树脂和/或压克力(Acrylate)树脂。在多个实施方式中，吸光层140可以通过旋转涂布以及微影蚀刻的方式或通过网印的方式形成环绕像素阵列120的黑框。
请参阅图1C和图1D，透光层150设置于像素阵列120、反射层130及吸光层140上。应注意，透光层150具有一上表面150a及与其相对的一下表面150b，其中下表面150b接触像素阵列120，且上表面150a具有一表面粗糙度为0.005至0.1mm。在一些实例中，透光层150可包含硅胶或树脂。在多个实施方式中，可以通过封胶(molding)、灌胶(glue-filling)或其他合适的制程来形成透光层150。此外，还可以在透光层150的上表面150a实施一粗化制程，例如喷砂或表面蚀刻等方式。在多个实例中，透光层150上表面150a的表面粗糙度可以为0.01mm、0.02mm、0.03mm、0.04mm、0.05mm、0.06mm、0.07mm、0.08mm或0.09mm。假设透光层150的上表面150a不经过粗化处理而为一光滑表面，当像素阵列封装结构10在外界光源(例如太阳光、聚光灯(spot light)或是照明灯源)的照射下时，观看者则会看不见显示画面和/或产生眩光问题。
请继续参阅图1C和图1D，在一实施例中，像素阵列封装结构10可以还包含一抗外界光材料160设置于透光层150上。在某些实施例中，抗外界光材料160可以为偏光片或抗反射涂层等。在一实例中，抗外界光材料160可以为圆偏光片。
为了便于比较与上述各实施方式的相异处并简化说明，在下文的各实施方式中使用相同的符号标注相同的元件，且主要针对各实施方式的相异处进行说明，而不再对重复部分进行赘述。
图6A及图6B为本发明另一实施方式的像素阵列封装结构10a的剖面示意图，其中图6A大致为根据图1B中线段A-A’的剖面示意图，而图6B大致为根据图1B中线段B-B’的剖面示意图。如图6A和图6B所示，图6A和图6B所绘示的像素阵列封装结构10a与图1C和图1D所绘示的像素阵列封装结构10的不同之处在于：像素阵列封装结构10a的吸光层140是嵌设于反射层130中。在一实施例中，吸光层140的上表面140a与像素阵列120的上表面120a实质上齐平。更详细的说，于本实施例中，反射层130具有第一部分130P1、第二部分130P2和第三部分130P3，其中第一部分130P1位于像素阵列120***并夹置于基板110与吸光层140之间；第二部分130P2为第一部分P1向上的延伸，其环绕像素阵列120并夹置于像素阵列120与吸光层140之间；而第三部分130P3位于像素阵列120的任两相邻的发光二极管芯片122、124和126之间。应注意，在其他实施例中，反射层130可以不具有第二部分130P2，也就是说，吸光层140的边界可以紧贴于像素阵列120的周围。
图7A和图7B为本发明其他实施方式的像素阵列封装结构10b的剖面示意图，其中图7A大致为根据图1B线段A-A’的剖面示意图，而图7B大致为根据图1B线段B-B’的剖面示意图。如图7A和图7B所示，图7A和图7B所绘示的像素阵列封装结构10b与图1C和图1D所绘示的像素阵列封装结构10的不同之处在于：像素阵列封装结构10b的吸光层140的上表面140a与透光层150的上表面150a实质上齐平。
在一实施例中，吸光层140的下表面140b与像素阵列120的上表面120a实质上齐平。在一实施例中，透光层150可覆盖一部分的反射层130，也就是说，吸光层140仅覆盖位于像素阵列120***的反射层130的一部分。在其他实施例中，吸光层140完全覆盖位于像素阵列120***的反射层130。
图8绘示本发明一变化实施方式的像素阵列封装结构20的上视图。如图8所示，图8所绘示的像素阵列封装结构20与图1B所绘示的像素阵列封装结构10的不同之处在于：像素阵列封装结构20可以包含第一组像素阵列120S1和第二组像素阵列120S2，其中第一组像素阵列120S1和第二组像素阵列120S2各自包含一个红光二极管芯片122、一个绿光二极管芯片124和一个蓝光二极管芯片126。由于在显示器的应用上通常会包含上千或上万个像素阵列封装结构，通过这样的设计，当某一个像素阵列封装结构中的某一组发光二极管芯片的其中之一不亮时，另一组发光二极管芯片仍会持续运作。这对使用者来说，并不会在视觉上造成太大的影响，且可以减少维修花费。
图9A为本发明另一变化实施方式的像素阵列封装结构30的显微镜上视照片。图9B为图9A中区域R2的局部放大示意图。图9C为沿图9B中线段A-A’的剖面示意图。如图9B和图9C所示，像素阵列封装结构30包含基板110、像素阵列120、吸光层140及透光层150。具体的说，像素阵列120设置于基板110上。像素阵列120包含多个发光二极管芯片，例如至少一红光二极管芯片122、至少一绿光二极管芯片124、至少一蓝光二极管芯片126及其组合。吸光层140设置于基板110上并围绕像素阵列120。于本实施方式中，吸光层140的上表面与像素阵列120的上表面120a实质上齐平。透光层150设置于吸光层140和像素阵列120上。透光层150具有一上表面150a及与其相对的一下表面150b。透光层150的下表面150b接触像素阵列120和吸光层140且其上表面150a具有一表面粗糙度为0.005至0.1mm。在一实施方式中，像素阵列封装结构30可还包含一抗外界光材料(图未示)设置于透光层150的上表面150a上。
图10A为本发明又一变化实施方式的像素阵列封装结构40的上视示意图。图10B为沿图10A中线段A-A’的剖面示意图。如图10A和图10B所示，像素阵列封装结构40包含基板110、像素阵列120、吸光层140及透光层150。具体的说，像素阵列120设置于基板110上。像素阵列120包含多个发光二极管芯片，例如至少一红光二极管芯片122、至少一绿光二极管芯片124、至少一蓝光二极管芯片126及其组合。吸光层140设置于像素阵列120的两侧。透光层150位于吸光层140之间并围绕像素阵列120。更详细的说，透光层150具有第一部分150P1和第二部分150P2，其中第一部分150P1位于像素阵列120上，而第二部分150P2位于第一部分150P1下并夹置于像素阵列120与吸光层140之间。于本实施方式中，透光层150的顶表面150T与吸光层140的顶表面140T实质上齐平。在一实施方式中，像素阵列封装结构40可还包含一抗外界光材料(图未示)设置于透光层150的顶表面150T和吸光层140的顶表面140T上。
图11为本发明像素阵列结构与***方米且其亮度比例约为0.267％；本发明像素阵列结构A的亮度约为310烛光/平方米且其亮度比例约为0.14％；本发明像素阵列结构B的亮度约为97烛光/平方米且其亮度比例约为0.036％；且本发明像素阵列结构C的亮度约为105烛光/平方米且其亮度比例约为0.013％。虽然，本发明的像素阵列结构B和C的亮度比例远小于本发明的像素阵列结构A的亮度比例，但是其本身的发光亮度相对地也较低，因此，本发明的像素阵列结构A为较佳的实施例。此外，本发明的像素阵列结构A与习知的像素阵列结构P相比，本发明的像素阵列结构A的亮度和亮度比例都比习知的像素阵列结构P更佳。因此，本发明的像素阵列结构A不但可以解决习知像素阵列结构P正向光出光降低的问题，还可以解决对比度不佳的问题。
图12绘示本发明一实施方式的显示面板200的上视图。图13绘示图12的局部放大图。请先参阅图12，显示面板200包含多个子显示面板210。具体的说，任两相邻的这些子显示面板210之间具有一拼接缝D1。在多个实施例中，这些子显示面板210之间的拼接缝D1是小于100um。对于观看者来说，这些拼接缝D1的存在会使得显示画面被切割且视觉上有不连续的情形发生。
请参阅图13，每一个子显示面板210都包含多个如前文所述的像素阵列封装结构10。更详细的说，在多个实施方式中，任两相邻的这些像素阵列封装结构10之间具有一间距D2。当像素阵列封装结构10中的发光二极管芯片被设计为微型发光二极管时，这些像素阵列封装结构10之间的间距D2为小于约0.5mm，而当像素阵列封装结构10中的发光二极管芯片被设计为次毫米发光二极管时，这些像素阵列封装结构10之间的间距D2为约0.5至1.0mm。在次毫米发光二极管的实施例中，像素阵列封装结构10中吸光层140的宽度W为50至650um，例如可为100um、150um、200um、250um、300um、350um、400um、450um、500um、550um或600um。由于单一子显示面板210中可包含数万至数十万个像素阵列封装结构10，且任两相邻的像素阵列封装结构10之间具有一子拼接缝(2W+D2)。在单一子显示面板210已被数道子拼接缝(2W+D2)划分的情况的下，这些子显示面板210之间的拼接缝D1(标示于图12)对于观看者来说是不明显的。
在其他实施方式中，每一个子显示面板210亦可包含多个如前文所述的像素阵列封装结构10a、10b、20、30或40。
综上所述，本发明内容提供的多个实施方式可以在不损失对比度的情况下，增加发光二极管芯片的出光亮度。发光二极管芯片的侧向出光处以不透光材料或是高反射材料的形式封装，而发光二极管芯片的正向出光处以高透光度材料的形式封装，可以改善先前技术中发光二极管的光被吸光例子吸收而降低光效的问题。此外，本发明通过像素阵列封装结构中的吸光层和任两相邻像素阵列封装结构之间的间距在单一子显示面板中构成数道子拼接缝，以使观看者在视觉上感受到无缝拼接显示面板的视觉效果。
虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (12)

1.一种像素阵列封装结构，其特征在于，包含：
一基板；
一像素阵列，设置于该基板上，其中该像素阵列包含多个发光二极管芯片，所述多个发光二极管芯片包含至少一红光二极管芯片、至少一绿光二极管芯片、以及至少一蓝光二极管芯片；
一反射层，设置于该基板上并位于任两相邻的所述发光二极管芯片之间；
一透光层，设置于该像素阵列上并且覆盖位于该像素阵列的一周边的该反射层的一部分，其中该透光层具有一上表面及与其相对的一下表面，该下表面接触该像素阵列的该些发光二极管芯片以及接触位于任两相邻的所述发光二极管芯片之间的该反射层，且该上表面具有一表面粗糙度为0.005至0.1mm；以及
一吸光层，位于该反射层上方并环绕该透光层，其中该透光层的上表面与该吸光层的上表面齐平，以及该吸光层的下表面与该像素阵列的上表面齐平，其中该吸光层仅覆盖位于该像素阵列的该周边的该反射层的该部分。
2.根据权利要求1所述的像素阵列封装结构，其特征在于，还包含一抗外界光材料设置于该透光层上。
3.根据权利要求2所述的像素阵列封装结构，其特征在于，该抗外界光材料为偏光片。
4.根据权利要求1所述的像素阵列封装结构，其特征在于，该反射层由胶体材料及无机粒子的混合物所组成，其中该无机粒子包含二氧化钛、氮化硼、二氧化硅、硫酸钡或氧化铝。
5.根据权利要求1所述的像素阵列封装结构，其特征在于，该吸光层由胶体材料及无机材料所组成或由胶体材料及有机材料所组成。
6.根据权利要求5所述的像素阵列封装结构，其特征在于，该无机材料为碳粉或钙钛矿。
7.根据权利要求6所述的像素阵列封装结构，其特征在于，该碳粉的比表面积为50-70m2/g。
8.一种像素阵列封装结构，其特征在于，包含：
一基板；
一像素阵列，设置于该基板上，其中该像素阵列包含多个发光二极管芯片，所述多个发光二极管芯片包含至少一红光二极管芯片、至少一绿光二极管芯片、以及至少一蓝光二极管芯片；
一反射层，设置于该基板上并位于任两相邻的所述发光二极管芯片之间；
一透光层，位于该像素阵列上并且覆盖位于该像素阵列的周边的该反射层的一部分，其中该透光层具有一上表面及与其相对的一下表面，该下表面接触该像素阵列的该些发光二极管芯片以及接触位于任两相邻的所述发光二极管芯片之间的该反射层，且该上表面具有一表面粗糙度为0.005至0.1mm；以及
一吸光层，位于该反射层上方并环绕该透光层，其中该透光层的上表面与该吸光层的上表面齐平，以及该透光层并未被该吸光层分开，其中该吸光层的下表面与该像素阵列的上表面齐平，以及该吸光层于该基板的一垂直投影环绕所有的该像素阵列于该基板的一垂直投影。
9.根据权利要求8所述的像素阵列封装结构，其特征在于，该吸光层由胶体材料及无机材料所组成或由胶体材料及有机材料所组成。
10.根据权利要求9所述的像素阵列封装结构，其特征在于，该无机材料为碳粉或钙钛矿。
11.根据权利要求10所述的像素阵列封装结构，其特征在于，该碳粉的比表面积为50-70m2/g。
12.一种显示面板，其特征在于，包含：
多个子显示面板，任两相邻的所述子显示面板之间具有一拼接缝，其中各该子显示面板包含多个如权利要求1至11中任一项所述的像素阵列封装结构。
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