CN110854161B - 显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板，具有一显示区和一***区，所述显示面板包括：一基板；一基板；设置于所述基板上的至少一挡墙，所述挡墙位于所述***区内；设置于所述基板上的一阳极，在所述***区内，在所述阳极上设置多个开口以暴露所述挡墙，在所述显示区朝向所述***区方向上，所述开口的尺寸大于所述挡墙的尺寸。

Description

显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板。
背景技术
在平板显示器行业，薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)由于其成熟的工艺以及稳定的大批量生产，一直占据着主流市场。相比于LCD，有机发光二极管(OLED)具有自发光、低功耗，可实现柔性显示等优点，被认为是新一代的显示技术，具有广阔的应用前景。
然而OLED器件对水氧特别敏感，金属电极及有机发光材料遇到水氧后极易老化或者发生电化学腐蚀，为了防止器件受到破坏，需要在金属电极以及发光材料上进行薄膜封装以对其进行保护。
Samsung在US9419247上公开了一种如图1a和图1b所示的封装结构，其中包括TFT基板100，显示区域200，无机层310、330，有机层320，为限制有机层320的流动，此实施例在***区制作了一个或多个挡墙400(Dam)，阳极311在Dam区进行整面沉积成膜，与VSS讯号线搭接。然而该实施例在进行高温高湿条件下的性耐性测试时，由于Dam台阶处的膜层致密度和应力等发生变化，很容易导致阳极311在Dam台阶处发生剥离(peeling)现象，或者阳极311与其他界面层发生剥离现象。
Samsung在US9818807中给出了另一种Dam的实施例，如图2a和图2b 所示，图2a和图2b是现有技术中显示面板的一种挡墙；在***区设置有三个挡墙Dam(D1、D2和D3)，且阳极710在***区的Dam附近也是整面成膜，在Dam台阶处同样存在膜层剥离风险，且Dam数量增多，Dam台阶增高，阳极剥离的风险会显著变大。
图3a是现有技术中挡墙的示意图，图3b是现有技术中阳极在挡墙附近的横截面示意图，现有技术中，显示面板具有一显示区10以及围绕所述显示区10设置的***区20，在所述***区20内，所述显示面板包括依次层叠设置的一基板1、挡墙3、一阳极4、薄膜封装层5；在所述***区20内，所述基板1包括层叠设置的衬底基板11、栅极绝缘层12、层间介质层13及源漏极层2，所述源漏极层2为金属层；所述挡墙3设置于所述源漏极层2背离所述基板1的一侧，所述挡墙3包括第一挡墙31和第二挡墙32，所述第一挡墙 31位于所述显示区10与所述第二挡墙32之间，所述第一挡墙31及所述第二挡墙32之间具有一间隔区域33，所述挡墙3包括层叠设置的第一无机层34、第二无机层35；所述薄膜封装层5包括层叠设置的至少一第一无机封装层51、第二有机封装层52及第二无机封装层53，所述第一无机封装层51覆盖所述阳极4；所述阳极4整面覆盖所述挡墙3,耐性测试时所述阳极剥离风险较高。
因此，亟需提供一种显示面板，以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种显示面板，通过在阳极上设置开口以暴露挡墙，所述开口的尺寸大于所述挡墙的尺寸，使薄膜封装层的第一无机封装层在所述开口处与所述挡墙的第一无机层及第二无机层接触，使粘结力远大于所述第一无机封装层与所述阳极之间的粘结力，能够有效地防止所述阳极在所述挡墙附近尤其是在爬坡处的剥离风险，可进一步抑制所述挡墙的局部剥离现象向显示区延伸，从而提高了OLED器件的高可靠性封装效果。
为了实现上述目的，本发明提供了一种显示面板，具有一显示区以及围绕所述显示区设置的***区，所述显示面板包括：
一基板；
设置于所述基板上的至少一挡墙，所述挡墙位于所述***区内；
设置于所述基板上的一阳极，在所述***区内，在所述阳极上设置至少一开口以暴露所述挡墙，在所述显示区朝向所述***区方向上，所述开口的尺寸大于所述挡墙的尺寸。
进一步，所述挡墙包括至少一第一挡墙和一第二挡墙，所述第一挡墙位于所述显示区与所述第二挡墙之间，所述第一挡墙及所述第二挡墙之间具有一间隔区域。
进一步，所述显示面板还包括薄膜封装层，所述薄膜封装层的第一无机封装层通过所述开口与所述挡墙接触。
进一步，在所述基板的源漏极层上设置第二开口，所述第二开口与所述阳极的开口相对应，所述薄膜封装层的第一无机封装层通过所述开口及所述第二开口与所述挡墙接触。
进一步，多个所述开口沿所述挡墙的延伸方向排列，且在所述显示区朝向所述***区的方向上，所述开口相同排列或交错设置。
进一步，所述开口沿所述挡墙的延伸方向的尺寸为5μm～500μm，所述开口在所述显示区朝向所述***区方向上的尺寸大于5μm，相邻两所述开口沿所述挡墙的延伸方向上的间距大于10μm。
进一步，所述开口沿所述挡墙的延伸方向的尺寸大于5μm，相邻两所述开口沿所述挡墙的延伸方向上的间距大于10μm。
进一步，所述挡墙包括层叠设置的第一无机层及第二无机层。
进一步，在所述显示区内，所述显示面板还包括层叠设置的平坦化层、像素界定层及有机发光器件层，所述平坦化层与所述挡墙的第一无机层同层设置且材料相同，所述像素界定层与所述挡墙的第二无机层同层设置且材料相同；所述有机发光器件层包括层叠设置的所述阳极、发光层及阴极；以及，在所述***区内，所述基板包括层叠设置的衬底基板、栅极绝缘层、层间介质层及所述源漏极层，所述平坦化层覆盖所述源漏极层；
进一步，所述薄膜封装层还包括至少一有机封装层及一第二无机封装层，所述有机封装层及所述第二无机封装层设置于所述薄膜封装层的第一无机封装层远离所述基板的一侧。
本发明的优点在于，通过在所述阳极上设置开口以暴露所述挡墙，所述开口的尺寸大于所述挡墙的尺寸，以及在源漏极层上设置第二开口，所述第二开口与所述阳极的开口相对应，使所述薄膜封装层的第一无机封装层在所述开口处及所述第二开口与所述挡墙的第一无机层及第二无机层接触，使粘结力远大于所述第一无机封装层与所述阳极之间的粘结力，能够有效地防止所述阳极在所述挡墙附近尤其是在爬坡处的剥离风险，可进一步抑制所述挡墙的局部剥离现象向所述显示区延伸，从而提高了OLED器件的高可靠性封装效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1a和图1b是现有技术中显示面板的一种封装结构。
图2a和图2b是现有技术中显示面板的一种挡墙。
图3a是现有技术中挡墙的示意图。
图3b是现有技术中阳极在挡墙附近的横截面示意图。
图4a是根据本发明实施例一的显示面板的阳极的俯视图。
图4b为图4a的截面图。
图5a是本发明实施例二中一种阳极的俯视图。
图5b是根据本发明实施例二所述显示面板的源漏极层的结构示意图。
图6a是根据本发明实施例三的显示面板的阳极的俯视图。
图6b是图6a的截面图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的说明书和权利要求书以及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应当理解，这样描述的对象在适当情况下可以互换。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
在本专利文档中，下文论述的附图以及用来描述本发明公开的原理的各实施例仅用于说明，而不应解释为限制本发明公开的范围。所属领域的技术人员将理解，本发明的原理可在任何适当布置的***中实施。将详细说明示例性实施方式，在附图中示出了这些实施方式的实例。此外，将参考附图详细描述根据示例性实施例的终端。附图中的相同附图标号指代相同的元件。
本发明说明书中使用的术语仅用来描述特定实施方式，而并不意图显示本发明的概念。除非上下文中有明确不同的意义，否则，以单数形式使用的表达涵盖复数形式的表达。在本发明说明书中，应理解，诸如“包括”、“具有”以及“含有”等术语意图说明存在本发明说明书中揭示的特征、数字、步骤、动作或其组合的可能性，而并不意图排除可存在或可添加一个或多个其他特征、数字、步骤、动作或其组合的可能性。附图中的相同参考标号指代相同部分。
实施例一.显示面板
请参见图4a和图4b，图4a是根据本实施例中阳极的俯视图；图4b为图 4a的截面图；在本实施例中，提供一种OLED显示面板。如图4b所示，所述显示面板具有一显示区10以及围绕所述显示区10设置的***区20,在所述***区20内，所述显示面板包括依次层叠设置的一基板1、挡墙3、一阳极4、以及薄膜封装层5。具体地，所述基板1包括层叠设置的衬底基板11、栅极绝缘层12、层间介质层13及源漏极层2，所述源漏极层2为金属层；所述挡墙3设置于所述层间介质层13或所述源漏极层2背离所述衬底基板11的一侧，所述挡墙3包括至少一第一挡墙31和一第二挡墙32，所述第一挡墙31 位于所述显示区10与所述第二挡墙32之间，所述第一挡墙31及所述第二挡墙32之间具有一间隔区域33，所述挡墙3包括层叠设置的第一无机层34和第二无机层35；所述阳极4设置于所述源漏极层2背离所述衬底基板11的一侧，所述阳极4在所述显示区10朝向所述***区20的方向上延伸至所述第二挡墙32，所述阳极4与所述源漏极层2电性连接。
续见图4a和图4b，本实施例中，在所述***区20内，在所述阳极4上设置开口41以暴露所述第一挡墙31和第二挡墙32，且在所述显示区10朝向所述***区20方向上，所述开口41的尺寸大于所述挡墙3的尺寸，所述薄膜封装层5包括至少一第一无机封装层51，所述第一无机封装层51通过所述开口41与所述挡墙3的所述第一无机层34和所述第二无机层35接触。
续见图4a和图4b，在所述显示区10内，所述显示面板还包括层叠设置的所述基板1、平坦化层、像素界定层、有机发光器件层以及所述薄膜封装层 5；所述平坦化层与所述挡墙3的所述第一无机层34同层设置且材料相同，所述平坦化层设置于所述层间介质层13或所述源漏极层2上，所述像素界定层与所述挡墙3的所述第二无机层35同层设置且材料相同，所述有机发光器件层包括层叠设置的所述阳极4、发光层及阴极，所述阳极4与所述源漏极层 2电连接；所述薄膜封装层5还包括至少一有机封装层52和一第二无机封装层53，所述有机封装层52及所述第二无机封装层53设置于所述薄膜封装层5的第一无机封装层51远离所述基板1的一侧，本实施例对所述薄膜封装层 5中的膜层数量不作具体限定。
续见图4b，本实施例中，所述基板1具有柔性，所述基板1为所述显示面板提供支撑和保护，所述显示面板能够实现弯曲、折叠等变形，所述基板1 的衬底基板11的材料为聚酰亚胺等，本发明对所述衬底基板11的材料不作具体限定。
续见图4a和图4b，本实施例中，所述开口41的形状为矩形，在其他实施例中不作具体限定。多个所述开口41沿所述挡墙3的延伸方向排列，并且，在所述第一挡墙31朝向所述第二挡墙32的方向上，所述开口41相同排列设置或交错排列，本实施例中为相同排列设置。
续见图4a和图4b，在所述显示区10延伸至所述第一挡墙31的区域内，所述第一无机封装层51与所述阳极4背离所述基板1的一侧接触，所述阳极4靠近所述基板1的一侧直接与所述源漏极层2接触；在与所述第一挡墙 31相对应区域内，由于在所述显示区10朝向所述***区20方向上，所述开口41的尺寸大于所述挡墙3的尺寸，所述第一无机封装层51通过所述开口 41与所述第一挡墙31的第一无机层34及所述第二无机层35能够充分接触；在所述第一挡墙31与所述第二挡墙32之间的间隔区域33内，所述第一无机封装层51与所述阳极4背离所述基板1的一侧接触，所述阳极4靠近所述基板1的一侧直接与所述源漏极层2接触；在与所述第二挡墙32相对应区域内，所述第一无机封装层51通过所述开口41与所述第二挡墙32的第一无机层34及第二无机层35接触。
值得一提的是，在本实施例中，所述源漏极层2与所述阳极4直接接触，相当于所述源漏极层2与所述阳极4并联，是为了通过最大程度地加宽所述阳极4与所述源漏极层2的接触线宽，从而实现减小所述阳极4和所述源漏极层2的电阻，进而有助于降低金属走线的电阻，减小金属走线中的压降影响。
实施例二.显示面板
参见图5a和图5b,图5a是本实施例中的阳极的俯视图；图5b是本实施例二中的源漏极层的示意图；本实施例与所述实施例一的不同之处在于，本实施例中，在所述基板1的源漏极层2上设置一第二开口21，所述第二开口 21与所述阳极4上的开口41相对应，所述薄膜封装层5的第一无机封装层 51通过所述开口41及所述第二开口21与所述挡墙3的所述第一无机层34和所述第二无机层35接触。
此外，在所述显示区10朝向所述***区20的方向上，所述开口41相同排列设置或交错排列，本实施例中，所述阳极4的开口41呈交错排列。
在所述实施例一及本实施例中，在所述***区20内，所述显示面板的制备过程包括：在衬底基板11上先后形成栅极绝缘层12及层间介质层13，在所述层间介质层13上设置源漏极层2；在所述源漏极层2上整面沉积所述阳极4，利用曝光、显影、蚀刻方式，在与所述第一挡墙31及所述第二挡墙32 相对应位置处，在阳极4上形成所述开口41，或进一步在所述源漏极层2上形成所述第二开口21；在所述阳极4的开口41位置处，先后整面涂覆第一无机层34及第二无机层35，分别形成所述第一挡墙31和所述第二挡墙32；在所述阳极4、所述开口41、所述第一挡墙31、所述第二挡墙32及所述层间介质层13上涂覆薄膜封装层5的第一无机封装层51，进一步在所述第一无机封装层51上涂覆有机封装层52以及第二无机封装层53。
所述实施例一及本实施例中，所述开口41沿所述挡墙3的延伸方向的宽度为5μm～500μm，相邻两所述开口41在沿所述挡墙3的延伸方向的间距大于10μm，所述开口41在所述显示区10朝向所述***区20方向上的长度大于5μm，所述开口41的尺寸设计能够确保所述***区20的阳极4与电路公共接地端电压(VSS)正常导通，无电势差损失。
实施例三.显示面板
参见图6a和图6b，本实施例与所述实施例一的不同之处在于，在所述阳极4上设置开口41，所述开口41与所述第一挡墙31、所述间隔区域33及所述第二挡墙32的接连区域相对应，所述薄膜封装层5的第一无机封装层51 通过所述开口41以暴露所述第一挡墙31、所述第二挡墙32、以及所述间隔区域33；在所述开口41延伸至所述第二挡墙32的过程中，所述第一无机封装层51与所述阳极4、所述源漏极层2、所述挡墙3的第一无机层34、所述第二无机层35、以及所述层间介电层13接触。在其他实施例中，还可以在所述源漏极层2上设置与所述阳极4的开口41对应的第二开口21。
本实施例中，所述显示面板的制备过程与所述实施例一的显示面板的制备过程类似，不同之处在于，所述第一挡墙31及所述第二挡墙32对应的所述阳极4如图6a和图6b所示，要求在所述挡墙3的区域内尤其是台阶附近蚀刻开口，使原本整面沉积的阳极4以导线的形式延伸至所述***区20的边界，具体地，所述开口41沿所述挡墙的延伸方向的尺寸大于5um，相邻两所述开口41沿所述挡墙的延伸方向上的间距大于10um；所述阳极4的开口41的尺寸变大，所述开口41的数量变少，所述阳极4在所述挡墙3附近以导线的形式延伸至所述***区20背离所述显示区10的边界，可极大简化蚀刻制程以及光罩的设计，可显著提高所述阳极4的开口41的蚀刻良率；所述开口 41的尺寸设计用以确保所述***区20的所述阳极4与VSS正常导通，减少电势差损失。
本发明所述实施例一、所述实施例二及本实施例中，所述阳极4的开口 41的形状可以为直线型，其他实施例中所述开口41还可以为曲线形和折线形，此处不做具体限制。
本发明给出的所述实施例一、所述实施例二及本实施例中，将所述阳极4 在整面成膜完成后利用曝光、刻蚀等工艺进行图案化处理，如开口设计或者导线化设计，使所述薄膜封装层5的第一无机封装层51通过所述阳极4的所述开口41或所述源漏极层2的所述第二开口21与所述挡墙3的所述第一无机层34及所述第二无机层35接触，或与所述基板1的所述层间介电层13接触，使得无机膜层与无机膜层的界面粘结力远大于无机膜层与金属膜层的界面粘结力，或者使所述薄膜封装层5的第一无机封装层51与所述基板1的所述源漏极层2接触，均能够有效地防止所述阳极4在所述挡墙3附近尤其是爬坡处的剥离风险，解决边缘剥离现象向所述显示区10延伸而产生的像素收缩(pixel shrinkage)问题；此外，能进一步减小某个局部剥离现象的扩散，即所述阳极4的开口41及所述源漏极层2的第二开口21可抑制所述挡墙3 局部剥离现象向显示区10进一步延伸，从而提高了有机发光器件的高可靠性封装效果。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (4)

1.一种显示面板，具有一显示区以及围绕所述显示区设置的***区，其特征在于，所述显示面板包括：
一基板；
设置于所述基板上的至少一挡墙，所述挡墙位于所述***区内；
设置于所述基板上的一阳极，在所述***区内的所述阳极上设置至少一开口以暴露所述挡墙，在所述显示区朝向所述***区方向上，所述开口的尺寸大于所述挡墙的尺寸；
其中，所述挡墙包括至少一第一挡墙和一第二挡墙，所述第一挡墙位于所述显示区与所述第二挡墙之间，所述第一挡墙及所述第二挡墙之间具有一间隔区域；所述显示面板还包括薄膜封装层，所述薄膜封装层的第一无机封装层通过所述开口与所述挡墙接触；在所述基板的***区内的源漏极层上设置第二开口，所述第二开口与所述阳极的开口相对应，所述薄膜封装层的第一无机封装层通过所述开口及所述第二开口与所述挡墙接触；多个所述开口沿所述挡墙的延伸方向排列，且在所述显示区朝向所述***区的方向上，所述开口相同排列或交错设置；所述挡墙包括层叠设置的第一无机层及第二无机层；在所述显示区内，所述显示面板还包括层叠设置的平坦化层、像素界定层及有机发光器件层，所述平坦化层与所述挡墙的第一无机层同层设置且材料相同，所述像素界定层与所述挡墙的第二无机层同层设置且材料相同；所述有机发光器件层包括层叠设置的所述阳极、发光层及阴极；以及，在所述***区内，所述基板包括层叠设置的衬底基板、栅极绝缘层、层间介质层及所述源漏极层，所述平坦化层覆盖所述源漏极层。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述开口沿所述挡墙的延伸方向的尺寸为5μm~500μm，所述开口在所述显示区朝向所述***区方向上的尺寸大于5μm，相邻两所述开口沿所述挡墙的延伸方向上的间距大于10μm。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述开口沿所述挡墙的延伸方向的尺寸大于5μm，相邻两所述开口沿所述挡墙的延伸方向上的间距大于10μm。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜封装层还包括至少一有机封装层及一第二无机封装层，所述有机封装层及所述第二无机封装层设置于所述薄膜封装层的第一无机封装层远离所述基板的一侧。
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