CN110783236B - 腔室离线控制方法及*** - Google Patents

腔室离线控制方法及*** Download PDF

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Abstract

本发明提供一种腔室离线控制方法及***,该腔室离线控制方法包括:当接收到一腔室处于非正常工艺状态的通知信息时,判断所述腔室是否容纳有晶片;若判断结果为是,则向所述腔室发送晶片传出指令,以尝试控制所述腔室将所述晶片传出该腔室;再次判断所述腔室中是否容纳有晶片;若所述再次判断的结果为否,则向所述腔室发送离线指令,以控制所述腔室转为离线状态。通过本发明,减小了机台的损失。

Description

腔室离线控制方法及***
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,具体地,涉及一种腔室离线控制方法及***。
背景技术
目前,在半导体领域,工厂自动化***监视设备的状态,特别是该设备在工艺过程中各个参数指标,一旦该设备的某个腔室的某个参数指标失控(Out Of Control,以下简称OOC),即某个参数指标超出预设范围时,需要人员停止该腔室的工作,即使腔室离线,该使腔室离线的方式人为因素影响比较大,人员从接到通知到使腔室离线往往需要耗时1-4小时不等,这样不能在第一时间使腔室离线,后续晶片会继续进入该腔室进行工艺,可能导致晶片工艺不达标甚至导致晶片报废。
进一步,人为使腔室离线,可能会导致整个设备的其他腔室也暂时无法使用,即耗时又费力同时还影响机台的正常运行和产量。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种腔室离线控制方法及***。
为实现本发明的目的而提供一种腔室离线控制方法,所述方法包括:
当接收到一腔室处于非正常工艺状态的通知信息时,判断所述腔室是否容纳有晶片;
若判断结果为是,则向所述腔室发送晶片传出指令,以尝试控制所述腔室将所述晶片传出该腔室;
再次判断所述腔室中是否容纳有晶片;
若所述再次判断的结果为否,则向所述腔室发送离线指令,以控制所述腔室转为离线状态。
优选地,所述控制所述腔室转为离线状态的步骤之后,还包括:
判断当前工艺任务中是否存在与所述腔室中的晶片属于同一批次的待加工晶片;
若判断结果为是,则调度其他待加工晶片进入至处于在线状态的腔室进行工艺,以完成当前所述工艺任务。
优选地,所述控制所述腔室转为离线状态的步骤之后,还包括:
向指定终端发送故障检修信息和/或警报信息。
优选地,所述当接收到一腔室处于非正常工艺状态的通知信息的步骤之后,且判断所述腔室中是否容纳有晶片的步骤之前,还包括:重新获取新的物料传输路径,以完成所述晶片对应的所述工艺任务;以及所述尝试控制所述腔室将所述晶片传出该腔室的步骤之后,且再次判断所述腔室中是否容纳有晶片的步骤之前,还包括:根据已获取的所述能够完成所述晶片的工艺任务的新的物料传输路径来传输所述晶片。
优选地,所述控制所述腔室转为离线状态,包括:
控制所述腔室停止当前工艺;以及在预设时间段内,控制所述腔室之外的处于在线状态的腔室或其他设备拒绝接收处于非正常工艺状态的所述腔室所发出的信息。
优选地,所述非正常工艺状态的通知信息,包括:
至少一个超出预设指标范围的电源值、功率值、压力值以及工艺气体流量值。
优选地,所述控制所述腔室转为离线状态的步骤之后,还包括:
判断所述晶片在进入所述腔室之前、装载该晶片的晶圆传送盒中是否存在未出盒晶片;
若判断结果为是,则停止从该晶圆传送盒中拾取晶片。
优选地,在所述判断所述腔室是否容纳有晶片的步骤之后,
若判断结果为否,则直接向所述腔室发送离线指令,以控制所述腔室转为离线状态。
一种腔室离线控制***,包括:状态判断模块以及离线控制模块;
所述状态判断模块,在接收到一腔室处于非正常工艺状态的通知信息时,判断所述腔室是否容纳有晶片;若判断结果为是,则向所述离线控制模块发送晶片传出指令;
所述状态判断模块还用于再次判断所述腔室中是否容纳有晶片;若所述腔室中未容纳有晶片,则向所述离线控制装置发送离线指令;
所述离线控制模块用于在接收到所述晶片传出指令时,尝试控制所述腔室将所述晶片传出该腔室;在接收到所述离线指令时,控制所述腔室转为离线状态。
优选地,还包括:
警报模块,用于在所述腔室转为离线状态之后,向指定终端发送故障检修和/或报警信息。
本发明具有以下有益效果:
本发明提供的腔室离线控制方法及***的技术方案中,当接收到一腔室处于非正常工艺状态的通知信息时,判断腔室是否容纳有晶片;若是,则向腔室发送晶片传出指令,以尝试控制腔室将晶片传出该腔室;再次判断腔室中是否容纳有晶片;若再次判断的结果为否,则向腔室发送离线指令,以控制腔室转为离线状态。因此,遇到工艺OOC后设备能够自动接受命令,识别腔室是否还有未出片的晶片,有则不出片,并且同时等待出现OOC问题的晶片传出该腔室后立即离线该腔室,因此,并不需要人员手动终止当前运行的工作,更重要的一点是能够保证后续晶片不会再进入OOC腔室工艺影响后续晶片工艺质量甚至出现报废的情况,减小了机台的损失,提高了机台产量。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的腔室离线控制方法的流程框图;
图2为本发明实施例二提供的腔室离线控制方法的流程框图;
图3为本发明实施例三提供的腔室离线控制方法的流程框图;
图4为本发明实施例四提供的腔室离线控制方法的流程框图;
图5为本发明实施例五提供的腔室离线控制方法的流程框图;
图6为本发明实施例六提供的腔室离线控制***的结构示意图;
图7为本发明实施例七提供的腔室离线控制***的结构示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图来对本发明提供的腔室离线控制方法及***进行详细描述。
实施例一
如图1所示,为本发明实施例一提供的腔室离线控制方法的流程框图,本发明实施例一中,腔室离线控制方法包括:
步骤101:当接收到一腔室处于非正常工艺状态的通知信息时,判断腔室是否容纳有晶片;若是,执行步骤102。
具体地,非正常工艺状态的通知信息包括:至少一个超出预设指标范围的电源值、功率值、压力值以及工艺气体流量值。
进一步,预设指标范围是针对不同参数指标设置的不同的参数指标范围值,该不同的参数指标范围值由不同工艺要求以及不同机台型号确定。
步骤102:向腔室发送晶片传出指令,以尝试控制腔室将晶片传出该腔室。
步骤103:再次判断腔室中是否容纳有晶片;若否,执行步骤104。
步骤104:向腔室发送离线指令,以控制腔室转为离线状态。
具体地,控制腔室转为离线状态,包括:控制腔室停止当前工艺;以及在预设时间段内,控制腔室之外的处于在线状态的腔室或其他设备拒绝接收处于非正常工艺状态的腔室所发出的信息。
具体地,预设时间可以由工艺需求确定。
本发明实施例提供的腔室离线控制方法,当接收到一腔室处于非正常工艺状态的通知信息时,判断腔室是否容纳有晶片;若是,则向腔室发送晶片传出指令,以尝试控制腔室将晶片传出该腔室;再次判断腔室中是否容纳有晶片;若再次判断的结果为否,则向腔室发送离线指令,以控制腔室转为离线状态。因此,遇到工艺OOC后设备能够自动接受命令,识别腔室是否还有未出片的晶片,有则不出片,并且同时等待出现OOC问题的晶片传出该腔室后立即离线该腔室,因此,并不需要人员手动终止当前运行的工作,更重要的一点是能够保证后续晶片不会再进入OOC腔室工艺影响后续晶片工艺质量甚至出现报废的情况,减小了机台的损失,提高了机台产量。
实施例二
如图2所示,为本发明实施例二提供的腔室离线控制方法的流程框图,本发明实施例二中,腔室离线控制方法包括:
步骤201:当接收到一腔室处于非正常工艺状态的通知信息时,判断腔室是否容纳有晶片;若是,执行步骤202;若否,执行步骤204。
步骤202:向腔室发送晶片传出指令,以尝试控制腔室将晶片传出该腔室。
步骤203:再次判断腔室中是否容纳有晶片;若否,执行步骤204。
步骤204:向腔室发送离线指令,以控制腔室转为离线状态。
步骤205:判断当前工艺任务中是否存在与腔室中的晶片属于同一批次的待加工晶片;若是,执行步骤206。
步骤206:调度待加工晶片进入至处于在线状态的腔室进行工艺,已完成当前工艺任务。
本发明实施例二提供的腔室离线控制方法,对于片盒中未出片的晶片不再出片盒,对于片盒中已出片的同一腔室的、同一批次的待加工晶片,控制代加工晶片进入处于在先状态的腔室,以对待加工晶片进行工艺。一方面能够及时离线指定腔室,避免已出晶片再次进入有问题的腔室,对于已出片的晶片利用处于在线状态的腔室完成工艺,直至值班人员来到设备端检查有问题的腔室即可,减小了机台的损失;另一方面,保证机台不会因为有问题的腔室,使整个机台停止工作,影响机台产量。
实施例三
如图3所示,为本发明实施例三提供的腔室离线控制方法的流程框图,本发明实施例三中,腔室离线控制方法包括:
步骤301:当接收到一腔室处于非正常工艺状态的通知信息时,判断腔室是否容纳有晶片;若是,执行步骤302;若否,执行步骤304。
步骤302:向腔室发送晶片传出指令,以尝试控制腔室将晶片传出该腔室。
步骤303:再次判断腔室中是否容纳有晶片;若否,执行步骤304。
步骤304:向腔室发送离线指令,以控制腔室转为离线状态。
步骤305:向指定终端发送故障检修信息和/或警报信息。
具体地,指定终端可以是维修人员的终端,向指定终端发送故障检修信息和/或警报信息,可以便于维修人员及时得到信息。
本发明实施例三提供的腔室离线控制方法,进一步,在控制指定腔室离线之后,发出表示检查指定腔室的通知信息和/或报警,以有效提示操作人员对指定腔室进行检修,进一步提高了机台了工作效率。
实施例四
如图4所示,为本发明实施例四提供的腔室离线控制方法的流程框图,本发明实施例四中,腔室离线控制方法包括:
步骤401:接收一腔室处于非正常工艺状态的通知信息。
步骤402:重新获取新的物料传输路径,以完成晶片对应的工艺任务。
步骤403:判断腔室是否容纳有晶片;若是,执行步骤404;若否,执行步骤407。
步骤404:向腔室发送晶片传出指令,以尝试控制腔室将晶片传出该腔室。
步骤405:根据已获取的能够完成晶片的工艺任务的新的物料传输路径来传输晶片。
步骤406:再次判断腔室中是否容纳有晶片;若否,执行步骤407。
步骤407:向腔室发送离线指令,以控制腔室转为离线状态。
本发明实施例四提供的腔室离线控制方法,在接收到腔室离线的指令时,重新计算出新的物料传输路径,按新的物料传输路径完成晶片对应的工艺任务,可以使机台在指定腔室即将离线时,继续使指定腔室之外的腔室参与工作,保证了机台的工作效率。
实施例五
如图5所示,为本发明实施例五提供的腔室离线控制方法的流程框图,本发明实施例五中,腔室离线控制方法包括:
步骤501:当接收到一腔室处于非正常工艺状态的通知信息时,判断腔室是否容纳有晶片;若是,执行步骤502。
步骤502:向腔室发送晶片传出指令,以尝试控制腔室将晶片传出该腔室。
步骤503:再次判断腔室中是否容纳有晶片;若否,执行步骤504。
步骤504:向腔室发送离线指令,以控制腔室转为离线状态。
步骤505:判断晶片在进入腔室之前、装载该晶片的晶圆传送盒中是否存在未出盒晶片;若是,执行步骤506。
步骤506:则停止从该晶圆传送盒中拾取晶片。
发明实施例五提供的腔室离线控制方法,在控制腔室转为离线状态后,通过判断晶片在进入腔室之前、装载该晶片的晶圆传送盒中是否存在未出盒晶片,若是,则停止从该晶圆传送盒中拾取晶片。通过本实施例,提高了晶盒传送盒中晶片传输的安全性。
实施例六
如图6所示,为本发明实施例六提供的腔室离线控制***的结构示意图,本发明实施例六中,腔室离线控制***包括:状态判断模块1以及离线控制装置2。
状态判断模块1,在接收到一腔室处于非正常工艺状态的通知信息时,判断腔室是否容纳有晶片;若判断结果为是,则向离线控制模块发送晶片传出指令;
状态判断模块1还用于再次判断腔室中是否容纳有晶片;若腔室中未容纳有晶片,则向离线控制装置发送离线指令;
离线控制模块2用于在接收到晶片传出指令时,尝试控制腔室将晶片传出该腔室;在接收到离线指令时,控制腔室转为离线状态。
本发明实施例六提供的腔室离线控制***,遇到工艺OOC后设备能够自动接受命令,识别腔室是否还有未出片的晶片,有则不出片,并且同时等待出现OOC问题的晶片传出该腔室后立即离线该腔室,因此,并不需要人员手动终止当前运行的工作,更重要的一点是能够保证后续晶片不会再进入OOC腔室工艺影响后续晶片工艺质量甚至出现报废的情况,减小了机台的损失,提高了机台产量。
实施例七
如图7所示,为本发明实施例七提供的腔室离线控制***的结构示意图,相当于图6所示实施例,本实施例七中,腔室离线控制***还包括:警报模块3。
警报模块3用于在腔室转为离线状态之后,向指定终端发送故障检修和/或报警信息。
本发明实施例七提供的腔室离线控制***,警报模块在控制指定腔室离线之后,发出表示检查指定腔室的通知信息和/或报警,以有效提示操作人员对指定腔室进行检修,进一步提高了机台了工作效率。
综上,本发明实施例提供的腔室离线控制方法及***,遇到工艺OOC后设备能够自动接受命令,重新进行调度计算,识别设备端是否还有未出片的晶片,有则不出片,并且同时等待出现OOC问题的晶片传出该腔室后立即离线该腔室,对于已出片的晶片利用其他腔室完成工艺最后回到片盒,值班人员来到设备端检查有问题的腔室即可,并不需要人员手动终止当前运行的工作,更重要的一点是能够保证后续晶片不在进入OOC腔室工艺影响后续晶片工艺质量甚至出现报废的情况。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种腔室离线控制方法,其特征在于,所述方法包括:
当接收到一腔室处于非正常工艺状态的通知信息时,自动判断所述腔室是否容纳有晶片;
若自动判断结果为是,则自动向所述腔室发送晶片传出指令,以尝试自动控制所述腔室将所述晶片传出该腔室;
再次自动判断所述腔室中是否容纳有晶片;
若所述再次自动判断的结果为否,则自动向所述腔室发送离线指令,以自动控制所述腔室转为离线状态。
2.根据权利要求1所述的腔室离线控制方法,其特征在于,所述自动控制所述腔室转为离线状态的步骤之后,还包括:
判断当前工艺任务中是否存在与所述腔室中的晶片属于同一批次的待加工晶片;
若判断结果为是,则调度其他待加工晶片进入至处于在线状态的腔室进行工艺,以完成当前所述工艺任务。
3.根据权利要求1所述的腔室离线控制方法,其特征在于,所述自动控制所述腔室转为离线状态的步骤之后,还包括:
向指定终端发送故障检修信息和/或警报信息。
4.根据权利要求1所述的腔室离线控制方法,其特征在于,
所述当接收到一腔室处于非正常工艺状态的通知信息的步骤之后,且自动判断所述腔室中是否容纳有晶片的步骤之前,还包括:重新获取新的物料传输路径,以完成所述晶片对应的工艺任务;以及
所述尝试自动控制所述腔室将所述晶片传出该腔室的步骤之后,且再次自动判断所述腔室中是否容纳有晶片的步骤之前,还包括:根据已获取的能够完成所述晶片对应的工艺任务的新的物料传输路径来传输所述晶片。
5.根据权利要求1所述的一种腔室离线控制方法,其特征在于,所述自动控制所述腔室转为离线状态,包括:
控制所述腔室停止当前工艺;以及在预设时间段内,控制所述腔室之外的处于在线状态的腔室或其他设备拒绝接收处于非正常工艺状态的所述腔室所发出的信息。
6.根据权利要求1所述的腔室离线控制方法,所述非正常工艺状态的通知信息,包括:
至少一个超出预设指标范围的电源值、功率值、压力值以及工艺气体流量值。
7.根据权利要求1所述的腔室离线控制方法,其特征在于,所述自动控制所述腔室转为离线状态的步骤之后,还包括:
判断所述晶片在进入所述腔室之前、装载该晶片的晶圆传送盒中是否存在未出盒晶片;
若判断结果为是,则停止从该晶圆传送盒中拾取晶片。
8.根据权利要求1所述的腔室离线控制方法,其特征在于,在所述自动判断所述腔室是否容纳有晶片的步骤之后,
若判断结果为否,则直接向所述腔室发送离线指令,以控制所述腔室转为离线状态。
9.一种腔室离线控制***,其特征在于,包括:状态判断模块以及离线控制模块;
所述状态判断模块,在接收到一腔室处于非正常工艺状态的通知信息时,自动判断所述腔室是否容纳有晶片;若自动判断结果为是,则自动向所述离线控制模块发送晶片传出指令;
所述状态判断模块还用于再次自动判断所述腔室中是否容纳有晶片;若所述腔室中未容纳有晶片,则自动向所述离线控制装置发送离线指令;
所述离线控制模块用于在接收到所述晶片传出指令时,尝试自动控制所述腔室将所述晶片传出该腔室;在接收到所述离线指令时,自动控制所述腔室转为离线状态。
10.根据权利要求9所述的腔室离线控制***,其特征在于,还包括:
警报模块,用于在所述腔室转为离线状态之后,向指定终端发送故障检修和/或报警信息。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN112484922A (zh) * 2020-11-13 2021-03-12 北京北方华创微电子装备有限公司 一种工艺腔室漏率检测方法、半导体工艺设备

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5452349B2 (ja) * 2010-05-11 2014-03-26 東京エレクトロン株式会社 被処理体の搬送方法、被処理体の搬送装置、及び、プログラム
CN103227126A (zh) * 2013-03-27 2013-07-31 上海宏力半导体制造有限公司 互锁控制***
US9606519B2 (en) * 2013-10-14 2017-03-28 Applied Materials, Inc. Matching process controllers for improved matching of process
CN104952761B (zh) * 2014-03-27 2018-11-06 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备工艺加工异常处理的方法及***
CN105807732B (zh) * 2014-12-31 2018-11-06 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺控制方法及半导体工艺控制***
CN105810618B (zh) * 2016-05-31 2018-08-10 北京七星华创电子股份有限公司 提高晶圆传输效率的***及方法

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