CN108428729B - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及一种显示面板及其制备方法。所述显示面板包括基板。所述基板具有透光区和像素显示区。所述透光区和所述像素显示区相对于所述基板互补设置。所述透光区包括多个透光单元和封装层。所述多个透光单元设置于所述透光区。并且所述透光单元覆盖所述基板的表面。所述封装层覆盖所述多个透光单元的表面。本申请中，所述基板在透光区和像素显示区具有不同的结构。在制成显示屏的过程中，所述显示面板的透光区下方位置可以用于安放摄像头、听筒、指纹识别或者实体按键。所述显示面板无需切割工艺，即可提供安放摄像头、听筒、指纹识别的位置。所述显示面板避免了显示、触控及工艺等不良的产生。

Description

显示面板及其制备方法
技术领域
本申请涉及显示领域，特别是涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
全面屏以其具有较大的屏占比、超窄的边框的特点，可以大大改善使用者的视觉效果，从而受到了广泛的关注。目前，采用全面屏的显示装置中，为了实现自拍、可视通话以及指纹识别的功能，通常都会在显示装置的正面开设异形区域。所述异形区域用于安放摄像头、听筒、指纹识别或者实体按键。由于开设异形区域时需要切割。切割会导致显示、触控及工艺等不良的现象发生，进一步导致显示屏整体的显示效果变差。
发明内容
基于此，有必要针对切割会导致显示、触控及工艺等不良的问题，提供一种显示面板及其制备方法。
一种显示面板，包括基板，所述基板具有透光区和像素显示区，所述透光区和所述像素显示区相对于所述基板互补设置；
所述透光区包括：
多个透光单元，覆盖所述基板的所述透光区；以及
封装层，将所述多个透光单元覆盖。
在一个实施例中，所述透光区还包括：缓冲层，设置于所述基板与所述多个透光单元之间。
在一个实施例中，所述透光区还包括：介质层，设置于所述基板与所述多个透光单元之间。
在一个实施例中，所述透光区还包括：光取出层，设置于每一个所述透光单元与所述封装层之间。
在一个实施例中，所述多个透光单元包括：
空穴注入层，覆盖所述基板的所述透光区；
空穴传输层，覆盖于所述空穴注入层远离所述基板的表面；
电子阻挡层，覆盖于所述空穴传输层远离所述空穴注入层的表面；
发光层，覆盖于所述电子阻挡层远离所述空穴传输层的表面；
空穴阻挡层，覆盖于所述发光层远离所述电子阻挡层的表面；
电子传输层，覆盖于所述空穴阻挡层远离所述发光层的表面；以及
电子注入层，覆盖于所述电子传输层远离所述空穴阻挡层的表面。
在一个实施例中，所述透光区的透光率大于等于70％。
一种显示面板的制备方法，包括以下步骤：
S10，提供基板，所述基板具有第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域相对于所述基板互补设置；
S210，在所述第一区域和所述第二区域沉积缓冲层；
S220，在所述缓冲层的表面沉积有源层；
S230，将位于所述第一区域的所述有源层刻蚀掉；
S240，在所述第一区域和所述第二区域依次沉积第一绝缘层和第一金属层；
S250，将位于所述第一区域的所述第一金属层刻蚀掉；
S260，在所述第一区域和所述第二区域依次沉积第二绝缘层和第二金属层；
S270，将位于所述第一区域的所述第二金属层刻蚀掉；
S280，在所述第一区域和所述第二区域依次沉积第三绝缘层和第三金属层；
S290，将位于所述第一区域的所述第三金属层刻蚀掉；
S30，在所述第一区域和所述第二区域沉积阳极层；
S40，将位于所述第一区域的所述阳极层刻蚀掉；
S50，在所述第一区域和所述第二区域沉积多个透光单元；
S60，在所述多个透光单元的表面沉积阴极层；
S70，将位于所述第一区域的所述阴极层刻蚀掉；
S80,在所述第一区域和所述第二区域沉积封装层。
在一个实施例中，所述步骤S290之后还包括：
S291，将位于所述第一区域的所述缓冲层、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述第三绝缘层刻蚀掉。
在一个实施例中，所述步骤S290之后还包括：
S293，在所述第一区域和所述第二区域沉积平坦化层。
在一个实施例中，在所述步骤S70之后还包括：
S710,在所述第一区域和所述第二区域沉积光取出层。
本申请涉及一种显示面板及其制备方法。所述显示面板包括基板。所述基板具有透光区和像素显示区。所述透光区和所述像素显示区相对于所述基板互补设置。所述透光区包括多个透光单元和封装层。所述多个透光单元设置于所述透光区。并且所述透光单元覆盖所述基板的表面。所述封装层覆盖所述多个透光单元的表面。本申请中，所述基板在透光区和像素显示区具有不同的结构。在制成显示屏的过程中，所述显示面板的透光区下方位置可以用于安放摄像头、听筒、指纹识别或者实体按键。所述显示面板无需切割工艺，即可提供安放摄像头、听筒、指纹识别的位置。所述显示面板避免了显示、触控及工艺等不良的产生。
附图说明
图1为本申请一个实施例提供的显示面板的结构示意图；
图2为本申请一个实施例提供的所述显示面板的截面图；
图3为本申请一个实施例提供的显示面板的结构示意图；
图4为本申请一个实施例提供的显示面板的结构示意图；
图5为本申请一个实施例提供的显示面板的结构示意图；
图6为本申请一个实施例提供的所述像素阵列控制电路的截面图；
图7为本申请一个实施例提供的在所述电致发光二极管的截面图；
图8为本申请一个实施例提供的所述显示面板的结构示意图；
图9为本申请又一实施例提供的所述显示面板的结构示意图；
图10为本申请再一实施例提供的所述显示面板的结构示意图；
图11为本申请一个实施例提供的所述显示面板的平面结构图。
附图标记说明：
显示面板 10
基板 101
像素单元 102
第一区域 111
第二区域 112
像素阵列控制电路 200
缓冲层 202
有源层 203
介质层 204
第一绝缘层 214
第二绝缘层 224
第三绝缘层 234
第一金属层 205
第二金属层 206
第三金属层 207
平坦化层 208
电致发光二极管 300
阳极层 310
透光单元 320
空穴注入层 321
空穴传输层 322
电子阻挡层 323
发光层 324
空穴阻挡层 325
电子传输层 326
电子注入层 327
阴极层 330
光取出层 340
封装层 600
透光区 700
像素显示区 800
具体实施方式
请参阅图1和图2，在一个实施例中提供显示面板10。所述显示面板10包括基板101。所述基板101具有透光区700和像素显示区800。所述透光区700和所述像素显示区800相对于所述基板101互补设置。互补设置即所述显示面板10除了所述透光区700即为所述像素显示区800。所述显示面板10不在设置异形开槽或者其他的区域。所述显示面板10可以包括一个或多个所述透光区700。所述透光区700的形状和位置也不作具体的限定。请参阅图3，所述透光区700可以设置在所述显示面板10的正上方中间位置，所述透光区700设置为圆角矩形。请参阅图4，所述透光区700可以设置在所述显示面板10的四个角的位置，所述透光区700设置为90°扇形。请参阅图5，所述透光区700可以设置在所述显示面板10的任意位置，所述透光区700设置为圆形。
请再次参阅图2，所述透光区700包括多个透光单元320和封装层600。所述多个透光单元320设置于所述透光区700。并且所述多个透光单元320覆盖所述基板101。所述封装层600将所述多个透光单元320覆盖。所述多个透光单元320在所述透光区700和所述像素显示区800都有设置。在所述透光区700不设置用于驱动所述透光单元320点亮的电极板。所述透光区700的透光率可以达到80％-90％。这样就避免了切割工艺，减少了由于切割带来的显示不良。在制成显示屏的过程中，所述显示面板10的透光区700下方位置可以用于安放摄像头、听筒、指纹识别或者实体按键。
本实施例中，所述显示面板10包括基板101。所述基板101具有透光区700和像素显示区800。所述透光区700包括多个透光单元320和封装层600。所述多个透光单元320设置于所述透光区700。并且所述透光单元320覆盖所述基板101的表面。所述封装层600覆盖所述多个透光单元320的表面。本实施例中，所述基板101在透光区700和像素显示区800具有不同的结构。在制成显示屏的过程中，所述显示面板10的透光区700下方位置可以用于安放摄像头、听筒、指纹识别或者实体按键。所述显示面板10无需切割工艺，即可提供安放摄像头、听筒、指纹识别的位置。所述显示面板10避免了显示、触控及工艺等不良的产生。
请参阅图2、图6和图7，在一个实施例中，所述像素显示区800包括基板101、设置在所述基板101上的所述像素单元102以及封装层600。如图2所示，所述像素单元102可以包括像素阵列控制电路200和电致发光二极管300。所述电致发光二极管300可以选自有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)或微型发光二极管(Micro LED)等电致发光器件。所述像素阵列控制电路200可以包括一个或多个薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，简称TFT)和电容。所述电致发光二极管300与所述像素阵列控制电路200电连接。所述像素单元102用于呈现不同色彩的显示。所述像素单元102在实现显示的过程中需要一定的驱动信号进行驱动。
在一个实施例中，所述显示面板10可以为液晶显示面板，所述像素单元102包括像素电极以及与所述像素电极电连接的像素阵列控制电路200。在另一个实施例中，所述显示面板10为电致发光显示面板，所述像素单元102包括电致发光二极管300和与所述电致发光二极管300电连接的像素阵列控制电路200。液晶显示面板中的像素阵列控制电路200和电致发光显示面板中的所述像素阵列控制电路200的结构可以不同。
本实施例中，所述显示面板10可以是液晶显示面板或者电致发光显示面板，或者其他类型的显示面板。当所述显示面板选用的材料不同时，所述像素单元102的具体结构可以有一定的差别。
请参阅图6，所述像素阵列控制电路200可以包括缓冲层202、有源层203、介质层204、第一绝缘层214、第二绝缘层224、第三绝缘层234、第一金属层205、第二金属层206、第三金属层207以及平坦化层208。在所述像素显示区800，所述像素阵列控制电路200中各层的具体结构可以根据本领域技术人员的设计需求进行具体的设计。比如所述缓冲层202的材料和厚度根据本领域技术人员的设计需求进行具体的设计。再比如，所述像素阵列控制电路200的栅极层可以设置于所述有源层203、所述第一金属层205或者所述第三金属层207中的任意一层。因此，所述像素阵列控制电路200各层的具体结构在此不再赘述。
请参阅图7，所述电致发光二极管300可以包括阳极层310、透光单元320、阴极层330以及光取出层340。在所述像素显示区800所述透光单元320通过所述阳极层310、所述阴极层330和所述光取出层340的配合进行发光显示。所述透光单元320在所述透光区700的作用是透光。所述透光单元320在所述透光区700不进行显示。所述电致发光二极管300可以做成顶发光器件也可以做成底发光器件。在所述像素显示区800，所述电致发光二极管300具体结构可以根据本领域技术人员的设计需求进行具体的设计，在此不再赘述。
在一个实施例中，所述多个透光单元320包括依次层叠设置的空穴注入层321、空穴传输层322、电子阻挡层323、发光层324、空穴阻挡层325、电子传输层326以及电子注入层327。本实施例中，在所述透光区700，所述空穴注入层321直接贴覆于所述基板101的表面。
所述空穴注入层321设置于所述透光区700并覆盖所述基板101。所述空穴注入层321直接贴覆于所述基板101的表面。所述空穴传输层322覆盖于所述空穴注入层321远离所述基板101的表面。所述电子阻挡层323覆盖于所述空穴传输层322远离所述空穴注入层321的表面。所述发光层324覆盖于所述电子阻挡层323远离所述空穴传输层322的表面。所述空穴阻挡层325覆盖于所述发光层324远离所述电子阻挡层323的表面。所述电子传输层326覆盖于所述空穴阻挡层325远离所述发光层324的表面。所述电子注入层327覆盖于所述电子传输层326远离所述空穴阻挡层325的表面。
本实施例中，在所述透光区700，所述空穴注入层321直接贴覆于所述基板101的表面。在所述透光区700，所述透光单元320的各个层的设置方式及步骤与所述像素显示区800的设置方式及步骤相同。这样可以节约工艺成本，降低工艺难度。在所述显示面板10的制备过程中，不需要制备更复杂的掩膜版，也不需要增加制作工艺就能形成所述透光区700和所述像素显示区800。
请参阅图8，在一个实施例中，所述透光区700还包括缓冲层202。所述缓冲层202设置于所述基板101与所述多个透光单元320之间。并且所述缓冲层202直接贴覆于所述基板101。
本实施例中，在所述透光区700还设置有所述缓冲层202。在所述像素显示区800沉积所述缓冲层202的同时在所述透光区700沉积所述缓冲层202。本实施例中，所述透光区700的结构设置可以节约工艺成本，降低工艺难度。在所述显示面板10的制备过程中，不需要制备更复杂的掩膜版，也不需要增加制作工艺就能形成所述透光区700和所述像素显示区800。
请参阅图9，在一个实施例中，所述透光区700还包括介质层204。所述介质层204设置于所述基板101与所述多个透光单元320之间。并且所述介质层204直接贴覆于所述基板101。
本实施例中，所述介质层204可以是绝缘层。所述介质层204的厚度也不限制。所述介质层204可以包括所述第一绝缘层214、所述第二绝缘层224和所述第三绝缘层234。在所述像素显示区800分别沉积所述第一绝缘层214、所述第二绝缘层224和所述第三绝缘层234的同时在所述透光区700沉积所述第一绝缘层214、所述第二绝缘层224和所述第三绝缘层234。本实施例中，所述透光区700的结构设置可以节约工艺成本，降低工艺难度。在所述显示面板10的制备过程中，不需要制备更复杂的掩膜版，也不需要增加制作工艺就能形成所述透光区700和所述像素显示区800。
请参阅图10，在一个实施例中，所述透光区700还包括光取出层340。所述光取出层340设置于所述多个透光单元320与所述封装层600之间。
本实施例中，所述光取出层340与位于所述像素显示区800的光取出层340的材料及厚度可以一致。所述像素显示区800的所述光取出层340在图7中示出。在所述像素显示区800沉积所述光取出层340的同时在所述透光区700沉积所述光取出层340。本实施例中，所述透光区700的结构设置可以节约工艺成本，降低工艺难度。在所述显示面板10的制备过程中，不需要制备更复杂的掩膜版，也不需要增加制作工艺就能形成所述透光区700和所述像素显示区800。
在一个实施例中，所述透光区700的透光率大于等于70％。本实施例中，所述透光区700可以包括所述基板101的部分区域、缓冲层202、介质层204、平坦化层208、透光单元320、光取出层340以及封装层600。或者所述透光区700至少包括所述基板101的部分区域、透光单元320以及封装层600。上述各层总的透光率可以大于70％。所述透光区700的透光率于70％，使得设置在所述透光区700下方的摄像头的成像效果更好，各种传感器的信号传输的效果更好。因此，在一些实施例中所述透光区700的透光率能达到80％-90％。所述透光区700的透光率高，由于没有进行开槽、切割的工艺，使得所述显示面板10在所述像素显示区800的显示效果不会受到影响。
请参阅图11，在一个实施例中提供一种显示面板的制备方法。所述方法包括以下步骤：
S10，提供基板101。请参阅图11，所述基板101具有第一区域111和第二区域112。所述第一区域111和所述第二区域112相对于所述基板101互补设置。这里所述第一区域111设置的位置、形状以及大小都不作具体的限定。另外，所述第一区域111的个数也不作具体的限定。所述第一区域111和所述第二区域112相对于所述显示面板10是互补的。比如，所述显示面板10有一个所述第一区域111，那么所述显示面板10的其他区域都是所述第二区域112。
S210，在所述第一区域111和所述第二区域112沉积缓冲层202。
S220，在所述缓冲层202的表面沉积有源层203。
S230，将位于所述第一区域111的所述有源层203刻蚀掉。
S240，在所述第一区域111和所述第二区域112依次沉积第一绝缘层214和第一金属层205。
S250，将位于所述第一区域111的所述第一金属层205刻蚀掉。
S260，在所述第一区域111和所述第二区域112依次沉积第二绝缘层224和第二金属层206。
S270，将位于所述第一区域111的所述第二金属层206刻蚀掉。
S280，在所述第一区域111和所述第二区域112依次沉积第三绝缘层234和第三金属层207。
S290，将位于所述第一区域111的所述第三金属层207刻蚀掉。
在所述S210至所述S290的步骤中，沉积各个膜层时在所述第一区域111和所述第二区域112共同沉积。刻蚀部分膜层时，只刻蚀位于所述第一区域111的部分膜层。比如所述有源层203、所述第一金属层205、所述第二金属层206以及所述第三金属层207等透光率低于70％的膜层都需要被刻蚀掉。
S30，在所述第一区域111和所述第二区域112沉积阳极层310。
S40，将位于所述第一区域111的所述阳极层310刻蚀掉。
S50，在所述第一区域111和所述第二区域112沉积多个透光单元320。
S60，在所述多个透光单元320的表面沉积阴极层330。所述阴极层330可以设置为半反射半透射的金属电极层。
S70，将位于所述第一区域111的所述阴极层330刻蚀掉。
在所述S30至所述S70的步骤中，在所述第一区域111和所述第二区域112共同沉积所述阳极层310、所述多个透光单元320以及所述阴极层330。所述阳极层310和所述阴极层330为金属电极层，其透光率均低于70％。所述阳极层310和所述阴极层330的膜层都需要被刻蚀掉。
S80,在所述第一区域111和所述第二区域112沉积封装层600。
本实施例中，上述各种的沉积步骤和刻蚀步骤都可以根据本领域技术人员的设计需求进行设置。比如在刻蚀的过程中可以采用图案化的方式进行刻蚀。具体刻蚀哪种图案需要结合所述透光区700和所述像素显示区800的设计需求进行选择。本实施例中，所述显示面板的制备方法简单易实现。所述方法增加了将所述透光区700的部分膜层刻蚀的步骤。刻蚀位于所述透光区700透光率小于70％的各个膜层。本实施例中，所述显示面板10在透光区700和像素显示区800具有不同的结构。所述显示面板10的透光区700下方位置可以用于安放摄像头、听筒、指纹识别或者实体按键。所述制备方法省去了切割工艺，避免了所述显示面板10的显示、触控及工艺过程中产生的不良。
在一个实施例中，所述步骤S290之后还包括：S291，将位于所述第一区域111的所述缓冲层202、所述第一绝缘层214、所述第二绝缘层224以及所述第三绝缘层234刻蚀掉。
本实施例中，将位于所述透光区700所述像素阵列控制电路200的各个膜层全部刻蚀掉。这样使得所述透光区700的透光率能够保持在80％-90％的范围。
在一个实施例中，所述步骤S290之后还包括：S293，在所述第一区域111和所述第二区域112沉积平坦化层208。
本实施例中，在所述透光区700增加一层所述平坦化层208。所述平坦化层208的透光率也很高，这样使得所述透光区700的透光率能够保持在80％-90％的范围。
在一个实施例中，在所述步骤S70之后还包括：S710,在所述第一区域111和所述第二区域112沉积光取出层340。
本实施例中，在所述透光区700设置所述光取出层340时，可以与在所述第二区域112沉积光取出层340采用同一个沉积过程。这样可以节约工艺成本，降低工艺难度。在所述显示面板10的制备过程中，不需要制备更复杂的掩膜版，也不需要增加制作工艺就能形成具有较高透光率的所述透光区700。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种显示面板(10)，包括基板(101)，其特征在于，所述基板(101)具有透光区(700)和像素显示区(800)，所述透光区(700)和所述像素显示区(800)相对于所述基板(101)互补设置；
所述透光区(700)包括：
多个透光单元(320)，覆盖所述基板(101)的所述透光区(700)，在所述透光区(700)不设置用于驱动所述透光单元(320)点亮的电极板；以及
封装层(600)，覆盖所述多个透光单元(320)。
2.如权利要求1所述的显示面板(10)，其特征在于，所述透光区(700)还包括：缓冲层(202)，设置于所述基板(101)与所述多个透光单元(320)之间。
3.如权利要求1所述的显示面板(10)，其特征在于，所述透光区(700)还包括：介质层(204)，设置于所述基板(101)与所述多个透光单元(320)之间。
4.如权利要求1所述的显示面板(10)，其特征在于，所述透光区(700)还包括：光取出层(340)，设置于所述多个透光单元(320)与所述封装层(600)之间。
5.如权利要求1所述的显示面板(10)，其特征在于，每一个所述透光单元(320)包括：
空穴注入层(321)，覆盖所述基板(101)的所述透光区(700)；
空穴传输层(322)，覆盖于所述空穴注入层(321)远离所述基板(101)的表面；
电子阻挡层(323)，覆盖于所述空穴传输层(322)远离所述空穴注入层(321)的表面；
发光层(324)，覆盖于所述电子阻挡层(323)远离所述空穴传输层(322)的表面；
空穴阻挡层(325)，覆盖于所述发光层(324)远离所述电子阻挡层(323)的表面；
电子传输层(326)，覆盖于所述空穴阻挡层(325)远离所述发光层(324)的表面；以及
电子注入层(327)，覆盖于所述电子传输层(326)远离所述空穴阻挡层(325)的表面。
6.如权利要求1-5中任一项所述的显示面板(10)，其特征在于，所述透光区(700)的透光率大于等于70％。
7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S10，提供基板(101)，所述基板(101)具有第一区域(111)和第二区域(112)，所述第一区域(111)和所述第二区域(112)相对于所述基板(101)互补设置；
S210，在所述第一区域(111)和所述第二区域(112)沉积缓冲层(202)；
S220，在所述缓冲层(202)的表面沉积有源层(203)；
S230，将位于所述第一区域(111)的所述有源层(203)刻蚀掉；
S240，在所述第一区域(111)和所述第二区域(112)依次沉积第一绝缘层(214)和第一金属层(205)；
S250，将位于所述第一区域(111)的所述第一金属层(205)刻蚀掉；
S260，在所述第一区域(111)和所述第二区域(112)依次沉积第二绝缘层(224)和第二金属层(206)；
S270，将位于所述第一区域(111)的所述第二金属层(206)刻蚀掉；
S280，在所述第一区域(111)和所述第二区域(112)依次沉积第三绝缘层(234)和第三金属层(207)；
S290，将位于所述第一区域(111)的所述第三金属层(207)刻蚀掉；
S30，在所述第一区域(111)和所述第二区域(112)沉积阳极层(310)；
S40，将位于所述第一区域(111)的所述阳极层(310)刻蚀掉；
S50，在所述第一区域(111)和所述第二区域(112)沉积多个透光单元(320)；
S60，在所述多个透光单元(320)的表面沉积阴极层(330)；
S70，将位于所述第一区域(111)的所述阴极层(330)刻蚀掉；
S80,在所述第一区域(111)和所述第二区域(112)沉积封装层(600)。
8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S290之后还包括：
S291，将位于所述第一区域(111)的所述缓冲层(202)、所述第一绝缘层(214)、所述第二绝缘层(224)以及所述第三绝缘层(234)刻蚀掉。
9.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S290之后还包括：
S293，在所述第一区域(111)和所述第二区域(112)沉积平坦化层(208)。
10.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S70之后还包括：
S710,在所述第一区域(111)和所述第二区域(112)沉积光取出层(340)。
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