CN110739411B - 一种可以提高性能的钙钛矿发光二极管的制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种可以提高钙钛矿发光二极管性能的制备方法。本发明的钙钛矿发光二极管的制备方法在改善钙钛矿薄膜覆盖度及提高钙钛矿发光二极管发光效率和稳定性上具有明显优势。本发明针对无机钙钛矿发光层溶解度有限且薄膜易结晶而形成不均匀且不连续的钙钛矿发光层而影响器件性能的问题，采用醇胺类化合物作为阳极界面修饰层有效改善钙钛矿薄膜形貌，提高薄膜覆盖度，减小薄膜内部缺陷及器件漏电流，进而提高发光器件性能及稳定性。

Description

一种可以提高性能的钙钛矿发光二极管的制备方法

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，具体涉及一种可以提高性能的钙钛矿发光二极管的制备方法。

背景技术

金属卤化钙钛矿半导体材料凭借其光学吸收系数高，载流子扩散长度长，缺陷态密度低，载流子迁移率大，荧光量子效率高等优势，得到了光电能源领域研究人员的广泛关注。近年来，在电致发光领域更是取得了突飞猛进的发展。

2014年Richard H.Friend和Zhi-Kuang Tan等人首次报导的能在室温下工作的钙钛矿发光二极管(PeLEDs)，以MAPbI_3-X和MAPbBr₃(MA＝CH₃NH₃ ⁺)作为发光层的近红外光和绿光的PeLEDs分别实现了0.76％和0.1％的外量子效率(EQE)(Nat.Nanotechnol.2014,9,687)。随后，PeLEDs吸引了越来越多的研究者投入研究，研究人员通过前驱体材料选择、前驱体比例调控、发光层缺陷抑制、发光层界面工程等方面对PeLEDs进行了大量***的研究，这也使得PeLEDs的性能稳步提升。目前，基于近红外光和绿光的PeLEDs的EQE均已突破20％，这两项研究成果均发表于国际顶级期刊Nature上。其中，黄维院士以及王建浦教授所带领的团队，通过一种简单的低温溶液法，实现了由一层非连续、不规则分布的钙钛矿晶粒和嵌入在钙钛矿晶粒之间的低折射率有机绝缘层组成的发光层，进而大幅度地提高了红外PeLED的光提取效率，使用该方法制备的PeLED的EQE达到20.7％(Nature 2018,562,249)。另外，华侨大学魏展画教授课题组利用钙钛矿的组分分布调控策略得到平整致密且光电性能优异的钙钛矿薄膜，并通过加入阻挡层改善电子空穴的注入平衡，得到的绿光发射的PeLED的EQE达20.3％(Nature 2017,550,92)。正是由于PeLEDs的这种飞速的发展，让我们预见其在未来显示领域将具有广泛的应用前景。

尽管，PeLEDs的性能在短短几年内得到了大幅的提升，但是与已经商业化的有机发光二极管和无机量子点发光二极管(EQE:25％以上)相比，其发光效率及稳定性都还有很大的提升空间。目前提升PeLEDs发光效率的主要方法就是对发光层形貌的调控及缺陷的抑制。由于钙钛矿材料具有非常好的结晶性能，在成膜过程中容易形成较大的晶粒，从而导致较薄的发光层的覆盖度较差，进而增加了晶界处的缺陷密度，从而影响器件的发光性能。而这种不连续的发光层也会导致器件漏电流增加或者增加器件短路的风险。因此，获得均匀致密且具有高荧光量子效率的钙钛矿发光层对于实现高效PeLEDs至关重要。

发明内容

本发明为了解决现有技术中钙钛矿发光二极管的制备方法中，无机钙钛矿发光层溶解度有限且薄膜易结晶而形成不均匀且不连续的钙钛矿发光层的技术问题，提供一种可以提高性能的钙钛矿发光二极管的制备方法。

本发明的钙钛矿发光二极管的制备方法的技术方案具体如下：

一种可以提高性能的钙钛矿发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

步骤i、在带有图案化透明阳极层的基板上制备阳极界面层；

步骤ii、在所述阳极界面层上制备阳极界面修饰层；

步骤iii、在所述阳极界面修饰层上生长钙钛矿发光层；

步骤iv、在所述钙钛矿发光层上方通过蒸发依次得到阴极界面层、阴极界面修饰层和阴极层。

上述技术方案中，在步骤ii中，阳极界面修饰层的材料采用醇胺类化合物。

上述技术方案中，步骤ii包括：将醇胺类化合物溶液通过旋涂均匀涂满整个基板，控制旋涂速度为1000-5000转每分钟，在所述阳极界面层的表面上形成阳极界面修饰层，然后放置在热台上加热适当的时间；

所述醇胺类化合物溶液的制备方法如下：以乙醇为溶剂，配制溶液浓度为5-40％的醇胺溶液，在常温下充分搅拌。

上述技术方案中，所述醇胺类化合物为乙醇胺或异丙醇胺或正丙醇胺或异丁醇胺。

上述技术方案中，在步骤i中，所述图案化透明阳极层为铟锡氧化物电极，厚度为50-200纳米。

上述技术方案中，在步骤i中，所述阳极界面层为聚噻吩衍生物聚(3,4-乙烯基二氧噻吩)(PEDOT)掺杂聚苯乙烯磺酸(PSS)，厚度为10-50纳米。

上述技术方案中，在步骤iii中，所述钙钛矿发光层为纯无机钙钛矿CsPbBr₃或CsPbCl₃或CsPbI₃中的一种或几种，厚度为10-50纳米。

上述技术方案中，在步骤iv中，所述阴极界面层为TPBi，厚度为5-50纳米。

上述技术方案中，在步骤iv中，所述阴极界面修饰层为LiF，厚度为0.5-2纳米。

上述技术方案中，在步骤iv中，所述阴极层为铝或银，厚度为20-100纳米。

本发明的可以提高性能的钙钛矿发光二极管的制备方法具有以下的有益效果：

本发明的钙钛矿发光二极管的制备方法在改善钙钛矿薄膜覆盖度及提高钙钛矿发光二极管发光效率和稳定性上具有明显优势。本发明针对无机钙钛矿发光层溶解度有限，且薄膜易结晶而形成不均匀且不连续的钙钛矿发光层，从而影响器件性能的问题，采用醇胺类化合物作为阳极界面修饰层有效改善钙钛矿薄膜形貌，提高薄膜覆盖度，减小薄膜内部缺陷及器件漏电流，进而提高了发光器件性能及稳定性。

附图说明

图1是应用本发明的方法制备的钙钛矿发光二极管器件结构示意图。

图2是钙钛矿薄膜的扫描电镜照片，其中(a)为对比例Ⅰ中钙钛矿薄膜的扫描电镜照片，(b)为实施例1中钙钛矿薄膜的扫描电镜照片。

图3是对比例Ⅰ(曲线1)和实施例1(曲线2)中钙钛矿薄膜的光致发光光谱。

图4是对比例Ⅰ(曲线1)和实施例1(曲线2)的钙钛矿发光器件性能谱图，其中，(a)为电流密度-电压关系图,(b)为亮度-电压关系图。

图中的附图标记表示为：

1-基板；2-图案化透明阳极层；3-阳极界面层；4-阳极界面修饰层；

5-钙钛矿发光层；6-阴极界面层；7-阴极界面修饰层；8-阴极层。

具体实施方式

本发明的发明思想为：提供的一种可以提高性能的钙钛矿发光二极管的制备方法，其所涉及的钙钛矿发光二极管器件结构如图1所示：

基板1的材料为玻璃、石英等透明材料，厚度为1-5毫米；

图案化透明阳极层2材料为具有高透过率和高电导率的铟锡氧化物(ITO)透明导电薄膜，厚度为50-200纳米；

阳极界面层3为PEDOT：PSS，厚度为10-50纳米；

阳极界面修饰层4为醇胺类化合物，具体为乙醇胺或异丙醇胺或正丙醇胺或异丁醇胺。

钙钛矿发光层5为纯无机钙钛矿CsPbBr₃或CsPbCl₃或CsPbI₃中的一种或几种，厚度为10-50纳米；

阴极界面层6为TPBi，厚度为5-50纳米；

阴极界面修饰层7为LiF，厚度为0.5-2纳米

阴极层8，其材料为金属铝或者银，厚度为20-100纳米。

本发明的可以提高性能的钙钛矿发光二极管的制备方法的工艺步骤和条件如下：

一种可以提高性能的钙钛矿发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

步骤1)、在带有图案化透明阳极层2的基板1上制备阳极界面层3；

步骤2)、在阳极界面层3的基板上制备阳极界面修饰层4；

步骤3)、在所述阳极修饰层4上生长钙钛矿发光层5；

步骤4)、在所述钙钛矿发光层5上方蒸发得到阴极界面层6、阴极界面修饰层7和阴极层8。

具体的说：

1)将清洗干净的带有50-200纳米厚的图案化透明阳极层2的基板1放置在旋涂机的托架上，通过0.45微米的过滤头，将PEDOT：PSS均匀涂满整个片子，通过调节旋涂机旋转速度1000-5000转每分钟，使PEDOT：PSS在透明电极的表面上形成一层10-50纳米厚的阳极界面层3，放入120℃的烘箱内加热30分；

2)将上述涂有PEDOT：PSS的透明阳极基板冷却后放置在旋涂机的托架上，将醇胺溶液均匀涂满整个片子，通过调节旋涂机旋转速度1000-5000转每分钟，在透明电极的表面上形成一层单分子阳极界面修饰层4，放置在140℃的热台加热15分种；

上述的醇胺溶液的制备方法如下：以乙醇为溶剂，配制溶液浓度为5-40％的醇胺溶液，在常温搅拌1小时；

3)将上述基板转移至手套箱中，并将其放置在旋涂机托架上，把混合好的钙钛矿前驱体溶液均匀滴在上述基板1上，调节旋涂机转速1000-5000转每分钟，旋涂1分钟后得到10-50纳米厚的钙钛矿发光层5；

上述的钙钛矿前驱体溶液的制备方法如下：以二甲基亚砜为溶剂，无机钙钛矿CsPbBr₃或CsPbCl₃或CsPbI₃中的一种或几种为溶质，溶液浓度为10-40％，在60度加热搅拌3小时，停止加热，继续搅拌12小时；

4)将步骤3)得到的制品放入真空镀膜机中抽真空，当真空度达4×10^-4帕斯卡时依次蒸发5-50纳米厚的阴极界面层6，0.5-2纳米厚的阴极界面修饰层7，和20-100纳米厚的阴极层8。

之后测试。

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明，应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

对比例Ⅰ：

本对比例的钙钛矿发光二极管的制备方法包括以下步骤：

1)将清洗干净的带有120纳米厚的图案化透明阳极ITO的玻璃基板放置在旋涂机的托架上，通过0.45微米的过滤头，将PEDOT：PSS均匀涂满整个片子，通过调节旋涂机旋转速度2500转每分钟，使PEDOT：PSS在透明电极的表面上形成一层30纳米厚的阳极界面层，放入120℃的烘箱内加热30分；

2)将上述基板转移至手套箱中，并将其放置在旋涂机托架上，把混合好的钙钛矿前驱体溶液均匀滴在上述基板上，调节旋涂机转速2500转每分钟，旋涂1分钟后得到30纳米厚的钙钛矿发光层；

上述的钙钛矿前驱体溶液的制备方法如下：以二甲基亚砜为溶剂，无机钙钛矿CsPbBr₃为溶质，溶液浓度为20％，在60度加热搅拌3小时，停止加热，继续搅拌12小时；

3)将步骤2)得到的制品放入真空镀膜机中抽真空，当真空度达4×10^-4帕斯卡时依次蒸发20纳米厚的TPBi阴极界面层，1纳米厚的LiF阴极界面修饰层，和100纳米厚的Al阴极层。

对比例Ⅱ：

本对比例的钙钛矿发光二极管的制备方法包括以下步骤：

1)将清洗干净的带有50纳米图案化透明阳极ITO的玻璃基板放置在旋涂机的托架上，通过0.45微米的过滤头，将PEDOT：PSS均匀涂满整个片子，通过调节旋涂机旋转速度1000转每分钟，使PEDOT：PSS在透明电极的表面上形成一层50纳米厚的阳极界面层，放入120℃的烘箱内加热30分；

2)将上述基板转移至手套箱中，并将其放置在旋涂机托架上，把混合好的钙钛矿前驱体溶液均匀滴在上述基板上，调节旋涂机转速5000转每分钟，旋涂1分钟后得到10纳米厚的钙钛矿发光层；

上述的钙钛矿前驱体溶液的制备方法如下：以二甲基亚砜为溶剂，无机钙钛矿CsPbCl₃为溶质，溶液浓度为10％，在60度加热搅拌3小时，停止加热，继续搅拌12小时；

3)将步骤2)得到的制品放入真空镀膜机中抽真空，当真空度达4×10^-4帕斯卡时依次蒸发50纳米厚的TPBi阴极界面层，2纳米厚的LiF阴极界面修饰层，和20纳米厚的Ag阴极层。

对比例Ⅲ：

本对比例的钙钛矿发光二极管的制备方法包括以下步骤：

1)将清洗干净的带有200纳米图案化透明阳极ITO的玻璃基板放置在旋涂机的托架上，通过0.45微米的过滤头，将PEDOT：PSS均匀涂满整个片子，通过调节旋涂机旋转速度5000转每分钟，使PEDOT：PSS在透明电极的表面上形成一层10纳米厚的阳极界面层，放入120℃的烘箱内加热30分；

2)将上述基板转移至手套箱中，并将其放置在旋涂机托架上，把混合好的钙钛矿前驱体溶液均匀滴在上述基板上，调节旋涂机转速1000转每分钟，旋涂1分钟后得到50纳米厚的钙钛矿发光层；

上述的钙钛矿前驱体溶液的制备方法如下：以二甲基亚砜为溶剂，无机钙钛矿CsPbI₃为溶质，溶液浓度为40％，在60度加热搅拌3小时，停止加热，继续搅拌12小时；

3)将步骤2)得到的制品放入真空镀膜机中抽真空，当真空度达4×10^-4帕斯卡时依次蒸发5纳米厚的TPBi阴极界面层，0.5纳米厚的LiF阴极界面修饰层，和80纳米厚的Al阴极层。

对比例Ⅳ：

本对比例的钙钛矿发光二极管的制备方法包括以下步骤：

1)将清洗干净的带有50纳米图案化透明阳极ITO的石英基板放置在旋涂机的托架上，通过0.45微米的过滤头，将PEDOT：PSS均匀涂满整个片子，通过调节旋涂机旋转速度1000转每分钟，使PEDOT：PSS在透明电极的表面上形成一层50纳米厚的阳极界面层，放入120℃的烘箱内加热30分；

2)将上述基板转移至手套箱中，并将其放置在旋涂机托架上，把混合好的钙钛矿前驱体溶液均匀滴在上述基板上，调节旋涂机转速5000转每分钟，旋涂1分钟后得到10纳米厚的钙钛矿发光层；

上述的钙钛矿前驱体溶液的制备方法如下：以二甲基亚砜为溶剂，无机钙钛矿CsPbCl₃和CsPbBr₃为溶质，溶液浓度为10％，在60度加热搅拌3小时，停止加热，继续搅拌12小时；

3)将步骤2)得到的制品放入真空镀膜机中抽真空，当真空度达4×10^-4帕斯卡时依次蒸发50纳米厚的TPBi阴极界面层，2纳米厚的LiF阴极界面修饰层，和20纳米厚的Ag阴极层。

实施例1：

本实施例的钙钛矿发光二极管的制备方法包括以下步骤：

1)将清洗干净的带有120纳米厚的图案化透明阳极ITO的玻璃基板放置在旋涂机的托架上，通过0.45微米的过滤头，将PEDOT：PSS均匀涂满整个片子，通过调节旋涂机旋转速度2500转每分钟，使PEDOT：PSS在透明电极的表面上形成一层30纳米厚的阳极界面层，放入120℃的烘箱内加热30分；

2)将上述涂有PEDOT：PSS的透明阳极基板冷却后放置在旋涂机的托架上，将乙醇胺溶液均匀涂满整个片子，通过调节旋涂机旋转速度2500转每分钟，在透明电极的表面上形成一层单分子阳极界面修饰层，放置在140℃的热台加热15分种；

上述的乙醇胺溶液的制备方法如下：以乙醇为溶剂，配制溶液浓度为10％的乙醇胺溶液，在常温搅拌1小时；

3)将上述基板转移至手套箱中，并将其放置在旋涂机托架上，把混合好的钙钛矿前驱体溶液均匀滴在上述基板上，调节旋涂机转速2500转每分钟，旋涂1分钟后得到30纳米厚的钙钛矿发光层；

上述的钙钛矿前驱体溶液的制备方法如下：以二甲基亚砜为溶剂，无机钙钛矿CsPbBr₃为溶质，溶液浓度为20％，在60度加热搅拌3小时，停止加热，继续搅拌12小时；

4)将步骤3)得到的制品放入真空镀膜机中抽真空，当真空度达4×10^-4帕斯卡时依次蒸发20纳米厚的TPBi阴极界面层，1纳米厚的LiF阴极界面修饰层，和100纳米厚的Al阴极层。

实施例2：

本实施例的钙钛矿发光二极管的制备方法包括以下步骤：

1)将清洗干净的带有50纳米厚的图案化透明阳极ITO的玻璃基板放置在旋涂机的托架上，通过0.45微米的过滤头，将PEDOT：PSS均匀涂满整个片子，通过调节旋涂机旋转速度1000转每分钟，使PEDOT：PSS在透明电极的表面上形成一层50纳米厚的阳极界面层，放入120℃的烘箱内加热30分；

2)将上述涂有PEDOT：PSS的透明阳极基板冷却后放置在旋涂机的托架上，将异丙醇胺溶液均匀涂满整个片子，通过调节旋涂机旋转速度5000转每分钟，在透明电极的表面上形成一层单分子阳极界面修饰层，放置在140℃的热台加热15分种；

上述的异丙醇胺溶液的制备方法如下：以乙醇为溶剂，配制溶液浓度为5％的异丙醇胺溶液，在常温搅拌1小时；

3)将上述基板转移至手套箱中，并将其放置在旋涂机托架上，把混合好的钙钛矿前驱体溶液均匀滴在上述基板上，调节旋涂机转速5000转每分钟，旋涂1分钟后得到10纳米厚的钙钛矿发光层；

上述的钙钛矿前驱体溶液的制备方法如下：以二甲基亚砜为溶剂，无机钙钛矿CsPbCl₃为溶质，溶液浓度为10％，在60度加热搅拌3小时，停止加热，继续搅拌12小时；

4)将步骤3)得到的制品放入真空镀膜机中抽真空，当真空度达4×10^-4帕斯卡时依次蒸发50纳米厚的TPBi阴极界面层，2纳米厚的LiF阴极界面修饰层，和20纳米厚的Ag阴极层。

实施例3：

本实施例的钙钛矿发光二极管的制备方法包括以下步骤：

1)将清洗干净的带有200纳米厚的图案化透明阳极ITO的玻璃基板放置在旋涂机的托架上，通过0.45微米的过滤头，将PEDOT：PSS均匀涂满整个片子，通过调节旋涂机旋转速度5000转每分钟，使PEDOT：PSS在透明电极的表面上形成一层10纳米厚的阳极界面层，放入120℃的烘箱内加热30分；

2)将上述涂有PEDOT：PSS的透明阳极基板冷却后放置在旋涂机的托架上，将正丙醇胺溶液均匀涂满整个片子，通过调节旋涂机旋转速度1000转每分钟，在透明电极的表面上形成一层单分子阳极界面修饰层，放置在140℃的热台加热15分种；

上述的正丙醇胺溶液的制备方法如下：以乙醇为溶剂，配制溶液浓度为40％的正丙醇胺溶液，在常温搅拌1小时；

3)将上述基板转移至手套箱中，并将其放置在旋涂机托架上，把混合好的钙钛矿前驱体溶液均匀滴在上述基板上，调节旋涂机转速1000转每分钟，旋涂1分钟后得到50纳米厚的钙钛矿发光层；

上述的钙钛矿前驱体溶液的制备方法如下：以二甲基亚砜为溶剂，无机钙钛矿CsPbI₃为溶质，溶液浓度为40％，在60度加热搅拌3小时，停止加热，继续搅拌12小时；

4)将步骤3)得到的制品放入真空镀膜机中抽真空，当真空度达4×10^-4帕斯卡时依次蒸发5纳米厚的TPBi阴极界面层，0.5纳米厚的LiF阴极界面修饰层，和80纳米厚的Al阴极层。

实施例4：

本实施例的钙钛矿发光二极管的制备方法包括以下步骤：

1)将清洗干净的带有50纳米厚的图案化透明阳极ITO的石英基板放置在旋涂机的托架上，通过0.45微米的过滤头，将PEDOT：PSS均匀涂满整个片子，通过调节旋涂机旋转速度1000转每分钟，使PEDOT：PSS在透明电极的表面上形成一层50纳米厚的阳极界面层，放入120℃的烘箱内加热30分；

2)将上述涂有PEDOT：PSS的透明阳极基板冷却后放置在旋涂机的托架上，将异丁醇胺溶液均匀涂满整个片子，通过调节旋涂机旋转速度5000转每分钟，在透明电极的表面上形成一层单分子阳极界面修饰层，放置在140℃的热台加热15分种；

上述的异丁醇胺溶液的制备方法如下：以乙醇为溶剂，配制溶液浓度为5％的异丁醇胺溶液，在常温搅拌1小时；

3)将上述基板转移至手套箱中，并将其放置在旋涂机托架上，把混合好的钙钛矿前驱体溶液均匀滴在上述基板上，调节旋涂机转速5000转每分钟，旋涂1分钟后得到10纳米厚的钙钛矿发光层；

上述的钙钛矿前驱体溶液的制备方法如下：以二甲基亚砜为溶剂，无机钙钛矿CsPbCl₃和CsPbBr₃为溶质，溶液浓度为10％，在60度加热搅拌3小时，停止加热，继续搅拌12小时；

4)将步骤3)得到的制品放入真空镀膜机中抽真空，当真空度达4×10^-4帕斯卡时依次蒸发50纳米厚的TPBi阴极界面层，2纳米厚的LiF阴极界面修饰层，和20纳米厚的Ag阴极层。

通过以上多个实施例和对比例可以了解到：

图2是对比例Ⅰ和实施例1中钙钛矿薄膜的扫描电镜照片。从图2中可以看出不采用阳极界面修饰层乙醇胺的对比例Ⅰ中，钙钛矿薄膜晶粒尺寸大，薄膜覆盖度差，而在采用乙醇胺作为阳极界面修饰层的实施例1中，钙钛矿薄膜晶粒尺寸明显减小，并且薄膜均匀连续，覆盖度好。

图3是对比例Ⅰ和实施例1中钙钛矿薄膜的光致发光光谱。从图3中可以看出经过阳极界面修饰层乙醇胺处理的实施例1的钙钛矿薄膜光致发光较没有处理的对比例Ⅰ中的钙钛矿薄膜的电致发光强度有明显的提高，说明乙醇胺可以有效的抑制阳极界面层处钙钛矿薄膜缺陷的形成，进而提高薄膜发光性能。图3中光强的单位为坎德拉(cd)。

图4是对比例Ⅰ和实施例1的钙钛矿发光器件性能对比谱图，从图中可以看出，与对比例Ⅰ相比，实施例1在相同电压下具有更高的电流密度，说明其具有更小的漏电流，同时具有更高的亮度，由此说明乙醇胺阳极界面修饰层有效提高了器件的发光性能。

另一方面，下面所示的表1是对比例Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ和实施例1、2、3、4发光性能参数对比。与对比例Ⅰ相比，实施例1具有更高的亮度、电流效率和寿命(21800坎德拉每平方厘米、坎德拉每安培16.4和6分钟)。同样的，与对比例Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ相比，实施例2、3、4也分别具有更高的亮度、电流效率和寿命。由此体现出了本发明的各实施例较其分别对应的对比例具有更加出色的发光性能和稳定性，从而说明本发明的方法在提高钙钛矿发光二极管性能方面具有明显的优势。

表1

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (9)

1.一种可以提高性能的钙钛矿发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

步骤i、在带有图案化透明阳极层(2)的基板(1)上制备阳极界面层(3)；

步骤ii、在所述阳极界面层(3)上制备阳极界面修饰层(4)；

步骤iii、在所述阳极界面修饰层(4)上生长钙钛矿发光层(5)；

步骤iv、在所述钙钛矿发光层(5)上方通过蒸发依次得到阴极界面层(6)、阴极界面修饰层(7)和阴极层(8)；

在步骤ii中，阳极界面修饰层(4)的材料采用醇胺类化合物。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤ii包括：

将醇胺类化合物溶液通过旋涂均匀涂满整个基板(1)，控制旋涂速度为1000-5000转每分钟，在所述阳极界面层(3)的表面上形成阳极界面修饰层(4)，然后放置在热台上加热适当的时间；

所述醇胺类化合物溶液的制备方法如下：以乙醇为溶剂，配制溶液浓度为5-40％的醇胺溶液，在常温下充分搅拌。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述醇胺类化合物为乙醇胺或异丙醇胺或正丙醇胺或异丁醇胺。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在步骤i中，所述图案化透明阳极层(2)为铟锡氧化物电极，厚度为50-200纳米。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在步骤i中，所述阳极界面层(3)为聚噻吩衍生物聚(3,4-乙烯基二氧噻吩)掺杂聚苯乙烯磺酸，厚度为10-50纳米。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在步骤iii中，所述钙钛矿发光层(5)为纯无机钙钛矿CsPbBr₃或CsPbCl₃或CsPbI₃中的一种或几种，厚度为10-50纳米。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在步骤iv中，所述阴极界面层(6)为TPBi，厚度为5-50纳米。

8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在步骤iv中，所述阴极界面修饰层(7)为LiF，厚度为0.5-2纳米。

9.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在步骤iv中，所述阴极层(8)为铝或银，厚度为20-100纳米。

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