CN109920827A - 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置及控制方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置及控制方法，涉及显示技术领域，能够解决因发光器件的横向电流而导致的混色现象的发生；该阵列基板包括基板以及设置于基板上的像素定义层；像素定义层界定出多个亚像素区；阵列基板还包括：位于亚像素区内的发光单元；发光单元包括依次设置的第一电极、发光功能层、第二电极；其中，所有发光单元中的发光功能层连接为一体面状结构，所有发光单元中的第二电极连接为一体面状结构；阵列基板还包括：位于相邻两个亚像素区之间的辅助电极；辅助电极位于发光功能层靠近基板的一侧，且辅助电极与发光功能层接触。

Description

阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置及控制方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置及控制方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)显示器因其具有自发光、轻薄、功耗低、高对比度、高色域、可实现柔性显示等优点，备受市场的关注。

然而，在OLED显示器进行显示的过程中，位于亚像素区域内的OLED发光器件在点亮时，由于存在横向电流，会导致横向电流流经的区域也进行发光，从而使得实际的发光区域大于亚像素区域，进而导致混色现象的发生。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置及控制方法，能够解决因发光器件的横向电流而导致的混色现象的发生。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例提供一种阵列基板，包括基板以及设置于所述基板上的像素定义层；所述像素定义层界定出多个亚像素区；所述阵列基板还包括：位于所述亚像素区内的发光单元；所述发光单元包括依次设置的第一电极、发光功能层、第二电极；其中，所有发光单元中的发光功能层连接为一体面状结构，所有发光单元中的第二电极连接为一体面状结构；所述阵列基板还包括：位于相邻两个所述亚像素区之间的辅助电极；所述辅助电极位于所述发光功能层靠近所述基板的一侧，且所述辅助电极与所述发光功能层接触。

在一些实施例中，所述辅助电极位于所述像素定义层靠近所述基板的一侧；所述像素定义层的挡墙在对应所述辅助电极的位置设置有镂空区，所述发光功能层在所述镂空区与所述辅助电极接触。

在一些实施例中，所述辅助电极与所述第一电极同层同材料。

在一些实施例中，所述辅助电极位于所述像素定义层背离所述基板的一侧。

在一些实施例中，每一所述亚像素区的四周均设置有所述辅助电极。

在一些实施例中，所有的所述辅助电极连接为一体的网状结构；在所述辅助电极位于所述像素定义层靠近所述基板的一侧的情况下，所述像素定义层的挡墙上设置有与所述网状结构的辅助电极正对的网状镂空区。

本发明实施例还提供一种阵列基板的制作方法，包括：在基板上形成第一导电层，并通过构图工艺形成位于各亚像素区的第一电极和位于相邻亚像素区之间的辅助电极；在形成有所述第一电极和所述辅助电极的基板上，形成像素界定层；所述像素界定层在对应所述辅助电极的位置具有镂空区；在形成有所述像素界定层的基板上，依次形成覆盖有效显示区的发光功能层和第二电极，以在各亚像素区形成发光单元；其中，所述发光功能层在所述镂空区与所述辅助电极接触。

本发明实施例还提供一种显示面板包括前述的阵列基板。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括前述的显示面板。

本发明实施例一种如前述显示装置的控制方法，第一电极为阳极，第二电极为阴极；在图像显示模式下，所述显示装置的控制方法包括：向辅助电极输入第一电压，向第二电极输入第二电压，所述第一电压小于所述第二电压，以在所述辅助电极和所述第二电极之间形成反向电场；在照明模式下，所述显示装置的控制方法包括：向辅助电极输入第三电压，向第二电极输入第二电压，所述第三电压大于所述第二电压，以控制所述辅助电极和所述第二电极之间的发光功能层发光。

本发明实施例一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置及控制方法，该阵列基板包括基板以及设置于基板上的像素定义层；像素定义层界定出多个亚像素区；该阵列基板还包括：位于亚像素区内的发光单元；发光单元包括依次设置的第一电极、发光功能层、第二电极；其中，所有发光单元中的发光功能层连接为一体面状结构，所有发光单元中的第二电极连接为一体面状结构；阵列基板还包括：位于相邻两个亚像素区之间的辅助电极；辅助电极位于发光功能层靠近基板的一侧，且辅助电极与发光功能层接触。

综上所述，采用本发明的阵列基板在应用至显示面板进行显示时，可以通过在辅助电极上施加一定的电压，使其与第二电极之间形成反向电场，也即在相邻两个亚像素区之间的区域形成反向电场，从而能够阻止空穴和电子流经该区域，进而也就避免了因发光单元在发光时因产生的横向电流而导致的相邻两个亚像素区之间的区域发光的问题，降低了混色现象发生的几率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明相关技术提供的一种显示面板的部分结构示意图；

图2为图1中O-O’位置的剖面示意图；

图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种阵列基板的平面结构示意图；

图5为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的一种阵列基板的平面结构示意图；

图7为本发明实施例提供的一种阵列基板制作方法流程示意图；

图8为本发明实施例提供的一种阵列基板制作方法流程示意图。

附图标记：

10-发光单元；100-第一电极；200-第二电极；300-发光功能层；P-亚像素区；E-辅助电极；PDL-像素定义层；Bank-挡墙。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

除非另外定义，本发明实施例中使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

本发明相关技术提供一种OLED显示面板，如图1和图2(图1在O-O’位置的剖面示意图)所示，该显示面板包括基板以及设置基板上的像素定义层(Pixel Define Layer，PDL)，该像素定义层PDL由挡墙(Bank)组成，通过该像素定义层PDL中的挡墙界定出多个亚像素区P。

如图2所示，该显示面板还包括：位于亚像素区P内的发光单元10；该发光单元10包括依次设置的第一电极100、发光功能层300、第二电极200。其中，所有的发光单元10中的发光功能层300连接为一体面状结构，所有的发光单元10中的第二电极200连接为一体面状结构；也即发光功能层300、第二电极200为覆盖整个有效显示区(也即AA区)的面状结构。当然，一般的，第一电极100位于像素定义层PDL靠近基板的一侧，并且第一电极100的边缘会适当的延伸出亚像素区P。

其中，对于上述发光功能层300而言，一般至少包括空穴注入层、有机发光层、电子注入层。当然，在一些实施例中，该发光功能层300还可以包括空穴传输层、电子传输层等，本发明对此不做具体限定。

对于发光单元10(也可以成为有机发光单元、有机发光二极管)而言，第一电极100和第二电极200，一个为阳极，另一为阴极；在一些实施例中，第一电极100为阳极，采用透明导电材料(例如，ITO、IZO等)制成，第二电极200为阴极，采用金属材料(例如，Ag、Al等)制成；并在阳极和阴极产生的正向电场的驱动下，空穴和电子克服界面间的势垒后，穿过各功能层在有机发光层的有机物质内结合形成激子，激子辐射退激发发出光子(也即发光)。

然而，由于发光单元10在发光时会产生横向电流，从而导致与亚像素区P相邻(也即位于相邻亚像素区P之间)的区域的发光功能层300发光，也就造成了实际发光区大于亚像素区，进而导致混色现象的发生。

基于此，本发明实施例提供一种阵列基板，如图3或图5所示，该阵列基板还包括：位于相邻两个亚像素区之间的辅助电极E；其中，该辅助电极E位于发光功能层300靠近基板的一侧，且该辅助电极E与发光功能层300接触。

综上所述，采用本发明的阵列基板在应用至显示面板进行显示时，可以通过在辅助电极上施加一定的电压，使其与第二电极之间形成反向电场，也即在相邻两个亚像素区之间的区域形成反向电场，从而能够阻止空穴和电子流经该区域，进而也就避免了因发光单元在发光时因产生的横向电流而导致的相邻两个亚像素区之间的区域发光的问题，降低了混色现象发生的几率。

此处需要说明的是，辅助电极E为独立设置的电极，其与前述的第一电极100、第二电极200均不连接，以保证能够对辅助电极进行单独供电。

以下对上述辅助电极E的具体设置方式做进一步的说明。

设置方式一

如图3所示，该辅助电极E位于像素定义层PDL靠近基板的一侧；并且，像素定义层PDL中的挡墙在对应辅助电极E的位置设置有镂空区S，发光功能层300在镂空区S与辅助电极E接触。

此处需要说明的是，为了尽可能的保证辅助电极E与发光功能层300在镂空区S有效的接触，实际中，在一些实施例中，可以设置镂空区S与辅助电极E正对，且两者的形状大小基本一致，并设置镂空区的底部的边缘相比于辅助电极的边缘向内具有一定的缩进，以保证辅助电极E分布于整个镂空区S，使得辅助电极E与发光功能层300进行有效接触。

在此基础上，为了简化工艺、降低制作成本，在一些实施例中，如图4所示，可以将第一电极100与辅助电极E采用同一次构图工艺加工制作而成，也即第一电极100与辅助电极E同层同材料设置。

设置方式二

如图5所示，辅助电极E位于像素定义层PDL背离基板的一侧，也即辅助电极E与发光功能层300位于相邻层。

在此情况下，对于辅助电极E而言：可以覆盖像素定义层PDL中挡墙的全部或部分上表面；也可以覆盖像素定义层PDL中挡墙的侧面(但不与第一电极接触)；还可以覆盖像素定义层PDL中挡墙的上表面以及侧面，例如可以覆盖像素定义层PDL中挡墙的全部上表面并延伸至侧面中的上半部分；本发明对此不做具体限定。

在此基础上，本发明对于位于相邻两个亚像素区之间的辅助电极的具体形状、个数均不做具体限定。

在一些实施例中，可以在任意(或部分)相邻两行亚像素区P之间的设置沿行方向上延伸的(一个或多个)条状的(或者弯曲的)辅助电极。

在一些实施例中，可以在任意(或部分)相邻两列亚像素区P之间的设置沿列方向上延伸的(一个或多个)条状的(或者弯曲的)辅助电极。

在一些实施例中，可以每一亚像素区P的四周均设置辅助电极E，以最大程度的降低混色现象的发生。

在此情况下，如图4(对应图3中辅助电极E的设置方式一)或图6(对应图5中辅助电极E的设置方式二)所示，可以设置辅助电极E连接为一体的网状结构，亚像素区P位于网状结构的网孔内的区域；当然，针对上述设置方式一中的辅助电极E而言，在此情况下，可以在像素定义层PDL的挡墙上设置与网状结构的辅助电极E正对的网状镂空区(可以参考图4)。

这样一来，通过将辅助电极E设置为一体的网状结构，一方面，保证在每一发光单元的四周均设置有辅助电极，并通过在辅助电极与第二电极施加电信号，以在发光单元的四周均形成反向电场，从而最大程度的避免了因横向电流而导致的混色现象的发生；另一方面，还可以降低辅助电极的电阻，进而降低能耗。

另外，还需要说明的是，第一，本发明中的基板，并不必然是指单纯的玻璃基板或者PI(聚酰亚胺)基板，本发明中的基板可以包括衬底基板(可以是玻璃基板或者PI基板)以及设置在衬底基板上针对各亚像素区设置的TFT(薄膜晶体管)阵列。

第二，在本发明中，构图工艺，可指包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩膜版、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。

第三，本发明中的阵列基板中还设置有辅助电极线，可以根据实际需要，设置辅助电极线与阵列基板中的栅线或数据线(但不限制于此)同层同材料(也即通过同一次构图工艺制成)，辅助电极通过位于其下方的一层或者多层绝缘层上的过孔与辅助电极线连接，以通过辅助电极线向辅助电极输入电信号。

本发明实施例还提供一种显示面板，包括前述的阵列基板。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括前述的显示面板。

上述显示面板以及显示装置均包括前述的阵列基板，具有与前述实施例提供的阵列基板相同的结构和有益效果。由于前述实施例已经对阵列基板的结构和有益效果进行了详细的描述，此处不再赘述。

需要说明的是，在本发明实施例中，显示装置具体至少可以包括有机发光二极管显示面板；所述显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

本发明实施例还提供一种针对图3中示出的阵列基板的制作方法，如图7所示，该制作方法包括：

步骤S101、在基板上形成第一导电层，并通过构图工艺形成位于各亚像素区P的第一电极100和位于相邻亚像素区P之间的辅助电极E。

步骤S102、在形成有第一电极100和辅助电极E的基板上形成像素界定层PDL，且像素界定层PDL在对应辅助电极E的位置具有镂空区S。

步骤S103、在形成有像素界定层PDL的基板上，依次形成覆盖有效显示区的发光功能层300和第二电极200，以在各亚像素区P形成发光单元10；其中，发光功能层300在镂空区S与辅助电极E接触。

当然，对于该制作方法中其他的相关内容，可以对应的参考前述与图3对应的阵列基板相关的部分实施例，此处不再赘述；对于前述对应的阵列基板实施例中的其他设置结构，可以参考上述制作方法对应制备，调整相应的制作方法，此处不再一一赘述。

本发明实施例还提供一种针对图5中示出的阵列基板的制作方法，如图8所示，该制作方法包括：

步骤S201、在基板上依次形成第一电极100、像素界定层PDL。

步骤S202、在像素界定层PDL中挡墙的表面形成辅助电极E。

步骤S203、在形成有辅助电极E的基板上，依次形成覆盖有效显示区的发光功能层300和第二电极200，以在各亚像素区P形成发光单元10。

当然，对于该制作方法中其他的相关内容，可以对应的参考前述与图5对应的阵列基板相关的部分实施例，此处不再赘述；对于前述对应的阵列基板实施例中的其他设置结构，可以参考上述制作方法对应制备，调整相应的制作方法，此处不再一一赘述。

本发明实施例还提供一种如前述的显示装置的控制方法。

示意的，以该显示装置中，第一电极100为阳极，第二电极200为阴极为例：

在图像显示模式下，该显示装置的控制方法可以包括：

向辅助电极E输入第一电压V1，向第二电极200输入第二电压V2，第一电压V1小于第二电压V2(也即V1＜V2)，以在辅助电极E和第二电极200之间形成反向电场，从而在辅助电极的区域形成抑流区，进而降低了因发光器件的横向电流而导致的混色现象的发生。

在照明模式下，该显示装置的控制方法可以包括：

向辅助电极E输入第三电压V3，向第二电极200输入第二电压V2，第三电压V3大于第二电压V2(也即V2＞V3)，以在辅助电极E和第二电极200之间形成正向电场，从而控制辅助电极E和第二电极200之间的发光功能层300(有机发光层)进行发光。

需要说明的是，对于上述在图像显示模式下向第二电极200输入的第二电压V2，以及在照明模式下向第二电极200输入的第二电压V2而言，两者可以是同一电压(例如ELVSS电压)，也可以是不同的电压，本发明对此不做具体限定，实际中为了简化控制，一般设置两者为同一电压。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括基板以及设置于所述基板上的像素定义层；所述像素定义层界定出多个亚像素区；

所述阵列基板还包括：位于所述亚像素区内的发光单元；所述发光单元包括依次设置的第一电极、发光功能层、第二电极；其中，所有发光单元中的发光功能层连接为一体面状结构，所有发光单元中的第二电极连接为一体面状结构；

所述阵列基板还包括：位于相邻两个所述亚像素区之间的辅助电极；所述辅助电极位于所述发光功能层靠近所述基板的一侧，且所述辅助电极与所述发光功能层接触。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助电极位于所述像素定义层靠近所述基板的一侧；

所述像素定义层的挡墙在对应所述辅助电极的位置设置有镂空区，所述发光功能层在所述镂空区与所述辅助电极接触。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，

所述辅助电极与所述第一电极同层同材料。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述辅助电极位于所述像素定义层背离所述基板的一侧。

5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，

每一所述亚像素区的四周均设置有所述辅助电极。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所有的所述辅助电极连接为一体的网状结构；

在所述辅助电极位于所述像素定义层靠近所述基板的一侧的情况下，

所述像素定义层的挡墙上设置有与所述网状结构的辅助电极正对的网状镂空区。

7.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成第一导电层，并通过构图工艺形成位于各亚像素区的第一电极和位于相邻亚像素区之间的辅助电极；

在形成有所述第一电极和所述辅助电极的基板上，形成像素界定层；所述像素界定层在对应所述辅助电极的位置具有镂空区；

在形成有所述像素界定层的基板上，依次形成覆盖有效显示区的发光功能层和第二电极，以在各亚像素区形成发光单元；其中，所述发光功能层在所述镂空区与所述辅助电极接触。

8.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的阵列基板。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8所述的显示面板。

10.一种如权利要求9的显示装置的控制方法，其特征在于，第一电极为阳极，第二电极为阴极；

在图像显示模式下，所述显示装置的控制方法包括：

向辅助电极输入第一电压，向第二电极输入第二电压，所述第一电压小于所述第二电压，以在所述辅助电极和所述第二电极之间形成反向电场；

在照明模式下，所述显示装置的控制方法包括：

向辅助电极输入第三电压，向第二电极输入第二电压，所述第三电压大于所述第二电压，以控制所述辅助电极和所述第二电极之间的发光功能层发光。